TWI784472B - 陶瓷材 - Google Patents

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Abstract

陶瓷材具有陶瓷製的基材和設置在基材的表​​面上之陶瓷製的被覆層。此陶瓷材在基材的表面設置有向被覆層突出的複數個凸部。此外，相鄰凸部之間的間隔為100 μm以上2000 μm以下。

Description

陶瓷材
本發明主張2020年8月28日提申的日本專利申請第2020-144920 號的優先權。此發明的全部內容引用於本說明書中作為參照。本說明書公開了一種與陶瓷材相關的技術。
特開第2001-278685號公報（以下稱為專利文獻1）公開一種陶瓷材，其在陶瓷（碳化矽）製的基材的表面設置有陶瓷（富鋁紅柱石（mullite）、氧化鋯等）製的被覆層。在專利文獻1中，透過對基材表面進行噴砂處理，調整基材的表面粗糙度（Rz）為20 μm以上，從而抑制被覆層從基材剝離。
[發明所欲解決的課題]
透過粗糙化基材表面，專利文獻1的陶瓷材能夠在一定程度上得到抑制被覆層從基材剝離的效果。然而，本發明人的研究結果發現，只透過粗糙化基材表面，在反覆加熱陶瓷材的時候，被覆層會因為基材與被覆層的熱膨脹率差而從基材剝離。亦即，判斷出只透過粗糙化基材表面難以得到高耐久性（長壽命）的陶瓷材。本說明書的目的是提供一種實現高耐久性的陶瓷材之技術。 [解決課題的手段]
本說明書中公開的陶瓷材可以具有陶瓷製的基材和設置在基材的表​​面上之陶瓷製的被覆層。陶瓷材在基材的表面設置有向被覆層突出的複數個凸部，相鄰凸部之間的間隔可為100 μm以上2000 μm以下。
本說明書中公開的其他陶瓷材可以具有陶瓷製的基材和設置在基材的表​​面上之陶瓷製的被覆層。陶瓷材在基材的表面設置有複數個凹部，相鄰凹部之間的間隔可為100 μm以上2000 μm以下。
本說明書中公開的陶瓷材可以具有陶瓷製的基材和設置在基材表​​面之陶瓷製的被覆層。儘管沒有特別限制，陶瓷材的形狀可為板狀、箱狀、筒狀、柱狀。例如，在陶瓷材為板狀或箱狀的情況下，陶瓷材可為在加熱爐中燒製電子部件等被燒成物時用於放置被燒成物的燒成器。在將陶瓷材用作燒成器的情況下，被覆層的材料必須利用不與被燒成物發生反應的材料。換句話說，被覆層必須是抑制基材與被燒成物產生反應的材料，並且以與基材不同的材料形成。在利用陶瓷材作為燒成器的情況下，基材的材料可為SiC質。透過使用SiC質的基材，能夠得到高耐熱性、高強度的陶瓷材。此外，在基材為SiC質的情況下，被覆層的材料可為Al、Si、Zr、Y或Mg的氧化物的單體、或這些氧化物的混合物。透過使用這些氧化物（單體或混合物）作為被覆層，能夠抑制基材與被燒成物的反應。
在本說明書公開的陶瓷材中，可以在基材的表面設置向被覆層突出的複數個凸部或是複數個凹部。此外，相鄰凸部和相鄰凹部的間隔可為100 μm以上2000 μm以下。在基材的表面設置有這樣的凸部的情況下，當形成被覆層於基材的表面時，看起來像是凸部咬入被覆層的樣子，可以得到將被覆層牢固地固定於基材的效果（錨定效果）。此外，在基材的表面設置有上述凹部的情況下，當形成被覆層於基材的表面時，看起來像是被覆層咬入凹部的樣子，可以得到堅固的錨定效果。本說明書中公開的陶瓷材，透過設置上述的凹部或凸部於基材的表面，與以往的陶瓷材相比，能夠抑制被覆層從基材剝離，提高耐久性（延長壽命）。
在俯視基材表面時的凸部和凹部的形狀係沒有特別限定，但可為圓形、多邊形（三角形、四角形等）或十字形等。此外，相鄰凸部（凹部）的間隔不是指凸部（凹部）之間的間隙（亦即，未設置凸部（凹部）的部分之長度），而是指連接相鄰凸部（凹部）的中心之長度。此外，凸部和凹部可形成為條狀。在這種情況下，相鄰凸部（凹部）的間隔是指從特定的凸部（凹部）的任意位置到相鄰凸部（凹部）的最短距離。此外，相鄰凸部（凹部）的間隔可以透過從掃描式顯微鏡（SEM）等得到的圖像測量10處相鄰凸部（凹部）的間隔並計算平均值而獲得。
此外，在凸部（凹部）為條狀的情況下，基材表面除了沿著第一方向延伸的條狀的第一凸部（第一凹部）之外，還設置有沿著與第一方向相交的第二方向延伸的條狀的第二凸部（第二凹部），藉由第一凸部（第一凹部）和第二凸部（第二凹部）在基材表面形成格子狀的凸部（凹部）。在這種情況下，所有的凸部（凹部）連接起來以在基材表面設置格子狀的連續部，凹部（凸部）將獨立地存在於連續部之間。因此，在基材表面設置格子狀的連續部之形態的情況，可以稱作在基材表面設置有複數個凹部（複數個凸部）。
在基材表面設置有凸部的情況下，基材和凸部的材料可以相同或不同。此外，即使在基材和凸部的材料不同的情況下，基材和凸部的熱膨脹率差也可為10%以下。亦即，{（基材的熱膨脹率）-（凸部的熱膨脹率）}/（基材的熱膨脹率）的絕對值可為0.1以下。藉此，抑制了基材與凸部分離，其結果，抑制了被覆層從基材上剝離。此外，基材和凸部也可為相同的材料。如果基材和凸部為相同的材料，則兩者的熱膨脹率差可輕易地調整到10%以下。此外，「基材和凸部相同材料」是指基材的主要材料（基材中含有最多的材料）與凸部的主要材料相同。
在基材表面設置有凸部的情況下，凸部的突出高度可為1 μm以上200 μm以下。如果凸部的突出高度為1 μm以上，凸部充分咬入被覆層，可以得到堅固的錨定效果。如果凸部的突出高度為200 μm以下，被覆層的厚度部分地變薄，能夠抑制被覆層的表面（陶瓷材的表面）變得凹凸不平。另外，如果凸部的突出高度為10 μm以上200 μm以下，因為能夠更確實地得到堅固的錨定效果，所以是特佳。此外，僅只在基材表面設置突出高度為1 μm以上200 μm以下的凸部，並無法得到堅固的錨定效果。為了得到堅固的錨定效果，需要將突出高度為1 μm以上200 μm以下的凸部設置成相鄰凸部的間隔為100 μm以上2000 μm以下。凸部的突出高度是透過從掃描式顯微鏡等得到之陶瓷材的剖面圖測量10個凸部的突出高度並計算平均值而獲得。
在基材表面設置有凸部的情況下，凸部的寬度取決於相鄰凸部之間的間隔，但可為10 μm以上200 μm以下。如果凸部的寬度為10 μm以上，即使會因基材（或凸部）與被覆層的熱膨脹率差而從被覆層施力到凸部，也能夠抑制凸部破損而抑制被覆層從基材剝離。如果凸部的寬度為200 μm以下，被覆層的凹部（因凸部咬入被覆層而在被覆層中形成的凹部）的寬度也變成200 μm以下。當被覆層熱膨脹的時候，抑制被覆層的凹部的尺寸增大，也抑制被覆層從基材剝離（基材的凸部和被覆層的凹部脫落）。凸部的寬度是透過從掃描式顯微鏡等得到之陶瓷材的剖面圖測量10個凸部的寬度並計算平均值而獲得。
在基材表面設置有凹部的情況下，透過將被覆層填充於凹部中，可得到堅固的錨定效果。從另一角度來看，能夠將基材表面設置有凹部的形態視為設置在被覆層的凸部咬入基材。因此，即使在基材表面設置有凹部的情況下，與在基材表面設置有凸部的情況一樣，凹部的深度可為1 μm以上200 μm以下，凹部的深度以10 μm以上200 μm以下爲特別佳，凹部的寬度可為10 μm以上200 μm以下。此外，凹部的深度和寬度可以透過從掃描式顯微鏡等得到之陶瓷材的剖面圖測量10個凹部的深度和寬度並計算平均值而獲得。
被覆層可具有沿著厚度方向延伸的複數個裂縫。裂縫可以從被覆層的厚度方向的一端延伸至另一端，也可從一端延伸至厚度方向的中間部分。由於被覆層具有沿著厚度方向延伸的裂縫，因此能夠緩和因基材與被覆層的熱膨脹率差而從基材施加到被覆層的力。抑制了被覆層的破損，也提升陶瓷材的耐久性（壽命）。此外，相鄰裂縫之間的間隔可為10 μm以上2000 μm以下。如果相鄰裂縫之間的間隔為10 μm以上，則能夠確保被覆層的強度。此外，如果相鄰裂縫之間的間隔為2000 μm以下，則充分發揮緩和從基材施加到被覆層的力的效果。 [實施例]
（第一實施例） 參照圖1，說明陶瓷材10。陶瓷材10是平板狀的且具有SiC製的基材2和ZrO2 製的被覆層8，其設置在基材2的表面2S。基材2的表面2S設置有凸部4，凸部4向被覆層8突出。此外，凸部4未在被覆層8的表面(與基材2側相反側的表面)露出。沿著X方向延伸的複數個凸部4以條狀設置在基材2的表面2S。此外，凸部4是在基材2的表面形成具有開口的罩幕層並蝕刻開口部分的基材2後得到的殘留部分。因此，凸部4和基材2的材料相同(為SiC)。
陶瓷材10是透過將ZrO2熱噴塗到設置有凸部4的基材2，在基材2的表面2S形成被覆層(ZrO2膜)8而製造。被覆層8設置有從背面(基材2側)朝向表面延伸的複數個裂縫12。裂縫12設置在凸部4、4之間，未在被覆層8的表面露出。基材2的厚度T2為500μm，被覆層8的厚度T8為300μm，凸部4的厚度(突出高度)T4為100μm。因此，凸部4上的被覆層8的厚度為200μm。
(第二實施例)
參照圖2，說明陶瓷材10a。陶瓷材10a是陶瓷材10的變形例，關於和陶瓷材10共通的特徵，透過給予與陶瓷材料10的附圖標記相同的附圖標記來省略說明。
在陶瓷材10a中，基材2a的表面2S設置有凹部40。被覆層8咬入凹部40。複數個凹部40在X方向上呈條狀延伸。凹部40是透過在基材2a的表面形成具有開口的罩幕層並蝕刻開口部分的基材2a而形成。
陶瓷材10a是透過將ZrO2熱噴塗到設置有凹部40的基材2a，在基材2a的表面2S形成被覆層(ZrO2膜)8而製造。被覆層8設置有複數個裂縫12，裂縫12設置在凹部40、40之間。基材2a的厚度T2a為500μm，被覆層8的厚度T8為300μm，凹部40的深度T40為100μm。在陶瓷材10a中，確保基材2a的整個表面2S具有300μm以上(對應於凹部40的部分之厚度為400μm)的被覆層8。
(凸部4及凹部40的特徵)
參照圖3，說明陶瓷材10的凸部4和陶瓷材10a的凹部40的特徵。圖3是基材2和基材2a的俯面圖。基材2(2a)的表面2S設置有沿著X方向延伸的複數個凸部4(凹部40)。亦即，凸部4(凹部40)以條狀形成在基材2(2a)的表面2S。凸部4（凹部40）的寬度4W（40W）為100 μm。此外，相鄰凸部4（凹部40）之間的間隔4L（40L）為400 μm。此外，間隔4L（40L）是從特定的凸部4（凹部40）的寬度方向中心的任意位置3到相鄰凸部4（凹部40）寬度方向中心的距離為最短的位置5的距離。此外，如上所述，在凸部4、4之間和凹部40、40之間設置有裂縫12。相鄰裂縫12之間的間隔調整為300~500 μm。
如上所述，凸部4和凹部40是透過形成具有開口的罩幕層並蝕刻開口部而形成。具體地，凸部4是透過只在形成凸部4的位置處形成罩幕層並蝕刻其他部分（圖3中的表面2S）而形成。另一方面，凹部40是透過只在未形成凹部40的位置（圖3中的表面2S）形成罩幕層並蝕刻其他部分（形成凹部40的部分）而形成。
（陶瓷材10、10a的優點） 陶瓷材10藉由凸部4咬入被覆層8且陶瓷材10a藉由被覆層8咬入凹部40，而在基材2（2a）和被覆層 8之間得到堅固的錨定效果。因此，被覆層8難以從基材2剝離，提升了陶瓷材10（10a）的耐久性。
此外，以過去的陶瓷材來說，在基材與被覆層的熱膨脹率差較大的情況下（例如，基材為SiC，被覆層為ZrO2 ），為了緩和兩者的熱膨脹率差，需要在基材和被覆層之間設置中間層。然而，以陶瓷材10、10a來說，因為在基材2（2a）與被覆層8之間得到了堅固的錨定效果，所以即使在基材與被覆層的熱膨脹率差較大的情況下也能夠省略中間層。此外，藉由省略中間層，能夠實現陶瓷材的低成本和輕量化。此外，在陶瓷材10、10a中，因為被覆層8設置有裂縫12，所以即使因基材2（2a）與被覆層8的熱膨脹率差而從基材2（2a）施力到被覆層，裂縫12也能緩和施加在被覆層8上的力並抑制被覆層8破損。
（第三實施例） 參照圖4，說明陶瓷材10b。陶瓷材10b是陶瓷材10和陶瓷材10a的變形例，基材32(32a)的表面32S的形狀與陶瓷材10、10a不同。由於陶瓷材10b的其他特徵(被覆層的特徵)與陶瓷材10和10a相同，下文中將省略說明。此外，圖4一併顯示出形成在基材32的表面32S的凸部4形成為格子狀的連續部42的形態，和形成形成在基材32a的表面32S的凹部40形成為格子狀的連續部42的形態，對應於第一實施例和第二實施例(陶瓷材10、10a)的圖3。
基材32(32a)的表面32S設置有沿著X方向延伸的複數個凸部4a(凹部40a)和沿著與X方向正交的Y方向延伸的複數個凸部4b(凹部40b)。凸部4a和凸部4b以及凹部40a和凹部40b一起形成格子狀的連續部42。
具體地說明基材32，由凸部4a和凸部4b形成的連續部42將基材32的表面32S劃分成複數個區塊，並且相對於連續部42凹陷。亦即，基材32的表面32S形成有凹部。在基材32中，凸部4a和凸部4b具有相同的寬度4W，寬度4W為100μm。此外，在基材32中，由連續部42劃分的相鄰表面32S(亦即，凹部)的中心7、7的間隔4L(相鄰凹部之間的間隔)為400μm。在基材32的情況下，連續部42(凸部4a、4b)是透過在形成連續部42的位置形成罩幕層，並蝕刻罩幕層所包圍的部分(圖3的表面2S)而形成的。
同樣地，由凹部40a和凹部40b所形成的連續部42將基材32a的表面32S劃分成複數個區塊，並且相對於連續部42凸出。亦即，基材32的表面32S形成有凸部。在基材32a中，凹部40a和凹部40b具有相同的寬度4W，寬度4W為100μm。此外，在基材32中，由連續部42劃分的相鄰表面32S(亦即，凸部)的中心7、7的間隔4L(相鄰凸部之間的間隔)為400μm。在基材32a的情況下，連續部42(凹部40a、40b)是透過在形成連續部42之外的部分(圖3的表面2S)形成罩幕層，並蝕刻形成連續部42的部分而形成的。
(第四實施例)
參照圖5，說明陶瓷材10c。陶瓷材10c是陶瓷材10、10a和10b的變形例，基材52（52a）的表面52S的形狀與陶瓷材10、10a和10b不同。將省略說明陶瓷材10c與陶瓷材10、10a和10b共通的特徵（被覆層的特徵）。圖5一併顯示出在基材52的表面52S形成有相互獨立的複數個凸部4的形態，和在基材52的表面52S形成有相互獨立的複數個凹部40的形態，對應於第一實施例和第二實施例的圖3、第三實施例的圖4。
凸部4（凹部40）為圓形，凸部4（凹部40）的寬度4W（40W）為圓的直徑。相鄰凸部4（凹部40）之間的間隔4L（40L）是圓心之間的距離。在基材52（52a）中，凸部4（凹部40）的寬度4W（40W）為100 μm，相鄰凸部4（凹部40）之間的間隔4L（40L）為400 μm。基材52（52a）也能夠透過在基材52（52a）的表面52S形成具有開口的罩幕層並利用蝕刻技術來形成。
（第五實施例） 參照圖6，說明陶瓷材10d。陶瓷材10d是陶瓷材10c的變形例，設置在基材62（62a）的表面62S的凸部4（凹部40）的形狀與設置在基材52的表面52S的凸部4（凹部40）的形狀不同。圖6一併顯示出在基材62的表面62S形成有相互獨立的複數個凸部4的形態，和在基材62a的表面62S形成有相互獨立的複數個凹部40的形態。
凸部4（凹部40）為十字形。在十字形的凸部4（凹部40）的情況下，凸部4（凹部40）的寬度4W（40W）是形成十字形的矩形之長邊的長度，且為外接凸部4（凹部40）之圓的直徑。此外，相鄰凸部4（凹部40）之間的間隔4L（40L）是十字的中心之間（外接圓的中心之間）的距離。在基材62（62a）中，凸部4（凹部40）的寬度4W（40W）為100 μm，相鄰凸部4（凹部40）之間的間隔4L（40L）為400 μm。基材62（62a）也能夠透過在基材62（62a）的表面62S形成具有開口的罩幕層並利用蝕刻技術來形成。
在上述實施例中，已經說明了使用蝕刻技術來形成凸部（凹部）的示例。然而，凸部（凹部）也可以透過噴砂、壓製等來形成。此外，基材和凸部（凹部）可以由不同的材料形成。例如，可以準備具有不同構成材料之複數層的基材並蝕刻複數層中一部分的層來形成凸部（凹部）。
此外，凸部（凹部）的形狀不限於上述實施例的形狀。例如，當俯視基材的時後，凸部（凹部）可以是在三個不同方向上延伸之條狀的複數個凸部（凹部）。在這種情況下，所有的凸部（凹部）連接起來以在基材表面設置格子狀的連續部，凹部（凸部）將獨立存在於連續部之間。重要的是，基材表面設置有凸部（凹部），相鄰凸部（凹部）之間的間隔調整為100 μm以上2000 μm以下，以凸部咬入被覆層或者被覆層咬入凹部的方式將被覆層設置在基材的表面。
以上，詳細地說明了本發明的具體例子，但這些僅為示例，並不限定專利請求的範圍。專利請求範圍所載的技術包括上述示例的實施例的各種變形和變更。此外，本說明書或圖式中記載的技術要素單獨地或以各種組合的方式發揮出技術上的實用性，並不限於申請時請求項所記載的組合。此外，本說明書或圖式所示例的技術可以同時達成複數個目的，達成其中一種目的本身具有技術上的實用性。
2,2a,32,32a,52,52a,62,62a:基材 2S,32S,52S,62S:表面 3,5:位置 4,4a,4b:凸部 4L,40L:間隔 4W,40W:寬度 8:被覆層 10,10a,10b,10c,10d:陶瓷材 12:裂縫 40,40a,40b:凹部 42:連續部 T2,T2a,T4,T8:厚度 T40:深度 X,Y,Z:方向
［圖1］係顯示第一實施例的陶瓷材之剖面圖。 ［圖2］係顯示第二實施例的陶瓷材之剖面圖。 ［圖3］係顯示第一及第二實施例的陶瓷材的基材表面之放大圖。 ［圖4］係顯示第三實施例的陶瓷材的基材表面之放大圖。 ［圖5］係顯示第四實施例的陶瓷材的基材表面之放大圖。 ［圖6］係顯示第五實施例的陶瓷材的基材表面之放大圖。
2:基材
2S:表面
4:凸部
8:被覆層
10:陶瓷材
12:裂縫
T2,T4,T8:厚度
X,Y,Z:方向

Claims (13)

  1. 一種陶瓷材，具有陶瓷製的基材和設置在該基材的表面之陶瓷製的被覆層，其中：該基材的表面設置有向該被覆層突出的複數個凸部；相鄰凸部之間的間隔為100μm以上2000μm以下，該凸部的寬度為10μm以上200μm以下，該被覆層具有沿著厚度方向延伸的複數個裂縫，該裂縫自被覆層的裏面向表面延伸至厚度方向的中間部分。
  2. 如請求項1之陶瓷材，其中該基材與該凸部的熱膨脹率差為10%以下。
  3. 如請求項1之陶瓷材，其中該基材和該凸部為相同的材料。
  4. 如請求項1之陶瓷材，其中該凸部的突出高度為1μm以上200μm以下。
  5. 如請求項1之陶瓷材，其中該凸部的突出高度為10μm以上200μm以下。
  6. 一種陶瓷材，具有陶瓷製的基材和設置在該基材的表面上之陶瓷製的被覆層，其中：該基材表面設置有複數個凹部；相鄰凹部之間的間隔為100μm以上2000μm以下，該被覆層具有沿著厚度方向延伸的複數個裂縫，該裂縫自被覆層的裏面向表面延伸至厚度方向的中間部分。
  7. 如請求項6之陶瓷材，其中該基材的表面設置有格子狀的連續部，其係由沿著第一方向延伸的複數個第一凸部和沿著與第一方向相交的第二方向延伸的複數個第二凸部所形成； 該複數個些凹部是由該連續部所劃分的凹部。
  8. 如請求項7之陶瓷材，其中該基材與該連續部的熱膨脹率差為10%以下。
  9. 如請求項7之陶瓷材，該基材和該連續部為相同的材料。
  10. 如請求項1到9中任一項之陶瓷材，其中：相鄰裂縫之間的間隔為10μm以上2000μm以下。
  11. 如請求項1到9中任一項之陶瓷材，其中該基材為SiC質。
  12. 如請求項1到9中任一項之陶瓷材，其中該被覆層是由Al、Si、Zr、Y或Mg的氧化物之單體或混合物所構成。
  13. 一種燒成器，其係由請求項1到12中任一項之陶瓷材所構成。
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