JP3172993U - 高温下での基板取り出しのための進化したｆｉブレード - Google Patents
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Abstract
【課題】基板が高温に曝露される処理システム内において基板を搬送するブレードを提供する。
【解決手段】ブレードは、円弧状側方肩部を有する基部と、基部から外方向に直角に延びる第１フィンガー部と、基部から外方向に向かい、第１フィンガー部に対して平行かつ離間されて延びる第２フィンガー部と、基板を支持するように構成され円弧状側方肩部に沿って位置決めされた第１支持タブと、基板を支持するように構成され第１フィンガー部に連結された第２支持タブと、基板を支持するように構成され第２フィンガー部に連結された第３支持タブとを備え、円弧状側方肩部は、第１フィンガー部の外縁部から第２フィンガー部の外縁部まで延びる。
【選択図】図４
【解決手段】ブレードは、円弧状側方肩部を有する基部と、基部から外方向に直角に延びる第１フィンガー部と、基部から外方向に向かい、第１フィンガー部に対して平行かつ離間されて延びる第２フィンガー部と、基板を支持するように構成され円弧状側方肩部に沿って位置決めされた第１支持タブと、基板を支持するように構成され第１フィンガー部に連結された第２支持タブと、基板を支持するように構成され第２フィンガー部に連結された第３支持タブとを備え、円弧状側方肩部は、第１フィンガー部の外縁部から第２フィンガー部の外縁部まで延びる。
【選択図】図４
Description
（考案の分野）
本考案の実施形態は、概して、処理システム内で基板を搬送するための装置及び方法に
関する。より具体的には、本考案の実施形態は、高温処理で使用するための、基板にかか
る熱応力を軽減するように設計されたブレードに関する。
（関連技術の説明）
本考案の実施形態は、概して、処理システム内で基板を搬送するための装置及び方法に
関する。より具体的には、本考案の実施形態は、高温処理で使用するための、基板にかか
る熱応力を軽減するように設計されたブレードに関する。
（関連技術の説明）
基板製造工程の有効性は、デバイスの歩留まりと所有コスト（Ｃｏｓｔ ｏｆ Ｏｗｎ
ｅｒｓｈｉｐ：ＣｏＯ）という２つの関連する重要な要素によって測られることが多い。
これらの要素は、電子デバイスの製造コスト、ひいては電子デバイス製造業者の市場にお
ける競争力に直接的に影響することから、重要である。数々の要因の影響を受ける中でも
、ＣｏＯはシステムとチャンバのスループット、又は単純に所望の処理シーケンスを用い
て１時間あたりに処理できる基板の数に大きく影響される。ＣｏＯを低減するための試み
において、電子デバイス製造業者は、大抵の場合、処理シーケンスとチャンバ処理時間を
改善することで、クラスタツール構成の限界とチャンバ処理時間から引き出せる限り最高
の基板スループットを達成しようとする。処理シーケンスが終わるまでにかかる時間のか
なりの部分を、各種処理チャンバ間における基板の搬送が占める。
ｅｒｓｈｉｐ：ＣｏＯ）という２つの関連する重要な要素によって測られることが多い。
これらの要素は、電子デバイスの製造コスト、ひいては電子デバイス製造業者の市場にお
ける競争力に直接的に影響することから、重要である。数々の要因の影響を受ける中でも
、ＣｏＯはシステムとチャンバのスループット、又は単純に所望の処理シーケンスを用い
て１時間あたりに処理できる基板の数に大きく影響される。ＣｏＯを低減するための試み
において、電子デバイス製造業者は、大抵の場合、処理シーケンスとチャンバ処理時間を
改善することで、クラスタツール構成の限界とチャンバ処理時間から引き出せる限り最高
の基板スループットを達成しようとする。処理シーケンスが終わるまでにかかる時間のか
なりの部分を、各種処理チャンバ間における基板の搬送が占める。
半導体処理システムは、典型的には、多数の処理チャンバが１つのプラットフォーム上
にて統合されたものであり、高度に制御された処理環境から基板を取り出すことなく、幾
つかの連続した処理工程を行う。一旦、特定の処理工程を行うための必要な数のチャンバ
と補助装置を用いてクラスタツールが構成されたら、システムは、典型的には、システム
内に配置されたロボットを用いてチャンバ間で基板を移動させることにより、大量の基板
を処理する。このロボットは、ロボットブレード上で基板の横方向運動及び回転運動の双
方を行うことで、基板をシステム内のある位置から別の位置へと回収、搬送、及び供給す
る。現在の方法は、ロボットアームを用いて基板をローディングポートからマルチチャン
バ型処理システム内の各種処理チャンバ内へと搬送することも含む。図１は、基板を処理
チャンバから取り出すために現在使用されている従来のブレード１００を図示している。
ブレード１００は、両側において第１側方肩部１２０と第２側方肩部１３０によって規定
された、一般的には平坦なブレード面１１０を有している。平坦なブレード面１１０は、
通常、基板を支持する。
にて統合されたものであり、高度に制御された処理環境から基板を取り出すことなく、幾
つかの連続した処理工程を行う。一旦、特定の処理工程を行うための必要な数のチャンバ
と補助装置を用いてクラスタツールが構成されたら、システムは、典型的には、システム
内に配置されたロボットを用いてチャンバ間で基板を移動させることにより、大量の基板
を処理する。このロボットは、ロボットブレード上で基板の横方向運動及び回転運動の双
方を行うことで、基板をシステム内のある位置から別の位置へと回収、搬送、及び供給す
る。現在の方法は、ロボットアームを用いて基板をローディングポートからマルチチャン
バ型処理システム内の各種処理チャンバ内へと搬送することも含む。図１は、基板を処理
チャンバから取り出すために現在使用されている従来のブレード１００を図示している。
ブレード１００は、両側において第１側方肩部１２０と第２側方肩部１３０によって規定
された、一般的には平坦なブレード面１１０を有している。平坦なブレード面１１０は、
通常、基板を支持する。
現行のプロセスレシピでは、基板を定められたチャンバ内で５５０℃をゆうに越える処
理温度に曝露することを必要とすることが多い。処理後、この熱い基板を処理チャンバか
ら取り出し、冷却ステーション内に置く。しかし、熱い基板を処理チャンバから取り出し
て、基板よりはるかに温度の低い雰囲気に曝すと、基板の破損、ゆがみ、及び他の欠陥を
含む問題が起きていた。図２に図示されるように、図１の従来のブレード設計では、基板
にかなりの熱応力が加わる。熱い基板の下にある平坦なブレード面１１０の材料のかなり
の部分が、基板と従来のブレード１００の冷却を遅らせてしまう。この結果、現行の取り
出し温度は５５０℃に制限されており、基板とブレードを処理チャンバから取り出す前に
処理温度から最低でも５５０℃にまで冷却しなくてはならないため、対応する基板スルー
プットも制限されてしまう。
理温度に曝露することを必要とすることが多い。処理後、この熱い基板を処理チャンバか
ら取り出し、冷却ステーション内に置く。しかし、熱い基板を処理チャンバから取り出し
て、基板よりはるかに温度の低い雰囲気に曝すと、基板の破損、ゆがみ、及び他の欠陥を
含む問題が起きていた。図２に図示されるように、図１の従来のブレード設計では、基板
にかなりの熱応力が加わる。熱い基板の下にある平坦なブレード面１１０の材料のかなり
の部分が、基板と従来のブレード１００の冷却を遅らせてしまう。この結果、現行の取り
出し温度は５５０℃に制限されており、基板とブレードを処理チャンバから取り出す前に
処理温度から最低でも５５０℃にまで冷却しなくてはならないため、対応する基板スルー
プットも制限されてしまう。
従って、基板の破損とゆがみの発生を軽減しつつ、５５０℃より高い取り出し温度が可
能なブレードが必要とされている。
能なブレードが必要とされている。
請求項に記載されるような本考案の実施形態は、概して、基板が高温に曝露される処理
システム内において基板を搬送するための装置を提供する。一実施形態において、本装置
は、基板、例えば半導体基板を処理システム内の処理チャンバ間で搬送するための、ロボ
ットに取り付けられたブレードである。このブレードは、基板下のブレード表面積が最小
限に抑えられるように設計されていることから、熱せられた処理チャンバから取り出した
後に基板にかかる熱応力がそれに対応して低下する。基板下のロボットブレードの面積を
最小限にすることで、ブレード材料の冷却がより速くなる。ブレードは、基板との縁部で
の接触が低減されるようにも設計されているため、基板の粒子汚染が軽減される。
システム内において基板を搬送するための装置を提供する。一実施形態において、本装置
は、基板、例えば半導体基板を処理システム内の処理チャンバ間で搬送するための、ロボ
ットに取り付けられたブレードである。このブレードは、基板下のブレード表面積が最小
限に抑えられるように設計されていることから、熱せられた処理チャンバから取り出した
後に基板にかかる熱応力がそれに対応して低下する。基板下のロボットブレードの面積を
最小限にすることで、ブレード材料の冷却がより速くなる。ブレードは、基板との縁部で
の接触が低減されるようにも設計されているため、基板の粒子汚染が軽減される。
一実施形態において、基板を輸送するためのブレードを提供する。本ブレードは、円弧
状側方肩部を有する基部と、基部から外方向に直角に延びる第１フィンガー部と、基部か
ら外方向に向かい、第１フィンガー部に対して平行かつ離間されて延びる第２フィンガー
部と、基板を支持するように構成され円弧状側方肩部に沿って位置決めされた第１支持タ
ブと、基板を支持するように構成され第１フィンガー部に連結された第２支持タブと、基
板を支持するように構成され第２フィンガー部に連結された第３支持タブとを備え、円弧
状側方肩部は、第１フィンガー部の外縁部から第２フィンガー部の外縁部まで延びている
。特定の実施形態において、ブレードは、基部の円弧状側方肩部に沿って位置された第４
支持タブを更に備えている。特定の実施形態において、第１支持タブ及び第２支持タブは
、基部の中心から等距離にある。特定の実施形態において、第１支持タブ、第２支持タブ
、及び第３支持タブは、基板を支持するための窪みを形成する。特定の実施形態において
、各支持タブは、第１支持面と第２支持面を備えている。特定の実施形態において、第２
支持面は、第１支持面の内側かつ下方に位置されている。特定の実施形態において、第１
支持タブと第４支持タブは、ブレードの基部の中心を二分している、第１フィンガー部と
第２フィンガー部に平行な中心線から約１５°〜２０°の場所に位置決めされている。特
定の実施形態において、第２支持タブと第３支持タブは、ブレードの基部の中心を二分す
る、第１フィンガー部と第２フィンガー部に平行な中心線から約２５°〜約３０°の場所
に位置決めされている。
状側方肩部を有する基部と、基部から外方向に直角に延びる第１フィンガー部と、基部か
ら外方向に向かい、第１フィンガー部に対して平行かつ離間されて延びる第２フィンガー
部と、基板を支持するように構成され円弧状側方肩部に沿って位置決めされた第１支持タ
ブと、基板を支持するように構成され第１フィンガー部に連結された第２支持タブと、基
板を支持するように構成され第２フィンガー部に連結された第３支持タブとを備え、円弧
状側方肩部は、第１フィンガー部の外縁部から第２フィンガー部の外縁部まで延びている
。特定の実施形態において、ブレードは、基部の円弧状側方肩部に沿って位置された第４
支持タブを更に備えている。特定の実施形態において、第１支持タブ及び第２支持タブは
、基部の中心から等距離にある。特定の実施形態において、第１支持タブ、第２支持タブ
、及び第３支持タブは、基板を支持するための窪みを形成する。特定の実施形態において
、各支持タブは、第１支持面と第２支持面を備えている。特定の実施形態において、第２
支持面は、第１支持面の内側かつ下方に位置されている。特定の実施形態において、第１
支持タブと第４支持タブは、ブレードの基部の中心を二分している、第１フィンガー部と
第２フィンガー部に平行な中心線から約１５°〜２０°の場所に位置決めされている。特
定の実施形態において、第２支持タブと第３支持タブは、ブレードの基部の中心を二分す
る、第１フィンガー部と第２フィンガー部に平行な中心線から約２５°〜約３０°の場所
に位置決めされている。
別の実施形態において、基板を輸送するためのＵ型ブレードを提供する。Ｕ型ブレード
は、円弧状側方肩部を有する基部と、基部から外方向に直角に延びる第１フィンガー部と
、基部から外方向に向かい、第１フィンガー部に対して平行かつ離間されて延びる第２フ
ィンガー部と、基板を支持するように構成され円弧状側方肩部に沿って位置決めされた第
１支持タブと、基板を支持するように構成され第１フィンガー部の角度変化部に連結され
た第２支持タブと、基部の円弧状側方肩部に沿って位置決めされた第４支持タブを備えて
いる。
は、円弧状側方肩部を有する基部と、基部から外方向に直角に延びる第１フィンガー部と
、基部から外方向に向かい、第１フィンガー部に対して平行かつ離間されて延びる第２フ
ィンガー部と、基板を支持するように構成され円弧状側方肩部に沿って位置決めされた第
１支持タブと、基板を支持するように構成され第１フィンガー部の角度変化部に連結され
た第２支持タブと、基部の円弧状側方肩部に沿って位置決めされた第４支持タブを備えて
いる。
更に別の実施形態において、基板を処理するためのシステムを提供する。本システムは
、搬送チャンバと、搬送チャンバに連結された１つ以上の処理チャンバと、搬送チャンバ
内の中央に位置されたロボットアセンブリと、ロボットアセンブリに連結されたブレード
を備えている。Ｕ型ブレードは、円弧状側方肩部を有する基部と、基部から外方向に直角
に延びる第１フィンガー部と、基部から外方向に向かい、第１フィンガー部に対して平行
かつ離間されて延びる第２フィンガー部と、基板を支持するように構成され円弧状側方肩
部に沿って位置決めされた第１支持タブと、基板を支持するように構成され第１フィンガ
ー部に連結された第２支持タブと、基板を支持するように構成され第２フィンガー部に連
結された第３支持タブとを備え、円弧状側方肩部は、第１フィンガー部の外縁部から第２
フィンガー部の外縁部まで延びている。
、搬送チャンバと、搬送チャンバに連結された１つ以上の処理チャンバと、搬送チャンバ
内の中央に位置されたロボットアセンブリと、ロボットアセンブリに連結されたブレード
を備えている。Ｕ型ブレードは、円弧状側方肩部を有する基部と、基部から外方向に直角
に延びる第１フィンガー部と、基部から外方向に向かい、第１フィンガー部に対して平行
かつ離間されて延びる第２フィンガー部と、基板を支持するように構成され円弧状側方肩
部に沿って位置決めされた第１支持タブと、基板を支持するように構成され第１フィンガ
ー部に連結された第２支持タブと、基板を支持するように構成され第２フィンガー部に連
結された第３支持タブとを備え、円弧状側方肩部は、第１フィンガー部の外縁部から第２
フィンガー部の外縁部まで延びている。
本考案の上述した構成が詳細に理解されるように、上記で簡単に要約された本考案のよ
り具体的な説明が実施例を参照して行われ、それらは添付図面に図示されている。しかし
ながら、添付図面は本考案の典型的な実施形態を図示するに過ぎず、本考案はその他の同
等に効果的な実施形態も認め得るため、本考案の範囲を限定すると解釈されないことに留
意すべきである。
り具体的な説明が実施例を参照して行われ、それらは添付図面に図示されている。しかし
ながら、添付図面は本考案の典型的な実施形態を図示するに過ぎず、本考案はその他の同
等に効果的な実施形態も認め得るため、本考案の範囲を限定すると解釈されないことに留
意すべきである。
円滑な理解のために、可能な限り、図に共通する同一の要素は同一の参照番号を用いて
表した。一実施形態の要素及び／又は処理工程を、特に記載することなく他の実施形態に
おいて便宜上利用する場合がある。
表した。一実施形態の要素及び／又は処理工程を、特に記載することなく他の実施形態に
おいて便宜上利用する場合がある。
請求項に記載されるような本考案の実施形態は、概して、基板が高温に曝露され、基板
の迅速な冷却が好ましい処理システム内において基板を搬送するための装置及び方法を提
供する。本装置は、基板、例えば半導体ウェハを処理システム内の処理チャンバ間で搬送
するためのロボットに取り付けることができる。本ブレードは、基板下のブレード表面積
が最小限に抑えられるように設計されているため、熱せられた処理チャンバから取り出し
た後に基板にかかる熱応力が低下する。基板下のブレード表面積を最小限にすることで、
基板とブレード材料の双方の冷却がより速くなる。ブレードは、基板との縁部での接触を
低減するようにも設計されているため、基板の粒子汚染が軽減される。
の迅速な冷却が好ましい処理システム内において基板を搬送するための装置及び方法を提
供する。本装置は、基板、例えば半導体ウェハを処理システム内の処理チャンバ間で搬送
するためのロボットに取り付けることができる。本ブレードは、基板下のブレード表面積
が最小限に抑えられるように設計されているため、熱せられた処理チャンバから取り出し
た後に基板にかかる熱応力が低下する。基板下のブレード表面積を最小限にすることで、
基板とブレード材料の双方の冷却がより速くなる。ブレードは、基板との縁部での接触を
低減するようにも設計されているため、基板の粒子汚染が軽減される。
本願に記載の実施形態は、複数の基板個別処理型チャンバ及び／又は複数のバッチ型処
理チャンバにおいて基板を処理する能力を有するクラスタツール構成において有利に使用
することができる。クラスタツールは、電子デバイスの形成に用いられる各種処理工程を
行う複数のチャンバを備えたモジュラーシステムである。ブレードは、半導体ウェハ及び
ガラス板を含む基板の上での半導体の製造において使用されるように、半導体素子処理シ
ステム内で使用することができる。ブレードを使用し得るシステムの例には、例えば、セ
ンチュラ・エピ（ＣＥＮＴＵＲＡ Ｅｐｉ。商標名）及びヴァンテージ・ラディアンス・
プラスＲＴＰシステム（Ｖａｎｔａｇｅ Ｒａｄｉａｎｃｅ Ｐｌｕｓ ＲＴＰ ｓｙｓ
ｔｅｍ）等の熱処理システムが含まれ、これらは双方共にカリフォルニア州サンタクララ
のアプライドマテリアル社から入手可能である。ブレードは、他の製造業者によって製造
された他の処理システムと共に使用してもよい。ブレードは、ロボットの助けを借りずに
手動で操作する他の処理システムと共に用いることもできる。
理チャンバにおいて基板を処理する能力を有するクラスタツール構成において有利に使用
することができる。クラスタツールは、電子デバイスの形成に用いられる各種処理工程を
行う複数のチャンバを備えたモジュラーシステムである。ブレードは、半導体ウェハ及び
ガラス板を含む基板の上での半導体の製造において使用されるように、半導体素子処理シ
ステム内で使用することができる。ブレードを使用し得るシステムの例には、例えば、セ
ンチュラ・エピ（ＣＥＮＴＵＲＡ Ｅｐｉ。商標名）及びヴァンテージ・ラディアンス・
プラスＲＴＰシステム（Ｖａｎｔａｇｅ Ｒａｄｉａｎｃｅ Ｐｌｕｓ ＲＴＰ ｓｙｓ
ｔｅｍ）等の熱処理システムが含まれ、これらは双方共にカリフォルニア州サンタクララ
のアプライドマテリアル社から入手可能である。ブレードは、他の製造業者によって製造
された他の処理システムと共に使用してもよい。ブレードは、ロボットの助けを借りずに
手動で操作する他の処理システムと共に用いることもできる。
図３において、ロボットアセンブリ３１０を、処理システム３００との関連において図
示する。ロボットアセンブリ３１０は、搬送チャンバ３１１の中央に位置されているため
、基板を、隣り合う処理チャンバ３１２、３１３、３１４、及び３１５へとそれぞれのバ
ルブ３１６、３１７、３１８、及び３１９を介して搬送することができる。ロボットアセ
ンブリ３１０は、フロッグレッグ機構を備えていてもよい。特定の実施形態において、ロ
ボットアセンブリ３１０は、各種処理チャンバ内外への直線的な伸長を行うためのいずれ
の各種既知の機械機構を備えていてもよい。ブレード８００は、ロボットアセンブリ３１
０に連結されている。ブレード８００は、処理システム３００内で基板を搬送するように
構成されている。
示する。ロボットアセンブリ３１０は、搬送チャンバ３１１の中央に位置されているため
、基板を、隣り合う処理チャンバ３１２、３１３、３１４、及び３１５へとそれぞれのバ
ルブ３１６、３１７、３１８、及び３１９を介して搬送することができる。ロボットアセ
ンブリ３１０は、フロッグレッグ機構を備えていてもよい。特定の実施形態において、ロ
ボットアセンブリ３１０は、各種処理チャンバ内外への直線的な伸長を行うためのいずれ
の各種既知の機械機構を備えていてもよい。ブレード８００は、ロボットアセンブリ３１
０に連結されている。ブレード８００は、処理システム３００内で基板を搬送するように
構成されている。
図４は、本願に記載の一実施形態によるブレード３２０の概略斜視図である。ブレード
３２０は、第１フィンガー部４２０と第２フィンガー部４３０を有する基部４１０を備え
ており、各フィンガー部は、基部から外方向に向かって直角に延びてＵ型ブレードを形成
している。特定の実施形態において、第１フィンガー部４２０、第２フィンガー部４３０
、及び基部４１０は、一体アセンブリとして製造される。特定の実施形態において、第１
フィンガー部４２０と第２フィンガー部４３０は、当該分野で既知の取り付け技法を用い
てブレード３２０の基部４１０に連結された別々の部品であってもよい。
３２０は、第１フィンガー部４２０と第２フィンガー部４３０を有する基部４１０を備え
ており、各フィンガー部は、基部から外方向に向かって直角に延びてＵ型ブレードを形成
している。特定の実施形態において、第１フィンガー部４２０、第２フィンガー部４３０
、及び基部４１０は、一体アセンブリとして製造される。特定の実施形態において、第１
フィンガー部４２０と第２フィンガー部４３０は、当該分野で既知の取り付け技法を用い
てブレード３２０の基部４１０に連結された別々の部品であってもよい。
ブレード３２０の基部４１０は、側方肩部４１２によって規定される。一実施形態にお
いて、側方肩部４１２は円弧状であり、円形基板の形状に沿っている。しかし、側方肩部
４１２は、搬送する基板の形状にあったいずれの形状も可能である。ブレード３２０の基
部４１０は、後ろを向いた側方突出部４１４Ａ、４１４Ｂと、ブレードをロボットアセン
ブリのリスト部又は他の取り付け部材に穴部４１８に通すネジ等の固締具で取り付けるた
めの凹部４１６を有している。特定の実施形態において、基部４１０の上には、ブレード
３２０上に基板が存在するかを検出するためのウェハ・ブレード感知器（ｗａｆｅｒ−ｏ
ｎ−ｂｌａｄｅ ｓｅｎｓｏｒ：ＷＯＢ）を位置させてもよい。
いて、側方肩部４１２は円弧状であり、円形基板の形状に沿っている。しかし、側方肩部
４１２は、搬送する基板の形状にあったいずれの形状も可能である。ブレード３２０の基
部４１０は、後ろを向いた側方突出部４１４Ａ、４１４Ｂと、ブレードをロボットアセン
ブリのリスト部又は他の取り付け部材に穴部４１８に通すネジ等の固締具で取り付けるた
めの凹部４１６を有している。特定の実施形態において、基部４１０の上には、ブレード
３２０上に基板が存在するかを検出するためのウェハ・ブレード感知器（ｗａｆｅｒ−ｏ
ｎ−ｂｌａｄｅ ｓｅｎｓｏｒ：ＷＯＢ）を位置させてもよい。
第１フィンガー部４２０と第２フィンガー部４３０は、これらがベース部４１０を二分
する中心線４５０から等距離にくるように位置決めされている。第１フィンガー部４２０
と第２フィンガー部４３０は、第１フィンガー部４２０と第２フィンガー部４３０の上に
載置される基板の下のブレード３２０の表面積が最小限に抑えられるようにも位置決めさ
れている。基板下のブレード３２０の表面積を最小限に抑えることが好ましいが、第１フ
ィンガー部４２０と第２フィンガー部４３０との間の距離は、基板の挿入と回収のために
ブレード３２０が進入、退出する開口部及び／又はバルブによって決定することができる
。例えば、第１フィンガー部４２０と第２フィンガー部４３０は、細いスリットバルブを
通す際には、より近づけて位置決めされる。但し、開口部及び／又はバルブが広い場合は
、基板を十分に支えつつも、第１フィンガー部４２０と第２フィンガー部４３０を可能な
限り離して位置決めすることで基板下のブレード３２０の表面積を最小限に抑える。一実
施形態において、第１フィンガー部４２０の内縁部４２３と第２フィンガー部４３０の内
縁部４３３との間の距離Ｄ２は、基部４１０の後ろを向いた２つの側方突出部の間の距離
Ｄ１よりも大きい。
する中心線４５０から等距離にくるように位置決めされている。第１フィンガー部４２０
と第２フィンガー部４３０は、第１フィンガー部４２０と第２フィンガー部４３０の上に
載置される基板の下のブレード３２０の表面積が最小限に抑えられるようにも位置決めさ
れている。基板下のブレード３２０の表面積を最小限に抑えることが好ましいが、第１フ
ィンガー部４２０と第２フィンガー部４３０との間の距離は、基板の挿入と回収のために
ブレード３２０が進入、退出する開口部及び／又はバルブによって決定することができる
。例えば、第１フィンガー部４２０と第２フィンガー部４３０は、細いスリットバルブを
通す際には、より近づけて位置決めされる。但し、開口部及び／又はバルブが広い場合は
、基板を十分に支えつつも、第１フィンガー部４２０と第２フィンガー部４３０を可能な
限り離して位置決めすることで基板下のブレード３２０の表面積を最小限に抑える。一実
施形態において、第１フィンガー部４２０の内縁部４２３と第２フィンガー部４３０の内
縁部４３３との間の距離Ｄ２は、基部４１０の後ろを向いた２つの側方突出部の間の距離
Ｄ１よりも大きい。
第１フィンガー部４２０の外縁部４２２の一部を、第１フィンガー部４２０の端部４２
４に向かって内側に曲げて角度変化部４２５を形成することで、ブレード３２０の表面積
を最小限に抑えてもよい。第２フィンガー部４３０の外縁部４３２の一部を、第２フィン
ガー部４３０の端部４３４に向かって内側に曲げて角度変化部４３５を形成することで、
ブレード３２０の表面積を最小限に抑えてもよい。
４に向かって内側に曲げて角度変化部４２５を形成することで、ブレード３２０の表面積
を最小限に抑えてもよい。第２フィンガー部４３０の外縁部４３２の一部を、第２フィン
ガー部４３０の端部４３４に向かって内側に曲げて角度変化部４３５を形成することで、
ブレード３２０の表面積を最小限に抑えてもよい。
１つ以上の支持タブ４４０ａ〜ｄを、ブレード３２０上に配置することができる。基板
を支持するようにそれぞれ構成された第１支持タブ４４０ａと第２支持タブ４４０ｂは、
側方肩部４１２の縁部の内側に位置決めされている。第１支持タブ４４０ａと第２支持タ
ブ４４０ｂは、第１支持タブ４４０ａと第２支持タブ４４０ｂがブレード３２０の基部４
１０の中心線４５０の両側かつその中心線から等距離にくるように位置決めすることがで
きる。第３支持タブ４４０ｃは、第１フィンガー部４２０の端部４２４の外縁部４２２の
角度変化部の内側に位置決めされている。第４支持タブ４４０ｄは、第２フィンガー部４
３０の端部４２４の外縁部４２２の角度変化部の内側に位置決めされている。図４の実施
形態では４つの支持タブを描いているが、当然のことながら、基板を支持するのに十分な
いずれの数の支持タブを使用してもよい。例えば、第１支持タブと第２支持タブが第１フ
ィンガー部４２０と第２フィンガー部４３０上にそれぞれ位置され、第３支持タブがブレ
ード３２０の基部４１０の側方肩部４１２の縁部に沿って位置された３点型支持タブ構成
を用いてもよい。支持タブ４４０はブレード３２０と一体に形成することができ、或いは
プレス成型、ロウ付け、ハンダ付け、接着剤による取り付け、プラズマ溶射、アーク溶射
、又は業界で既知の他の連結方法を用いてブレード３２０に取り付けることができる。
を支持するようにそれぞれ構成された第１支持タブ４４０ａと第２支持タブ４４０ｂは、
側方肩部４１２の縁部の内側に位置決めされている。第１支持タブ４４０ａと第２支持タ
ブ４４０ｂは、第１支持タブ４４０ａと第２支持タブ４４０ｂがブレード３２０の基部４
１０の中心線４５０の両側かつその中心線から等距離にくるように位置決めすることがで
きる。第３支持タブ４４０ｃは、第１フィンガー部４２０の端部４２４の外縁部４２２の
角度変化部の内側に位置決めされている。第４支持タブ４４０ｄは、第２フィンガー部４
３０の端部４２４の外縁部４２２の角度変化部の内側に位置決めされている。図４の実施
形態では４つの支持タブを描いているが、当然のことながら、基板を支持するのに十分な
いずれの数の支持タブを使用してもよい。例えば、第１支持タブと第２支持タブが第１フ
ィンガー部４２０と第２フィンガー部４３０上にそれぞれ位置され、第３支持タブがブレ
ード３２０の基部４１０の側方肩部４１２の縁部に沿って位置された３点型支持タブ構成
を用いてもよい。支持タブ４４０はブレード３２０と一体に形成することができ、或いは
プレス成型、ロウ付け、ハンダ付け、接着剤による取り付け、プラズマ溶射、アーク溶射
、又は業界で既知の他の連結方法を用いてブレード３２０に取り付けることができる。
図５は図４のブレードの概略側面図であり、少なくとも部分的にブレード３２０の表面
の上方で位置決めされることで基板とブレード３２０の表面との間に隙間を形成する支持
タブ４４０ｄを図示している。図６は、図４の線６−６で切り取った概略断面図である。
接触傾斜部５１０が、支持タブ４４０ａ〜ｄのそれぞれの前縁部５２０の近位に形成され
ている。支持タブ４４０ａ〜ｄのそれぞれの上の接触傾斜部５１０が組み合わさって、基
板を支持するための窪みが形成される。接触傾斜部５１０は、冷たい基板と、熱の存在に
より膨張した熱い基板の双方を支持するように設計されている。図７は、図４の線７−７
で切り取られた概略断面図であり、支持タブの接触傾斜部５１０と前縁部５２０を図示し
ている。
の上方で位置決めされることで基板とブレード３２０の表面との間に隙間を形成する支持
タブ４４０ｄを図示している。図６は、図４の線６−６で切り取った概略断面図である。
接触傾斜部５１０が、支持タブ４４０ａ〜ｄのそれぞれの前縁部５２０の近位に形成され
ている。支持タブ４４０ａ〜ｄのそれぞれの上の接触傾斜部５１０が組み合わさって、基
板を支持するための窪みが形成される。接触傾斜部５１０は、冷たい基板と、熱の存在に
より膨張した熱い基板の双方を支持するように設計されている。図７は、図４の線７−７
で切り取られた概略断面図であり、支持タブの接触傾斜部５１０と前縁部５２０を図示し
ている。
ブレード３２０は、基板を支持し、ブレード３２０と基板の双方の急速な冷却が可能に
しながらも、処理条件に適合した安定した軽量の材料から形成されている。ブレード３２
０は、様々な金属及び非金属材料を含んでいてもよい。特定の実施形態において、ブレー
ド３２０は石英材料を含んでいてもよい。特定の実施形態において、ブレード３２０はセ
ラミック材料を含んでいてもよく、例えば、アルミナ、アルミナ・炭化ケイ素複合材、炭
化ケイ素、抵抗率を下げるためにドープ処理された各種絶縁体、例えば炭素ドープ窒化ア
ルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、及びホウ素を含む。特定の実施形態において、支
持タブ４４０は、ブレード３２０と同じ材料を含んでいてもよい。特定の実施形態におい
て、支持タブ４４０は、ブレード３２０とは異なる材料を含んでいてもよい。特定の実施
形態において、支持タブ４４０は、石英材料を含んでいてもよい。
しながらも、処理条件に適合した安定した軽量の材料から形成されている。ブレード３２
０は、様々な金属及び非金属材料を含んでいてもよい。特定の実施形態において、ブレー
ド３２０は石英材料を含んでいてもよい。特定の実施形態において、ブレード３２０はセ
ラミック材料を含んでいてもよく、例えば、アルミナ、アルミナ・炭化ケイ素複合材、炭
化ケイ素、抵抗率を下げるためにドープ処理された各種絶縁体、例えば炭素ドープ窒化ア
ルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、及びホウ素を含む。特定の実施形態において、支
持タブ４４０は、ブレード３２０と同じ材料を含んでいてもよい。特定の実施形態におい
て、支持タブ４４０は、ブレード３２０とは異なる材料を含んでいてもよい。特定の実施
形態において、支持タブ４４０は、石英材料を含んでいてもよい。
図８は、本願に記載の別の実施形態によるブレード８００の概略斜視図である。ブレー
ド８００は、第１フィンガー部８２０と第２フィンガー部８３０を有する基部８１０を備
え、第１フィンガー部８２０と第２フィンガー部８３０はこの基部８１０から外方向に向
かって直角に延びてＵ型ブレードを形成している。ブレード８００の基部８１０は、側方
肩部８４０によって規定されている。一実施形態において、側方肩部８４０は円弧状であ
り、円形基板の形状に沿っている。しかし、側方肩部８４０は、搬送する基板の形状にあ
ったいずれの形状も可能である。ブレード８００の基部８１０は、穴部に通して配置され
るネジ等の固締具によってロボットアセンブリに取り付けられるように構成されている。
ド８００は、第１フィンガー部８２０と第２フィンガー部８３０を有する基部８１０を備
え、第１フィンガー部８２０と第２フィンガー部８３０はこの基部８１０から外方向に向
かって直角に延びてＵ型ブレードを形成している。ブレード８００の基部８１０は、側方
肩部８４０によって規定されている。一実施形態において、側方肩部８４０は円弧状であ
り、円形基板の形状に沿っている。しかし、側方肩部８４０は、搬送する基板の形状にあ
ったいずれの形状も可能である。ブレード８００の基部８１０は、穴部に通して配置され
るネジ等の固締具によってロボットアセンブリに取り付けられるように構成されている。
第１フィンガー部８２０と第２フィンガー部８３０は、基部８１０を二分する中心線８
９０から等距離にくるように位置決めされている。第１フィンガー部８２０と第２フィン
ガー部８３０は、第１フィンガー部８２０と第２フィンガー部８３０の上に載置される基
板の下のブレード表面積が最小限に抑えられるようにも位置決めされる。第１フィンガー
部８２０と第２フィンガー部８３０は、ロボットブレード８００の基部８１０に連結され
る別々の部品であってもよい。第１フィンガー部８２０と第２フィンガー部８３０は、基
部８１０との一体アセンブリとして製造してもよい。
９０から等距離にくるように位置決めされている。第１フィンガー部８２０と第２フィン
ガー部８３０は、第１フィンガー部８２０と第２フィンガー部８３０の上に載置される基
板の下のブレード表面積が最小限に抑えられるようにも位置決めされる。第１フィンガー
部８２０と第２フィンガー部８３０は、ロボットブレード８００の基部８１０に連結され
る別々の部品であってもよい。第１フィンガー部８２０と第２フィンガー部８３０は、基
部８１０との一体アセンブリとして製造してもよい。
１つ以上の支持タブ８５０ａ〜ｄが、ブレード８００上に配置される。基板の縁部を支
持するようにそれぞれ構成された第１支持タブ８５０ａと第２支持タブ８５０ｂは、側方
肩部８４０の縁部の内側に位置決めされている。第１支持タブ８５０ａと第２支持タブ８
５０ｂは、第１支持タブ８５０ａと第２支持タブ８５０ｂが中心線８９０の両側かつその
中心線から等距離にくるように位置決めすることができる。第３支持タブ８５０ｃは、第
１フィンガー部８２０の外縁部８７０に隣接する端部８６５の角度変化部８６０の内側に
位置決めされている。第４支持タブ８５０ｄは、第２フィンガー部８３０の外縁部８８５
に隣接する端部８８０の角度変化部８７５の内側に位置決めされている。図８の実施形態
では４つの支持タブ８５０ａ〜ｄを描いているが、当然のことながら、基板を支持するの
に十分ないずれの数の支持タブを用いてもよい。例えば、第１支持タブと第２支持タブが
第１フィンガー部８２０と第２フィンガー部８３０上にそれぞれ位置され、第３支持タブ
がブレードの基部の側方肩部の縁部に沿って位置された３点支持タブ型構成も用いること
ができる。支持タブはブレード８００と一体に形成することができ、或いはプレス成型、
ロウ付け、ハンダ付け、接着剤による取り付け、プラズマ溶射、アーク溶射、又は業界で
既知の他の連結方法を用いてブレード８００に取り付けることができる。特定の実施形態
において、第１支持タブ８５０ａと第２支持タブ８５０ｂは、それぞれ、第１フィンガー
部８２０と第２フィンガー部８３０に平行かつブレード８００の基部８１０の中心を二分
している中心線から約１５°〜約２５°、例えば約２０°の場所に位置決めすることがで
きる。特定の実施形態において、第３支持タブ８５０ｃと第４支持タブ８５０ｄは、それ
ぞれ、ブレード８００の基部８１０の中心を二分する中心線８９０から約２５°〜約３０
°、例えば約２９°の場所に位置決めすることができる。
持するようにそれぞれ構成された第１支持タブ８５０ａと第２支持タブ８５０ｂは、側方
肩部８４０の縁部の内側に位置決めされている。第１支持タブ８５０ａと第２支持タブ８
５０ｂは、第１支持タブ８５０ａと第２支持タブ８５０ｂが中心線８９０の両側かつその
中心線から等距離にくるように位置決めすることができる。第３支持タブ８５０ｃは、第
１フィンガー部８２０の外縁部８７０に隣接する端部８６５の角度変化部８６０の内側に
位置決めされている。第４支持タブ８５０ｄは、第２フィンガー部８３０の外縁部８８５
に隣接する端部８８０の角度変化部８７５の内側に位置決めされている。図８の実施形態
では４つの支持タブ８５０ａ〜ｄを描いているが、当然のことながら、基板を支持するの
に十分ないずれの数の支持タブを用いてもよい。例えば、第１支持タブと第２支持タブが
第１フィンガー部８２０と第２フィンガー部８３０上にそれぞれ位置され、第３支持タブ
がブレードの基部の側方肩部の縁部に沿って位置された３点支持タブ型構成も用いること
ができる。支持タブはブレード８００と一体に形成することができ、或いはプレス成型、
ロウ付け、ハンダ付け、接着剤による取り付け、プラズマ溶射、アーク溶射、又は業界で
既知の他の連結方法を用いてブレード８００に取り付けることができる。特定の実施形態
において、第１支持タブ８５０ａと第２支持タブ８５０ｂは、それぞれ、第１フィンガー
部８２０と第２フィンガー部８３０に平行かつブレード８００の基部８１０の中心を二分
している中心線から約１５°〜約２５°、例えば約２０°の場所に位置決めすることがで
きる。特定の実施形態において、第３支持タブ８５０ｃと第４支持タブ８５０ｄは、それ
ぞれ、ブレード８００の基部８１０の中心を二分する中心線８９０から約２５°〜約３０
°、例えば約２９°の場所に位置決めすることができる。
図９は図８のブレードの概略側面図であり、支持タブ８５０の細部と、支持タブ８５０
の二重窪み設計を図示している。各支持タブ８５０は、膨張した熱せられた基板を支持す
るように構成された第１支持面９２０に向かって下方向に傾斜している第１接触傾斜部９
１０を備えている。それぞれ第１支持面９２０を含む４つの支持タブ８５０ａ〜８５０ｄ
は、基板を支持するための第１窪みを形成する。第１支持面９２０は、冷却されたあとの
基板を支持するための第２基板支持面９４０へと続く、若干下方向に傾斜した第２面つま
り第２接触傾斜部９３０に続いている。第２基板支持面９４０は、第１支持面９２０の内
側に位置されている。それぞれ第２支持面９４０を含む４つの支持タブ８５０ａ〜ｄは、
冷却された基板を支持するように構成された第２窪みを形成する。図１０は、支持タブの
第１接触傾斜部９１０と第２接触傾斜部９３０を示す概略断面図である。支持タブ８５０
ａ〜８５０ｄは他のブレード、例えば図４に図示のブレードと共に用いてもよい。
の二重窪み設計を図示している。各支持タブ８５０は、膨張した熱せられた基板を支持す
るように構成された第１支持面９２０に向かって下方向に傾斜している第１接触傾斜部９
１０を備えている。それぞれ第１支持面９２０を含む４つの支持タブ８５０ａ〜８５０ｄ
は、基板を支持するための第１窪みを形成する。第１支持面９２０は、冷却されたあとの
基板を支持するための第２基板支持面９４０へと続く、若干下方向に傾斜した第２面つま
り第２接触傾斜部９３０に続いている。第２基板支持面９４０は、第１支持面９２０の内
側に位置されている。それぞれ第２支持面９４０を含む４つの支持タブ８５０ａ〜ｄは、
冷却された基板を支持するように構成された第２窪みを形成する。図１０は、支持タブの
第１接触傾斜部９１０と第２接触傾斜部９３０を示す概略断面図である。支持タブ８５０
ａ〜８５０ｄは他のブレード、例えば図４に図示のブレードと共に用いてもよい。
図１１は、本願に記載の一実施形態によるブレードの有限要素解析（ｆｉｎｉｔｅ ｅ
ｌｅｍｅｎｔ ａｎａｌｙｓｉｓ：ＦＥＡ）としての比較基板マッピングを示すＩＲカメ
ラ試験を示す。ＩＲカメラ試験は、基板上で応力点が集中していないこと及び基板とブレ
ードのたわみが最小限に抑えられることを示している。５５０℃を越える取り出し温度を
可能にしつつも基板の破損とゆがみの発生が抑えられる、熱い基板上での熱応力勾配を軽
減する新しいブレードが提供された。このブレードは、より高い温度での処理チャンバか
らの基板の取り出しを可能にし、特定の実施形態において、基板１枚あたり１０秒の時間
短縮と、ひいては総処理時間の短縮と所有コストの低下を示した。
ｌｅｍｅｎｔ ａｎａｌｙｓｉｓ：ＦＥＡ）としての比較基板マッピングを示すＩＲカメ
ラ試験を示す。ＩＲカメラ試験は、基板上で応力点が集中していないこと及び基板とブレ
ードのたわみが最小限に抑えられることを示している。５５０℃を越える取り出し温度を
可能にしつつも基板の破損とゆがみの発生が抑えられる、熱い基板上での熱応力勾配を軽
減する新しいブレードが提供された。このブレードは、より高い温度での処理チャンバか
らの基板の取り出しを可能にし、特定の実施形態において、基板１枚あたり１０秒の時間
短縮と、ひいては総処理時間の短縮と所有コストの低下を示した。
上記は本考案の実施形態についてのものであるが、本願に記載のその他及び更なる実施
形態をその基本的な範囲から逸脱することなく創作することができ、その範囲は実用新案登録請求の範囲に基づいて定められる。
形態をその基本的な範囲から逸脱することなく創作することができ、その範囲は実用新案登録請求の範囲に基づいて定められる。
Claims (15)
- 基板を輸送するためのブレードであり、
円弧状側方肩部を有する基部と、
基部から外方向に直角に延びる第１フィンガー部と、
基部から外方向に向かい、第１フィンガー部に対して平行かつ離間されて延びる第２フ
ィンガー部と、
基板を支持するように構成され円弧状側方肩部に沿って位置決めされた第１支持タブと
、
基板を支持するように構成され第１フィンガー部に連結された第２支持タブと、
基板を支持するように構成され第２フィンガー部に連結された第３支持タブとを備え、
円弧状側方肩部は、第１フィンガー部の外縁部から第２フィンガー部の外縁部まで延び
るブレード。 - 基部の円弧状側方肩部に沿って位置決めされた第４支持タブを更に備えた請求項１記載
のブレード。 - 第１支持タブと第４支持タブが基部の中心から等距離にある請求項２記載のブレード。
- 各支持タブが、第１支持面と、第１支持面の内側かつ下方に位置された第２支持面を備
えている請求項１記載のブレード。 - 第１支持タブと、第２支持タブと、第３支持タブの第１支持面が、基板を支持するため
の第１窪みを形成する請求項４記載のブレード。 - 第１支持タブと、第２支持タブと、第３支持タブの第２面が、基板を支持するための第
２窪みを形成する請求項５記載のブレード。 - 第１支持タブと第４支持タブは、ブレードの基部の中心を二分している、第１フィンガ
ー部と第２フィンガー部に平行な中心線から約１５°〜２０°の場所に位置決めされてお
り、第２支持タブと第３支持タブは、ブレードの基部の中心を二分する、第１フィンガー
部と第２フィンガー部に平行な中心線に直角の水平線から約２５°〜約３０°の場所に位
置決めされている請求項２記載のブレード。 - ブレードが石英材料を含む請求項１記載のブレード。
- 基部が、後ろを向いた２つの側方突出部を備え、第１ブレードの内縁部と第２ブレード
の内縁部との間の距離が、後ろを向いた２つの側方突出部の間の距離よりも大きい請求項
１記載のブレード。 - 基板を輸送するためのＵ型ブレードであり、
円弧状側方肩部を有する基部と、
基部から外方向に直角に延びる第１フィンガー部と、
基部から外方向に向かい、第１フィンガー部に対して平行かつ離間されて延びる第２フ
ィンガー部と、
基板を支持するように構成され円弧状側方肩部に沿って位置決めされた第１支持タブと
、
基板を支持するように構成され第１フィンガー部の角度変化部に連結された第２支持タ
ブと、
基板を支持するように構成され第２フィンガー部の角度変化部に連結された第３支持タ
ブと、
基部の円弧状側方肩部に沿って位置決めされた第４支持タブを備えているＵ型ブレード
。 - 基部が後ろを向いた２つの側方突出部を備え、第１ブレードの内縁部と第２ブレードの
内縁部との間の距離が、後ろを向いた２つの側方突出部の間の距離よりも大きい請求項１
０記載のＵ型ブレード。 - 円弧状側方肩部が、第１フィンガー部の外縁部から第２フィンガー部の外縁部まで延び
る請求項１１記載のＵ型ブレード。 - 第１支持タブと第４支持タブは、ブレードの基部の中心を二分している、第１フィンガ
ー部と第２フィンガー部に平行な中心線から約１５°〜２０°の場所に位置決めされてお
り、第２支持タブと第３支持タブは、ブレードの基部の中心を二分している、第１フィン
ガー部と第２フィンガー部に平行な中心線に直角の水平線から約２５°〜約３０°の場所
に位置決めされている請求項１０記載のＵ型ブレード。 - 各支持タブが、第１支持面と第２支持面を備えている請求項１０記載のＵ型ブレード。
- 第１支持タブと、第２支持タブと、第３支持タブの第１支持面が、基板を支持するため
の第１窪みを形成し、第１支持タブと、第２支持タブと、第３支持タブの第２面が、基板
を支持するための第２窪みを形成する請求項１４記載のＵ型ブレード。
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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|---|---|---|---|
| JP2008280952A Pending JP2009111393A (ja) | 2007-10-31 | 2008-10-31 | 高温下での基板取り出しのための進化したｆｉブレード |
| JP2011006415U Expired - Lifetime JP3172993U (ja) | 2007-10-31 | 2011-10-31 | 高温下での基板取り出しのための進化したｆｉブレード |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008280952A Pending JP2009111393A (ja) | 2007-10-31 | 2008-10-31 | 高温下での基板取り出しのための進化したｆｉブレード |
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