TWM364270U - Advanced FI blade for high temperature extraction - Google Patents

Description

M364270 五、新型說明： 【新型所屬之技術領域】 本創作的各實施例一般涉及在處理系統中傳輸基板的 裝置和方法。尤其是’本創作的各實施例涉及被設計成降 低基板上熱應力的、與愚溫處理一起使用的苹片。 【先前技術】 基板製造製程的效用通常通過兩個相關且重要的因素 測置’即裝置産量和擁有成本（C〇〇)。由於這些因素直接 影響到製造電子裝置的成本以及由此導致的市面上裝置製 造商的競爭力，因此這些因素很重要。雖然受到很多因素 的影響，但是C〇0很大程度上受到系統和腔室産量的影 響，或者簡單地受到使用所需處理順序處理的每小時基板 數量的影響。在努力降低Co〇的過程中，在給定的群集工 具結構限制和室處理時間的條件下，電子裝置製造商通常 化費大量時間來努力改進處理順序和室處理時間，以實現 最大可能的基板産量。完成處理順序所花f的時間的大部 分都用於在各處理室之間傳送基板。 、半導體處理系統通常在單個平臺上結合了大量處理室 以進行幾個連續處理步驟而不需從高度受控處理環境移動 基板。-旦用必須數量的室和辅助裝置構成了群集工且用 於進行某些處理步驟，該系統就通f通過使用設置在系统 4 M364270 中的機益人移動基板通過室來處理大量基板。該機器人在 機器人葉片上提供基板的橫向和旋轉移動以從系統内的一 個位置向另一個位置取回、傳送和供應基板。當前實際操 作也包括使用機械臂從裝載端向多室處理系統内的各處理 至傳送基板。圖1繪示習知技藝葉片1〇〇，目前使用該葉 片用於從處理室提取基板。葉片100具有被第一橫向凸緣 ' (Sh〇Ulder) I20和第二橫向凸緣130限制在任一側上、通 常爲平坦的葉片（blade)表面11〇。平坦葉片表面ιι〇通 • 常支援基板。 當前的處理方法通常需要在特定處理室中將基板曝露 到超過550°C的適當處理溫度下。在處理之後，從處理室 中提取出熱基板並將其設置在冷卻位置。但是，從處理室 中提取熱基板和將熱基板曝露到冷很多的氣氛中已經導致 了幾個問題，包括基板破裂、翹曲和其他缺陷。如圖2中 所示，圖i的習知技藝葉片設計在基板上産生了大量的熱 籲應力。在熱基板下大量平坦葉片表面11〇的大量材料減緩 了基板和習知技藝葉片100的冷卻，結果，由於基板和葉 片必須在基板和葉片能從處理室中去除之前從處理溫度冷 .卻到最小值550°C，因此目前的提取溫度被限於55〇。〇且相 . 應的基板産量受到限制。 因此，需要一種葉片，允許提取溫度大於550°C，且 能減少基板破裂和趣曲的發生。 M364270 ' 【新型内容】 如申請專利範圍所限定的本釗作的實施例通常提供在 處理系統中傳送基板的裝置，基板在該處理系統中被曝露 到高溫下。在-個實施例中，該裝置是固定到機器人用來 ’在處理系統的處理室之間傳送諸如半導體基板這樣的基板 的葉片。葉片被设成最小化基板下方的葉片表面面積，並 攀&此相應地降低在從熱處理室中提取基板之後在基板上產 生的熱應力。最小化在基板下方的機器人葉片面積允許更 快地冷卻葉片材料。該葉片也被設計成降低與基板的邊緣 接觸，由此提供降低的基板顆粒污染。 在一個實施例中，提供一種用於傳送基板的葉片。該 葉片包括具有弓形橫向凸緣的基部，自基部向外延伸且垂 直於基部的第-指部，自基部向外延伸且與第一指部平行 #和與第一指部間隔開的第二指部，被配置成支樓基板且沿 著弓形橫向凸緣定位的第一支擇薄月（supp〇rttab)，被配 置成支撐基板且與第一指部叙接的第二支擇薄片，以及被 •配置成支撑基板且與第二指部輕接的第三支撐薄片，其中 .弓形橫向凸緣自第-指部料邊緣向第4部的外邊緣延 二在某些實施例中’葉片還包括沿著基部的弓形橫向凸 緣疋位的第四φ措、續μ 片。在某些實施例中，第一支撐薄片 二支撐薄片距基部中心爲等距的。在某些實施例中， 6 M364270

第一支撐薄片、第二支撐薄 基板的谷器。在某些實施例 一支撐表面和第二支撐表面 表面從第一支撐表面向内設 在某些實施例中，第一支撐 片和第三支撐薄片形成了支撐 中’每一個支撐薄片都包括第 。在某些實施例中，第二支撐 置’且在第一支撐表面之下。 薄片和第四支撐薄片被定位成

距平行於第-指部和第二指部並平分葉片的基部的中心的 中心線在約15。至約2Gc^f[在某些實施例中，第二支撐 薄片和第三支撐薄片被定位成距垂直於該中心線的水平線 在約25。和至30。之間，該中心線平行於第一指部和第二指 部且平分葉片的基部的中心線。 在另一實施例中’提供用於傳送基板的U形葉片。該 U形葉片包括具有弓形橫向凸緣的基部，自基部向外延伸 且垂直於基的第一指部，自基部向外延伸且與第一織補 平行和與第一織補間隔開的第二指部，被配置成支撐基板 且沿著弓形橫向凸緣定位的第一支撐薄片，被配置成支撐 基板且與第一指部的傾斜部分耦接的第二支撐薄片，被配 置成支撐基板且與第二指部的傾斜部分耦接的第三支撐薄 片’以及沿著基部的弓形橫向凸緣定位的第四支撐薄片。 在再—實施例中，提供了一種用於處理基板的系統。 該系統包括移送室，與移送室耦接的一個或多個處理室， 集中地設置在移送室内的機器人元件，以及耦接到機器人 凡件的葉月。U形葉片包括具有弓形橫向凸緣的基部，自 基部向外延伸且垂直於基部的第一指部，自基部向外延伸 且與第一指部平行和與第一指部間隔開的第二指部，被配 7 M364270 置成支樓基板且沿著弓形橫向凸緣定位的第一支撐薄片， 被配置成支撐基板且與第一指部耦接的第二支撐薄片，以 及被配置成支撐基板且與第二指部耦接的第三支撐薄片， 其中弓开v橫向凸緣自第一指部的外邊緣向第二指部的外邊 緣延伸。 【實施方式】 豳 如申明專利範圍中列出的本創作的實施例一般提供了 •帛於在處理系統中傳送基板的裝置和方法，處理系統中， 希望將基板曝露到焉溫下且予以快速冷卻。該裝置可貼裝 到機器人上用於在處理系統中的處理室之間傳送基板諸如 半導體晶圓。將葉片設計成最小化基板下方的葉片表面積 以降低從加熱的處理t巾取ώ之後在基板上產生的熱應 力。最小化基板下方的葉片表面積允許基板和葉片材料的 更快冷卻。也將葉片設計成降低與基板的邊緣接觸且由此 ^ 提供降低的基板顆粒污染。 在此描述的實施例可有利地用在群集工具結構 (cluster to〇l configurati〇n)中，該群集工具結構具有在 ‘單個基板處理室和//或多批類型處理室中處理基板的能 •力。群集工具是包括進行各處理步驟用於形成電子裝置的 多個室的模組化系統。葉片可用在半導體裝置處理系統 中用在於基板、包括半導體晶圓和玻璃板上製造半導體 中。其中可使用葉片的系統實例包括例如熱處理系統諸如 8 M364270 CENTURA®Epi 和 Vantage RadiancePlus RTP 系統，二者都 可從位於加州的Santa Clara市的Applied Materials公司獲 得。葉片也可與有其他製造商製造的其他處理系統一起使 用。葉片也可與手工操作而不需機器人辅助的其他處理系 統一起使用。

在圖3中，處理系統3〇〇的上下文中繪示機器人元件 310。機器人元件310集中地設置在在移送室311内部。以 使基板能分別通過閥門316、317、318和319被傳送到相 鄰的處理室312、313、3丨4和315中/機器人元件31〇可 包括蛙腿式機械裝置。在某些實施例中，機器人元件3ι〇 可包括任一種公知類型的機械裝置’用於實現肖或自各處 理室的線性延伸。葉片8〇〇與機器人元件31〇耦接。葉片 800被配置成通過處理系統3〇〇傳送基板。

圖4是根據在此描述的一個實施例的葉片32〇的示意 性透視圖。葉片32G包括具有第一指部和第二指部43〇 的基部41〇，#-個指部都自基部向外延伸且垂直於基部 以形成U形葉片。在某些實施例中，第一指部㈣、第二 指部43〇和基部41G被製造成單―元件。在某些實施例中， 第一指部420和第二指部43〇可以是分開的#，其使用習 知技藝令公知的貼裝技術與葉片32〇的基部4ι〇耦接。 葉片320的基部彻通過橫向凸緣412限定。在一個 實施例中，橫向凸，緣412形狀爲弓形以與圓形基板的形狀 一致。但是，橫向凸緣412可以是任何形狀以與被傳送的 基板形狀-致。葉片32G的基部41G具有兩個向後的相對 9 M364270 橫向突起414A、414B以及用於使用固定裝置諸如穿過孔 418設置的螺絲釘安裝葉片到機器人元件的腕部或其他安 裝部件的凹部416。在某些實施例中，在葉片感測器上的 晶圓（“WOB” ）（未示出）可位於基部41〇上用於檢測葉 片320上基板的存在。 、

第一指部420和第二指部43〇被定位成使得它們距平 分基部41G的中心線彻爲等距的。第―指部42()和第二 ，部430也被定位成最小化設置在第—指部㈣和第二指 P 〇上方的基板下方的葉片3 20表面積。儘管優選最小 匕基板下方的葉片320的表面積，但是第-指冑420和第 二指部430之間的距離通過葉片32〇可進出以插入和取出 的開口和/或閥門規定。例如’當進入狹窄的流量閥 日:第扣部420和第二指部43〇被定位成靠近在一起。但 匕立碣口和/或閥門寬闊的地方，第一指部42〇和第二 430被定位成儘量遠地隔開以最小化基板下方葉片 、 積同時允許對基板足夠的支揮。在一個實施 .^ —才θ部420的内邊緣4U和第二指部430的内 邊緣433之間的 大於基部410的兩個向後的相 對k向凸起之間的距離“。 相 第一指部42η & ,t _ ^ 的—部分外邊緣422可向内傾斜向第 指邛420的端部 u 以形成傾斜部分425，從而最小化 片320的表面積。m 如偭A物 弟一知部430的一部分外邊緣432可 内傾斜向第二指 從而最小Up 端冑434以形成傾斜部分435 莱片320的表面積。 10 M364270 可將一個或多個支撐薄片440a-d設置在葉片320上。 每一個都被配置成支撐基板的第一支撐薄片440a和第二 支撐薄片440b從橫向凸緣412的邊緣向内定位。第一支撐 薄片440a和第二支撐薄片44〇b被定位成使得第一支撐薄 片440a和第二支撐薄片44〇b在葉片32〇的基部41〇的中 心線450的相對兩側上，且距葉片32〇的基部41〇的中心 線450爲等距的。從第一指部（finger) 420的端部424的 外邊緣422的傾斜部分向内定位元第三支撐薄片44〇c。從 第二指部430的端部424的外邊緣422的傾斜部分向内定 位元第四支撐薄片44〇d。儘管圖4中的實施例描述了四個 支撐薄片’但是應當理解’可使用足以支撐基板的任意數 量的支撐薄片。例也可使用其中將第一支撐薄片和第 一支撐薄片分別定位在第一指部42〇和第二指部43〇上、 著葉片320基部41〇的橫向凸緣412邊緣定位第三支撐 薄片的—個支撐薄片結構。支撐薄片44〇能整體製造到葉 片320上或者可通過加壓、銅焊、焊接、粘附性貼裝、等 離子體噴射、電弧喷射或者通過使用其他本工業中公知的 麵接方法固定到葉片320上。 圖5是圖4葉片的示意性側視圖，繪示至少部分定位 在葉片320表面上方的支撐薄片44〇d，以提供基板和葉片 32〇表面之間的間隙（ clearance)。圖6是沿著圖4的線6_6 取得的示意性截面圖。接近每個支撐薄片44〇a_d的前邊緣 52〇形成接觸斜坡5 1 〇。每個支撐薄片440a-d上的接觸斜 坡510的組合形成了支撐基板的容器（pocket)。接觸斜坡 M364270 510被設計成支撐冷基板和由於存在熱量而膨脹的熱基 板。圖7是沿著圖4的線7_7取得的示意性截面圖，其繪 示接觸斜坡510和支撐薄片的前邊緣52〇。 葉片320由與加壓條件相容的穩定的、質量輕的材料 製成，同％支撐基板並允許快速冷卻葉片32〇和基板。葉 片320可包括各種金屬和非金屬材料。在某些實施例中， 葉片320可包括石英材料。在某些實施例中，葉片可 包括陶瓷材料，包括例如氧化鋁、氧化鋁碳化矽複合物、 碳化矽、已被摻雜成較低電阻的各種絕緣材料諸如碳摻雜 的氮化鋁、氮化矽、氮化硼和硼。在某些實施例中，支撐 薄片440可包括與葉片32〇相同的材料。在某些實施例中， 支撐薄片440可包括與葉片32〇不同的材料。在某些實施 例中’支撐薄片440可包括石英材料。 圖8是根據在此描述的另一實施例的葉片的示意 性透視圖。葉片800包括具有第一指部82〇和第二指部83〇 的基部810’兩個指部自基部81〇向外延伸且垂直於基部 810以形成U形葉片。葉片8〇〇的基部81〇通過橫向凸緣 請限定。在—個實施例中，橫向凸緣840形狀爲弓形以 與圓形基板形狀-致。但是橫向凸緣84〇可以是任意形狀 以與被傳送的基板形狀相—致。葉片8⑽的基部81〇被配 置成經由固定裝置諸如通過孔設置的螺絲安裝到機器人元 件。 第一指部820和第二指部83〇被定位成距平分基部81〇 的中心線890爲等距的。第一指部82〇和第二指部謂也 12 M364270 被定位成最小化設置在第一指部820和第二指部830上方 的基板下的葉片表面積。第一指部820和第二指部830可 以是與機n人葉片8⑼的基部81()柄接的分離的片。第一 才曰邛820和第二指部830也可被製造成具有基部810的單 個元件。 一個或多個支撐薄片85〇a_d被設置在葉片8〇〇上。從 橫向凸緣840 @邊緣向内定位每一個都被配置成支撐基板 邊緣的第—支撐薄片850a和第二支撐薄片850b。第一支 撐薄片850a和第二支撐薄片85〇b被定位成使得第一支撐 薄片850a和第二支撐薄片85〇b在中心線89〇的相反兩側 上，且距中心線890爲等距的。從與第一指部820的外邊 緣870相鄰的端部奶的傾斜部分86〇向内定位元第三支 撐薄片850c。從與第二指部83〇的外邊緣相鄰的端部 880的傾斜部分875向内定位元第三支撐薄片8观。儘管 圖8中不出的實施例描述了四個支撐薄片850a-d，但是應 田理解’可使用足以支撐基板的任意數量支撐薄片。例如， 也可使用其中將第一支撐薄片和第二支撐薄片分別定位在 第U 820和第二指部830上、沿著葉片基部的橫向凸 緣邊緣定位第三支樓薄片的三個支携薄片結構。支携薄片 能整體製造到葉片謂上或者可通過加壓、鋼焊、焊接、 '钻附性貼裝、等離子體喷射、電弧喷射或者通過使用其他 的輕接方法固定到葉片8°°上。☆某些實施 ' 樓薄片8術和第二支撐薄片850b可分別被 定位在約15。和約25〇之門，你f Λ π τ 刀乃J m 勺25之間例如距平行於第-指部820和 M364270 第二指部830並平分葉片800的基部810的中心的中心線 約20°。在某些實施例中，第三支撐薄片85〇c和第四支撐 薄片850d分別被定位在約25。和約3〇。之間，例如距平分 葉片800的基部81〇的中心的中心線890約29。。 圖9疋圖8的葉片的示意性側視圖，其繪示支揮薄片 850和支撐薄片85〇雙容器設計的細節。每個支撐薄片 都包括向下傾斜向支撐已膨脹的加熱基板的第一支撐表面 92〇的第一接觸斜坡910。每一個都包含第一支撐表面92〇 的四個支撐薄片85〇a_85〇d形成了用於支撐基板的第一容 器。第一支撐表面920引起第二個稍向下傾斜的表面或者 第二個接觸斜坡930,其導致了用於支撐已被冷卻的基板 的第二基板支撐表面94〇。從第一支撐表面920向内設置 第二基板支撐表面940。每一個都含有第二支撐表面940 的四個支撐薄片85〇a_85〇d形成了支撐被冷卻基板的第二 容器。圖10是示出支撐薄片的第一接觸斜坡910和第二接 觸斜坡930的示意性截面圖。製成薄片85〇a_85〇d可與葉 片諸如圖4中示出的葉片一起使用。 圖11描述了 IR照像測試，其繪示根據本創作的一個 實施例中對葉片進行有限元件分析（FEA)之比較基板繪 圖。1R照像測試示出在基板上無組合應力點且最小化了基 板和葉片撓曲。提供了 一種降低了熱基板上熱應力梯度同 、允許大於550C取出溫度、具有降低了基板破裂和勉曲 發生的新的葉片。葉片允許從處理室對基板進行較高溫度 的提取’已經繪示對於一些實施例每個基板處理時間降低 14 M364270 -了 10秒，由此降低了整體處理時間以及擁有成本。 雖然鈿述内容針對本創作的實施例，但是可設計出在 此描述的其他的和進一步的實施例而不超出其基本範圍， 且其範圍由以下的申請專利範圍確定。 【圖式簡單說明】 纟文於附圖中繪示-些實施例，因此能更詳細理解本 _ 創作上述特徵的方式，而本創作更加特定的描述、及上述 •創作内容可通過參考實施例獲得。但是，請注意附圖僅繪 示本創作的典型實施例，且由於本創作可包含其他等效實 施例，因此不應認爲其限制了本創作的範圍。 圖1繪示用於從處理室提取基板的習知技藝葉片； 圖2描述了 m照像測試，其緣示對圖i習知技藝葉片 進行有限元件分析（FEA)之比較基板繪圖； 圖3是多室基板處理系統的俯視平面圖； •圖4是根據在此描述的實祐〆 J I施例的葉片的示意性透視 圖； 圖5是圖4的葉片的示意性側視圖·，

圖6是沿著圖4的線6-6取猓沾-立A 取侍的不意性截面圖； 圖7是沿著圖4的線7-7取得的_备ω此 %侍的不意性截面圖； 圖8是根據在此描述的另—眚护μ址 實施例的葉片的示意性透 視圖； 圖9是沿著圖8的線9-9取锃认_也 取件的不意性截面圖； 15 M3 64270 圖10是沿著圖8的線10-10取得的示意性截面圖； 圖11描述了 IR照像測試，其繪示根據本創作一個實 施例對葉片進行FEA之比較基板繪圖， 爲了便於理解，可能的情況下，已經使用相同元件符 號表示圖中共用的相同的特徵。將預期在一個實施例中 的特徵和/或處理步驟可有利地用在其他實施例中而不 需特別說明。 癱 【主要元件符號說明】 6-6 線 314 處理室 7-7 線 315 處理室 8-8 線 316 閥門 9-9 線 317 閥門 100 習知技藝葉片 318 閥門 110 平坦的葉片表面 319 閥門 120 第一橫向凸緣 320 葉片 130 第二橫向凸緣 410 基部 300 處理系統 412 橫向凸緣 310 機器人元件 414Α 橫向突起 311 移送室 414Β 橫向突起 312 處理室 416 凹部 313 處理室 418 孔 16 M364270

420 第一指部 820 第一指部 422 外邊緣 830 第二指部 423 内邊緣 840 橫向凸緣 424 端部 850 支撐薄片 425 傾斜部分 850a 第一支撐薄片 430 第二指部 850b 第二支撐薄片 432 外邊緣 850c 第三支撐薄片 433 内邊緣 850d 第四支撐薄片 434 端部 860 傾斜部分 435 傾斜部分 865 端部 440a 第一支撐薄片 870 外邊緣 440b 第二支撐薄片 875 傾斜部分 440c 第三支撐薄片 880 端部 440d 第四支撐薄片 885 外邊緣 450 中心線 890 中心線 510 接觸斜坡 910 第一接觸斜坡 520 前邊緣 920 第一支撐表面 800 葉片 930 第二接觸斜坡 810 基部 940 第二支撐表面 17

Claims (1)

1. M364270 六、申請專利範圍： 1· 一種用於傳送一基板的葉片，包括： 一基部’其具有一弓形橫向凸緣； 第^曰°卩’其自該基部向外延伸且垂直於該基部； 第一、°卩’其自該基部向外延伸’且與該第一指部 平行和與該第一指部隔開； 其被配置成支樓該基板且沿著該弓 其被配置成支樓該基板且與該第一 其被配置成支樓該基板且輕接該第 指部的一外邊緣向 —第一支撐薄片 形橫向凸緣定位； —第二支撐薄片 指部耦接；和 一第三支撐薄片 曰部，其中該弓形橫向凸緣自該第 該第二指部的—外邊緣延伸。 如π求項i的葉片’還包括一第四支撐薄片，其 〜基部的該弓形橫向凸緣定位。 、 支揮3薄如广求項2的葉片，其中該第-支撑薄片和該第 牙薄片距離該基部的一中心相等距離。 ’如哨求項i的葉片，其中每個支 一支q令丨匕栝一 惲表面和—第二支撐表面。 如口月求項4的葉片，立中古玄笛产全 支擇表面向^ /第一支標表面從該第 田门内叹置，且位在該第一支撐表面之下。 支^如請求項5的葉片，其中該第一支擇薄片、該第 牙/專片和該第三第 一支撐溥片的該第一支撐表面形成了支 M364270 器 一基板的一第— 支揮;二6的葉片，其中該第-支撑薄片、該第二 板的=第三支㈣片的該第二表面形成了支撐該基 扳的一第二容器。 支月t項2的葉片，其中該第—支撲薄片和該第四 線^行位成距—中心線約15。至約2G。之間，該中心 广—指部和該第二指部，其平分該葉片的該基 σ|的—中心。 支撐蓮y月求㉟8的葉片其中該第二支撐薄片和該第三 約30。被定位成距垂直於該中心線的一水平線約25。至 平八 〗該中心線平行於該第一指部和該第二指部，其 干刀讀葉片的該基部的該中心。 1 .如：求項1的葉片’其中該基板是-半導體晶圓。 ΐ2 θ求項1的葉片，其中該葉片包括-石英材料。 橫向突月求項1的葉片’纟中該基部包括二向後相對的 緣之=起’且在該第一葉片的内邊緣和該第二葉片的内邊 離。的距離大於該二向後相對的橫向突起之間的一距 13. 一種用於傳送—基板的U形葉片，包括： 基部’其具有-弓形橫向凸緣； ·. l_fc ^ ^ ·、 曰4 其自該基部向外延伸且垂直於該基部； 一'第二於邱 — 0 ’其自基部向外延伸且與該第一指部平 灯’和與該第-指部間隔開； 第—支樓薄片’其被配置成支撐該基板且沿著該弓 M364270 * 形橫向凸緣定位； 一第二支撐薄片’其被配置成支撐該基板且與該第— • 指部的一傾斜部分耦接； 一第二支撐薄片，其被配置成支撐該基板且與該第二 指部的一傾斜部分耦接；及 一第四支撐薄片，其沿著該基部的該弓形橫向凸緣定 位。 14·如請求·項13的u形葉片，其中該基部包括二向後 ，才目對的橫向突起’且在該第一葉片的一内邊緣和該第二葉 片的一内邊緣之間的距離大於該二向後相對的橫向突起之 間的一距離。 15.如請求項^的！^形葉片，其中該弓形橫向凸緣自 該第一指部的—外邊緣向該第二指部的一外邊緣延伸。 16·如請求項13的1；形葉片，其中該第一支撐薄片和 該第四支撐薄片被定位成距一中心線約15〇至約2〇〇之間， 該中心線平行於該第一指部和該第二指部並平分該葉片的 該基部的中心。 :1 一7.如請求項16的11形葉片，其中該第二支禮薄片和 該。第三支樓薄片被定位成距垂直於該巾心'線❺水平線約 、’勺3 〇之間，該中心線平行於該第一指一 部，並平分該葉片的該基部的中心。 指 :8.如請求項13的U形葉片，其令每個支撐薄片都包 括第-支樓表面和—第二支撐表面。 19.如請求項18的U形葉片，其中該第一支撐薄片、 M3 64270 ' 該第二支撐薄片和該第三支摟薄片的該 ' 了支撐該基板的一第一容器，及該第一 ’ 支撐薄片和該第三支撐薄片的該第二表 板的一第二容器。 第一支撐表面形成 支撐薄片、該第二 面形成了支撲該基

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