TWI757393B - 電極夾具及鋁電解電容器用電極之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明之課題在於提供一種即使在鋁電極部形成厚度200μm以上的多孔質層之場合,也能抑制化學合成中的多孔質層剝離之電極夾具及鋁電解電容器用電極之製造方法。 本發明之解決手段係在將至少在一方面(11)形成厚度200μm以上的多孔質層(17)之鋁電極(10)於化學合成液中予以化學合成時,利用電極夾具(50)保持鋁電極(10)。電極夾具(50)係具有:在鋁電極(10)的一方面(11)重疊之絕緣性第1支撐板部(51)、在鋁電極(10)的另一方面(12)重疊之絕緣性第2支撐板部(52)、與連結第1支撐板部(51)與第2支撐板部(52)之連結部(53)。在第1支撐板部(51)於相接在多孔質層(17)之狀態下重疊的部分是由多孔性構件(510)所構成。
Description
[0001] 本發明係有關在化學合成時保持鋁電極之電極夾具、及鋁電解電容器用電極之製造方法。
[0002] 在鋁電解電容器之製造製程,在製造陽極用電極時,係對具備多孔層的鋁電極於化學合成液中進行陽極氧化(化學合成)。作為鋁電極,可以例示對鋁箔進行蝕刻而擴大表面積之蝕刻箔(參照專利文獻1、2)、或在鋁製芯材的表面形成燒結層之多孔體(參照專利文獻3)。 [先前技術文獻] [專利文獻] [0003] [專利文獻1]日本再公表2006-100949號公報 [專利文獻2]日本再公表2009-63532號公報 [專利文獻3]日本特開2014-57000號公報
[發明所欲解決之課題] [0004] 然而,在專利文獻1、2、3所記載之鋁電極,將蝕刻層或燒結層等多孔質層形成厚度200μm以上之場合,於化學合成製程,問題點在於因為伴隨化學合成皮膜的成長會導致多孔質層變形而使多孔質層變得容易剝離。特別是,多孔質層的厚度作成500μm以上時,容易發生上述的剝離。 [0005] 有鑑於上述的問題點,本發明係提供一種即使在將多孔質層作成厚度200μm以上之場合,也能抑制化學合成中的多孔質層剝離之電極夾具及鋁電解電容器用電極之製造方法。 [供解決課題之手段] [0006] 為了解決上述課題,本發明之一種電極夾具,在將至少在一方面形成厚度200μm以上的多孔質層之鋁電極於化學合成液中予以化學合成時保持前述鋁電極之電極夾具,其特徵係具有:在前述鋁電極的前述一方面重疊之絕緣性第1支撐板部、在與前述鋁電極的前述一方面相反側的另一方面重疊之絕緣性第2支撐板部、與連結前述第1支撐板部與前述第2支撐板部之連結部;在前述第1支撐板部於相接在前述多孔質層之狀態下重疊的部分是由多孔性構件所構成。 [0007] 關於本發明之電極夾具,係在將至少在一方面形成厚度200μm以上的多孔質層之鋁電極予以化學合成時,由兩面側保持鋁電極。在此,電極夾具,在第1支撐板部重疊在多孔質層的部分是由多孔性構件所構成,於這樣的多孔性構件,可以通過化學合成液等。從而,即使第1支撐板部的多孔性構件對著鋁電極的多孔質層重疊,也可以對多孔質層化學合成。此外,第1支撐板部的多孔性構件,係於相接在多孔質層的狀態下重疊,因而就算在隨化學合成皮膜的成長使多孔質層即將變形時,這樣的變形也會藉第1支撐板部的多孔性構件而被抑制。從而,可以抑制在化學合成中多孔質層剝離。因此,即使在將多孔質層作成厚度200μm以上之場合,也能抑制化學合成中的多孔質層剝離。 [0008] 在本發明,前述第1支撐板部及前述第2支撐板部,係可以採用陶瓷製、或者由絕緣膜所覆蓋的金屬製之態樣。根據這樣的態樣,即使在利用無機材料構成第1支撐板部及第2支撐板部之場合,在通電到鋁電極進行化學合成時,在第1支撐板部及第2支撐板部也不會發生不必要的電極反應。此外,第1支撐板部及第2支撐板部為無機材料,故而可以在保持鋁電極的狀態下直接進行以各種藥品的處理或熱處理等。 [0009] 在本發明,於前述鋁電極,可以採用在彼此分開的複數處形成前述多孔質層之態樣。根據這樣的態樣,鋁電極中被利用為鋁電解電容器用電極等之部分,是設置在彼此分開的領域,因而在隨化學合成皮膜的成長使多孔質層即將變形時,也可分散該力。因此,即使在將多孔質層作成厚度200μm以上之場合,也更能抑制化學合成中的多孔質層剝離。 [0010] 在本發明,在前述第1支撐板部,可以採用在彼此分開的複數處設置前述多孔性構件之態樣。 [0011] 在本發明,於前述鋁電極,可以採用前述一方面之外,在前述另一方面也形成厚度200μm以上的多孔質層;在前述第2支撐板部於相接在前述另一方面側的前述多孔質層之狀態下重疊的部分是由多孔性構件所構成之態樣。 [0012] 在本發明,可以採用前述多孔質層的厚度為500μm以上之態樣。根據這樣的態樣,雖隨化學合成皮膜的成長容易發生多孔質層變形,但如適用本發明,即使於該場合,也可抑制化學合成中多孔質層剝離。 [0013] 在本發明,前述鋁電極,可以採用將鋁粉體的燒結層作為前述多孔質層而對鋁芯材層積之態樣。根據這樣的態樣,因表面積大,而具有靜電電容高等優點。該場合,表面積大這部分,雖隨化學合成皮膜的成長容易發生多孔質層變形,但如適用本發明,即使於該場合,也可抑制化學合成中多孔質層剝離。 [0014] 在本發明,可以採用前述第1支撐板部及前述第2支撐板部之複數對利用連結構件連結之態樣。根據這樣的態樣,可以在利用1個電極夾具保持複數個鋁電極之狀態下進行化學合成。 [0015] 在本發明,前述多孔性構件,係可以採用由被形成複數個貫通穴的薄片狀或板狀的構件所構成之態樣。 [0016] 在本發明,前述多孔性構件,係可以採用由複數根纖維纏繞在一起的薄片狀或板狀的構件所構成之態樣。 [0017] 一種使用關於本發明的電極夾具之鋁電解電容器用電極之製造方法,其特徵係於利用前述電極夾具保持前述鋁電極之狀態下進行將前述鋁電極於前述化學合成液中予以化學合成之化學合成製程。 [發明之效果] [0018] 關於本發明之電極夾具,係在將至少在一方面形成厚度200μm以上的多孔質層之鋁電極予以化學合成時,由兩面側保持鋁電極。在此,電極夾具,在第1支撐板部重疊在多孔質層的部分是由多孔性構件所構成,於這樣的多孔性構件,可以通過化學合成液等。從而,即使第1支撐板部的多孔性構件對著鋁電極的多孔質層重疊,也可以對多孔質層化學合成。此外,第1支撐板部的多孔性構件,係於相接在多孔質層的狀態下重疊,因而就算在隨化學合成皮膜的成長使多孔質層即將變形時,這樣的變形也會藉第1支撐板部的多孔性構件而被抑制。從而,可以抑制在化學合成中多孔質層剝離。因此,即使在將多孔質層作成厚度200μm以上之場合,也能抑制化學合成中的多孔質層剝離。
[0020] [實施型態1] (鋁電解電容器用電極) 在本發明,於鋁電解電容器用電極之製造,係在鋁電極的表面進行化學合成來製造鋁電解電容器用電極。作為鋁電極,可以採用在鋁芯材的雙面層積蝕刻鋁箔的蝕刻箔、燒結鋁粉體而成的多孔質層之多孔性鋁電極等。蝕刻箔,係具備在至少一方面形成通道狀凹坑(pit)的多孔質層。多孔性鋁電極,例如,在厚度10μm~50μm的鋁芯材的至少一方面,具有由燒結鋁粉體而成的層(燒結層)所構成之多孔質層,在多孔質層,鋁粉體係邊相互維持空隙邊被燒結。 [0021] 在以此方式構成的鋁電極,多孔質層係擔負提高每單位鋁電極材料面積的靜電電容之功能,多孔質層愈厚,可以得到愈高的靜電電容。從而,鋁電極,係在雙面(一方面及另一方面)具有多孔質層。在本型態,蝕刻箔,每面具備厚度200μm以上之多孔質層,例如,200μm~500μm之多孔質層(蝕刻層)。此外,多孔性鋁電極,每面具備厚度200μm以上之多孔質層,例如,200μm~5000μm之多孔質層(燒結層)。 [0022] (鋁電解電容器之構成) 在使用本型態之完成化學合成的鋁電極(鋁電解電容器用電極)來製造鋁電解電容器,例如,係使由完成化學合成的鋁電極(鋁電解電容器用電極)所構成的陽極箔、與陰極箔中介分隔件捲繞而形成電容器元件。其次,將電容器元件浸漬在電解液(糊漿)。然後,將含電解液的電容器元件收納在包裝外殼內,用封口體將外殼封口。 [0023] 此外,取代電解液而使用固體電解質之場合,係在由完成化學合成的鋁電極(鋁電解電容器用電極)所構成的陽極箔的表面形成固體電解質層之後,在固體電解質層的表面形成陰極層,然後,利用樹脂等予以包裝。此時,設置電性地接續在陽極的陽極端子與電性地接續在陰極層的陰極端子。該場合,有複數枚陽極箔被層積。 [0024] (鋁電解電容器用電極之製造方法) 圖1係模式地顯示適用本發明的鋁電解電容器用電極的化學合成製程之說明圖。於本型態之鋁電解電容器用電極之製造方法,係進行將鋁電極於化學合成液中予以化學合成之化學合成製程。此時,在以200v以上的化學合成電壓進行化學合成而形成中高壓用之鋁電解電容器用電極之場合,係在使鋁電極與溫度70℃以上的純水接觸而在鋁電極形成水合皮膜之水合製程後,進行化學合成製程。 [0025] 於化學合成製程,例如,如圖1所示,將鋁電極10浸漬在貯留在化學合成槽(未圖示)的化學合成液20。在化學合成液20中,配置1對對極30,形成鋁電極10的雙面各自與對極30相對向之狀態。於該狀態下,以鋁電極10作為陽極、以對極30作為負極並進行化學合成,將鋁電極10予以化學合成。結果,在鋁電極10的雙面形成氧化鋁(化學合成皮膜)。此時,於水合製程形成之水合皮膜的一部分脫水並變化成氧化鋁,被包含在化學合成皮膜的一部分。又,也可以把化學合成槽(未圖示)利用作為對極,此場合,就不必在鋁電極10的兩側配置對極30。 [0026] 於化學合成製程,例如,將己二酸等有機酸或者其鹽的水溶液用作化學合成液20。例如,在包含己二酸等有機酸或者其鹽、於50℃測定的比電阻從5Ωm到500Ωm的水溶液(有機酸系的化學合成液20)中,於液溫從40℃到90℃的條件下對鋁電極10進行化學合成。此時,施加到鋁電極10與對極30之間之電源電壓,進行昇壓直到成為最後的化學合成電壓,之後,進行保持於化學合成電壓。 [0027] 此外,也可以取代使用己二酸等有機酸或者其鹽之化學合成液20,而使用包含硼酸或磷酸等無機酸或者其鹽之水溶液作為化學合成液20。例如,在包含硼酸或磷酸等無機酸或者其鹽、於90℃測定的比電阻從10Ωm到1000Ωm的水溶液(有機酸系的化學合成液20)中,於液溫從40℃到95℃的條件下對鋁電極10進行化學合成。 [0028] 此外,也可以在直到成為最後的化學合成電壓,藉由使用己二酸等有機酸或者其鹽之化學合成液20進行化學合成,之後,藉由使用硼酸或磷酸等無機酸或者其鹽之化學合成液20進行保持於化學合成電壓(定電壓化學合成)。 [0029] 採用任何化學合成液20之場合,都在化學合成製程途中,進行加熱鋁電極10之熱去極化處理、或將鋁電極10浸漬在含磷酸離子的水溶液等之液中去極化處理等之去極化處理。於熱去極化處理,例如,處理溫度為450℃~550℃、處理時間為2分鐘~10分鐘。於液中去極化處理,係在20質量%~30質量%磷酸的水溶液中,於液溫60℃~70℃之條件下接受皮膜耐電壓5分鐘~15分鐘,浸漬鋁電極10。又,於去極化處理,對鋁電極10並不施加電壓。又,也可以在昇壓直到化學合成電壓的途中,進行在含磷酸離子的水溶液中浸漬鋁電極10之磷酸浸漬製程。於這樣的磷酸浸漬製程,在液溫從40℃到80℃、以60℃測定的比電阻從0.1Ωm到5Ωm之磷酸水溶液,於3分鐘到30分鐘的時間浸漬鋁電極10。根據這樣的磷酸浸漬製程,可以更有效率地將在化學合成製程析出的氫氧化鋁除掉,而且可以抑制其後的氫氧化鋁生成。此外,可以利用磷酸浸漬製程,將磷酸離子取入化學合成皮膜內,因而可以提升對於浸漬到沸騰水或酸性溶液的耐久性等,可以有效果地提昇化學合成皮膜的安定性。 [0030] (電極夾具50之構成) 圖2係關於本發明實施型態1之電極夾具50之說明圖,顯示將電極夾具50分解成第1支撐板部51、第2支撐板部52及連結部53的樣子。 [0031] 如圖1所示,於本型態,進行化學合成製程時,利用電極夾具50,保持被形成多孔質層17的鋁電極10,將鋁電極10與電極夾具50一起浸漬於化學合成液20。 [0032] 如圖2所示,電極夾具50係具有:在鋁電極10的一方面11重疊之絕緣性第1支撐板部51、在鋁電極10的與一方面11相反側的另一方面12重疊之絕緣性第2支撐板部52、與連結第1支撐板部51與第2支撐板部52之連結部53。在本型態,在第1支撐板部51、鋁電極10、及第2支撐板部52的端部,形成複數個穴515、15、525;連結部53,係由通到第1支撐板部51的穴515、鋁電極10的穴15、及第2支撐板部52的穴525之螺釘531,與被螺止在螺釘531之螺帽532所構成。 [0033] 在此,在鋁電極10的一方面11及另一方面12形成多孔質層17。對此,在電極夾具50的第1支撐板部51,係形成在相接於一方面11的多孔質層17之狀態下重疊的多孔性構件510;在電極夾具50的第2支撐板部52,係形成在相接於另一方面12的多孔質層17之狀態下重疊的多孔性構件520。 [0034] 在本型態,分別在鋁電極10的一方面11及另一方面12,在彼此分開的複數處形成多孔質層17;一方面11的多孔質層17與另一方面12的多孔質層17,係於鋁電極10的表裏重疊。在本型態,多孔質層17,分別在鋁電極10的一方面11及另一方面12,於上下方向分開而且於橫方向分開之計4處被形成。 [0035] 對應於這樣的構成,在電極夾具50的第1支撐板部51,於上下方向分開而且於橫方向分開之計4處被形成多孔性構件510;多孔性構件510係對於在鋁電極10的一方面11被形成的多孔質層17具有1對1關係並於接觸之狀態下重疊。此外,在電極夾具50的第2支撐板部52,於上下方向分開而且於橫方向分開之計4處被形成多孔性構件510;多孔性構件510係對於在鋁電極10的另一方面12被形成的多孔質層17具有1對1關係並於接觸之狀態下重疊。又,多孔性構件510、520,其面積大於多孔質層17。因此,多孔性構件510、520,係重疊在多孔質層17及多孔質層17的週邊領域。 [0036] 在本型態,多孔性構件510、520,係由被形成複數個貫通穴的薄片狀或板狀的構件所構成。此外,多孔性構件510、520,係由複數根纖維纏繞在一起的薄片狀或板狀的構件所構成,於這樣的構件,係多數個空洞相互連通的狀態。從而,於多孔性構件510、520,可以使化學合成液或氣泡等通過。 [0037] 在本型態,第1支撐板部51及第2支撐板部52係分別由絕緣性的樹脂材料或絕緣性的無機材料所構成。在本型態,第1支撐板部51及第2支撐板部52係分別由絕緣性的無機材料所構成。例如,第1支撐板部51及第2支撐板部52,分別係陶瓷製、或者由絕緣膜所覆蓋的金屬製。此外,連結部53(螺釘531及螺帽532),與第1支撐板部51及第2支撐板部52同樣地,也由絕緣性的無機材料所構成。例如,連結部53(螺釘531及螺帽532),係陶瓷製、或者由絕緣膜所覆蓋的金屬製。從而,電極夾具50全體是由無機材料所構成。因此,可以在本鋁電極10被保持在電極夾具50的狀態下直接進行化學合成製程,而且可以在鋁電極10被保持在電極夾具50的狀態下直接進行熱去極化處理等熱處理或液中去極化處理等藥品浸漬處理。 [0038] 又,將第1支撐板部51及第2支撐板部52、做成由絕緣膜覆蓋的金屬製時,例如,可以採用將由鋁等閥金屬所構成的板狀構件的表面以陽極氧化膜等絕緣膜覆蓋之態樣。 [0039] (本型態之主要效果) 如上述說明,本型態之電極夾具50,係在將形成厚度200μm以上的多孔質層17之鋁電極10予以化學合成時,由兩面側保持鋁電極10。在此,電極夾具50,在第1支撐板部51及第2支撐板部52重疊在多孔質層17的部分是由多孔性構件510、520所構成,於這樣的多孔性構件510、520,可以通過化學合成液等。從而,即使多孔性構件510、520對著鋁電極10的多孔質層17重疊,也可以對多孔質層17化學合成。此外,第1支撐板部51及第2支撐板部52的多孔性構件510、520,係分別於相接在多孔質層17的狀態下重疊,因而就算在隨化學合成皮膜的成長使多孔質層17即將變形時,這樣的變形也會藉多孔性構件510、520而被抑制。從而,可以抑制在化學合成中多孔質層17剝離。因此,即使在將多孔質層17作成厚度200μm以上之場合,也能抑制化學合成中的多孔質層17剝離。 [0040] 此外,第1支撐板部51及第2支撐板部52,係陶瓷製、或者由絕緣膜所覆蓋的金屬製等,電極夾具50全體是由絕緣性的無機材料所構成。從而,在通電到鋁電極10進行化學合成時,在第1支撐板部51及第2支撐板部52也不會發生不必要的電極反應。此外,電極夾具50全體是由絕緣性的無機材料所構成,故而可以在利用電極夾具50保持鋁電極10的狀態下直接進行以各種藥品的處理或熱處理等。 [0041] 此外,於鋁電極10,在彼此分開的複數處形成多孔質層17,因而就算在隨化學合成皮膜的成長使多孔質層17即將變形時,也會分散該力。因此,即使在將多孔質層作成厚度200μm以上之場合,也更能抑制化學合成中的多孔質層17剝離。 [0042] 此外,將多孔質層17的厚度作成500μm以上之場合,雖隨化學合成皮膜的成長而容易發生多孔質層17變形,但根據本型態,即使於該場合,也可抑制化學合成中多孔質層剝離。此外,多孔質層17為鋁粉體的燒結層之場合,因表面積大,而具有靜電電容高等優點。另一方面,表面積大這部分,雖隨化學合成皮膜的成長容易發生多孔質層17變形,但根據本型態,即使於該場合,也可抑制化學合成中多孔質層17剝離。 [0043] [實施型態2] 圖3係關於本發明實施型態2之電極夾具50之說明圖,顯示將電極夾具50分解成第1支撐板部51、第2支撐板部52及連結部53的樣子。又,由於在本型態之基本構成係與實施型態1相同,所以在共通的部分附上相同圖號並省略該等之詳細說明。 [0044] 於本型態,也與實施型態1同樣地,在進行化學合成製程時,利用圖3所示的電極夾具50,保持被形成多孔質層17的鋁電極10。在本型態,也與實施型態1同樣地,分別在鋁電極10的一方面11及另一方面12,在彼此分開的複數處形成多孔質層17;一方面11的多孔質層17與另一方面12的多孔質層17,係於鋁電極10的表裏重疊。在本型態,多孔質層17,分別在鋁電極10的一方面11及另一方面12,於上下方向分開而且於橫方向分開之計4處被形成。 [0045] 對應於這樣的構成,在電極夾具50的第1支撐板部51,於橫方向分開之2處被形成多孔性構件510;多孔性構件510係分別、對在鋁電極10的一方面11被形成的4層多孔質層17中、於上下方向並排的2層多孔質層17接觸之狀態下重疊。於本型態,與實施型態1同樣地,電極夾具50全體也是由無機材料所構成。 [0046] 如此方式構成之場合,就算在隨化學合成皮膜的成長使多孔質層17即將變形時,這樣的變形也會藉多孔性構件510、520而被抑制。從而,可以抑制在化學合成中多孔質層17剝離。因此,即使在將多孔質層17作成厚度200μm以上之場合,也能抑制化學合成中的多孔質層17剝離。 [0047] [實施型態3] 圖4係關於本發明實施型態3之電極夾具50之說明圖。又,由於在本型態之基本構成係與實施型態1相同,所以在共通的部分附上相同圖號並省略該等之詳細說明。 [0048] 如圖4所示,於本型態之電極夾具50,參照圖2並說明之第1支撐板部51及第2支撐板部52是複數對利用連結構件54而被連結。因此,可以利用1個電極夾具50保持複數個鋁電極10。該場合,也可以採用在鋁電極10的兩側配置圖1所示的對極30之構成,也可以把貯留化學合成液20(參照圖1)的化學合成槽(未圖示)利用作為對極,此場合,就不必在鋁電極10的兩側配置對極30。 [0049] 於本型態,第1支撐板部51的上端部及第2支撐板部52的上端部被連結在板狀的連結構件54,在連結構件54,形成供對鋁電極10給電用之開口部或導通部。 [0050] 此外,於本型態,包含第1支撐板部51、第2支撐板部52、連結部53及連結構件54,電極夾具50全體是由無機材料所構成。從而,可以在複數個鋁電極10被保持在電極夾具50的狀態下直接進行化學合成製程,而且可以在複數個鋁電極10被保持在電極夾具50的狀態下直接進行熱去極化處理等熱處理或液中去極化處理等藥品浸漬處理。 [0051] 又,由於連結構件54並未被浸漬於化學合成液,所以可以是導電性,該場合,也可以採用介著連結構件54而對鋁電極10給電之態樣。 [0052] [其他實施型態] 於上述實施型態,電極夾具50的連結部53為螺釘531及螺帽532,但也可以是利用掛勾等將第1支撐板部51與第2支撐板部52連結之構成。於上述實施型態,連結部53(螺釘531及螺帽532)為陶瓷製、或者由絕緣膜所覆蓋的金屬製,但只要第1支撐板部51及第2支撐板部52為絕緣性,連結部53可以是導電性。 [0053] 於上述實施型態,在將供製造鋁電解電容器用電極用之鋁電極10進行化學合成時使用電極夾具50,但本發明也可適用在將鋁電極10用於觸媒等的擔持等場合之化學合成製程所用之電極夾具50。 [0054] 於上述實施型態,說明在鋁電極10的雙面(一方面11及另一方面12)形成多孔質層17之場合,但本發明也可適用於僅在鋁電極10的一方面11形成多孔質層17之場合,該場合,僅在電極夾具50的第1支撐板部51設置多孔性構件510即可。
[0055]10‧‧‧鋁電極11‧‧‧一方面12‧‧‧另一方面17‧‧‧多孔質層20‧‧‧化學合成液30‧‧‧對極50‧‧‧電極夾具51‧‧‧第1支撐板部52‧‧‧第2支撐板部53‧‧‧連結部54‧‧‧連結構件510、520‧‧‧多孔性構件
[0019] 圖1係模式地顯示適用本發明的鋁電解電容器用電極的化學合成製程之說明圖。 圖2係關於本發明實施型態1之電極夾具之說明圖。 圖3係關於本發明實施型態2之電極夾具之說明圖。 圖4係關於本發明實施型態3之電極夾具之說明圖。
10‧‧‧鋁電極
11‧‧‧一方面
12‧‧‧另一方面
17‧‧‧多孔質層
50‧‧‧電極夾具
51‧‧‧第1支撐板部
52‧‧‧第2支撐板部
53‧‧‧連結部
510、520‧‧‧多孔性構件
515、15、525‧‧‧穴
531‧‧‧螺釘
532‧‧‧螺帽
Claims (12)
- 一種電極夾具,在將至少在一方面形成厚度200μm以上的多孔質層之鋁電極於化學合成液中予以化學合成時保持前述鋁電極之電極夾具,其特徵係具有:在前述鋁電極的前述一方面重疊之絕緣性第1支撐板部、在與前述鋁電極的前述一方面相反側的另一方面重疊之絕緣性第2支撐板部、與連結前述第1支撐板部與前述第2支撐板部之連結部;在前述第1支撐板部於相接在前述多孔質層之狀態下重疊的部分是由多孔性構件所構成。
- 如申請專利範圍第1項記載之電極夾具,其中前述第1支撐板部及前述第2支撐板部,係陶瓷製、或者由絕緣膜所覆蓋之金屬製。
- 如申請專利範圍第2項記載之電極夾具,其中前述電極夾具之全體係由無機材料所構成。
- 如申請專利範圍第1至3項任一項記載之電極夾具,其中於前述鋁電極,在彼此分開的複數處形成前述多孔質層。
- 如申請專利範圍第4項記載之電極夾具,其中在前述第1支撐板部,在彼此分開的複數處設置前述多孔性構件。
- 如申請專利範圍第1至3項任一項記載之電極夾具,其中於前述鋁電極,前述一方面之外,在前述另一方面也形成厚度200μm以上的多孔質層;在前述第2支撐板部於相接在前述另一方面側的前述多孔質層之狀態下重疊的部分是由多孔性構件所構成。
- 如申請專利範圍第1至3項任一項記載之電極夾具,其中前述多孔質層的厚度為500μm以上。
- 如申請專利範圍第1至3項任一項記載之電極夾具,其中前述鋁電極,係將鋁粉體的燒結層作為前述多孔質層而對鋁芯材層積。
- 如申請專利範圍第1至3項任一項記載之電極夾具,其中前述第1支撐板部及前述第2支撐板部之複數對利用連結構件而被連結。
- 如申請專利範圍第1至3項任一項記載之電極夾具,其中前述多孔性構件係由被形成複數個貫通穴的薄片狀或板狀的構件所構成。
- 如申請專利範圍第1至3項任一項記載之電極夾具,其中前述多孔性構件係由複數根纖維纏繞在一起的薄片狀或板狀的構件所構成。
- 一種使用申請專利範圍第1至11項任一項記載的電極夾具之鋁電解電容器用電極之製造方法,其特徵係於利用前述電極夾具保持前述鋁電極之狀態下進行將前述鋁電極於前述化學合成液中予以化學合成之化學合成製程。
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