JP2009054943A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】必要な回路が形成された半導体回路デバイス表面に、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤及び平均一次粒子径1μm以下の有機フィラーの成分を含む樹脂組成からなる絶縁層を1層又は複数層備え、かつ同一層内及び層間接続の配線導体として銅を用いた回路を任意の箇所に形成してなる半導体装置。
【選択図】図1
Description
さらに、特に絶縁層に用いる樹脂の種類や組成を特定せずに技術開示している場合も多い(例えば、特許文献5、6参照)。
また、本発明は、樹脂組成に含まれる有機フィラーが、カルボン酸変性ゴム粒子である前記の半導体装置に関する。
(式中、nが、1の場合、R4は、水素原子、直鎖状若しくは分枝状のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基であり、nが2の場合、それぞれのR4は独立して、水素原子、直鎖状若しくは分枝状のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基であるか、2つのR4は、それぞれが結合している炭素原子と一緒になって、非置換又はアルキル基若しくはシクロアルキル基で置換されているベンゼン環を形成し、xは、2以上の自然数である)で示されるような、フェノール性水酸基を含有するリン化合物である。これらは、単独でも、2種以上を組み合せて用いてもよい。
(式中、R5は、水素原子、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、sec−ブチル、tert−ブチル基、シクロヘキシル基を表す)で示されるリン化合物が挙げられる。特に、10−(2,5−ジヒドロキシフェニル)−9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキシド及びそれらの誘導体が好ましい。
(絶縁層用接着フィルム1の作製)
ビフェニル系エポキシ樹脂〔日本化薬株式会社製、商品名NC3000H〕80重量部、トリアジン環含有クレゾールノボラック型フェノール樹脂〔大日本インキ化学工業株式会社製、商品名フェノライトEXB−9829〕12重量部、イミダゾール誘導体化合物:1−シアノエチル−2フェニルイミダゾリウムトリメリテート〔四国化成工業株式会社製、商品名2PZ−CNS〕0.24重量部、コアシェル構造架橋ゴム粒子(コア層:架橋ポリブタジエン/シェル層:架橋ポリメタクリル酸メチル〔呉羽化学工業株式会社製、商品名ラロイドEXL2655〕14重量部及びリン含有化合物〔三光株式会社製、商品名HCA−HQ〕26重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて撹拌混合し、さらにビーズミルを用いて混練し、真空脱気した。
ビフェニル系エポキシ樹脂〔日本化薬株式会社製、商品名NC3000H〕80重量部、トリアジン環含有クレゾールノボラック型フェノール樹脂〔大日本インキ化学工業株式会社製、商品名フェノライトEXB−9829を使用〕12重量部、イミダゾール誘導体化合物:1−シアノエチル−2フェニルイミダゾリウムトリメリテート〔四国化成工業株式会社製、商品名2PZ−CNS〕0.24重量部、コアシェル構造架橋ゴム粒子(コア層:架橋ポリブタジエン/シェル層:架橋ポリメタクリル酸メチル〔呉羽化学工業株式会社製、商品名パラロイドEXL2655〕31重量部、リン含有化合物〔三光株式会社製、商品名HCA−HQ〕26重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて撹拌混合し、さらにビーズミルを用いて混練し、真空脱気した。
ビフェニル系エポキシ樹脂〔日本化薬株式会社製、商品名NC3000H〕80重量部、トリアジン環含有クレゾールノボラック型フェノール樹脂〔大日本インキ化学工業株式会社製、商品名フェノライトEXB−9829〕12重量部、イミダゾール誘導体化合物:1−シアノエチル−2フェニルイミダゾリウムトリメリテート(四国化成工業株式会社製、商品名2PZ−CNS〕0.24重量部、コアシェル構造架橋ゴム粒子(コア層:架橋ポリブタジエン/シェル層:架橋ポリメタクリル酸メチル〔呉羽化学工業株式会社製、商品名パラロイドEXL2655〕53重量部、リン含有化合物〔三光株式会社製、商品名HCA−HQ〕26重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて撹拌混合し、さらにビーズミルを用いて混練し、真空脱気した。
ビフェニル系エポキシ樹脂〔日本化薬株式会社製、商品名NC3000H〕80重量部、トリアジン環含有クレゾールノボラック型フェノール樹脂〔(大日本インキ化学工業株式会社製、商品名フェノライトEXB−9829〕12重量部、イミダゾール誘導体化合物:1−シアノエチル−2フェニルイミダゾリウムトリメリテート(四国化成工業株式会社製、商品名2PZ−CNS〕0.24重量部、コアシェル構造架橋ゴム粒子(コア層:架橋ポリブタジエン/シェル層:架橋ポリメタクリル酸メチル〔呉羽化学工業株式会社製、商品名パラロイドEXL2655〕31重量部、リン含有化合物〔三光株式会社製、商品名HCA−HQ〕26重量部、球状シリカ粒子〔株式会社アドマテックス製のアドマファイン球状シリカ粒子)60重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて撹拌混合し、さらにビーズミルを用いて混練し、真空脱気した。
ビフェニル系エポキシ樹脂〔日本化薬株式会社製、商品名NC3000H〕80重量部、トリアジン環含有クレゾールノボラック型フェノール樹脂〔大日本インキ化学工業株式会社製、商品名フェノライトEXB−9829〕12重量部、イミダゾール誘導体化合物:1−シアノエチル−2フェニルイミダゾリウムトリメリテート〔四国化成工業株式会社製、商品名2PZ−CNS〕0.24重量部、カルボン酸変性アクリロニトリルブタジエンゴム粒子〔JSR株式会社製、商品名XER−91SE−15〕5重量部、リン含有化合物〔三光株式会社製、商品名HCA−HQ〕26重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて撹拌混合し、さらにビーズミルを用いて混練し、真空脱気した。
ビフェニル系エポキシ樹脂〔日本化薬株式会社製、商品名NC3000H〕80重量部、トリアジン環含有クレゾールノボラック型フェノール樹脂〔大日本インキ化学工業株式会社製、商品名フェノライトEXB−9829〕12重量部、イミダゾール誘導体化合物:1−シアノエチル−2フェニルイミダゾリウムトリメリテート〔四国化成工業株式会社製、商品名2PZ−CNS〕0.24重量部、カルボン酸変性アクリロニトリルブタジエンゴム粒子〔JSR株式会社製、商品名XER−91SE−15〕5重量部、リン含有化合物〔三光株式会社製、商品名HCA−HQ〕26重量部、球状シリカ粒子〔株式会社アドマテックス製のアドマファイン球状シリカ粒子〕40重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて撹拌混合し、さらにビーズミルを用いて混練し、真空脱気した。
ビフェニル系エポキシ樹脂〔日本化薬株式会社製、商品名NC3000H〕80重量部、トリアジン環含有クレゾールノボラック型フェノール樹脂〔大日本インキ化学工業株式会社製、商品名フェノライトEXB−9829〕12重量部、イミダゾール誘導体化合物:1−シアノエチル−2フェニルイミダゾリウムトリメリテート〔四国化成工業株式会社製、商品名2PZ−CNS〕0.24重量部、リン含有化合物〔三光株式会社製、商品名HCA−HQ〕26重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて撹拌混合し、さらにビーズミルを用いて混練し、真空脱気した。
ビフェニル系エポキシ樹脂〔日本化薬株式会社製、商品名NC3000H〕80重量部、トリアジン環含有クレゾールノボラック型フェノール樹脂〔大日本インキ化学工業株式会社製、商品名フェノライトEXB−9829〕12重量部、イミダゾール誘導体化合物:1−シアノエチル−2フェニルイミダゾリウムトリメリテート〔四国化成工業株式会社製、商品名2PZ−CNS〕0.24重量部、リン含有化合物〔三光株式会社製、商品名HCA−HQ〕26重量部、球状シリカ粒子〔株式会社アドマテックス製のアドマファイン球状シリカ粒子)78重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて撹拌混合し、さらにビーズミルを用いて混練し、真空脱気した。
ウェハ状態のシリコーン半導体基板(サイズ:8インチφ、厚み:0.725mm)の回路が形成された面(図3(a))に、銅系金属からなる接続パッドが形成された半導体基板を準備した。この半導体基板の回路面に前記で得た絶縁層用接着フィルム1の接着剤面が接するように配置し、110℃、0.5MPa及び60秒の条件で真空ラミネートした(図3(b)。その後、キャリアフィルムを剥がし、170℃,1時間の条件で接着フィルムを硬化させた。
絶縁層用接着フィルム1に換えて、絶縁層用接着フィルム2を用いた以外は、実施例1と同様な条件で加工を行い、再配線加工を施した半導体装置を得た。
絶縁層用接着フィルム1に換えて、絶縁層用接着フィルム3を用いた以外は、実施例1と同様な条件で加工を行い、再配線加工を施した半導体装置を得た。
絶縁層用接着フィルム1に換えて、絶縁層用接着フィルム4を用いた以外は、実施例1と同様な条件で加工を行い、再配線加工を施した半導体装置を得た。
絶縁層用接着フィルム1に換えて、絶縁層用接着フィルム5を用いた以外は、実施例1と同様な条件で加工を行い、再配線加工を施した半導体装置を得た。
絶縁層用接着フィルム1に換えて、絶縁層用接着フィルム6を用いた以外は、実施例1と同様な条件で加工を行い、再配線加工を施した半導体装置を得た。
絶縁層用接着フィルム1に換えて、絶縁層用接着フィルム7を用いた以外は、実施例1と同様な条件で加工を行い、再配線加工を施した半導体装置を得た。
絶縁層用接着フィルム1に換えて、絶縁層用接着フィルム8を用いた以外は、実施例1と同様な条件で加工を行い、再配線加工を施した半導体装置を得た。
実施例1〜6及び比較例1、2で得られた配線加工後の半導体装置について、ウェハ状のシリコン半導体基板の反り量と配線パターン形成性について調べた。半導体基板の反り量は、平坦な定板の上に半導体基板を載せ、端部の浮き量を測定した。反り量が、80μm以下の場合を非常に良好(◎)、80〜120μmの場合を良好(○)、120μmを超える場合を不良(×)とした。また、配線パターン形成性は、配線パターンの浮きや剥がれがない場合を良好(○)、浮きや剥がれがある場合を不良(×)とした。これらの結果を絶縁層用接着フィルムの硬化物の物性と合わせて表1に示した。
2 半導体電極パッド
3 回路配線
4 半導体基板
6 絶縁層ホール
7 銅
8 はんだボール
9 配線基板
51 絶縁層用接着フィルム
52 絶縁層用接着フィルム
53 絶縁層用接着フィルム
Claims (17)
- 必要な回路が形成された半導体回路デバイス表面に、(1)エポキシ樹脂、(2)エポキシ樹脂硬化剤及び(3)平均一次粒子径1μm以下の有機フィラーの成分を含む樹脂組成からなる絶縁層を1層又は複数層備え、かつ同一層内及び層間接続の配線導体として銅を用いた回路を任意の箇所に形成してなる半導体装置。
- 必要な回路が形成された半導体回路デバイス表面に、(1)エポキシ樹脂、(2)フェノール樹脂及び(3)平均一次粒子径1μm以下の有機フィラーの成分を含む樹脂組成からなる絶縁層を1層又は複数層備え、かつ同一層内及び層間接続の配線導体として銅を用いた回路を任意の箇所に形成してなる半導体装置。
- 必要な回路が形成された半導体回路デバイス表面に、(1)エポキシ樹脂、(2)フェノール樹脂、(3)平均一次粒子径1μm以下の有機フィラー及び(4)リン含有反応性難燃剤の成分を含む樹脂組成からなる絶縁層を1層又は複数層備え、かつ同一層内及び層間接続の配線導体として銅を用いた回路を任意の箇所に形成してなる半導体装置。
- 必要な回路が形成された半導体回路デバイス表面に、(1)エポキシ樹脂、(2)フェノール樹脂、(3)平均一次粒子径1μm以下の有機フィラー、(4)リン含有反応性難燃剤及び(5)無機フィラーの成分を含む樹脂組成からなる絶縁層を1層又は複数層備え、かつ同一層内及び層間接続の配線導体として銅を用いた回路を任意の箇所に形成してなる半導体装置。
- 樹脂組成に含まれる有機フィラーが、コアシェル構造架橋ゴム粒子である請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置。
- 樹脂組成に含まれる有機フィラーが、架橋ポリブタジエンをコア層とし、架橋アクリル樹脂をシェル層とした架橋ゴム粒子である請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置。
- 樹脂組成に含まれる有機フィラーが、カルボン酸変性ゴム粒子である請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置。
- 樹脂組成に含まれる有機フィラーが、カルボン酸変性アクリロニトリルブタジエンゴム粒子である請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置。
- 樹脂組成に含まれるリン含有反応性難燃剤が、フェノール性水酸基含有リン化合物である請求項3〜8のいずれかに記載の半導体装置。
- 必要な回路が形成された半導体回路デバイス表面に、(1)ビフェニル構造を有するノボラック型エポキシ樹脂、(2)トリアジン環含有クレゾールノボラック型フェノール樹脂、(3)平均一次粒子径1μm以下の架橋ポリブタジエンをコア層とし、架橋アクリル樹脂をシェル層とした架橋ゴム粒子及び(4)フェノール性水酸基含有リン化合物の成分を含む樹脂組成からなる絶縁層を1層又は複数層備え、かつ同一層内及び層間接続の配線導体として銅を用いた回路を任意の箇所に形成してなる半導体装置。
- 必要な回路が形成された半導体回路デバイス表面に、(1)ビフェニル構造を有するノボラック型エポキシ樹脂、(2)トリアジン環含有クレゾールノボラック型フェノール樹脂、(3)平均一次粒子径1μm以下のカルボン酸変性アクリロニトリルブタジエンゴム粒子及び(4)フェノール性水酸基含有リン化合物の成分を含む樹脂組成からなる絶縁層を1層又は複数層備え、かつ同一層内及び層間接続の配線導体として銅を用いた回路を任意の箇所に形成してなる半導体装置。
- 必要な回路が形成された半導体回路デバイス表面に、(1)ビフェニル構造を有するノボラック型エポキシ樹脂、(2)トリアジン環含有クレゾールノボラック型フェノール樹脂、(3)平均一次粒子径1μm以下の架橋ポリブタジエンをコア層とし、架橋アクリル樹脂をシェル層とした架橋ゴム粒子、(4)フェノール性水酸基含有リン化合物及び(5)無機フィラーの成分を含む樹脂組成からなる絶縁層を1層又は複数層備え、かつ同一層内及び層間接続の配線導体として銅を用いた回路を任意の箇所に形成してなる半導体装置。
- 必要な回路が形成された半導体回路デバイス表面に、(1)ビフェニル構造を有するノボラック型エポキシ樹脂、(2)トリアジン環含有クレゾールノボラック型フェノール樹脂、(3)平均一次粒子径1μm以下のカルボン酸変性アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、(4)フェノール性水酸基含有リン化合物及び(5)無機フィラーの成分を含む樹脂組成からなる絶縁層を1層又は複数層備え、かつ同一層内及び層間接続の配線導体として銅を用いた回路を任意の箇所に形成してなる半導体装置。
- 絶縁層を形成する樹脂組成硬化物の40℃における貯蔵弾性率が、1〜3GPaである請求項1〜13のいずれかに記載の半導体装置。
- 絶縁層を形成する樹脂組成硬化物の25℃からガラス転移温度までの線膨張係数が、50〜100ppm/Kである請求項1〜14のいずれかに記載の半導体装置。
- 絶縁層を形成する樹脂組成硬化物のイオン性不純物濃度が、1ppm以下である請求項1〜15のいずれかに記載の半導体装置。
- 配線導体が形成される絶縁層の算術平均表面粗さ(Ra)が、0.1〜0.4μmである請求項1〜16のいずれかに記載の半導体装置。
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