JP5157191B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
しかし、既述の文献にあるような手法を用いた場合、ポリイミドや従来のエポキシ樹脂を用いると、銅めっきによる回路形成では十分な密着性が得られないという問題点があった。
また、半導体基板の片面に絶縁層を形成するために基板の反りの抑制も必要であった。
また、本発明は、樹脂組成に含まれる有機フィラーが、カルボン酸変性ゴム粒子である前記の半導体装置に関する。
二官能エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型又はビスフェノールF型樹脂等が例示される。
有機フィラーとしては、ポリスチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリブタジエンスチレン(PBS)樹脂、アクリロニトリル・ブタジエンスチレン(ABS)樹脂、メチルメタクリレート・ブタジエンスチレン(MBS)樹脂、アクリロニトリルスチレン樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、ニトリルブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム等が例示される。また柔らかい組成のコア部と硬い組成のシェル部を備えたコアシェル構造の有機フィラーを用いることもできる。
また、粒子の大きさは、一次平均粒子径で、60〜80nmであることが好ましい。これらは、単独でも、2種以上を組み合せて用いてもよい。
これらは単独でも、2種以上を組み合せて用いてもよい。信頼性を損ねることなく、樹脂の流動性を確保することが出来る。
また、トリアジン環含有クレゾールノボラック型フェノール樹脂は、クレゾールノボラック型フェノール樹脂の主鎖にトリアジン環を含むクレゾールノボラック型フェノール樹脂である。このような樹脂を用いることで、耐熱性や耐薬品性を損なうことなく、難燃性を向上させることが可能となる。
また、イオン性不純物としては、ナトリウムイオン、カリウムイオン、カルシウムイオン、塩素イオン、ブロムイオン、燐酸イオン等の評価が適切である。これらのイオン性不純物濃度が1ppmを超えると、長期絶縁信頼性が低下しやすい傾向がある。
ワニス化の溶剤は、比較的低沸点の、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、2−エトキシエタノール、トルエン、ブチルセルソルブ、メタノール、エタノール、2−メトキシエタノールなどを用いるのが好ましい。また、塗膜性を向上するなどの目的で、高沸点溶剤を加えても良い。
フィラーの分散には、らいかい機、3本ロール、ボールミル、ビーズミル等により、またこれらを組み合わせて行なうことができる。
フィラーと低分子量物をあらかじめ混合した後、高分子量物を配合することにより、混合に要する時間を短縮することも可能となる。
キャリアフィルム及びカバーフィルムに用いるフィルムとしては、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッソ系フィルム、離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムが使用できる。
以下実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれに制限するものではない。
(絶縁層用接着フィルム1の作製)
ビフェニル系エポキシ樹脂〔日本化薬(株)製、商品名NC3000H〕80重量部、トリアジン環含有クレゾールノボラック型フェノール樹脂〔大日本インキ化学工業(株)製、商品名フェノライトEXB−9829〕12重量部、イミダゾール誘導体化合物:1−シアノエチル−2フェニルイミダゾリウムトリメリテート〔四国化成工業(株)製、商品名2PZ−CNS〕0.24重量部、コアシェル構造架橋ゴム粒子(コア層:架橋ポリブタジエン/シェル層:架橋ポリメタクリル酸メチル〔呉羽化学工業(株)製、商品名ラロイドEXL2655〕14重量部及びリン含有化合物〔三光(株)製、商品名HCA−HQ〕26重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて撹拌混合し、さらにビーズミルを用いて混練し、真空脱気した。
ビフェニル系エポキシ樹脂〔日本化薬(株)製、商品名NC3000H〕80重量部、トリアジン環含有クレゾールノボラック型フェノール樹脂〔大日本インキ化学工業(株)製、商品名フェノライトEXB−9829を使用〕12重量部、イミダゾール誘導体化合物:1−シアノエチル−2フェニルイミダゾリウムトリメリテート〔四国化成工業(株)製、商品名2PZ−CNS〕0.24重量部、コアシェル構造架橋ゴム粒子(コア層:架橋ポリブタジエン/シェル層:架橋ポリメタクリル酸メチル〔呉羽化学工業(株)製、商品名パラロイドEXL2655〕31重量部、リン含有化合物〔三光(株)製、商品名HCA−HQ〕26重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて撹拌混合し、さらにビーズミルを用いて混練し、真空脱気した。
ビフェニル系エポキシ樹脂〔日本化薬(株)製、商品名NC3000H〕80重量部、トリアジン環含有クレゾールノボラック型フェノール樹脂〔大日本インキ化学工業(株)製、商品名フェノライトEXB−9829〕12重量部、イミダゾール誘導体化合物:1−シアノエチル−2フェニルイミダゾリウムトリメリテート(四国化成工業(株)製、商品名2PZ−CNS〕0.24重量部、コアシェル構造架橋ゴム粒子(コア層:架橋ポリブタジエン/シェル層:架橋ポリメタクリル酸メチル〔呉羽化学工業(株)製、商品名パラロイドEXL2655〕53重量部、リン含有化合物〔三光(株)製、商品名HCA−HQ〕26重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて撹拌混合し、さらにビーズミルを用いて混練し、真空脱気した。
ビフェニル系エポキシ樹脂〔日本化薬(株)製、商品名NC3000H〕80重量部、トリアジン環含有クレゾールノボラック型フェノール樹脂〔(大日本インキ化学工業(株)製、商品名フェノライトEXB−9829〕12重量部、イミダゾール誘導体化合物:1−シアノエチル−2フェニルイミダゾリウムトリメリテート(四国化成工業(株)製、商品名2PZ−CNS〕0.24重量部、コアシェル構造架橋ゴム粒子(コア層:架橋ポリブタジエン/シェル層:架橋ポリメタクリル酸メチル〔呉羽化学工業(株)製、商品名パラロイドEXL2655〕31重量部、リン含有化合物〔三光(株)製、商品名HCA−HQ〕26重量部、球状シリカ粒子〔(株)アドマテックス製のアドマファイン球状シリカ粒子)60重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて撹拌混合し、さらにビーズミルを用いて混練し、真空脱気した。
ビフェニル系エポキシ樹脂〔日本化薬(株)製、商品名NC3000H〕80重量部、トリアジン環含有クレゾールノボラック型フェノール樹脂〔大日本インキ化学工業(株)製、商品名フェノライトEXB−9829〕12重量部、イミダゾール誘導体化合物:1−シアノエチル−2フェニルイミダゾリウムトリメリテート〔四国化成工業(株)製、商品名2PZ−CNS〕0.24重量部、カルボン酸変性アクリロニトリルブタジエンゴム粒子〔JSR(株)製、商品名XER−91SE−15〕5重量部、リン含有化合物〔三光(株)製、商品名HCA−HQ〕26重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて撹拌混合し、さらにビーズミルを用いて混練し、真空脱気した。
ビフェニル系エポキシ樹脂〔日本化薬(株)製、商品名NC3000H〕80重量部、トリアジン環含有クレゾールノボラック型フェノール樹脂〔大日本インキ化学工業(株)製、商品名フェノライトEXB−9829〕12重量部、イミダゾール誘導体化合物:1−シアノエチル−2フェニルイミダゾリウムトリメリテート〔四国化成工業(株)製、商品名2PZ−CNS〕0.24重量部、カルボン酸変性アクリロニトリルブタジエンゴム粒子〔JSR(株)製、商品名XER−91SE−15〕5重量部、リン含有化合物〔三光(株)製、商品名HCA−HQ〕26重量部、球状シリカ粒子〔(株)アドマテックス製のアドマファイン球状シリカ粒子〕40重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて撹拌混合し、さらにビーズミルを用いて混練し、真空脱気した。
ビフェニル系エポキシ樹脂〔日本化薬(株)製、商品名NC3000H〕80重量部、トリアジン環含有クレゾールノボラック型フェノール樹脂〔大日本インキ化学工業(株)製、商品名フェノライトEXB−9829〕12重量部、イミダゾール誘導体化合物:1−シアノエチル−2フェニルイミダゾリウムトリメリテート〔四国化成工業(株)製、商品名2PZ−CNS〕0.24重量部、リン含有化合物〔三光(株)製、商品名HCA−HQ〕26重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて撹拌混合し、さらにビーズミルを用いて混練し、真空脱気した。
ビフェニル系エポキシ樹脂〔日本化薬(株)製、商品名NC3000H〕80重量部、トリアジン環含有クレゾールノボラック型フェノール樹脂〔大日本インキ化学工業(株)製、商品名フェノライトEXB−9829〕12重量部、イミダゾール誘導体化合物:1−シアノエチル−2フェニルイミダゾリウムトリメリテート〔四国化成工業(株)製、商品名2PZ−CNS〕0.24重量部、リン含有化合物〔三光(株)製、商品名HCA−HQ〕26重量部、球状シリカ粒子〔(株)アドマテックス製のアドマファイン球状シリカ粒子)78重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて撹拌混合し、さらにビーズミルを用いて混練し、真空脱気した。
その後、キャリアフィルムを剥がし、170℃,1時間の条件で接着フィルムを硬化させた。
その後、塩化パラジウム系の種付処理を行った後に、無電解めっき液に浸漬して1μmの薄付け銅めっきを行い、さらに電気めっきにより10μmの銅めっきを行った(図3(d))。
その後、180℃で1時間の後加熱を行い、絶縁層を完全に硬化させ、さらに硫酸処理により回路表面の酸化銅を取り除いた。
その後、キャリアフィルムを剥がし、170℃、1時間の条件で接着フィルムを硬化させた。さらに炭酸ガスレーザを用いてこの絶縁層に50μmの穴を形成して、アルカリ過マンガン酸粗化液でデスミア処理し、塩化第一スズの塩酸水溶液で中和し、再配線加工を施した半導体装置を得た(図3(g))。
絶縁層用接着フィルム1に換えて、絶縁層用接着フィルム7を用いた以外は、実施例1と同様な条件で加工を行い、再配線加工を施した半導体装置を得た。
絶縁層用接着フィルム1に換えて、絶縁層用接着フィルム8を用いた以外は、実施例1と同様な条件で加工を行い、再配線加工を施した半導体装置を得た。
実施例1〜6及び比較例1、2で得られた配線加工後の半導体装置について、半導体基板の反り量と配線パターン形成性について調べた。半導体基板の反り量は、平坦な定板の上に半導体基板を載せ、端部の浮き量を測定した。反り量が、80μm以下の場合を非常に良好(◎)、80〜120μmの場合を良好(○)、120μmを超える場合を不良(×)とした。
また、配線パターン形成性は、配線パターンの浮きや剥がれがない場合を良好(○)、浮きや剥がれがある場合を不良(×)とした。
これらの結果を絶縁層用接着フィルムの硬化物の物性と合わせて表1に示す。
特に、実施例2及び3は、貯蔵弾性率が1.3〜1.6GPaと更に低かったため、基板の反りが非常に良好であった。
また、実施例1〜6は、有機フィラーを添加しているため、絶縁層とめっき銅との密着力が高く、配線パターン形成性にも優れていた。
また、比較例2は、無機フィラーが添加されているため、絶縁層の粗化処理が十分に行われて絶縁層とめっき銅との密着力が高く、配線パターン形成性は優れていた。しかし、貯蔵弾性率が3.7GPaと高かったため、基板の反りが大きかった。
2 半導体電極パッド
3 回路配線
4 半導体基板
5 絶縁層
6 絶縁層ホール
7 銅
8 はんだボール
9 配線基板
51 絶縁層用接着フィルム
52 絶縁層用接着フィルム
53 絶縁層用接着フィルム
Claims (7)
- 必要な回路が形成された半導体表面に、(1)エポキシ樹脂、(2)フェノール樹脂及び(3)平均一次粒子径1μm以下の有機フィラーの成分を含む樹脂組成からなる絶縁層を1層又は複数層備え、かつ同一層内及び層間接続の配線導体として銅を用いた回路を任意の箇所に形成し、前記絶縁層を形成する樹脂組成硬化物の40℃における貯蔵弾性率が、1〜3GPaである半導体装置。
- 必要な回路が形成された半導体表面に、(1)エポキシ樹脂、(2)フェノール樹脂、(3)平均一次粒子径1μm以下の有機フィラー及び(4)リン含有反応性難燃剤の成分を含む樹脂組成からなる絶縁層を1層又は複数層備え、かつ同一層内及び層間接続の配線導体として銅を用いた回路を任意の箇所に形成し、前記絶縁層を形成する樹脂組成硬化物の40℃における貯蔵弾性率が、1〜3GPaである半導体装置。
- 必要な回路が形成された半導体表面に、(1)エポキシ樹脂、(2)フェノール樹脂、(3)平均一次粒子径1μm以下の有機フィラー、(4)リン含有反応性難燃剤及び(5)無機フィラーの成分を含む樹脂組成からなる絶縁層を1層又は複数層備え、かつ同一層内及び層間接続の配線導体として銅を用いた回路を任意の箇所に形成し、前記絶縁層を形成する樹脂組成硬化物の40℃における貯蔵弾性率が、1〜3GPaである半導体装置。
- 必要な回路が形成された半導体表面に、(1)ビフェニル構造を有するノボラック型エポキシ樹脂、(2)トリアジン環含有クレゾールノボラック型フェノール樹脂、(3)平均一次粒子径1μm以下の架橋ポリブタジエンをコア層とし、架橋アクリル樹脂をシェル層とした架橋ゴム粒子及び(4)フェノール性水酸基含有リン化合物の成分を含む樹脂組成からなる絶縁層を1層又は複数層備え、かつ同一層内及び層間接続の配線導体として銅を用いた回路を任意の箇所に形成し、前記絶縁層を形成する樹脂組成硬化物の40℃における貯蔵弾性率が、1〜3GPaである半導体装置。
- 必要な回路が形成された半導体表面に、(1)ビフェニル構造を有するノボラック型エポキシ樹脂、(2)トリアジン環含有クレゾールノボラック型フェノール樹脂、(3)平均一次粒子径1μm以下のカルボン酸変性アクリロニトリルブタジエンゴム粒子及び(4)フェノール性水酸基含有リン化合物の成分を含む樹脂組成からなる絶縁層を1層又は複数層備え、かつ同一層内及び層間接続の配線導体として銅を用いた回路を任意の箇所に形成し、前記絶縁層を形成する樹脂組成硬化物の40℃における貯蔵弾性率が、1〜3GPaである半導体装置。
- 必要な回路が形成された半導体表面に、(1)ビフェニル構造を有するノボラック型エポキシ樹脂、(2)トリアジン環含有クレゾールノボラック型フェノール樹脂、(3)平均一次粒子径1μm以下の架橋ポリブタジエンをコア層とし、架橋アクリル樹脂をシェル層とした架橋ゴム粒子、(4)フェノール性水酸基含有リン化合物及び(5)無機フィラーの成分を含む樹脂組成からなる絶縁層を1層又は複数層備え、かつ同一層内及び層間接続の配線導体として銅を用いた回路を任意の箇所に形成し、前記絶縁層を形成する樹脂組成硬化物の40℃における貯蔵弾性率が、1〜3GPaである半導体装置。
- 必要な回路が形成された半導体表面に、(1)ビフェニル構造を有するノボラック型エポキシ樹脂、(2)トリアジン環含有クレゾールノボラック型フェノール樹脂、(3)平均一次粒子径1μm以下のカルボン酸変性アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、(4)フェノール性水酸基含有リン化合物及び(5)無機フィラーの成分を含む樹脂組成からなる絶縁層を1層又は複数層備え、かつ同一層内及び層間接続の配線導体として銅を用いた回路を任意の箇所に形成し、前記絶縁層を形成する樹脂組成硬化物の40℃における貯蔵弾性率が、1〜3GPaである半導体装置。
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