TWI761375B - 樹脂組成物、半導體用配線層積層體及半導體裝置 - Google Patents

樹脂組成物、半導體用配線層積層體及半導體裝置 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種具有良好的絕緣可靠性的配線層間絕緣層及半導體裝置、以及可較佳地形成該配線層間絕緣層的樹脂組成物。該樹脂組成物含有硬化性樹脂與硬化劑。由該樹脂組成物形成的配線層間絕緣層介隔存在於相鄰的銅配線之間，可抑制銅的自銅配線向配線層積層體的擴散。藉此，可抑制經由擴散的銅的銅配線彼此的短路，大幅度地提高配線層積層體的絕緣可靠性。

Description

樹脂組成物、半導體用配線層積層體及半導體裝置
本揭示是有關於一種樹脂組成物、半導體用配線層積層體及半導體裝置。
以半導體封裝的高密度化及高性能化為目的，提出將不同性能的晶片混載於一封裝的安裝形態。該情況下，成本方面優異的晶片間的高密度互連(interconnect)技術變得重要(例如，參照專利文獻1)。
於非專利文獻1及非專利文獻2中記載有藉由通過倒裝晶片(flip chip)安裝將不同的封裝積層於封裝上而連接的堆疊式封裝(PoP：Package on Package)的態樣。該PoP為可於智慧型手機、平板終端機等中廣泛採用的態樣。
作為用於以高密度安裝多個晶片的其他形態，提出：使用具有高密度配線的有機基板的封裝技術、具有模穿孔(TMV：Through Mold Via)的扇出型封裝技術(扇出型晶圓級封裝(FO-WLP：Fan Out-Wafer Level Package))、使用矽或玻璃中介層的封裝技術、使用矽貫通電極(TSV：Through Silicon Via)的封裝技術、將埋入至基板中的晶片用於晶片間傳送的封裝技術等。
特別是於半導體用配線層及FO-WLP中搭載半導體晶 片彼此的情況下，需要用於以高密度使該半導體晶片彼此導通的微細的配線層(例如，參照專利文獻2)。
[現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特表2012-529770號公報
[專利文獻2]美國專利申請公開第2011/0221071號說明書
[非專利文獻]
[非專利文獻1]Jinseong Kim et al.，「作為PoP基礎封裝的模穿孔(TMV)的應用(Application of Through Mold Via(TMV)as PoP Base Package)」，電子元件及技術會議(Electronic Components and Technology Conference，ECTC), p.1089-1092(2008)
[非專利文獻2]S.W. Yoon et al.，「使用嵌入式晶圓級PoP(eWLB-PoP)技術的高級薄型PoP解決方案(Advanced Low Profile PoP Solution with Embedded Wafer Level PoP(eWLB-PoP)Technology)」, ECTC, p.1250-1254 (2012)
有時於增層基板、晶圓級封裝(WLP)、扇出型PoP的底部封裝等中使用用以搭載多個半導體晶片的配線層(半導體用配線層)。 例如，於在該配線層內配置有具有5μm以下的線寬與空間寬的微細的配線的情況下，該配線可使用溝槽(trench)法來形成。所謂溝槽法，為利用鍍敷法等將成為配線的金屬層形成於利用雷射等 形成於有機絕緣層的表面的溝槽(槽)中的方法。因此，有機絕緣層上所形成的配線的形狀成為沿槽的形狀而成者。
於利用溝槽法在配線層內形成微細的配線時，為了實現低成本化且抑制配線電阻的上昇，例如有時可使用具有高導電性的銅。於形成銅配線的情況下，有時銅於有機絕緣層內擴散。該情況下，有銅配線彼此經由擴散的銅而發生短路的擔憂，配線層的絕緣可靠性成為課題。
本發明的目的在於提供一種具有良好的絕緣可靠性的配線層間絕緣層及半導體裝置、以及可較佳地形成該配線層間絕緣層的樹脂組成物。
本發明的一側面為一種樹脂組成物，其含有硬化性樹脂與硬化劑，且用於形成與銅配線相接的配線層間絕緣層。若由該樹脂組成物形成的配線層間絕緣層介隔存在於相鄰的銅配線之間，則可抑制銅的自銅配線向配線層積層體的擴散。因此，可抑制經由擴散的銅的銅配線彼此的短路，結果，可大幅度地提高配線層積層體的絕緣可靠性。
硬化性樹脂亦可具有至少兩個馬來醯亞胺基與二價烴基。烴基亦可包含具有碳數4以上的主鏈的鏈狀的伸烷基。烴基的碳數亦可為8以上。硬化性樹脂亦可具有含有至少兩個醯亞胺鍵的二價有機基。二價有機基亦可為下述式(I)所表示的基。
[化1]
Figure 106132990-A0305-02-0006-1
式中，R1表示四價有機基。
烴基亦可為下述式(II)所表示的基。
Figure 106132990-A0305-02-0006-2
式中，R2及R3分別獨立地表示伸烷基，R4及R5分別獨立地表示烷基。
硬化劑亦可包含光自由基聚合起始劑。樹脂組成物亦可進而含有具有(甲基)丙烯醯基的化合物，亦可進而含有偶合劑。
樹脂組成物亦可進而含有熱塑性樹脂。樹脂組成物的硬化物中的氯化物離子的濃度亦可為5ppm以下。樹脂組成物的硬化物的斷裂伸長率亦可為5%~200%。樹脂組成物的硬化物的40℃ 下的儲存彈性模數亦可為10MPa~5GPa。樹脂組成物的硬化物的玻璃轉移溫度亦可為120℃~240℃。樹脂組成物的硬化物的10GHz下的介電常數亦可為3.0以下。樹脂組成物的硬化物的10GHz下的介電損耗正切亦可為0.005以下。樹脂組成物的硬化物的5%重量減少溫度亦可為300℃以上。
樹脂組成物的硬化物在130℃、相對濕度85%的環境下放置200小時後的吸濕率亦可為1質量%以下。
本發明的另一側面為一種半導體用配線層積層體，其包括：多個配線層，包含有機絕緣層、設於有機絕緣層內的銅配線、及將銅配線與有機絕緣層分隔的障壁金屬膜；以及配線層間絕緣層，設於多個配線層之間；銅配線的表面的一部分於配線層的其中一或兩主面側露出，配線層間絕緣層與露出的銅配線的表面相接，配線層間絕緣層為在130℃、相對濕度85%的環境下放置200小時後的吸濕率成為1質量%以下的層。
配線層間絕緣層亦可為所述樹脂組成物的硬化物。有機絕緣層亦可為由感光性絕緣樹脂所形成的層。障壁金屬膜亦可包含選自由鈦、鎳、鈀、鉻、鉭、鎢、及金所組成的群組中的至少一種。施加10GHz時的配線層間絕緣層的介電常數亦可為3.0以下。施加10GHz時的配線層間絕緣層的介電損耗正切亦可為0.005以下。配線層間絕緣層的5%重量減少溫度亦可為300℃以上。
本發明的另一側面為一種半導體裝置，其包括：所述半導體用配線層積層體；以及半導體元件，與銅配線進行電性連接。
根據本發明，可提供一種具有良好的絕緣可靠性的配線層間絕緣層及半導體裝置、以及可較佳地形成該配線層間絕緣層的樹脂組成物。
1、11:基板
2A~2D:半導體晶片
3A、3B:填底膠
4:絕緣材料
5A、5B:電極
10:半導體用配線層積層體
13、14:銅配線
13A、14A:銅層
15:第1障壁金屬膜
16:第2障壁金屬膜
17:第1配線層間絕緣層
18:第2配線層間絕緣層
19:貫穿配線
19a:底部
19b:通孔內導電部
21:第1有機絕緣層
21a、53a:第1槽部
22:第2有機絕緣層
22a、53b:第2槽部
23:第3有機絕緣層
24:第4有機絕緣層
31:通孔
41:第1配線層
42:第2配線層
50:測定評價用試樣
51:矽晶圓
52、53、58:感光性絕緣樹脂膜
53c:第1連接部
53d:第2連接部
54:障壁金屬膜
55a:第1配線
55b:第2配線
55c:第1連接配線
55d:第2連接配線
57:配線層間絕緣層
61、62:資料
100:半導體封裝
L:線寬
S:空間寬
圖1為具有一實施形態的半導體用配線層積層體的半導體裝置的示意剖面圖。
圖2為一實施形態的半導體用配線層積層體的示意剖面圖。
圖3(a)~圖3(c)為對半導體用配線層積層體的製造方法進行說明的圖。
圖4(a)~圖4(b)為對半導體用配線層積層體的製造方法進行說明的圖。
圖5(a)~圖5(b)為對半導體用配線層積層體的製造方法進行說明的圖。
圖6(a)~圖6(b)為對半導體用配線層積層體的製造方法進行說明的圖。
圖7(a)~圖7(b)為對半導體用配線層積層體的製造方法進行說明的圖。
圖8(a)~圖8(b)為對半導體用配線層積層體的製造方法進行說明的圖。
圖9(a)~圖9(b)為對半導體用配線層積層體的製造方法 進行說明的圖。
圖10(a)~圖10(b)為對半導體用配線層積層體的製造方法進行說明的圖。
圖11(a)~圖11(b)為對半導體用配線層積層體的製造方法進行說明的圖。
圖12(a)~圖12(b)為對半導體用配線層積層體的製造方法進行說明的圖。
圖13(a)~圖13(b)為對半導體用配線層積層體的製造方法進行說明的圖。
圖14(a)為表示測定評價用試樣的平面圖，圖14(b)為沿圖14(a)的XIVb-XIVb線的剖面圖。
圖15為表示實施例3與比較例2的高加速度壽命試驗的結果的圖表。
圖16(a)表示實施例3的高加速度壽命試驗後的外觀照片，圖16(b)表示比較例2的高加速度壽命試驗後的外觀照片。
以下，參照圖式對本實施形態進行詳細說明。於以下的說明中，對相同或相當部分標註相同符號，並省略重複的說明。另外，上下左右等位置關係只要無特別說明，則設為基於圖式所示的位置關係者。進而，圖式的尺寸比率並不限於圖示的比率。
於在本說明書的記載及請求項中利用「左」、「右」、「正面」、「背面」、「上」、「下」、「上方」、「下方」、「第1」、「第2」等 用語的情況下，該些為意圖進行說明者，並非是指必須永久為該相對位置。另外，「層」及「膜」於以平面圖加以觀察時，除形成在整個面上的形狀的結構以外，亦包含形成在一部分上的形狀的結構。另外，「步驟」這一用語不僅是指獨立的步驟，即便於無法與其他步驟明確區分的情況下，只要達成該步驟的所期望的目的，則亦包含在本用語中。另外，使用「~」來表示的數值範圍表示包含「~」的前後所記載的數值分別作為最小值及最大值的範圍。另外，於在本說明書中階段性地記載的數值範圍中，某階段的數值範圍的上限值或下限值亦可置換為其他階段的數值範圍的上限值或下限值。
一實施形態的樹脂組成物含有硬化性樹脂與硬化劑。硬化性樹脂為藉由熱或光而硬化的化合物。即，該樹脂組成物為藉由光而硬化的光硬化性(感光性)樹脂組成物、或藉由熱而硬化的熱硬化性樹脂組成物。該樹脂組成物可較佳地用於形成與銅配線相接的配線層間絕緣層。本說明書中，銅配線是指至少含有銅的配線。銅配線可為僅包含銅的配線，亦可為除銅以外進而含有鎳、鈦、鈀等其他成分的配線。
硬化性樹脂於一實施形態(以下稱為「第1實施形態」)中，為具有至少兩個馬來醯亞胺基與二價烴基的馬來醯亞胺化合物(以下，亦簡稱為「馬來醯亞胺化合物」)。
馬來醯亞胺化合物例如具有至少兩個下述式(III)所表示的馬來醯亞胺基。
Figure 106132990-A0305-02-0011-3
馬來醯亞胺化合物例如為下述式(IV)所表示的化合物(雙馬來醯亞胺化合物)。
Figure 106132990-A0305-02-0011-4
式中，X為包含二價烴基的二價連結基。
X所表示的連結基中所含的二價烴基亦可為飽和烴基及不飽和烴基的任一種。二價烴基亦可為鏈狀及環狀的任一種，鏈狀的二價烴基亦可為直鏈狀及分支狀的任一種。環狀的不飽和烴基亦可為芳香族基。二價烴基亦可包含該些基的兩種以上。
就能夠提高樹脂組成物的可撓性、以及由樹脂組成物所製作的膜的操作性(黏性、破裂、掉粉等)及強度的觀點而言，二 價烴基較佳為包含鏈狀的烴基，更佳為包含具有碳數4以上的主鏈的鏈狀的伸烷基。
具有碳數4以上的主鏈的鏈狀的伸烷基是由-(CRaRb)m-表示(m表示4以上的整數，Ra及Rb分別獨立地表示氫原子或碳數未滿m的烷基)。該伸烷基的主鏈的碳數(m)較佳為4以上或6以上，且較佳為20以下、15以下或10以下。
就容易將馬來醯亞胺化合物的分子結構三維化，可增大聚合物的自由體積來實現低密度化、即低介電常數化的觀點而言，二價烴基的碳數較佳為8以上、10以上或15以上，且較佳為300以下、250以下、200以下、100以下、70以下或50以下。就相同的觀點而言，二價烴基的碳數較佳亦可為8~300、8~250、8~200、或8~100。二價烴基較佳為碳數8~300、8~250、8~200或8~100的亦可具有分支的伸烷基，更佳為碳數10~70的亦可具有分支的伸烷基，進而佳為碳數15~50的亦可具有分支的伸烷基。
於一實施形態中，就更有效地提高高頻特性及耐高加速溫度濕度應力測試(Highly Accelerated temperature and humidity Stress Test，HAST)性的觀點而言，二價烴基為下述式(II)所表示的基。
[化5]
Figure 106132990-A0305-02-0013-5
式中，R2及R3分別獨立地表示伸烷基，R4及R5分別獨立地表示烷基。
就柔軟性的進一步提高及合成的容易性的觀點而言，R2及R3所表示的伸烷基的碳數較佳為4~50，更佳為5~25，進而佳為6~10，特佳為7~10。R2及R3所表示的伸烷基較佳為所述具有碳數4以上的主鏈的鏈狀的伸烷基。
就柔軟性的進一步提高及合成的容易性的觀點而言，R4所表示的烷基的碳數較佳為4~50，更佳為5~25，進而佳為6~10，特佳為7~10。就柔軟性的進一步提高及合成的容易性的觀點而言，R5所表示的烷基的碳數較佳為2~50，更佳為3~25，進而佳為4~10，特佳為5~8。
就更有效地提高高頻特性及伸長率的觀點而言，馬來醯亞胺化合物較佳為具有多個二價烴基。該情況下，多個二價烴基可相互相同亦可不同。馬來醯亞胺化合物較佳為具有2個~40個、更佳為具有2個~20個、進而佳為具有2個~10個的二價烴基。
二價烴基例如亦可為伸壬基、伸癸基、伸十一烷基、伸十二烷基、伸十四烷基、伸十六烷基、伸十八烷基、伸十九烷基、伸二十烷基、伸二十一烷基、伸二十二烷基、伸二十三烷基、伸二 十四烷基、伸二十五烷基、伸二十六烷基、伸二十七烷基、伸二十八烷基、伸二十九烷基、伸三十烷基等伸烷基；亞苄基、伸苯基、伸萘基等伸芳基；伸苯基亞甲基、伸苯基伸乙基、苄基伸丙基、伸萘基亞甲基、伸萘基伸乙基等伸芳基伸烷基；伸苯基二亞甲基、伸苯基二伸乙基等伸芳基二伸烷基等。
X所表示的連結基可僅包含所述二價烴基，除所述二價烴基以外亦可包含其他有機基。其他有機基例如為具有至少兩個醯亞胺鍵的二價有機基。
具有至少兩個醯亞胺鍵的二價有機基例如亦可為下述式(I)所表示的基。
Figure 106132990-A0305-02-0014-6
式中，R1表示四價有機基。
就操作性的觀點而言，R1所表示的四價有機基例如亦可為烴基。該烴基的碳數例如亦可為1~100、2~50或4~30。
該烴基亦可進行取代，例如亦可包含經取代或未經取代的矽氧烷基。矽氧烷基例如可列舉源自二甲基矽氧烷、甲基苯基矽 氧烷、二苯基矽氧烷等的基。
取代基例如亦可為烷基、烯基、炔基、羥基、烷氧基、巰基、環烷基、經取代的環烷基、雜環基、經取代的雜環基、芳基、經取代的芳基、雜芳基、經取代的雜芳基、芳氧基、經取代的芳氧基、鹵素原子、鹵代烷基、氰基、硝基、亞硝基、胺基、醯胺基、-C(O)H、-C(O)-、-S-、-S(O)2-、-OC(O)-O-、-C(O)-NRc、-NRcC(O)-N(Rc)2、-OC(O)-N(Rc)2、醯基、氧基醯基、羧基、胺甲酸酯基、磺醯基、磺醯胺基、硫醯基等。此處，Rc表示氫原子或烷基。該些取代基可根據目的、用途等而選擇一種或兩種以上。
R1所表示的四價有機基例如亦可為於一分子中具有兩個以上酐環的酸酐的四價殘基，亦即自酸酐中去除兩個酸酐基(-CO(=O)OC(=O)-)而成的四價基。酸酐可例示如後述的化合物。
就高頻特性優異的觀點而言，R1所表示的有機基較佳為四價芳香族基，更佳為自均苯四甲酸二酐去除兩個酸酐基而成的殘基。具有至少兩個醯亞胺鍵的二價有機基較佳為下述式(V)所表示的基。
Figure 106132990-A0305-02-0015-7
就介電特性優異的觀點而言，具有至少兩個醯亞胺鍵的二價有機基亦可為下述式(VI)或(VII)所表示的基。
Figure 106132990-A0305-02-0016-8
Figure 106132990-A0305-02-0016-9
就高頻特性優異、樹脂組成物進而含有其他樹脂(特別是高分子量的熱塑性彈性體樹脂)的情況下與其他樹脂的相容性優異的觀點而言，馬來醯亞胺化合物較佳為含有多個具有至少兩個醯亞胺鍵的二價有機基。該情況下，多個該二價有機基可相互相同亦可不同。馬來醯亞胺化合物較佳為具有2個~40個、更佳為具有2個~20個、進而佳為具有2個~10個該二價有機基。
更具體而言，馬來醯亞胺化合物於一實施形態中例如可為下述式(VIII)所表示的化合物，亦可為下述式(IX)所表示的 化合物。
Figure 106132990-A0305-02-0017-10
Figure 106132990-A0305-02-0017-11
式中，Z1、Z2及Z3分別獨立地表示所述二價烴基，R1的含義與式(I)中的R1相同，n表示1~10的整數。於n為2以上的情況下，多個Z3可相互相同亦可不同。
馬來醯亞胺化合物例如能夠購入市售品來使用。市售品例如可列舉作為式(VIII)所表示的馬來醯亞胺化合物的BMI-TMH、BMI-1000、BMI-1000H、BMI-1100、BMI-1100H、BMI-2000、BMI-2300、BMI-3000、BMI-3000H、BMI-4000、BMI-5100、BMI-7000、BMI-7000H(均為商品名，大和化成工業股份有限公司製造)，BMI、BMI-70、BMI-80(均為商品名，KI化成股份有限公司製造)等。 市售品例如可列舉作為式(IX)所表示的馬來醯亞胺化合物的BMI-1500、BMI-1700、BMI-3000、BMI-5000及BMI-9000(均為商品名，設計者分子股份有限公司(Designer Molecules Inc.)(DMI)製造)等。
馬來醯亞胺化合物的分子量並無特別限定。馬來醯亞胺化合物的重量平均分子量Mw亦可為1000以上、1500以上或3000以上，且亦可為30000以下、20000以下或15000以下。就相對於溶劑的溶解性、及與單體、樹脂等其他成分的相容性的觀點而言，馬來醯亞胺化合物的重量平均分子量Mw較佳為1000~30000，更佳為1500~20000。
馬來醯亞胺化合物的重量平均分子量Mw可利用凝膠滲透層析(Gel Permeation Chromatography，GPC)法來測定。GPC的測定條件如以下般。
泵：L-6200型[日立高新技術股份有限公司製造]
檢測器：L-3300型RI[日立高新技術股份有限公司製造]
管柱烘箱：L-655A-52[日立高新技術股份有限公司製造]
保護管柱及管柱：TSK保護管柱(Guard column)HHR-L+TSKgel G4000HHR+TSKgel G2000HHR[均由東曹股份有限公司製造、商品名]
管柱尺寸：6.0mm×40mm(保護管柱)、7.8mm×300mm(管柱)
溶離液：四氫呋喃
試樣濃度：30mg/5mL
注入量：20μL
測定溫度：40℃
以樹脂組成物中的固體成分總量為基準，馬來醯亞胺化合物的含量例如亦可為50質量%以上、65質量%以上、或80質量%以上，且亦可為99質量%以下、95質量%以下、或90質量%以下。
第1實施形態的硬化劑亦可包含光自由基聚合起始劑。即，樹脂組成物於一實施形態中含有馬來醯亞胺化合物與光自由基聚合起始劑。
光自由基聚合起始劑例如亦可為苯烷基酮系光自由基聚合起始劑、醯基氧化膦系光自由基聚合起始劑等。
苯烷基酮系光自由基聚合起始劑例如可作為巴斯夫(BASF)公司製造的豔佳固(Irgacure)651、豔佳固(Irgacure)184、達羅卡(DAROCURE)1173、豔佳固(Irgacure)2959、豔佳固(Irgacure)127、達羅卡(DAROCURE)MBF、豔佳固(Irgacure)907、豔佳固(Irgacure)369、豔佳固(Irgacure)379EG等而購入。醯基氧化膦系光自由基聚合起始劑可作為巴斯夫(BASF)公司製造的豔佳固(Irgacure)819、路西林(LUCIRIN)TPO等而購入。
光自由基聚合起始劑亦可為可作為巴斯夫(BASF)公司製造的豔佳固(Irgacure)784、豔佳固(Irgacure)OXE01、豔佳固(Irgacure)OXE02、豔佳固(Irgacure)754等而購入的其他光 自由基聚合起始劑。
就感度高的觀點而言，光自由基聚合起始劑可較佳地使用豔佳固(Irgacure)907、豔佳固(Irgacure)369、豔佳固(Irgacure)379EG、豔佳固(Irgacure)OXE01、豔佳固(Irgacure)OXE02，就相對於溶劑的溶解性的觀點而言，可更佳地使用豔佳固(Irgacure)907、豔佳固(Irgacure)379EG、豔佳固(Irgacure)OXE02。該些光自由基聚合起始劑根據目的、用途等，可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
相對於硬化性樹脂100質量份，就使硬化性樹脂充分地進行硬化的觀點而言，光自由基聚合起始劑的含量較佳為0.1質量份~10質量份，就未反應物進而難以殘存的觀點而言，更佳為1質量份~6質量份。
第1實施形態的樹脂組成物亦可進而含有具有(甲基)丙烯醯基的化合物(以下亦稱為「(甲基)丙烯醯基化合物」)。即，樹脂組成物於一實施形態中含有馬來醯亞胺化合物、(甲基)丙烯醯基化合物、及硬化劑(光自由基聚合起始劑)。再者，將後述的具有(甲基)丙烯醯基的偶合劑設為不包含於(甲基)丙烯醯基化合物中。
(甲基)丙烯醯基化合物例如亦可為三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化乙氧基化雙酚A(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇聚(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化異三聚氰酸三(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、具有(甲基)丙烯醯基的倍半矽氧烷衍生物等。
就耐熱性優異的觀點而言，(甲基)丙烯醯基化合物較佳為三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化雙酚A二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化乙氧基化雙酚A(甲基)丙烯酸酯、或具有(甲基)丙烯醯基的倍半矽氧烷衍生物，就與馬來醯亞胺化合物的相容性優異的觀點而言，更佳為三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯。
於將馬來醯亞胺化合物與(甲基)丙烯醯基化合物的合計設為100質量份時，(甲基)丙烯醯基化合物的含量較佳為0.1質量份~98質量份，就可獲得良好的伸長率的觀點而言，更佳為2質量份~50質量份，就可兼顧高頻性與微細配線形成性的觀點而言，進而佳為5質量份~40質量份。
第1實施形態的樹脂組成物亦可進而含有偶合劑。即，樹脂組成物於一實施形態中，含有馬來醯亞胺化合物、硬化劑(光自由基聚合起始劑)、及偶合劑，於另一實施形態中，含有馬來醯亞胺化合物、(甲基)丙烯醯基化合物、硬化劑(光自由基聚合起始劑)、及偶合劑。
偶合劑例如亦可為矽烷偶合劑。矽烷偶合劑例如亦可具有乙烯基、環氧基、苯乙烯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、胺基、脲基、異氰酸酯基、異三聚氰酸酯基、巰基等。
作為具有乙烯基的矽烷偶合劑，可列舉KBM-1003、KBE-1003(均為商品名，信越化學工業股份有限公司製造。以下相同)等。作為具有環氧基的矽烷偶合劑，可列舉KBM-303、402、403、KBE-402、403、X-12-981S、X-12-984S等。作為具有苯乙烯 基的矽烷偶合劑，可列舉KBM-1403等。作為具有甲基丙烯醯基的矽烷偶合劑，可列舉KBM-502、KBM-503、KBE-502、KBE-503等。作為具有丙烯醯基的矽烷偶合劑，可列舉KBM-5103、X-12-1048、X-12-1050等。作為具有胺基的矽烷偶合劑，可列舉KBM-602、KBM-603、KBM-903、KBM-573、KBM-575、KBE-903、KBE-9103P、X-12-972F等。作為具有脲基的矽烷偶合劑，可列舉KBE-585等。作為具有異氰酸酯基的矽烷偶合劑，可列舉KBE-9007、X-12-1159L等。作為具有異三聚氰酸酯基的矽烷偶合劑，可列舉KBM-9659等。作為具有巰基的矽烷偶合劑，可列舉KBM-802、KBM-803、X-12-1154、X-12-1156等。該些根據目的、用途等，可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
相對於硬化性樹脂100質量份，就提高與玻璃、二氧化矽等的密接性的觀點而言，矽烷偶合劑的含量較佳為0.01質量份~5質量份，就未反應物進而難以殘存的觀點而言，更佳為0.1質量份~2質量份。
第1實施形態的樹脂組成物除馬來醯亞胺化合物以外，亦可進而含有熱硬化性樹脂作為硬化性樹脂。作為熱硬化性樹脂，例如可列舉：環氧樹脂、苯酚樹脂、氰酸酯樹脂、異氰酸酯樹脂、苯并噁嗪樹脂、氧雜環丁烷樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、烯丙基樹脂、二環戊二烯樹脂、矽酮樹脂、三嗪樹脂、三聚氰胺樹脂等。該些可單獨使用一種，亦可混合使用兩種以上。就耐熱性及電氣絕緣性的觀點而言，熱硬化性樹脂較佳為環氧樹脂或氰酸酯樹 脂。
作為環氧樹脂，例如可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚F酚醛清漆型環氧樹脂、二苯乙烯型環氧樹脂、含三嗪骨架的環氧樹脂、含茀骨架的環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、伸二甲苯基型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、多官能酚類及蒽等多環芳香族類的二縮水甘油醚化合物以及向該些中導入磷化合物而成的含磷環氧樹脂等。就耐熱性及阻燃性的方面而言，環氧樹脂為聯苯芳烷基型環氧樹脂或萘型環氧樹脂。該些可單獨使用一種，亦可混合使用兩種以上。
作為氰酸酯樹脂，例如可列舉：酚醛清漆型氰酸酯樹脂、雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚E型氰酸酯樹脂、四甲基雙酚F型氰酸酯樹脂等雙酚型氰酸酯樹脂及該些的一部分進行三嗪化而成的預聚物等。該些亦可單獨使用一種或者混合使用兩種以上。就耐熱性及阻燃性的觀點而言，氰酸酯樹脂較佳為酚醛清漆型氰酸酯樹脂。
第1實施形態的樹脂組成物除光自由基聚合起始劑以外，亦可進而含有其他硬化劑作為硬化劑。作為其他硬化劑，例如可列舉：二氰二胺、4,4'-二胺基二苯基甲烷、4,4'-二胺基-3,3'-二乙基-二苯基甲烷、4,4'-二胺基二苯基碸、苯二胺、二甲苯二胺等芳香族 胺化合物，六亞甲基二胺、2,5-二甲基六亞甲基二胺等脂肪族胺化合物，三聚氰胺、苯并胍胺等胍胺化合物等。就可獲得良好的反應性及耐熱性的觀點而言，其他硬化劑較佳為芳香族胺化合物。
於樹脂組成物含有氰酸酯樹脂的情況下，樹脂組成物例如亦可進而含有苯酚酚醛清漆、甲酚酚醛清漆、胺基三嗪酚醛清漆樹脂等多官能酚化合物、鄰苯二甲酸酐、均苯四甲酸二酐、馬來酸酐、馬來酸酐共聚物等酸酐等作為硬化劑。該些可單獨使用一種或者混合使用兩種以上。
第1實施形態的樹脂組成物亦可進而含有熱塑性彈性體。作為熱塑性彈性體，例如可列舉：苯乙烯系彈性體、烯烴系彈性體、胺基甲酸酯系彈性體、聚酯系彈性體、聚醯胺系彈性體、丙烯酸系彈性體、矽酮系彈性體、該些的衍生物等。熱塑性彈性體包含硬區段成分與軟區段成分，一般而言前者有助於耐熱性及強度，後者有助於柔軟性及強韌性。就進一步提高耐熱性及絕緣可靠性的觀點而言，熱塑性彈性體較佳為苯乙烯系彈性體、烯烴系彈性體、聚醯胺系彈性體、或矽酮系彈性體。該些可單獨使用一種或者混合使用兩種以上。
作為熱塑性彈性體，可使用在分子末端或分子鏈中具有反應性官能基者。作為反應性官能基，例如可列舉：環氧基、羥基、羧基、胺基、醯胺基、異氰酸基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、乙烯基等。熱塑性彈性體藉由於分子末端或分子鏈中具有該些反應性官能基，可提高對於硬化性樹脂的相容性，可更有效地減少於樹脂 組成物硬化時所產生的內部應力，結果，可顯著地減少基板的翹曲。就與金屬的密接性的觀點而言，該反應性官能基較佳為環氧基、羥基、羧基、胺基或醯胺基，就進一步提高耐熱性及絕緣可靠性的觀點而言，更佳為環氧基、羥基或胺基。
就有效地表現出硬化物的低收縮性、低熱膨脹性的觀點而言，相對於樹脂組成物中的固體成分總量100質量份，熱塑性彈性體的含量較佳為0.1質量份~50質量份，更佳為2質量份~30質量份。
樹脂組成物於一實施形態(以下亦稱為「第2實施形態」)中，除硬化性樹脂及硬化劑以外，進而含有熱塑性樹脂。該情況下，硬化性樹脂較佳為熱硬化性樹脂。即，第2實施形態的樹脂組成物含有熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂、及硬化劑。
熱塑性樹脂只要為藉由加熱而軟化的樹脂，則並無特別限定。熱塑性樹脂亦可於分子末端或分子鏈中具有反應性官能基。作為反應性官能基，例如可列舉：環氧基、羥基、羧基、胺基、醯胺基、異氰酸基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、乙烯基、馬來酸酐基等。
熱塑性樹脂就可抑制其吸濕性及介電常數的觀點而言，例如包含具有矽氧烷鏈的樹脂。作為具有矽氧烷鏈的熱塑性樹脂，例如可列舉：含矽氧烷的丙烯酸樹脂、含矽氧烷的聚醯胺樹脂、含矽氧烷的聚醯亞胺、含矽氧烷的聚胺基甲酸酯、矽氧烷改質丙烯酸酯、矽氧烷改質環氧樹脂、矽酮樹脂、或矽酮二胺等。就抑制加熱 時的逸氣、以及提高配線層間絕緣層的耐熱性及接著性的觀點而言，具有矽氧烷鏈的熱塑性樹脂較佳為具有矽氧烷鏈的聚醯亞胺(含矽氧烷的聚醯亞胺)。
含矽氧烷的聚醯亞胺例如可藉由矽氧烷二胺與四羧酸二酐的反應、或矽氧烷二胺與雙馬來醯亞胺的反應而合成。
矽氧烷二胺較佳為包含下述式(5)所表示的結構。
Figure 106132990-A0305-02-0026-12
式中，Q4及Q9分別獨立地表示碳數1~5的伸烷基或可具有取代基的伸苯基，Q5、Q6、Q7及Q8分別獨立地表示碳數1~5的烷基、苯基或苯氧基，d表示1~5的整數。
作為式(5)中的d為1的矽氧烷二胺，可列舉：1,1,3,3-四甲基-1,3-雙(4-胺基苯基)二矽氧烷、1,1,3,3-四苯氧基-1,3-雙(4-胺基乙基)二矽氧烷、1,1,3,3-四苯基-1,3-雙(2-胺基乙基)二矽氧烷、1,1,3,3-四苯基-1,3-雙(3-胺基丙基)二矽氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-雙(2-胺基乙基)二矽氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-雙(3-胺基丙基)二矽氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-雙(3-胺基丁基)二矽氧烷、1,3-二甲基-1,3-二甲氧基-1,3-雙(4-胺基丁基)二矽氧烷等。
作為式(5)中的d為2的矽氧烷二胺，可列舉：1,1,3,3,5,5-六甲基-1,5-雙(4-胺基苯基)三矽氧烷、1,1,5,5-四苯基-3,3-二甲基-1,5-雙(3-胺基丙基)三矽氧烷、1,1,5,5-四苯基-3,3-二甲氧基-1,5-雙(4-胺基丁基)三矽氧烷、1,1,5,5-四苯基-3,3-二甲氧基-1,5-雙(5-胺基戊基)三矽氧烷、1,1,5,5-四甲基-3,3-二甲氧基-1,5-雙(2-胺基乙基)三矽氧烷、1,1,5,5-四甲基-3,3-二甲氧基-1,5-雙(4-胺基丁基)三矽氧烷、1,1,5,5-四甲基-3,3-二甲氧基-1,5-雙(5-胺基戊基)三矽氧烷、1,1,3,3,5,5-六甲基-1,5-雙(3-胺基丙基)三矽氧烷、1,1,3,3,5,5-六乙基-1,5-雙(3-胺基丙基)三矽氧烷、1,1,3,3,5,5-六丙基-1,5-雙(3-胺基丙基)三矽氧烷等。
作為矽氧烷二胺的市售品，例如可列舉：於兩末端具有胺基的「PAM-E」(胺基當量：130g/mol)、「KF-8010」(胺基當量：430g/mol)、「X-22-161A」(胺基當量：800g/mol)、「X-22-161B」(胺基當量：1500g/mol)、「KF-8012」(胺基當量：2200g/mol)、「KF-8008」(胺基當量：5700g/mol)、「X-22-9409」(胺基當量：700g/mol，側鏈苯基型)、「X-22-1660B-3」(胺基當量：2200g/mol，側鏈苯基型)(以上由信越化學工業股份有限公司製造)，「BY-16-853U」(胺基當量：460g/mol)、「BY-16-853」(胺基當量：650g/mol)、「BY-16-853B」(胺基當量：2200g/mol)(以上由東麗道康寧股份有限公司製造)等。所述矽氧烷二胺可單獨使用一種，亦可混合使用兩種以上。就與馬來醯亞胺基的反應性的觀點而言，較佳為使用「PAM-E」、「KF-8010」、「X-22-161A」、「X-22-161B」、「BY-16-853U」、 及「BY-16-853」的至少任一者。就介電特性的觀點而言，更佳為使用「PAM-E」、「KF-8010」、「X-22-161A」、「BY-16-853U」、及「BY-16-853」的至少任一者。就清漆的相容性的觀點而言，較佳為使用「KF-8010」、「X-22-161A」、及「BY-16-853」的至少任一者。
含矽氧烷的聚醯亞胺中的矽氧烷成分的含量並無特別限定，就反應性及相容性的觀點而言，相對於聚醯亞胺的總質量，例如為5質量%~50質量%，就耐熱性的觀點而言，較佳為5質量%~30質量%，就可進一步減少配線層間絕緣層的吸濕率的觀點而言，更佳為10質量%~30質量%。
用作聚醯亞胺的原料的其他二胺成分並無特別限制，例如可列舉：鄰苯二胺、間苯二胺、對苯二胺、3,3'-二胺基二苯醚、3,4'-二胺基二苯醚、4,4'-二胺基二苯醚、3,3'-二胺基二苯基甲烷、3,4'-二胺基二苯基甲烷、4,4'-二胺基二苯醚甲烷、雙(4-胺基-3,5-二甲基苯基)甲烷、雙(4-胺基-3,5-二異丙基苯基)甲烷、3,3'-二胺基二苯基二氟甲烷、3,4'-二胺基二苯基二氟甲烷、4,4'-二胺基二苯基二氟甲烷、3,3'-二胺基二苯基碸、3,4'-二胺基二苯基碸、4,4'-二胺基二苯基碸、3,3'-二胺基二苯基硫醚、3,4'-二胺基二苯基硫醚、4,4'-二胺基二苯基硫醚、3,3'-二胺基二苯基酮、3,4'-二胺基二苯基酮、4,4'-二胺基二苯基酮、2,2-雙(3-胺基苯基)丙烷、2,2'-(3,4'-二胺基二苯基)丙烷、2,2-雙(4-胺基苯基)丙烷、2,2-雙(3-胺基苯基)六氟丙烷、2,2-(3,4'-二胺基二苯基)六氟丙烷、2,2-雙(4-胺基苯基)六氟丙烷、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(4- 胺基苯氧基)苯、3,3'-(1,4-伸苯基雙(1-甲基亞乙基))雙苯胺、3,4'-(1,4-伸苯基雙(1-甲基亞乙基))雙苯胺、4,4'-(1,4-伸苯基雙(1-甲基亞乙基))雙苯胺、2,2-雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)六氟丙烷、2,2-雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)六氟丙烷、雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)硫醚、雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)硫醚、雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)碸、雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)碸、3,3'-二羥基-4,4'-二胺基聯苯、3,5-二胺基苯甲酸等芳香族二胺、1,3-雙(胺基甲基)環己烷、2,2-雙(4-胺基苯氧基苯基)丙烷、下述式(4)所表示的脂肪族醚二胺、下述式(11)所表示的脂肪族二胺、於分子中具有羧基及/或羥基的二胺等。
Figure 106132990-A0305-02-0029-13
式中，Q1、Q2及Q3分別獨立地表示碳數1~10的伸烷基，b表示2~80的整數。
Figure 106132990-A0305-02-0029-14
式中，c表示5~20的整數。
作為式(4)所表示的脂肪族醚二胺，例如可列舉下述式：
Figure 106132990-A0305-02-0030-15
(式中，n表示1以上的整數。)
所表示的脂肪族二胺、下述式(12)所表示的脂肪族醚二胺等。
Figure 106132990-A0305-02-0030-16
式中，e表示0~80的整數。
作為式(11)所表示的脂肪族二胺的具體例，可列舉：1,2-二胺基乙烷、1,3-二胺基丙烷、1,4-二胺基丁烷、1,5-二胺基戊烷、1,6-二胺基己烷、1,7-二胺基庚烷、1,8-二胺基辛烷、1,9-二胺基壬烷、1,10-二胺基癸烷、1,11-二胺基十一烷、1,12-二胺基十二烷、1,2-二胺基環己烷等。
所述二胺成分可單獨使用一種，亦可混合使用兩種以上。
作為聚醯亞胺的原料，例如亦可使用四羧酸二酐。酸酐 並無特別限制，例如可列舉：均苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐、2,2',3,3'-聯苯四羧酸二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)丙烷二酐、1,1-雙(2,3-二羧基苯基)乙烷二酐、1,1-雙(3,4-二羧基苯基)乙烷二酐、雙(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)碸二酐、3,4,9,10-苝四羧酸二酐、雙(3,4-二羧基苯基)醚二酐、苯-1,2,3,4-四羧酸二酐、3,4,3',4'-二苯甲酮四羧酸二酐、2,3,2',3'-二苯甲酮四羧酸二酐、3,3,3',4'-二苯甲酮四羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、1,2,4,5-萘四羧酸二酐、2,6-二氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,7-二氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,3,6,7-四氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、菲-1,8,9,10-四羧酸二酐、吡嗪-2,3,5,6-四羧酸二酐、噻吩-2,3,5,6-四羧酸二酐、2,3,3',4'-聯苯四羧酸二酐、3,4,3',4'-聯苯四羧酸二酐、2,3,2',3'-聯苯四羧酸二酐、雙(3,4-二羧基苯基)二甲基矽烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲基苯基矽烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)二苯基矽烷二酐、1,4-雙(3,4-二羧基苯基二甲基矽烷基)苯二酐、1,3-雙(3,4-二羧基苯基)-1,1,3,3-四甲基二環己烷二酐、對苯雙(偏苯三酸酐)、伸乙基四羧酸二酐、1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐、十氫萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、4,8-二甲基-1,2,3,5,6,7-六氫萘-1,2,5,6-四羧酸二酐、環戊烷-1,2,3,4-四羧酸二酐、吡咯啶-2,3,4,5-四羧酸二酐、1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、雙(外-雙環[2.2.1]庚烷-2,3-二羧酸)二酐、雙環-[2.2.2]-辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙[4-(3,4-二羧基 苯基)苯基]丙烷二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐、2,2-雙[4-(3,4-二羧基苯基)苯基]六氟丙烷二酐、4,4'-雙(3,4-二羧基苯氧基)二苯基硫醚二酐、1,4-雙(2-羥基六氟異丙基)苯雙(偏苯三甲酸酐)、1,3-雙(2-羥基六氟異丙基)苯雙(偏苯三甲酸酐)、5-(2,5-二氧代四氫呋喃基)-3-甲基-3-環己烯-1,2-二羧酸二酐、四氫呋喃-2,3,4,5-四羧酸二酐、下述式(7)所表示的四羧酸二酐等。
Figure 106132990-A0305-02-0032-17
式中，a表示2~20的整數。
式(7)所表示的四羧酸二酐例如可由一氯化偏苯三甲酸酐及相對應的二醇來合成。作為式(7)所表示的四羧酸二酐的具體例，可列舉：1,2-(伸乙基)雙(偏苯三酸酐)、1,3-(三亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,4-(四亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,5-(五亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,6-(六亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,7-(七亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,8-(八亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,9-(九亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,10-(十亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,12-(十二亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,16-(十六亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,18-(十八亞甲基)雙(偏苯三酸酐)等。
就賦予樹脂組成物中的相對於溶劑的良好的溶解性及耐濕可靠性的觀點而言，四羧酸二酐亦可包含下述式(6)或式(8)所表示的四羧酸二酐。
Figure 106132990-A0305-02-0033-18
Figure 106132990-A0305-02-0033-19
以上般的四羧酸二酐可單獨使用一種，亦可混合使用兩種以上。
作為聚醯亞胺的原料，例如亦可使用雙馬來醯亞胺。雙馬來醯亞胺並無特別限定，例如可列舉：雙(4-馬來醯亞胺苯基)甲烷、聚苯基甲烷馬來醯亞胺、雙(4-馬來醯亞胺苯基)醚、雙(4-馬來醯亞胺苯基)碸、3,3-二甲基-5,5-二乙基-4,4-二苯基甲烷雙馬來醯亞胺、4-甲基-1,3-伸苯基雙馬來醯亞胺、間苯雙馬來醯亞胺、2,2-雙(4-(4-馬來醯亞胺苯氧基)苯基)丙烷等。
以上般的雙馬來醯亞胺可單獨使用一種，亦可混合使用兩種以上。就反應性高、可進一步提高介電特性及配線性的觀點而言，雙馬來醯亞胺較佳為雙(4-馬來醯亞胺苯基)甲烷、雙(4-馬來醯亞胺苯基)碸、3,3-二甲基-5,5-二乙基-4,4-二苯基甲烷雙馬來醯亞胺、及2,2-雙(4-(4-馬來醯亞胺苯氧基)苯基)丙烷的至少任一者。就於溶劑中的溶解性的觀點而言，雙馬來醯亞胺較佳為3,3-二甲基-5,5-二乙基-4,4-二苯基甲烷雙馬來醯亞胺、雙(4-馬來醯亞胺苯基)甲烷、及2,2-雙(4-(4-馬來醯亞胺苯氧基)苯基)丙烷的至少任一者。就廉價的觀點而言，雙馬來醯亞胺較佳為雙(4-馬來醯亞胺苯基)甲烷。就配線性的觀點而言，雙馬來醯亞胺較佳為2,2-雙(4-(4-馬來醯亞胺苯氧基)苯基)丙烷、或設計者分子股份有限公司(Designer Molecules Inc.)製造的「BMI-3000」(商品名)。
以樹脂組成物的質量(其中，除填料以外)為基準，熱塑性樹脂的含量亦可為10質量%~70質量%。
熱硬化性樹脂只要為藉由加熱而與硬化劑反應來使樹脂組成物硬化者，則並無特別限定。熱硬化性樹脂亦可於分子末端或分子鏈中具有反應性官能基。作為反應性官能基，例如可列舉：環氧基、羥基、羧基、胺基、醯胺基、異氰酸酯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、乙烯基、馬來酸酐基等。
熱硬化性樹脂較佳為選自苯乙烯系彈性體、烯烴系彈性體、胺基甲酸酯系彈性體、聚酯系彈性體、聚醯胺系彈性體、丙烯酸系彈性體及矽酮系彈性體中的熱硬化性彈性體。該些熱硬化性 彈性體包含硬區段成分及軟區段成分。一般而言，前者有助於樹脂的耐熱性及強度，後者有助於樹脂的柔軟性及強韌性。熱硬化性彈性體可單獨使用一種，亦可混合使用兩種以上。就進一步提高配線層間絕緣層的耐熱性及絕緣可靠性的觀點而言，熱硬化性彈性體較佳為苯乙烯系彈性體、烯烴系彈性體、聚醯胺系彈性體、及矽酮系彈性體的至少任一者，就配線層間絕緣層的介電特性的觀點而言，更佳為苯乙烯系彈性體及烯烴系彈性體的至少任一者。
熱硬化性彈性體亦可於分子末端或分子鏈中具有反應性官能基。作為反應性官能基，例如可列舉：環氧基、羥基、羧基、胺基、醯胺基、異氰酸基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、乙烯基、馬來酸酐基等。就相容性及配線性等觀點而言，反應性官能基較佳為環氧基、胺基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、乙烯基、或馬來酸酐基，更佳為環氧基、胺基、或馬來酸酐基。
以樹脂組成物的質量(其中，除填料以外)為基準，熱硬化性彈性體的含量例如為10質量%~70質量%，就介電特性及清漆的相容性的觀點而言，較佳為20質量%~60質量%。
作為硬化劑，例如可列舉：過氧化物系、咪唑類及其衍生物、有機磷系化合物、二級胺類、三級胺類、四級銨鹽等。就反應性的觀點而言，硬化劑較佳為過氧化物系、磷系、及咪唑類的至少任一種，就馬來醯亞胺基的自聚合性良好的觀點而言，更佳為過氧化物系。
硬化劑的含量可根據觸媒及樹脂的種類、或適用樹脂組 成物的應用而不同。例如，於硬化劑為過氧化物系的情況下，以樹脂組成物的質量(其中，除填料以外)為基準，該硬化劑的含量較佳為0.1質量%~10質量%，就介電特性及膜操作性的觀點而言，更佳為0.5質量%~5質量%，進而佳為0.75質量%~3質量%。
第2實施形態的樹脂組成物亦可包含環氧樹脂作為熱硬化性樹脂。環氧樹脂較佳為於分子內包含至少兩個以上的環氧基。就硬化性及硬化物特性的觀點而言，環氧樹脂更佳為苯酚的縮水甘油醚型的環氧樹脂。作為此種樹脂，例如可列舉：雙酚A型(或AD型、S型、F型)的縮水甘油醚、氫化雙酚A型的縮水甘油醚、環氧乙烷加成體雙酚A型的縮水甘油醚、環氧丙烷加成體雙酚A型的縮水甘油醚、苯酚酚醛清漆樹脂的縮水甘油醚、甲酚酚醛清漆樹脂的縮水甘油醚、雙酚A酚醛清漆樹脂的縮水甘油醚、萘樹脂的縮水甘油醚、三官能型(或四官能型)的縮水甘油醚、二環戊二烯苯酚樹脂的縮水甘油醚、二聚物酸的縮水甘油酯、三官能型(或四官能型)的縮水甘油胺、萘樹脂的縮水甘油胺等。環氧樹脂可單獨使用一種，亦可混合使用兩種以上。
第2實施形態的樹脂組成物亦可包含(甲基)丙烯酸酯化合物。作為(甲基)丙烯酸酯化合物，例如可列舉：二乙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、三乙二醇二甲基丙烯酸酯、四乙二醇二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、1,4-丁二 醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、1,4-丁二醇二甲基丙烯酸酯、1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇三甲基丙烯酸酯、季戊四醇四甲基丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇六甲基丙烯酸酯、苯乙烯、二乙烯基苯、4-乙烯基甲苯、4-乙烯基吡啶、N-乙烯基吡咯啶酮、丙烯酸2-羥基乙酯、甲基丙烯酸2-羥基乙酯、1,3-丙烯醯氧基-2-羥基丙烷、1,2-甲基丙烯醯氧基-2-羥基丙烷、亞甲基雙丙烯醯胺、N,N-二甲基丙烯醯胺、N-羥甲基丙烯醯胺、三(β-羥基乙基)異三聚氰酸酯的三丙烯酸酯、下述式(13)所表示的化合物、胺基甲酸酯丙烯酸酯或胺基甲酸酯甲基丙烯酸酯、脲丙烯酸酯、異三聚氰酸改質二/三丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯等。
Figure 106132990-A0305-02-0037-20
式中，R41及R42分別獨立地表示氫原子或甲基，f及g分別獨立地表示1以上的整數。
第2實施形態的樹脂組成物亦可進而含有密接助劑。作為密接助劑，例如可列舉：矽烷偶合劑、三唑系化合物、或四唑系化合物。
為了提高與金屬的密接性，矽烷偶合劑可較佳地使用具有氮原子的化合物。作為矽烷偶合劑，例如可列舉：N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三 甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-三乙氧基矽烷基-N-(1,3-二甲基-亞丁基)丙基胺、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、三-(三甲氧基矽烷基丙基)異三聚氰酸酯、3-脲基丙基三烷氧基矽烷、3-異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷等。就添加所帶來的效果、耐熱性及製造成本的觀點而言，以樹脂組成物中的固體成分總量為基準，矽烷偶合劑的含量較佳為0.1質量份~20質量份。
作為三唑系化合物，例如可列舉：2-(2'-羥基-5'-甲基苯基)苯并三唑、2-(2'-羥基-3'-第三丁基-5'-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2'-羥基-3',5'-二-第三戊基苯基)苯并三唑、2-(2'-羥基-5'-第三辛基苯基)苯并三唑、2,2'-亞甲基雙[6-(2H-苯并三唑-2-基)-4-第三辛基苯酚]、6-(2-苯并三唑基)-4-第三辛基-6'-第三丁基-4'-甲基-2,2'-亞甲基雙酚、1,2,3-苯并三唑、1-[N,N-雙(2-乙基己基)胺基甲基]苯并三唑、羧基苯并三唑、1-[N,N-雙(2-乙基己基)胺基甲基]甲基苯并三唑、2,2'-[[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亞胺基]雙乙醇等。
作為四唑系化合物，例如可列舉：1H-四唑、5-胺基-1H-四唑、5-甲基-1H-四唑、5-苯基-1H-四唑、1-甲基-5-乙基-1H-四唑、1-甲基-5-巰基-1H-四唑、1-苯基-5-巰基-1H-四唑、1-(2-二甲基胺基乙基)-5-巰基-1H-四唑、2-甲氧基-5-(5-三氟甲基-1H-四唑-1-基)-苯甲醛、4,5-二(5-四唑基)-[1.2.3]三唑、1-甲基-5-苯甲醯基-1H-四唑等。
就添加所帶來的效果、耐熱性及製造成本的觀點而言， 以樹脂組成物中的固體成分總量為基準，三唑系化合物及四唑系化合物的含量分別較佳為0.1質量份~20質量份。
所述矽烷偶合劑、三唑系化合物、及四唑系化合物可分別單獨使用，亦可併用。
第2實施形態的樹脂組成物亦可進而含有離子捕捉劑。藉由利用離子捕捉劑來吸附樹脂組成物中的離子性雜質，可進一步提高配線層間絕緣層的吸濕時的絕緣可靠性。作為離子捕捉劑，例如可列舉：三嗪硫醇化合物、酚系還原劑、或粉末狀的鉍系、銻系、鎂系、鋁系、鋯系、鈣系、鈦系、及錫系、以及該些的混合系等的無機化合物。三嗪硫醇化合物及酚系還原劑為作為用以防止銅進行離子化而溶出的銅毒抑制劑而被人所熟知的化合物。
作為離子捕捉劑，例如可列舉無機離子捕捉劑(東亞合成股份有限公司製造，商品名：IXE-300(銻系)、IXE-500(鉍系)、IXE-600(銻、鉍混合系)、IXE-700(鎂、鋁混合系)、IXE-800(鋯系)、及IXE-1100(鈣系))。所述離子捕捉劑可單獨使用一種，亦可混合使用兩種以上。就添加所帶來的效果、耐熱性及製造成本等觀點而言，以樹脂組成物中的固體成分總量為基準，離子捕捉劑的含量較佳為0.01質量份~10質量份。
以下，對第1實施形態及第2實施形態中共通的事項進行說明。就賦予低吸濕性及低透濕性的觀點而言，樹脂組成物亦可進而包含填料(填充材)。填料可為包含無機材料的無機填料，亦可為包含有機材料的有機填料。該些填料較佳為絕緣性的填料。
作為無機填料，例如可列舉：氧化鋁、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、結晶性二氧化矽、非晶性二氧化矽、氮化硼、氧化鈦、玻璃、氧化鐵、陶瓷等。作為有機填料，例如可列舉碳、橡膠系填料等。填料不管種類、形狀等如何，均可無特別限制地使用。
填料亦可對應於所期望的功能而分別使用。例如，無機填料可出於對配線層間絕緣層賦予導熱性、低熱膨脹性、低吸濕性等的目的來添加。有機填料例如可出於對配線層間絕緣層賦予韌性等的目的來添加。填料只要包含無機填料及有機填料的至少任一者即可，填料可單獨使用一種或者組合使用兩種以上。就可賦予配線層間絕緣層所要求的導熱性、低吸濕特性、絕緣性等的觀點而言，填料較佳為無機填料，就相對於樹脂清漆的分散性良好的觀點、與可於加熱時賦予高的接著力的觀點而言，填料更佳為二氧化矽填料及氧化鋁填料的至少任一者。
填料的平均粒徑例如為10μm以下，填料的最大粒徑例如為30μm以下。較佳為填料的平均粒徑為5μm以下，填料的最大粒徑為20μm以下。藉由平均粒徑為10μm以下且最大粒徑為30μm以下，可良好地發揮提高配線層間絕緣層的破壞韌性的效果，並且可抑制配線層間絕緣層的接著強度的降低及不均的產生，且亦可抑制配線層間絕緣層的表面變粗糙而導致接著強度降低的情況。填料的平均粒徑的下限、及最大粒徑的下限並無特別限制，均可為0.001μm以上。
作為填料的平均粒徑及最大粒徑的測定方法，例如可列舉使用掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope，SEM)來測定20個左右的填料的粒徑的方法等。作為使用SEM的測定方法，例如可列舉以下方法等：製作使包含填料的樹脂組成物進行加熱硬化(較佳為150℃~180℃下進行1小時~10小時)而成的樣品，切斷該樣品的中心部分，並利用SEM對其剖面進行觀察。此時，剖面中的粒徑30μm以下的填料的存在概率較佳為所有填料的80%以上。
填料的含量可對應於所賦予的特性、或功能來適宜地決定。例如以樹脂組成物的質量為基準，填料的含量較佳為1質量%~70質量%、或2質量%~60質量%，更佳為5質量%~50質量%。藉由增加填料的含量，可實現配線層間絕緣層的高彈性模數化。藉此，可有效地提高切割性(利用切割機刀刃的切斷性)、打線接合性(超音波效率)、及加熱時的接著強度。就抑制熱壓接性的降低的觀點而言，填料的含量較佳為所述上限值以下。亦可確定最佳的填料含量以取得所要求的特性的平衡。填料的混合及混練可適宜地組合通常的攪拌機、擂潰機、三輥機、球磨機等分散機來進行。
就保存穩定性、防止電遷移、及防止金屬導體電路的腐蝕的觀點而言，樹脂組成物亦可進而含有抗氧化劑。抗氧化劑並無特別限制，例如可列舉二苯甲酮系、苯甲酸酯系、受阻胺系、苯并三唑系、酚系抗氧化劑等。就添加所帶來的效果及耐熱性、成本等觀點而言，相對於樹脂成分100質量份，抗氧化劑的含量較佳為 0.01質量份~10質量份。
為了進一步促進硬化，樹脂組成物亦可進而含有觸媒。作為觸媒，例如可列舉：過氧化物、咪唑系化合物、有機磷系化合物、二級胺、三級胺及四級銨鹽。該些可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。就反應性的觀點而言，觸媒較佳為選自由過氧化物、咪唑系化合物及有機磷系化合物所組成的群組中的至少一種，特別是就馬來醯亞胺基的自聚合性及有助於馬來醯亞胺基與丙烯醯基的反應的觀點而言，觸媒更佳為過氧化物。
樹脂組成物亦可進而含有阻燃劑。阻燃劑並無特別限定，可列舉：溴系阻燃劑、氯系阻燃劑等含鹵素系阻燃劑，磷酸三苯酯、磷酸三甲苯酯、磷酸三-二氯丙酯、磷酸酯系化合物、紅磷等磷系阻燃劑，胺基磺酸胍、硫酸三聚氰胺、多磷酸三聚氰胺、三聚氰胺三聚氰酸酯等氮系阻燃劑，環磷腈、聚磷腈等磷腈系阻燃劑，三氧化銻等無機系阻燃劑等。該些阻燃劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
樹脂組成物亦可進而含有紫外線吸收劑。紫外線吸收劑並無特別限定，例如可列舉苯并三唑系紫外線吸收劑。
樹脂組成物亦可進而含有螢光增白劑。螢光增白劑並無特別限定，例如可列舉二苯乙烯衍生物。
就操作性的觀點而言，樹脂組成物較佳為膜狀。樹脂組成物亦可為各成分於溶劑中溶解或均勻地分散而成的清漆(液狀)。
清漆的製備手段、條件等並無特別限定。例如，可列舉 以下方法：藉由混合機等將規定調配量的各主成分充分、均勻地攪拌及混合後，使用混合輥、擠出機、捏合機、輥、擠壓機等進行混練，進而將所獲得的混練物冷卻及粉碎。混練方法並無特別限定。
於樹脂組成物為清漆的情況下，溶劑例如亦可為有機溶媒。有機溶媒並無特別限制，例如亦可為甲醇、乙醇、丁醇、丁基溶纖劑、乙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚等醇類；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、環戊酮等酮；甲苯、二甲苯、均三甲苯、檸檬烯等芳香族烴；甲氧基乙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、丁氧基乙酸乙酯、乙酸乙酯等酯；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮等含氮化合物類等。該些可單獨使用一種，亦可混合使用兩種以上。就溶解性的方面而言，有機溶媒較佳為甲苯、二甲苯、環己酮、環戊酮、檸檬烯或均三甲苯，就毒性低的方面而言，有機溶媒更佳為環戊酮、檸檬烯或均三甲苯。
有機溶媒較佳為以例如清漆中的樹脂組成物的固體成分量成為5質量%~90質量%的量使用，就良好地保持清漆的操作性及塗佈、塗敷性的方面而言，有機溶媒更佳為以該固體成分量成為10質量%~60質量%的量使用。
樹脂組成物的硬化物在130℃、相對濕度85%的環境下放置200小時後的吸濕率較佳為1質量%以下。
樹脂組成物的硬化物在130℃、相對濕度85%的環境下放置200小時後的吸濕率可藉由以下的順序來測定。於100℃下將樹脂組成物的膜厚10μm的硬化性膜層壓於矽晶圓上，在該狀態 下於180℃下利用2小時的加熱對硬化性膜進行硬化。將作為矽晶圓及樹脂組成物的硬化膜的積層體的樣品於130℃、相對濕度85%的恆溫恆濕槽(愛斯佩克(Espec)公司製造的EHS-221MD)內靜置200小時。然後，使恆溫恆濕槽內的溫度降低至50℃為止後取出樣品，自矽晶圓削取硬化膜。使用示差熱熱重量同時測定裝置(SII奈米科技(SII Nano Technology)公司製造，商品名「TG/DTA6300」)，以昇溫速度10℃/min、氮氣流量(400mL/min)、溫度25℃~150℃的條件測定由所獲得的硬化物樣品的加熱而產生的重量減少率。將加熱至150℃為止的時間點的質量減少率(相對於測定前的硬化物樣品質量的比率)記錄為吸濕率(質量%)。
就絕緣可靠性的觀點而言，樹脂組成物的硬化物中的氯化物離子的濃度較佳為5ppm以下，就可抑制銅配線的變色的方面而言，更佳為3ppm以下。氯化物離子的濃度可藉由以下的順序來測定。將硬化物樣品1g、及作為萃取液的超純水10g放入鐵氟龍(註冊商標)製耐熱容器中，並於130℃下加熱5小時。然後，對萃取液進行過濾後，藉由離子層析法進行分析。於所獲得的層析圖中，將在溶出時間0分鐘~30分鐘檢測到的峰值視作溶出物的總量，並根據9.6分鐘附近的氯化物離子的峰值面積求出硬化物樣品中的氯化物離子的質量。算出所求出的氯化物離子的質量相對於硬化物樣品的質量的比例作為硬化物中的氯化物離子的濃度(ppm)。
此處的離子層析法的條件如下所述。
．裝置：戴安(Dionex)製造的ISC-2000
．檢測器：導電度檢測器
．管柱：AS20(4mmΦ×200mm)
．管柱溫度：30℃
．流速：1.0ml/min
．注入量：25μl
．梯度(gradient)設定：將KOH濃度設定為於0分鐘時5mM、於5分鐘時5mM、於15分鐘時30mM、於20分鐘時55mM。
就可抑制配線層間的串擾的方面而言，配線層間絕緣層(樹脂組成物的硬化物)的10GHz下的介電常數較佳為3.6以下、3.2以下、或3.0以下，就可進一步提高電信號的可靠性的方面而言，更佳為2.8以下。該介電常數亦可為1.0以上。該介電常數可使用如下的試驗片來測定，所述試驗片是將在180℃下利用2小時的加熱對樹脂組成物進行硬化而獲得的厚度300μm的硬化物切斷為長60mm、寬2mm，並於30℃下真空乾燥6小時而成。
配線層間絕緣層(樹脂組成物的硬化物)的10GHz下的介電損耗正切較佳為0.012以下、0.008以下、或0.005以下。該介電損耗正切亦可為0.0001以上。該介電損耗正切可根據10GHz下所獲得的共振頻率與無負載Q值來算出。測定溫度為25℃。介電常數及介電損耗正切的測定裝置例如可使用向量型網路分析儀(是德科技股份有限公司(Keysight Technologies Inc.)製造，商品名：E8364B)、10GHz共振器(關東電子應用開發股份有限 公司製造，商品名：CP531)，程式可使用CPMA-V2。
就抑制溫度循環時的裂縫的觀點而言，樹脂組成物的硬化物的玻璃轉移溫度較佳為120℃以上，就可緩和對配線的應力的方面而言，更佳為140℃以上。就能夠實現低溫下的層壓的方面而言，樹脂組成物的硬化物的玻璃轉移溫度較佳為240℃以下，就可抑制硬化收縮的方面而言，更佳為220℃以下。樹脂組成物的硬化物的玻璃轉移溫度亦可為120℃~240℃、120℃~220℃、140℃~240℃、或140℃~220℃。
樹脂組成物的硬化物的玻璃轉移溫度可使用將在180℃下利用2小時的加熱對樹脂組成物進行硬化而獲得的厚度300μm的硬化物切斷為長30mm、寬4mm而製作的樣品來進行測定。測定是使用UBM公司製造的動態黏彈性測定裝置，並以夾盤間距離為20mm、頻率為10Hz、昇溫速度為5℃/min且在40℃~260℃的溫度範圍內實施，將tanδ表示最大值的溫度記錄為玻璃轉移溫度。
就可減少配線層間絕緣層的翹曲的觀點而言，樹脂組成物的硬化物的斷裂伸長率例如為5%以上。就可緩和對銅配線的應力的觀點而言，所述斷裂伸長率較佳為10%以上。就可提高配線層積層體的溫度循環可靠性的觀點而言，所述斷裂伸長率更佳為15%以上。所述斷裂伸長率亦可為200%以下。樹脂組成物的硬化物的斷裂伸長率亦可為5%~200%、10%~200%、或15%~200%。所述斷裂伸長率可使用藉由將在180℃下利用2小時的加熱對樹 脂組成物進行硬化而獲得的厚度300μm的硬化物切斷為長30mm、寬5mm而製作的樣品來進行測定。斷裂伸長率可使用小型桌上試驗機(島津製作所股份有限公司製造，商品名：EZ-S)，並設定為進給速度：5mm/min來進行測定。
就耐熱可靠性的觀點而言，樹脂組成物的硬化物的5%重量減少溫度例如為300℃以上。可將在180℃下利用2小時的加熱對樹脂組成物進行硬化而獲得的厚度300μm的硬化物設為樣品，使用示差熱熱重量同時測定裝置(日立高新技術科技(Hitachi High-Tech Science)股份有限公司製造，商品名：TG/DTA6300)，於昇溫速度：10℃/min、氮氣流量：400ml/min的條件下測定第1配線層間絕緣層17的5%重量減少溫度。
樹脂組成物的硬化物的40℃下的儲存彈性模數亦可為10MPa~5GPa。
圖1為具有一實施形態的半導體用配線層積層體的半導體封裝的示意剖面圖。本揭示的半導體用配線層積層體較佳為可用於需要混載異種晶片的中介層的封裝形態。
如圖1所示，半導體封裝100為包括基板1、設於基板1上的配線層積層體10、以及搭載於配線層積層體10上的半導體晶片2A、2B的半導體裝置。半導體晶片2A、2B藉由相對應的填底膠3A、3B而分別固定於配線層積層體10上，並經由設於配線層積層體10內的表面配線(未圖示)而相互電性連接。另外，基板1為利用絕緣材料4將半導體晶片2C、2D與電極5A、5B密封 而形成的密封體。基板1內的半導體晶片2C、2D能夠經由自絕緣材料4露出的電極而與外部裝置連接。電極5A、5B例如作為用以將配線層積層體10與外部裝置相互電性連接的導電路發揮功能。
半導體晶片2A~2D的各個例如為圖形處理單元(GPU：Graphic Processing Unit)、動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory，DRAM)或靜態隨機存取記憶體(Static Random Access Memory，SRAM)等揮發性記憶體，快閃記憶體等非揮發性記憶體，RF晶片、矽光子晶片、微電子機械系統(Micro Electro Mechanical Systems，MEMS)、感測晶片等。半導體晶片2A~2D亦可具有TSV。半導體晶片2A~2D的各個例如亦可使用積層有半導體元件者，該情況下，可使用利用TSV而積層的半導體元件。半導體晶片2A、2B的厚度例如為200μm以下。就將半導體封裝100薄型化的觀點而言，半導體晶片2A、2B的厚度較佳為100μm以下。另外，就操作性的觀點而言，半導體晶片2A、2B的厚度更佳為30μm以上。半導體晶片2A~2D可分別電性連接於配線層積層體10內的任一配線。
填底膠3A、3B例如為毛細管型填底膠(Capillary underfill，CUF)、模具型填底膠(Mold underfill，MUF)、膏型填底膠(非導電膏(Non-Conductive Paste，NCP))、膜型填底膠(非導電膜(Non-Conductive Film，NCF))、或感光性填底膠。填底膠3A、3B分別以液狀硬化型樹脂(例如，環氧樹脂)作為主成分而構成。另外，絕緣材料4例如為具有絕緣性的硬化性樹脂。
其次，使用圖2對本實施形態的配線層積層體10進行詳細說明。配線層積層體10為搭載半導體元件等的配線基板。配線層積層體10的形狀對應於後述的基板11的形狀，可為晶圓狀(俯視時為大致圓形形狀)，亦可為面板狀(俯視時為大致矩形形狀)。
圖2所示的基板11上所設置的配線層積層體10包括：多個配線層41、42，分別包含：有機絕緣層21、22；埋入至有機絕緣層21、22內的銅配線13、14；以及設於銅配線13、14與有機絕緣層21、22之間的障壁金屬膜15、16；配線層間絕緣層17、18，與配線層41、42鄰接；以及貫穿配線19，貫通有機絕緣層21、22及配線層間絕緣層17、18。有機絕緣層21、22與配線層間絕緣層17、18於基板11上交替地積層。銅配線13、14的表面的一部分於配線層41、42的其中一主面側露出。在露出的銅配線13、14的表面上相接有配線層間絕緣層17、18。配線層間絕緣層17、18為所述實施形態的硬化性樹脂組成物的硬化物。有機絕緣層21、22可為由感光性絕緣樹脂所形成的層。銅配線亦可於配線層的兩主面側露出，在露出的銅配線的表面上相接有配線層間絕緣層。
基板11為支撐配線層積層體10的支撐體。基板11的俯視下的形狀例如為圓形形狀或矩形形狀。於為圓形形狀的情況下，基板11例如具有200mm~450mm的直徑。於為矩形形狀的情況下，基板11的其中一邊例如為300mm~700mm。
基板11例如為矽基板、玻璃基板、或可剝離銅箔。基板 11例如亦可為增層基板、晶圓級封裝用基板、無芯基板(coreless board)、藉由對密封材料進行熱硬化而製作的基板、或者密封或埋入有晶片的基板。於使用矽基板或玻璃基板等作為基板11的情況下，亦可設置將配線層積層體10與基板11暫時固定的未圖示的暫時固定層。該情況下，藉由去除暫時固定層，可容易地將基板11自配線層積層體10剝離。所謂可剝離銅箔，為依序重疊有支撐體、剝離層、及銅箔而成的積層體。於可剝離銅箔中，支撐體相當於基板11，銅箔可構成貫穿配線19的一部分。
有機絕緣層21(第1有機絕緣層)包含位於基板11側的第3有機絕緣層23、與位於第2有機絕緣層22側的第4有機絕緣層24。第1有機絕緣層21具有配置有相對應的銅配線13的多個槽部21a(第1槽部)。第4有機絕緣層24設有與槽部21a相對應的多個開口部。藉由該些開口部而露出的第3有機絕緣層23的表面構成槽部21a的內面的底面。槽部21a的側面由第4有機絕緣層24構成。
第3有機絕緣層23及第4有機絕緣層24的厚度例如分別為0.5μm~10μm。因此，第1有機絕緣層21的厚度例如為1μm~20μm。藉由第1有機絕緣層21的厚度為1μm以上，第1有機絕緣層21可有助於配線層積層體10的應力緩和，從而可提高配線層積層體10的耐溫度循環性。藉由第1有機絕緣層21的厚度為20μm以下，可抑制配線層積層體10的翹曲，例如可於研削配線層積層體10時容易使配線等露出。就藉由進行曝光及顯影而 形成寬3μm以下的銅配線13的觀點而言，第1有機絕緣層21的厚度較佳為15μm以下，更佳為10μm以下。
多個槽部21a於第1有機絕緣層21中設於與基板11為相反側的表面。於沿與槽部21a的延伸方向正交的方向的剖面中，槽部21a的各個具有大致矩形形狀。因此，槽部21a的內面具有側面及底面。另外，多個槽部21a具有規定的線寬L及空間寬S。線寬L及空間寬S分別為例如0.5μm~10μm，較佳為0.5μm~5μm，更佳為2μm~5μm。就實現配線層積層體10的高密度傳送的觀點而言，線寬L較佳為1μm~5μm。線寬L與空間寬S可設定為相互相同，亦可設定為相互不同。線寬L相當於俯視時與槽部21a的延伸方向正交的方向的槽部21a的寬度。空間寬S相當於相鄰的槽部21a彼此的距離。槽部21a的深度例如相當於第4有機絕緣層24的厚度。
有機絕緣層22(第2有機絕緣層)夾持配線層間絕緣層17(第1配線層間絕緣層)而積層於第1有機絕緣層21上。第2有機絕緣層22具有配置有相對應的銅配線14的多個槽部22a(第2槽部)。
第2有機絕緣層22的厚度例如為1μm~10μm。藉由第2有機絕緣層22的厚度為1μm以上，第2有機絕緣層22可有助於配線層積層體10的應力緩和，從而可提高配線層積層體10的耐溫度循環性。藉由第2有機絕緣層22的厚度為10μm以下，可抑制配線層積層體10的翹曲，例如可於研削配線層積層體10 時容易使配線等露出。於第2有機絕緣層22的一部分中設有與槽部22a相對應的多個開口部。藉由該些開口部而露出的第1配線層間絕緣層17的表面構成槽部22a的內面的底面。槽部22a的各側面由第2有機絕緣層22構成。於本實施形態中，多個槽部22a的線寬及空間寬與槽部21a的線寬L及空間寬S一致。
形成有槽部21a的第1有機絕緣層21、及形成有槽部22a的第2有機絕緣層22可分別藉由加熱處理而進行硬化。加熱處理例如可使用烘箱來實施。就減少配線層積層體10的殘留應力的觀點而言，較佳為例如於200℃以下實施加熱處理。就生產效率的觀點而言，較佳為將加熱處理時間設定為未滿3小時。
銅配線13如所述般設於相對應的槽部21a內，作為配線層積層體10內部的導電路發揮功能。因此，銅配線13的寬度與槽部21a的線寬L大致一致，相鄰的銅配線13彼此的間隔與槽部21a的空間寬S大致一致。
銅配線14如所述般設於相對應的槽部22a內，作為配線層積層體10內部的導電路發揮功能。因此，銅配線14的寬度與槽部22a的線寬大致一致，相鄰的銅配線14彼此的間隔與槽部22a的空間寬大致一致。銅配線14含有與銅配線13相同的金屬材料。
障壁金屬膜15(第1障壁金屬膜)為以分隔銅配線13與第1有機絕緣層21(即，槽部21a的內面)的方式設置的金屬膜。第1障壁金屬膜15為用以防止銅自銅配線13向第1有機絕 緣層21擴散的膜，沿槽部21a的內面而形成。因此，第1障壁金屬膜15包含難以擴散至有機絕緣層的金屬材料(例如，鈦、鉻、鎢、鈀、鎳、金、鉭或包含該些的合金)。第1障壁金屬膜15可包含一種或多種金屬。就與槽部21a的內面的密接性的觀點而言，第1障壁金屬膜15較佳為鈦膜或包含鈦的合金膜。於藉由濺鍍形成第1障壁金屬膜15的情況下，第1障壁金屬膜15較佳為鈦膜，鉭膜，鎢膜，鉻膜，或包含鈦、鉭、鎢、及鉻的至少任一者的合金膜。
第1障壁金屬膜15的厚度未滿槽部21a的寬度的一半且未滿槽部21a的深度。就防止銅配線13彼此的導通的觀點及抑制銅配線13的電阻上昇的觀點而言，第1障壁金屬膜15的厚度例如為0.001μm~0.5μm。就防止銅配線13內的金屬材料的擴散的觀點而言，第1障壁金屬膜15的厚度較佳為0.01μm~0.5μm。就第1障壁金屬膜15的平坦性及增大銅配線13中流通的電流量的觀點而言，第1障壁金屬膜15的厚度較佳為0.001μm~0.3μm。根據以上，第1障壁金屬膜15的厚度最佳為0.01μm~0.3μm。
第2障壁金屬膜16為以分隔銅配線14與第2有機絕緣層22(即，槽部22a的內面)的方式設置的金屬膜。第2障壁金屬膜16為用以防止銅自銅配線14向第2有機絕緣層22擴散的膜，沿槽部22a的內面而形成。因此，第2障壁金屬膜16與第1障壁金屬膜15同樣地，包含難以擴散至有機絕緣層的金屬材料。與第1障壁金屬膜15同樣地，第2障壁金屬膜16的厚度未滿槽 部22a的寬度的一半且未滿槽部22a的深度。因而，第2障壁金屬膜16的厚度例如為0.001μm~0.5μm，較佳為0.01μm~0.5μm或0.001μm~0.3μm，最佳為0.01μm~0.3μm。
第1配線層間絕緣層17為用以防止銅自銅配線13向第1有機絕緣層21及第2有機絕緣層22擴散的絕緣膜。第1配線層間絕緣層17於配線層41(第1配線層)與配線層42(第2配線層)之間以分隔銅配線13與第2有機絕緣層22的方式設置。第1配線層間絕緣層17與在第1配線層41的與基板11為相反側的主面上露出的銅配線13的表面相接。就可使配線層積層體10變薄的觀點而言，第1配線層間絕緣層17的厚度例如為50μm以下。就防止銅配線13彼此的導通的觀點而言，第1配線層間絕緣層17的厚度例如為1μm以上，較佳為10μm以上。就第1配線層間絕緣層17的表面平滑性的觀點而言，第1配線層間絕緣層17的厚度較佳為30μm以下。將於後敘述第1配線層間絕緣層17中所含的材料、及第1配線層間絕緣層17的其他特性的詳細情況。
第2配線層間絕緣層18為用以防止銅自銅配線14向第2有機絕緣層22擴散的絕緣膜。第2配線層間絕緣層18與在第2配線層42的與基板11為相反側的主面上露出的銅配線14的表面相接，並且設於第2配線層42上。第2配線層間絕緣層18包含與第1配線層間絕緣層17相同的材料，且具有與第1配線層間絕緣層17相同的特性。
貫穿配線19為貫通配線層41、42及配線層間絕緣層17、 18的埋入至通孔31中的配線，且作為朝向外部裝置的連接端子而發揮功能。
其次，參照圖3(a)~圖12(b)對本實施形態的配線層積層體10的製造方法進行說明。藉由下述製造方法而形成的配線層積層體10例如特別適於需要微細化及多針化的形態。再者，圖4(b)為圖4(a)的主要部分放大圖。同樣地，圖5(b)、圖6(b)、圖7(b)、圖8(b)、圖9(b)、圖10(b)、圖11(b)、及圖12(b)分別為相對應的圖式的主要部分放大圖。
首先，作為第1步驟，如圖3(a)所示，於基板11上形成貫穿配線的底部19a。貫穿配線的底部19a可藉由對形成於基板11上的金屬膜進行圖案化而形成。於第1步驟中，例如藉由塗佈法、真空蒸鍍或濺鍍等物理氣相蒸鍍法(PVD(Physical Vapor Deposition)法)、使用金屬膏的印刷法或噴霧法、或者各種鍍敷法來形成所述金屬膜。於本實施形態中，可使用銅箔作為金屬膜。
於在基板11與貫穿配線的底部19a之間設有暫時固定層(未圖示)的情況下，該暫時固定層例如包含含有聚醯亞胺、聚苯并噁唑、矽、氟等非極性成分的樹脂、含有藉由加熱或紫外線(Ultraviolet，UV)而發生體積膨脹或起泡的成分的樹脂、含有藉由加熱或UV而進行交聯反應的成分的樹脂、或者藉由光照射而發熱的樹脂。作為暫時固定層的形成方法，例如可列舉旋塗、噴霧塗佈、或層壓加工。就可高度地兼顧操作性及載體剝離性的觀點而言，暫時固定層較佳為容易藉由光或熱等外部刺激而剝離。就暫時 固定層能夠以不殘存於之後製造的半導體用配線層積層體10中的方式剝離的觀點而言，暫時固定層最佳為含有藉由加熱處理而發生體積膨脹的樹脂。
於在基板11與貫穿配線的底部19a之間設有暫時固定層的情況下，貫穿配線的底部19a可由可剝離銅箔的銅箔形成。該情況下，基板11相當於可剝離銅箔的支撐體，暫時固定層相當於可剝離銅箔的剝離層。
其次，作為第2步驟，如圖3(b)所示，以覆蓋貫穿配線的底部19a的方式於基板11上形成第3有機絕緣層23。於第2步驟中，例如可藉由將感光性絕緣樹脂的膜貼附於基板11來形成第3有機絕緣層23。視需要對感光性絕緣樹脂的膜實施曝光處理、顯影處理、硬化處理等。
其次，作為第3步驟，如圖3(c)所示，藉由將第4有機絕緣層24形成於第3有機絕緣層23上來形成第1有機絕緣層21。於第3步驟中，與第2步驟同樣地，可藉由將包含感光性絕緣樹脂的膜貼附於第3有機絕緣層23來形成第4有機絕緣層。視需要對感光性絕緣樹脂的膜實施曝光處理、顯影處理、硬化處理等。
其次，作為第4步驟，如圖4(a)、(b)所示，將多個槽部21a形成於第1有機絕緣層21。於第4步驟中，例如藉由雷射消熔、光微影、或壓印來形成多個槽部21a。就槽部21a的微細化及形成成本的觀點而言，較佳為適用光微影。例如，可藉由對用 於形成第4有機絕緣層24的感光性絕緣樹脂實施曝光處理及顯影處理來形成多個槽部21a。
作為利用所述光微影對感光性絕緣樹脂進行曝光的方法，可使用公知的投影曝光方式、接觸曝光方式、直接描繪曝光方式等。另外，為了對感光性絕緣樹脂進行顯影，例如亦可使用碳酸鈉、四甲基氫氧化銨(Tetramethyl Ammonium Hydroxide，TMAH)等鹼性水溶液。
於所述第4步驟中，亦可於形成多個槽部21a後，進而對第1有機絕緣層21進行加熱硬化。該情況下，例如將加熱溫度設定為100℃~200℃，將加熱時間設定為30分鐘~3小時來對第1有機絕緣層21進行加熱硬化。
其次，作為第5步驟，如圖5(a)、(b)所示，以覆蓋槽部21a的內面的方式將第1障壁金屬膜15形成於第1有機絕緣層21上。於第5步驟中，例如藉由塗佈法、PVD法、使用金屬膏的印刷法或噴霧法、或者各種鍍敷法來形成第1障壁金屬膜15。於塗佈法的情況下，藉由將鈀或鎳的錯合物塗佈於第1有機絕緣層21上後進行加熱來形成第1障壁金屬膜15。於使用金屬膏的情況下，藉由將含有鎳、鈀等金屬粒子的膏塗佈於第1有機絕緣層21上後進行燒結來形成第1障壁金屬膜15。於本實施形態中，藉由作為PVD法之一的濺鍍來形成第1障壁金屬膜15。
其次，作為第6步驟，如圖6(a)、(b)所示，以填埋槽部21a的方式將銅配線形成用的銅層13A形成於第1障壁金屬 膜15上。於第6步驟中，例如藉由使用金屬膏的方法、或將第1障壁金屬膜15設為種晶層的鍍敷法來形成銅層13A。銅層13A的厚度較佳為例如第1有機絕緣層21的厚度的0.5倍~3倍。於銅層13A的厚度為0.5倍以上的情況下，有可抑制後續步驟中形成的銅配線13的表面粗糙度的擴大的傾向。另外，於銅層13A的厚度為3倍以下的情況下，有抑制銅層13A的翹曲、相對於第1有機絕緣層21而良好地密接的傾向。
其次，作為第7步驟，如圖7(a)、(b)所示，以第1有機絕緣層21露出的方式將銅層13A薄化。於第7步驟中，以機械方式或化學方式去除銅層13A中槽部21a外的部分、與第1障壁金屬膜15中未覆蓋槽部21a的部分。藉此，使第1有機絕緣層21露出並且將銅層13A薄化，從而形成埋入至槽部21a內的銅配線13。該薄化處理亦可設為將第1有機絕緣層21與銅配線13合併的面的平坦化處理。該情況下，藉由CMP或快速切削(fly cutting)法來去除銅層13A及第1障壁金屬膜15的目標部分，並且對第1有機絕緣層21的表面進行研磨或研削而使其平坦化。
於在第7步驟中使用CMP的情況下，作為漿料，例如一般使用用於樹脂的研磨的調配有氧化鋁的漿料、用於第1障壁金屬膜15的研磨的調配有過氧化氫及二氧化矽的漿料、用於銅層13A的研磨的調配有過氧化氫及過硫酸銨的漿料。就減少成本並且抑制表面粗糙度的擴大的觀點而言，較佳為使用調配有氧化鋁的漿料來對第1有機絕緣層21、第1障壁金屬膜15及銅層13A 進行研削。於使用CMP的情況下，有成本變高的傾向。另外，於同時對第1有機絕緣層21、第1障壁金屬膜15、及銅層13A(銅配線13)進行平坦化的情況下，因研磨速度的不同而於銅配線13生成凹陷，結果有將第1有機絕緣層21與銅配線13合併的面的平坦性大幅度地受損的傾向。因此，更佳為藉由使用表面整平機(surface planer)的快速切削法來對第1有機絕緣層21、第1障壁金屬膜15、及銅層13A(銅配線13)進行研削。
其次，作為第8步驟，如圖8(a)、(b)所示，以覆蓋槽部21a內的銅配線13的方式形成第1配線層間絕緣層17。於第8步驟中，例如藉由旋塗、噴霧塗佈、棒塗、簾幕式塗佈、印刷法、或層壓來形成第1配線層間絕緣層17。
就操作容易性的觀點而言，較佳為使用膜狀的樹脂組成物來形成第1配線層間絕緣層17。另外，就第1配線層間絕緣層17的膜厚均勻性及可應對大型化的觀點而言，較佳為藉由層壓來形成第1配線層間絕緣層17。於藉由層壓來形成第1配線層間絕緣層17的情況下，與第2步驟、第3步驟同樣地，將膜狀的樹脂組成物貼附於第1有機絕緣層21。該情況下，就減少殘留應力的觀點而言，較佳為設定為150℃以下，就抑制空隙的觀點而言，較佳為設定為60℃以上。
於第8步驟中，第1配線層間絕緣層17較佳為除形成於銅配線13上以外，亦形成於第1障壁金屬膜15中與槽部21a的側面相接的部分上。該情況下，銅配線13的一部分(銅配線13 中與槽部21a的內面相對向的側面及底面)由第1障壁金屬膜15覆蓋，銅配線13的其他部分(銅配線13的上表面)由第1配線層間絕緣層17覆蓋。藉由第1障壁金屬膜15及第1配線層間絕緣層17而無間隙地覆蓋銅配線13。
其次，作為第9步驟，如圖9(a)、(b)所示，於第1配線層間絕緣層17上形成設有槽部22a的第2有機絕緣層22。於第9步驟中，首先，與第3步驟同樣地，將感光性絕緣樹脂的膜貼附於第1配線層間絕緣層17。而且，使多個槽部22a形成於貼附的感光性絕緣樹脂的膜。於第9步驟中，利用與第4步驟中說明的槽部21a相同的方法來形成槽部22a。於第9步驟中，就防止構成銅配線13的銅的擴散的觀點而言，較佳為不對第2有機絕緣層22實施顯影處理。
其次，作為第10步驟，如圖10(a)、(b)所示，於第2有機絕緣層上依序形成第2障壁金屬膜16與銅配線形成用的銅層14A。於第10步驟中，首先，利用與第5步驟相同的方法，以覆蓋槽部22a的內面的方式於第2有機絕緣層22上形成第2障壁金屬膜16。而且，利用與第6步驟相同的方法，以填埋槽部22a的方式於第2障壁金屬膜16上形成銅層14A。
其次，作為第11步驟，如圖11(a)、(b)所示，以第2有機絕緣層22露出的方式將銅層14A薄化。於第11步驟中，利用與第7步驟相同的方法，以機械方式或化學方式去除銅層14A中槽部22a外的部分、與第2障壁金屬膜16中未覆蓋槽部22a的 部分。藉此，使第2有機絕緣層22露出並且將銅層14A薄化，從而形成埋入至槽部22a內的銅配線14。
其次，作為第12步驟，如圖12(a)、(b)所示，以覆蓋槽部22a內的銅配線14的方式形成第2配線層間絕緣層18。於第12步驟中，利用與第8步驟相同的方法，於第2有機絕緣層22上形成第2配線層間絕緣層18。於第12步驟中，第2配線層間絕緣層18較佳為除形成於銅配線14上以外，亦形成於第2障壁金屬膜16中與槽部22a的側面相接的部分上。該情況下，銅配線14的各側面及底面由第2障壁金屬膜16覆蓋，銅配線14的上表面由第2配線層間絕緣層18覆蓋。藉由第2障壁金屬膜16及第2配線層間絕緣層18而無間隙地覆蓋銅配線14。
其次，作為第13步驟，如圖13(a)所示，形成貫通第1有機絕緣層21、第1配線層間絕緣層17、第2有機絕緣層22、及第2配線層間絕緣層18的通孔31。作為通孔31的形成方法，例如可使用雷射。作為雷射，例如可列舉碳酸雷射、UV雷射、YAG雷射、準分子雷射等。較佳為於形成通孔31後，利用除膠渣處理等公知的方法將通孔31內清洗。
其次，作為第14步驟，如圖13(b)所示，將金屬材料填充至通孔31中形成通孔內導電部19b，藉此形成具有底部19a及通孔內導電部19b的貫穿配線19。於第14步驟中，例如藉由PVD法或各種鍍敷法來形成通孔內導電部19b。金屬材料例如可列舉銅、鎳、錫等。藉由經過以上步驟來製造圖2所示的配線層積 層體10。於設有暫時固定層的情況下，亦可將配線層積層體10自基板11剝離。
藉由以上所說明的製造方法而形成的配線層積層體10中在130℃、相對濕度85%的環境下放置2小時後的配線層間絕緣層的吸濕率為1質量%以下，藉此配線層間絕緣層中所含的水分量變得極少。因此，可良好地抑制由配線層間絕緣層內的水與銅的反應而引起的銅朝配線層間絕緣層內的擴散。結果，可良好地保持配線層間絕緣層的絕緣性，且可抑制銅配線彼此的短路，因此可良好地提高配線層積層體10的絕緣可靠性。
藉由將多個半導體晶片搭載於本實施形態的配線層積層體10，可良率良好地提供將半導體晶片積體化而成的半導體裝置。
本揭示並不限定於所述實施形態，亦可於不脫離其主旨的範圍內適宜地進行變更。例如，亦可於第1有機絕緣層21與基板1之間形成包含感光性絕緣樹脂的樹脂層、配線層間絕緣層、或增層材等。
可於第1配線層間絕緣層17上形成包含感光性絕緣樹脂的樹脂層、配線層間絕緣層、增層材、填底膠等樹脂層，亦可形成銅配線或凸塊等來代替第2有機絕緣層22及銅配線14等。另外，亦可於第1配線層間絕緣層17中設有用以連接銅配線13、14的埋入金屬材料的通孔。
亦可於第2配線層間絕緣層18上形成包含感光性絕緣 樹脂的樹脂層、配線層間絕緣層、增層材、填底膠等樹脂層，亦可形成銅配線或凸塊等。另外，亦可於第2配線層間絕緣層18中設有用以連接銅配線14與半導體晶片等的埋入金屬材料的通孔。
[實施例]
藉由以下的實施例來進一步對本發明進行詳細說明，但本發明並不限定於該些例子。
(實施例1)
如以下般製作圖14(a)、(b)所示的測定評價用試樣。首先，將厚度3μm的感光性絕緣樹脂膜52貼附於厚度150mm的矽晶圓51。該感光性絕緣樹脂膜52是如以下般形成。首先，調配甲酚酚醛清漆樹脂(旭有機材工業股份有限公司製造，商品名：TR-4020G，100質量份)、1,3,4,6-四(甲氧基甲基)甘脲(30質量份)、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚(40質量份)、三芳基鋶鹽(桑阿普羅(San-Apro)股份有限公司製造，商品名：CPI-310B，8質量份)、以及甲基乙基酮(100質量份)而獲得感光性絕緣樹脂。其次，將所獲得的感光性絕緣樹脂塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯膜(帝人杜邦薄膜(Teijin DuPont Film)股份有限公司製造，商品名：A-53)，於90℃的烘箱中乾燥10分鐘，藉此獲得厚度3μm的感光性絕緣樹脂膜52。
其次，依序對貼附於矽晶圓51的感光性絕緣樹脂膜52實施曝光處理、加熱處理、顯影處理及熱硬化處理。其次，將與該膜52同樣地形成的厚度3μm的感光性絕緣樹脂膜53貼附於感光 性絕緣樹脂膜52。其次，於對貼附的感光性絕緣樹脂膜53經由光罩進行曝光處理後，依序實施加熱處理、顯影處理、及熱硬化處理。藉此對感光性絕緣樹脂膜53進行圖案化，從而形成以相互咬合的方式成為梳齒狀的第1槽部53a及第2槽部53b、將第1槽部53a彼此連結的第1連接部53c、以及將第2槽部53b彼此連結的第2連接部53d。將第1槽部53a的寬度與第2槽部53b的寬度分別設定為5μm。該些的寬度相當於後述的配線的線寬L。另外，將相鄰的第1槽部53a與第2槽部53b的距離(空間寬S)設定為5μm，並將各個槽的長度設定為1mm。
其次，藉由濺鍍而於感光性絕緣樹脂膜53上形成厚度0.05μm的包含鈦的障壁金屬膜54。其次，藉由將障壁金屬膜54設為種晶層的電鍍法以填埋第1槽部53a、第2槽部53b、第1連接部53c、及第2連接部53d的方式形成銅層。其次，藉由使用表面整平機的快速切削法來對銅層的一部分、與障壁金屬膜54中未覆蓋第1槽部53a、第2槽部53b、第1連接部53c、及第2連接部53d的內面的部分進行研削。藉此，形成填埋於第1槽部53a中的第1配線55a、填埋於第2槽部53b中的第2配線55b、填埋於第1連接部53c中的第1連接配線55c、以及填埋於第2連接部53d中的第2連接配線55d。作為表面整平機，使用自動表面整平機(迪思科(DISCO)股份有限公司製造，商品名「DAS8930」)。另外，於利用快速切削法的研削中，將進給速度設定為1mm/s，將轉軸轉速設定為2000min-1。
其次，以至少使第1連接配線55c的一部分與第2連接配線55d的一部分露出的方式，貼附厚度10μm的硬化性膜，對該硬化性膜進行熱硬化而形成配線層間絕緣層57。以至少填埋第1配線55a及第2配線55b的方式貼附硬化性膜。作為硬化性膜，使用以下說明的材料A。
<材料A>
首先，為了合成具有矽氧烷鏈的熱塑性樹脂，將25g的「BMI-3000」(設計者分子股份有限公司(Designer Molecules Inc.)製造，商品名)、25g的2,2-雙(4-(4-馬來醯亞胺苯氧基)苯基)丙烷(大和化成工業股份有限公司製造，商品名：BMI-4000)、以及150g的甲苯放入燒瓶中，並攪拌20分鐘。繼而，將16.4g的矽酮二胺(信越化學工業股份有限公司製造，商品名：KF-8010)放入所述燒瓶中，使用油浴並加熱至130℃。自開始回流的時間攪拌3小時而進行反應，藉由空氣冷卻而冷卻至室溫，形成固體形狀的具有矽酮鏈的熱塑性樹脂。其次，調配以固體成分計為50g的溶解於甲苯中的熱硬化性彈性體(旭化成股份有限公司製造，商品名：塔弗泰(tuftec)M1911)、以固體成分計為50g的所述具有矽酮鏈的熱塑性樹脂、以及2g的硬化劑(日油股份有限公司製造，商品名：帕海希恩(perhexyne)25B)。藉由以將該調配物均勻分散的方式攪拌30分鐘，形成將不揮發成分調整為20%的配線層間絕緣層形成用的樹脂組成物的清漆。將所獲得的樹脂組成物的清漆塗敷於使用桌上塗佈機進行了脫模處理的PET膜(厚度38μm，商品名： NR-1)上。塗膜的厚度是使用敷料器以乾燥後成為10μm的方式進行調整。其次，藉由130℃、10分鐘的加熱對樹脂組成物的塗膜進行乾燥，並使硬化性膜(材料A)形成於PET膜上。而且，去除PET膜，將硬化性膜(材料A)用於形成配線層間絕緣層57。實施例1的配線層間絕緣層57(材料A的硬化物)的吸濕率為1.0質量%以下，氯化物離子濃度為3ppm以下，斷裂伸長率為150%，40℃下的儲存彈性模數為60MPa。
其次，返回至圖14(a)、(b)，將與感光性絕緣樹脂膜52同樣地形成的厚度3μm的感光性絕緣樹脂膜58貼附於配線層間絕緣層57。而且，對感光性絕緣樹脂膜實施曝光處理、顯影處理、及熱硬化處理。藉此，形成如圖14(a)、(b)所示的測定評價用試樣50。於該測定評價用試樣50中，第1配線55a彼此藉由第1連接配線55c而相互連接，第1配線55a由障壁金屬膜54及配線層間絕緣層57覆蓋。另外，第2配線55b彼此藉由第2連接配線55d而相互連接，第2配線55b亦由障壁金屬膜54及配線層間絕緣層57覆蓋。
為了確認所述測定評價用試樣50的絕緣可靠性，進行以下說明的高加速度壽命試驗(HAST：Highly Accelerated Stress Test)。於該試驗中，在濕度85%、130℃的條件下對第1連接配線55c與第2連接配線55d施加3.3V的電壓，並歷經規定的時間加以靜置。藉此，測定伴隨時間經過的第1配線55a與第2配線55b的絕緣性的變化。於該試驗中，第1配線55a與第2配線55b之 間的電阻值若自試驗開始經過200小時時為1×106Ω以上，則設為評價A，若自試驗開始經過200小時之前未滿1×106Ω，則設為評價B。將實施例1的高加速度壽命試驗的結果示於下述表1中。
(實施例2)
除將線寬L及空間寬S設定為3μm以外，與實施例1同樣地進行而形成測定評價用試樣50，並進行所述高加速度壽命試驗。將實施例2的高加速度壽命試驗的結果示於下述表1中。
(實施例3)
除將線寬L及空間寬S設定為2μm以外，與實施例1同樣地進行而形成測定評價用試樣50，並進行所述高加速度壽命試驗。將實施例3的高加速度壽命試驗的結果示於下述表1中。
(實施例4)
除作為用以形成配線層間絕緣層57的硬化性膜而使用下述材料B以外，與實施例2同樣地進行而形成測定評價用試樣50。相對於該測定評價用試樣50進行所述高加速度壽命試驗。將實施例4的高加速度壽命試驗的結果示於下述表1中。
<材料B>
首先，為了合成具有矽氧烷鏈的熱塑性樹脂，向具備攪拌機、溫度計及氮氣置換裝置(氮氣流入管)的500ml燒瓶內添加8.17g的作為二胺的1,4-丁二醇雙(3-胺基丙基)醚(東京化成工業股份有限公司製造，商品名：B-12)、21.65g的聚氧伸丙基二胺(日本巴斯夫(BASF Japan)股份有限公司製造，商品名：D-400)、及8.6 g的矽酮二胺(信越化學工業股份有限公司製造，商品名：KF-8010)、250g的作為溶媒的N-甲基-2-吡咯啶酮(N-methyl-2-pyrrolidone，NMP)，進行攪拌而使二胺溶解於溶媒中。其次，於該燒瓶中安裝帶水分接收器的回流冷卻器，吹入氮氣並且昇溫至180℃後，於180℃下保持5小時，去除水並且進行反應。將以所述方式獲得的溶液冷卻至室溫。其次，調配以固體成分計為50g的溶解於NMP中的聚丁二烯樹脂(克雷威利(CRAY VALLEY)製造，商品名：理考(Ricon)130MA8)、以固體成分計為50g的所述具有矽氧烷鍵的熱塑性樹脂、2g的硬化劑(日油股份有限公司製造，商品名：帕海希恩(perhexyne)25B)、以及1g的G8009L(第一工業製藥股份有限公司製造，商品名)，以均勻地分散的方式攪拌30分鐘，形成配線層間絕緣層形成用的樹脂組成物的清漆。將所獲得的樹脂組成物的清漆塗敷於使用桌上塗佈機進行了脫模處理的PET膜(厚度38μm，商品名：NR-1)。樹脂組成物的塗膜的膜厚是使用敷料器以乾燥後成為10μm的方式進行調整。其次，藉由120℃、20分鐘的加熱對樹脂組成物的塗膜進行乾燥，並使硬化性膜(材料B)形成於PET膜上。而且，去除PET膜，將硬化性膜(材料B)用於形成配線層間絕緣層57。實施例4的配線層間絕緣層57(材料B的硬化物)的吸濕率為1.0質量%以下，氯化物離子濃度為3ppm以下，斷裂伸長率為70%，40℃下的儲存彈性模數為180MPa。
(實施例5)
除將線寬L及空間寬S設定為2μm以外，與實施例4同樣地進行而形成測定評價用試樣50，並進行所述高加速度壽命試驗。將實施例5的高加速度壽命試驗的結果示於下述表1中。
(實施例6)
除作為用以形成配線層間絕緣層57的硬化性膜而使用下述材料C以外，與實施例2同樣地進行而形成測定評價用試樣50。相對於該測定評價用試樣50進行所述高加速度壽命試驗。將實施例6的高加速度壽命試驗的結果示於下述表1中。
<材料C>
首先，為了合成熱塑性樹脂，向具備攪拌機、溫度計及氮氣置換裝置的燒瓶內添加10.3g的2,2-雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)丙烷、4.1g的1,4-丁二醇雙(3-胺基丙基)醚(東京化成工業股份有限公司製造，商品名：B-12)、及101g的NMP。繼而，將20.5g的1,2-(伸乙基)雙(偏苯三酸酐)添加至該燒瓶內，於室溫下攪拌1小時。其次，於該燒瓶中安裝帶水分接收器的回流冷卻器，吹入氮氣並且昇溫至180℃後，於180℃下保持5小時，去除水並且進行反應。將以所述方式獲得的溶液冷卻至室溫。其次，調配以固體成分計為50g的溶解於NMP中的聚丁二烯樹脂(克雷威利(CRAY VALLEY)製造，商品名：理考(Ricon)130MA8)、以固體成分計為50g的所述熱塑性樹脂、2g的硬化劑(日油股份有限公司製造，商品名：帕海希恩(perhexyne)25B)、以固體成分計為10g的溶解於NMP中的環氧樹脂(日本化藥股份有限公司製造，商品 名：NC3000H)、1g的G8009L(第一工業製藥股份有限公司製造，商品名)、以及以固體成分計為70g的二氧化矽漿料(阿德瑪科技(Admatechs)製造；商品名：SC2050-KNK)，以均勻地分散的方式攪拌30分鐘，形成配線層間絕緣層形成用的樹脂組成物的清漆。將所獲得的樹脂組成物的清漆塗敷於使用桌上塗佈機進行了脫模處理的PET膜(厚度38μm，商品名：NR-1)上。樹脂組成物的塗膜的膜厚是使用敷料器以乾燥後成為10μm的方式進行調整。其次，藉由120℃、20分鐘的加熱對樹脂組成物的塗膜進行乾燥，並使硬化性膜(材料C)形成於PET膜上。而且，去除PET膜，將硬化性膜(材料C)用於形成配線層間絕緣層57。實施例6的配線層間絕緣層57(材料C的硬化物)的吸濕率為1.0質量%以下，氯化物離子濃度為5ppm以下，斷裂伸長率為3%，40℃下的儲存彈性模數為11GPa。
(比較例1)
除使用下述材料D來形成配線層間絕緣層57以外，與實施例1同樣地進行而形成測定評價用試樣50。其中，相對於貼附的材料D而利用高精度平行曝光機(奧克(ORC)製作所股份有限公司製造，商品名：EXM-1172-B-∞)實施曝光量：500mJ/cm2的曝光處理後，實施熱硬化處理。相對於該測定評價用試樣50進行所述高加速度壽命試驗。將比較例1的高加速度壽命試驗的結果示於下述表1中。
<材料D>
材料D為與感光性絕緣樹脂膜52等相同的由感光性絕緣樹脂形成的厚度10μm的膜。材料D的硬化物的吸濕率為2.0質量%，氯化物離子濃度為8.6ppm。
(比較例2)
除將線寬L及空間寬S設定為2μm以外，與比較例1同樣地進行而形成測定評價用試樣50，並進行所述高加速度壽命試驗。將比較例2的高加速度壽命試驗的結果示於下述表1中。
(比較例3)
除使用下述材料E來形成配線層間絕緣層57，將線寬L及空間寬S設定為3μm以外，與比較例1同樣地進行而形成測定評價用試樣50。相對於該測定評價用試樣50進行所述高加速度壽命試驗。將比較例3的高加速度壽命試驗的結果示於下述表1中。
<材料E>
作為材料E，使用FZ-2700GA(日立化成股份有限公司製造，商品名)。材料E的硬化物的吸濕率為1.3質量%，氯化物離子濃度為6.3ppm。
(比較例4)
除作為用以形成配線層間絕緣層57的硬化性膜而使用下述材料F，將線寬L及空間寬S設定為3μm以外，與比較例1同樣地進行而形成測定評價用試樣50。相對於該測定評價用試樣50進行所述高加速度壽命試驗。將比較例4的高加速度壽命試驗的結果示於下述表1中。
<材料F>
首先，為了合成熱塑性樹脂，於具備攪拌機、溫度計及氮氣置換裝置的燒瓶內調配2.16g的5,5'-亞甲基-雙(鄰胺苯甲酸)、15.13g的脂肪族醚二胺(日本巴斯夫(BASF Japan)股份有限公司製造，商品名：D-400)、1.63g的1,1,3,3-四甲基-1,3-雙(4-胺基苯基)二矽氧烷(信越化學工業股份有限公司製造，商品名：LP-7100)、以及115g的NMP。繼而，將氧二鄰苯二甲酸酐(Oxydiphthalic anhydride，ODPA)16.51g添加至該燒瓶內後，於室溫下攪拌1小時。而且，向該燒瓶內吹入氮氣並且昇溫至180℃後，於180℃下保持5小時，去除水並且進行反應。將以所述方式獲得的溶液冷卻至室溫。調配以固體成分計為30g的溶解於NMP中的環氧樹脂(日本化藥股份有限公司製造，商品名：NC3000H)、以固體成分計為50g的所述熱塑性樹脂、1g的作為硬化劑的2P4MHZ(四國化成工業股份有限公司製造，商品名)，以均勻地分散的方式攪拌30分鐘，形成樹脂組成物的清漆。將所獲得的樹脂組成物的清漆塗敷於使用桌上塗佈機進行了脫模處理的PET膜(厚度38μm，商品名：NR-1)上。樹脂組成物的塗膜是使用敷料器以乾燥後成為10μm的方式進行調整。其次，藉由120℃、20分鐘的加熱對樹脂組成物的塗膜進行乾燥，並使硬化性膜(材料F)形成於PET膜上。而且，去除PET膜，為了形成配線層間絕緣層而使用硬化性膜(材料F)。比較例4的配線層間絕緣層(材料F的硬化物)的吸濕率為1.2質量%，氯化物離子濃度為5ppm以下。
Figure 106132990-A0305-02-0073-21
所述表1中，配線層間絕緣層57的吸濕率為1.0質量%以下時表示為「Y」，配線層間絕緣層57的吸濕率超過1.0質量%時表示為「N」。根據表1，實施例1~實施例6的高加速度壽命試驗的結果均為評價A，另一方面，比較例1~比較例4的高加速度壽命試驗的結果均為評價B。由該些結果，可知根據吸濕率為1.0質量%以下的配線層間絕緣層57的有無，測定評價用試樣50的絕緣可靠性大不相同。
圖15為表示實施例3與比較例2的高加速度壽命試驗的結果的圖表。圖15中，橫軸表示時間，縱軸表示第1配線55a與第2配線55b之間的電阻值。圖15中，資料61為實施例3的試驗結果，資料62為比較例2的試驗結果。
如圖15所示，於實施例3中自試驗開始經過300小時時，第1配線55a與第2配線55b之間的電阻值亦顯示1×107Ω以上。另一方面，於比較例2中電阻值於自試驗開始經過20小時左右的時間點急遽減少，未滿1×107Ω。
圖16(a)為觀察所述高加速度壽命試驗後的實施例3的測定評價用試樣50的圖，圖16(b)為觀察所述高加速度壽命 試驗後的比較例2的測定評價用試樣50的圖。如圖16(b)所示，比較例2中確認到，至少第1配線55a及第2配線55b因某些主要因素而腐蝕。另一方面，如圖16(b)所示，實施例3中未確認到於配線等中有明顯的腐蝕。
(實施例7~實施例13)
以成為表1所示的組成的方式將以下各成分於25℃下攪拌30分鐘以上後，利用#200的尼龍篩網(孔徑：75μm)進行過濾，從而獲得樹脂組成物(清漆)。
(A-1)成分：下述式所表示的馬來醯亞胺化合物(n=1~10的混合物，重量平均分子量：15000~20000左右)
Figure 106132990-A0305-02-0074-22
(A-2)成分：下述式所表示的馬來醯亞胺化合物的混合物
Figure 106132990-A0305-02-0074-23
[化23]
Figure 106132990-A0305-02-0075-24
(B)成分：具有(甲基)丙烯醯基的化合物(新中村化學工業股份有限公司製造，商品名：A-DCP)
(C)成分：光自由基聚合起始劑(巴斯夫(BASF)公司製造，商品名：豔佳固(Irgacure)907)
(D-1)成分：具有環氧基的矽烷偶合劑(信越化學工業股份有限公司製造，商品名：X-12-984S)
(D-2)成分：具有環氧基的矽烷偶合劑(信越化學工業股份有限公司製造，商品名：KBM-403)
對各實施例的樹脂組成物(清漆)進行以下的評價。將結果示於表2中。
<介電特性(介電常數：Dk，介電損耗正切：Df)評價>
關於介電特性的評價，使用桌上塗佈機以乾燥後的厚度成為50μm的方式將清漆塗敷於銅箔上並使其乾燥，從而獲得樹脂膜(半硬化)。其次，對所獲得的樹脂膜(半硬化)照射2000mJ/cm2的UV。於所製作的樹脂膜上同樣地形成樹脂膜並積層，將樹脂膜的膜厚設為300μm。進而，藉由物理性剝離或蝕刻去除作為支撐體的銅箔來獲得評價用的樹脂膜。
而且，使將樹脂膜切斷為長60mm、寬2mm、厚0.3mm而 成者作為試驗片，並藉由空腔共振器攝動法來測定介電特性。測定器是使用安捷倫科技(Agilent Technologies)公司製造的向量型網路分析儀E8364B，空腔共振器是使用關東電子應用開發股份有限公司製造的CP531(10GHz帶共振器)，測定程式是使用CPMA-V2。將條件設為頻率10GHz、測定溫度25℃。
<吸濕率的測定>
使用旋轉塗佈機將清漆塗佈於晶圓(直徑為6吋、厚度為400μm)，於90℃下乾燥5分鐘而形成樹脂層。以2000mJ/cm2進行曝光並加以硬化後，於180℃下加熱1小時，藉此製作試樣。將該試樣在設定為相對濕度85%、130℃的恆溫恆濕槽(愛斯佩克(Espec)股份有限公司製造，商品名：EHS-221MD)內靜置200小時。而且，將恆溫恆濕槽內降低至50℃為止後取出試樣，自矽晶圓上削取樹脂的一部分。使用示差熱熱重量同時測定裝置(日立高新技術科技(Hitachi High-Tech Science)股份有限公司製造，商品名：TG/DTA6300)，於昇溫速度：10℃/min、氮氣流量：400mL/min、溫度範圍：25℃~150℃的條件下測定削取的樹脂的一部分。算出150℃下的所述重量減少率作為吸濕率。
<伸長率的測定>
利用小型桌上試驗機(島津製作所股份有限公司製造，商品名：EZ-S)，以進給速度5mm/min測定將利用與所述相同的方法而製作的樹脂膜切斷為長30mm、寬5mm而獲得的樣品，從而測定此時的斷裂伸長率。
<微細配線形成性的評價>
藉由旋塗將清漆塗佈於矽晶圓(直徑為6吋、厚度為400μm)上，於90℃下加熱乾燥5分鐘而於矽晶圓上形成樹脂膜。之後，以乾燥後的樹脂膜的膜厚成為5μm的方式調整旋塗條件。其次，載置線/空間(L/S(μm/μm))成為200/200、100/100、80/80、60/60、50/50、40/40、30/30、20/20、10/10、7/7、5/5、4/4、3/3且通孔徑成為50μm、40μm、30μm、20μm、10μm、7μm、5μm、4μm、3μm的負型用圖案遮罩，使用高精度平行曝光機(奧克(ORC)製作所製造，商品名：EXM-1172-B-∞)以1000mJ/cm2進行曝光。進而，於100℃/1min的條件下進行追加加熱而獲得樣品。將所獲得的樣品在環戊酮中於常溫下搖動60秒並浸漬，繼而，利用環戊酮進行淋洗後於異丙醇中在常溫下浸漬5秒鐘。之後，吹附壓縮空氣等來使異丙醇揮發。
微細配線形成性是利用金屬顯微鏡確認樹脂膜在晶圓上的剝離、樹脂膜的裂紋、圖案端部的龜裂的有無、及對樹脂進行顯影的圖案底部的殘渣的有無。將無法確認到該些不良情況的最小的L/S及通孔徑示於表2中。
<耐b-HAST性>
與所述高加速度壽命試驗同樣地形成圖案。繼而，藉由無電解銅鍍敷、電解銅鍍敷等進行鍍敷(plated up)，藉由CMP將表面平坦化。再者，以L/S(μm/μm)成為3/3、5/5的方式調整遮罩尺寸。
其次，藉由旋塗將清漆積層於所獲得的配線上，於90℃下乾燥5分鐘。於進行旋塗時，在配線55c與55d部分貼合聚醯亞胺膠帶防止樹脂被塗佈，於進行UV硬化後剝離聚醯亞胺膠帶。以樹脂膜的膜厚成為5μm的方式調整旋塗條件。照射1000mJ/cm2的UV後於180℃下加熱1小時來使樹脂膜進行硬化。再者，於成為基材的晶圓(直徑為6吋、厚度為400μm)與配線層之間存在利用除形成圖案以外全部相同的方法而製作的樹脂層。
針對所獲得的配線，在濕度85%、130℃的條件下對第1連接配線55c與第2連接配線55d施加3.3V的電壓，並歷經規定的時間加以靜置。藉此，測定伴隨時間經過的第1配線55a與第2配線55b的絕緣性的變化。於該試驗中，將第1配線55a與第2配線55b之間的電阻值於300小時以上為1×106Ω以上者評價為「A」(有耐b-HAST性)，將並非所述者評價為「B」(無耐b-HAST性)。
Figure 106132990-A0305-02-0078-25
1:基板
2A~2D:半導體晶片
3A、3B:填底膠
4:絕緣材料
5A、5B:電極
10:半導體用配線層積層體
17:第1配線層間絕緣層
18:第2配線層間絕緣層
21:第1有機絕緣層
22:第2有機絕緣層
23:第3有機絕緣層
24:第4有機絕緣層
41:第1配線層
42:第2配線層
100:半導體封裝

Claims (25)

  1. 一種樹脂組成物，其含有硬化性樹脂與硬化劑，且用於形成與銅配線相接的配線層間絕緣層，其中所述樹脂組成物的硬化物在130℃、相對濕度85%的環境下放置200小時後的吸濕率為1質量%以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的樹脂組成物，其中所述硬化性樹脂具有至少兩個馬來醯亞胺基與二價烴基。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的樹脂組成物，其中所述烴基包含具有碳數4以上的主鏈的鏈狀的伸烷基。
  4. 如申請專利範圍第2項或第3項所述的樹脂組成物，其中所述烴基的碳數為8以上。
  5. 如申請專利範圍第2項或第3項所述的樹脂組成物，其中所述硬化性樹脂具有含有至少兩個醯亞胺鍵的二價有機基。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的樹脂組成物，其中所述二價有機基為下述式(I)所表示的基，
    Figure 106132990-A0305-02-0081-26
     [式中，R1表示四價有機基]。
  7. 如申請專利範圍第2項或第3項所述的樹脂組成物，其中所述烴基為下述式(II)所表示的基，
    Figure 106132990-A0305-02-0082-27
     [式中，R2及R3分別獨立地表示伸烷基，R4及R5分別獨立地表示烷基]。
  8. 如申請專利範圍第2項或第3項所述的樹脂組成物，其中所述硬化劑包含光自由基聚合起始劑。
  9. 如申請專利範圍第2項或第3項所述的樹脂組成物，其進而含有具有(甲基)丙烯醯基的化合物。
  10. 如申請專利範圍第2項或第3項所述的樹脂組成物，其進而含有偶合劑。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的樹脂組成物，其進而含有熱塑性樹脂。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的樹脂組成物，其中所述樹脂組成物的硬化物中的氯化物離子的濃度為5ppm以下。
  13. 如申請專利範圍第11項或第12項所述的樹脂組成物，其中所述樹脂組成物的硬化物的斷裂伸長率為5%~200%。
  14. 如申請專利範圍第11項或第12項所述的樹脂組成物，其中所述樹脂組成物的硬化物的40℃下的儲存彈性模數為10MPa~5GPa。
  15. 如申請專利範圍第11項或第12項所述的樹脂組成物，其中所述樹脂組成物的硬化物的玻璃轉移溫度為120℃~240℃。
  16. 如申請專利範圍第11項或第12項所述的樹脂組成物，其中所述樹脂組成物的硬化物的10GHz下的介電常數為3.0以下。
  17. 如申請專利範圍第11項或第12項所述的樹脂組成物，其中所述樹脂組成物的硬化物的10GHz下的介電損耗正切為0.005以下。
  18. 如申請專利範圍第11項或第12項所述的樹脂組成物，其中所述樹脂組成物的硬化物的5%重量減少溫度為300℃以上。
  19. 一種半導體用配線層積層體，其包括：多個配線層，包含有機絕緣層、設於所述有機絕緣層內的銅配線、及將所述銅配線與所述有機絕緣層分隔的障壁金屬膜；以及配線層間絕緣層，設於所述多個配線層之間；並且所述銅配線的表面的一部分於所述配線層的其中一或兩主面側露出，所述配線層間絕緣層與露出的所述銅配線的表面相接，所述配線層間絕緣層為於130℃、相對濕度85%的環境下放 置200小時後的吸濕率成為1質量%以下的層。
  20. 如申請專利範圍第19項所述的半導體用配線層積層體，其中所述配線層間絕緣層為如申請專利範圍第1項至第18項中任一項所述的樹脂組成物的硬化物。
  21. 如申請專利範圍第19項或第20項所述的半導體用配線層積層體，其中所述有機絕緣層為由感光性絕緣樹脂所形成的層。
  22. 如申請專利範圍第19項或第20項所述的半導體用配線層積層體，其中施加10GHz時的所述配線層間絕緣層的介電常數為3.0以下。
  23. 如申請專利範圍第19項或第20項所述的半導體用配線層積層體，其中施加10GHz時的所述配線層間絕緣層的介電損耗正切為0.005以下。
  24. 如申請專利範圍第19項或第20項所述的半導體用配線層積層體，其中所述配線層間絕緣層的5%重量減少溫度為300℃以上。
  25. 一種半導體裝置，其包括：如申請專利範圍第19項至第24項中任一項所述的半導體用配線層積層體；以及半導體元件，與所述銅配線進行電性連接。
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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170053416A (ko) * 2015-11-06 2017-05-16 주식회사 엘지화학 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2020029504A (ja) * 2018-08-22 2020-02-27 日立化成株式会社 硬化性組成物
KR102192274B1 (ko) 2018-08-30 2020-12-17 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 수지 조성물, 수지 시트, 다층 프린트 배선판, 및 반도체 장치
JP7446741B2 (ja) * 2018-09-28 2024-03-11 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 金属張積層板及び回路基板
WO2020078938A1 (en) * 2018-10-18 2020-04-23 Merck Patent Gmbh Dielectric copolymer materials
JP7212829B2 (ja) * 2018-11-30 2023-01-26 株式会社レゾナック 硬化性組成物及びその硬化物、並びに半導体用配線層
JP2020095111A (ja) * 2018-12-11 2020-06-18 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた半導体用配線層及び半導体基板
CN113348079B (zh) 2019-01-22 2023-06-02 三菱瓦斯化学株式会社 树脂组合物、树脂片、多层印刷布线板、及半导体装置
JP2020136430A (ja) * 2019-02-18 2020-08-31 日立化成株式会社 配線層間絶縁層形成用感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体用配線層、半導体用配線層積層体
WO2020179443A1 (ja) * 2019-03-01 2020-09-10 Jsr株式会社 高周波回路用積層体及びその製造方法、フレキシブルプリント基板、ｂステージシート、並びに積層体捲回体
CN113795522B (zh) 2019-06-28 2022-08-12 三菱瓦斯化学株式会社 树脂组合物、树脂片、多层印刷电路板和半导体装置
EP3916025B1 (en) * 2019-06-28 2023-08-09 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resin composition, resin sheet, multilayer printed wiring board, and semiconductor device
EP3919531B1 (en) * 2019-06-28 2023-08-02 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resin composition, resin sheet, multilayer printed wiring board, and semiconductor device
CN114144467B (zh) * 2019-06-28 2023-05-23 三菱瓦斯化学株式会社 树脂组合物、树脂片、层叠体、带树脂组合物层的半导体晶圆、基板和半导体装置
JP7115445B2 (ja) * 2019-09-03 2022-08-09 信越化学工業株式会社 マレイミド樹脂フィルム及びマレイミド樹脂フィルム用組成物
EP4074681A4 (en) 2019-12-11 2023-01-25 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. COMPOUND, PRODUCTION METHOD THEREOF, RESIN COMPOSITION, RESIN SHEET, MULTILAYER PRINTED CIRCUIT BOARD AND SEMICONDUCTOR DEVICE
KR102479615B1 (ko) 2019-12-11 2022-12-20 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 수지 조성물, 수지 시트, 다층 프린트 배선판, 및 반도체 장치
EP4043419B1 (en) 2019-12-11 2023-10-18 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound and method for producing same, resin composition, resin sheet, multilayer printed wiring board, and semiconductor device
JP7434886B2 (ja) * 2019-12-25 2024-02-21 Dic株式会社 （メタ）アクリレート樹脂組成物、硬化性樹脂組成物、硬化物及び物品
JP7385483B2 (ja) * 2020-01-27 2023-11-22 キオクシア株式会社 半導体装置およびその製造方法
WO2022163065A1 (ja) * 2021-01-26 2022-08-04 東洋紡株式会社 積層体の製造方法、積層体、及び、多層積層体
TW202237697A (zh) 2021-03-25 2022-10-01 日商日本化藥股份有限公司 樹脂組成物、硬化物、樹脂片材、預浸體、覆金屬箔積層板、多層印刷配線板、密封用材料、纖維加強複合材料、接著劑及半導體裝置
US20240174809A1 (en) 2021-03-25 2024-05-30 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha Resin composition, resin sheet, multilayered printed wiring board, and semiconductor device
JPWO2022244266A1 (zh) * 2021-05-21 2022-11-24
KR20240021145A (ko) 2021-06-15 2024-02-16 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 수지 조성물, 수지 시트, 다층 프린트 배선판, 및 반도체 장치
KR102646474B1 (ko) 2021-06-15 2024-03-11 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 수지 조성물, 수지 시트, 다층 프린트 배선판, 및 반도체 장치
TW202313780A (zh) 2021-06-15 2023-04-01 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 樹脂組成物、樹脂片、多層印刷配線板、及半導體裝置
JP7298798B2 (ja) 2021-06-15 2023-06-27 三菱瓦斯化学株式会社 樹脂組成物、樹脂シート、多層プリント配線板、及び半導体装置
KR102647926B1 (ko) * 2021-08-02 2024-03-15 주식회사 신아티앤씨 다층 인쇄회로기판
CN116333225A (zh) * 2021-12-22 2023-06-27 中山台光电子材料有限公司 树脂组合物及其制品
US11596066B1 (en) * 2022-03-22 2023-02-28 Thintronics. Inc. Materials for printed circuit boards
WO2024057206A1 (en) * 2022-09-16 2024-03-21 3M Innovative Properties Company Polyimide adhesive composition comprising maleimide moieties and amine compound, articles and methods

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI242021B (en) * 2001-05-25 2005-10-21 Taiyo Ink Mfg Co Ltd Photocurable and thermosetting resin composition
JP2011003884A (ja) * 2009-05-20 2011-01-06 Fujitsu Ltd 回路基板及びその製造方法
US20110221071A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Renesas Electronics Corporation Electronic device and manufacturing method of electronic device
CN104812805A (zh) * 2012-11-28 2015-07-29 日立化成株式会社 硅氧烷化合物、改性酰亚胺树脂、热固性树脂组合物、预浸渍坯、带有树脂的膜、层叠板、多层印刷布线板及半导体封装件
WO2016114286A1 (ja) * 2015-01-13 2016-07-21 日立化成株式会社 樹脂組成物、樹脂層付き支持体、プリプレグ、積層板、多層プリント配線板及びミリ波レーダー用プリント配線板

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4818713A (en) * 1987-10-20 1989-04-04 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Techniques useful in fabricating semiconductor devices having submicron features
JPH1124261A (ja) * 1997-07-09 1999-01-29 Hitachi Ltd 感光性樹脂組成物
JP3840043B2 (ja) * 2000-07-14 2006-11-01 京セラ株式会社 感光性ソルダーレジスト層およびそれを用いた配線基板ならびに電子部品モジュール
JP3953027B2 (ja) * 2003-12-12 2007-08-01 ソニー株式会社 半導体装置およびその製造方法
DE602005019702D1 (de) 2004-03-04 2010-04-15 Hitachi Chemical Co Ltd Prepreg, metallumhülltes laminat und leiterplatte unter verwendung davon
JP4895073B2 (ja) * 2004-12-15 2012-03-14 日立化成工業株式会社 熱硬化性樹脂ペースト及びこれを用いたフレキシブル配線板
JP2006179549A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Nissan Motor Co Ltd 電気回路実装基板及びその銅イオンの拡散抑制方法
JP5157191B2 (ja) * 2006-03-01 2013-03-06 日立化成株式会社 半導体装置
JP2008098370A (ja) * 2006-10-11 2008-04-24 Sony Corp 配線パターン形成方法と配線基板およびそれを用いた電子機器
JP2010006983A (ja) * 2008-06-27 2010-01-14 Hitachi Chem Co Ltd 封止充填剤及び半導体装置
US8227904B2 (en) 2009-06-24 2012-07-24 Intel Corporation Multi-chip package and method of providing die-to-die interconnects in same
JP5423548B2 (ja) 2010-04-05 2014-02-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP2012227444A (ja) * 2011-04-21 2012-11-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2013083958A (ja) * 2011-09-26 2013-05-09 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd 感光性樹脂組成物、それを用いた硬化物及び半導体素子
JP5895467B2 (ja) * 2011-11-18 2016-03-30 富士通株式会社 電子装置及びその製造方法
JP5534378B2 (ja) 2012-02-24 2014-06-25 荒川化学工業株式会社 ポリイミド系接着剤組成物、硬化物、接着シート、積層体、フレキシブルプリント基板
JP2014224855A (ja) * 2013-05-15 2014-12-04 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、及び、該パターン硬化膜を有する半導体装置
CN110941142B (zh) * 2014-03-17 2021-05-25 旭化成株式会社 感光性树脂组合物、固化浮雕图案的制造方法、以及半导体装置
JP2016088959A (ja) * 2014-10-30 2016-05-23 日立化成株式会社 フィルム状ポジ型感光性接着剤組成物、接着フィルム、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置
KR101832684B1 (ko) * 2015-01-13 2018-02-26 히타치가세이가부시끼가이샤 플렉시블 프린트 배선판용 수지 필름, 수지 부착 금속박, 커버 레이 필름, 본딩 시트 및 플렉시블 프린트 배선판
WO2016114030A1 (ja) * 2015-01-16 2016-07-21 日立化成株式会社 熱硬化性樹脂組成物、層間絶縁用樹脂フィルム、複合フィルム、プリント配線板及びその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI242021B (en) * 2001-05-25 2005-10-21 Taiyo Ink Mfg Co Ltd Photocurable and thermosetting resin composition
JP2011003884A (ja) * 2009-05-20 2011-01-06 Fujitsu Ltd 回路基板及びその製造方法
US20110221071A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Renesas Electronics Corporation Electronic device and manufacturing method of electronic device
CN104812805A (zh) * 2012-11-28 2015-07-29 日立化成株式会社 硅氧烷化合物、改性酰亚胺树脂、热固性树脂组合物、预浸渍坯、带有树脂的膜、层叠板、多层印刷布线板及半导体封装件
WO2016114286A1 (ja) * 2015-01-13 2016-07-21 日立化成株式会社 樹脂組成物、樹脂層付き支持体、プリプレグ、積層板、多層プリント配線板及びミリ波レーダー用プリント配線板

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