TWI783009B - 用於監測真空腔室的清潔度的清潔度監測器及方法 - Google Patents
用於監測真空腔室的清潔度的清潔度監測器及方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI783009B TWI783009B TW107124779A TW107124779A TWI783009B TW I783009 B TWI783009 B TW I783009B TW 107124779 A TW107124779 A TW 107124779A TW 107124779 A TW107124779 A TW 107124779A TW I783009 B TWI783009 B TW I783009B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- release
- vacuum chamber
- cleanliness
- molecular
- organic molecules
- Prior art date
Links
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 title claims abstract description 78
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 claims abstract description 105
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 claims abstract description 105
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 22
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000012913 prioritisation Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/04—Arrangements for introducing or extracting samples to be analysed, e.g. vacuum locks; Arrangements for external adjustment of electron- or ion-optical components
- H01J49/0468—Arrangements for introducing or extracting samples to be analysed, e.g. vacuum locks; Arrangements for external adjustment of electron- or ion-optical components with means for heating or cooling the sample
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N30/00—Investigating or analysing materials by separation into components using adsorption, absorption or similar phenomena or using ion-exchange, e.g. chromatography or field flow fractionation
- G01N30/02—Column chromatography
- G01N30/62—Detectors specially adapted therefor
- G01N30/72—Mass spectrometers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3288—Maintenance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/3299—Feedback systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/0027—Methods for using particle spectrometers
- H01J49/0031—Step by step routines describing the use of the apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/26—Mass spectrometers or separator tubes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Devices For Use In Laboratory Experiments (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
一種用於監測真空腔室的清潔度的清潔度監測器。該清潔度監測器可包括質譜儀、分子聚集及釋放單元及分析器。該分子聚集及釋放單元被配置為(a)在聚集時期期間聚集存在於該真空腔室中的有機分子及(b)在釋放時期期間朝向該質譜儀誘發該等有機分子的子集的釋放。該質譜儀被配置為：監測該真空腔室內的環境，及產生指示該環境的內容物的偵測訊號；其中該等偵測訊號的第一子集指示該等有機分子的該子集的存在。該分析器被配置為基於該等偵測訊號來決定該真空腔室的該清潔度。
Description
此揭示案關於用於監測真空腔室的清潔度的清潔度監測器及方法。
此案主張於2017年7月18日所提出的第15/653,299號的美國專利申請案的優先權，其整體實質內容以引用方式併入本文中。
分子污染是半導體製造業中的基本問題，具體而言是在包括真空腔室的工具（例如電子掃描顯微鏡）中的基本問題。
有機分子可能起源於真空腔室裡面的有機物成分，以及起源於先前安插到真空腔室中的晶圓。
這些有機分子吸附在受檢驗晶圓的表面上，而形成覆蓋表面的小部份的島狀物。
這些島狀物可能造成晶圓故障。
清潔度位準由於維護活動及受檢驗晶圓的釋氣位準而隨時間變化。
存在著提供用於監測真空腔室的清潔度的設備及方法的增長的需要。
可提供一種用於監測一真空腔室的一清潔度的清潔度監測器，該清潔度監測器可包括：一質譜儀；一分子聚集及釋放單元，被配置為(a)在一聚集時期期間聚集可能存在於該真空腔室中的有機分子及(b)在一釋放時期期間朝向該質譜儀誘發該等有機分子的一子集的一釋放；其中該質譜儀可被配置為監測該真空腔室內的一環境及產生可指示該環境的一內容物的偵測訊號；其中該等偵測訊號的一第一子集可指示該等有機分子的該子集的一存在；及一分析器，可被配置為基於該等偵測訊號來決定該真空腔室的該清潔度。
該分子聚集及釋放單元可包括一加熱構件，該加熱構件可熱耦接到該分子聚集器及釋放器的一分子聚集器。
該分子聚集及釋放單元可包括一分子釋放器，該分子釋放器可電耦接到該分子聚集器及釋放器的一分子聚集器；且其中該分子釋放器可被配置為將一電流驅動通過該分子聚集器，藉此加熱該分子聚集器。
該分子聚集及釋放單元可包括一螺狀導電體。
該分子聚集及釋放單元可包括一螺狀電絕緣體。
該分子聚集及釋放單元可包括一不平滑平板。
該清潔度監測器可包括一流量控制單元，該流量控制單元用於在該釋放時期期間影響該等聚集分子的一傳播。
該流量控制單元可包括一泵，該泵用於朝向該質譜儀引導該等聚集分子。
該分子聚集及釋放單元可被配置為施用一給定釋放進程，該給定釋放進程用於朝向該質譜儀誘發該等有機分子的該子集的該釋放；及其中該清潔度監測器可更包括一虛設分子聚集及釋放單元，該虛設分子聚集及釋放單元相較於該分子聚集及釋放單元而言對於該等有機分子具有一較低程度的暴露且可被配置為施用該給定釋放進程。
該清潔度監測器可包括一額外質譜儀，該額外質譜儀可被配置為監測該真空腔室內包括該虛設分子聚集器及釋放器的一空間。
該等偵測訊號的一第二子集可不指示該等有機分子中的某些部分的一存在。該分析器可被配置為基於該等偵測訊號的該第一子集及該第二子集之間的一比較來決定該真空腔室的該清潔度。
該等偵測訊號的該第二子集可以是在該釋放時期之前或在該釋放時期之後的一預定時期之後獲得的。
該聚集時期可較該釋放時期為長。
可提供一種用於監測一真空腔室的一清潔度的方法，該方法可包括以下步驟：在一聚集時期期間且由可定位在該真空腔室內的一分子聚集及釋放單元，聚集可能存在於該真空腔室中的有機分子；在一釋放時期期間，由該分子聚集器及釋放器朝向一質譜儀誘發該等有機分子的一子集的一釋放；由該質譜儀監測該真空腔室內的一環境，及由該質譜儀產生指示該環境的一內容物的偵測訊號；其中該等偵測訊號的一第一子集可指示該等有機分子的該子集的一存在；及由一分析器及基於該等偵測訊號，決定該真空腔室的該清潔度。
該分子聚集及釋放單元可包括一加熱構件，該加熱構件可熱耦接到該分子聚集器及釋放器的一分子聚集器。
該分子聚集及釋放單元可包括一分子釋放器，該分子釋放器可電耦接到該分子聚集器及釋放器的一分子聚集器；且其中該方法可包括以下步驟：由該分子釋放器將一電流驅動通過該分子聚集器，藉此加熱該分子聚集器。
該分子聚集及釋放單元可包括一螺狀導電體。
該分子聚集及釋放單元可包括一螺狀電絕緣體。
該分子聚集及釋放單元可包括一不平滑平板。
該清潔度監測器可包括一流量控制單元，且該方法可包括以下步驟：由該流量控制單元在該釋放時期期間影響該等聚集分子的一傳播。
該流量控制單元可包括一泵，且該方法可包括以下步驟：由該泵朝向該質譜儀引導該等聚集分子。
該方法可包括以下步驟：由該分子聚集及釋放單元施用一給定釋放進程，該給定釋放進程用於朝向該質譜儀誘發該等有機分子的該子集的該釋放；及由一虛設分子聚集及釋放單元施用該給定釋放進程，該虛設分子聚集及釋放單元相較於該分子聚集及釋放單元而言對於該等有機分子具有一較低程度的暴露。
該清潔度監測器可包括一額外質譜儀，且該方法可包括以下步驟：由該額外質譜儀監測該真空腔室內包括該虛設分子聚集器及釋放器的一空間。
該等偵測訊號的一第二子集可不指示該等有機分子中的某些部分的一存在。該方法可包括以下步驟：由該分析器基於該等偵測訊號的該第一子集及該第二子集之間的一比較來決定該真空腔室的該清潔度。
該等偵測訊號的該第二子集可以是在該釋放時期之前或在該釋放時期之後的一預定時期之後獲得的。
該聚集時期可較該釋放時期為長。
在以下的詳細說明中，闡述了許多具體細節以提供本發明的完整瞭解。然而，將由本領域中的技術人員所瞭解到，可在沒有這些具體細節的情況下實行本發明。在其他實例中，未詳細描述習知的方法、程序及元件以便不模糊本發明。
在本說明書的總結部分具體指出及明確主張了被視為本發明的標的。然而，本發明就組織及操作方法兩者以及其目標、特徵及優點而論，可藉由在與附圖一同閱讀時參照以下詳細說明來最佳地瞭解。
將理解到，為了容易及明確說明起見，圖式中所示的構件不一定是依比例繪製的。例如，可能為了明確起見而相對於其他構件誇大了某些構件的尺度。進一步地，在適當的情況下，可在圖式之中重複使用參考標號來指示相對應或相似的構件。
因為所繪示的本發明實施例在大多數情況下可使用本領域中的技術人員已知的電子元件及電路來實施，為了瞭解及理解本發明的基礎概念及為了不模糊本發明的教示或從本發明的教示分散注意力，將不相較於如上文所說明的被視為必要的內容更大程度地解釋細節。
本說明書中對於一個方法的任何參照在細節上做必要的修正後應亦適用於能夠執行該方法的系統。
本說明書中對於一個系統的任何參照在細節上做必要的修正後應亦適用於可由該系統執行的方法。
對於用語「包括」或「具有」的任何參照亦應被解讀為參照「由...組成」或「實質上由...組成」。例如，包括某些步驟的方法可包括額外的步驟、可限於某些步驟或可包括分別實質上不影響該方法的基本及新穎特性的的額外步驟。
可提供一種用於監測真空腔室的清潔度的清潔度監測器。真空腔室的清潔度是真空腔室內的有機分子的濃度的函數。真空腔室可能屬於檢驗工具、度量衡工具、覆查工具、製造工具等等。
圖1繪示依據本發明的一個實施例的真空腔室10及清潔度監測器20。
清潔度監測器20包括質譜儀21、分析器22以及分子聚集及釋放單元23。
分子聚集及釋放單元23可定位在真空腔室10內。質譜儀21及分析器22可定位在真空腔室10外面。
真空腔室10可包括孔11以允許將質譜儀21暴露於真空腔室內的環境。
分子聚集及釋放單元23被配置為(a)在聚集時期期間聚集存在於真空腔室10中的有機分子及(b)在釋放時期期間朝向質譜儀誘發有機分子的子集的釋放。
有機分子的聚集是藉由將分子聚集及釋放單元23定位在真空腔室10內來達成的。
即使在分子聚集及釋放單元23不能夠控制所釋放的有機分子的傳播路徑時，所釋放的有機分子中的某些部分亦將到達質譜儀21，尤其是在聚集構件24夠靠近質譜儀時。可被視為是夠靠近的距離的範圍可能例如在1公分及50公分之間。被視為是夠靠近的距離可超過50公分。被視為是夠靠近的距離可能取決於質譜儀21的靈敏度。
分子聚集及釋放單元23可包括聚集構件24及釋放誘發單元25。
聚集構件24聚集有機分子，而釋放誘發單元25可誘發有機分子與聚集構件分離。
聚集構件24可與釋放誘發單元25隔開、可連接到釋放誘發單元25、可熱耦接到釋放誘發單元25、可與釋放誘發單元25熱隔離、可電耦接到釋放誘發單元25及/或可與釋放誘發單元25電隔離。
釋放誘發單元25可藉由加熱聚集構件24及/或藉由將輻射引導到聚集構件24上來誘發有機分子的釋放。
釋放誘發單元25可用雷射射束掃描聚集構件24，該雷射射束將誘發有機分子從聚集構件24釋放。
釋放誘發單元25可為將朝向聚集構件24發送熱射線（或任何種類的熱輻射）的加熱構件。
釋放誘發單元25可通過聚集構件24發送電訊號，藉此造成聚集構件24的焦耳加熱（亦稱為歐姆加熱（Ohmic heating）或電阻加熱）。
聚集構件24可具有任何形狀及尺寸。例如，聚集構件24可為平板、可包括一或更多個平板、可為彎曲的等等。
聚集構件24可在減少聚集構件24的整體體積的同時具有大的表面積以增加有機分子聚集的機會。聚集構件24可具有大的表面積的非限制性示例可包括螺狀物、多環路、二或三維網狀物等等。
聚集構件24可在可能相對長的聚集時期期間聚集有機分子。例如，聚集時期可持續一或更多種小時、五或更多個小時、十或更多個小時、一或更多天等等。
聚集時期可較釋放時期更長。例如，聚集時期可較釋放時期長N倍。N是範圍可在2及500之間的正數，或可具有任何值。
較高的N值（較高的聚集時期對釋放時期比率）將造成有機分子的濃度上的較高時間性增量，因為在（較長的）聚集時期期間聚集的有機分子在更短的時間段內從聚集構件24釋放。
有機分子的濃度上的此時間性增量可使得有機分子的偵測變容易，且可實質上將質譜儀對有機分子的靈敏度增加N倍或增加可能決取於N 的值的倍數。
藉由允許有機分子聚集在聚集構件24上相對長的聚集時期，有較佳的機會聚集大量的有機分子。
可基於測量到的及/或估算的及/或測量到的有機分子附著時期來決定聚集時期的持續時間。例如，可基於有機分子的平均附著時期來設定聚集時期的持續時間。
質譜儀21可為殘餘氣體分析器（RGA）或任何其他質譜儀。
質譜儀21被配置為監測真空腔室10內的環境及產生指示環境的內容物的偵測訊號29。質譜儀21可取樣穿過孔11的環境內容物。可在一或更多個時間點期間藉由屏障（未示出）屏蔽孔11。
在釋放時期期間，預期質譜儀21感測有機分子28中從分子聚集及釋放單元23釋放的某些有機分子。
在質譜測定進程期間，有機分子通常分解成具有較低原子序數的分子，使得並非所有的有機分子皆可藉由它們的原子量來被直接偵測。
藉由在釋放時期期間或在與釋放時期不同的時間段內所獲得的質譜之間進行比較，分析器22可偵測有機分子的存在，且因此決定真空腔室10的清潔度。
例如，假設具有200的原子量的有機分子分解成具有57的原子量的分子，則在釋放時期期間所獲得的質譜可包括具有57的原子量的偵測到的分子的數量上的增量（與在釋放時期之外所獲得的質譜相比）。
因為質譜儀暴露於各種分子及感測各種分子（包括從分子聚集及釋放單元23釋放的有機分子），比較的行為可揭示由釋放時期所造成的質譜上的該改變。
圖2繪示依據本發明的一個實施例的真空腔室10及清潔度監測器20。
在圖2中，分子聚集及釋放單元包括與充當聚集構件的平板32隔開的加熱構件31。
平板32相對於水平線以45度定向，但可用任何其他的角度定向該平板。
圖3繪示依據本發明的一個實施例的真空腔室10及清潔度監測器20。
在圖3中，分子聚集及釋放單元包括輻射源，例如與充當聚集構件的網狀物36隔開的雷射源35。雷射源35藉由一或更多個雷射射束（例如射束39）在釋放時期期間掃描網狀物36。
圖4繪示依據本發明的一個實施例的真空腔室10及清潔度監測器20。
在圖4中，分子聚集及釋放單元是螺狀導體37，該螺狀導體耦接到電訊號產生器38，該電訊號產生器被配置為向該螺狀導體提供電訊號，藉此加熱該螺狀導體及從螺狀導體37釋放有機分子。電訊號產生器可定位在真空腔室10（如圖4中所繪示）內或定位在真空腔室10外面。
圖5繪示依據本發明的一個實施例的真空腔室10及清潔度監測器20。
清潔度監測器20可包括用於影響聚集分子在釋放時期期間的傳播的流量控制單元40。尤其，流量控制單元40可誘發釋放的有機分子朝向孔11流動，藉此增加可被質譜儀21偵測到的有機分子量。
流量控制單元40可包括可朝向質譜儀21泵送有機分子的泵。
泵的泵送操作可能減少第二空間16內的清潔度或從任何其他態樣來看可能是有問題的。為了克服此問題，可將真空腔室10配有用於暫時將分子聚集及釋放單元23與真空腔室的其他部件分離的分離單元12。
分離單元12可為可移動及/或裝有馬達的密封件、開閉器、門或能夠暫時相對於真空腔室10內的第二空間16密封第一空間15的任何其他元件，分子聚集及釋放單元23（或至少聚集構件）定位在該第一空間內。晶圓或另一受檢驗的物體可位在第二空間16內。應注意，可將任何物體定位在真空腔室中。晶圓及受檢驗的物體僅為可定位在真空腔室中的物體的非限制示例。物體在被定位在真空腔室中時可被製造及/或被檢驗及/或被覆查及/或被測量或經歷任何其他進程。物體的非限制性示例（除了晶圓以外）包括顯示基板、扁平面板、MEMS設備、太陽能板基板等等。顯示基板及太陽能板基板一般是由透明基板製作的，例如由玻璃或透明塑膠製作。
可在釋放時期期間施用分離行為。
圖6繪示依據本發明的一個實施例的真空腔室10及清潔度監測器20。
可藉由使用虛設分子聚集及釋放單元45來偵測及/或強化由質譜測定法所感測到的環境內容物上的改變，與分子聚集及釋放單元23相比，該虛設分子聚集及釋放單元較不暴露於（或甚至根本不暴露於）有機分子。
在圖6中，虛設分子聚集及釋放單元45被保護罩46圍繞，該保護罩防止有機分子接觸虛設分子聚集及釋放單元45。保護罩可圍繞虛設分子聚集及釋放單元45的虛設聚集構件而不圍繞整個虛設分子聚集及釋放單元45。
虛設分子聚集及釋放單元45及分子聚集及釋放單元23可施用相同的釋放進程（加熱、輻射），但由於虛設分子聚集及釋放單元45較低度地暴露於有機分子，質譜儀的讀數可能彼此不同。
圖6繪示，虛設分子聚集及釋放單元45的環境受到另一質譜儀50的監測，該另一質譜儀可通過真空腔室10的孔17感測虛設分子聚集及釋放單元45的環境。另一質譜儀50可向分析器22或向另一分析器發送虛設偵測訊號。
圖7繪示依據本發明的一個實施例的真空腔室10、晶圓60、分子聚集及釋放單元23及掃瞄電子顯微鏡的柱狀物70的進入真空腔室10的一部分72。
圖8繪示依據本發明的一個實施例的方法80。
方法80可開始於步驟81及82。
步驟81可包括：由質譜儀監測真空腔室內的環境，及由質譜儀產生指示環境的內容物的偵測訊號。
步驟82可包括：在聚集時期期間及由定位在真空腔室內的分子聚集及釋放單元，聚集存在於真空腔室中的有機分子。
步驟82之後可為步驟83，步驟83為：由分子聚集器及釋放器在釋放時期期間朝向質譜儀誘發有機分子的子集的釋放。
可與步驟82及83的執行並行地執行步驟81，或僅與步驟83的執行並行地執行步驟81。
偵測訊號的第一子集(在釋放時期期間獲得)指示有機分子的子集的存在。
步驟81及83之後是步驟84，步驟84為：由分析器及基於偵測訊號，決定真空腔室的清潔度。
步驟84可包括：將在聚集時期期間所獲得的偵測訊號與在釋放時期期間所獲得的偵測訊號進行比較。比較步驟可包括：比較表示具有相同原子量的成分的質譜元素。
比較步驟可包括：僅比較具有某些原子量(例如有機分子的原子量或由於有機分子在質譜測定進程期間分解而產生的分子的原子量)的質譜成分。
注意，可重複進行方法80多次、以週期性的方式或非週期性的方式重複進行方法80。
圖9是依據本發明的各種實施例的時序圖90，該時序圖繪示多個聚集時期及多個釋放時期。
時序圖90繪示聚集時期91及釋放時期92的多次重複。
圖10、11及12分別繪示針對輕質量(0及50之間的原子質量單位(AMU))、中等質量(50及150AMU之間的AMU)及高質量(150及300之間的AMU)的分壓力與原子質量單位之間的關係。
在圖10中，曲線102繪示聚集時期期間的腔室環境的分壓力與AMU之間的關係。曲線101繪示釋放時期期間的腔室環境的分壓力與AMU之間的關係。曲線101表示除氣作用。曲線101的尖峰遠超過曲線102的尖峰。
在圖11中，曲線112繪示聚集時期期間的腔室環境的分壓力與AMU之間的關係。曲線111繪示釋放時期期間的腔室環境的分壓力與AMU之間的關係。曲線111表示除氣作用。曲線111的尖峰遠超過曲線112的尖峰。
在圖12中，曲線122繪示聚集時期期間的腔室環境的分壓力與AMU之間的關係。曲線121繪示釋放時期期間的腔室環境的分壓力與AMU之間的關係。曲線121表示除氣作用。曲線121的尖峰遠超過曲線122的尖峰。
分子聚集及釋放單元23可定位在真空腔室內、可部分定位在真空腔室內或可定位在真空腔室外面。
圖13繪示定位在真空腔室外面的分子聚集及釋放單元23。
孔11允許分子聚集及釋放單元23暴露於真空腔室內的環境。
額外的孔11’允許質譜儀21尤其接收被分子聚集及釋放單元23聚集及接著釋放的分子。
圖13的分子聚集及釋放單元23可包括上述聚集構件中的任一者及/或上述釋放誘發單元中的任一者。
圖13的分子聚集及釋放單元23可定位在分離單元內。
圖14繪示分子聚集及釋放單元23，該分子聚集及釋放單元包括平板32且定位在真空腔室外面。
如上文所指示的，釋放誘發單元可藉由加熱聚集構件誘發有機分子的釋放。
可在聚集構件被加熱之後由冷卻單元冷卻聚集構件。
冷卻行為可協助允許聚集單元儘快恢復到聚集狀態。冷卻行為可防止或減少聚集單元的各種元件的加熱在真空腔室內的各種元件上的負面影響等等。
可在釋放時期之後、在釋放時期結束之前起動冷卻行為，且可在聚集時期開始之前結束或在聚集時期開始之後結束冷卻行為。
冷卻單元可接觸聚集單元、可熱耦接到聚集單元、可與聚集單元整合在一起等等。
例如，冷卻單元可包括可接觸聚集單元的平板、管道、或一或更多個導管的佈置，可將冷卻單元與聚集單元整合在一起或以其他方式熱耦接到聚集單元。
冷卻單元可施用基於流體的冷卻行為及/或基於氣體的冷卻行為。
圖15繪示接觸平板32的冷卻單元333。
冷卻單元333可接觸整個平板或僅接觸平板的一或更多個部分。
在上述說明書中，已參照本發明的實施例的具體示例來描述本發明。然而，將理解到，可在其中作出各種更改及改變而不脫離如隨附請求項中所闡述的本發明的較廣精神及範圍。
並且，說明書中及請求項中的用語「前」、「後」、「頂」、「低」、「上方」、「下方」等等（若有的話）是用於說明用途的且不一定用於描述永久性的相對位置。瞭解到，在適當的情況下，如此使用的用語是可互換的，使得本文中所述的本發明實施例例如相較於本文中所說明或以其他方式描述的彼等定向而言能夠以其他定向操作。
用來達成相同功能性的任何元件佈置是被有效地「關聯」的，使得達成所需的功能性。因此，本文中被結合以達成特定功能性的任兩個元件可被看作彼此「關聯」，使得達成所需的功能性，無論架構或中間的元件。同樣地，如此關聯的任兩個元件亦可被視為是彼此「可操作地連接」或「可操作地耦接」以達成所需的功能性。
並且，本領域中的技術人員將認識到，上述操作之間的邊界僅是說明性的。可將多個操作結合成單個操作，可將單個操作分佈在額外的操作中，且可在時間上至少部分重疊地執行多個操作。並且，替代性實施例可包括特定操作的多個實例，且可在各種其他實施例中變更操作順序。
然而，其他的更改、變化及替代方案亦是可能的。因此，要以說明性而非限制性的意義來看待本說明書及繪圖。
在請求項中，安置在括號之間的任何參考符號不應被視為限制了請求項。用詞「包括」並不排除請求項中所列舉的彼等構件或步驟以外的構件或步驟的存在。並且，如本文中所使用的用語「一個（「a」或「an」）」被界定為一個或多於一個。並且，請求項中例如為「至少一個」及「一或更多個」的介紹短語的使用不應被視為暗示，由不定冠詞「一個（「a」或「an」）」介紹另一請求項元素將包含此類被介紹的請求項元素的任何特定請求項限於僅包含一個此類元素的發明，即使在相同的請求項包括了介紹短語「一或更多個」或「至少一個」及不定冠詞（例如「一個（「a」或「an」）」）時亦是如此。定冠詞的使用亦是如此。除另有說明外，可使用例如為「第一」及「第二」的用語來任意地在由此類用語來描述的元素之間進行區隔。因此，這些用語不一定是要指示此類元素的時間性優先順序或其他優先順序。在互相不同的請求項中記載某些措施的這一事實並不指示不能有利地使用這些措施的組合。
雖然在本文中已說明及描述了本發明的某些特徵，但本領域中的技術人員現將領悟許多更改、替代、改變及等效物。因此，要瞭解到，當此類更改及改變落在本發明的真正精神內時，隨附的請求項要涵蓋所有此類更改及改變。
10‧‧‧真空腔室11‧‧‧孔11'‧‧‧額外的孔12‧‧‧分離單元15‧‧‧第一空間16‧‧‧第二空間17‧‧‧孔20‧‧‧清潔度監測器21‧‧‧質譜儀22‧‧‧分析器23‧‧‧分子聚集及釋放單元24‧‧‧聚集構件25‧‧‧釋放誘發單元28‧‧‧有機分子29‧‧‧偵測訊號31‧‧‧加熱構件32‧‧‧平板35‧‧‧雷射源36‧‧‧網狀物37‧‧‧螺狀導體38‧‧‧電訊號產生器39‧‧‧射束40‧‧‧流量控制單元45‧‧‧虛設分子聚集及釋放單元46‧‧‧保護罩50‧‧‧另一質譜儀60‧‧‧晶圓70‧‧‧柱狀物72‧‧‧掃瞄電子顯微鏡的柱狀物進入真空腔室的一部分80‧‧‧方法81‧‧‧步驟82‧‧‧步驟83‧‧‧步驟84‧‧‧步驟90‧‧‧時序圖91‧‧‧聚集時期92‧‧‧釋放時期101‧‧‧曲線102‧‧‧曲線111‧‧‧曲線112‧‧‧曲線121‧‧‧曲線122‧‧‧曲線333‧‧‧冷卻單元
在本說明書的總結部分具體指出及明確主張了被視為本發明的標的。然而，本發明就組織及操作方法兩者以及其目標、特徵及優點而論，可藉由在與附圖一同閱讀時參照以下詳細說明來最佳地瞭解，在該等附圖中：
圖1是真空腔室及清潔度監測器的示例；
圖2是真空腔室及清潔度監測器的示例；
圖3是真空腔室及清潔度監測器的示例；
圖4是真空腔室及清潔度監測器的示例；
圖5是真空腔室及清潔度監測器的示例；
圖6是真空腔室及清潔度監測器的示例；
圖7是真空腔室、晶圓60、分子聚集及釋放單元、及電子掃描顯微鏡的柱狀物的進入真空腔室的一部分的示例；
圖8是方法示例；
圖9是時序圖的示例；
圖10繪示針對輕質量的分壓力與原子質量單位之間的關係的示例；
圖11繪示針對中等質量的分壓力與原子質量單位之間的關係的示例；
圖12繪示針對高質量的分壓力與原子質量單位之間的關係的示例；
圖13是真空腔室及清潔度監測器的示例；
圖14是真空腔室及清潔度監測器的示例；及
圖15是真空腔室及清潔度監測器的示例。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
10‧‧‧真空腔室
11‧‧‧孔
20‧‧‧清潔度監測器
21‧‧‧質譜儀
22‧‧‧分析器
23‧‧‧分子聚集及釋放單元
24‧‧‧聚集構件
25‧‧‧釋放誘發單元
28‧‧‧有機分子
29‧‧‧偵測訊號
Claims (23)
- 一種用於監測一真空腔室的一清潔度的清潔度監測器，該清潔度監測器包括：一質譜儀，該質譜儀具有到該真空腔室的視線；一分子聚集及釋放單元，該分子聚集及釋放單元被配置為定位在該真空腔室內且被配置以(a)在一聚集時期期間聚集存在於該真空腔室中的有機分子，及(b)在一釋放時期期間朝向該質譜儀誘發該等有機分子的一子集的一釋放；其中該質譜儀被配置為監測該真空腔室內的一環境及產生指示出該環境的一內容物的偵測訊號，其中該等偵測訊號的一第一子集指示出有機分子的存在；及一分析器，被配置為基於該等偵測訊號來決定該真空腔室的該清潔度。
- 如請求項1所述的清潔度監測器，其中該分子聚集及釋放單元包括一加熱構件，該加熱構件熱耦接到該分子聚集及釋放單元的一分子聚集器。
- 如請求項1所述的清潔度監測器，其中該分子聚集及釋放單元包括一分子釋放器，該分子釋放器電耦接到該分子聚集及釋放單元的一分子聚集器；且其中該分子釋放器被配置為將一電流驅動通過該分子聚集器，藉此加熱該分子聚集器。
- 如請求項1所述的清潔度監測器，其中該分子聚集及釋放單元包括一螺狀導電體。
- 如請求項1所述的清潔度監測器，其中該分子聚集及釋放單元包括一螺狀電絕緣體。
- 如請求項1所述的清潔度監測器，其中該分子聚集及釋放單元包括一不平滑的平板。
- 如請求項1所述的清潔度監測器，包括一流量控制單元，該流量控制單元用於在該釋放時期期間影響該等聚集有機分子的一傳播。
- 如請求項7所述的清潔度監測器，其中該流量控制單元包括一泵，該泵用於朝向該質譜儀引導該等聚集有機分子。
- 如請求項1所述的清潔度監測器，其中該分子聚集及釋放單元被配置為施用一給定釋放進程，該給定釋放進程用於朝向該質譜儀誘發該等有機分子的該子集的該釋放；及其中該清潔度監測器更包括一虛設分子聚集及釋放單元，該虛設分子聚集及釋放單元相較於該分子聚集及釋放單元而言對於該等有機分子具有一較低程度的暴露且被配置為施用該給定釋放進程。
- 如請求項9所述的清潔度監測器，包括一額外質譜儀，該額外質譜儀被配置為監測該真空腔室 內包括該虛設分子聚集及釋放單元的一空間。
- 如請求項1所述的清潔度監測器，其中該等偵測訊號的一第二子集不指示該等有機分子中的某些部分的一存在；及其中分析器被配置為基於該等偵測訊號的該第一子集及該第二子集之間的一比較來決定該真空腔室的該清潔度。
- 如請求項11所述的清潔度監測器，其中該等偵測訊號的該第二子集是在該釋放時期之前或在該釋放時期之後的一預定時期之後獲得的。
- 如請求項1所述的清潔度監測器，其中該聚集時期較該釋放時期為長。
- 一種用於監測一真空腔室的一清潔度的方法，該方法包括以下步驟：在一聚集時期期間，由經現場定位在該真空腔室內的一分子聚集及釋放單元聚集存在於該真空腔室中的有機分子；在一釋放時期期間，由該分子聚集及釋放單元朝向一質譜儀誘發該等有機分子的一子集的一釋放，該質譜儀具有到該真空腔室的視線；監測該真空腔室內的一環境，及產生指示該環境的一內容物的偵測訊號，其中該等偵測訊號的一第一子集指示該等有機分子的該子集的一存在；及 基於該等偵測訊號來決定該真空腔室的該清潔度。
- 如請求項14所述的方法，其中監測及產生偵測訊號的該步驟是藉由該質譜儀來完成的，且其中該決定步驟是藉由一分析器來完成的。
- 如請求項14所述的方法，進一步包含藉由一虛設分子聚集及釋放單元來產生虛設偵測訊號，該虛設分子聚集及釋放單元相較於經定位在該真空腔室內的該分子聚集及釋放單元而言對於該等有機分子具有較低程度的暴露；及其中該決定步驟乃基於該等偵測訊號及該等虛設偵測訊號來決定該真空腔室的該清潔度。
- 一種用於監測一真空腔室的一清潔度的清潔度監測器，該清潔度監測器包括：一第一質譜儀，該第一質譜儀被配置為監測該真空腔室內的一環境及產生指示出該環境的一內容物的第一偵測訊號，其中該等第一偵測訊號的一子集指示出有機分子的存在；一第一分子聚集及釋放單元，該第一分子聚集及釋放單元被配置為在一聚集時期期間聚集存在於該真空腔室中的有機分子，並藉由施用一第一釋放進程在一釋放時期期間朝向該第一質譜儀誘發該等有機分子的一子集的釋放； 一第二質譜儀，該第二質譜儀被配置以產生第二偵測訊號，其中該等第二偵測訊號的一子集指示出有機分子的存在；一第二分子聚集及釋放單元，該第二分子聚集及釋放單元相較於該第一分子聚集及釋放單元而言對於存在該真空腔室中的該等有機分子具有較低程度的暴露，且該第二分子聚集及釋放單元經配置為藉由施用一第二釋放進程朝向該第二質譜儀釋放分子，該第二釋放進程與該第一釋放進程相同；及一分析器，該分析器被配置為基於該等第一偵測訊號及該等第二偵測訊號來決定該真空腔室的該清潔度。
- 如請求項17所述的清潔度監測器，進一步包含一保護罩，該保護罩經配置以減少該第二分子聚集及釋放單元對存在於該真空腔室中的有機分子的暴露程度。
- 如請求項18所述的清潔度監測器，其中該保護罩圍繞該第二分子聚集及釋放單元的一聚集構件。
- 如請求項17所述的清潔度監測器，其中該第二分子聚集及釋放單元沒有暴露至該真空腔室內的有機分子。
- 如請求項17所述的清潔度監測器，其中該第一質譜儀藉由該真空腔室的一第一孔耦接至該第一分子聚集及釋放單元，及該第二質譜儀藉由該真空腔室的一第二孔耦接至該第二分子聚集及釋放單元，該第二孔不同於該第一孔。
- 如請求項17所述的清潔度監測器，其中該第一分子聚集及釋放單元是經配置以被定位在該真空腔室內的現場的單元。
- 如請求項17所述的清潔度監測器，其中該第一分子聚集及釋放單元包括一加熱構件，該加熱構件熱耦接到該第一分子聚集及釋放單元的一分子聚集器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US15/653,299 | 2017-07-18 | ||
| US15/653,299 US10217621B2 (en) | 2017-07-18 | 2017-07-18 | Cleanliness monitor and a method for monitoring a cleanliness of a vacuum chamber |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201919090A TW201919090A (zh) | 2019-05-16 |
| TWI783009B true TWI783009B (zh) | 2022-11-11 |
Family
ID=65015856
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107124779A TWI783009B (zh) | 2017-07-18 | 2018-07-18 | 用於監測真空腔室的清潔度的清潔度監測器及方法 |
| TW111139418A TW202307915A (zh) | 2017-07-18 | 2018-07-18 | 用於監測真空腔室的清潔度的清潔度監測器及方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111139418A TW202307915A (zh) | 2017-07-18 | 2018-07-18 | 用於監測真空腔室的清潔度的清潔度監測器及方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10217621B2 (zh) |
| JP (1) | JP7218345B2 (zh) |
| KR (2) | KR102626189B1 (zh) |
| CN (2) | CN116930384B (zh) |
| TW (2) | TWI783009B (zh) |
| WO (1) | WO2019018240A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10910204B2 (en) * | 2017-07-18 | 2021-02-02 | Applied Materials Israel Ltd. | Cleanliness monitor and a method for monitoring a cleanliness of a vacuum chamber |
| US11049704B1 (en) * | 2020-05-20 | 2021-06-29 | Applied Materials Israel Ltd. | Cleanliness monitor and a method for monitoring a cleanliness of a vacuum chamber |
| US11199401B1 (en) | 2020-09-03 | 2021-12-14 | Applied Materials Israel Ltd. | End-point detection for similar adjacent materials |
| US11598633B2 (en) | 2021-07-19 | 2023-03-07 | Applied Materials Israel Ltd. | Analyzing a buried layer of a sample |
| US11694934B2 (en) | 2021-09-21 | 2023-07-04 | Applied Materials Israel Ltd. | FIB delayering endpoint detection by monitoring sputtered materials using RGA |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5271264A (en) * | 1991-11-27 | 1993-12-21 | Applied Materials, Inc. | Method of in-situ particle monitoring in vacuum systems |
| JP2001091504A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Toshiba Microelectronics Corp | 半導体基板表面の不純物の分析方法 |
| TW200937487A (en) * | 2007-10-10 | 2009-09-01 | Mks Instr Inc | Chemical ionization reaction or proton transfer reaction mass spectrometry with a quadrupole or time-of-flight mass spectrometer |
| TW201237386A (en) * | 2010-10-25 | 2012-09-16 | Koninkl Philips Electronics Nv | Analysis of molecular contamination in vacuum environments |
| US20130011930A1 (en) * | 2010-03-17 | 2013-01-10 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of analyzing microparticle composition and microparticle composition analyzing device |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0344539A (ja) * | 1989-07-13 | 1991-02-26 | Anelva Corp | 真空内ダスト監視装置 |
| GB2250633B (en) * | 1990-10-31 | 1995-01-25 | Extrel Corp | Improvements relating to gas analysis |
| JP2586754B2 (ja) * | 1991-04-12 | 1997-03-05 | 富士通株式会社 | 半導体製造環境の評価方法 |
| US5162652A (en) * | 1991-08-07 | 1992-11-10 | Pcp, Inc. | Method and apparatus for rapid detection of contraband and toxic materials by trace vapor detection using ion mobility spectrometry |
| JPH0652825A (ja) * | 1992-07-30 | 1994-02-25 | Fujitsu Ltd | 真空装置 |
| JPH0666695A (ja) * | 1992-08-20 | 1994-03-11 | Matsushita Electron Corp | 試料の作製方法 |
| JPH06265456A (ja) * | 1993-03-11 | 1994-09-22 | Toshiba Corp | 微量成分濃縮装置 |
| JP3195731B2 (ja) * | 1995-12-21 | 2001-08-06 | 高砂熱学工業株式会社 | 試料表面に付着した有機物量の分析装置及び方法 |
| JP3335881B2 (ja) | 1996-08-13 | 2002-10-21 | 株式会社東芝 | 材料設計支援システム、およびコンピュータシステムに系の安定構造や動的挙動を原子や分子レベルで解析させこれにより材料の設計支援を行うためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体 |
| JP3506599B2 (ja) * | 1998-02-04 | 2004-03-15 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 分析方法 |
| US6734422B2 (en) * | 2001-03-21 | 2004-05-11 | Euv Llc | Portable outgas detection apparatus |
| JP2004045350A (ja) | 2002-07-16 | 2004-02-12 | Horiba Ltd | ガス分析システムおよびガス分析方法 |
| TWI299535B (en) * | 2002-09-24 | 2008-08-01 | Extraction Systems Inc | System and method for monitoring contamination |
| JP3809511B2 (ja) | 2002-11-06 | 2006-08-16 | 学校法人慶應義塾 | 揮発性有機化合物の測定方法および測定装置 |
| US7299711B1 (en) * | 2002-11-27 | 2007-11-27 | Sandia Corporation | Analyte separation utilizing temperature programmed desorption of a preconcentrator mesh |
| US8361814B2 (en) | 2005-02-11 | 2013-01-29 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Method for monitoring chamber cleanliness |
| JP2007064647A (ja) | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Toppan Printing Co Ltd | 気体モニタリングシステム |
| JP4941960B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2012-05-30 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 目的物質の吸着方法および吸着装置 |
| CN102612641B (zh) * | 2009-11-09 | 2015-01-14 | Mks仪器公司 | 真空质量测量系统 |
| CA2819395C (en) * | 2009-12-07 | 2018-05-15 | S.T.I. Security Technology Integration Ltd. | Method and apparatus for inspecting a gas sample |
| JP2012021775A (ja) | 2010-07-12 | 2012-02-02 | Hitachi Ltd | 微小試料分析装置及び方法 |
| US20120037795A1 (en) * | 2010-08-10 | 2012-02-16 | Martin Lehmann | Method and apparatuses for quality evaluation and leak testing |
| WO2012097058A1 (en) * | 2011-01-12 | 2012-07-19 | 1St Detect Corporation | Evacuating a sample chamber |
| WO2012176060A1 (en) | 2011-06-23 | 2012-12-27 | Dynamic Micro Systems | Semiconductor cleaner systems and methods |
| SG11201601675RA (en) * | 2013-09-06 | 2016-04-28 | Entegris Inc | Substrate containment with enhanced solid getter |
| US9786481B2 (en) * | 2013-09-20 | 2017-10-10 | Micromass Uk Limited | Automated cleanliness diagnostic for mass spectrometer |
-
2017
- 2017-07-18 US US15/653,299 patent/US10217621B2/en active Active
-
2018
- 2018-07-13 JP JP2020502469A patent/JP7218345B2/ja active Active
- 2018-07-13 KR KR1020237023067A patent/KR102626189B1/ko active IP Right Grant
- 2018-07-13 KR KR1020207004648A patent/KR102554490B1/ko active IP Right Grant
- 2018-07-13 CN CN202310708052.3A patent/CN116930384B/zh active Active
- 2018-07-13 WO PCT/US2018/042154 patent/WO2019018240A1/en active Application Filing
- 2018-07-13 CN CN201880047913.5A patent/CN111316414B/zh active Active
- 2018-07-18 TW TW107124779A patent/TWI783009B/zh active
- 2018-07-18 TW TW111139418A patent/TW202307915A/zh unknown
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5271264A (en) * | 1991-11-27 | 1993-12-21 | Applied Materials, Inc. | Method of in-situ particle monitoring in vacuum systems |
| JP2001091504A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Toshiba Microelectronics Corp | 半導体基板表面の不純物の分析方法 |
| TW200937487A (en) * | 2007-10-10 | 2009-09-01 | Mks Instr Inc | Chemical ionization reaction or proton transfer reaction mass spectrometry with a quadrupole or time-of-flight mass spectrometer |
| US20130011930A1 (en) * | 2010-03-17 | 2013-01-10 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of analyzing microparticle composition and microparticle composition analyzing device |
| TW201237386A (en) * | 2010-10-25 | 2012-09-16 | Koninkl Philips Electronics Nv | Analysis of molecular contamination in vacuum environments |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US10217621B2 (en) | 2019-02-26 |
| CN111316414A (zh) | 2020-06-19 |
| KR102554490B1 (ko) | 2023-07-12 |
| KR20200022042A (ko) | 2020-03-02 |
| KR102626189B1 (ko) | 2024-01-18 |
| TW202307915A (zh) | 2023-02-16 |
| KR20230109777A (ko) | 2023-07-20 |
| CN116930384A (zh) | 2023-10-24 |
| CN111316414B (zh) | 2023-06-16 |
| TW201919090A (zh) | 2019-05-16 |
| JP2020528548A (ja) | 2020-09-24 |
| US20190027354A1 (en) | 2019-01-24 |
| CN116930384B (zh) | 2024-03-22 |
| JP7218345B2 (ja) | 2023-02-06 |
| WO2019018240A1 (en) | 2019-01-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI783009B (zh) | 用於監測真空腔室的清潔度的清潔度監測器及方法 | |
| US10910204B2 (en) | Cleanliness monitor and a method for monitoring a cleanliness of a vacuum chamber | |
| Tiedtke et al. | Absolute pulse energy measurements of soft x-rays at the Linac Coherent Light Source | |
| JP2016045206A (ja) | Ｅｂｓｐパターンの取得方法 | |
| JP5491311B2 (ja) | 昇温脱離ガス分析装置およびその方法 | |
| US20160198558A1 (en) | An apparatus and method for diagnostics of netural radicals in plasma | |
| Jewell et al. | Characterization of an ionization readout tile for nEXO | |
| JP2017055657A (ja) | 太陽電池モジュールの検査装置およびその検査方法 | |
| JPWO2013129390A1 (ja) | 固体の空準位測定方法及び装置 | |
| AU2009263350B2 (en) | Gas charge container, atom probe apparatus, and method for analyzing hydrogen position in material | |
| TWI759210B (zh) | 用於監測真空腔室的清潔度的清潔度監測器及方法 | |
| Kandlakunta et al. | Silicon Solar Cells for Post-Detonation Monitoring and Gamma-Radiation Effects | |
| JP6100455B2 (ja) | 太陽電池モジュールの検査装置およびその検査方法 | |
| TWI794505B (zh) | 中性原子成像系統及方法 | |
| RU2792256C1 (ru) | Способ определения степени разрушения кристаллической структуры образца в процессе его облучения ускоренными частицами | |
| JP2019146338A (ja) | 太陽電池モジュールの寿命予測方法 | |
| Yang | X-ray Induced Changes in Electronic Properties of Stabilized Amorphous Selenium Based Photoconductors | |
| JP2020195182A (ja) | 太陽電池モジュールの発電性能予測方法、及び太陽電池モジュールの発電性能予測システム | |
| 李彦 | X-ray constraint for the unseen compact companion in the V723 Mon: it is a mass-gap black hole rather a neutron star | |
| Oh | Overview of the diamond detectors | |
| Shaw et al. | An electron beam SNS foil test stand | |
| Aalseth et al. | Cryostat for ultra-low-energy threshold germanium spectrometers | |
| CN116317945A (zh) | 测试电池片恢复的方法 | |
| Reid | Vacuum science and technology in accelerators | |
| Oh | PoS (Vertex2014) 024 Diamond particle detector systems |