TW202322250A - 加工方法及切割裝置 - Google Patents

加工方法及切割裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202322250A
TW202322250A TW111144635A TW111144635A TW202322250A TW 202322250 A TW202322250 A TW 202322250A TW 111144635 A TW111144635 A TW 111144635A TW 111144635 A TW111144635 A TW 111144635A TW 202322250 A TW202322250 A TW 202322250A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
holding table
holding
cutting
contamination
processing method
Prior art date
Application number
TW111144635A
Other languages
English (en)
Inventor
高橋昌之
大室喜洋
Original Assignee
日商迪思科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商迪思科股份有限公司 filed Critical 日商迪思科股份有限公司
Publication of TW202322250A publication Critical patent/TW202322250A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q11/00—Accessories fitted to machine tools for keeping tools or parts of the machine in good working condition or for cooling work; Safety devices specially combined with or arranged in, or specially adapted for use in connection with, machine tools
    • B23Q11/0042—Devices for removing chips
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0076—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for removing dust, e.g. by spraying liquids; for lubricating, cooling or cleaning tool or work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

[課題]可抑制加工不良。[解決手段]加工方法係設定有交叉之多條分割預定線之封裝基板的加工方法，且具備：汙染確認步驟1001，其以攝影機拍攝保持台並確認保持台的汙染，所述保持台係在與分割預定線對應之區域形成切割刀片的退刀槽，且在以退刀槽所劃分之區域分別形成有吸引保持封裝基板之吸引孔；清洗步驟1003，其在汙染確認步驟1001確認到汙染之情形中，將清洗液供給至保持台而清洗保持台；保持步驟1004，其以保持台保持封裝基板；以及切割步驟1005，其以切割刀片將被保持台保持之封裝基板沿著分割預定線進行切割並分割。

Description

加工方法及切割裝置
本發明係關於設定有交叉之多條分割預定線之封裝基板的加工方法以及切割封裝基板之切割裝置。
在切割裝置中，為了容易處理分割後的工件，而在切割前預先將膠膜黏貼於工件，且在切割後從膠膜拾取工件之後廢棄膠膜。另一方面，為了減少膠膜成本，已提案一種切割裝置（例如，參照專利文獻1），其用於不使用膠膜而直接以保持台吸引保持封裝基板並進行加工。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2018-078253號公報
[發明所欲解決的課題] 專利文獻1等所記載之切割裝置中，以切割刀片切割封裝基板而產生之切割屑會被帶進切割液，並在切割裝置內飛散且在切割裝置的加工室內附著於側壁、天花板、切割單元等。
專利文獻1等所記載之切割裝置中，若包含切割屑之切割液滴下等而附著並逐漸堆積於搬出封裝基板之後的保持台，則汙染會介於接下來要進行加工之封裝基板與保持台的保持面之間，而會在保持台與封裝基板的被保持面之間形成間隙。
而且，專利文獻1等所記載之切割裝置中，因負壓會從此間隙洩漏，故無法充分地吸引保持封裝基板，而在切割期間封裝基板會移動等，恐怕會產生加工不良。並且，若汙染附著、堆積於保持台的吸引孔，則會導致吸引力的降低，而產生同樣的問題。
因此，本發明之目的在於提供可抑制加工不良之加工方法及切割裝置。
[解決課題的技術手段] 為了解決上述的課題並達成目的，本發明的加工方法係設定有交叉之多條分割預定線之封裝基板的加工方法，且特徵在於具備：汙染確認步驟，其以攝影機拍攝保持台並確認該保持台的汙染，所述保持台係在與該分割預定線對應之區域形成切割刀片的退刀槽，且在以該退刀槽所劃分之區域分別形成有吸引保持封裝基板之吸引孔；清洗步驟，其在該汙染確認步驟確認到汙染之情形中，將清洗液供給至該保持台而清洗該保持台；保持步驟，其以該保持台保持封裝基板；以及切割步驟，其以切割刀片將被該保持台保持之封裝基板沿著該分割預定線進行切割並分割。
在前述加工方法中，可具備搬出步驟，所述搬出步驟係在實施該切割步驟之後，從該保持台上搬出經分割之封裝基板。
在前述加工方法中，在該清洗步驟中，可從與該切割刀片相鄰而配設之清洗液供給噴嘴，將該清洗液噴射至該保持台而清洗該保持台。
在前述加工方法中，該清洗液可由水與空氣的混合雙流體所構成。
本發明的切割裝置係將設定有交叉之多條分割預定線之封裝基板進行切割之切割裝置，且特徵在於具備：保持台，其在與進行切割之封裝基板的該分割預定線對應之區域形成切割刀片的退刀槽，且在以該退刀槽所劃分之區域分別形成有吸引保持封裝基板之吸引孔；切割刀片，其切割被該保持台保持之封裝基板；攝影機，其拍攝該保持台；清洗液供給噴嘴，其將清洗液供給至該保持台；以及控制器，其至少控制該清洗液供給噴嘴，並且，該控制器基於以該攝影機拍攝該保持台而形成之攝像圖像，確認該保持台的汙染，在確認到汙染之情形中，從該清洗液供給噴嘴將該清洗液供給至該保持台。
[發明功效] 本發明發揮可抑制加工不良之功效。
針對用於實施本發明的方式（實施方式），一邊參照圖式一邊詳細地進行說明。本發明並不受限於以下的實施方式一所記載之內容。並且，在以下所記載之構成要素中，包含本發明所屬技術領域中具有通常知識者可容易思及者、實質上相同者。再者，以下所記載之構成能適當組合。並且，在不背離本發明的精神之範圍內可進行構成的各種省略、取代或變更。
〔實施方式一〕 基於圖式而說明本發明的實施方式一之切割裝置1。圖1係表示實施方式一之切割裝置的構成例之立體圖。圖2係實施方式一之加工方法及切割裝置的加工對象的封裝基板的俯視圖。圖3係圖2所示之封裝基板的側視圖。圖4係圖2所示之封裝基板的背面側的俯視圖。圖5係圖1所示之切割裝置的保持台的俯視圖。圖6係沿著圖5中的VI-VI線之剖面圖。圖7係放大表示圖5所示之保持台的主要部分之立體圖。圖8係圖1所示之切割裝置的切割單元的前視圖。圖9係表示圖1所示之切割裝置的控制器的記憶部所記憶之基準圖像的一例之圖。
實施方式一之圖1所示之切割裝置係切割（dicing）圖2、圖3及圖4所示之封裝基板200，並將封裝基板200分割成一個個封裝晶片201之加工裝置。
（封裝基板） 如圖2所示，實施方式一之切割裝置1的加工對象的封裝基板200的俯視形狀被形成為矩形的平板狀。封裝基板200具備矩形的平板狀的基底基板202，在基底基板202的正面203具有元件區域204與圍繞元件區域204之外周剩餘區域205。基底基板202係由包含銅之金屬（亦即，銅合金）等金屬所構成。
元件區域204設定有互相交叉之多條分割預定線206。互相交叉之多條分割預定線206之中的一方向的分割預定線206係在與基底基板202的長度方向平行之方向伸長，另一方向的分割預定線206係在相對於基底基板202的長度方向呈正交且與基底基板202的寬度方向平行之方向伸長。在以此等互相交叉之多條分割預定線206所劃分之區域207配設有元件晶片208。分割預定線206被構成為貫通基底基板202。區域207係藉由基底基板202的一部分所構成，且在正面203的背側的背面210（圖4等所示）側配設有元件晶片208。在各分割預定線206設有用於連接封裝晶片201與配線基板等的電極209。
電極209係藉由基底基板202的一部分所構成，在實施方式一中，分別被設於分割預定線206的寬度方向的中央，且在與各分割預定線206正交之方向被形成為直線狀。電極209係藉由未圖示之電線等而與元件晶片208連接。
在實施方式一中，在基底基板202的長度方向空開間隔地配設有多個（在實施方式一中為三個）元件區域204。外周剩餘區域205係未配設元件晶片208之區域，且係藉由基底基板202所構成，並圍繞各元件區域204的整個周圍且將互相相鄰之元件區域204彼此連結。
並且，如圖3及圖4所示，封裝基板200具備密封（被覆）各元件區域204的背面210側之密封樹脂211。密封樹脂211係藉由熱塑性樹脂所構成，並密封（被覆）被配設於基底基板202的區域207的背面210之元件晶片208及電線，且被填充於分割預定線206內。密封樹脂211在基底基板202的背面210側密封（被覆）各元件區域204整體。密封樹脂211在基底基板202的正面203側，在使已配設元件晶片208之區域207與電極209露出之狀態下，密封分割預定線206內。
封裝基板200中，將各元件區域204的各分割預定線206的寬度方向的中央切斷，電極209被分割為二，而被分割成一個個封裝晶片201。如此，實施方式一之加工方法及切割裝置1的加工對象亦即封裝基板200為QFN基板，所述QFN基板係在被切割刀片21切割之分割預定線206配置由金屬所構成之電極209而成。此外，在實施方式一中，封裝基板200為在分割預定線206配置電極209而成之QFN（Quad Flat Non-leaded Package，四方平面無引腳封裝）基板，但不受限於此，亦可為CSP（Chip Scale Packaging，晶片級封裝）基板。並且，在實施方式一中，從封裝基板200分割之封裝晶片201係各邊的長度為1mm×1mm左右的大小，亦即，係晶片尺寸較小之小晶片。
並且，在實施方式一中，如圖2所示，封裝基板200在基底基板202的正面203的分割預定線206的兩端部，設有表示切割加工時的分割預定線206的切割位置之對準用的標記212。在實施方式一中，對準用的標記212被配置於與各分割預定線206的寬度方向的中央並排之位置。
（切割裝置） 實施方式一之切割裝置1係將封裝基板200保持於保持台10並沿著多條分割預定線206進行切割（dicing）加工而分割成一個個封裝晶片201之加工裝置。在實施方式一中，切割裝置1係將未黏貼切割膠膜之封裝基板200直接保持於保持台10，並將封裝基板200進行所謂的完全切斷而分割成封裝晶片201之加工裝置（所謂的夾具切割機（jig dicer））。
如圖1所示，切割裝置1具備：圖5所示之保持台10，其以保持面11吸引保持封裝基板200；切割單元20，其具有將保持於保持台10之封裝基板200進行切割之切割刀片21；攝影機30，其拍攝保持台10及保持於保持台10之封裝基板200；以及控制器100。
並且，如圖1所示，切割裝置1具備：移動單元40，其使保持台10與切割單元20相對地移動。移動單元40具備X軸移動單元41、Y軸移動單元42、Z軸移動單元43及旋轉移動單元44。
X軸移動單元41藉由使保持台10及旋轉移動單元44在加工進給方向亦即與水平方向平行之X軸方向移動，而使切割單元20與保持台10相對地沿著X軸方向移動。X軸移動單元41支撐裝配旋轉移動單元44及保持台10之圖1及圖6所示之工作台基台50，且將此等構件在X軸方向移動。
Y軸移動單元42藉由使切割單元20在分度進給方向亦即與水平方向平行且相對於X軸方向呈正交之Y軸方向移動，而使切割單元20與保持台10相對地沿著Y軸方向移動。Z軸移動單元43藉由使切割單元20在切入進給方向亦即相對於X軸方向與Y軸方向的雙方呈正交之Z軸方向移動，而使切割單元20與保持台10相對地沿著Z軸方向移動。
旋轉移動單元44支撐工作台基台50，且被X軸移動單元41支撐，並被配設成與裝設於工作台基台50之保持台10一起在X軸方向移動自如。旋轉移動單元44將裝設於工作台基台50之保持台10繞著與Z軸方向平行之軸心旋轉。
X軸移動單元41、Y軸移動單元42及Z軸移動單元43具備：公知的滾珠螺桿，其被設成繞著軸心旋轉自如；公知的馬達，其使滾珠螺桿繞著軸心旋轉；以及公知的導軌，其將保持台10或切割單元20支撐成在X軸方向、Y軸方向或Z軸方向移動自如。並且，旋轉移動單元44具備馬達，所述馬達使裝設有保持台10之工作台基台50繞著軸心旋轉。
保持台10被裝設於工作台基台50，並以保持面11吸引保持封裝基板200。保持台10被裝設於工作台基台50，並藉由旋轉移動單元44而繞著與Z軸方向平行之軸心旋轉。保持台10被裝設於工作台基台50，並與旋轉移動單元44一起藉由X軸移動單元41而在X軸方向移動。
工作台基台50被旋轉移動單元44支撐，且與旋轉移動單元44一起被X軸移動單元41支撐。工作台基台50的外形被形成為大於封裝基板200之矩形狀。如圖6所示，透過開關閥52而與吸引源53連接之吸引路徑54係在工作台基台50的上表面51的中央開口。吸引路徑54係在與裝設於上表面51之保持台10所保持之封裝基板200的元件區域204對應之區域開口，並貫通工作台基台50。此外，在本說明書中，所謂對應之區域，係表示在厚度方向（在實施方式一中為Z軸方向）重疊之區域。並且，透過開關閥55而與吸引源53連接之保持台吸引路徑56係在工作台基台50的上表面51的外緣部開口。保持台吸引路徑56貫通工作台基台50。
保持台10的外形被形成為大於封裝基板200之矩形狀，且厚度為固定。在實施方式一中，保持台10的外形係與工作台基台50的外形相等。保持台10係藉由與工作台基台50的上表面51重疊，且開關閥55開啟，吸引保持台吸引路徑56被吸引源53吸引，而被固定於工作台基台50的上表面51。保持台10係如此被裝設於工作台基台50。
保持台10將進行切割之封裝基板200吸引保持於上表面亦即保持面11。如圖5及圖6所示，保持台10在保持面11形成有：在切割時切割刀片21會入侵之退刀槽12；以及用於吸引封裝基板200及封裝晶片201之吸引孔13。退刀槽12被形成於與進行切割之封裝基板200的分割預定線206對應之區域（亦即，在厚度方向重疊之區域），從退刀槽12凹陷且沿著分割預定線206延伸成直線狀。
吸引孔13被形成於保持面11的藉由退刀槽12所劃分之區域，亦即與從封裝基板200被分割成一個個之封裝晶片201對應之區域（亦即，在厚度方向重疊之區域），且在厚度方向貫通保持台10。在實施方式一中，吸引孔13係與封裝晶片201一對一地對應。若將保持台10裝設於工作台基台50，則吸引孔13係透過吸引路徑54及開關閥52而與吸引源53連接。
如圖5、圖6及圖7所示，保持台10係在保持面11的藉由退刀槽12所劃分之各區域的吸引孔13的周圍形成有凹部14。凹部14被形成為從保持面11凹陷，且被形成於吸引孔13的周圍的整個周圍。凹部14係在保持面11的藉由退刀槽12所劃分之各區域的吸引孔13的周圍形成段差15。
保持台10係在保持面11載置封裝基板200的密封樹脂211側。保持台10係藉由開關閥52開啟且吸引孔13被吸引源53吸引，而將封裝基板200及封裝晶片201吸引保持於保持面11。保持台10因在保持面11的藉由退刀槽12所劃分之各區域的吸引孔13的周圍形成有段差15，故相較於無凹部14亦即無段差15之狀態，藉由來自吸引源53的吸引力等而使與封裝晶片201的接觸面積更為增加。在實施方式一中，保持台10係將未黏貼切割膠膜之封裝基板200直接吸引保持於保持面11上之所謂的夾具台。
切割單元20係將切割刀片21裝設於圖8所示之主軸23，並將保持於保持台10之封裝基板200進行切割之加工單元。切割單元20若切割封裝基板200，則會使切割屑產生。切割單元20被設成藉由Y軸移動單元42而相對於保持於保持台10之封裝基板200在Y軸方向移動自如，且被設成藉由Z軸移動單元43而在Z軸方向移動自如。如圖1所示，切割單元20係透過Y軸移動單元42及Z軸移動單元43等而設於從裝置主體2立設之支撐框架3。切割單元20係藉由Y軸移動單元42及Z軸移動單元43而能將切割刀片21定位於保持台10的保持面11的任意位置。
切割單元20具有：切割刀片21；主軸外殼22，其被設成藉由Y軸移動單元42及Z軸移動單元43而在Y軸方向及Z軸方向移動自如；主軸23，其係能繞著軸心旋轉地設於主軸外殼22且在前端裝設切割刀片21；未圖示之主軸馬達，其將主軸23繞著軸心旋轉；刀片蓋24，其被裝設於主軸23的前端面；以及切割水噴嘴25，其將切割水供給至切割刀片21。
切割刀片21為具有大致環形狀之極薄的切割磨石。切割刀片21被固定於主軸23的前端。在實施方式一中，如圖8所示，切割刀片21為所謂的輪轂型刀片，所述輪轂型刀片具備：圓環狀的圓形基台；以及圓環狀的切割刀刃，其被配設於圓形基台的外周緣並切割封裝基板200。切割刀刃係由SiC、氧化鋁、金剛石或CBN（Cubic Boron Nitride，立方氮化硼）等磨粒與固定金屬或樹脂等磨粒之結合劑（結合材）所構成，且被形成為預定厚度。此外，在本發明中，切割刀片21亦可為僅以切割刀刃所構成之所謂的墊圈型刀片。
主軸23在前端裝設切割刀片21，並藉由主軸馬達而繞著軸心旋轉，藉此使切割刀片21旋轉。主軸馬達具備：轉子，其被設於主軸23，並與主軸23一體地旋轉；以及定子，其在轉子的外周側且被配設於主軸外殼22，並藉由從電源供給電力而使轉子旋轉。主軸馬達的定子使轉子旋轉，而使主軸23繞著軸心旋轉。
刀片蓋24覆蓋切割刀片21的至少上方。刀片蓋24被固定於主軸外殼22的前端面。
切割水噴嘴25在切割刀片21切割被保持台10的保持面11保持之封裝基板200之際，將切割水供給至切割刀片21。如圖8所示，切割水噴嘴25具備噴淋噴嘴26與一對刀片噴嘴27。
噴嘴26、27被安裝於刀片蓋24，從未圖示之切割水供給源供給切割水。噴淋噴嘴26具備與切割刀片21的切割刀刃的刀鋒在X軸方向面對之噴射口261，在切割期間從噴射口261將切割水供給至切割刀片21的切割刀刃的刀鋒。
刀片噴嘴27係與X軸方向平行地延伸，且彼此在Y軸方向空開間隔而配置。刀片噴嘴27係將切割刀片21的切割刀刃的下端定位於彼此之間，且具備噴射口271，所述噴射口271面對切割刀片21的切割刀刃的下端。刀片噴嘴27在切割期間從噴射口271將切割水供給至切割刀片21的切割刀刃的下端。
攝影機30係以與切割單元20一體地移動之方式被固定於切割單元20等。攝影機30具備攝像元件，所述攝像元件拍攝保持於保持台10之切割前的封裝基板200的應分割之區域。攝像元件例如為CCD（Charge-Coupled Device，電荷耦合元件）攝像元件或CMOS（Complementary MOS，互補金屬氧化物半導體）攝像元件。攝影機30拍攝保持於保持台10之封裝基板200，且形成用於執行對準等的圖像，並將所形成之圖像輸出至控制器100，所述對準係進行封裝基板200與切割刀片21的對位。控制器100進行拍攝而形成之圖像係以多個階段的階度（例如256階度）規定亮度之灰階圖像。此圖像決定各像素的亮度。
並且，切割裝置1具備：未圖示之X軸方向位置檢測單元，其用於檢測保持台10的X軸方向的位置；未圖示之Y軸方向位置檢測單元，其用於檢測切割單元20的Y軸方向的位置；以及Z軸方向位置檢測單元，其用於檢測切割單元20的Z軸方向的位置。X軸方向位置檢測單元及Y軸方向位置檢測單元可藉由與X軸方向或Y軸方向平行之線性標度尺與讀取頭而構成。Z軸方向位置檢測單元係以馬達的脈衝而檢測切割單元20的Z軸方向的位置。X軸方向位置檢測單元、Y軸方向位置檢測單元及Z軸方向位置檢測單元係將保持台10的X軸方向、切割單元20的切割刀刃的下端的Y軸方向或Z軸方向的位置輸出至控制器100。
此外，在實施方式一中，切割裝置1的保持台10及切割單元20的X軸方向的位置、Y軸方向及Z軸方向的位置係基於預先決定之未圖示之基準位置而決定。
並且，在實施方式一中，如圖8所示，切割裝置1具備清洗液供給噴嘴60。在實施方式一中，清洗液供給噴嘴60被安裝於刀片蓋24，並與切割刀片21相鄰而配設。在實施方式一中，清洗液供給噴嘴60具備噴射口61，所述噴射口61能沿著Z軸方向面對保持台10的保持面11。清洗液供給噴嘴60係藉由從噴射口61噴射由清洗液供給源62所供給之清洗液63，而將清洗液63供給至保持台10的保持面11。在實施方式一中，清洗液63雖為水與經加壓之空氣的混合雙流體，但在本發明中並不受限於混合雙流體。
並且，如圖1所示，切割裝置1具備搬出單元70。搬出單元70從保持台10的保持面11上搬出從封裝基板200被分割成一個個之多個封裝晶片201。搬出單元70中，以多孔陶瓷等多孔材料所構成之下表面71係與未圖示之吸引源連接，且下表面71被吸引源吸引，藉此將保持台10的保持面11上的多個封裝晶片201吸引保持於下表面71。在實施方式一中，搬出單元70將保持台10的保持面11上的全部封裝晶片201吸引保持於下表面71，並從保持台10的保持面11上搬出。
控制器100分別控制切割裝置1的各構成要素，並使切割裝置1實施對於封裝基板200之加工動作。亦即，控制器100至少控制清洗液供給噴嘴60。此外，控制器100為具有以下構件之電腦：運算處理裝置，其具有如CPU（central processing unit，中央處理單元）般的微處理器；記憶裝置，其具有如ROM（read only memory，唯讀記憶體）或RAM（random access memory，隨機存取記憶體）般的記憶體；以及輸入輸出介面裝置。控制器100的運算處理裝置係遵循記憶於記憶裝置之電腦程式而實施運算處理，並將用於控制切割裝置1的控制訊號透過輸入輸出介面裝置而輸出至切割裝置1的各構成要素。
控制器100係與顯示單元及輸入單元連接，所述顯示單元係藉由顯示加工動作的狀態或圖像等之液晶顯示裝置等所構成，所述輸入單元係在操作員登錄加工內容資訊等之際使用。輸入單元係藉由設於顯示單元之觸控面板所構成。
並且，如圖1所示，控制器100具備控制部101、記憶部102及判斷清洗部103。控制部101分別控制切割裝置1的各構成要素，使切割裝置1實施對於封裝基板200之加工動作。
記憶部102記憶圖9所例示之基準圖像300。基準圖像300係攝影機30拍攝保持台10的未附著切割屑等異物之保持面11所形成。因此，基準圖像300係以多個階段的階度（例如256階度）規定亮度之灰階圖像。基準圖像300決定各像素的亮度。此外，在圖9所示之例子中，基準圖像300雖為拍攝保持面11的一部分所形成之圖像，但在攝影機30能一次拍攝保持面11整體之情形中，在本發明中亦可為拍攝保持面11整體所形成之圖像。在實施方式一中，記憶部102記憶多張攝影機30拍攝保持面11的一部分所形成之圖像，並藉由多張基準圖像300而記憶保持面11整體的圖像。亦即，在實施方式一中，記憶部102將保持面11整體分成多張基準圖像300而記憶。
判斷清洗部103係基於攝影機30拍攝保持面11所形成之攝像圖像301（圖11所例示）而確認保持台10的汙染，在確認到汙染之情形中，從清洗液供給噴嘴60將清洗液63供給至保持面11。此外，與基準圖像300同樣地，攝像圖像301係以多個階段的階度（例如256階度）規定亮度之灰階圖像，並決定各像素的亮度。
判斷清洗部103係藉由將基準圖像300及攝影機30拍攝與基準圖像300相同的保持面11的位置所形成之攝像圖像301進行比對，而判斷切割屑是否附著於保持面11，藉此確認保持台10的汙染。具體而言，判斷清洗部103係計算基準圖像300及攝影機30拍攝與基準圖像300相同的保持面11的位置所形成之攝像圖像301的相同像素的亮度的差，而判斷計算出之亮度的差是否超過預先決定之預定值。
若計算出之亮度的差即使有一個超過預定值之像素，則判斷清洗部103亦確認切割屑附著於保持面11，亦即確認保持台10的汙染。若在所有的像素中所計算出之亮度的差為預定值以下，則判斷清洗部103確認切割屑未附著於保持面11，亦即確認保持台10未汙染。判斷清洗部103若確認切割屑附著於保持面11亦即確認保持台10的汙染，則控制移動單元40，將清洗液供給噴嘴60定位於保持面11的附著有切割屑之處亦即保持台10的汙染之處的正上方，並從清洗液供給噴嘴60的噴射口61將清洗液63供給至保持面11，從保持面11去除切割屑，去除保持台10的汙染。判斷清洗部103僅將清洗液63供給至保持面11的附著有切割屑之處亦即保持台10的汙染之處，並僅清洗保持面11的附著有切割屑之處亦即保持台10的汙染之處。
控制部101與判斷清洗部103的功能係藉由運算處理裝置遵循記憶於記憶裝置之電腦程式實施運算處理而實現。記憶部102的功能係藉由記憶裝置而實現。
（加工方法） 接著，基於圖式而說明本發明的實施方式一之加工方法。圖10係表示實施方式一之加工方法的流程之流程圖。實施方式一之加工方法為將封裝基板200分割成一個個封裝晶片201之加工方法，亦為切割裝置1的加工動作。
切割裝置1係將保持台10載置於工作台基台50的上表面51，並且，控制器100受理並記憶從輸入單元等輸入之加工條件。切割裝置1中，若控制器100受理來自操作員等的加工開始指示，則控制部101使切割單元20的主軸23亦即切割刀片21繞著軸心旋轉，且驅動吸引源53，開啟開關閥55，將保持台10裝設於工作台基台50，而實施加工動作亦即實施方式一之加工方法。如圖10所示，實施方式一之加工方法具備：汙染確認步驟1001、保持步驟1004、切割步驟1005及搬出步驟1006。
（汙染確認步驟） 圖11係例示在圖10所示之加工方法的汙染確認步驟所形成之攝像圖像之圖。汙染確認步驟1001為確認保持台10的汙染之步驟。在汙染確認步驟1001中，控制器100的控制部101控制移動單元40，將未保持封裝基板200之保持台10定位於攝影機30的下方，將保持面11整體分成多個區域並以攝影機30進行拍攝，例如形成圖11所例示之攝像圖像301。
在汙染確認步驟1001中，控制器100的判斷清洗部103係將基準圖像300與攝像圖像301進行比對，而判斷切割屑是否附著於保持面11，並確認保持台10的汙染。在實施方式一中，在汙染確認步驟1001中，控制器100的判斷清洗部103係將多張基準圖像300與多張攝像圖像301進行比對，而判斷保持台10的保持面11之中是否有汙染之處，亦即判斷是否確認到保持面11的汙染（步驟1002）。
在汙染確認步驟1001中，若控制器100的判斷清洗部103判斷保持台10的保持面11之中存在汙染之處，亦即判斷確認到保持面11的汙染（步驟1002：是），則前進至清洗步驟1003。並且，在汙染確認步驟1001中，若控制器100的判斷清洗部103判斷保持台10的保持面11之中無汙染之處，亦即判斷未確認到保持面11的汙染（步驟1002：否），則前進至保持步驟1004。
此外，例如，圖11所示之攝像圖像301包含在圖中以陰影所示之與基準圖像300的亮度的差超過預定值之像素。因此，在已形成圖11所例示之攝像圖像301之情形中，控制器100的判斷清洗部103判斷保持台10的保持面11之中存在汙染之處，亦即判斷確認到保持面11的汙染（步驟1002：是）。
（清洗步驟） 圖12係表示圖10所示之加工方法的清洗步驟的一例之剖面圖。清洗步驟1003係在汙染確認步驟1001確認到汙染之情形中將清洗液63供給至保持台10並清洗保持台10之步驟。
在清洗步驟1003中，控制器100的判斷清洗部103控制移動單元40，將清洗液供給噴嘴60定位於保持面11的附著有切割屑之處亦即保持台10的汙染之處的正上方。在清洗步驟1003中，如圖12所示，控制器100的判斷清洗部103從清洗液供給噴嘴60的噴射口61將清洗液63以預定時間供給至保持面11的汙染之處，去除保持面11的汙染之處的汙染並清洗保持面11的汙染之處。如此，在清洗步驟1003中，從安裝於刀片蓋24並與切割刀片21相鄰而配設之清洗液供給噴嘴60將清洗液63噴射至保持台10而清洗保持台10。
（保持步驟） 圖13係以局部剖面表示圖10所示之加工方法的保持步驟之側視圖。保持步驟1004係以保持台10保持封裝基板200之步驟。在保持步驟1004中，控制器100的控制部101控制移動單元40，使保持台10從攝影機30亦即切割單元20的下方撤離，將保持台10定位於從攝影機30亦即切割單元20的下方離開之位置。
在保持步驟1004中，例如藉由操作員等而將封裝基板200的密封樹脂211載置於保持台10的保持面11。在保持步驟1004中，如圖13所示，控制器100的控制部101開啟開關閥52而將封裝基板200吸引保持於保持面11。
（切割步驟） 圖14係以局部剖面表示圖10所示之加工方法的切割步驟之側視圖。切割步驟1005係以切割刀片21將被保持台10保持之封裝基板200沿著分割預定線206進行切割，而將封裝基板200分割成一個個封裝晶片201之步驟。
在切割步驟1005中，控制器100的控制部101控制移動單元40，使保持台10移動至攝影機30的下方為止，以攝影機30拍攝封裝基板200的標記212並執行對準，所述對準係進行切割刀片21與分割預定線206的對位。在切割步驟1005中，控制器100的控制部101控制各構成要素，並如圖14所示，一邊使保持台10與切割單元20的切割刀片21沿著分割預定線206相對地移動，一邊使切割刀片21切入封裝基板200直至入侵退刀槽12為止，而將分割預定線206進行切割。在切割步驟1005中，切割裝置1係將已吸引保持於保持台10之封裝基板200的全部分割預定線206進行切割，而將封裝基板200分割成一個個封裝晶片201。
（搬出步驟） 搬出步驟1006係在實施切割步驟1005之後，將從經分割之封裝基板200被分割成一個個之封裝晶片201從保持台10上搬出之步驟。在搬出步驟1006中，控制器100的控制部101控制搬出單元70，將被吸引保持於保持面11之封裝晶片201吸引保持於搬出單元70的下表面71。在搬出步驟1006中，控制器100的控制部101關閉開關閥52，停止保持面11的封裝晶片201的吸引保持。在搬出步驟1006中，控制器100的控制部101控制搬出單元70，將被吸引保持於下表面71之封裝晶片201從保持台10的保持面11搬出，結束切割裝置1的加工動作亦即加工方法。
如以上，實施方式一之加工方法具備：汙染確認步驟1001，其確認保持台10的保持面11的汙染；以及清洗步驟1003，其在汙染確認步驟1001確認到汙染之情形中，將清洗液63供給至保持台10的保持面11而清洗保持台10，實施方式一之加工方法因具備上述步驟，故在保持步驟1004中可利用經清洗之保持台10保持封裝基板200，且在切割步驟1005中可利用切割刀片21進行切割。
因此，實施方式一之加工方法中，可利用保持面11的汙染已被去除或汙染已減少之保持台10而吸引保持封裝基板200並進行切割，而可抑制切割期間的保持台10對於封裝基板200之吸引保持力的降低，並可抑制切割期間的封裝基板200及封裝晶片201的位置偏移。
其結果，實施方式一之加工方法可解決起因於汙染附著於保持台10之問題，而發揮可抑制加工不良之功效。
並且，實施方式一之切割裝置1，因實施前述之加工方法，故可解決起因於汙染附著於保持台10之問題，而可發揮抑制加工不良之功效。
此外，本發明不受限於上述實施方式一。亦即，在不背離本發明的精神之範圍內可進行各種變形並實施。
例如，在本發明中，亦可在實施清洗步驟1003之後，再次實施汙染確認步驟1001，並重複清洗步驟1003與汙染確認步驟1001直到可完全去除保持面11的汙染為止。
並且，在本發明中，亦可在汙染確認步驟1001中僅確認保持台10的保持面11的一部分有無汙染。
並且，在本發明中，亦可在清洗步驟1003中將清洗液63供給至保持台10的保持面11的整面，清洗保持面11整面。
1:切割裝置 10:保持台 12:退刀槽 13:吸引孔 21:切割刀片 30:攝影機 60:清洗液供給噴嘴 63:清洗液 100:控制器 200:封裝基板 206:分割預定線 301:攝像圖像 1001:汙染確認步驟 1003:清洗步驟 1004:保持步驟 1005:切割步驟 1006:搬出步驟
圖1係表示實施方式一之切割裝置的構成例之立體圖。 圖2係實施方式一之加工方法及切割裝置的加工對象的封裝基板的俯視圖。 圖3係圖2所示之封裝基板的側視圖。 圖4係圖2所示之封裝基板的背面側的俯視圖。 圖5係圖1所示之切割裝置的保持台的俯視圖。 圖6係沿著圖5中的VI-VI線之剖面圖。 圖7係放大表示圖5所示之保持台的主要部分之立體圖。 圖8係圖1所示之切割裝置的切割單元的前視圖。 圖9係表示圖1所示之切割裝置的控制器的記憶部所記憶之基準圖像的一例之圖。 圖10係表示實施方式一之加工方法的流程之流程圖。 圖11係例示在圖10所示之加工方法的汙染確認步驟所形成之攝像圖像之圖。 圖12係表示圖10所示之加工方法的清洗步驟的一例之剖面圖。 圖13係以局部剖面表示圖10所示之加工方法的保持步驟之側視圖。 圖14係以局部剖面表示圖10所示之加工方法的切割步驟之側視圖。
1001:汙染確認步驟
1002:是否確認到汙染？
1003:清洗步驟
1004:保持步驟
1005:切割步驟
1006:搬出步驟

Claims (5)

  1. 一種加工方法，其係設定有交叉之多條分割預定線之封裝基板的加工方法，且具備： 汙染確認步驟，其以攝影機拍攝保持台並確認該保持台的汙染，該保持台係在與該分割預定線對應之區域形成切割刀片的退刀槽，且在以該退刀槽所劃分之區域分別形成有吸引保持該封裝基板之吸引孔； 清洗步驟，其在該汙染確認步驟確認到汙染之情形中，將清洗液供給至該保持台而清洗該保持台； 保持步驟，其以該保持台保持該封裝基板；以及 切割步驟，其以切割刀片將被該保持台保持之該封裝基板沿著該分割預定線進行切割並分割。
  2. 如請求項1之加工方法，其中，具備搬出步驟，該搬出步驟係在實施該切割步驟之後，從該保持台上搬出經分割之該封裝基板。
  3. 如請求項1或2之加工方法，其中，在該清洗步驟中，從與該切割刀片相鄰而配設之清洗液供給噴嘴，將該清洗液噴射至該保持台而清洗該保持台。
  4. 如請求項1或2之加工方法，其中，該清洗液係由水與空氣的混合雙流體所構成。
  5. 一種切割裝置，其將設定有交叉之多條分割預定線之封裝基板進行切割，且具備： 保持台，其在與進行切割之該封裝基板的該分割預定線對應之區域形成切割刀片的退刀槽，且在以該退刀槽所劃分之區域分別形成有吸引保持該封裝基板之吸引孔； 切割刀片，其切割被該保持台保持之該封裝基板； 攝影機，其拍攝該保持台； 清洗液供給噴嘴，其將清洗液供給至該保持台；以及 控制器，其至少控制該清洗液供給噴嘴， 該控制器基於以該攝影機拍攝該保持台而形成之攝像圖像，確認該保持台的汙染，在確認到汙染之情形中，從該清洗液供給噴嘴將該清洗液供給至該保持台。
TW111144635A 2021-11-26 2022-11-22 加工方法及切割裝置 TW202322250A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-192283 2021-11-26
JP2021192283A JP2023078942A (ja) 2021-11-26 2021-11-26 加工方法及びダイシング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202322250A true TW202322250A (zh) 2023-06-01

Family

ID=86446851

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111144635A TW202322250A (zh) 2021-11-26 2022-11-22 加工方法及切割裝置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2023078942A (zh)
KR (1) KR20230078511A (zh)
CN (1) CN116190244A (zh)
TW (1) TW202322250A (zh)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6791581B2 (ja) 2016-11-11 2020-11-25 株式会社ディスコ パッケージ基板切断用治具テーブル

Also Published As

Publication number Publication date
CN116190244A (zh) 2023-05-30
KR20230078511A (ko) 2023-06-02
JP2023078942A (ja) 2023-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI763828B (zh) 水噴射加工裝置
JP2011108979A (ja) 被加工物の切削方法
TWI660823B (zh) Cutting device
JP2011020231A (ja) 切削装置
TW202101572A (zh) 切割裝置
US20200391410A1 (en) Cutting apparatus
JP6847525B2 (ja) 切削装置
KR102551970B1 (ko) 절삭 장치의 셋업 방법
JP7303635B2 (ja) ワークの保持方法及びワークの処理方法
TW202322250A (zh) 加工方法及切割裝置
JP7139051B2 (ja) 処理装置
CN116494124A (zh) 卡盘工作台和磨削装置
JP7542368B2 (ja) 保持テーブル及び保持方法
JP2006344630A (ja) 切削装置
CN110707017A (zh) 被加工物的干燥方法和切削装置
JP7542360B2 (ja) 切削装置
TW201907459A (zh) 切割刀片的安裝方法
JP7537877B2 (ja) 保持テーブル
JP5904848B2 (ja) 保護膜形成装置
JP7483369B2 (ja) 切削装置
JP2024071925A (ja) 撮像装置及び切削装置
JP2023028219A (ja) 加工装置
TW202117826A (zh) 切割裝置
JP2024073263A (ja) 加工装置
TW202228222A (zh) 檢查裝置及加工裝置