JP2000252321A - 電子部品装置の製造法 - Google Patents
電子部品装置の製造法Info
- Publication number
- JP2000252321A JP2000252321A JP5487199A JP5487199A JP2000252321A JP 2000252321 A JP2000252321 A JP 2000252321A JP 5487199 A JP5487199 A JP 5487199A JP 5487199 A JP5487199 A JP 5487199A JP 2000252321 A JP2000252321 A JP 2000252321A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive
- electronic component
- mounting
- film
- fine particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 他の電子部品と同時に実装して、一括してリ
フロ処理で熱硬化するとともに回路部材同士の電極の電
気的導通を得ることが出来、実装工程を簡略化できると
ともに、大幅なコスト低減を図ることが可能となる電子
部品装置の製造法を提供する。 【解決手段】 光硬化性樹脂と熱硬化性樹脂混合系の接
着剤を用いて金バンプ付きチップ１とＮｉ／Ａｕめっき
Ｃｕ回路プリント基板２の接続を以下に示すように行っ
た。接着剤４をＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板
２のチップ搭載部上に一面に塗布した後、図１に示すよ
うにチップバンプ３とＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリン
ト基板電極６の位置あわせを行い、チップをプリント基
板上に押し付けながら、プリント基板の斜め上方からＵ
Ｖ光を照射しながら搭載し、次いで最高温度１８０℃の
加熱処理を行う。
フロ処理で熱硬化するとともに回路部材同士の電極の電
気的導通を得ることが出来、実装工程を簡略化できると
ともに、大幅なコスト低減を図ることが可能となる電子
部品装置の製造法を提供する。 【解決手段】 光硬化性樹脂と熱硬化性樹脂混合系の接
着剤を用いて金バンプ付きチップ１とＮｉ／Ａｕめっき
Ｃｕ回路プリント基板２の接続を以下に示すように行っ
た。接着剤４をＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板
２のチップ搭載部上に一面に塗布した後、図１に示すよ
うにチップバンプ３とＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリン
ト基板電極６の位置あわせを行い、チップをプリント基
板上に押し付けながら、プリント基板の斜め上方からＵ
Ｖ光を照射しながら搭載し、次いで最高温度１８０℃の
加熱処理を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばフリップチ
ップ実装方式により半導体チップを基板と接着剤で接着
固定すると共に両者の電極同士を電気的に接続する電子
部品装置の製造法に関する。
ップ実装方式により半導体チップを基板と接着剤で接着
固定すると共に両者の電極同士を電気的に接続する電子
部品装置の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体実装分野では、低コスト化・高精
度化に対応した新しい実装形態としてＩＣチップを直接
プリント基板やフレキシブル配線板に搭載するフリップ
チップ実装が注目されている。フリップチップ実装方式
としては、チップの端子にはんだバンプを設け、はんだ
接続を行う方式や導電性接着剤を介して電気的接続を行
う方式が知られている。これらの方式では、接続するチ
ップと基板の熱膨張係数差に基づくストレスが、各種環
境下に曝した場合、接続界面で発生し接続信頼性が低下
するという問題がある。このため、接続界面のストレス
を緩和する目的で一般にエポキシ樹脂系のアンダフィル
材をチップ／基板の間隙に注入する方式が検討されてい
る。しかし、このアンダフィルの注入工程は、プロセス
を煩雑化し、生産性、コストの面で不利になるという問
題がある。このような問題を解決すべく最近では、異方
導電性と封止機能を有する異方導電性接着剤を用いたフ
リップチップ実装が、プロセス簡易性という観点から注
目されている。
度化に対応した新しい実装形態としてＩＣチップを直接
プリント基板やフレキシブル配線板に搭載するフリップ
チップ実装が注目されている。フリップチップ実装方式
としては、チップの端子にはんだバンプを設け、はんだ
接続を行う方式や導電性接着剤を介して電気的接続を行
う方式が知られている。これらの方式では、接続するチ
ップと基板の熱膨張係数差に基づくストレスが、各種環
境下に曝した場合、接続界面で発生し接続信頼性が低下
するという問題がある。このため、接続界面のストレス
を緩和する目的で一般にエポキシ樹脂系のアンダフィル
材をチップ／基板の間隙に注入する方式が検討されてい
る。しかし、このアンダフィルの注入工程は、プロセス
を煩雑化し、生産性、コストの面で不利になるという問
題がある。このような問題を解決すべく最近では、異方
導電性と封止機能を有する異方導電性接着剤を用いたフ
リップチップ実装が、プロセス簡易性という観点から注
目されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】異方導電性接着剤によ
る実装は熱と圧力を必要とするため、基板裏側への実装
ができないことや他の電子部品実装への配慮から、基板
への電子部品の実装工程の最初に行わなければならない
などの制限があり、熱圧着後、他の電子部品とともにリ
フロ工程を経るという非効率な実装工程をとっていた。
本発明は、他の電子部品と同時に実装して、一括してリ
フロ処理で熱硬化することで電子部品と搭載用基板の電
極の電気的導通を得られる電子部品装置の製造法を提供
するものである。
る実装は熱と圧力を必要とするため、基板裏側への実装
ができないことや他の電子部品実装への配慮から、基板
への電子部品の実装工程の最初に行わなければならない
などの制限があり、熱圧着後、他の電子部品とともにリ
フロ工程を経るという非効率な実装工程をとっていた。
本発明は、他の電子部品と同時に実装して、一括してリ
フロ処理で熱硬化することで電子部品と搭載用基板の電
極の電気的導通を得られる電子部品装置の製造法を提供
するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の第一の電子部品
装置の製造法は、電子部品搭載用基板に接着剤を形成す
る工程、電子部品の端子を搭載用基板の端子と対向させ
て電子部品を搭載用基板に搭載し、搭載すると同時に光
照射をする工程、加熱により前記接着剤を硬化する工程
を順に備えることを特徴とする。
装置の製造法は、電子部品搭載用基板に接着剤を形成す
る工程、電子部品の端子を搭載用基板の端子と対向させ
て電子部品を搭載用基板に搭載し、搭載すると同時に光
照射をする工程、加熱により前記接着剤を硬化する工程
を順に備えることを特徴とする。
【０００５】本発明の第二の電子部品装置の製造法は、
電子部品の搭載面に接着剤を形成する工程、電子部品の
端子を搭載用基板の端子と対向させて電子部品を搭載用
基板に搭載し、搭載すると同時に光照射をする工程、加
熱により前記接着剤を硬化する工程を順に備えることを
特徴とする。
電子部品の搭載面に接着剤を形成する工程、電子部品の
端子を搭載用基板の端子と対向させて電子部品を搭載用
基板に搭載し、搭載すると同時に光照射をする工程、加
熱により前記接着剤を硬化する工程を順に備えることを
特徴とする。
【０００６】接着剤としては、Ｓｎ，Ｂｉ，Ｉｎ，Ａ
ｇ，Ｓｂ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｍｇ，Ｇａ，Ａｌ
の群から選択された１種の金属または２種以上の金属を
組み合わせてできる合金材からなる導電性微粒子を電気
絶縁性の接着剤中に混合分散したものが使用できる。接
着剤の樹脂成分は、ＵＶ硬化系、加熱によって遊離ラジ
カルを発生する硬化剤系及び熱硬化系エポキシ樹脂から
選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。接着剤
は、フィルム状であることが好ましく、導電性微粒子を
配列した接着フィルムであることができる。導電性微粒
子の表面はフィルムの表裏の表面から露出していること
が好ましい。導電性微粒子を所定の形状に変形させるこ
とができる。フィルムの表面に粘着力を付与することが
好ましく、フィルムとして、導電性微粒子を支持する層
および前記支持する層と被接着部材との接着に寄与する
層の多層構成からなることができ、接着に寄与する層の
硬化後の４０℃における弾性率が３０〜２，０００ＭＰ
ａであることが好ましい。
ｇ，Ｓｂ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｍｇ，Ｇａ，Ａｌ
の群から選択された１種の金属または２種以上の金属を
組み合わせてできる合金材からなる導電性微粒子を電気
絶縁性の接着剤中に混合分散したものが使用できる。接
着剤の樹脂成分は、ＵＶ硬化系、加熱によって遊離ラジ
カルを発生する硬化剤系及び熱硬化系エポキシ樹脂から
選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。接着剤
は、フィルム状であることが好ましく、導電性微粒子を
配列した接着フィルムであることができる。導電性微粒
子の表面はフィルムの表裏の表面から露出していること
が好ましい。導電性微粒子を所定の形状に変形させるこ
とができる。フィルムの表面に粘着力を付与することが
好ましく、フィルムとして、導電性微粒子を支持する層
および前記支持する層と被接着部材との接着に寄与する
層の多層構成からなることができ、接着に寄与する層の
硬化後の４０℃における弾性率が３０〜２，０００ＭＰ
ａであることが好ましい。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明において、電子部品搭載用
基板に接着剤を形成する工程では、基板上の必要な箇所
にスクリーン印刷によって接着剤を塗布しても良く、あ
るいはディスペンサを用いて接着剤を塗布するかもしく
は熱及び／又は機械的な外力を加えて接着剤を基板上の
必要な箇所に転写しても良い。また本発明の電子部品の
端子を搭載用基板の端子と対向させて電子部品を搭載用
基板に搭載し、搭載すると同時に光照射をする工程をと
ることによって、フィレット部分の接着剤が半硬化し、
接着部分を抑えることによって搭載時の圧力を解放して
も対向した端子間の電気的接続が保たれ、その後、加熱
により前記接着剤を硬化する工程をとることによって対
向した端子間の電気的接続を保持したまま接着硬化する
ことができる。
基板に接着剤を形成する工程では、基板上の必要な箇所
にスクリーン印刷によって接着剤を塗布しても良く、あ
るいはディスペンサを用いて接着剤を塗布するかもしく
は熱及び／又は機械的な外力を加えて接着剤を基板上の
必要な箇所に転写しても良い。また本発明の電子部品の
端子を搭載用基板の端子と対向させて電子部品を搭載用
基板に搭載し、搭載すると同時に光照射をする工程をと
ることによって、フィレット部分の接着剤が半硬化し、
接着部分を抑えることによって搭載時の圧力を解放して
も対向した端子間の電気的接続が保たれ、その後、加熱
により前記接着剤を硬化する工程をとることによって対
向した端子間の電気的接続を保持したまま接着硬化する
ことができる。
【０００８】本発明に用いられる接着剤は、ＵＶ硬化系
もしくは加熱によって遊離ラジカルを発生する硬化剤系
もしくは熱硬化系エポキシ樹脂あるいはこれらの混合系
であり、ＵＶ硬化系の光開始剤としては、ベンゾインエ
チルエーテル、イソプロピルベンゾインエーテル等のベ
ンゾインエーテル、ベンジル、ヒドロキシシクロヘキシ
ルフェニルケトン等のベンジルケタール、ベンゾフェノ
ン、アセトフェノン等のケトン類及びその誘導体、チオ
キサントン類、ビスイミダゾール類等があり、これらの
光開始剤に必要に応じてアミン類、イオウ化合物、リン
化合物等の増感剤を任意の比で添加しても良い。
もしくは加熱によって遊離ラジカルを発生する硬化剤系
もしくは熱硬化系エポキシ樹脂あるいはこれらの混合系
であり、ＵＶ硬化系の光開始剤としては、ベンゾインエ
チルエーテル、イソプロピルベンゾインエーテル等のベ
ンゾインエーテル、ベンジル、ヒドロキシシクロヘキシ
ルフェニルケトン等のベンジルケタール、ベンゾフェノ
ン、アセトフェノン等のケトン類及びその誘導体、チオ
キサントン類、ビスイミダゾール類等があり、これらの
光開始剤に必要に応じてアミン類、イオウ化合物、リン
化合物等の増感剤を任意の比で添加しても良い。
【０００９】加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤
としては、過酸化化合物、アゾ系化合物などの加熱によ
り分解して遊離ラジカルを発生するものであり、目的と
する接続温度、接続時間、ポットライフ等により適宜選
定されるが、高反応性とポットライフの点から、半減期
１０時間の温度が４０℃以上かつ、半減期１分の温度が
１８０℃以下の有機過酸化物が好ましく、半減期１０時
間の温度が６０℃以上かつ、半減期１分の温度が１７０
℃以下の有機過酸化物が好ましい。この場合、配合量は
０．０５〜１０重量％程度であり０．１〜５重量％がよ
り好ましい。具体的には、ジアシルパーオキサイド、パ
ーオキシジカーボネート、パーオキシエステル、パーオ
キシケタール、ジアルキルパーオキサイド、ハイドロパ
ーオキサイド、シリルパーオキサイドなどから選定でき
る。また、回路部材の接続端子の腐食を抑えるために、
硬化剤中に含有される塩素イオンや有機酸は５０００ｐ
ｐｍ以下であることが好ましく、さらに、加熱分解後に
発生する有機酸が少ないものがより好ましい。具体的に
は、パーオキシエステル、ジアルキルパーオキサイド、
ハイドロパーオキサイド、シリルパーオキサイドから選
定され、高反応性が得られるパーオキシエステルから選
定されることがより好ましい。これらは、適宜混合して
用いることができる。
としては、過酸化化合物、アゾ系化合物などの加熱によ
り分解して遊離ラジカルを発生するものであり、目的と
する接続温度、接続時間、ポットライフ等により適宜選
定されるが、高反応性とポットライフの点から、半減期
１０時間の温度が４０℃以上かつ、半減期１分の温度が
１８０℃以下の有機過酸化物が好ましく、半減期１０時
間の温度が６０℃以上かつ、半減期１分の温度が１７０
℃以下の有機過酸化物が好ましい。この場合、配合量は
０．０５〜１０重量％程度であり０．１〜５重量％がよ
り好ましい。具体的には、ジアシルパーオキサイド、パ
ーオキシジカーボネート、パーオキシエステル、パーオ
キシケタール、ジアルキルパーオキサイド、ハイドロパ
ーオキサイド、シリルパーオキサイドなどから選定でき
る。また、回路部材の接続端子の腐食を抑えるために、
硬化剤中に含有される塩素イオンや有機酸は５０００ｐ
ｐｍ以下であることが好ましく、さらに、加熱分解後に
発生する有機酸が少ないものがより好ましい。具体的に
は、パーオキシエステル、ジアルキルパーオキサイド、
ハイドロパーオキサイド、シリルパーオキサイドから選
定され、高反応性が得られるパーオキシエステルから選
定されることがより好ましい。これらは、適宜混合して
用いることができる。
【００１０】パーオキシエステル類としては、クミルパ
ーオキシネオデカノエート、１，１，３，３，−テトラ
メチルブチルパーオキシネオデカノエート、１−シクロ
ヘキシル−１−メチルエチルパーオキシノエデカノエー
ト、ｔーヘキシルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ブ
チルパーオキシピバレート、１，１，３，３，−テトラ
メチルブチルパーオキシ２ーエチルヘキサノネート、
２，５，ージメチルー２，５ージ（２ーエチルヘキサノ
イルパーオキシ）ヘキサン、１−シクロヘキシル−１−
メチルエチルパーオキシ２−エチルヘキサノネート、ｔ
ーヘキシルパーオキシ２ーエチルヘキサノネート、ｔー
ブチルパーオキシ２ーエチルヘキサノネート、ｔーブチ
ルパーオキシイソブチレート、１，１ービス（ｔーブチ
ルパーオキシ）シクロヘキサン、ｔーヘキシルパーオキ
シイソプロピルモノカーボネート、ｔーブチルパーオキ
シー３，５，５ートリメチルヘキサノネート、ｔーブチ
ルパーオキシラウレート、２，５，ージメチルー２，
５，ージ（ｍートルオイルパーオキシ）ヘキサン、ｔー
ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔー
ブチルパーオキシ２ーエチルヘキシルモノカーボネー
ト、ｔーヘキシルパーオキシベンゾエート、ｔーブチル
パーオキシアセテート等がある。ジアルキルパーオキサ
イド類では、α，α’ビス（ｔーブチルパーオキシ）ジ
イソプロピルベンゼン、ジクミルパーオキサイド、２，
５，ージメチルー２，５，ージ（ｔーブチルパーオキ
シ）ヘキサン、ｔーブチルクミルパーオキサイド等があ
る。
ーオキシネオデカノエート、１，１，３，３，−テトラ
メチルブチルパーオキシネオデカノエート、１−シクロ
ヘキシル−１−メチルエチルパーオキシノエデカノエー
ト、ｔーヘキシルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ブ
チルパーオキシピバレート、１，１，３，３，−テトラ
メチルブチルパーオキシ２ーエチルヘキサノネート、
２，５，ージメチルー２，５ージ（２ーエチルヘキサノ
イルパーオキシ）ヘキサン、１−シクロヘキシル−１−
メチルエチルパーオキシ２−エチルヘキサノネート、ｔ
ーヘキシルパーオキシ２ーエチルヘキサノネート、ｔー
ブチルパーオキシ２ーエチルヘキサノネート、ｔーブチ
ルパーオキシイソブチレート、１，１ービス（ｔーブチ
ルパーオキシ）シクロヘキサン、ｔーヘキシルパーオキ
シイソプロピルモノカーボネート、ｔーブチルパーオキ
シー３，５，５ートリメチルヘキサノネート、ｔーブチ
ルパーオキシラウレート、２，５，ージメチルー２，
５，ージ（ｍートルオイルパーオキシ）ヘキサン、ｔー
ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔー
ブチルパーオキシ２ーエチルヘキシルモノカーボネー
ト、ｔーヘキシルパーオキシベンゾエート、ｔーブチル
パーオキシアセテート等がある。ジアルキルパーオキサ
イド類では、α，α’ビス（ｔーブチルパーオキシ）ジ
イソプロピルベンゼン、ジクミルパーオキサイド、２，
５，ージメチルー２，５，ージ（ｔーブチルパーオキ
シ）ヘキサン、ｔーブチルクミルパーオキサイド等があ
る。
【００１１】ハイドロパーオキサイド類では、ジイソプ
ロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、クメンハイド
ロパーオキサイド等がある。ジアシルパーオキサイド類
としては、イソブチルパーオキサイド、２，４−ジクロ
ロベンゾイルパーオキサイド、３，５，５，−トリメチ
ルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキ
サイド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパー
オキサイド、スクシニックパーオキサイド、ベンゾイル
パーオキシトルエン、ベンゾイルパーオキサイド等があ
る。
ロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、クメンハイド
ロパーオキサイド等がある。ジアシルパーオキサイド類
としては、イソブチルパーオキサイド、２，４−ジクロ
ロベンゾイルパーオキサイド、３，５，５，−トリメチ
ルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキ
サイド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパー
オキサイド、スクシニックパーオキサイド、ベンゾイル
パーオキシトルエン、ベンゾイルパーオキサイド等があ
る。
【００１２】パーオキシジカーボネート類としては、ジ
ーｎープロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロ
ピルパーオキシジカーボネート、ビス（４−ｔ−ブチル
シクロヘキシル）パーオキシジカーボネト、ジ−２−エ
トキシメトキシパーオキシジカーボネート、ジ（２−エ
チルヘキシルパーオキシ）ジカーボネート、ジメトキシ
ブチルパーオキシジカーボネート、ジ（３−メチル−３
−メトキシブチルパーオキシ）ジカーボネート等があ
る。
ーｎープロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロ
ピルパーオキシジカーボネート、ビス（４−ｔ−ブチル
シクロヘキシル）パーオキシジカーボネト、ジ−２−エ
トキシメトキシパーオキシジカーボネート、ジ（２−エ
チルヘキシルパーオキシ）ジカーボネート、ジメトキシ
ブチルパーオキシジカーボネート、ジ（３−メチル−３
−メトキシブチルパーオキシ）ジカーボネート等があ
る。
【００１３】パーオキシケタール類では、１，１，ービ
ス（ｔーヘキシルパーオキシ）ー３，３，５ートリメチ
ルシクロヘキサン、１，１ービス（ｔーヘキシルパーオ
キシ）シクロヘキサン、１，１ービス（ｔーブチルパー
オキシ）−３，３，５ートリメチルシクロヘキサン、
１、１ー（ｔーブチルパーオキシ）シクロドデカン、
２，２ービス（ｔーブチルパーオキシ）デカン等があ
る。シリルパーオキサイド類としてはｔ−ブチルトリメ
チルシリルパーオキサイド、ビス（ｔ−ブチル）ジメチ
ルシリルパーオキサイド、ｔ−ブチルトリビニルシリル
パーオキサイド、ビス（ｔ−ブチル）ジビニルシリルパ
ーオキサイド、トリス（ｔ−ブチル）ビニルシリルパー
オキサイド、ｔ−ブチルトリアリルシリルパーオキサイ
ド、ビス（ｔ−ブチル）ジアリルシリルパーオキサイ
ド、トリス（ｔ−ブチル）アリルシリルパーオキサイド
等がある。これらの遊離ラジカル発生剤は単独または混
合して使用することができ、分解促進剤、抑制剤等を混
合して用いてもよい。また、これらの硬化剤をポリウレ
タン系、ポリエステル系の高分子物質等で被覆してマイ
クロカプセル化したものは、可使時間が延長されるため
に好ましい。
ス（ｔーヘキシルパーオキシ）ー３，３，５ートリメチ
ルシクロヘキサン、１，１ービス（ｔーヘキシルパーオ
キシ）シクロヘキサン、１，１ービス（ｔーブチルパー
オキシ）−３，３，５ートリメチルシクロヘキサン、
１、１ー（ｔーブチルパーオキシ）シクロドデカン、
２，２ービス（ｔーブチルパーオキシ）デカン等があ
る。シリルパーオキサイド類としてはｔ−ブチルトリメ
チルシリルパーオキサイド、ビス（ｔ−ブチル）ジメチ
ルシリルパーオキサイド、ｔ−ブチルトリビニルシリル
パーオキサイド、ビス（ｔ−ブチル）ジビニルシリルパ
ーオキサイド、トリス（ｔ−ブチル）ビニルシリルパー
オキサイド、ｔ−ブチルトリアリルシリルパーオキサイ
ド、ビス（ｔ−ブチル）ジアリルシリルパーオキサイ
ド、トリス（ｔ−ブチル）アリルシリルパーオキサイド
等がある。これらの遊離ラジカル発生剤は単独または混
合して使用することができ、分解促進剤、抑制剤等を混
合して用いてもよい。また、これらの硬化剤をポリウレ
タン系、ポリエステル系の高分子物質等で被覆してマイ
クロカプセル化したものは、可使時間が延長されるため
に好ましい。
【００１４】本発明で用いるラジカル重合性物質として
は、ラジカルにより重合する官能基を有する物質であ
り、アクリレート、メタクリレート、マレイミド化合物
等が挙げられる。ラジカル重合性物質はモノマー、オリ
ゴマーいずれの状態で用いることが可能であり、モノマ
ーとオリゴマーを併用することも可能である。アクリレ
ート（メタクリレート）の具体例としては、メチルアク
リレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレ
ート、イソブチルアクリレート、エチレングリコールジ
アクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、
トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチ
ロールメタンテトラアクリレート、２ーヒドロキシ１．
３ジアクリロキシプロパン、２，２ービス〔４ー（アク
リロキシメトキシ）フェニル〕プロパン、２，２ービス
〔４ー（アクリロキシポリエトキシ）フェニル〕プロパ
ン、ジシクロペンテニルアクリレート、トリシクロデカ
ニルアクリレート、トリス（アクリロイロキシエチル）
イソシアヌレート等がある。これらは単独または併用し
てもちいることができ、必要によっては、ハイドロキノ
ン、メチルエーテルハイドロキノン類などの重合禁止剤
を適宜用いてもよい。また、ジシクロペンテニル基およ
び／またはトリシクロデカニル基および／またはトリア
ジン環を有する場合は、耐熱性が向上するので好まし
い。
は、ラジカルにより重合する官能基を有する物質であ
り、アクリレート、メタクリレート、マレイミド化合物
等が挙げられる。ラジカル重合性物質はモノマー、オリ
ゴマーいずれの状態で用いることが可能であり、モノマ
ーとオリゴマーを併用することも可能である。アクリレ
ート（メタクリレート）の具体例としては、メチルアク
リレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレ
ート、イソブチルアクリレート、エチレングリコールジ
アクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、
トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチ
ロールメタンテトラアクリレート、２ーヒドロキシ１．
３ジアクリロキシプロパン、２，２ービス〔４ー（アク
リロキシメトキシ）フェニル〕プロパン、２，２ービス
〔４ー（アクリロキシポリエトキシ）フェニル〕プロパ
ン、ジシクロペンテニルアクリレート、トリシクロデカ
ニルアクリレート、トリス（アクリロイロキシエチル）
イソシアヌレート等がある。これらは単独または併用し
てもちいることができ、必要によっては、ハイドロキノ
ン、メチルエーテルハイドロキノン類などの重合禁止剤
を適宜用いてもよい。また、ジシクロペンテニル基およ
び／またはトリシクロデカニル基および／またはトリア
ジン環を有する場合は、耐熱性が向上するので好まし
い。
【００１５】本発明で用いるエポキシ樹脂としては、エ
ピクロルヒドリンとビスフェノールＡやＦ、ＡＤ等から
誘導されるビスフェノール型エポキシ樹脂、エピクロル
ヒドリンとフェノールノボラックやクレゾールノボラッ
クから誘導されるエポキシノボラック樹脂やナフタレン
環を含んだ骨格を有するナフタレン系エポキシ樹脂、グ
リシジルアミン、グリシジルエーテル、ビフェニル、脂
環式等の１分子内に２個以上のグリシジル基を有する各
種のエポキシ化合物等を単独にあるいは２種以上を混合
して用いることが可能である。これらのエポキシ樹脂
は、不純物イオン（Ｎａ+、Ｃｌ-等）や、加水分解性塩
素等を３００ｐｐｍ以下に低減した高純度品を用いるこ
とがエレクトロンマイグレーション防止のために好まし
い。エポキシ樹脂は熱膨張係数の低下及びガラス転移温
度の向上として、３官能以上の多官能エポキシ樹脂及び
／又はナフタレン系エポキシ樹脂が好ましい。３官能以
上の多官能エポキシ樹脂としては、フェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹
脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、
テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、ジシクロペ
ンタジエンフェノール型エポキシ樹脂等がある。また、
ナフタレン系エポキシ樹脂は、１分子中に少なくとも１
個以上のナフタレン環を含んだ骨格を有しており、ナフ
トール系、ナフタレンジオール系等がある。
ピクロルヒドリンとビスフェノールＡやＦ、ＡＤ等から
誘導されるビスフェノール型エポキシ樹脂、エピクロル
ヒドリンとフェノールノボラックやクレゾールノボラッ
クから誘導されるエポキシノボラック樹脂やナフタレン
環を含んだ骨格を有するナフタレン系エポキシ樹脂、グ
リシジルアミン、グリシジルエーテル、ビフェニル、脂
環式等の１分子内に２個以上のグリシジル基を有する各
種のエポキシ化合物等を単独にあるいは２種以上を混合
して用いることが可能である。これらのエポキシ樹脂
は、不純物イオン（Ｎａ+、Ｃｌ-等）や、加水分解性塩
素等を３００ｐｐｍ以下に低減した高純度品を用いるこ
とがエレクトロンマイグレーション防止のために好まし
い。エポキシ樹脂は熱膨張係数の低下及びガラス転移温
度の向上として、３官能以上の多官能エポキシ樹脂及び
／又はナフタレン系エポキシ樹脂が好ましい。３官能以
上の多官能エポキシ樹脂としては、フェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹
脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、
テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、ジシクロペ
ンタジエンフェノール型エポキシ樹脂等がある。また、
ナフタレン系エポキシ樹脂は、１分子中に少なくとも１
個以上のナフタレン環を含んだ骨格を有しており、ナフ
トール系、ナフタレンジオール系等がある。
【００１６】また接着剤中にアクリルゴムなどのゴム成
分を必要量添加しても良く、アクリルゴムとしては、ア
クリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル
またはアクリロニトリルのうち少なくともひとつをモノ
マー成分とした重合体または共重合体があげられ、中で
もグリシジルエーテル基を含有するグリシジルアクリレ
ートやグリシジルメタクリレートを含む共重合体系アク
リルゴムが好適に用いられる。
分を必要量添加しても良く、アクリルゴムとしては、ア
クリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル
またはアクリロニトリルのうち少なくともひとつをモノ
マー成分とした重合体または共重合体があげられ、中で
もグリシジルエーテル基を含有するグリシジルアクリレ
ートやグリシジルメタクリレートを含む共重合体系アク
リルゴムが好適に用いられる。
【００１７】また、接着剤にはフィルム形成性をより容
易にするためにフェノキシ樹脂などの熱可塑性樹脂を配
合することもできる。特に、フェノキシ樹脂は、エポキ
シ樹脂と構造が類似しているため、エポキシ樹脂との相
溶性、接着性に優れるなどの特徴を有するので好まし
い。
易にするためにフェノキシ樹脂などの熱可塑性樹脂を配
合することもできる。特に、フェノキシ樹脂は、エポキ
シ樹脂と構造が類似しているため、エポキシ樹脂との相
溶性、接着性に優れるなどの特徴を有するので好まし
い。
【００１８】また、エポキシ樹脂の硬化剤としては、イ
ミダゾール系、ヒドラジド系、三フッ化ホウ素−アミン
錯体、芳香族スルホニウム塩、アミンイミド、ポリアミ
ンの塩、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤が速硬化性
の観点から有効であり、その他に酸無水物系硬化剤もイ
オン性不純物が少ないことから有効である。
ミダゾール系、ヒドラジド系、三フッ化ホウ素−アミン
錯体、芳香族スルホニウム塩、アミンイミド、ポリアミ
ンの塩、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤が速硬化性
の観点から有効であり、その他に酸無水物系硬化剤もイ
オン性不純物が少ないことから有効である。
【００１９】本発明のリフロ処理は、赤外線、エア、ベ
ーパーフェーズ（ＶＰＳ）、窒素などの全体加熱方式お
よびＹＡＧレーザ、半導体レーザ、キセノンランプ、ハ
ロゲンランプ、パルスヒータ、ホットエアなどの部分加
熱方式のことである。
ーパーフェーズ（ＶＰＳ）、窒素などの全体加熱方式お
よびＹＡＧレーザ、半導体レーザ、キセノンランプ、ハ
ロゲンランプ、パルスヒータ、ホットエアなどの部分加
熱方式のことである。
【００２０】本発明に用いられる導電性微粒子として
は、Ｓｎ，Ｂｉ，Ｉｎ，Ａｇ，Ｓｂ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｎ
ｉ，Ａｕ，Ｍｇ，Ｇａ，Ａｌの群から選択された１種の
金属または２種以上の金属を組み合わせてできる合金材
であり、導電性微粒子の融点が２５０℃以下が好まし
く、さらに好ましくは１００℃以上１９０℃以下であ
る。
は、Ｓｎ，Ｂｉ，Ｉｎ，Ａｇ，Ｓｂ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｎ
ｉ，Ａｕ，Ｍｇ，Ｇａ，Ａｌの群から選択された１種の
金属または２種以上の金属を組み合わせてできる合金材
であり、導電性微粒子の融点が２５０℃以下が好まし
く、さらに好ましくは１００℃以上１９０℃以下であ
る。
【００２１】本発明に用いられる接着剤の樹脂成分は、
ＵＶ硬化系、加熱によって遊離ラジカルを発生する硬化
剤系及び熱硬化系エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも
一種であることが好ましい。
ＵＶ硬化系、加熱によって遊離ラジカルを発生する硬化
剤系及び熱硬化系エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも
一種であることが好ましい。
【００２２】本発明の導電性微粒子の配列技術として
は、例えば特開平６―１６３５５０号公報や特開平６―
３１０５１５号公報に記載されたものなどがあり、特開
平６―１６３５５０号公報記載の技術では、両面で径の
異なる多数の貫通孔を有し、径の大きい穴を有する面側
にはんだボールを装着可能なガラス治具上に閉空間を形
成して、はんだボールを圧縮空気により閉空間に送り込
んで、ガラス治具の径の小さい穴から吸引することによ
り、はんだボールをガラス治具の径の大きい貫通孔に吸
引して、配列させている。また、特開平６―３１０５１
５号公報に記載の技術では、はんだボールを一定数整列
に搭載できるプレート上にはんだボールをスクリューフ
ィーダ等により供給して、真空ポンプとバイブレータに
より振動を与えて、配列させている。また、搭載ヘッド
に所望の間隔に吸着孔を設け、搭載ヘッドを上下動させ
て導電性ボールを真空吸着して配置すべきシート上に搭
載ヘッドを移動した後、吸着を解放して配列させる方法
やメッシュを用いる方法がある。これらの技術を用いて
も良い。
は、例えば特開平６―１６３５５０号公報や特開平６―
３１０５１５号公報に記載されたものなどがあり、特開
平６―１６３５５０号公報記載の技術では、両面で径の
異なる多数の貫通孔を有し、径の大きい穴を有する面側
にはんだボールを装着可能なガラス治具上に閉空間を形
成して、はんだボールを圧縮空気により閉空間に送り込
んで、ガラス治具の径の小さい穴から吸引することによ
り、はんだボールをガラス治具の径の大きい貫通孔に吸
引して、配列させている。また、特開平６―３１０５１
５号公報に記載の技術では、はんだボールを一定数整列
に搭載できるプレート上にはんだボールをスクリューフ
ィーダ等により供給して、真空ポンプとバイブレータに
より振動を与えて、配列させている。また、搭載ヘッド
に所望の間隔に吸着孔を設け、搭載ヘッドを上下動させ
て導電性ボールを真空吸着して配置すべきシート上に搭
載ヘッドを移動した後、吸着を解放して配列させる方法
やメッシュを用いる方法がある。これらの技術を用いて
も良い。
【００２３】また本発明における導電性微粒子を配列し
た接着フィルムの作製法の一例をとして、先ず粒子固定
層を塗工し、メッシュを利用して導電性微粒子を配列
し、必要に応じてプレスして導電性微粒子を粒子固定層
に埋め込み、フィルム基材を流延し塗工する。次に、フ
ィルム基材を乾燥した後粒子固定層からフィルム基材を
剥離して導電性微粒子を配列した接着フィルムを得る。
粒子固定層としては、導電性微粒子の粘着保持性を持
ち、メッシュとの密着性が良く、且つメッシュ面に転写
しないこと、さらにフィルム基材の剥離性が良く、且つ
塗工可能な濡れ性を持つなどの特性を有するものがよ
い。また、メッシュについてはナイロン繊維やステンレ
ス線を平織りにしたものが一般的だが、めっきで作製し
たαスクリーンが良い。
た接着フィルムの作製法の一例をとして、先ず粒子固定
層を塗工し、メッシュを利用して導電性微粒子を配列
し、必要に応じてプレスして導電性微粒子を粒子固定層
に埋め込み、フィルム基材を流延し塗工する。次に、フ
ィルム基材を乾燥した後粒子固定層からフィルム基材を
剥離して導電性微粒子を配列した接着フィルムを得る。
粒子固定層としては、導電性微粒子の粘着保持性を持
ち、メッシュとの密着性が良く、且つメッシュ面に転写
しないこと、さらにフィルム基材の剥離性が良く、且つ
塗工可能な濡れ性を持つなどの特性を有するものがよ
い。また、メッシュについてはナイロン繊維やステンレ
ス線を平織りにしたものが一般的だが、めっきで作製し
たαスクリーンが良い。
【００２４】また接着フィルムを支持層と接着層の多層
構成にしても良く、その場合には、接着剤層塗工→乾燥
→支持層塗工→硬化→接着剤層塗工→乾燥の工程をとれ
ば良い。導電性微粒子の散布については、静電気力を利
用すると余剰な粒子を回収することが出来、効率的な散
布が可能となる。
構成にしても良く、その場合には、接着剤層塗工→乾燥
→支持層塗工→硬化→接着剤層塗工→乾燥の工程をとれ
ば良い。導電性微粒子の散布については、静電気力を利
用すると余剰な粒子を回収することが出来、効率的な散
布が可能となる。
【００２５】また本発明においてフィルム状に成形した
場合、導電性微粒子の表面がフィルムの表裏の表面から
露出していることが望ましく、フィルムの表面に粘着力
が付与されていることが望ましい。また導電性微粒子に
ついては、粒径は基板の電極の最小の間隔よりも小さい
ことが必要であるため、必要に応じて所定の形状に変形
させても良い。また、接着剤に分散される導電粒子量
は、接着剤樹脂組成物１００体積部に対して０．１〜３
０体積部であり、好ましくは０．２〜１５体積部であ
る。
場合、導電性微粒子の表面がフィルムの表裏の表面から
露出していることが望ましく、フィルムの表面に粘着力
が付与されていることが望ましい。また導電性微粒子に
ついては、粒径は基板の電極の最小の間隔よりも小さい
ことが必要であるため、必要に応じて所定の形状に変形
させても良い。また、接着剤に分散される導電粒子量
は、接着剤樹脂組成物１００体積部に対して０．１〜３
０体積部であり、好ましくは０．２〜１５体積部であ
る。
【００２６】また本発明では、導電性微粒子が融点に達
すると、瞬時に溶融するので、導電性微粒子の溶融と接
着剤の溶融からゲル化のタイミングの設定が非常に重要
である。また本発明に用いられる回路部材接続用接着剤
の接着に寄与する層の硬化後の４０℃における弾性率は
３０〜２，０００ＭＰａであることが望ましい。接着樹
脂組成物の接着後の段階に相当する接着樹脂組成物硬化
物の弾性率は、例えば、レオロジ（株）製レオスペクト
ラＤＶＥ−４（引っ張りモード、周波数１０Ｈｚ、５℃
／ｍｉｎで昇温、−４０℃〜２５０℃まで測定）を用い
て測定（ＤＶＥ法）することができる。なお、接着樹脂
組成物接着の硬化は、接着工程時の加熱温度及び時間と
同じ条件で行い、硬化方法としては、接着樹脂組成物フ
ィルムをオイルバスに浸漬して行うことができる。この
ような接着樹脂組成物フィルム硬化物は、ＤＳＣを用い
て測定した場合の全硬化発熱量の９０％以上の発熱を終
えたものである。また本発明に用いられる回路部材接続
用接着剤は、フィルム状接着剤ではなく、液状の接着剤
を回路板の電極上にスクリーン印刷して用いても良い。
すると、瞬時に溶融するので、導電性微粒子の溶融と接
着剤の溶融からゲル化のタイミングの設定が非常に重要
である。また本発明に用いられる回路部材接続用接着剤
の接着に寄与する層の硬化後の４０℃における弾性率は
３０〜２，０００ＭＰａであることが望ましい。接着樹
脂組成物の接着後の段階に相当する接着樹脂組成物硬化
物の弾性率は、例えば、レオロジ（株）製レオスペクト
ラＤＶＥ−４（引っ張りモード、周波数１０Ｈｚ、５℃
／ｍｉｎで昇温、−４０℃〜２５０℃まで測定）を用い
て測定（ＤＶＥ法）することができる。なお、接着樹脂
組成物接着の硬化は、接着工程時の加熱温度及び時間と
同じ条件で行い、硬化方法としては、接着樹脂組成物フ
ィルムをオイルバスに浸漬して行うことができる。この
ような接着樹脂組成物フィルム硬化物は、ＤＳＣを用い
て測定した場合の全硬化発熱量の９０％以上の発熱を終
えたものである。また本発明に用いられる回路部材接続
用接着剤は、フィルム状接着剤ではなく、液状の接着剤
を回路板の電極上にスクリーン印刷して用いても良い。
【００２７】本発明において、電子部品としては半導体
チップ、抵抗体チップ、コンデンサチップ等のチップ部
品、プリント基板、ポリイミドやポリエステルを基材と
したフレキシル配線板等の基板等が用いられる。チップ
部品は、シリコン、ガラス、セラミックス、化合物半導
体基板等の無機質絶縁基板に多数の接続端子が形成され
ており、プリント基板、ポリイミドやポリエステルを基
材としたフレキシル配線板等の基板は有機質絶縁基板に
多数の接続端子が形成されいる。
チップ、抵抗体チップ、コンデンサチップ等のチップ部
品、プリント基板、ポリイミドやポリエステルを基材と
したフレキシル配線板等の基板等が用いられる。チップ
部品は、シリコン、ガラス、セラミックス、化合物半導
体基板等の無機質絶縁基板に多数の接続端子が形成され
ており、プリント基板、ポリイミドやポリエステルを基
材としたフレキシル配線板等の基板は有機質絶縁基板に
多数の接続端子が形成されいる。
【００２８】チップ部品を実装する基板として、半導体
チップ端子に対応する電極（接続端子）が形成された有
機質絶縁基板が使用される。有機質絶縁基板としては、
ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂等の合成樹脂フィル
ム、又はガラスクロス、ガラス不織布等のガラス基材に
ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノ−ル樹脂等の樹
脂を含浸し硬化させた積層板が使用される。チップ端子
と接続する電極、この電極が形成された表面絶縁層及び
所定数層の絶縁層と前記各絶縁層を介して配置される所
定数層の配線層と所定の前記電極・配線層間を電気的に
接続する導体化された穴を有する多層配線板が使用でき
る。このような多層配線板として、ガラスクロスを用い
た絶縁層により構成された基材もしくは１層以上の導体
回路を有する配線基板上に絶縁層と導体回路層とを交互
に形成した、ビルドアップ多層基板が好ましい。
チップ端子に対応する電極（接続端子）が形成された有
機質絶縁基板が使用される。有機質絶縁基板としては、
ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂等の合成樹脂フィル
ム、又はガラスクロス、ガラス不織布等のガラス基材に
ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノ−ル樹脂等の樹
脂を含浸し硬化させた積層板が使用される。チップ端子
と接続する電極、この電極が形成された表面絶縁層及び
所定数層の絶縁層と前記各絶縁層を介して配置される所
定数層の配線層と所定の前記電極・配線層間を電気的に
接続する導体化された穴を有する多層配線板が使用でき
る。このような多層配線板として、ガラスクロスを用い
た絶縁層により構成された基材もしくは１層以上の導体
回路を有する配線基板上に絶縁層と導体回路層とを交互
に形成した、ビルドアップ多層基板が好ましい。
【００２９】表面絶縁層は、樹脂フィルムを用いること
ができ、この樹脂フィルムはエポキシ樹脂、ポリイミド
樹脂、ポリアミドイミド樹脂、変成ポリフェニレンエー
テル樹脂、フェノキシ樹脂、アミドエポキシ樹脂、フェ
ノール樹脂やこれらの混合物、共重合物等のフィルム
が、またポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポ
リエーテルエーテルケトン、全芳香族液晶ポリエステ
ル、フッ素系樹脂などの耐熱性熱可塑性エンジニヤリン
グプラスチックのフィルムが使用できる。樹脂フィルム
中に有機もしくは無機のフィラーを含むものが使用でき
る。ガラス基材で補強された樹脂よりなる絶縁層として
は、ガラスクロス、ガラス不織布等のガラス基材にエポ
キシ樹脂、フェノ−ル樹脂等の樹脂を含浸し硬化させた
プリプレグが使用できる。
ができ、この樹脂フィルムはエポキシ樹脂、ポリイミド
樹脂、ポリアミドイミド樹脂、変成ポリフェニレンエー
テル樹脂、フェノキシ樹脂、アミドエポキシ樹脂、フェ
ノール樹脂やこれらの混合物、共重合物等のフィルム
が、またポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポ
リエーテルエーテルケトン、全芳香族液晶ポリエステ
ル、フッ素系樹脂などの耐熱性熱可塑性エンジニヤリン
グプラスチックのフィルムが使用できる。樹脂フィルム
中に有機もしくは無機のフィラーを含むものが使用でき
る。ガラス基材で補強された樹脂よりなる絶縁層として
は、ガラスクロス、ガラス不織布等のガラス基材にエポ
キシ樹脂、フェノ−ル樹脂等の樹脂を含浸し硬化させた
プリプレグが使用できる。
【００３０】半導体チップや基板の電極パッド上には、
めっきで形成されるバンプや金ワイヤの先端をトーチ等
により溶融させ、金ボールを形成し、このボールを電極
パッド上に圧着した後、ワイヤを切断して得られるワイ
ヤバンプなどの突起電極を設け、接続端子として用いる
ことができる。半導体チップと有機絶縁基板をフィルム
状接着剤で接続する場合でを説明する。先ず半導体チッ
プ又は有機絶縁基板にフィルム状接着剤を接触させフィ
ルム状接着剤を仮固定する。続いて半導体チップ電極と
有機絶縁基板の電極の位置合わせを行い、フィルム状接
着剤の最高温度が１００〜２５０℃となるような条件で
リフロ処理してフィルム状接着剤を硬化させる。これに
よって半導体チップ電極と有機絶縁基の電極とを電気的
に接続すると同時にフィルム状接着剤の硬化によって、
この接続状態を保持する。
めっきで形成されるバンプや金ワイヤの先端をトーチ等
により溶融させ、金ボールを形成し、このボールを電極
パッド上に圧着した後、ワイヤを切断して得られるワイ
ヤバンプなどの突起電極を設け、接続端子として用いる
ことができる。半導体チップと有機絶縁基板をフィルム
状接着剤で接続する場合でを説明する。先ず半導体チッ
プ又は有機絶縁基板にフィルム状接着剤を接触させフィ
ルム状接着剤を仮固定する。続いて半導体チップ電極と
有機絶縁基板の電極の位置合わせを行い、フィルム状接
着剤の最高温度が１００〜２５０℃となるような条件で
リフロ処理してフィルム状接着剤を硬化させる。これに
よって半導体チップ電極と有機絶縁基の電極とを電気的
に接続すると同時にフィルム状接着剤の硬化によって、
この接続状態を保持する。
【００３１】
【実施例】実施例 光硬化性樹脂と熱硬化性樹脂混合系の接着剤を用いて金
バンプ（面積：８０μｍｘ８０μｍ、スペース３０μ
ｍ、高さ：１５μｍ、バンプ数２８８）付きチップ（１
０ｍｍｘ１０ｍｍ、厚み：０．５ｍｍ）とＮｉ／Ａｕめ
っきＣｕ回路プリント基板の接続を以下に示すように行
った。接着剤をＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板
（電極高さ：２０μｍ、厚み：０．８ｍｍ）のチップ搭
載部上に一面に塗布した後、図１に示すようにチップの
バンプとＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板（厚
み：０．８ｍｍ）の位置あわせを行い、１８ｋｇｆの圧
力でチップをプリント基板上に押し付けながら、プリン
ト基板の斜め上方からＵＶ光を１０秒間照射しながら搭
載し、次いで最高温度１８０℃の加熱処理を行った。図
１において、１はシリコンチップ、２はプリント基板、
３はバンプ、４は接着剤、５は搭載のためのチップ吸着
ヘッド、６は基板電極である。加熱処理後の接続抵抗
は、１バンプあたり最高で６ｍΩ、平均で２ｍΩ、絶縁
抵抗は１０８Ω以上であり、これらの値は−５５〜１２
５℃の熱衝撃試験１０００サイクル処理、ＰＣＴ試験
（１２１℃、２気圧）２００時間後においても変化がな
く、良好な接続信頼性を示した。
バンプ（面積：８０μｍｘ８０μｍ、スペース３０μ
ｍ、高さ：１５μｍ、バンプ数２８８）付きチップ（１
０ｍｍｘ１０ｍｍ、厚み：０．５ｍｍ）とＮｉ／Ａｕめ
っきＣｕ回路プリント基板の接続を以下に示すように行
った。接着剤をＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板
（電極高さ：２０μｍ、厚み：０．８ｍｍ）のチップ搭
載部上に一面に塗布した後、図１に示すようにチップの
バンプとＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板（厚
み：０．８ｍｍ）の位置あわせを行い、１８ｋｇｆの圧
力でチップをプリント基板上に押し付けながら、プリン
ト基板の斜め上方からＵＶ光を１０秒間照射しながら搭
載し、次いで最高温度１８０℃の加熱処理を行った。図
１において、１はシリコンチップ、２はプリント基板、
３はバンプ、４は接着剤、５は搭載のためのチップ吸着
ヘッド、６は基板電極である。加熱処理後の接続抵抗
は、１バンプあたり最高で６ｍΩ、平均で２ｍΩ、絶縁
抵抗は１０８Ω以上であり、これらの値は−５５〜１２
５℃の熱衝撃試験１０００サイクル処理、ＰＣＴ試験
（１２１℃、２気圧）２００時間後においても変化がな
く、良好な接続信頼性を示した。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、他の電子部品と同時に
実装して、一括してリフロ処理で熱硬化するとともに回
路部材同士の電極の電気的導通を得ることが出来、実装
工程を簡略化できるとともに、大幅なコスト低減を図る
ことが可能となる。
実装して、一括してリフロ処理で熱硬化するとともに回
路部材同士の電極の電気的導通を得ることが出来、実装
工程を簡略化できるとともに、大幅なコスト低減を図る
ことが可能となる。
【図１】 本発明の電子部品装置の断面図である。
１…シリコンチップ ２…プリント基板 ３…バンプ ４…接着剤 ５…搭載のためのチップ吸着ヘッド ６…基板電極
フロントページの続き (72)発明者 竹村 賢三 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社筑波開発研究所内 Ｆターム(参考） 5F044 KK01 LL09 LL11 QQ01
Claims (11)
- 【請求項１】電子部品搭載用基板に接着剤を形成する工
程、 電子部品の端子を搭載用基板の端子と対向させて電子部
品を搭載用基板に搭載し、搭載すると同時に光照射をす
る工程、 加熱により前記接着剤を硬化する工程を順に備えること
を特徴とする電子部品装置の製造法。 - 【請求項２】電子部品の搭載面に接着剤を形成する工
程、 電子部品の端子を搭載用基板の端子と対向させて電子部
品を搭載用基板に搭載し、搭載すると同時に光照射をす
る工程、 加熱により前記接着剤を硬化する工程を順に備えること
を特徴とする電子部品装置の製造法。 - 【請求項３】 Ｓｎ，Ｂｉ，Ｉｎ，Ａｇ，Ｓｂ，Ｃｕ，
Ｚｎ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｍｇ，Ｇａ，Ａｌの群から選択され
た１種の金属または２種以上の金属を組み合わせてでき
る合金材からなる導電性微粒子を電気絶縁性の接着剤中
に混合分散した請求項１又は２記載の電子部品装置の製
造法。 - 【請求項４】 接着剤が、ＵＶ硬化系、加熱によって遊
離ラジカルを発生する硬化剤系及び熱硬化系エポキシ樹
脂から選ばれる少なくとも一種である請求項１〜３各項
記載の電子部品装置の製造法。 - 【請求項５】 接着剤が、フィルム状の接着剤である請
求項１〜４各項記載の電子部品装置の製造法。 - 【請求項６】 接着剤が、導電性微粒子を配列した接着
フィルムである請求項５記載の電子部品装置の製造法。 - 【請求項７】 導電性微粒子の表面がフィルムの表裏の
表面から露出している請求項６記載の電子部品装置の製
造法。る。 - 【請求項８】 導電性微粒子を所定の形状に変形させる
請求項１〜７各項記載の電子部品装置の製造法。 - 【請求項９】 フィルムの表面に粘着力を付与した請求
項１〜８各項記載の電子部品装置の製造法。 - 【請求項１０】 フィルムが導電性微粒子を支持する層
および前記支持する層と被接着部材との接着に寄与する
層の多層構成からなる請求項５記載の電子部品装置の製
造法。 - 【請求項１１】 接着に寄与する層の硬化後の４０℃に
おける弾性率が３０〜２，０００ＭＰａである請求項１
０記載の電子部品装置の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5487199A JP2000252321A (ja) | 1999-03-03 | 1999-03-03 | 電子部品装置の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5487199A JP2000252321A (ja) | 1999-03-03 | 1999-03-03 | 電子部品装置の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000252321A true JP2000252321A (ja) | 2000-09-14 |
Family
ID=12982665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5487199A Pending JP2000252321A (ja) | 1999-03-03 | 1999-03-03 | 電子部品装置の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000252321A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007266588A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-10-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置 |
| JPWO2007116979A1 (ja) * | 2006-04-12 | 2009-08-20 | 日立化成工業株式会社 | 封止充填剤用樹脂組成物、それを用いたフリップチップ実装法及びフリップチップ実装品 |
| JP2011009709A (ja) * | 2009-05-26 | 2011-01-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路部材接続用接着剤シート及び半導体装置の製造方法 |
| JP2012156230A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Sekisui Chem Co Ltd | 接続構造体 |
| JP2012178586A (ja) * | 2006-03-01 | 2012-09-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置 |
-
1999
- 1999-03-03 JP JP5487199A patent/JP2000252321A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007266588A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-10-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2012178586A (ja) * | 2006-03-01 | 2012-09-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置 |
| JPWO2007116979A1 (ja) * | 2006-04-12 | 2009-08-20 | 日立化成工業株式会社 | 封止充填剤用樹脂組成物、それを用いたフリップチップ実装法及びフリップチップ実装品 |
| JP2011009709A (ja) * | 2009-05-26 | 2011-01-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路部材接続用接着剤シート及び半導体装置の製造方法 |
| JP2012156230A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Sekisui Chem Co Ltd | 接続構造体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7777335B2 (en) | Wiring structure having a wiring-terminal-connecting adhesive comprising silicone particles | |
| US7776438B2 (en) | Adhesive film for circuit connection, and circuit connection structure | |
| JP4421161B2 (ja) | 配線接続材料及びそれを用いた配線板製造方法 | |
| JP4862944B2 (ja) | 回路接続材料 | |
| JP5067355B2 (ja) | 回路接続材料及び回路部材の接続構造 | |
| WO1999000842A1 (en) | Substrate for mounting semiconductor chips | |
| WO1998020542A1 (en) | Electronic parts device | |
| WO1998003047A1 (en) | Film-like adhesive for connecting circuit and circuit board | |
| TW201202375A (en) | Adhesive composition, circuit connecting material, connecting structure and circuit member connecting method | |
| JP2002203427A (ja) | 回路接続材料及びそれを用いた回路板の製造方法、回路板 | |
| JP5044880B2 (ja) | 樹脂組成物、これを用いた回路部材接続用接着剤及び回路板 | |
| JP4747396B2 (ja) | 接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造 | |
| JP5055830B2 (ja) | ポリヒドロキシポリエーテル樹脂及びこれを用いた樹脂組成物、回路部材接続用接着剤並びに回路板 | |
| JP4916677B2 (ja) | 配線接続材料及びそれを用いた配線板製造方法 | |
| JP2013125858A (ja) | 接続方法、接続構造体、異方性導電フィルム及びその製造方法 | |
| JPH10273626A (ja) | 回路接続材料及び回路板の製造法 | |
| JP4099878B2 (ja) | 回路部材の実装方法 | |
| JP4605184B2 (ja) | 配線接続材料及びそれを用いた配線板製造方法 | |
| JP2000252321A (ja) | 電子部品装置の製造法 | |
| JP3877090B2 (ja) | 回路接続材料及び回路板の製造法 | |
| JP2001156430A (ja) | 回路板の製造方法及び回路接続材料 | |
| JP2003257247A (ja) | 回路接続用異方導電性接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造 | |
| JP4794704B2 (ja) | 回路接続材料、回路端子の接続構造および回路端子の接続方法 | |
| JP4032532B2 (ja) | 回路部材の実装方法 | |
| JP2000133675A (ja) | 電子部品装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060214 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071112 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20071115 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080408 |