TWI817928B - 樹脂組成物 - Google Patents

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Abstract

提供一種絕緣信賴性優異、可抑制翹曲之產生、線熱膨脹係數低的樹脂組成物，及使用該樹脂組成物而成的樹脂薄片、電路基板、及半導體晶片封裝。
本發明為關於一種樹脂組成物，其係含有(a)彈性體、(b1)具有芳香族構造之液狀環氧樹脂、(b2)具有芳香族構造之固體狀環氧樹脂、及(c)無機填充材之樹脂組成物，將樹脂組成物之不揮發成份設定為100質量%時，(c)成份之含量為50質量%~95質量%，將樹脂組成物以180℃熱硬化1小時後所得之硬化物在23℃的彈性率為18GPa以下，該硬化物在23℃、測量頻率5.8GHz的比介電率為3.5以下，且與該硬化物在23℃、測量頻率1GHz的比介電率之差為0.3以下。

Description

樹脂組成物
本發明為有關樹脂組成物。進而，有關使用樹脂組成物而成的樹脂薄片、電路基板、及半導體晶片封裝。
近年來，因智慧型手機、平板型裝置等小型高機能電子機器之需求度提高，伴隨於此，亦對該等小型電子機器中所使用的半導體封裝用絕緣材料(絕緣層)要求更高之機能化。
如此般的絕緣層，已知有將樹脂組成物硬化而形成者等(參考例如專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2015-82535號公報
近年來，要求著更小型的半導體封裝之製造，對使用於半導體封裝中的絕緣層，要求設定為更薄之層。因此，要求著絕緣信賴性優異、可抑制翹曲之產生、線熱膨脹係數(Coefficient of Thermal Expansion：CTE，有稱為熱膨脹率之情形)為低。
然而，特別是絕緣層厚度為薄時，絕緣信賴性、翹曲量、及CTE會成為權衡取捨(trade-off)之關係，雖然已檢討著各種能同時充分發揮性能的樹脂組成物之設計，但為接連應解決之課題。
本發明係用於解決上述課題所完成之發明，以提供一種樹脂組成物，其可得到絕緣信賴性優異、可抑制翹曲之產生、線熱膨脹係數低的絕緣層，及提供使用該樹脂組成物而成的樹脂薄片、電路基板、及半導體晶片封裝。
本發明人發現，藉由含有(a)彈性體、(b1)具有芳香族構造之液狀環氧樹脂、(b2)具有芳香族構造之固體狀環氧樹脂、及指定量的(c)無機填充材，進而滿足下述要件：以180℃熱硬化1小時後所得之硬化物在23℃的彈性率為18GPa以下，該硬化物在23℃、測量頻率5.8GHz的比介電率為3.5以下，且與該硬化物在23℃、測量頻率1GHz的比介電率之差為0.3以下，可得到絕緣信賴性優異、可抑制翹曲之產生、線熱膨脹係數低的絕緣層，因而完成本 發明。
即，本發明包含以下之內容。
[1].一種樹脂組成物，其係含有(a)彈性體、(b1)具有芳香族構造之液狀環氧樹脂、(b2)具有芳香族構造之固體狀環氧樹脂、及(c)無機填充材之樹脂組成物，其特徵為，將樹脂組成物之不揮發成份設定為100質量%時，(c)成份之含量為50質量%~95質量%，將樹脂組成物以180℃熱硬化1小時後所得之硬化物在23℃的彈性率為18GPa以下，該硬化物在23℃、測量頻率5.8GHz的比介電率為3.5以下，且與該硬化物在23℃、測量頻率1GHz的比介電率之差為0.3以下。
[2].如前述[1]之樹脂組成物，其中，將樹脂組成物以180℃熱硬化1小時後所得之硬化物在23℃、測量頻率5.8GHz的介電正切為0.01以下，且與該硬化物在23℃、測量頻率1GHz的介電正切之差為0.002以下。
[3].如前述[1]或[2]之樹脂組成物，其中，將除去(c)成份後的樹脂組成物之不揮發成份設定為100質量%時，(a)成份之含量為30質量%~85質量%。
[4].如前述[1]~[3]中任一項之樹脂組成物，其中，(a)成份具有選自丁二烯構造單位、聚矽氧烷構造單位、(甲基)丙烯酸酯構造單位、伸烷基構造單位、伸烷氧基構造單位、異戊二烯構造單位、異丁烯構造單位、及聚碳酸酯構造單位之1種以上的構造單位。
[5].如前述[1]~[4]中任一項之樹脂組成物，其中，(a)成份係選自玻璃轉移溫度為25℃以下的樹脂、及25℃下為液狀的樹脂之1種以上。
[6].如前述[1]~[5]中任一項之樹脂組成物，其中，(a)成份具有可與(b1)成份及(b2)成份進行反應之官能基。
[7].如前述[1]~[6]中任一項之樹脂組成物，其中，(a)成份具有酚性羥基。
[8].如前述[1]~[7]中任一項之樹脂組成物，其中，進而包含(d)硬化劑，該硬化劑係選自酚系硬化劑、及活性酯硬化劑之1種以上。
[9].如前述[1]~[8]中任一項之樹脂組成物，其係半導體晶片封裝的絕緣層用樹脂組成物。
[10].一種樹脂薄片，其特徵係具有支撐體、與設置於該支撐體上的包含前述[1]~[9]中任一項之樹脂組成物的樹脂組成物層。
[11].如前述[10]之樹脂薄片，其係半導體晶片封裝的絕緣層用樹脂薄片。
[12].一種電路基板，其特徵係包含藉由前述[1]~[9]中任一項之樹脂組成物之硬化物所形成的絕緣層。
[13].一種半導體晶片封裝，其特徵係於前述[12]之電路基板上搭載半導體晶片。
[14].一種半導體晶片封裝，其特徵係包含藉由前述[1]~[9]中任一項之樹脂組成物、或前述[10]之樹脂薄片所密封的半導體晶片。
藉由本發明，可提供一種樹脂組成物，其可得到絕緣信賴性優異、可抑制翹曲之產生、線熱膨脹係數低的絕緣層，以及可提供使用該樹脂組成物而成的樹脂薄片、電路基板、及半導體晶片封裝。
1‧‧‧電路基板
10‧‧‧附有配線層之基材
11‧‧‧基材(芯基板)
12‧‧‧第一金屬層
13‧‧‧第二金屬層
14‧‧‧配線層(埋入型配線層)
20‧‧‧樹脂薄片
21‧‧‧樹脂組成物層
21’‧‧‧絕緣層
22‧‧‧支撐體
31‧‧‧通孔
40‧‧‧導體層
41‧‧‧鍍敷種晶層
42‧‧‧電解鍍敷層
61‧‧‧填孔
100‧‧‧半導體晶片封裝
110‧‧‧半導體晶片
120‧‧‧密封層
130‧‧‧再配線形成層(絕緣層)
140‧‧‧導體層(再配線層)
150‧‧‧阻焊劑層
160‧‧‧凸塊
[圖1]圖1為表示在本發明之電路基板之製造方法中，步驟(3)的於絕緣層形成通孔、形成導體層並將配線層進行層間連接之步驟之情形時之一例之概略截面圖。
[圖2]圖2為表示在本發明之電路基板之製造方法中，步驟(3)的將絕緣層研磨或研削，使配線層露出並將配線層進行層間連接之步驟之情形時之一例之概略截面圖。
[圖3]圖3為表示本發明之半導體晶片封裝(Fan-out型WLP)之一例之概略截面圖。
[實施發明之最佳形態]
以下對於本發明之樹脂組成物、樹脂薄片、電路基板、及半導體晶片封裝進行詳細說明。
[樹脂組成物]
本發明之樹脂組成物，其係含有(a)彈性體、(b1)具有芳香族構造之液狀環氧樹脂、(b2)具有芳香族構造之固體狀環氧樹脂、及(c)無機填充材之樹脂組成物，將樹脂組成物之不揮發成份設定為100質量%時，(c)成份之含量為50質量%~95質量%，將樹脂組成物以180℃熱硬化1小時後所得之硬化物在23℃的彈性率為18GPa以下，該硬化物在23℃、測量頻率5.8GHz的比介電率為3.5以下，且與該硬化物在23℃、測量頻率1GHz的比介電率之差為0.3以下。
藉由使(a)成份、(b1)成份、(b2)成份、及指定量的(c)成份含有於樹脂組成物中，進而將該硬化物之彈性率及比介電率設定為指定範圍內，可得到絕緣信賴性優異、可抑制翹曲之產生、線熱膨脹係數低的絕緣層。因應所需，樹脂組成物可進而包含(d)硬化劑、(e)硬化促進劑、及(f)耐燃劑。以下對於樹脂組成物中所包含的各成份進行詳細說明。
<(a)彈性體>
樹脂組成物為包含(a)彈性體。本發明中所謂的彈性體，係意味著具有柔軟性之樹脂，其並未特別限定，可舉例如分子內具有選自丁二烯構造單位、聚矽氧烷構造單位、(甲基)丙烯酸酯構造單位、伸烷基(alkylene)構造單位、伸烷氧基(alkyleneoxy)構造單位、異戊二烯構造單位、異丁烯構造單位、及聚碳酸酯構造單位之1種以上的構造，藉此來顯示出柔軟性之樹脂。藉由包含如(a)成份般 的柔軟樹脂，可得到絕緣信賴性優異、可抑制翹曲之產生、線熱膨脹係數低的絕緣層。尚，所謂的「(甲基)丙烯酸酯」，係指甲基丙烯酸酯及丙烯酸酯。所謂的構造單位，係意味著從化合物除去1個或2個氫原子後的構造。
更具體而言，(a)成份以具有選自聚丁二烯及氫化聚丁二烯等的丁二烯構造單位、聚矽氧橡膠等的聚矽氧烷構造單位、(甲基)丙烯酸酯構造單位、伸烷基構造單位(較佳為碳原子數2~15，又較佳為碳原子數3~10，更佳為碳原子數5~6)、伸烷氧基構造單位(較佳為碳原子數2~15，又較佳為碳原子數3~10，更佳為碳原子數5~6)、異戊二烯構造單位、異丁烯構造單位、及聚碳酸酯構造單位之1種或2種以上的構造單位為較佳；以具有選自丁二烯構造單位、聚矽氧烷構造單位、(甲基)丙烯酸酯構造單位、異戊二烯構造單位、異丁烯構造單位、或聚碳酸酯構造單位之1種或2種以上的構造單位為又較佳；以具有選自丁二烯構造單位、及(甲基)丙烯酸酯構造單位之1以上的構造單位為更佳。
為了顯示出柔軟性，(a)成份較佳為高分子量，數平均分子量(Mn)較佳為1,000~1,000,000，又較佳為5,000~9,00,000。數平均分子量(Mn)為使用GPC(凝膠滲透層析法)所測定的聚苯乙烯換算之數平均分子量。
為了顯示出柔軟性，(a)成份係以選自玻璃轉移溫度(Tg)為25℃以下的樹脂、及25℃下為液狀的樹脂之1種以上的樹脂為較佳。
玻璃轉移溫度(Tg)為25℃以下的樹脂的玻璃轉移溫度，較佳為20℃以下，又較佳為15℃以下。玻璃轉移溫度的下限未特別限定，但通常為-15℃以上。又，作為25℃下為液狀的樹脂，較佳為20℃以下為液狀的樹脂，又較佳為15℃以下為液狀的樹脂。
作為(a)成份，只要是柔軟的樹脂時，未特別限定，但以具有可與後述的(b1)成份及(b2)成份(以下有將(b1)成份及(b2)成份總稱為「(b)成份」之情形)進行反應之官能基為較佳。尚，作為可與(b)成份進行反應之官能基，亦包含經由加熱而顯現之官能基。
在適合的一實施形態中，可與(b)成份進行反應之官能基為選自由羥基(又較佳為酚性羥基)、羧基、酸酐基、環氧基、異氰酸酯基及胺基甲酸酯基所成之群之1種以上的官能基。其中，作為該官能基，以羥基、酸酐基、環氧基、異氰酸酯基為較佳，以羥基、酸酐基、環氧基為又較佳。但，含有環氧基作為官能基時，(a)成份並不具有芳香族構造。
(a)成份的適合的一實施形態為丁二烯樹脂。作為丁二烯樹脂，以25℃下為液狀或玻璃轉移溫度為25℃以下的丁二烯樹脂為較佳，以選自由含有氫化聚丁二烯骨架之樹脂(例如含有氫化聚丁二烯骨架之環氧樹脂)、含有羥基之丁二烯樹脂(又較佳為含有酚性羥基之丁二烯樹脂)、含有羧基之丁二烯樹脂、含有酸酐基之丁二烯樹脂、含有環氧基之丁二烯樹脂、含有異氰酸酯基之丁二烯 樹脂及含有胺基甲酸酯基之丁二烯樹脂所成之群之1種以上的樹脂為又較佳。於此，所謂的「丁二烯樹脂」，係指含有丁二烯構造之樹脂，該等的樹脂中丁二烯構造可包含於主鏈，亦可包含於側鏈。丁二烯構造中，可一部份或全部被氫化。於此，所謂的「含有氫化聚丁二烯骨架之樹脂」，係指聚丁二烯骨架之至少一部份被氫化之樹脂，無須聚丁二烯骨架之全部皆為被氫化之樹脂。
丁二烯樹脂之數平均分子量(Mn)較佳為1,000~100,000，又較佳為5,000~50,000，又較佳為7,500~30,000，更佳為10,000~15,000。於此，樹脂之數平均分子量(Mn)為使用GPC(凝膠滲透層析法)所測定的聚苯乙烯換算之數平均分子量。
丁二烯樹脂具有官能基時，該官能基當量較佳為100~10000，又較佳為200~5000。尚，所謂的官能基當量，係指含有1克當量的官能基之樹脂的克數之意。例如，環氧基當量，可依JIS K7236來進行測定。羥基當量，可依JIS K1557-1所測定之羥基價，再除以KOH之分子量之方式而算出。
作為丁二烯樹脂之具體例，可舉出CRAY VALL公司製的「Ricon 657」(含有環氧基之聚丁二烯)、「Ricon 130MA8」、「Ricon 130MA13」、「Ricon 130MA20」、「Ricon 131MA5」、「Ricon 131MA10」、「Ricon 131MA17」、「Ricon 131MA20」、「Ricon 184MA6」(含有酸酐基之聚丁二烯)、日本曹達公司製的 「JP-100」、「JP-200」(環氧化聚丁二烯)、「GQ-1000」(羥基、羧基導入聚丁二烯)、「G-1000」、「G-2000」、「G-3000」(兩末端羥基聚丁二烯)、「GI-1000」、「GI-2000」、「GI-3000」(兩末端羥基氫化聚丁二烯)、DAICEL公司製的「PB3600」、「PB4700」(聚丁二烯骨架環氧樹脂)、「EPOFRIEND A1005」、「EPOFRIEND A1010」、「EPOFRIEND A1020」(苯乙烯與丁二烯與苯乙烯嵌段共聚物之環氧化物)、Nagasechemtex公司製的「FCA-061L」(氫化聚丁二烯骨架環氧樹脂)、「R-45EPT」(聚丁二烯骨架環氧樹脂)等。
又，作為(a)成份的其他適合的一實施形態，亦可使用將羥基末端聚丁二烯、二異氰酸酯化合物及四元酸酐作為原料而得的線狀聚醯亞胺(日本特開2006-37083號公報、國際公開第2008/153208號中所記載的聚醯亞胺)。該聚醯亞胺樹脂的丁二烯構造之含有率，較佳為60質量%~95質量%，又較佳為75質量%~85質量%。該聚醯亞胺樹脂之詳細，可參酌日本特開2006-37083號公報、國際公開第2008/153208號之記載，該內容係併入本說明書之說明中。
(a)成份的其他適合的一實施形態為丙烯酸樹脂。作為丙烯酸樹脂，以玻璃轉移溫度(Tg)為25℃以下的丙烯酸樹脂為較佳，以選自由含有羥基之丙烯酸樹脂(又較佳為含有酚性羥基之丙烯酸樹脂)、含有羧基之丙烯酸樹脂、含有酸酐基之丙烯酸樹脂、含有環氧基之丙烯酸樹 脂、含有異氰酸酯基之丙烯酸樹脂及含有胺基甲酸酯基之丙烯酸樹脂所成之群之1種以上的樹脂為又較佳。於此，所謂的「丙烯酸樹脂」，係指含有(甲基)丙烯酸酯構造之樹脂，該等的樹脂中(甲基)丙烯酸酯構造可包含於主鏈，亦可包含於側鏈。
丙烯酸樹脂之數平均分子量(Mn)較佳為10,000~1,000,000，又較佳為30,000~900,000。於此，樹脂之數平均分子量(Mn)為使用GPC(凝膠滲透層析法)所測定的聚苯乙烯換算之數平均分子量。
丙烯酸樹脂具有官能基時，該官能基當量較佳為1000~50000，又較佳為2500~30000。
作為丙烯酸樹脂之具體例，可舉出Nagasechemtex公司製的Teisanresin「SG-70L」、「SG-708-6」、「WS-023」、「SG-700AS」、「SG-280TEA」(含有羧基之丙烯酸酯共聚物樹脂、酸價5~34mgKOH/g、重量平均分子量40萬~90萬、Tg-30~5℃)、「SG-80H」、「SG-80H-3」、「SG-P3」(含有環氧基之丙烯酸酯共聚物樹脂、環氧當量4761~14285g/eq、重量平均分子量35萬~85萬、Tg11~12℃)、「SG-600TEA」、「SG-790」(含有羥基之丙烯酸酯共聚物樹脂、羥基價20~40mgKOH/g、重量平均分子量50萬~120萬、Tg-37~-32℃)、根上工業公司製的「ME-2000」、「W-116.3」(含有羧基之丙烯酸酯共聚物樹脂)、「W-197C」(含有羥基之丙烯酸酯共聚物樹脂)、「KG-25」、「KG-3000」(含有環氧基之丙烯酸 酯共聚物樹脂)等。
又，(a)成份的適合的一實施形態為碳酸酯樹脂。作為碳酸酯樹脂，以玻璃轉移溫度為25℃以下的碳酸酯樹脂為較佳，以選自由含有羥基之碳酸酯樹脂(又較佳為含有酚性羥基之碳酸酯樹脂)、含有羧基之碳酸酯樹脂、含有酸酐基之碳酸酯樹脂、含有環氧基之碳酸酯樹脂、含有異氰酸酯基之碳酸酯樹脂及含有胺基甲酸酯基之碳酸酯樹脂所成之群之1種以上的樹脂為較佳。於此，所謂的「碳酸酯樹脂」，係指含有碳酸酯構造之樹脂，該等的樹脂中碳酸酯構造可包含於主鏈，亦可包含於側鏈。
碳酸酯樹脂之數平均分子量(Mn)、及官能基當量係與丁二烯樹脂為相同，較佳之範圍亦為相同。
作為碳酸酯樹脂之具體例，可舉出Asahi Kasei Chemicals公司製的「T6002」、「T6001」(聚碳酸酯二醇)、Kuraray公司製的「C-1090」、「C-2090」、「C-3090」(聚碳酸酯二醇)等。
又，亦可使用將羥基末端聚碳酸酯、二異氰酸酯化合物及四元酸酐作為原料而得的線狀聚醯亞胺(國際公開第2016/129541號)。該聚醯亞胺樹脂的碳酸酯構造之含有率，較佳為60質量%~95質量%，又較佳為75質量%~85質量%。該聚醯亞胺樹脂之詳細，可參酌國際公開第2016/129541號之記載，該內容係併入本說明書之說明中。
又，另外的(a)成份的適合的一實施形態為聚 矽氧烷樹脂、伸烷基樹脂、伸烷氧基樹脂、異戊二烯樹脂、異丁烯樹脂。
作為聚矽氧烷樹脂之具體例，可舉出Shinetsu Silicones公司製的「SMP-2006」、「SMP-2003PGMEA」、「SMP-5005PGMEA」、將胺基末端聚矽氧烷、四元酸酐作為原料而得的線狀聚醯亞胺(國際公開第2010/053185號)等。作為伸烷基樹脂之具體例，可舉出Asahi Kasei Fibers公司製的「PTXG-1000」、「PTXG-1800」等。作為異戊二烯樹脂之具體例，可舉出Kuraray公司製的「KL-610」、「KL613」等。作為異丁烯樹脂之具體例，可舉出Kaneka公司製的「SIBSTAR-073T」(苯乙烯-異丁烯-苯乙烯三嵌段共聚物)、「SIBSTAR-042D」(苯乙烯-異丁烯二嵌段共聚物)等。
作為伸烷氧基樹脂之具體例，可舉例如三菱化學公司製的「YX-7180」(含有具有醚鍵的伸烷基構造之樹脂)等。
又，作為另外的(a)成份的適合的實施形態，可舉出丙烯酸橡膠粒子、聚醯胺微粒子、聚矽氧粒子等。作為丙烯酸橡膠粒子之具體例，可舉例對於丙烯腈丁二烯橡膠、丁二烯橡膠、丙烯酸橡膠等的顯示出橡膠彈性的樹脂施予化學性交聯處理，使形成對有機溶劑為不溶且不熔的樹脂的微粒子體，具體而言可舉出XER-91(日本合成橡膠公司製)、Sterophildo AC3355、AC3816、AC3832、AC4030、AC3364、IM101(以上為Gantsu化成公司製)、 Paraloid EXL2655、EXL2602(以上為吳羽化學工業公司製)等。作為聚醯胺微粒子之具體例，如尼龍般的脂肪族聚醯胺，又，例如只要具有聚醯胺醯亞胺等柔軟骨架者即可，具體而言可舉出VESTOSINT 2070(Daicel-Huls公司製)、或SP500(Toray公司製)等。
樹脂組成物中之(a)成份之含量，就賦予柔軟性之觀點而言，以將除去(c)成份後的樹脂組成物之不揮發成份設定為100質量%時，較佳為85質量%以下，又較佳為80質量%以下，更佳為75質量%以下，又更佳為73質量%以下。又，下限較佳為30質量%以上，又較佳為35質量%以上，更佳為45質量%以上，又更佳為55質量%以上。
<(b1)具有芳香族構造之液狀環氧樹脂、及(b2)具有芳香族構造之固體狀環氧樹脂>
樹脂組成物為包含(b1)具有芳香族構造之液狀環氧樹脂、及(b2)具有芳香族構造之固體狀環氧樹脂。(b1)具有芳香族構造之液狀環氧樹脂(以下有簡稱為「液狀環氧樹脂」之情形)，係指在溫度20℃下為液狀的具有芳香族構造之環氧樹脂，以1分子中具有2個以上的環氧基為較佳。又，(b2)具有芳香族構造之固體狀環氧樹脂(以下有簡稱為「固體狀環氧樹脂」之情形)，係指在溫度20℃下為固體狀的具有芳香族構造之環氧樹脂，以1分子中具有3個以上的環氧基為較佳。所謂的芳香族構造，係一般被定義為芳香族的化學構造，亦包含多環芳香族及芳香族雜環。本發 明中，藉由併用液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂，使得(a)成份的相溶性提升，而可得到具有優異可撓性的樹脂組成物。
作為液狀環氧樹脂，以雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、具有芳香族構造之縮水甘油酯型環氧樹脂、具有芳香族構造之縮水甘油胺型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、具有含芳香族構造之酯骨架之脂環式環氧樹脂、具有芳香族構造之環己烷二甲醇型環氧樹脂及具有含芳香族構造之丁二烯構造之環氧樹脂為較佳；以雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂及萘型環氧樹脂為又較佳；以雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂為更佳。作為液狀環氧樹脂之具體例，可舉出DIC公司製的「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」(萘型環氧樹脂)、三菱化學公司製的「828US」、「jER828EL」(雙酚A型環氧樹脂)、「jER806」、「jER807」(雙酚F型環氧樹脂)、「jER152」(苯酚酚醛清漆型環氧樹脂)、「630」、「630LSD」(胺基酚型環氧樹脂)、新日鐵住金化學公司製的「ZX1059」(雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂之混合品)、Nagasechemtex公司製的「EX-721」(縮水甘油酯型環氧樹脂)、DAICEL公司製的「CELOXIDE 2021P」(具有酯骨架之脂環式環氧樹脂)、新日鐵化學公司製的「ZX1658」、「ZX1658GS」(液狀1,4-縮水甘油基環己烷)。該等係可使用單獨1種、或亦可組合2種以上來使 用。
樹脂組成物中之液狀環氧樹脂之含量，就提升(a)成份的相溶性之觀點而言，將樹脂組成物中之不揮發成份設定為100質量%時，較佳為1質量%以上，又較佳為2質量%以上，更佳為2.5質量%以上。環氧樹脂之含量之上限，只要是可得到本發明之效果之範圍內未特別限定，但較佳為15質量%以下，又較佳為10質量%以下，更佳為5質量%以下。
液狀環氧樹脂之環氧當量，較佳為50~5000，又較佳為50~3000，更佳為80~2000，又更佳為110~1000。藉由成為該範圍，樹脂組成物之硬化物之交聯密度將為充分，在將硬化物使用作為絕緣層之際，可得到表面粗糙度小的絕緣層。尚，液狀環氧樹脂之環氧當量可依照JIS K7236進行測定，係指含有1當量的環氧基之樹脂的質量。
液狀環氧樹脂之重量平均分子量，較佳為100~5000，又較佳為250~3000，更佳為400~1500。於此，液狀環氧樹脂之重量平均分子量為使用GPC(凝膠滲透層析法)所測定的聚苯乙烯換算之重量平均分子量。
作為固體狀環氧樹脂，以萘型4官能環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、具有芳香族構造之雙環戊二烯型環氧樹脂、三苯酚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、伸萘基醚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、四苯乙烷型環氧 樹脂為較佳；以萘型4官能環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、及聯苯型環氧樹脂、伸萘基醚型環氧樹脂為又較佳；以萘型4官能環氧樹脂、伸萘基醚型環氧樹脂為更佳。作為固體狀環氧樹脂之具體例，可舉出DIC公司製的「HP4032H」(萘型環氧樹脂)、「HP-4700」、「HP-4710」(萘型4官能環氧樹脂)、「N-690」(甲酚酚醛清漆型環氧樹脂)、「N-695」(甲酚酚醛清漆型環氧樹脂)、「HP-7200」、「HP-7200L」、「HP-7200HH」、「HP-7200H」、「HP-7200HHH」(雙環戊二烯型環氧樹脂)、「EXA7311」、「EXA7311-G3」、「EXA7311-G4」、「EXA7311-G4S」、「HP6000」(伸萘基醚型環氧樹脂)、日本化藥公司製的「EPPN-502H」(三苯酚型環氧樹脂)、「NC7000L」(萘酚酚醛清漆型環氧樹脂)、「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3100」(聯苯型環氧樹脂)、新日鐵住金化學公司製的「ESN475V」(萘酚型環氧樹脂)、「ESN485」(萘酚酚醛清漆型環氧樹脂)、三菱化學公司製的「YX4000H」、「YL6121」(聯苯型環氧樹脂)、「YX4000HK」(聯二甲酚型環氧樹脂)、「YL7760」(雙酚AF型環氧樹脂)、「YX8800」(蒽型環氧樹脂)、大阪Gas Chemicals公司製的「PG-100」、「CG-500」、三菱化學公司製的「YL7800」(茀型環氧樹脂)、三菱化學公司製的「jER1010」(固體狀雙酚A型環氧樹脂)、「jER1031S」(四苯乙烷型環氧樹脂)、「157S70」(雙酚酚醛清漆型環氧 樹脂)、三菱化學公司製的「YX4000HK」(聯二甲酚型環氧樹脂)、「YX8800」(蒽型環氧樹脂)、大阪Gas Chemicals公司製的「PG-100」、「CG-500」、三菱化學公司製的「YL7800」(茀型環氧樹脂)、三菱化學公司製的「jER1031S」(四苯乙烷型環氧樹脂)等。該等係可使用單獨1種、或亦可組合2種以上來使用。
樹脂組成物中之固體狀環氧樹脂之含量，就調整樹脂組成物之黏度之觀點而言，將樹脂組成物中之不揮發成份設定為100質量%時，較佳為0.1質量%以上，又較佳為0.2質量%以上，更佳為0.3質量%以上。環氧樹脂之含量之上限，只要是可得到本發明之效果之範圍內未特別限定，但較佳為10質量%以下，又較佳為5質量%以下，更佳為1質量%以下。
固體狀環氧樹脂之環氧當量，較佳為50~5000，又較佳為50~3000，更佳為80~2000，又更佳為110~1000。藉由成為該範圍，硬化物之交聯密度將為充分，可得到表面粗糙度小的絕緣層。尚，固體狀環氧樹脂之環氧當量可依照JIS K7236進行測定，係指含有1當量的環氧基之樹脂的質量。
固體狀環氧樹脂之重量平均分子量，較佳為100~5000，又較佳為250~3000，更佳為400~1500。於此，固體狀環氧樹脂之重量平均分子量為使用GPC(凝膠滲透層析法)所測定的聚苯乙烯換算之重量平均分子量。
將液狀環氧樹脂之含量設定為B1(質量%)、固 體狀環氧樹脂之含量設定為B2(質量%)時，就調整溶融黏度之觀點而言，以滿足B1>B2之關係為較佳。又，B1及B2之差(B1-B2)，較佳為0.1質量%以上，又較佳為0.2質量%以上，更佳為0.3質量%以上、0.5質量%以上或1質量%以上。差(B1-B2)之上限未特別限定，但通常可設定為10質量%以下、5質量%以下等。
液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂之量比(固體狀環氧樹脂/液狀環氧樹脂)，依質量比，較佳為0.01~1之範圍。藉由使液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂之量比成為該範圍內，可得到i)以樹脂薄片形態使用時，可具有適度的黏著性、ii)以樹脂薄片形態使用時，具有充分的可撓性，而可提高處理性，及iii)可得到具有充分斷裂強度的硬化物等的效果。就上述i)~iii)之效果之觀點而言，液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂之量比(固體狀環氧樹脂/液狀環氧樹脂)，依質量比，較佳為0.05~0.8之範圍，更佳為0.1~0.5之範圍。
<(c)無機填充材>
樹脂組成物為包含(c)無機填充材。無機填充材之材料未特別限定，但可舉例如二氧化矽、氧化鋁、玻璃、堇青石、矽氧化物、硫酸鋇、碳酸鋇、滑石、黏土、雲母粉、氧化鋅、水滑石、水鋁礦、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化硼、氮化鋁、氮化錳、硼酸鋁、碳酸鍶、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鉍、氧化 鈦、氧化鋯、鈦酸鋇、鈦酸鋯酸鋇、鋯酸鋇、鋯酸鈣、磷酸鋯、及磷酸鎢酸鋯等。該等之中，特以二氧化矽為適合。又，作為二氧化矽，以球形二氧化矽為較佳。無機填充材可使用單獨1種、或亦可組合2種以上來使用。
無機填充材之平均粒徑，就可提升電路埋入性、並得到表面粗糙度低的絕緣層之觀點而言，較佳為5μm以下，又較佳為2.5μm以下，更佳為2.2μm以下，又更佳為2μm以下。該平均粒徑的下限未特別限定，但較佳為0.01μm以上，又較佳為0.05μm以上，更佳為0.1μm以上。作為具有如此般平均粒徑的無機填充材之市售品，可舉例如Admatechs公司製「YC100C」、「YA050C」、「YA050C-MJE」、「YA010C」、電氣化學工業公司製「UFP-30」、Tokuyama公司製「SilFile NSS-3N」、「SilFile NSS-4N」、「SilFile NSS-5N」、Admatechs公司製「SC2500SQ」、「SO-C6」、「SO-C4」、「SO-C2」、「SO-C1」等。
無機填充材之平均粒徑可使用以米氏(Mie)散射理論為基礎的雷射繞射‧散射法予以測定。具體而言可藉由雷射繞射散射式粒度分布測定裝置，依體積基準製作無機填充材之粒度分布，將該中值粒徑(median diameter)作為平均粒徑來進行測定。測定樣品，以藉由超音波使無機填充材分散於水中者為較佳。作為雷射繞射散射式粒度分布測定裝置，可使用堀場製作所公司製「LA-500」等。
無機填充材，就提高耐濕性及分散性之觀點 而言，以使用胺基矽烷系偶合劑、環氧矽烷系偶合劑、巰基矽烷系偶合劑、矽烷系偶合劑、烷氧基矽烷化合物、有機矽氮烷化合物、鈦酸酯系偶合劑等的1種以上的表面處理劑來進行處理為較佳。作為表面處理劑之市售品，可舉例如信越化學工業公司製「KBM403」(3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM803」(3-巰基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBE903」(3-胺基丙基三乙氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM573」(N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「SZ-31」(六甲基二矽氮烷)、信越化學工業公司製「KBM103」(苯基三甲氧基矽烷)、信越化學工業公司製「KBM-4803」(長鏈環氧型矽烷偶合劑)等。
藉由表面處理劑之表面處理之程度，可依據無機填充材的每單位表面積的碳量來進行評估。無機填充材的每單位表面積的碳量，就提升無機填充材之分散性之觀點而言，較佳為0.02mg/m2以上，又較佳為0.1mg/m2以上，更佳為0.2mg/m2以上。另一方面，就防止樹脂清漆之溶融黏度、或以薄片形態時之溶融黏度之上昇之觀點而言，較佳為1mg/m2以下，又較佳為0.8mg/m2以下，更佳為0.5mg/m2以下。
無機填充材的每單位表面積的碳量，可將表面處理後的無機填充材藉由溶劑(例如，甲基乙基酮(MEK))進行洗淨處理後來予以測定。具體而言，將使用具 有充分量的MEK的溶劑作為表面處理劑進行表面處理後的無機填充材，再以25℃、5分鐘時間進行超音波洗淨。去除上清液，使固形成份乾燥後，使用碳分析計測定無機填充材的每單位表面積的碳量。作為碳分析計，可使用堀場製作所公司製「EMIA-320V」等。
就可得到比介電率低且熱膨脹率低的絕緣層之觀點而言，樹脂組成物中之無機填充材之含量為50質量%~95質量%。較佳為55質量%以上，又較佳為60質量%以上，更佳為65質量%以上。就絕緣層之機械強度(特以拉伸度)之觀點而言，上限較佳為90質量%以下，又較佳為85質量%以下，更佳為80質量%以下。
<(d)硬化劑>
樹脂組成物可包含(d)硬化劑。作為硬化劑，只要是具有能使(b)成份等的樹脂硬化之機能即可未特別限定，可舉例如酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、活性酯系硬化劑、苯并
Figure 106119303-A0202-12-0022-5
系硬化劑、氰酸酯系硬化劑、及碳二醯亞胺系硬化劑等。硬化劑可使用單獨1種、或亦可組合2種以上來使用。(d)成份，以選自酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、活性酯系硬化劑及氰酸酯系硬化劑之1種以上為較佳，以選自酚系硬化劑、及活性酯系硬化劑之1種以上為又較佳。
作為酚系硬化劑及萘酚系硬化劑，就耐熱性及耐水性之觀點而言，以具有酚醛清漆構造之酚系硬化劑、或具有酚醛清漆構造之萘酚系硬化劑為較佳。又，就 與配線層之密著性之觀點而言，以含氮酚系硬化劑為較佳，以含有三嗪骨架之酚系硬化劑為又較佳。其中，就可高度滿足耐熱性、耐水性、及與配線層之密著性之觀點而言，以含有三嗪骨架之苯酚酚醛清漆硬化劑為較佳。
作為酚系硬化劑及萘酚系硬化劑之具體例，可舉出明和化成公司製的「MEH-7700」、「MEH-7810」、「MEH-7851」、日本化藥公司製的「NHN」、「CBN」、「GPH」、新日鐵住金化學公司製的「SN170」、「SN180」、「SN190」、「SN475」、「SN485」、「SN495V」、「SN375」、「SN395」、DIC公司製的「TD-2090」、「LA-7052」、「LA-7054」、「LA-1356」、「LA-3018-50P」、「EXB-9500」、「HPC-9500」、「KA-1160」、「KA-1163」、「KA-1165」、群榮化學公司製的「GDP-6115L」、「GDP-6115H」等。
就可得到與配線層之密著性為優異的絕緣層之觀點而言，活性酯系硬化劑亦為較佳。作為活性酯系硬化劑未特別限制，一般以使用1分子中具有2個以上的酚酯類、苯硫酚酯類、N-羥基胺酯類、雜環羥基化合物之酯類等具有高反應活性酯基之化合物為較佳。該活性酯系硬化劑，以使羧酸化合物及/或硫代羧酸化合物與羥基化合物及/或硫醇化合物進行縮合反應而製得者為較佳。特別是就提升耐熱性之觀點而言，以由羧酸化合物與羥基化合物所得之活性酯系硬化劑為較佳，以由羧酸化合物與酚化合 物及/或萘酚化合物所得之活性酯系硬化劑為又較佳。作為羧酸化合物，可舉例如苯甲酸、乙酸、琥珀酸、馬來酸、伊康酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、焦蜜石酸等。作為酚化合物或萘酚化合物，可舉例如氫醌、間苯二酚、雙酚A、雙酚F、雙酚S、還原酚酞、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、酚、o-甲酚、m-甲酚、p-甲酚、兒茶酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯甲酮、三羥基二苯甲酮、四羥基二苯甲酮、間苯三酚、苯三酚、雙環戊二烯型二酚化合物、苯酚酚醛清漆等。於此，所謂的「雙環戊二烯型二酚化合物」，係指由雙環戊二烯1分子與酚2分子經縮合而得之二酚化合物之意。
具體而言，以含有雙環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物、含有萘構造之活性酯化合物、含有苯酚酚醛清漆的乙醯化物之活性酯化合物、含有苯酚酚醛清漆的苯甲醯化物之活性酯化合物為較佳，其中，以含有萘構造之活性酯化合物、含有雙環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物為又較佳。所謂的「雙環戊二烯型二酚構造」，係表是由伸萘基-二環伸戊基-伸萘基所成之2價的構造單位。
活性酯系硬化劑之市售品中，作為含有雙環戊二烯型二酚構造之活性酯化合物，可舉出「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「HPC-8000-65T」、「HPC-8000H-65TM」、「EXB-8000L-65TM」(DIC公司製)；作為含有萘構造之活性酯化合物， 可舉出「EXB9416-70BK」(DIC公司製)；作為含有苯酚酚醛清漆的乙醯化物之活性酯化合物，可舉出「DC808」(三菱化學公司製)；作為含有苯酚酚醛清漆的苯甲醯化物之活性酯化合物，可舉出「YLH1026」(三菱化學公司製)；作為苯酚酚醛清漆的乙醯化物之活性酯系硬化劑，可舉出「DC808」(三菱化學公司製)；作為苯酚酚醛清漆的苯甲醯化物之活性酯系硬化劑，可舉出「YLH1026」(三菱化學公司製)、「YLH1030」(三菱化學公司製)、「YLH1048」(三菱化學公司製)等。
作為苯并
Figure 106119303-A0202-12-0025-6
系硬化劑之具體例，可舉出昭和高分子公司製的「HFB2006M」、四國化成工業公司製的「P-d」、「F-a」。
作為氰酸酯系硬化劑，可舉例如雙酚A二氰酸酯、多元酚氰酸酯、低聚(3-亞甲基-1,5-伸萘基氰酸酯)、4,4’-亞甲基雙(2,6-二甲基苯基氰酸酯)、4,4’-亞乙基二苯基二氰酸酯、六氟雙酚A二氰酸酯、2,2-雙(4-氰酸酯)苯基丙烷、1,1-雙(4-氰酸酯苯基甲烷)、雙(4-氰酸酯-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-雙(4-氰酸酯苯基-1-(甲基亞乙基))苯、雙(4-氰酸酯苯基)硫醚、及由雙(4-氰酸酯苯基)醚等的2官能氰酸酯樹脂、苯酚酚醛清漆及甲酚酚醛清漆等所衍生的多官能氰酸酯樹脂、該等氰酸酯樹脂經部份三嗪化而得之預聚物等。作為氰酸酯系硬化劑之具體例，可舉出LONZA Japan公司製的「PT30」及「PT60」(皆為苯酚酚醛清漆型多官能氰酸酯樹脂)、「BA230」、「BA230S75」(雙酚A 二氰酸酯的一部份或全部經三嗪化而成三聚體的預聚物)等。
作為碳二醯亞胺系硬化劑之具體例，可舉出日清紡化學公司製的「V-03」、「V-07」等。
樹脂組成物若含有(d)成份時，樹脂組成物中之硬化劑之含量未特別限定，但將樹脂組成物中之不揮發成份設定為100質量%時，較佳為10質量%以下，又較佳為8質量%以下，更佳為5質量%以下。又，下限未特別限制，但較佳為1質量%以上。
<(e)硬化促進劑>
樹脂組成物可包含(e)硬化促進劑。作為硬化促進劑，可舉例如磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、胍系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑等，以磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑為較佳，以胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、金屬系硬化促進劑為又較佳。硬化促進劑可使用單獨1種、或亦可組合2種以上來使用。
作為磷系硬化促進劑，可舉例如三苯基膦(triphenylphosphine)、硼酸鏻化合物、苯基鏻四苯基硼酸酯、n-丁基鏻四苯基硼酸酯、四丁基鏻癸酸鹽、(4-甲基苯基)三苯基鏻硫氰酸酯、四苯基鏻硫氰酸酯、丁基三苯基鏻硫氰酸酯等，以三苯基膦、四丁基鏻癸酸鹽為較佳。
作為胺系硬化促進劑，可舉例如三乙基胺、 三丁基胺等的三烷基胺、4-二甲基胺基吡啶、苄基二甲基胺、2,4,6，-參(二甲基胺基甲基)酚、1,8-二氮雜雙環(5,4,0)-十一烯等，以4-二甲基胺基吡啶、1,8-二氮雜雙環(5,4,0)-十一烯為較佳。
作為咪唑系硬化促進劑，可舉例如2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑鹽偏苯三酸酯、1-氰基乙基-2苯基咪唑鹽偏苯三酸酯、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-十一烷基咪唑-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪三聚異氰加成物、2-苯基咪唑三聚異氰加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2,3-二氫-1H-吡咯[1,2-a]苯并咪唑、1-十二烷基-2-甲基-3-苄基咪唑鎓氯化物、2-甲基咪唑啉、2-苯基咪唑啉等的咪唑化合物及咪唑化合物與環氧樹脂之加成物，以2-乙基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑為較佳。
作為咪唑系硬化促進劑，可使用市售品，可舉例如三菱化學公司製的「P200-H50」等。
作為胍系硬化促進劑，可舉例如二氰二胺、1-甲基胍、1-乙基胍、1-環己基胍、1-苯基胍、1-(o-甲苯基)胍、二甲基胍、二苯基胍、三甲基胍、四甲基胍、五甲基胍、1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯、7-甲基-1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯、1-甲基雙胍、1-乙基雙胍、1-n-丁基雙胍、1-n-十八烷基雙胍、1,1-二甲基雙胍、1,1-二乙基雙胍、1-環己基雙胍、1-烯丙基雙胍、1-苯基雙胍、1-(o-甲苯基)雙胍等，以二氰二胺、1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯為較佳。
作為金屬系硬化促進劑，可舉例如鈷、銅、鋅、鐵、鎳、錳、錫等的金屬的有機金屬錯合物或有機金屬鹽。作為有機金屬錯合物之具體例，可舉出乙醯丙酮鈷(II)、乙醯丙酮鈷(III)等的有機鈷錯合物、乙醯丙酮銅(II)等的有機銅錯合物、乙醯丙酮鋅(II)等的有機鋅錯合物、乙醯丙酮鐵(III)等的有機鐵錯合物、乙醯丙酮鎳(II)等的有機鎳錯合物、乙醯丙酮錳(II)等的有機錳錯合物等。作為有機金屬鹽，可舉例如辛酸鋅、辛酸錫、環烷酸鋅、環烷酸鈷、硬脂酸錫、硬脂酸鋅等。
樹脂組成物若含有(e)成份時，樹脂組成物中之硬化促進劑之含量未特別限定，但將(b)成份與(d)硬化劑之不揮發成份合計量設定為100質量%時，較佳為0.01質量%~3質量%。
<(f)耐燃劑>
樹脂組成物可包含(f)耐燃劑。作為耐燃劑，可舉例如有機磷系耐燃劑、含有機系氮之磷化合物、氮化合物、聚矽氧系耐燃劑、金屬氫氧化物等。耐燃劑可使用單獨1種、或亦可組合2種以上來使用。
作為耐燃劑，可使用市售品，可舉例如三光公司製的「HCA-HQ」、大八化學工業公司製的「PX-200」等。
樹脂組成物若含有耐燃劑時，耐燃劑之含量未特別限定，但將樹脂組成物中之不揮發成份設定為100質量%時，較佳為0.5質量%~20質量%，又較佳為0.5質量%~15質量%，更佳為0.5質量%~10質量%。
<(g)任意的添加劑>
因應所需樹脂組成物亦可進而包含其他的添加劑，作為該等其他的添加劑，可舉例如有機銅化合物、有機鋅化合物及有機鈷化合物等的有機金屬化合物、以及黏合劑、增稠劑、消泡劑、調平劑、密著性賦予劑、及著色劑等的樹脂添加劑等。
<樹脂組成物之物性>
將本發明之樹脂組成物以180℃熱硬化1小時，所得之硬化物在23℃的彈性率為18GPa以下，較佳為15GPa以下，又較佳為13GPa以下、11GPa以下、或10GPa以下。關於下限未特別限定，但可設定為例如0.01GPa以上、 0.5GPa以上、1GPa以上等。藉由將彈性率設定為18GPa以下，可抑制硬化物之翹曲之產生。上述彈性率，可依後述<彈性率之測定>所記載之方法進行測定。
將本發明之樹脂組成物以180℃熱硬化1小時，所得之硬化物在23℃、測量頻率5.8GHz的比介電率為3.5以下，較佳為3.4以下，更佳為3.3以下。關於下限未特別限定，但可設定為例如1以上、1.1以上、1.2以上等。藉由設定為上述範圍內，CTE將會降低之同時可抑制翹曲量之產生。上述比介電率，可依後述<比介電率、介電正切之測定>所記載之方法進行測定。
將本發明之樹脂組成物以180℃熱硬化1小時，所得之硬化物在23℃、測量頻率1GHz的比介電率較佳為3.6以下，以3.5以下為又較佳，以3.4以下為更佳。關於下限未特別限定，但可設定為例如1以上、1.1以上、1.2以上等。藉由設定為上述範圍內，CTE將會降低之同時可抑制翹曲量之產生。上述比介電率，可依後述<比介電率、介電正切之測定>所記載之方法進行測定。
又，將本發明之樹脂組成物以180℃熱硬化1小時，所得之硬化物在23℃、測量頻率5.8GHz的比介電率與該硬化物在23℃、測量頻率1GHz的比介電率之差為0.3以下，較佳為0.25以下，又較佳為0.23以下，更佳為0.2以下，又更佳為0.15以下、0.1以下、0.05以下、0.005以下、或0.002以下。關於下限未特別限定，但可設定為例如0以上、0.001以上等。藉由設定為上述範圍內，絕緣信 賴性為優異並抑制翹曲，進而可得到低CTE的絕緣層。上述比介電率之差，可依後述<比介電率、介電正切之測定>所記載之方法進行測定。
將本發明之樹脂組成物以180℃熱硬化1小時，所得之硬化物在23℃、測量頻率5.8GHz的介電正切較佳為0.01以下，又較佳為0.009以下，更佳為0.008以下。關於下限未特別限定，但可設定為例如0以上、0.0001以上等。藉由設定為上述範圍內，可得到能將插入損耗(Insertion Loss)抑制為低的絕緣層。上述介電正切，可依後述<比介電率、介電正切之測定>所記載之方法進行測定。
將本發明之樹脂組成物以180℃熱硬化1小時，所得之硬化物在23℃、測量頻率1GHz的介電正切較佳為0.01以下，又較佳為0.009以下，更佳為0.008以下。關於下限未特別限定，但可設定為例如0以上、0.0001以上等。藉由設定為上述範圍內，可得到能將插入損耗抑制為低的絕緣層。上述介電正切，可依後述<比介電率、介電正切之測定>所記載之方法進行測定。
將本發明之樹脂組成物以180℃熱硬化1小時，所得之硬化物在23℃、測量頻率5.8GHz的介電正切與該硬化物在23℃、測量頻率1GHz的介電正切之差較佳為0.002以下，又較佳為0.001以下，更佳為0.0005以下。關於下限未特別限定，但可設定為例如0以上等。藉由設定為上述範圍內，可得到能將插入損耗抑制為低的絕緣層。 上述介電正切之差，可依後述<比介電率、介電正切之測定>所記載之方法進行測定。
將本發明之樹脂組成物以100℃熱硬化30分、進而再以180℃熱硬化30分，所得之硬化物係顯示出所謂的可抑制翹曲之產生之特性。翹曲之大小，較佳為未滿2cm，更佳為1.5cm以下，又更佳為1cm以下。翹曲之測定，可依後述<翹曲量之評估>所記載之方法進行測定。
將本發明之樹脂組成物以180℃熱硬化1小時，所得之硬化物在130℃、85%相對濕度、3.3V直流外加電壓之條件下，顯示出所謂的200小時潮濕的絕緣電阻值(潮濕絕緣信賴性)為良好之結果之特性。上述電阻值較佳為108Ω以上，又較佳為109Ω以上，更佳為1010Ω以上。潮濕絕緣信賴性之測定，可依後述<潮濕絕緣信賴性之評估>所記載之方法進行測定。
將本發明之樹脂組成物以180℃熱硬化1小時，所得之硬化物之線熱膨脹係數(CTE)，就抑制翹曲之觀點而言，較佳為20ppm/℃以下，又較佳為15ppm/℃以下，更佳為10ppm/℃以下。關於下限未特別限定，但可設定為1ppm/℃以上等。線熱膨脹係數，可依後述<線熱膨脹係數(CTE)之測定>之順序來進行測定。
本發明之樹脂組成物可得到絕緣信賴性優異、可抑制翹曲之產生、線熱膨脹係數低的絕緣層，又，由於包含(b1)及(b2)成份，(a)成份的相溶性為良好。因而，本發明之樹脂組成物可適合使用作為用來形成半導體 晶片封裝的絕緣層的樹脂組成物(半導體晶片封裝的絕緣層用樹脂組成物)、用來形成電路基板(包含印刷線路板)的絕緣層的樹脂組成物(電路基板的絕緣層用樹脂組成物)；進而可適合使用作為用來形成在其上方藉由鍍敷形成導體層的層間絕緣層的樹脂組成物(藉由鍍敷來形成導體層的電路基板的層間絕緣層用樹脂組成物)。
又，亦可適合使用作為用來密封半導體晶片的樹脂組成物(半導體晶片密封用樹脂組成物)、用來於半導體晶片上形成配線的樹脂組成物(半導體晶片配線形成用樹脂組成物)。
[樹脂薄片]
本發明之樹脂薄片，其係包含支撐體、與接合於該支撐體的樹脂組成物層而成，樹脂組成物層係由本發明之樹脂組成物所成。
樹脂組成物層之厚度，就薄型化之觀點而言，較佳為200μm以下，又較佳為150μm以下，更佳為100μm以下、80μm以下、60μm以下、50μm以下或40μm以下。樹脂組成物層之厚度的下限並未特別限定，但通常可設定為1μm以上、5μm以上、10μm以上等。
作為支撐體，可舉例如由塑膠材料所成的薄膜、金屬箔、脫模紙，以由塑膠材料所成的薄膜、金屬箔為較佳。
作為支撐體若使用由塑膠材料所成的薄膜 時，塑膠材料之方面，可舉例如聚對苯二甲酸乙二酯(以下有簡稱為「PET」之情形)、聚萘二甲酸乙二酯(以下有簡稱為「PEN」之情形)等的聚酯、聚碳酸酯(以下有簡稱為「PC」之情形)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等的丙烯酸、環狀聚烯烴、三乙醯基纖維素(TAC)、聚醚硫醚(PES)、聚醚酮、聚醯亞胺等。其中，以聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯為較佳，以便宜的聚對苯二甲酸乙二酯為特佳。
作為支撐體若使用金屬箔時，金屬箔之方面，可舉例如銅箔、鋁箔等，以銅箔為較佳。作為銅箔，可使用由銅的單金屬所形成之箔，亦可使用銅與其他的金屬(例如，錫、鉻、銀、鎂、鎳、鋯、矽、鈦等)的合金所形成之箔。
支撐體，亦可對接合於樹脂組成物層之面實施消光處理、電暈放電處理。
又，作為支撐體，可使用在接合於樹脂組成物層之面為具有脫模層的附有脫模層的支撐體。作為附有脫模層的支撐體之脫模層中所使用的脫模劑，可舉例如選自由醇酸樹脂、聚烯烴樹脂、胺基甲酸酯樹脂、及聚矽氧樹脂所成之群之1種以上的脫模劑。附有脫模層的支撐體，可使用市售品，例如具有將醇酸樹脂系脫模劑作為主成份的脫模層而成的PET薄膜，可舉出Lintec公司製的「SK-1」、「AL-5」、「AL-7」、Toray公司製的「Lumirror T60」、帝人公司製的「PUREX」、Unitika公 司製的「Unipeel」等。
作為支撐體之厚度並未特別限定，但較佳為5μm~75μm之範圍，又較佳為~10μm~60μm之範圍。尚，若使用附有脫模層的支撐體之情形時，附有脫模層的支撐體之全體厚度較佳為上述範圍。
樹脂薄片，可例如藉由下述般來進行製造：調製有機溶劑中為溶解有樹脂組成物而成的樹脂清漆，使用模塗布機等將該樹脂清漆塗布至支撐體上，進而使其乾燥來形成樹脂組成物層。
作為有機溶劑，可舉例如丙酮、甲基乙基酮(MEK)及環己酮等的酮類、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸溶纖劑、丙二醇單甲基醚乙酸酯及卡必醇乙酸酯等的乙酸酯類、溶纖劑及丁基卡必醇等的卡必醇類、甲苯及二甲苯等的芳香族烴類、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺(DMAc)及N-甲基吡咯啶酮等的醯胺系溶媒等。有機溶劑可使用單獨1種、或亦可組合2種以上來使用。
乾燥，可藉由加熱、吹拂熱風等的周知方法來予以實施。乾燥條件未特別限定，但以樹脂組成物層中的有機溶劑之含量成為10質量%以下，較佳為5質量%以下之方式來進行乾燥。因樹脂清漆中的有機溶劑之沸點而有所差異，例如，使用含有30質量%~60質量%有機溶劑的樹脂清漆時，以50℃~150℃來使其乾燥3分鐘~10分鐘，藉此可形成樹脂組成物層。
樹脂薄片中，在樹脂組成物層之未接合於支 撐體之面(即，與支撐體為相反側之面)，可進而層合比照於支撐體的保護薄膜。保護薄膜之厚度並未特別限定，例如為1μm~40μm。藉由層合保護薄膜，可防止對樹脂組成物層表面之異物等的附著、或形成傷痕。樹脂薄片，可捲曲為輥狀來進行保存。若樹脂薄片具有保護薄膜時，可經由剝離保護薄膜來使用。
亦可使用預浸體，其係以薄片狀纖維基材來取代本發明之樹脂薄片，並使本發明之樹脂組成物含浸於該薄片狀纖維基材而形成。
使用於預浸體的薄片狀纖維基材未特別限定，可使用一般作為預浸體用基材所常用的玻璃布、芳香族聚醯胺(aramid)不織布、液晶聚合物不織布等。就薄型化之觀點而言，薄片狀纖維基材之厚度較佳為900μm以下，又較佳為800μm以下，更佳為700μm以下，又更佳為600μm以下。薄片狀纖維基材之厚度的下限未特別限定，但通常可設定為1μm以上、1.5μm以上、2μm以上等。
預浸體，可藉由熱熔法、溶劑法等的周知方法來進行製造。
預浸體之厚度，可與上述樹脂薄片中的樹脂組成物層設定為相同之範圍。
本發明之樹脂薄片，在半導體晶片封裝之製造中，可適合使用於用來形成絕緣層(半導體晶片封裝的絕緣用樹脂薄片)。
例如，本發明之樹脂薄片，可適合使用於用來形成電 路基板的絕緣層(電路基板的絕緣層用樹脂薄片)，進而可適合使用於在其上方藉由鍍敷形成導體層的層間絕緣層(藉由鍍敷來形成導體層的電路基板的層間絕緣層用)。作為使用如此般基板的封裝之例子，可舉出FC-CSP、MIS-BGA封裝、ETS-BGA封裝。
又，本發明之樹脂薄片可適合使用於用來密封半導體晶片(半導體晶片密封用樹脂薄片)、或用來在半導體晶片上形成配線(半導體晶片配線形成用樹脂薄片)，可適合使用於例如Fan-out型WLP(Wafer Level Package)、Fan-in型WLP、Fan-out型PLP(Panel Level Package)、Fan-in型PLP等。又，亦可適合使用於將半導體晶片連接於基板後所使用的MUF(Molding Under Filling)材料等。
本發明之樹脂薄片，另外可適合使用於要求高絕緣信賴性的其他廣範之用途，例如，用來形成印刷線路板等的電路基板的絕緣層。
[電路基板]
本發明之電路基板為包含藉由本發明之樹脂組成物之硬化物所形成的絕緣層。
本發明之電路基板之製造方法，如圖1及圖2所表示之一例般，包含下述步驟：(1)準備附有配線層之基材之步驟，該附有配線層之基材係具有基材、與設置於該基材之至少一面的配線層；(2)以配線層為埋入樹脂組成物層之方式，將本發明 之樹脂薄片層合至附有配線層之基材上，並使其熱硬化來形成絕緣層之步驟；(3)將配線層進行層間連接之步驟。
又，電路基板之製造方法亦可包含(4)除去基材之步驟。
只要是可使配線層進行層間連接即可，步驟(3)未特別限定，但以下述步驟之至少任一步驟為較佳：於絕緣層形成通孔、形成導體層之步驟；及，將絕緣層研磨或研削，使配線層露出之步驟。
<步驟(1)>
步驟(1)為準備附有配線層之基材之步驟，該附有配線層之基材係具有基材、與設置於該基材之至少一面的配線層。如圖1(A)及圖2(A)所表示之一例般，附有配線層之基材10係於基材11之兩面分別具有基材11的一部份的第一金屬層12、第二金屬層13，並於第二金屬層13之與基材11側之面為相反側之面上具有配線層14。詳細而言，將乾式薄膜(感光性阻劑薄膜)層合至基材上，使用光罩並以指定條件下進行曝光、顯影，來形成圖型乾式薄膜。將經顯影的圖型乾式薄膜作為鍍敷遮罩(plating mask)，藉由電解鍍敷法(electroplating method)來形成配線層，之後將圖型乾式薄膜剝離。尚，圖1及圖2係具有第一金屬層12、第二金屬層13之樣態，但亦可不具有第一金屬層12、第二金屬層13。
作為基材，可舉例如玻璃環氧基板、金屬基板(不銹鋼或冷軋鋼板(SPCC)等)、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚伸苯醚基板等的基板，於基板表面可形成銅箔等的金屬層。又，如圖1(A)、圖2(A)所示般，於基材的表面可形成能剝離的第一金屬層12及第二金屬層13(例如，三井金屬公司製的附載體銅箔之極薄銅箔、商品名「Micro Thin」)等的金屬層。
作為乾式薄膜，只要是由光阻劑組成物所成的感光性乾式薄膜即可未特別限定，可使用例如酚醛清漆樹脂、丙烯酸樹脂等的乾式薄膜。乾式薄膜亦可使用市售品。
基材與乾式薄膜之層合條件，係與後述步驟(2)中將樹脂薄片埋入配線層之方式進行層合時之條件為相同，較佳的範圍亦相同。
將乾式薄膜層合至基材上後，為了對於乾式薄膜形成所期望的圖型，使用光罩並以指定條件下來進行曝光、顯影。
配線層的線寬(電路寬度)/間距(電路間之寬度)比未特別限制，但較佳為20/20μm以下(即，間距為40μm以下)，又較佳為10/10μm以下，更佳為5/5μm以下，又更佳為1/1μm以下，特佳為0.5/0.5μm以下。間距，無須配線層之全體皆為相同。配線層之最小間距，可為40μm以下、36μm以下、或30μm以下。
形成乾式薄膜之圖型後，形成配線層，將乾 式薄膜進行剝離。於此，配線層之形成，可將形成有所期望之圖型的乾式薄膜使用作為鍍敷遮罩，藉由鍍敷法來實施。
使用於配線層的導體材料未特別限定。適合的實施形態中，配線層為包含選自由金、白金、鈀、銀、銅、鋁、鈷、鉻、鋅、鎳、鈦、鎢、鐵、錫及銦所成之群之1種以上的金屬。配線層可為單金屬層，亦可為合金層，作為合金層，例如，可舉出由選自上述之群之2種以上的金屬的合金(例如，鎳‧鉻合金、銅‧鎳合金及銅‧鈦合金)所形成之層。其中，就配線層形成之汎用性、成本、圖型化之容易性等之觀點而言，較佳為鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅的單金屬層、或鎳‧鉻合金、銅‧鎳合金、銅‧鈦合金的合金層，又較佳為鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅的單金屬層、或鎳‧鉻合金的合金層，更佳為銅的單金屬層。
依所期望的配線板之設計而有所差異，但配線層之厚度較佳為3μm~35μm，又較佳為5μm~30μm，更佳為10~20μm、或15μm。在步驟(3)中若採用將絕緣層研磨或研削，使配線層露出並將配線層進行層間連接之步驟時，進行層間連接之配線、與未連接之配線之厚度較佳為相異。配線層之厚度，可藉由重複前述圖型形成來進行調整。依所期望的配線板之設計而有所差異，但各配線層中具有最厚之配線層(導電柱)之厚度較佳為100μm以下2μm以上。又，進行層間連接之配線亦可為凸型。
形成配線層後，將乾式薄膜進行剝離。乾式薄膜之剝離，例如，可使用氫氧化鈉溶液等的鹼性剝離液來實施。因應所需，藉由蝕刻等將不要的配線圖型除去，亦可形成所期望之配線圖型。關於所形成的配線層之間距，如同前述。
<步驟(2)>
步驟(2)係以配線層為埋入樹脂組成物層之方式，將本發明之樹脂薄片層合至附有配線層之基材上，並使其熱硬化來形成絕緣層之步驟。如圖1(B)所示之一例般，將前述步驟(1)所得之附有配線層之基材之配線層14，以埋入樹脂薄片20的樹脂組成物層21之方式來進行層合，使樹脂薄片20的樹脂組成物層21熱硬化來形成絕緣層(圖1(C)或圖2(B)的符號21’)。樹脂薄片20為依序層合樹脂組成物層21、與支撐體22而成。
配線層與樹脂薄片之層合，在除去樹脂薄片的保護薄膜後，可例如藉由從支撐體側將樹脂薄片加熱壓著至配線層來進行。作為將樹脂薄片加熱壓著至配線層之構件(以下亦稱為「加熱壓著構件」)，可舉例如經加熱的金屬板(SUS鏡板等)或金屬輥(SUS輥)等。尚，較佳為並非將加熱壓著構件直接壓合在樹脂薄片，而是以樹脂薄片能充分追隨配線層的表面凹凸之方式，透過耐熱橡膠等的彈性材來進行壓合。
配線層與樹脂薄片之層合，亦可在除去樹脂 薄片的保護薄膜後，藉由真空層合法來實施。真空層合法中，加熱壓著溫度較佳為60℃~160℃，又較佳為80℃~140℃之範圍，加熱壓著壓力較佳為0.098MPa~1.77MPa，又較佳為0.29MPa~1.47MPa之範圍，加熱壓著時間較佳為20秒鐘~400秒鐘，又較佳為30秒鐘~300秒鐘之範圍。層合較佳為以壓力13hPa以下的減壓條件下來實施。
層合後，可於常壓下(大氣壓下)，例如，藉由將加熱壓著構件從支撐體側壓合之方式，使層合後的樹脂薄片進行平滑化處理。平滑化處理之壓合條件，可與上述層合的加熱壓著條件設定為相同之條件。尚，層合與平滑化處理，可使用上述市售的真空貼合機連續的進行。
以配線層為埋入之方式將樹脂組成物層層合至附有配線層之基材上之後，使樹脂組成物層熱硬化來形成絕緣層。例如，樹脂組成物層之熱硬化條件會依樹脂組成物之種類等而有差異，但硬化溫度可設定為120℃~240℃之範圍，硬化時間可設定為5分鐘~120分鐘之範圍。在使樹脂組成物層熱硬化前，亦可將樹脂組成物層以較硬化溫度為低溫之溫度來進行預熱。
樹脂薄片的支撐體，可在將樹脂薄片層合至附有配線層之基材上並熱硬化後而將其剝離，如圖2(B)所表示之一例般，亦可將支撐體在樹脂薄片層合至附有配線層之基材上之前，即將其剝離。又，亦可於後述的粗糙化處理步驟之前來將支撐體予以剝離。
<步驟(3)>
步驟(3)為將配線層進行層間連接之步驟。詳細為，於絕緣層形成通孔、形成導體層並將配線層進行層間連接之步驟(參考圖1(C)、(D))。或將絕緣層研磨或研削，使配線層露出並將配線層進行層間連接之步驟(參考圖2(C))。
若採用於絕緣層形成通孔、形成導體層並將配線層進行層間連接之步驟時，通孔(via hole)之形成未特別限定，可舉出雷射照射、蝕刻、機械鑽孔等，較佳為藉由雷射照射來進行。此雷射照射可使用利用二氧化碳雷射、YAG雷射、準分子雷射等作為光源之任意適合之雷射加工機來進行。詳細如圖1(C)所表示之一例般，步驟(3)係從支撐體22之面側來進行雷射照射，貫穿支撐體22、絕緣層21’並使配線層14露出，以形成通孔31。
雷射照射之條件未特別限定，雷射照射可藉由依因應所選擇之手段的常法而於任意適合之步驟來予以實施。
通孔之形狀(亦即，以延伸方向觀看時之開口輪廓之形狀)並未特別限定，但一般而言為圓形(略圓形)。
通孔形成後，可進行通孔內之污跡除去步驟，即所謂的去污跡步驟。若藉由鍍敷步驟來進行後述的導體層之形成時，可對為於通孔進行例如濕式的去污跡處理，若藉由濺鍍步驟來進行導體層之形成時，可進行例如電漿處理步驟等的乾式去污跡步驟。又，去污跡步驟亦可兼具粗糙化處理步驟。
在形成導體層之前，亦可對於通孔及絕緣層進行粗糙化處理。粗糙化處理可採用通常所進行的周知順序、條件。作為乾式粗糙化處理之例，可舉出電漿處理等；作為濕式粗糙化處理之例，可舉出依藉由膨潤液之膨潤處理、藉由氧化劑之粗糙化處理及藉由中和液之中和處理順序進行之方法。
形成通孔後，如圖1(D)所表示之一例般，來形成導體層40。構成導體層的導體材料未特別限定，導體層可藉由鍍敷、濺鍍、蒸鍍等以往周知之任意適合的方法來形成，以藉由鍍敷來形成為較佳。在適合的一實施形態中，例如，藉由半加成法、全加成法等的以往周知之技術於絕緣層之表面進行鍍敷，可形成具有所期望的配線圖型的導體層。又，當樹脂薄片中的支撐體為金屬箔時，可藉由消去處理法(subtractive process)等的以往周知技術，可形成具有所期望的配線圖型的導體層。導體層可為單層構造，亦可為層合2層以上由不同種類之金屬或合金所構成之單金屬層或合金層的複層構造。
詳細而言，藉由無電解鍍敷而於絕緣層之表面形成鍍敷種晶層41。接下來，於所形成的鍍敷種晶層上，以對應於所期望的配線圖型來形成使鍍敷種晶層的一部份露出的遮罩圖型。於經露出的鍍敷種晶層上藉由電解鍍敷來形成電解鍍敷層42。此時，在形成電解鍍敷層42之同時，亦可藉由電解鍍敷來將通孔31填埋，以形成填孔61。形成電解鍍敷層42後，將遮罩圖型予以除去。之後， 藉由蝕刻等來將不要的鍍敷種晶層除去，可形成具有所期望的配線圖型的導體層40。尚，形成導體層之際，使用於遮罩圖型之形成的乾式薄膜，係與上述乾式薄膜為相同。
除了線狀的配線以外，導體層亦可包含可搭載外部端子的電極墊(焊盤)等。又，導體層可僅由電極墊構成。
又，導體層可藉由形成鍍敷種晶層後，以不使用遮罩圖型之方式形成電解鍍敷層及填孔，之後，進行藉由蝕刻之圖型化來形成。
若採用將絕緣層研磨或研削，使配線層露出並將配線層進行層間連接之步驟時，作為絕緣層之研磨方法或研削方法，只要是可使配線層露出、且研磨或研削面為水平即可未特別限定，可適用以往周知的研磨方法或研削方法，可舉例如藉由化學機械研磨裝置之化學機械研磨方法、拋光(buff)等的機械研磨方法、藉由磨石旋轉之平面研削方法等。與於絕緣層形成通孔、形成導體層並將配線層進行層間連接之步驟為相同地，亦可進行污跡除去步驟、進行粗糙化處理之步驟，亦可形成導體層。又，如圖2(C)所表示之一例般，無須使配線層14之全部皆為露出，露出一部份的配線層14亦可。
<步驟(4)>
電路基板之製造方法，可包含步驟(1)~(3)以外的步驟(4)。步驟(4)係如圖1(E)、圖2(D)所表示之一例般為除 去基材、形成本發明之電路基板1之步驟。基材之除去方法未特別限定。在適合的一實施形態中係於第一及第二金屬層的界面將基材從電路基板予以剝離，再將第二金屬層以例如氯化銅水溶液等蝕刻除去。因應所需，亦可將導體層以保護薄膜進行保護之狀態下來剝離基材。
[半導體晶片封裝]
本發明之半導體晶片封裝之第一樣態，係於上述本發明之電路基板上搭載半導體晶片而成的半導體晶片封裝。藉由將半導體晶片接合於上述本發明之電路基板，可製造半導體晶片封裝。
只要是半導體晶片之端子電極與電路基板之電路配線為導體連接即可，接合條件未特別限定，可使用半導體晶片之覆晶(Flip-Chip)封裝中所使用的周知條件。又，半導體晶片與電路基板間亦可透過絕緣性的接著劑來進行接合。
在適合的一實施形態中係將半導體晶片壓著於電路基板。作為壓著條件，可設定為例如壓著溫度120℃~240℃之範圍(較佳為130℃~200℃之範圍，又較佳為140℃~180℃之範圍)、壓著時間為1秒鐘~60秒鐘之範圍(較佳為5秒鐘~30秒鐘)。
又，在其他適合的一實施形態中係將半導體晶片回焊(reflow)接合於電路基板。作為回焊條件，可設定為例如120℃~300℃之範圍。
將半導體晶片接合於電路基板後，例如，使用模底部填充材(mold underfill)來填充半導體晶片，藉此亦可得到半導體晶片封裝。以模底部填充材進行填充之方法苦使用周知方法來實施。本發明之樹脂組成物或樹脂薄片亦可使用作為模底部填充材。
本發明之半導體晶片封裝之第二樣態，例如圖3所表示之一例般的半導體晶片封裝(Fan-out型WLP)100，係以本發明之樹脂組成物或樹脂薄片來製造密封層120而成的半導體晶片封裝。半導體晶片封裝100為具備有：半導體晶片110、密封層120(以包覆半導體晶片110之周圍而形成者)、再配線形成層(絕緣層)130(位於與半導體晶片110之以密封層所包覆之側為相反側之面)、導體層(再配線層)140、阻焊劑層150、及凸塊160。如此般之半導體晶片封裝之製造方法為包含下述步驟：(A)將暫固定(temporarily fixed)薄膜層合至基材之步驟；(B)將半導體晶片暫固定於暫固定薄膜上之步驟；(C)將本發明之樹脂薄片之樹脂組成物層層合至半導體晶片上、或將本發明之樹脂組成物塗布至半導體晶片上，使其熱硬化來形成密封層之步驟；(D)將基材及暫固定薄膜從半導體晶片上剝離之步驟；(E)於半導體晶片之將基材及暫固定薄膜剝離後之面上形成再配線形成層(絕緣層)之步驟； (F)於再配線形成層(絕緣層)上形成導體層(再配線層)之步驟；及(G)於導體層上形成阻焊劑層之步驟。
又，半導體晶片封裝之製造方法可包含下述步驟：(H)將複數的半導體晶片封裝切割成為各別的半導體晶片封裝，而予以個別片化之步驟。
<步驟(A)>
步驟(A)為將暫固定薄膜層合至基材之步驟。基材與暫固定薄膜之層合條件，係與電路基板之製造方法中的步驟(2)的配線層與樹脂薄片之層合條件為相同，較佳的範圍亦相同。
使用於基材之材料未特別限定。作為基材，可舉例：矽晶圓；玻璃晶圓；玻璃基板；銅、鈦、不銹鋼、冷軋鋼板(SPCC)等的金屬基板；使環氧樹脂等滲入至玻璃纖維並熱硬化處理而成的基板(例如，FR-4基板)；由雙馬來醯亞胺三嗪樹脂(BT樹脂)所成的基板等。
暫固定薄膜，只要是在後述的步驟(D)中能從半導體晶片剝離之同時並使半導體晶片暫固定即可，材料未特別限定。暫固定薄膜可使用市售品。作為市售品，可舉例日東電工公司製的REVALPHA等。
<步驟(B)>
步驟(B)為將半導體晶片暫固定於暫固定薄膜上之步 驟。半導體晶片之暫固定可使用覆晶接合機、晶粒接合機等的周知裝置來進行。半導體晶片的配置佈局及配置數量，可因應於暫固定薄膜之形狀、大小、作為目的之半導體封裝之生產數量等而適當設定，例如，可排列成複數行、且複數列的矩陣狀，來進行暫固定。
<步驟(C)>
步驟(C)為將本發明之樹脂薄片之樹脂組成物層層合至半導體晶片上、或將本發明之樹脂組成物塗布至半導體晶片上，使其熱硬化來形成密封層之步驟。步驟(C)較佳為將本發明之樹脂薄片之樹脂組成物層層合至半導體晶片上，使其熱硬化來形成密封層。
半導體晶片與樹脂薄片之層合，在除去樹脂薄片的保護薄膜後，可例如藉由從支撐體側將樹脂薄片加熱壓著至半導體晶片來進行。作為將樹脂薄片加熱壓著至半導體晶片之構件(以下亦稱為「加熱壓著構件」)，可舉例如經加熱的金屬板(SUS鏡板等)或金屬輥(SUS輥)等。尚，較佳為並非將加熱壓著構件直接壓合在樹脂薄片，而是以樹脂薄片能充分追隨半導體晶片的表面凹凸之方式，透過耐熱橡膠等的彈性材來進行壓合。
又，半導體晶片與樹脂薄片之層合，亦可在除去樹脂薄片的保護薄膜後，藉由真空層合法來實施。真空層合法中的層合條件，係與電路基板之製造方法中的步驟(2)的配線層與樹脂薄片之層合條件為相同，較佳的範 圍亦相同。
樹脂薄片的支撐體，可在將樹脂薄片層合至半導體晶片上並熱硬化後而將其剝離，亦可將支撐體在樹脂薄片層合至半導體晶片上之前，即將其剝離。
作為樹脂組成物的塗布條件，係與本發明之樹脂薄片中形成樹脂組成物層之際之塗布條件為相同，較佳的範圍亦相同。
<步驟(D)>
步驟(D)為將基材及暫固定薄膜從半導體晶片上剝離之步驟。進行剝離之方法，可因應於暫固定薄膜之材質等而適當變更，可舉例如：將暫固定薄膜加熱、發泡(或膨脹)來使剝離之方法；從基材側照射紫外線來使暫固定薄膜之黏著力降低並剝離之方法等。
在將暫固定薄膜加熱、發泡(或膨脹)來使剝離之方法中，加熱條件通常為以100℃~250℃，進行1秒鐘~90秒鐘或5分鐘~15分鐘。又，在從基材側照射紫外線來使暫固定薄膜之黏著力降低並剝離之方法中，紫外線之照射量通常為10mJ/cm2~1000mJ/cm2。
<步驟(E)>
步驟(E)為於半導體晶片之將基材及暫固定薄膜剝離後之面上形成再配線形成層(絕緣層)之步驟。
形成再配線形成層(絕緣層)之材料，只要是在 再配線形成層(絕緣層)形成時為具有絕緣性即可，未特別限定，就半導體晶片封裝之製造之容易性之觀點而言，較佳為感光性樹脂、熱硬化性樹脂。作為熱硬化性樹脂，可使用與用來形成本發明之樹脂薄片的樹脂組成物為相同組成的樹脂組成物。
形成再配線形成層(絕緣層)之後，為了將半導體晶片與後述的導體層進行層間連接，亦可於再配線形成層(絕緣層)形成通孔。
在形成通孔之際，當形成再配線形成層(絕緣層)之材料為感光性樹脂時，首先，使活性能量線通過遮罩圖型來對於再配線形成層(絕緣層)之表面進行照射，使照射部的最配線層光硬化。
作為活性能量線，可舉例如紫外線、可見光線、電子線、X線等，特佳為紫外線。紫外線之照射量、照射時間，可因應於感光性樹脂而適當變更。作為曝光方法，可使用下述曝光法之任1種：使遮罩圖型密著於再配線形成層(絕緣層)並進行曝光的接觸曝光法、使遮罩圖型未密著於再配線形成層(絕緣層)而使用平行光線進行曝光的非接觸曝光法。
接下來，將再配線形成層(絕緣層)顯影、除去未曝光部，藉此形成通孔。顯影係以濕式顯影、或乾式顯影皆為適合。在濕式顯影所使用的顯影液，可使用周知的顯影液。
作為顯影方式，可舉例如浸漬方式、混拌方 式、噴霧方式、刷塗方式、刮塗方式等，就解析性之觀點而言，以混拌方式為適合。
當形成再配線形成層(絕緣層)之材料為熱硬化性樹脂時，通孔之形成未特別限定，但可舉出雷射照射、蝕刻、機械鑽孔等，較佳為藉由雷射照射來進行。雷射照射可使用利用二氧化碳雷射、UV-YAG雷射、準分子雷射等作為光源之任意適合之雷射加工機來進行。
雷射照射之條件未特別限定，雷射照射可藉由依因應所選擇之手段的常法而於任意適合之步驟來予以實施。
通孔之形狀(亦即，以延伸方向觀看時之開口輪廓之形狀)並未特別限定，但一般而言為圓形(略圓形)。通孔之頂端口徑(再配線形成層(絕緣層)表面之開口直徑)較佳為50μm以下，又較佳為30μm以下，更佳為20μm以下。下限未特別限定，但較佳為10μm以上，又較佳為15μm以上，更佳為20μm以上。
<步驟(F)>
步驟(F)為於再配線形成層(絕緣層)上形成導體層(再配線層)之步驟。於再配線形成層(絕緣層)上形成導體層之方法，係與電路基板之製造方法中的步驟(3)的於絕緣層形成通孔後的形成導體層之方法為相同，較佳的範圍亦相同。尚，亦可重複進行步驟(E)及步驟(F)，來使導體層(再配線層)及再配線形成層(絕緣層)交互堆積(增層/build- up)。
<步驟(G)>
步驟(G)為於導體層上形成阻焊劑(solder resist)層之步驟。
形成阻焊劑層之材料，只要是在阻焊劑層形成時為具有絕緣性即可，未特別限定，就半導體晶片封裝之製造之容易性之觀點而言，較佳為感光性樹脂、熱硬化性樹脂。作為熱硬化性樹脂，可使用與用來形成本發明之樹脂薄片的樹脂組成物為相同組成的樹脂組成物。
又，步驟(G)中，因應所需亦可進行形成凸塊的凸塊加工(bumping)。凸塊加工可使用焊球、焊鍍敷等周知方法來進行。又，凸塊加工中的通孔之形成，可與步驟(E)相同地進行。
<步驟(H)>
半導體晶片封裝之製造方法，除了步驟(A)~(G)以外，亦可包含步驟(H)。步驟(H)為將複數的半導體晶片封裝切割成為各別的半導體晶片封裝，而予以個別片化之步驟。
將半導體晶片封裝切割(dicing)成為各別的半導體晶片封裝之方法未特別限定，可使用周知方法。
本發明之半導體晶片封裝之第三樣態，係以本發明之樹脂組成物或樹脂薄片來製造例如圖3所表示之 一例般的半導體晶片封裝(Fan-out型WLP)中的再配線形成層(絕緣層)130、阻焊劑層150而成的半導體晶片封裝。
[半導體裝置]
作為可封裝本發明之半導體晶片封裝的半導體裝置，可舉出供應於電氣製品(例如，電腦、行動電話、智慧型手機、平板型裝置、穿戴式裝置、數位相機、醫療機器、及電視等)及搭乘物(例如，自動二輪車、汽車、電車、船舶及飛機等)等之各種半導體裝置。
[實施例]
以下，藉由實施例具體的說明本發明，但本發明並不限定於該等的實施例。尚，以下之記載中，表示量的「份」及「%」如無特別說明，分別代表「質量份」及「質量%」。
(評估用硬化物之製作)
在經脫模劑處理的PET薄膜(Lintec公司製「501010」、厚度38μm、240mm見方)的脫模劑未處理面上，重疊玻璃布基材環氧樹脂兩面覆銅層合板(松下電工公司製「R5715ES」、厚度0.7mm、255mm見方)，並利用聚醯亞胺接著膠帶(寬度10mm)來固定四邊(以下稱為「固定PET薄膜」)。
將實施例及比較例所製作的樹脂清漆，藉由模塗布機 以乾燥後的樹脂組成物層的厚度成為40μm之方式，塗布在利用醇酸樹脂系脫模劑(Lintec公司製「AL-5」)進行脫模處理的PET薄膜(Toray公司製「Lumirror R80」、厚度38μm、軟化點130℃，以下稱為「脫模PET」)上，以80℃~120℃(平均100℃)下乾燥10分鐘從而得到樹脂薄片。利用分批式真空加壓貼合機(Nikko-materials公司製2階段增層貼合機、CVP700)，以樹脂組成物層與固定PET薄膜的脫模劑處理面相接之方式，將各樹脂薄片(厚度40μm、200mm見方)在中央進行層合處理從而得到樹脂薄片。層合處理係藉由減壓30秒鐘並將氣壓設定為13hPa以下後，以100℃、壓力0.74MPa下壓著30秒鐘來實施。
接下來，以100℃的溫度條件下投入至100℃的烘烤箱後30分鐘，接下來，以175℃的溫度條件下移至175℃的烘烤箱後30分鐘來使其熱硬化。之後，將基板取出至室溫環境下，從附有支撐體的樹脂薄片上將脫模PET剝離後，進而以投入至190℃的烘烤箱後90分鐘的硬化條件下來使其熱硬化。
熱硬化後，將聚醯亞胺接著膠帶予以剝離，將硬化物從玻璃布基材環氧樹脂兩面覆銅層合板上取下，也進而將PET薄膜(Lintec公司製「501010」)予以剝離，從而得到薄片狀的硬化物。將所得之硬化物稱為「評估用硬化物」。
<線熱膨脹係數(CTE)之測定>
將評估用硬化物裁切成寬度5mm、長度15mm的試片，使用熱機械分析裝置(Rigaku公司製「Thermo Plus TMA8310」)，依據拉伸負載法來進行熱機械分析。詳細而言，將試片安裝在前述熱機械分析裝置後，藉由以荷重1g、昇溫速度5℃/分的測定條件下連續測定2次。然後由2次的測定中，算出從25℃至150℃為止的範圍中之平面方向的線熱膨脹係數(ppm/℃)。
<彈性率之測定>
將評估用硬化物切取成啞鈴狀1號形從而得到試片。將該試片使用Orientec公司製拉伸試驗機「RTC-1250A」來進行拉伸強度測定，並求出在23℃中之彈性率。測定係根據JIS K7127來實施。
<比介電率、介電正切之測定>
將實施例及比較例中所得之樹脂清漆，藉由模塗布機以乾燥後的樹脂組成物層的厚度成為40μm之方式均勻地塗布在經脫模處理的PET薄膜(Lintec公司製、「PET501010」)上，並以80~110℃(平均95℃)下乾燥6分鐘。之後，以180℃下熱處理1小時，藉由從PET薄膜上剝離從而得到硬化物薄膜。將該硬化物薄膜切取成長度80mm、寬度2mm並作為評估樣品。對於該評估樣品，使用Agilent Technologies公司製的HP8362B裝置，依據空洞共振器攝動法測定藉以測定溫度23℃下、測量頻率1GHz或 5.8GHz的比介電率、以及介電正切。對於2個試片來進行測定，並算出平均值。又，求出測量頻率1GHz的比介電率(平均值)、與測量頻率5.8GHz的比介電率(平均值)之差，求出測量頻率1GHz的介電正切(平均值)、與測量頻率5.8GHz的介電正切(平均值)之差。
<潮濕絕緣信賴性之評估> (評估用基板之調製) (1)內層電路基板之基底處理
作為內層電路基板，準備在兩面具有經由1mm見方格子的配線圖型(殘銅率為70%)所形成的電路導體(銅)之玻璃布基材環氧樹脂兩面覆銅層合板(銅箔的厚度18μm、基板的厚度0.3mm、Panasonic公司製「R1515F」)。將該內層電路基板之兩面浸漬在MEC公司製「CZ8100」中並進行銅表面的粗糙化處理(銅蝕刻量0.7μm)。
(2)樹脂薄片之層合
將實施例及比較例所製作的各樹脂清漆，藉由模塗布機以乾燥後的樹脂組成物層的厚度成為35μm之方式塗布在脫模PET上，並以80℃~120℃(平均100℃)下乾燥10分鐘從而得到樹脂薄片。利用分批式真空加壓貼合機(Nikko-materials公司製、2階段增層貼合機、CVP700)，以樹脂組成物層與內層電路基板相接之方式，將所製作的樹脂薄片層合在內層電路基板之兩面上。層合係藉由減壓30秒鐘並 將氣壓設定為13hPa以下，以120℃、壓力0.74MPa下壓著30秒鐘來實施。接下來，藉由以120℃、壓力0.5MPa下進行60秒鐘熱壓合(hot pressing)。
(3)樹脂組成物層之熱硬化
將已層合有樹脂薄片的內層電路基板，以100℃的溫度條件下投入至100℃的烘烤箱後30分鐘，接下來以175℃的溫度條件下移至175℃的烘烤箱後30分鐘，進行熱硬化從而形成絕緣層。
(4)通孔之形成
由絕緣層及支撐體的上方，使用三菱電機公司製CO2雷射加工機「605GTWIII(-P)」，從支撐體的上方照射雷射，在格子圖型的導體上的絕緣層形成頂端口徑(70μm)的通孔。雷射的照射條件係遮罩徑為2.5mm，脈衝寬度為16μs，能量為0.39mJ/shot，發射數為2，以脈衝間歇模式(10kHz)來進行。
(5)進行粗糙化處理之步驟
從已設置有通孔的內層電路基板上將脫模PET剝離，進行去污跡處理。尚，去污跡處理係實施下述之濕式去污跡處理。
濕式去污跡處理：在膨潤液(Atotech Japan公司製「Swelling Dip SecuriganthP」、二乙二醇單丁基醚 及氫氧化鈉的水溶液)中以60℃下5分鐘，接下來，在氧化劑溶液(Atotech Japan公司製「Concentrate Compact CP」、過錳酸鉀濃度約6%、氫氧化鈉濃度約4%的水溶液)中以80℃下10分鐘，最後在中和液(Atotech Japan公司製「Reduction solution Securiganth P」、硫酸水溶液)中以40℃下5分鐘進行浸漬後，以80℃下乾燥15分鐘。
(6)形成導體層之步驟 (6-1)無電解鍍敷步驟
為了在上述內層電路基板的表面上形成導體層，故進行包含下述1~6之步驟的鍍敷步驟(使用Atotech Japan公司製的藥液的銅鍍敷步驟)來形成導體層。
1.鹼清潔(設置有通孔的絕緣層的表面之洗淨與電荷調整)
將內層電路基板的表面，使用Cleaning Cleaner Securiganth 902(商品名)以60℃下洗淨5分鐘。
2.軟蝕刻(通孔內之洗淨)
將內層電路基板的表面使用硫酸酸性過氧二硫酸鈉水溶液，以30℃下處理1分鐘。
3.預浸漬(用於賦予Pd之絕緣層表面之電荷之調整)
將內層電路基板的表面使用Pre.Dip Neoganth B(商品名)，以室溫下處理1分鐘。
4.活化劑賦予(對於絕緣層的表面之Pd的賦予)
將內層電路基板的表面，使用Activator Neoganth 834(商品名)，以35℃下處理5分鐘。
5.還原(還原賦予於絕緣層的Pd)
將內層電路基板的表面，使用Reducer Neoganth WA(商品名)與Reducer Acceralator 810 mod.(商品名)的混合液，以30℃下處理5分鐘。
6.無電解銅鍍敷步驟(將Cu在絕緣層的表面(Pd表面)上析出)
將內層電路基板的表面，使用Basic Solution Printganth MSK-DK(商品名)、Copper solution Printganth MSK(商品名)、與Stabilizer Printganth MSK-DK(商品名)、和Reducer Cu(商品名)的混合液，以35℃下處理20分鐘。所形成的無電解銅鍍敷層的厚度為0.8μm。
(6-2)電解鍍敷步驟
接下來，使用Atotech Japan公司製的藥液，以在通孔內填充銅的條件下來進行電解銅鍍敷步驟。之後，作為用於藉由蝕刻之圖型化之阻劑圖型，使用與通孔所導通的直徑1mm的焊盤圖型(land pattern)，及未與下層導體連接的直徑10mm的圓形導體圖型，在絕緣層的表面上以10μm之厚度來形成具有焊盤及導體圖型之導體層。接下來，藉由190℃下進行退火處理90分鐘。將該基板作為評估用基板A。
(導體層間的絕緣層厚度之測定)
將評估用基板A使用FIB-SEM複合裝置(SII nanotechnology公司製「SMI3050SE」)來進行截面觀察。詳細而言，藉由FIB(聚焦離子束)削出與導體層的表面呈垂直方向之截面，並從截面SEM圖像測定導體層間的絕緣層厚。對於每個樣品觀察隨機所選出的5部位的截面SEM圖像，並將其平均值作為導體層間的絕緣層的厚度。
(絕緣層之潮濕絕緣信賴性之評估)
將上述中所得之評估用基板A的直徑10mm的圓形導體側作為正(+)電極，將與直徑1mm的焊盤連接的內層電路基板的格子導體(銅)側作為負(-)電極，使用高加速壽命試驗裝置(平山製作所公司製「PC422-R8D」)，以130℃、85%相對濕度、3.3V直流外加電壓的條件下，藉由電化學遷移測試器(IMVCORPORATION公司製「MIG8600B」)測定200小時潮濕中的絕緣電阻值。該測定進行6次，將6個試片全部之中其潮濕電阻值為108Ω以上之情形時設定為「○」，只要1個未滿108Ω之情形時設定為「×」。
<翹曲量之評估>
藉由分批式真空加壓貼合機(Nikko-materials公司製2階段增層貼合機「CVP700」)，將調製評估用基板時使用的樹脂薄片，層合在玻璃布基材BT樹脂兩面覆銅層合板(銅箔之厚度18μm、基板厚度0.15mm、三菱瓦斯化學公司製「HL832NSF LCA」、大小15cm×18cm)的單面上，除去 PET薄膜後，以100℃下30分鐘，進而以180℃下30分鐘使其熱硬化，並確認放置在平面的翹曲量。將4個角分別的翹曲量的平均值未滿1cm設定為「○」、1~2cm設定為「△」、2cm以上設定為「×」。
[合成例1] <彈性體A之製造>
在反應容器中，混合2官能性羥基末端聚丁二烯(G-3000、日本曹達公司製、數平均分子量=3000、羥基當量=1800g/eq.)69g、與Ipuzoru 150(芳香族烴系混合溶媒：出光石油化學公司製)40g、二月桂酸二丁基錫0.005g並使其均勻地溶解。呈現均勻時昇溫至50℃，進而一邊攪拌一邊添加異佛酮二異氰酸酯(Evonik Japan公司製、IPDI、異氰酸酯基當量=113g/eq.)8g並進行約3小時反應。接下來，將該反應物冷卻至室溫後，於此中添加甲酚酚醛清漆樹脂(KA-1160、DIC公司製、羥基當量=117g/eq.)23g、與二乙二醇乙醚乙酸酯(DAICEL公司製)60g，一邊攪拌一邊昇溫至80℃，並進行約4小時反應。藉由FT-IR進行確認2250cm-1之NCO波峰的消失。確認到NCO波峰消失時並視為反應的終點，將反應物降溫至室溫後，利用100篩孔的濾布進行過濾，可得到具有丁二烯構造及酚性羥基的彈性體A(不揮發分50質量%)。數平均分子量為5500。
[合成例2] <彈性體B之製造>
在附設有攪拌裝置、溫度計及冷凝器的燒瓶中，裝入作為溶劑之二乙二醇乙醚乙酸酯292.09g、Solvesso 150(芳香族系溶劑、Exxon Mobil公司製)292.09g，再裝入二苯基甲烷二異氰酸酯100.1g(0.4莫耳)與聚丁二烯二醇(羥基價52.6KOH-mg/g、分子量2133)426.6g(0.2莫耳)，並以70℃下進行4小時反應。接下來，裝入壬基苯酚酚醛清漆樹脂(羥基當量229.4g/eq、平均4.27官能、平均計算分子量979.5g/莫耳)195.9g(0.2莫耳)與乙二醇雙苯偏三酸酐(ethylene glycol bisanhydrotrimellitate)41.0g(0.1莫耳)，以2小時昇溫至150℃並使其反應12小時。
反應後可得到成為透明的茶色液體，且不揮發分55%、黏度14Pa‧s(25℃)的聚醯亞胺樹脂溶液。將所得之聚醯亞胺樹脂的溶液塗裝至KBr板上，並測定使溶劑成份揮發後的試樣之紅外線吸收頻譜之結果，可確認異氰酸酯基的特性吸收的2270cm-1為完全消失，且確認在725cm-1與1780cm-1與1720cm-1之醯亞胺環的吸收。又，可確認在1540cm-1之胺基甲酸酯鍵的吸收。又，伴隨著醯亞胺化之進行的二氧化碳之產生量，以燒瓶內裝入重量之變化來做追蹤為8.8g(0.2莫耳)。乙二醇雙苯偏三酸酐的酸酐的官能基當量為0.2莫耳、二氧化碳之產生量亦為0.2莫耳，酸酐全部被使用於醯亞胺之形成，故結論為不存在羧酸酐。據此，異氰酸酯基中，0.2莫耳之份量係被變換成醯亞胺鍵，剩餘的異氰酸酯基與聚丁二烯二醇的羥基及壬 基苯酚酚醛清漆樹脂中的酚性羥基一起形成胺基甲酸酯鍵，據此結論為得到在樹脂中具有苯酚酚醛清漆樹脂的酚性羥基，且一部份的酚性羥基為被胺基甲酸酯鍵改性的聚醯亞胺胺基甲酸酯樹脂。
[實施例1]
混合液狀環氧樹脂(新日鐵住金化學公司製「ZX1059」、雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂的1：1混合品(質量比)、環氧當量：169g/eq)30份、聯苯型環氧樹脂(日本化藥公司製「NC3000H」、環氧當量：288g/eq)8份、胺基酚型環氧樹脂(三菱化學公司製「630LSD」、環氧當量：90~105g/eq)5份、硬化促進劑(四國化成公司製「1B2PZ」、1-苄基-2-苯基咪唑)1份、彈性體A(固形分50%、數平均分子量：5500)300份、甲酚酚醛清漆樹脂(DIC公司製「KA-1163」、酚性羥基當量：118g/eq)12份、SO-C4(經胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)做表面處理的球形二氧化矽(Admatechs公司製、平均粒徑1μm))740份、及甲基乙基酮35份，並使用高速旋轉混合機均勻地分散從而製作樹脂清漆。
[實施例2]
混合液狀環氧樹脂(新日鐵住金化學公司製「ZX1059」、雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂的1： 1混合品(質量比)、環氧當量：169g/eq)30份、聯苯型環氧樹脂(日本化藥公司製「NC3000H」、環氧當量：288g/eq)8份、胺基酚型環氧樹脂(三菱化學公司製「630LSD」、環氧當量：90~105g/eq)5份、硬化促進劑(四國化成公司製「1B2PZ」、1-苄基-2-苯基咪唑)1份、彈性體B272份、甲酚酚醛清漆樹脂(DIC公司製「KA-1163」、酚性羥基當量：118g/eq)12份、SO-C4(經胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)做表面處理的球形二氧化矽(Admatechs公司製、平均粒徑1μm))950份、及甲基乙基酮45份，並使用高速旋轉混合機均勻地分散從而製作樹脂清漆。
[實施例3]
混合液狀環氧樹脂(新日鐵住金化學公司製「ZX1059」、雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂的1：1混合品(質量比)、環氧當量：169g/eq)30份、聯苯型環氧樹脂(日本化藥公司製「NC3000H」、環氧當量：288g/eq)8份、胺基酚型環氧樹脂(三菱化學公司製「630LSD」、環氧當量：90~105g/eq)5份、硬化促進劑(四國化成公司製「1B2PZ」、1-苄基-2-苯基咪唑)1份、彈性體B272份、甲酚酚醛清漆樹脂(DIC公司製「KA-1163」、酚性羥基當量：118g/eq)12份、SO-C4(經胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)做表面處理的球形二氧化矽(Admatechs公司製、平均粒徑 1μm))1070份、及甲基乙基酮50份，並使用高速旋轉混合機均勻地分散從而製作樹脂清漆。
[比較例1]
混合液狀環氧樹脂(新日鐵住金化學公司製「ZX1059」、雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂的1：1混合品(質量比)、環氧當量：169g/eq)40份、聯苯型環氧樹脂(日本化藥公司製「NC3000H」、環氧當量：288g/eq)61份、萘型環氧樹脂(DIC公司製「HP4710」、環氧當量160~180g/eq)20份、胺基酚型環氧樹脂(三菱化學公司製「630LSD」、環氧當量：90~105g/eq)13份、硬化促進劑(四國化成公司製「1B2PZ」、1-苄基-2-苯基咪唑)1份、聚酯樹脂(Unitika公司製、「UE3400」)40份、甲酚酚醛清漆樹脂(DIC公司製「KA-1163」、酚性羥基當量：118g/eq)30份、SO-C4(經胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)做表面處理的球形二氧化矽(Admatechs公司製、平均粒徑1μm))950份、及甲基乙基酮40份，並使用高速旋轉混合機均勻地分散從而製作樹脂清漆。
[比較例2]
混合液狀環氧樹脂(新日鐵住金化學公司製「ZX1059」、雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂的1：1混合品(質量比)、環氧當量：169g/eq)40份、聯苯型環氧 樹脂(日本化藥公司製「NC3000H」、環氧當量：288g/eq)61份、萘型環氧樹脂(DIC公司製「HP4710」、環氧當量160~180g/eq)20份、胺基酚型環氧樹脂(三菱化學公司製「630LSD」、環氧當量：90~105g/eq)13份、硬化促進劑(四國化成公司製「1B2PZ」、1-苄基-2-苯基咪唑)1份、聚酯樹脂(Unitika公司製、「UE3400」)40份、甲酚酚醛清漆樹脂(DIC公司製「KA-1163」、酚性羥基當量：118g/eq)30份、SO-C4(經胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)做表面處理的球形二氧化矽(Admatechs公司製、平均粒徑1μm))200份、及甲基乙基酮30份，並使用高速旋轉混合機均勻地分散從而製作樹脂清漆。
[比較例3]
混合液狀環氧樹脂(新日鐵住金化學公司製「ZX1059」、雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂的1：1混合品(質量比)、環氧當量：169g/eq)31份、雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂(三菱化學公司製「157S70」、環氧當量：200~220g/eq)23份、萘型環氧樹脂(DIC公司製「HP4710」、環氧當量160~180g/eq)20份、聚酯樹脂(Unitika公司製、「UE3400」)4份、甲酚酚醛清漆樹脂(DIC公司製「KA-1163」、酚性羥基當量：118g/eq)24份、SO-C4(經胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)做表面處理的球形二氧化矽(Admatechs公司 製、平均粒徑1μm))640份、硬化促進劑(四國化成公司製「1B2PZ」、1-苄基-2-苯基咪唑)1份、及甲基乙基酮30份，並使用高速旋轉混合機均勻地分散從而製作樹脂清漆。
下述表中之縮寫等係如以下般。
UE3400：聚酯樹脂、Unitika公司製
ZX1059：雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂的1：1混合品(質量比)、環氧當量：169g/eq、新日鐵住金化學公司製
630LSD：胺基酚型環氧樹脂、環氧當量：90~105g/eq、三菱化學公司製
NC3000H：聯苯型環氧樹脂、環氧當量：288g/eq、日本化藥公司製
HP4710：萘型環氧樹脂、DIC公司製、環氧當量160~180g/eq
157S70：雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、三菱化學公司製、環氧當量：200~220g/eq
SO-C4：經胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業公司製「KBM573」)做表面處理的球形二氧化矽(Admatechs公司製、平均粒徑1μm)
KA-1163：甲酚酚醛清漆樹脂、酚性羥基當量：118g/eq、DIC公司製
1B2PZ：1-苄基-2-苯基咪唑、四國化成公司製
(c)成份之含量：以樹脂組成物之不揮發成份設定為 100質量%時之含量(質量%)來表示。
(a)成份之含量：以除去(c)成份後的樹脂組成物之不揮發成份設定為100質量%時之含量(質量%)來表示。
[製作例1] <Fan-out型WLP用樹脂薄片之製作>
在聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(厚度38μm)上，藉由模塗布機以乾燥後的樹脂組成物層的厚度成為200μm之方式，塗布實施例1記載的樹脂清漆，並以80~120℃(平均100℃)下乾燥10分鐘從而得到樹脂薄片。
使用上述樹脂薄片來製作圖3所表示之Fan-out 型WLP的密封層時，得知具有作為Fan-out型WLP之充分的性能。

Claims (13)

  1. 一種樹脂組成物，其係含有(a)彈性體、(b1)具有芳香族構造之液狀環氧樹脂、(b2)具有芳香族構造之固體狀環氧樹脂、及(c)無機填充材之樹脂組成物，其特徵為，(a)成份具有選自丁二烯構造單位、聚矽氧烷構造單位、伸烷基構造單位、伸烷氧基構造單位、異戊二烯構造單位、異丁烯構造單位、及聚碳酸酯構造單位之1種以上的構造單位，將除去(c)成份後的樹脂組成物之不揮發成份設定為100質量%時，(a)成份之含量為30質量%以上，將樹脂組成物之不揮發成份設定為100質量%時，(c)成份之含量為50質量%~95質量%，將(b1)成份之含量設定為B1(質量%)、(b2)成份之含量設定為B2(質量%)時，滿足B1>B2之關係，將樹脂組成物以180℃熱硬化1小時後所得之硬化物在23℃的彈性率為18GPa以下，該硬化物在23℃、測量頻率5.8GHz的比介電率為3.5以下，且與該硬化物在23℃、測量頻率1GHz的比介電率之差為0.3以下。
  2. 如請求項1之樹脂組成物，其中，將樹脂組成物以180℃熱硬化1小時後所得之硬化物在23℃、測量頻率5.8GHz的介電正切為0.01以下，且與該硬化物在23℃、測 量頻率1GHz的介電正切之差為0.002以下。
  3. 如請求項1之樹脂組成物，其中，將除去(c)成份後的樹脂組成物之不揮發成份設定為100質量%時，(a)成份之含量為85質量%以下。
  4. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(a)成份係選自玻璃轉移溫度為25℃以下的樹脂、及25℃下為液狀的樹脂之1種以上。
  5. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(a)成份具有可與(b1)成份及(b2)成份進行反應之官能基。
  6. 如請求項1之樹脂組成物，其中，(a)成份具有酚性羥基。
  7. 如請求項1之樹脂組成物，其中，進而包含(d)硬化劑，該硬化劑係選自酚系硬化劑、及活性酯硬化劑之1種以上。
  8. 如請求項1之樹脂組成物，其係半導體晶片封裝的絕緣層用樹脂組成物。
  9. 一種樹脂薄片，其特徵係具有支撐體、與設置於該支 撐體上的包含請求項1~8中任一項之樹脂組成物的樹脂組成物層。
  10. 如請求項9之樹脂薄片，其係半導體晶片封裝的絕緣層用樹脂薄片。
  11. 一種電路基板，其特徵係包含藉由請求項1~8中任一項之樹脂組成物之硬化物所形成的絕緣層。
  12. 一種半導體晶片封裝，其特徵係於請求項11之電路基板上搭載半導體晶片。
  13. 一種半導體晶片封裝，其特徵係包含藉由請求項1~8中任一項之樹脂組成物、或請求項9之樹脂薄片所密封的半導體晶片。
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