TWI763828B - 水噴射加工裝置 - Google Patents

水噴射加工裝置

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日商迪思科股份有限公司
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Abstract

[課題]提供一種能有效去除分割預定線的附著物之水噴射加工裝置。[解決手段]一種水噴射加工裝置，具備：卡盤台10，用保持面11保持工件200；高壓水噴射單元20，具有高壓水噴嘴21，其沿著工件200的分割預定線205噴射高壓水，來將毛邊去除；加工進給單元40，令卡盤台10在X方向加工進給；分度進給單元50，令高壓水噴嘴21在Y方向分度進給；移動單元60，令高壓水噴嘴21在Z方向移動；對位單元30，對工件200進行攝像；卡匣載置區域70，載置用來容納多個工件200之卡匣71；及搬送單元90，在卡匣71與卡盤台10之間搬送工件200。

Description

水噴射加工裝置
本發明係關於一種水噴射加工裝置。
有電極佈線的樹脂或金屬製基板上搭載了半導體元件等，進而用封膜樹脂將半導體元件覆蓋，這種封裝基板已為人所知。封裝基板，若沿著分割預定線加以分割成各個元件晶片，則會成為所謂的CSP（Chip Size Package，晶片尺寸封裝）或QFN（Quad Flat Non-Leaded Package，四方扁平無引腳封裝）等封裝晶片。
前述的封裝晶片，大多會有金屬電極沿著分割預定線暴露出來的情形。因此，若用切割刀片去切割封裝基板之分割預定線，則會產生金屬的毛邊，造成電極彼此電性相連接而短路，有此可能性存在。因此，在去除毛邊之目的下，有人所研究出一種向毛邊噴射高壓水之加工方法；有人提出一種將高壓水噴嘴固定在切割單元旁邊藉以將對切割刀片側面噴射高壓水的高壓水噴嘴定位之加工裝置 （參照例如專利文獻1及2）。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2016-157722號公報 [專利文獻2]日本特開2016-181569號公報
[發明所欲解決的課題] 然而，專利文獻1及2所示之加工裝置，係將高壓水噴嘴固定在切割單元旁邊，由於用切割刀片進行的切割加工所需時間，與用高壓水噴嘴進行的毛邊等附著物去除加工所需時間，兩者之間有極大差異，所以加工非常缺乏効率。
本發明係鑒於上述問題點所完成，其目的在於提供一種能有效去除分割預定線的附著物之水噴射加工裝置。
[解決課題的技術手段] 根據本發明，提供一種水噴射加工裝置，其特徵為具備：卡盤台，用保持面保持工件；高壓水噴射單元，具有高壓水噴嘴，其沿著該卡盤台所保持之工件的分割預定線噴射高壓水，來將該分割預定線之附著物加以去除；加工進給單元，令該卡盤台在與該保持面平行的X方向加工進給；分度進給單元，令該高壓水噴嘴在與該保持面平行之Y方向分度進給；移動單元，令該高壓水噴嘴在接近或遠離該保持面的Z方向移動；對位單元，對該卡盤台所保持之工件進行攝像以檢測該分割預定線；卡匣載置區域，載置用來容納多個工件之卡匣；及搬送單元，在該卡匣載置區域所載置的該卡匣與該卡盤台之間搬送工件。
較佳者為該高壓水噴嘴，包含在往該Y方向延伸的同一直線上分別單獨地分度進給之第1高壓水噴嘴及第2高壓水噴嘴。
較佳者為該水噴射加工裝置，更具備飛沫吸引單元，其具有：遮蔽部，成筒狀或圓頂狀，圍繞覆蓋該高壓水噴嘴之前端部；及吸引部，係與該遮蔽部相連通，對因高壓水噴射所產生之飛沫進行吸引。
較佳者為該水噴射加工裝置，更具備：加工進給單元蓋，為金屬製，在該卡盤台之兩旁覆蓋該加工進給單元。
較佳者為該水噴射加工裝置，更具備：清洗單元，對保持在該卡盤台並受該高壓水噴嘴噴射該高壓水後的工件進行清洗。
[發明功效] 本發明案之水噴射加工裝置，達到能有效去除分割預定線的附著物之効果。
對於用以實施本發明之方式（實施方式），乃參照圖式並予以詳細說明。然本發明並不限定於以下實施方式所載之内容。另外，以下所載之構成要素，乃是所屬技術區域中具通常知識者皆能輕易完成者，實質上相同者亦包含在內。而且，以下所載之構成可做適當的組合。另外，在不脫離本發明主旨之範圍內，可對構成進行各種省略、替換或變更。
（第1實施方式） 依據圖式說明本發明之第1實施方式所屬水噴射加工裝置。圖1係顯示第1實施方式所屬水噴射加工裝置的構成例之立體圖。圖2係第1實施方式所屬水噴射加工裝置之加工對象的工件之立體圖。圖3係顯示圖2所示工件經分割所得的元件晶片之立體圖。 圖4係顯示圖2所示工件上有半切（half cut）槽形成的狀態之立體圖。圖5係圖4所示工件的主要部位之俯視圖。圖6係沿著圖5中的VI-VI線之剖面圖。圖7係以部分剖面顯示圖4所示工件的主要部位之立體圖。圖8係圖4所示工件經全切割（full cut）的狀態之立體圖。
第1實施方式所屬水噴射加工裝置1，係對圖2所示工件200進行加工之裝置。第1實施方式中，工件200，係如圖2所示，包含CSP（Chip Size Package，晶片尺寸封裝）或QFN（Quad Flat Non-leaded Package，四方扁平無引腳封裝）等之封裝基板。工件200，係將精製有IC（Integrated Circuit，積體電路）或LSI（Large Scale Integration，大型積體電路）等電路之多個半導體元件予以配列，再用封膜樹脂等予以密封而形成為大致長方形板狀。更具體而言，工件200，係在印刷電路板（Printed Circuit Board）等所形成之長方形樹脂基板201的表面配列多個半導體元件，並將密封半導體元件的封膜樹脂所構成之多個凸部202並列於樹脂基板201之長邊方向。此外，實施方式中，工件200，備有二個凸部202，但凸部202的數量並不限於二個。構成凸部202之封膜樹脂，係以環氧樹脂或矽氧樹脂所形成，但構成凸部202之封膜樹脂，並不限於此。
工件200分成：由凸部202所形成之多個元件區域203、及元件區域203周圍之剩餘區域204。各元件區域203，由圖2中二點鏈線所示之格子狀分割預定線205區隔成多個區域，各區域内配設有未圖示的前述半導體元件。此外，分割預定線205，係遍佈於元件區域203與剩餘區域204連續設置。
工件200，係沿著分割預定線205受分割，分割成圖3所示的各個元件晶片206。另外，在元件區域203之表面207，有凹部208橫跨分割預定線205以預定深度形成。凹部208，呈往分割預定線205的垂直方向延伸之長穴形狀，係環繞著各半導體元件配置。第1實施方式中，凹部208，係以長邊方向的長度為400μm、短邊方向的寬度為100μm之尺寸以預定深度形成。凹部208，在工件200分割成各個元件晶片206之後會有電極形成，該電極作為與晶片上所形成電路的連接端子之凹部電極而發揮功用。凹部208，在工件200分割成各個元件晶片206之情況下，係沿著分割預定線205分割成二個。
工件200，如圖1所示，背面209貼有膠帶220，而膠帶220之外周貼有環狀框架221，因此是在與環狀框架221成一體之狀態下，搬入水噴射加工裝置1。另外，第1實施方式當中，工件200，如圖4及圖5所示，有半切槽210自元件區域203之表面207側沿著分割預定線205藉由切割加工所形成，在此狀態下搬入水噴射加工裝置1。此外，第1實施方式當中，半切槽210，如圖6所示，所形成的深度210-1大於凹部208的深度208-1並且不超過工件200的厚度200-1。
工件200，若沿著分割預定線205自元件區域203之表面207側形成半切槽210，則如圖5及圖7所示，凹部208被半切槽210分割成俯視為半圓狀之形狀，凹部208暴露於工件200之截面。凹部208，如前所述，作為凹部電極發揮功用，而半切槽210係由切割加工所形成，所以會如圖5、圖6及圖7所示，在半切槽210的截面尤其是凹部208的邊緣部分形成多個附著物即毛邊211。毛邊211，往切割加工之加工進給方向延伸。更具體而言，毛邊211，係以切割加工之加工進給方向靠前側的凹部208之邊緣部分為起點，沿著凹部208之内側面捲入之方式形成，呈鬚狀螺旋之形狀。如前所述凹部208，會在後續的製程當中形成電極，所以若在有毛邊211形成的情況下繼續執行製程，則難以適當地形成電極。因此，凹部208周邊的毛邊211，要在半切槽210形成之後予以去除。
工件200，係在半切槽210形成而毛邊211去除之後，如圖8所示，半切槽210之底部施有切割加工，而遭全切。工件200，遭全切，如圖3所示分割成各個元件晶片206。此外，工件200，若分割成各個元件晶片206，則將剩餘區域204當作廢邊料加以去除。另外，元件晶片206的截面，如圖3所示，暴露出凹部208。
第1實施方式所屬水噴射加工裝置1，係將工件200之半切槽210的截面所形成之毛邊211加以去除之裝置。圖9係示意性顯示第1實施方式所屬水噴射加工裝置的二個高壓水噴射單元之相對位置之前視圖。圖10係顯示第1實施方式所屬水噴射加工裝置的高壓水噴射單元之加工中狀態之剖面圖。
水噴射加工裝置1，如圖1所示，具備：卡盤台10，用保持面11吸持工件200；高壓水噴射單元20，沿著卡盤台10所保持之工件200的分割預定線205噴射圖9及圖10所示之高壓水300；對位單元30，對卡盤台10所保持之工件200進行攝像以檢測分割預定線205；及控制單元100。
另外，水噴射加工裝置1，如圖1所示，至少具備：加工進給單元40，令卡盤台10在與保持面11平行的X方向加工進給；分度進給單元50，令高壓水噴射單元20之高壓水噴嘴21在與保持面11平行且與X方向垂直之Y方向分度進給；移動單元60，令高壓水噴射單元20之高壓水噴嘴21在接近或遠離保持面11的平行於鉛直方向之Z方向移動；卡匣載置區域70，載置用來容納多個工件200之卡匣71；清洗單元80；及搬送單元90，搬送工件200。
卡盤台10成圓盤狀，具備：保持部12，設有保持工件200之保持面11且由多孔陶瓷等所形成；及環狀的框部13，圍繞著保持部12。另外，卡盤台10，設置成可藉由加工進給單元40在X方向任意移動，並可藉由未圖示的旋轉驅動源繞著平行於Z方向之軸心任意旋轉。卡盤台10，係與未圖示的真空吸引源相連接，藉由真空吸引源的吸引，來對工件200進行吸引、保持。卡盤台10之周圍，設有多個夾持環狀框架221之夾持部14。另外，卡盤台10，係配置於藉由加工進給單元40在X方向移動之移動平台41上。
加工進給單元40，讓移動平台41在X方向移動，使得卡盤台10在X方向加工進給。加工進給單元40，由移動平台41之X方向兩側所安裝的任意伸縮之二個蛇腹構件42所覆蓋。另外，蛇腹構件42，分別由圖1中以二點鏈線所示之加工進給單元蓋43所覆蓋。
加工進給單元蓋43，為金屬製構件，以平行於X方向及Y方向雙方之平板狀形成。加工進給單元蓋43，安裝於移動平台41之X方向的兩側，配置於卡盤台10之兩旁。另外，加工進給單元蓋43，疊置在蛇腹構件42上，隔著蛇腹構件42覆蓋著加工進給單元40。
分度進給單元50，設有二個立設於裝置本體2之門形的立設構件3。二個分度進給單元50，讓Y方向移動平台51互相獨立地在Y方向移動，使得高壓水噴射單元20在Y方向分度進給。
移動單元60設有二個，與分度進給單元50以1對1方式相對應。移動單元60，設於所對應的分度進給單元50之Y方向移動平台51。二個移動單元60，讓Z方向移動平台61互相獨立地在Z方向移動，使得高壓水噴射單元20在Z方向移動。
加工進給單元40、分度進給單元50及移動單元60具備：以繞著軸心任意旋轉方式設置之常見的滾珠螺桿、讓滾珠螺桿繞著軸心旋轉之常見的脈衝馬達、及以讓卡盤台10或高壓水噴射單元20在X方向、Y方向或Z方向任意移動方式予以支撐之常見的導軌。
高壓水噴射單元20，噴射高壓水300，來將工件200之分割預定線205上形成的半切槽210之截面上形成的毛邊211，自截面上去除。高壓水噴射單元20，設有二個，與移動單元60以1對1方式相對應。二個高壓水噴射單元20，具備噴射高壓水300來將毛邊211去除之高壓水噴嘴21。高壓水噴射單元20之高壓水噴嘴21，將自高壓水供給單元23供給而來的高壓水300經由開閉閥22噴射出。
第1實施方式當中，高壓水供給單元23，由柱塞泵所構成，但在本發明中，並不限定於柱塞泵。第1實施方式當中，高壓水噴射單元20，將高壓水供給單元23所加壓且不含磨粒的純水所構成之高壓水300，自高壓水噴嘴21噴射出。第1實施方式當中，自高壓水噴嘴21噴射出的高壓水300，係自20MPa（表壓）加壓至60MPa（表壓）左右。
二個高壓水噴射單元20，係在高壓水噴嘴21互相面對的狀態下安裝於相對應的移動單元60之Z方向移動平台61下端。二個高壓水噴射單元20，安裝在相對應的移動單元60之Z方向移動平台61下端，因此可互相獨立地在Y方向及Z方向移動。
另外，二個高壓水噴射單元20其中一方的高壓水噴嘴21，為第1高壓水噴嘴，另一方的高壓水噴嘴21，為第2高壓水噴嘴。因此，水噴射加工裝置1具備第1高壓水噴嘴及第2高壓水噴嘴作為高壓水噴嘴21。另外，在高壓水噴嘴21在互相面對的狀態下將二個高壓水噴射單元20安裝於Z方向移動平台61下端，因此第1高壓水噴嘴及第2高壓水噴嘴，如圖9所示，當Z方向的位置對齊時，則會配置在往Y方向延伸的同一直線上。另外，二個高壓水噴射單元20，安裝在相對應的移動單元60之Z方向移動平台61下端，因而分別單獨（獨立）分度進給。
高壓水噴射單元20，如圖9所示，具備：安裝於Z方向移動平台61下端之單元本體24、設於單元本體24前端之高壓水噴嘴21、及飛沫吸引單元25。
高壓水噴嘴21，如圖10所示，具備：面對卡盤台10並且噴射高壓水300之噴射口26。飛沫吸引單元25，對因高壓水300噴射所產生之毛邊211及高壓水300等飛沫進行吸引。飛沫吸引單元25，具備圓頂狀之遮蔽部27及吸引部28。遮蔽部27，以下方設有開口271之圓頂狀形成，安裝於高壓水噴嘴21之前端部的外周，覆蓋著噴射口26之周圍。遮蔽部27，設有吸引口272，包含安裝在高壓水噴嘴21之處，開口271及吸引口272以外的部分遭封閉，將高壓水噴嘴21之前端部圍繞覆蓋著。
吸引部28，係與遮蔽部27之内側相連通，對因高壓水300噴射所產生之毛邊211及高壓水300等飛沫進行吸引。吸引部28具備：以與吸引口272連通之方式安裝於遮蔽部27的吸引管281；及安裝於吸引管281之吸引裝置282。吸引部28，乃是吸引裝置282經由吸引管281及吸引口272對遮蔽部27之内側進行吸引，藉此防止飛沫充滿將卡盤台10與高壓水噴嘴21圍起區隔之加工室，導致含有自加工室漏出的飛沫之氣體附著於各軸部等。
對位單元30，係以分別與移動單元60之Z方向移動平台61一體移動之方式，分別固定於移動單元60之Z方向移動平台61。對位單元30，所具備之CCD（Charge Coupled Device，感光耦合元件）照相機，對卡盤台10所保持之工件200進行攝像，來檢測工件200之分割預定線205上形成的半切槽210。
對位單元30，將令工件200與高壓水噴嘴21對齊之對位執行用影像予以攝像，再將攝像所得之影像往控制單元100輸出。
卡匣載置區域70所載置之卡匣71，容納未經高壓水300噴射的工件200，及高壓水300噴射後的工件200。卡匣載置區域70，藉由裝置本體2所設之卡匣升降部72在Z方向移動。因此，卡匣71，係藉由卡匣升降部72在Z方向移動。
清洗單元80，清洗受高壓水噴嘴21噴射高壓水300後的工件200。清洗單元80具備：旋轉平台81，吸持工件200且繞著與Z方向平行之軸心旋轉；及清洗水噴嘴82，對繞著軸心旋轉的旋轉平台81所吸持之工件200噴射清洗水。另外，清洗單元80，將被高壓水300自分割預定線205去除卻再次附著在工件200之毛邊211，自工件200上完全去除。
搬送單元90，設有安裝於裝置本體2之門形的第2立設構件4。搬送單元90具備第1搬送單元91及第2搬送單元92。第1搬送單元91，於卡匣71與卡盤台10之間搬送工件200。第2搬送單元92，於卡盤台10與清洗單元80的旋轉平台81之間搬送工件200。
控制單元100，分別控制上述的構成要素，讓水噴射加工裝置1實施對工件200進行的加工動作。此外，控制單元100為電腦。控制單元100具有：具有CPU（central processing unit，中央處理單元）等微處理器之運算處理裝置、具有ROM（read only memory，唯讀記憶體）或RAM（random access memory，隨機存取記憶體）等記憶體之儲存裝置、及輸出入介面裝置。控制單元100之運算處理裝置，依循儲存裝置所儲存之電腦程式，實施運算處理，再將用以控制水噴射加工裝置1之控制訊號，經由輸出入介面裝置輸出至水噴射加工裝置1的上述構成要素。
控制單元100，係與由顯示加工動作的狀態或影像等之液晶顯示裝置等所構成的顯示裝置、及操作員登錄加工内容資訊等時所使用的輸入裝置相連接。輸入裝置，由顯示裝置所設之觸控面板、鍵盤等外部輸入裝置其中至少一者所構成。
接下來，說明水噴射加工裝置1之加工動作。首先，操作員將有半切槽210形成之工件200與環狀框架221成一體地容納至卡匣71内，再將卡匣71載置於卡匣載置區域70。水噴射加工裝置1，當操作員將加工内容資訊登錄於控制單元100，由操作員指示開始加工動作後，開始加工動作。加工動作中，控制單元100，自卡匣71取出1片未經高壓水300噴射的工件200，將由搬送單元90取出之工件200載置於卡盤台10之保持面11，吸持在卡盤台10之保持面11。
接下來，控制單元100，藉由加工進給單元40令卡盤台10朝向對位單元30之下方移動，將卡盤台10所保持之工件200定位在對位單元30之下方，讓對位單元30進行攝像，來執行對位。
控制單元100，依據加工内容資訊，藉由加工進給單元40與分度進給單元50與移動單元60與旋轉驅動源，令二個高壓水噴射單元20之高壓水噴嘴21互相獨立地沿著工件200之分割預定線205相對移動，同時如圖10所示，自高壓水噴嘴21朝向有分割預定線205形成之半切槽210的兩端噴射高壓水300，來將毛邊211去除。毛邊211去除之際所產生的飛沫，係由吸引部28所吸引，所以不會飛濺至卡盤台10四周，而且也不會附著於工件200。此外，在噴射高壓水300之際，移動單元60，會調整高壓水噴嘴21與工件200在Z方向之距離，來控制高壓水300之威力，可在膠帶220或工件200沒有破損之情況下，將毛邊211去除，在這種條件的選擇上做出貢獻。
控制單元100，當對所有分割預定線205上形成之半切槽210的兩端噴射了高壓水300時，則令高壓水噴嘴21之高壓水300停止，讓卡盤台10自高壓水噴射單元20之下方退避開之後，解除卡盤台10的吸持。控制單元100，用搬送單元90將高壓水300噴射後的工件200搬送至清洗單元80，於清洗單元80進行清洗之後，將清洗完畢之工件200容納至卡匣71内。控制單元100，將未經高壓水300噴射的工件200，再次載置於卡盤台10上，重複進行前述的程序，將卡匣71内所有工件200之分割預定線205的半切槽210所設之毛邊211加以去除。
前述的水噴射加工裝置1，可自Z方向移動平台61將高壓水噴射單元20取下，來安裝圖11所示的切割單元110。圖11係可安裝於圖1所示水噴射加工裝置之Z方向移動平台下端的切割單元之主要部位的立體圖。
切割單元110，係對卡盤台10所保持之工件200進行切割加工。切割單元110具備：主軸外殼111，可安裝於Z方向移動平台61之下端；主軸112，以可在主軸外殼111内繞著軸心任意旋轉之方式設置；及切割刀片113，裝設在主軸112之前端，並且對工件200進行切割加工。切割單元110設置成：分別相對於卡盤台10所保持之工件200，藉由分度進給單元50在Y方向任意移動，並且藉由移動單元60在Z方向任意移動。
切割單元110，可藉由分度進給單元50及移動單元60，將切割刀片113定位在卡盤台10之保持面11的任何位置。切割刀片113，為呈大致環狀之極薄的切割砥石。主軸112，讓切割刀片113旋轉來對工件200進行切割。切割單元110之主軸112及切割刀片113之軸心，設定成與Y方向平行。切割單元110，藉由分度進給單元50在Y方向分度進給，同時藉由加工進給單元40讓卡盤台10在X方向切割進給，藉以對工件200進行切割。
像這樣，水噴射加工裝置1，係自具備2個切割單元110也就是2主軸的切割機、所謂的對向式雙主軸型（facing dual type）之切割裝置，將切割單元110從Z方向移動平台61取下，在Z方向移動平台61安裝高壓水噴射單元20所構成。
第1實施方式所屬水噴射加工裝置1具備：高壓水噴射單元20，所具有之高壓水噴嘴21將分割預定線205上形成之半切槽210所附著的附著物即毛邊211加以去除；卡匣71，容納多個工件200；搬送單元90，在與卡盤台10之間搬送工件200；及對位單元30。因此，水噴射加工裝置1，可自動地對多個工件200依序噴射高壓水300，所以可有效地利用高壓水噴射單元20實施加工。其結果，水噴射加工裝置1，可有效地將金屬所構成之毛邊211加以去除。
另外，水噴射加工裝置1具備二個互相獨立地移動之高壓水噴射單元20，所以即使是有不規則間隔的分割預定線205之工件200，亦可同步對2條分割預定線205噴射高壓水300，可有效地進行加工。
另外，水噴射加工裝置1，由於高壓水噴射單元20分別具備遮蔽部27及吸引部28，所以可防止被高壓水300自分割預定線205去除的毛邊211等飛沫飛濺之情形。另外，水噴射加工裝置1，由於加工進給單元蓋43覆蓋加工進給單元40，所以就算是前述的飛沫飛濺，亦可防止加工進給單元40受到影響。另外，水噴射加工裝置1具備清洗工件200之清洗單元80，所以就算是前述的飛沫飛濺而附著在工件200，亦可藉由清洗單元80進行清洗，加以自工件200上完全去除，達到這樣的効果。
另外，水噴射加工裝置1，由於只對半切槽210噴灑高壓水300，並未將工件200全切，所以可防止元件晶片206飛濺出去。另外，水噴射加工裝置1，由於只對半切槽210噴灑高壓水300，並未將工件200全切，所以可將工件200以膠帶220固定來搬送、加工，因而可使用與一般的切割裝置（尤其是對向式雙主軸型之切割裝置）類似之裝置機構。
（第2實施方式） 依據圖式說明本發明之第2實施方式所屬水噴射加工裝置。圖12係顯示第2實施方式所屬水噴射加工裝置的高壓水噴射單元之加工中狀態之剖面圖。圖12對與第1實施方式相同部分附以相同符號，省略說明。
第2實施方式所屬水噴射加工裝置1，除了飛沫吸引單元25之遮蔽部27-2的形狀與第1實施方式不同以外，係與第1實施方式相同。
第2實施方式所屬水噴射加工裝置1 之飛沫吸引單元25的遮蔽部27-2，以下方設有開口271且上方由壁部所封閉之筒狀所形成，安裝於高壓水噴嘴21之前端部的外周，覆蓋著噴射口26之周圍。遮蔽部27，設有吸引口272，包含安裝在高壓水噴嘴21之處，開口271及吸引口272以外之部分遭封閉，將高壓水噴嘴21之前端部圍繞並覆蓋著。
第2實施方式所屬水噴射加工裝置1，係與第1實施方式同樣地，具備：高壓水噴射單元20；卡匣71，容納多個工件200；搬送單元90，在與卡盤台10之間搬送工件200；及對位單元30，所以可有效地將金屬所構成的毛邊211去除。
（第3實施方式） 依據圖式說明本發明之第3實施方式所屬水噴射加工裝置。圖13係顯示第3實施方式所屬水噴射加工裝置的構成例之立體圖。圖13係對與第1實施方式相同部分附以相同符號，省略說明。
第3實施方式所屬水噴射加工裝置1-3，係將切割單元110安裝於其中一方之Z方向移動平台61，並將高壓水噴射單元20安裝於另一方之Z方向移動平台61。水噴射加工裝置1-3，在用高壓水噴射單元20將毛邊211去除之後，用切割單元110對工件200進行全切。另外，水噴射加工裝置1-3，在用切割單元110於工件200形成半切槽210之後，用高壓水噴射單元20將毛邊211去除亦可。因此，水噴射加工裝置1-3，不只有第1實施方式之効果，還可互相獨立地進行毛邊211的去除與工件200的全切，所以可有效地對工件200進行加工。
此外，本發明，並不限於上記實施方式。亦即，可在不脫離本發明要領之範圍內實施各種變形。從第1實施方式到第3實施方式中，工件200，係為將多個半導體元件配列於印刷電路板，再用封膜樹脂等加以密封所構成之封裝基板，但在本發明中，工件200，亦可為具備配列LED（Light Emitting Diode，發光二極體）元件用之金屬基板的封裝基板。另外，本發明中，工件200，亦可為由表面所形成之多個分割預定線205區隔成格子狀的區域具備半導體元件，在分割預定線205設有TEG（Test Element Group，測試元件群）之以矽、藍寶石、鎵等作為主要材料之圓板狀半導體晶圓或光元件晶圓。總而言之，在本發明中，工件200，只要是在分割預定線205設有金屬者，無論何者均可。
1、1-3‧‧‧水噴射加工裝置10‧‧‧卡盤台11‧‧‧保持面20‧‧‧高壓水噴射單元21‧‧‧高壓水噴嘴（第1高壓水噴嘴、第2高壓水噴嘴）25‧‧‧飛沫吸引單元27、27-2‧‧‧遮蔽部28‧‧‧吸引部30‧‧‧對位單元40‧‧‧加工進給單元43‧‧‧加工進給單元蓋50‧‧‧分度進給單元60‧‧‧移動單元70‧‧‧卡匣載置區域71‧‧‧卡匣80‧‧‧清洗單元90‧‧‧搬送單元200‧‧‧工件205‧‧‧分割預定線211‧‧‧毛邊（附著物）300‧‧‧高壓水
圖1係顯示第1實施方式所屬水噴射加工裝置的構成例之立體圖。 圖2係第1實施方式所屬水噴射加工裝置之加工對象的工件之立體圖。 圖3係顯示圖2所示工件經分割所得的元件晶片之立體圖。 圖4係顯示圖2所示工件上有半切槽形成的狀態之立體圖。 圖5係圖4所示工件的主要部位之俯視圖。 圖6係沿著圖5中的VI-VI線之剖面圖。 圖7係以部分剖面顯示圖4所示工件的主要部位之立體圖。 圖8係圖4所示工件經全切的狀態之立體圖。 圖9係示意性顯示第1實施方式所屬水噴射加工裝置的二個高壓水噴射單元之相對位置之前視圖。 圖10係顯示第1實施方式所屬水噴射加工裝置的高壓水噴射單元之加工中狀態之剖面圖。 圖11係可安裝於圖1所示水噴射加工裝置之Z方向移動平台下端的切割單元之主要部位的立體圖。 圖12係顯示第2實施方式所屬水噴射加工裝置的高壓水噴射單元之加工中狀態之剖面圖。 圖13係顯示第3實施方式所屬水噴射加工裝置的構成例之立體圖。
1‧‧‧水噴射加工裝置
2‧‧‧裝置本體
3‧‧‧立設構件
4‧‧‧第2立設構件
10‧‧‧卡盤台
11‧‧‧保持面
12‧‧‧保持部
13‧‧‧框部
14‧‧‧夾持部
20‧‧‧高壓水噴射單元
21‧‧‧高壓水噴嘴(第1高壓水噴嘴、第2高壓水噴嘴)
22‧‧‧開閉閥
23‧‧‧高壓水供給單元
30‧‧‧對位單元
40‧‧‧加工進給單元
41‧‧‧移動平台
42‧‧‧蛇腹構件
43‧‧‧加工進給單元蓋
50‧‧‧分度進給單元
51‧‧‧Y方向移動平台
60‧‧‧移動單元
61‧‧‧Z方向移動平台
70‧‧‧卡匣載置區域
71‧‧‧卡匣
72‧‧‧卡匣升降部
80‧‧‧清洗單元
81‧‧‧旋轉平台
82‧‧‧清洗水噴嘴
90‧‧‧搬送單元
91‧‧‧第1搬送單元
92‧‧‧第2搬送單元
100‧‧‧控制單元
200‧‧‧工件
201‧‧‧樹脂基板
202‧‧‧凸部
203‧‧‧元件區域
205‧‧‧分割預定線
207‧‧‧表面
209‧‧‧背面
220‧‧‧膠帶
221‧‧‧環狀框架

Claims (9)

  1. 一種水噴射加工裝置，具備：卡盤台，用保持面保持工件；高壓水噴射單元，具有高壓水噴嘴及飛沫吸引單元，所述高壓水噴嘴沿著該卡盤台所保持之工件的分割預定線噴射高壓水，來將該分割預定線之附著物加以去除，所述飛沫吸引單元具有遮蔽部，其圍繞覆蓋該高壓水噴嘴之前端部；加工進給單元，令該卡盤台在與該保持面平行的X方向加工進給；分度進給單元，令該高壓水噴嘴在與該保持面平行之Y方向分度進給；移動單元，令該高壓水噴嘴在接近或遠離該保持面的Z方向移動；對位單元，對該卡盤台所保持之工件進行攝像以檢測該分割預定線；卡匣載置區域，載置用來容納多個工件之卡匣；及搬送單元，在該卡匣載置區域所載置的該卡匣與該卡盤台之間搬送工件。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之水噴射加工裝置，其中，該高壓水噴嘴，包含在往該Y方向延伸的同一直線上分別單獨地分度進給之第1高壓水噴嘴及第2高壓水噴嘴。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之水噴射加工裝置，其中，該遮蔽部成筒狀。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之水噴射加工裝置，其中更具備：加工進給單元蓋，為金屬製，在該卡盤台之兩旁覆蓋該加工進給單元。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之水噴射加工裝置，其中更具備：清洗單元，對保持在該卡盤台並受該高壓水噴嘴噴射該高壓水後的工件進行清洗。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之水噴射加工裝置，其中，該飛沫吸引單元更具備吸引部，其係與該遮蔽部相連通，對因高壓水噴射所產生之飛沫進行吸引。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之水噴射加工裝置，其中，該遮蔽部成圓頂狀。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之水噴射加工裝置，其中，該工件包含沿著且橫跨該分割預定線之各條並形成預定深度之多個凹部，該工件沿著該分割預定線受分割時該凹部之各個形成為半切槽。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之水噴射加工裝置，其中，該高壓水噴嘴係對沿著該工件的該分割預定線之各條的該半切槽噴射高壓水，來將該半切槽之附著物加以去除。
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