TWI730207B - 鋁電解電容器用電極之製造方法 - Google Patents

鋁電解電容器用電極之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明之課題在於提供一種鋁電解電容器用電極之製造方法，其可減低化學轉化電壓為500V以上的化學轉化被膜內之缺陷。 　　本發明之解決手段為在製造鋁電解電容器用電極時，於水合步驟中，使鋁電極與溫度為70℃以上的純水接觸，而在鋁電極上以適當膜厚形成水合被膜後，於化學轉化步驟中，在溫度為40℃以上的化學轉化液中，以500V以上之化學轉化電壓進行化學轉化。於化學轉化步驟中，以3次元的速度向量B-A表示化學轉化液相對於鋁電極的相對速度，以ïB-Aï表示速度向量B-A的絕對值時，速度向量的絕對值ïB-Aï滿足以下之條件式。

Description

鋁電解電容器用電極之製造方法
[0001] 本發明關於化學轉化鋁電極的鋁電解電容器用電極之製造方法。
[0002] 於鋁電解電容器用陽極箔之製造步驟中，將具有多孔質層的鋁電極浸漬於高溫的純水等之水合處理液中，於鋁電極之表面形成水合被膜後(水合步驟)，在包含有機酸或無機酸及彼等的鹽之化學轉化液中進行化學轉化(化學轉化步驟)，於表面形成由氧化鋁所成的化學轉化被膜。藉由在化學轉化步驟之前形成水合被膜，可削減化學轉化所需要的電量，同時可提高每單位面積的靜電容量(參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0003] 　　[專利文獻1]日本特開2014-57000號公報
[發明所欲解決的課題] 　　[0004] 於水合步驟之後，於以500V以上的化學轉化電壓進行化學轉化時所形成的化學轉化被膜中，直徑數nm至數10nm的缺陷係多數存在。茲認為此係因為於水合被膜脫水而變化成氧化鋁時，引起體積收縮故發生者。此等之缺陷所存在的化學轉化被膜，由於水容易從表面侵入，故具有化學轉化被膜容易水合劣化之缺點。 　　[0005] 對於如此的缺陷，本發明者等進行各種的探討，結果發現於進行水合步驟之後，在進行化學轉化時，從300V以上的電壓開始發生前述缺陷，其特別在500V以上變顯著。又，本發明者等重複實驗與考察，結果以300V以下的電壓進行化學轉化時，即使為前述缺陷已發生之情況，也可藉由化學轉化液或水侵入缺陷，缺陷被再度化學轉化而修復。然而，得到以下知識見解：以500V以上的電壓進行化學轉化時，在化學轉化被膜所發生的熱變很大，於化學轉化液或水滲透缺陷之前，在被膜之表面上化學轉化液或水會沸騰、蒸發，難以進行缺陷之修復。 　　[0006] 鑒於上述問題點，本發明之課題在提供一種鋁電解電容器用電極之製造方法，其可減低化學轉化電壓為500V以上的化學轉化被膜內之缺陷。 [解決課題的手段] 　　[0007] 為了解決上述課題，本發明的鋁電解電容器用電極之製造方法係特徵為具有：使鋁電極與溫度為70℃以上的水合處理液接觸，而於前述鋁電極形成水合被膜之水合步驟，與於溫度為40℃以上的化學轉化液中，以500V以上的化學轉化電壓，對於前述鋁電極進行化學轉化之化學轉化步驟； 　　將前述水合被膜的質量相對於前述鋁電極之前述水合步驟前的質量之比例當作xwt%時，被膜耐電壓Vf(V)及比例xwt%滿足以下之條件式
Figure 02_image001
且於前述化學轉化步驟中，以3次元的速度向量A表示前述鋁電極的移動速度，以3次元的速度向量B表示從前述鋁電極之表面起在對於前述鋁電極之表面而言垂直的方向中到10cm為止的範圍中之前述化學轉化液的平均流速，以3次元的速度向量B-A表示前述化學轉化液相對於前述鋁電極的相對速度，以|B-A|表示前述速度向量B-A的絕對值時， 　　前述速度向量的絕對值|B-A|滿足以下之條件式
Figure 02_image003
。 　　[0008] 於本發明中，由於在水合步驟所生成的水合被膜之量為適當，且化學轉化液相對於鋁電極表面的相對速度滿足上述關係式，故可將在化學轉化時從鋁電極所發生的熱有效率地散逸至化學轉化液中。因此，即使化學轉化電壓為500V以上，在化學轉化步驟中，化學轉化液或水亦可滲透化學轉化被膜中的缺陷，故進行缺陷之修復。因此，本發明之鋁電解電容器用電極係靜電容量高，化學轉化被膜中的缺陷少，故不易水合劣化。此處，當|B-A|未達3cm/s時，基於無法使來自鋁電極表面的熱充分地散逸或離子之擴散變不充分等之理由，化學轉化被膜中的缺陷未被充分修復，成為洩漏電流高且容易水合劣化的鋁電解電容器用電極。相對於其，|B-A|超過100cm/s時，由於來自鋁電極表面的鋁離子溶出變過剩，靜電容量容易降低。又，在水合步驟所生成的水合被膜之量過少時，由於化學轉化時所發生的熱變大，故缺陷的修復變難以進行。相對於其，在水合步驟所生成的水合被膜之量過多時，由於形成為厚之水合被膜而妨礙化學轉化液或水滲透缺陷，故妨礙缺陷的修復。如此的缺陷雖然可在進行去極化後，藉由進行再化學轉化而某程度地去除，但於500V以上的化學轉化電壓中無法充分去除。此係因為化學轉化被膜形成為厚，故即使進行去極化，被膜的內部之缺陷亦會殘留之故。 　　[0009] 於本發明中，可採用前述速度向量的絕對值|B-A|滿足以下之條件式的態樣。
Figure 02_image005
[0010] 於本發明中，分別以|A|及|B|表示前述速度向量A及B的絕對值時，可採用前述速度向量的絕對值|A|及|B|分別滿足以下之條件式的態樣。
Figure 02_image007
[發明效果] 　　[0011] 於本發明中，由於在水合步驟所生成的水合被膜之量為適當，且化學轉化液相對於鋁電極表面的相對速度滿足上述關係式，故可將在化學轉化時從鋁電極所發生的熱有效率地散逸至化學轉化液中。因此，即使化學轉化電壓為500V以上，化學轉化液或水亦可滲透化學轉化被膜中的缺陷，故缺陷之修復會進行。本發明之鋁電解電容器用電極係靜電容量高，化學轉化被膜中的缺陷少，故不易水合劣化。
[實施發明的形態] 　　[0013] (鋁電解電容器用電極) 　　於本發明中，在製造鋁電解電容器用電極時，對於鋁電極之表面進行化學轉化而製造鋁電解電容器用電極。作為鋁電極，可使用鋁箔經蝕刻的經蝕刻箔(etched foil)或在鋁芯材之兩面上層合有由燒結鋁粉體而成的多孔質層之多孔性鋁電極等。經蝕刻箔具備形成有隧道狀的坑(pit)之多孔質層。多孔性鋁電極例如係在厚度為10μm～50μm之鋁芯材的兩面各自上形成有每1層的厚度為150μm～3000μm之多孔質層30。如此的多孔質層係將鋁粉體燒結而成之層，鋁粉體係一邊互相維持空隙一邊燒結。 　　[0014] (鋁電解電容器之構成) 　　為了使用本形態之化學轉化完畢的鋁電極(鋁電解電容器用電極)來製造鋁電解電容器，例如使隔板介於由化學轉化完畢的鋁電極(鋁電解電容器用電極)所構成的陽極箔與陰極箔之間，捲繞而形成電容器元件。接著，於電解液(糊)中含浸電容器元件。然後，將包含電解液的電容器元件收容於外裝殼中，以封口體將殼封口。 　　[0015] 又，使用固體電解質代替電解液時，於由化學轉化完畢的鋁電極(鋁電解電容器用電極)所構成的陽極箔之表面上，形成固體電解質層後，在固體電解質層之表面上形成陰極層，然後藉由樹脂等進行外裝。當時，設置電連接至陽極的陽極端子與電連接至陰極層的陰極端子。此時，陽極箔可能被層合複數片。 　　[0016] (鋁電解電容器用電極之製造方法) 　　圖1係顯示於應用本發明的鋁電解電容器用電極之製造步驟中，在水合步驟所生成的水合被膜量之恰當範圍的曲線圖。圖2係示意地顯示應用鋁電解電容器用電極之化學轉化步驟的說明圖。 　　[0017] 於本形態的鋁電解電容器用電極之製造方法中，進行：使鋁電極與溫度為70℃以上的純水等之水合處理液接觸，而於鋁電極形成水合被膜之水合步驟，與於溫度為40℃以上的化學轉化液中，以500V以上的化學轉化電壓進行化學轉化之化學轉化步驟。 　　[0018] 於本形態中，在水合步驟中將鋁電極在溫度為70℃以上(70℃至100℃)之純水中煮沸1分鐘至30分鐘，而於鋁電極10形成水鋁石等的水合被膜(鋁水合被膜)。當以下式(數1)表示因水合步驟所增加的質量之比例x時，在水合步驟所生成的水合被膜之量，設為從圖1中以實線L11表示的x之下限起到圖1中以虛線L12表示的x之上限為止的範圍。 　　[0019]
Figure 02_image009
[0020] 更具體而言，將化學轉化被膜之最終的被膜耐電壓當作Vf(V)，將因水合步驟所增加的質量之比例當作x時，表示x之下限的實線L11係以下式表示。
Figure 02_image011
又，表示x之上限的虛線L12係以下式表示。
Figure 02_image013
[0021] 因此，於本形態中，係以被膜耐電壓Vf(V)及比例x(質量%)滿足以下之條件式的方式，設定水合步驟之條件。
Figure 02_image015
[0022] 於化學轉化步驟中，例如，如圖2所示，於化學轉化槽(未圖示)中所儲存的化學轉化液20中，浸漬鋁電極10。於化學轉化液20中，配置1對的相對電極30，成為鋁電極10之兩面各自與相對電極30對向之狀態。於此狀態下，將鋁電極10當作陽極，將相對電極30當作負極，進行化學轉化而將鋁電極10予以化學轉化。結果，於鋁電極10之兩面形成氧化鋁(化學轉化被膜)。此時，在水合步驟所形成的水合被膜之一部分係脫水而變化成氧化鋁，包含於化學轉化被膜之一部分中。 　　[0023] 於如此的化學轉化步驟中，例如使用己二酸等的有機酸或其鹽之水溶液作為化學轉化液20。例如，於包含己二酸等的有機酸或其鹽，且在50℃測定的比電阻為5Ωm至500Ωm的水溶液(有機酸系的化學轉化液20)中，在液溫為40℃至90℃之條件下，對於鋁電極10進行化學轉化。此時，於鋁電極10與相對電極30之間所施加的電源電壓係進行升壓直到成為最終的化學轉化電壓Vf為止，然後進行化學轉化電壓Vf之保持。 　　[0024] 又，代替採用己二酸等的有機酸或其鹽之化學轉化液20，亦可使用包含硼酸或磷酸等的無機酸或其鹽之水溶液作為化學轉化液20。例如，於包含硼酸或磷酸等的無機酸或其鹽，且在90℃測定的比電阻為10Ωm至1000Ωm的水溶液(無機酸系的化學轉化液20)中，在液溫為40℃至95℃之條件下，對於鋁電極10進行化學轉化。 　　[0025] 又，亦可藉由使用己二酸等的有機酸或其鹽之化學轉化液20，進行化學轉化直到成為最終的化學轉化電壓Vf為止，然後藉由使用硼酸或磷酸等的無機酸或其鹽之化學轉化液20，進行化學轉化電壓Vf之保持(定電壓化學轉化)。 　　[0026] 使用任一的化學轉化液20時，皆在化學轉化步驟之途中，進行將鋁電極10加熱之熱去極化處理或在包含磷酸離子的水溶液等中浸漬鋁電極10之液中去極化處理等的去極化處理。於熱去極化處理中，例如處理溫度為450℃至550℃，處理時間為2分鐘至10分鐘。於液中去極化處理中，較佳為在20質量%至30質量%磷酸的水溶液中，於液溫為60℃至70℃之條件下，對應於被膜耐電壓，將鋁電極10浸漬5分鐘～15分鐘。再者，於液中去極化處理中，對於鋁電極10不施加電壓。 　　[0027] 又，在升壓到化學轉化電壓之前的途中，可進行在包含磷酸離子的水溶液中浸漬鋁電極10之磷酸浸漬步驟。於如此的磷酸浸漬步驟中，在液溫為40℃至80℃且在60℃所測定的比電阻為0.1Ωm至5Ωm之磷酸水溶液中，以3分鐘至30分鐘的時間浸漬鋁電極10。藉由如此的磷酸浸漬步驟，可高效率地去除在化學轉化步驟中所析出的氫氧化鋁，同時可抑制其後的氫氧化鋁之生成。又，由於藉由磷酸浸漬步驟，可將磷酸離子攝入化學轉化被膜內，故可提高在沸騰水或酸性溶液中浸漬的耐久性等，可有效果地提高化學轉化被膜的安定性。 　　[0028] (化學轉化液相對於鋁電極的相對速度) 　　於本形態中，以圖2所示之狀態進行化學轉化步驟時，鋁電極10及化學轉化液20係設為靜止狀態或移動狀態。以使鋁電極10移動之狀態進行化學轉化者，係指在將鋁電極10浸漬於化學轉化液20中之狀態下，以使其移動之狀態進行化學轉化。以使化學轉化液20移動之狀態進行化學轉化者，係指藉由循環或攪拌而使浸漬有鋁電極10的化學轉化液20移動，進行化學轉化。 　　[0029] 於本形態中，以3次元的速度向量A表示鋁電極10的移動速度，以3次元的速度向量B表示從鋁電極10之表面起在對於鋁電極10之表面而言垂直的方向中到10cm為止的範圍Z0 中之化學轉化液20的平均流速，以3次元的速度向量B-A表示化學轉化液20相對於鋁電極10的相對速度，以|B-A|表示速度向量B-A的絕對值時，速度向量的絕對值|B-A|滿足以下之條件式。
Figure 02_image017
[0030] 於本形態中，速度向量的絕對值|B-A|滿足以下之條件式。
Figure 02_image019
[0031] 又，分別以|A|及|B|表示速度向量A及B的絕對值時，速度向量的絕對值|A|及|B|分別滿足以下之條件式。
Figure 02_image021
此處，以使鋁電極10靜止之狀態進行化學轉化時，速度向量的絕對值|A|成為0。 　　[0032] 於圖2中，在沿著鋁電極10之兩面的方向之中，將左右方向(水平方向)當作X方向，將上下方向(垂直方向)當作Y方向。又，將鋁電極10與相對電極30對向之方向當作Z方向。因此，鋁電極10的移動速度之3次元的速度向量A係相當於將X方向的速度向量AX 、Y方向的速度向量AY 與Z方向的速度向量AZ 合成後的向量。又，速度向量A的絕對值|A|係以下式表示。
Figure 02_image023
[0033] 化學轉化液20的移動速度之3次元的速度向量B係相當於將X方向的速度向量BX 、Y方向的速度向量BY 與Z方向的速度向量BZ 合成後之向量。又，速度向量B的絕對值|B|係以下式表示。
Figure 02_image025
[0034] 化學轉化液20相對於鋁電極10的相對速度之3次元的速度向量B-A的絕對值|B-A|係以下式表示。
Figure 02_image027
[0035] (本形態之主要效果) 　　如以上說明，於本形態的鋁電極之製造方法中，由於在水合步驟所生成的水合被膜之量為恰當，且化學轉化液相對於鋁電極表面的相對速度滿足上述關係式，故可將在化學轉化時從鋁電極所發生的熱有效率地散逸至化學轉化液中。因此，即使化學轉化電壓為500V以上，也化學轉化液或水能滲透化學轉化被膜中的缺陷，故可進行缺陷之修復。因此，本發明之鋁電解電容器用電極係靜電容量高，化學轉化被膜中的缺陷少，故不易水合劣化。 　　[0036] 此處，當|B-A|未達3cm/s時，基於無法使來自鋁電極表面的熱充分地散逸或離子之擴散變不充分等之理由，化學轉化被膜中的缺陷未被充分修復，成為洩漏電流高且容易水合劣化的鋁電解電容器用電極。相對於其，|B-A|超過100cm/s時，由於來自鋁電極表面的鋁離子溶出變過剩，靜電容量容易降低。 　　[0037] 又，在水合步驟所生成的水合被膜之量過少時，由於化學轉化時所發生的熱變大，故缺陷的修復變難以進行。相對於其，在水合步驟所生成的水合被膜之量過多時，由於形成為厚之水合被膜而妨礙化學轉化液或水滲透缺陷，故妨礙缺陷的修復。 　　[0038] (實施例) 　　接著，說明本發明之實施例。表1中顯示本發明之實施例1、2及比較例1、2的鋁電解電容器用電極之製造條件。表2中顯示本發明之實施例1、2及比較例1、2的鋁電解電容器用電極之特性。表2中所示的結果係依照EIAJ RC 2364A規定的「鋁電解電容器用電極箔之試驗方法」而測定的結果，例如耐水合性係以在95℃以上的純水中浸漬60±1分鐘後，施加定電流時的升壓直到被膜耐電壓為止之時間(秒)表示。如表1所示，於實施例1、2及比較例1、2之任一者中，皆使用經蝕刻處理所擴面處理的經蝕刻箔(箔厚120μm)作為鋁電極。 　　[0039]
Figure 02_image029
[0040]
Figure 02_image031
[0041] 如表1所示，於實施例1中，在水合步驟中，將鋁電極浸漬於溫度為95℃的純水中，將藉由水合步驟所形成之水合被膜的質量相對於鋁電極的水合步驟前的質量之比例x設為15%。在化學轉化步驟中，作為第1化學轉化，於10%硼酸水溶液(80℃)中浸漬鋁電極，升壓到700V為止，到達700V後保持30分鐘。接著，水洗鋁電極，浸漬於5%磷酸水溶液(70℃)中10分鐘後，水洗鋁電極，作為第2化學轉化，於10%硼酸水溶液(80℃)中浸漬鋁電極，以700V的電壓，進行再化學轉化5分鐘。於如此的化學轉化步驟中，將化學轉化液相對於鋁電極的相對速度之3次元的速度向量B-A的絕對值|B-A|設為10cm/s。還有，對於作為化學轉化液使用的硼酸水溶液，係添加氨水等而調整pH或比電阻。 　　[0042] 於實施例2中，將第1化學轉化所用的化學轉化液設為0.05質量%的己二酸銨水溶液，將化學轉化步驟中之化學轉化液相對於鋁電極的相對速度之3次元的速度向量B-A的絕對值|B-A|設為5cm/s。其他條件係與實施例1同樣。 　　[0043] 於比較例1中，將化學轉化步驟中之化學轉化液相對於鋁電極的相對速度之3次元的速度向量B-A的絕對值|B-A|設為2cm/s。其他條件係與實施例1同樣。 　　[0044] 於比較例2中，將藉由水合步驟所形成之水合被膜的質量相對於鋁電極的水合步驟前的質量之比例x設為5%。其他條件係與實施例1同樣。 　　[0045] 如表2所示，於實施例1、2中，耐水合性為10秒、8秒，顯示良好的結果。相對於其，於比較例1中，雖然為與實施例1大致相同之條件，但是|B-A|未達3cm/s。因此，基於無法使來自鋁電極表面的熱充分地散逸等之理由，未充分修復化學轉化被膜中的缺陷，洩漏電流增大，耐水合性降低到120秒。又，比較例2雖然為與實施例1略同樣之條件，但是藉由水合步驟所形成之水合被膜的質量相對於鋁電極之水合步驟前的質量之比例x係未達圖1中實線L11所示的下限值(7.05%)。因此，化學轉化步驟之發熱變很大，由於缺陷之修復難以進行，故耐水合性降低到150秒。 　　[0046] (其他的實施形態) 　　於上述實施例中使用經蝕刻箔作為鋁電極，但是使用在鋁芯材之兩面上層合有由燒結鋁粉體而成的多孔質層之多孔性鋁電極鋁粉體時，亦得到同樣的結果。又，於上述實施例以外，亦探討各種條件，結果只要水合被膜的質量相對於鋁電極之水合步驟前的質量之比例x或鋁電極及化學轉化液的速度向量滿足上述條件式，則即使是化學轉化電壓為500V以上的化學轉化被膜，也得到能減低化學轉化被膜內的缺陷之結果。
[0047] 10‧‧‧鋁電極 20‧‧‧化學轉化液 30‧‧‧相對電極
[0012] 　　圖1係顯示於應用本發明的鋁電解電容器用電極之製造方法中，在水合步驟所生成的水合被膜量之恰當範圍的曲線圖。 　　圖2係示意地顯示應用本發明的鋁電解電容器用電極之化學轉化步驟的說明圖。
10‧‧‧鋁電極
20‧‧‧化學轉化液
30‧‧‧相對電極

Claims (3)

  1. 一種鋁電解電容器用電極之製造方法，其特徵為具有： 　　使鋁電極與溫度為70℃以上的水合處理液接觸，而於前述鋁電極形成水合被膜之水合步驟，與 　　於溫度為40℃以上的化學轉化液中，以500V以上的化學轉化電壓，對於前述鋁電極進行化學轉化之化學轉化步驟； 　　將前述水合被膜的質量相對於前述鋁電極之前述水合步驟前的質量之比例當作xwt%時，被膜耐電壓Vf(V)及比例xwt%滿足以下之條件式
    Figure 03_image035
    且於前述化學轉化步驟中，以3次元的速度向量A表示前述鋁電極的移動速度，以3次元的速度向量B表示從前述鋁電極之表面起在對於前述鋁電極之表面而言垂直的方向中到10cm為止的範圍中之前述化學轉化液的平均流速，以3次元的速度向量B-A表示前述化學轉化液相對於前述鋁電極的相對速度，以ïB-Aï表示前述速度向量B-A的絕對值時， 　　前述速度向量的絕對值|B-A|滿足以下之條件式
    Figure 03_image037
    。
  2. 如請求項1之鋁電解電容器用電極之製造方法，其中前述速度向量的絕對值ïB-Aï滿足以下之條件式
    Figure 03_image039
    。
  3. 如請求項1或2之鋁電解電容器用電極之製造方法，其中分別以ïAï及ïBï表示前述速度向量A及B的絕對值時，前述速度向量的絕對值ïAï及ïBï分別滿足以下之條件式
    Figure 03_image041
    。
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