JP2003193260A - エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム箔およびその製造方法、ならびに電解コンデンサ電極用アルミニウムエッチド箔のの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔におい
て、拡面率を高め、静電容量のさらなる増大を図る。 【解決手段】 この発明のエッチング特性に優れた電解
コンデンサ電極用アルミニウム箔は、アルミニウム箔基
材の表面に、一水和酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃・Ｈ₂
Ｏ）または三水和酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃・３Ｈ₂
Ｏ）、あるいはこれらの混合物を主体とする水和酸化皮
膜が、０．０２〜０．１ｇ／ｍ²未満の重量で形成され
ている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、電解コンデンサ
電極として用いられるアルミニウム箔、特にエッチング
特性に優れた電解コンデンサに用アルミニウム箔および
その製造方法、ならびに電解コンデンサ電極用アルミニ
ウムエッチド箔の製造方法に関する。

【０００２】なお、この明細書において、「アルミニウ
ム」の語はアルミニウムおよびその合金の両者を含む意
味で用いられる。

【０００３】

【従来の技術】通常、電解コンデンサ電極に使用される
アルミニウム箔は、大きな表面積を有して単位面積当た
りの静電容量が大きいことが要求されるために、電気化
学的あるいは化学的なエッチング処理を施して実効面積
を拡大することが行われる。そして、この実効面積拡大
を目的として、エッチピットをより多く発生させるため
の組成、製造工程、エッチング方法等種々の面から研究
がなされている。

【０００４】製造工程におけるエッチピットの発生核生
成に着目すると、エッチピットが皮膜欠陥、結晶性酸化
物等を核として生成することから、箔表面に皮膜欠陥や
γ−Ａｌ₂Ｏ₃等の結晶性酸化物を析出させる取り組みが
多くなされている。

【０００５】例えば、特開平１１−３６０８３号公報に
おいては、材料箔を４８０〜６２０℃で焼鈍した後、１
００℃以下に冷却し、その後さらに２００〜３００℃で
加熱処理することにより、エッチピットの起点となる欠
陥が生じ、その後のエッチング処理によりエッチピット
の増大につながることが報告されている。

【０００６】また、特開昭５２−１２０３６４号公報で
は、水和処理皮膜を形成し、その後高温加熱することに
よりγ−Ａｌ₂Ｏ₃を生成させる方法が報告されている。

【０００７】また、特開平８−３０６５９２号公報にお
いては、７５℃乃至沸点の範囲の温度、３０乃至１８０
０秒の浸漬時間で所謂ベーマイト処理を行うことによ
り、厚い水和酸化物皮膜を生成させ、この皮膜により箔
基材の表面を保護し、その後のエッチング処理において
粗大なエッチピットの生成を抑制しうることが報告され
ている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
技術におていは、それぞれ下記に示す問題点がある。

【０００９】特開平１１−３６０８３号公報に記載され
た技術においては、冷却後の加熱処理によりエッチピッ
トの起点となる欠陥が形成されるが、最終焼鈍後の再加
熱で生成される酸化皮膜が厚くなるため、表面積拡大の
効果が十分ではなく高静電容量が得られない。即ち、最
終工程において加熱を行うと酸化膜が厚くなるため、十
分なエッチングがなされず静電容量の向上効果を期待で
きない。

【００１０】また、特開昭５２−１２０３６４号公報に
記載された技術においても、水和酸化物皮膜を結晶化し
たγ−Ａｌ₂Ｏ₃に変化させるための高温で加熱によっ
て、厚い酸化膜が形成され、先の特開平１１−３６０８
３号公報の技術と同様の理由で十分なエッチングがなさ
れず静電容量の向上効果を期待できない。

【００１１】さらに、特開平８−３０６５９２号公報に
記載された技術においては、ベーマイト処理を高温かつ
長時間をかけて行うため、この間にエッチピットの起点
が減少してしまい、却って静電容量は低下する。また、
処理が高温かつ長時間であるため、エネルギーコストや
作業性の点でも好ましくない。

【００１２】この発明は、このような技術背景に鑑み
て、拡面率を高め、静電容量のさらなる増大を図ること
ができるエッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用
アルミニウム箔およびその製造方法、ならびにこのアル
ミニウム箔を用いた電解コンデンサ電極用アルミニウム
エッチド箔の製造方法の提供を目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、この発明のエッチング特性に優れた電解コンデンサ
電極用アルミニウム箔は、アルミニウム箔基材の表面
に、一水和酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃・Ｈ₂Ｏ）また
は三水和酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃・３Ｈ₂Ｏ）、あ
るいはこれらの混合物を主体とする水和酸化皮膜が、
０．０２〜０．１ｇ／ｍ²未満の重量で形成されている
ことを基本要旨とする。

【００１４】前記電解コンデンサ電極用アルミニウム箔
において、前記アルミニウム箔基材は、Ａｌ純度が９
９．９％以上であることが好ましい。

【００１５】また、前記アルミニウム箔基材は、表面層
における（１００）面積率が９０％以上であることが好
ましい。

【００１６】さらに、前記水和酸化皮膜の重量は、０．
０４〜０．０８ｇ／ｍ²であることが好ましい。

【００１７】この発明のエッチング特性に優れた電解コ
ンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法は、上述の電
解コンデンサ電極用アルミニウム箔を製造しうる方法で
あって、アルミニウム箔基材に対し、５５〜７５℃未満
の処理液に５〜３００秒、または７５〜１００℃の処理
液に２〜３０秒未満接触させる水和処理を行うことによ
り、アルミニウム箔基材表面に、重量が０．０２〜０．
１ｇ／ｍ²未満の一水和酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃・
Ｈ₂Ｏ）または三水和酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃・３
Ｈ₂Ｏ）、あるいはこれらの混合物を主体とする水和酸
化皮膜を形成することを基本要旨とする。

【００１８】前記製造方法において、前記水和処理前
に、アルミニウム箔基材を焼鈍することにより表面層に
おける（１００）面積率を９０％以上とすることが好ま
しい。

【００１９】前記焼鈍は、非酸化雰囲気中において、ア
ルミニウム箔基材の実体温度を４５０〜６００℃に１０
分〜５０時間保持することにより行う請ことが好まし
く、さらにアルミニウム箔基材を実体温度を５４０〜５
８０℃に１〜３０時間保持することにより行うことが好
ましい。

【００２０】また、前記アルミニウム箔基材は、Ａｌ純
度が９９．９％以上であることが好ましい。

【００２１】また、前記処理液として、導電度が２μＳ
／ｃｍ以下の水、トリエタノールアミン溶液、ジエタノ
ールアミン溶液、モノエタノールアミン溶液、アンモニ
ア溶液のうちのいずれかを用いることが好ましい。

【００２２】また、前記水和処理は、処理液中にアルミ
ニウム箔基材を浸漬することにより行うか、あるいは処
理液をアルミニウム箔基材にスプレーすることにより行
うことが好ましい。

【００２３】さらに、前記水和処理を行った後、アルミ
ニウム箔を乾燥させることが好ましい。

【００２４】この発明の一つのエッチング処理を施す電
解コンデンサ電極用アルミニウムエッチド箔の製造方法
は、請求項１〜４のいずれかに記載された電解コンデン
サ電極用アルミニウム箔に対し、前処理を行うことなく
エッチング処理を施すことを要旨とする。

【００２５】また、この発明の他のエッチング処理を施
す電解コンデンサ電極用アルミニウムエッチド箔の製造
方法は、請求項１〜４のいずれかに記載された電解コン
デンサ電極用アルミニウム箔に対し、酸性処理液または
アルカリ性処理液による前処理を行った後、エッチング
処理を施すことを要旨とする。

【００２６】この発明の電解コンデンサ電極用アルミニ
ウム箔において、箔基材表面に形成されている水和酸化
皮膜は皮膜抵抗即ち電気化学的なバリヤー性が低い。そ
のため、その後のエッチング処理において、皮膜欠陥や
結晶性微粒子を起点として箔の厚さ方向に腐食を進行さ
せ、多数の深いエッチピットを早期かつ均一に生成させ
て、拡面率を増大させる効果がある。また、水和酸化皮
膜の重量は０．０２〜０．１ｇ／ｍ²未満であり、従前
の、例えば特願平８−３０６５９２号公報に記載された
水和酸化皮膜量よりも少なく、換言すれば薄いために、
エッチング特性が阻害されることもない。

【００２７】前記水和酸化皮膜の重量は、０．０２ｇ／
ｍ²未満では皮膜抵抗を十分に下げるに至らず、多数の
エッチピットの早期かつ均一な生成が困難である。一
方、０．１ｇ／ｍ²以上になると、皮膜抵抗が低くなり
すぎて全面溶解が起こり、エッチピット数が増えず拡面
率を増大させることができない。好ましい水和酸化皮膜
の重量は０．０４〜０．０８ｇ／ｍ²である。

【００２８】前記アルミニウム箔基材は、その組成を限
定するものではなく、電解コンデンサ電極材料として使
用されているものを適宜使用することができる。具体的
には、不純物量を規制して過溶解によるエッチング特性
の低下を防ぐために、Ａｌ純度を９９．９wt％以上であ
ることが好ましい。また、エッチング特性や箔強度を向
上させるために、種々の微量元素が添加されている箔基
材も好適に用いることができる。

【００２９】また、前記アルミニウム箔基材は、表面層
の結晶組織において（１００）面積率が９０％以上であ
ることが好ましい。（１００）面積率の小さい箔では、
エッチング時に箔表面の溶解量が増し、エッチピットの
長さが短くなって部分的な静電容量の低下をもたらすか
らである。さらに、箔強度を維持できることでも拡面率
の増大が可能となり、高静電容量化が可能となる。好ま
しい（１００）面積率は９５％以上であり、顕著な効果
が得られる。

【００３０】上述したエッチング特性に優れた電解コン
デンサ電極用アルミニウム箔は、この発明の方法によっ
て好適に製造される。

【００３１】アルミニウム箔基材における（１００）面
積率は、例えば箔基材の製造工程において最終焼鈍条件
を制御することによって９０％以上とすることができ
る。焼鈍は、箔基材をコイルに巻き取った状態で行うバ
ッチ焼鈍、コイルを巻き戻しながら加熱する連続焼鈍の
いずれでも良い。

【００３２】バッチ焼鈍の焼鈍条件として、箔基材を、
非酸化雰囲気中において、その実体温度を４５０〜６０
０℃に１０分〜５０時間保持する処理を推奨できる。こ
のような高温で焼鈍することにより、（１００）面積率
を高める他、Ａｌ₂Ｏ₃の結晶化を促進するとともに、箔
基材にＰｂ等の微量元素が添加されている場合にはこれ
を表面層に濃化させ、エッチング特性を向上させる効果
がある。非酸化雰囲気は、アルゴン、窒素、水素等の不
活性ガス中、または１０^-4ＭＰａ以下の真空中を推奨で
きる。箔基材の実体温度が４５０℃未満または保持時間
が１０分未満の焼鈍では、９０％以上の（１００）面積
率が達成されず、一方６００℃または５０時間を超えて
焼鈍しても（１００）面積率がそれ以上増加しないた
め、エネルギーの無駄となる。好ましい焼鈍条件は、５
４０〜５８０℃で１〜３０時間の保持である。また、昇
温速度や昇温パターンは何ら限定されず、一定速度で昇
温させても良く、昇温、一定温度保持を繰り返しながら
ステップ昇温させても良い。

【００３３】連続焼鈍の場合も、温度や保持時間は上述
のバッチ焼鈍に準ずる。

【００３４】（１００）面積率は水和処理に供する箔基
材において達成されていれば良く、最終焼鈍時に形成す
ることを要しない。箔基材製造工程において、中間焼鈍
と圧延条件との組合せによっても９０％以上の（１０
０）面積率を達成することができる。ただし、後述の水
和処理後に高温加熱処理を施すと規定重量を超えた水和
酸化皮膜が形成されるおそれがあるため、最終焼鈍時に
（１００）面積率の調整を行うことが最も望ましい。

【００３５】箔基材のその他の製造工程は何ら限定され
ず、常法に従って、所要組成のアルミニウムスラブの鋳
造、面削、均熱処理、熱間圧延前加熱、熱間圧延、冷間
圧延、中間焼鈍、低圧下圧延、最終焼鈍を順次行う。ま
た、これらの各工程において、表面の不純物や油分を除
去や洗浄は任意に適宜行う。

【００３６】水和処理は、規定重量の水和酸化皮膜を形
成するために、処理液温度と処理時間を規定する。処理
時間は処理液温度が高いほど短時間で良く、５５〜７５
℃未満では５〜３００秒、または７５〜１００℃では２
〜３０秒未満である。５５℃以下、または２秒以下では
皮膜抵抗を十分に下げることができず、一方３００秒を
超えると皮膜抵抗の変化が小さくなるため、上述の範囲
に規定する。処理液は水または水溶液であるから、温度
の上限値は実質的に１００℃となる。水和処理条件はこ
れらの範囲で、処理液の種類、水溶液の濃度に応じて適
宜設定する。水の場合は反応が穏やかであるから好適範
囲も広く、比較的長い時間をかけて処理することが好ま
しい。また、例えば０．１％トリエタノールアミン水溶
液の場合は水よりも短時間で済み、７２℃で１０秒前後
が好ましい。水和処理条件の好ましい範囲は、６０〜７
５℃で１０〜１００秒である。

【００３７】前記水和処理は、所定温度の処理液を箔基
材表面に接触させれば良く、浸漬またはスプレー塗布を
例示できる。

【００３８】この発明の電解コンデンサ電極用アルミニ
ウム箔において、上述の処理によって箔基材表面に形成
される水和酸化皮膜は、表面に僅かな凹凸を有する皮膜
であり、処理液との接触時間の経過にともなって若干粒
状の皮膜となるが、通常のベーマイト処理膜のように針
状の結晶組織にはならない。しかし、上述したように皮
膜抵抗が小さくエッチング特性に優れているため、短時
間で深いエッチピットが多数かつ均一に形成され高い拡
面率を達成できる。

【００３９】前記処理液は、箔基材表面に水和酸化皮膜
を形成できればその種類は問わない。例えば、導電度が
２μＳ／ｃｍ以下の水、トリエタノールアミン溶液、ジ
エタノールアミン溶液、モノエタノールアミン溶液、ア
ンモニア溶液を例示できる。上述の導電度が２μＳ／ｃ
ｍ以下の水としては、イオン交換水、蒸留水、各種フィ
ルタでろ過したろ過水等の溶解電解質量を規定した水を
例示できる。

【００４０】また、エッチング処理は湿式処理であるか
ら、水和処理後乾燥させることなく続いてエッチング処
理に供することができる。乾燥させる場合は、水和酸化
皮膜の重量を上述の範囲から逸脱させないように行う。
例えば、水和酸化皮膜を厚く成長させないように数１０
℃の低温で乾燥させることが好ましい。乾燥によりエッ
チング処理を連続して行う必要がなくなり、エッチング
前の状態で保管して別工程でエッチングする等、工程管
理の任意性が得られる。

【００４１】この発明の電解コンデンサ電極用アルミニ
ウム箔は、皮膜抵抗が小さくエッチング特性に優れてい
るため、酸性処理液またはアルカリ性処理液などによる
前処理を行わずとも、エッチングによって高い拡面率の
エッチド箔を製造することができる。無論、エッチング
前に前処理を行っても良く、さらに拡面率を増大させて
静電容量の向上を図ることができる。前処理条件、エッ
チング処理条件は限定されず、常法に従う。

【００４２】

【実施例】箔基体の製造に際しては、まず、小型ブック
モールドにて、Ａｌ純度９９．９９％の高純度アルミニ
ウム鋳塊を作製した。そして、これらの鋳塊に対し、常
法により面削、熱間圧延、冷間圧延、中間焼鈍等を経て
箔に圧延し、厚さ１１０μｍのアルミニウム箔基材を作
製した。前記箔基材に対し、脱脂洗浄後、Ａｒガス雰囲
気の焼鈍炉内で、実体温度を室温から５４０℃まで５０
℃／ｈで昇温させた後５４０℃で２４時間保持し、炉内
で自然冷却させてから炉出した。このようにして作製し
た箔基材の（１００）面積率は９５％であった。

【００４３】前記箔基材を共通に用い、下記の水和処理
を施して水和酸化皮膜を生成させて、電解コンデンサ電
極用アルミニウム箔を作製した。 〔実施例１〕箔基材を７２℃のイオン交換水（導電度１
μＳ／ｃｍ）中に９０秒間浸漬したのち、処理液から引
き上げて５０℃で５分間乾燥させた。 〔実施例２〕処理水への浸漬時間を５０秒としたことを
除き、実施例１と同じ処理を行った。 〔実施例３〕箔基材を７２℃のトリエタノールアミン
０．１％水溶液（イオン交換水使用）に１０秒間浸漬し
たのち、処理液から引き上げて５０℃で５分間乾燥させ
た。 〔比較例１〕箔基材に対し、何ら水和処理を施さなかっ
た。 〔比較例２〕箔基材を７２℃の水道水（導電度１２５μ
Ｓ／ｃｍ）中に１２０秒間浸漬したのち、処理液から引
き上げて５０℃で５分間乾燥させた。

【００４４】各アルミニウム箔について、リン酸および
クロム酸の混酸で煮沸して水和酸化皮膜を溶解させ、溶
解前後の重量差により水和酸化皮膜重量を測定した。測
定した重量を表１に示す。

【００４５】一方、各アルミニウム箔に対し、次の条件
で前処理を行い、あるいは前処理を行わずにエッチング
処理を施した。

【００４６】前処理（酸処理）：液組成０．０１％Ｎａ
ＯＨ、液温４０℃、浸漬時間５０秒 エッチング処理：５wt％塩酸＋１０wt％硫酸の混合浴中
で、０．２Ａ／ｃｍ²で１００秒間直流電解で電解エッ
チング、その後、同液中で１０分間ケミカルエッチング 次いで、これらのエッチド箔に対し、ＥＩＡＪ規格に従
い２７０Ｖで化成処理を行った後静電容量を測定した。
静電容量を、比較例１の前処理を行わなかったものの静
電容量を１００％とした相対値で表１に示す。

【００４７】

【表１】

【００４８】表１の結果より、各実施例の電解コンデン
サ電極用アルミニウム箔は、優れたエッチング特性を有
し、エッチングの前処理を行わずとも、拡面率の増大に
より高静電容量が得られることを確認した。また、前処
理を行うことによってさらなる静電容量の増大を図るこ
とができた。

【００４９】

【発明の効果】以上説明したように、この発明のエッチ
ング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム箔
は、アルミニウム箔基材の表面に、一水和酸化アルミニ
ウム（Ａｌ₂Ｏ₃・Ｈ₂Ｏ）または三水和酸化アルミニウ
ム（Ａｌ₂Ｏ₃・３Ｈ₂Ｏ）、あるいはこれらの混合物を
主体とする水和酸化皮膜が、０．０２〜０．１ｇ／ｍ²
未満の重量で形成されているから、皮膜抵抗が小さい。
そのため、エッチング処理において、多数の深いエッチ
ピットを早期かつ均一に生成させて、拡面率を増大させ
ることができ、ひいては静電容量を増大させることがで
きる。

【００５０】また、前記アルミニウム箔基材がＡｌ純度
が９９．９％以上である場合は、過溶解によるエッチン
グ特性の低下が抑制される。

【００５１】また、前記アルミニウム箔基材が表面層に
おける（１００）面積率が９０％以上である場合は、エ
ッチング時の溶解を適正化して特に高い拡面率が達成さ
れるとともに、高い箔強度が得られる。

【００５２】さらに、前記水和酸化皮膜の重量が０．０
４〜０．０８ｇ／ｍ²である場合は、上述したエッチン
グ特性が顕著に優れている。

【００５３】この発明の電解コンデンサ電極用アルミニ
ウム箔の製造方法は、アルミニウム箔基材に対し、５５
〜７５℃未満の処理液に５〜３００秒、または７５〜１
００℃の処理液に２〜３０秒未満接触させる水和処理を
行うことにより、アルミニウム箔基材表面に、重量が
０．０２〜０．１ｇ／ｍ²未満の一水和酸化アルミニウ
ム（Ａｌ₂Ｏ₃・Ｈ₂Ｏ）または三水和酸化アルミニウム
（Ａｌ₂Ｏ₃・３Ｈ₂Ｏ）、あるいはこれらの混合物を主
体とする水和酸化皮膜を形成するものであり、上述した
エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニ
ウム箔を製造することができる。

【００５４】また、前記水和処理前に、アルミニウム箔
基材を焼鈍することにより表面層における（１００）面
積率を９０％以上とすることにより、エッチング時の溶
解が適正化されて特に高い拡面率が得られるとともに、
高い箔強度も得られる。

【００５５】また、前記焼鈍を、非酸化雰囲気中におい
て、アルミニウム箔基材の実体温度を４５０〜６００℃
に１０分〜５０時間保持することにより行えば、確実に
９０％以上の（１００）面積率が得られる。さらに実体
温度を５４０〜５８０℃に１〜３０時間保持することに
より行えば、（１００）面積率はさらに向上する。

【００５６】前記アルミニウム箔基材がＡｌ純度が９
９．９％以上である場合は、過溶解によるエッチング特
性の低下が抑制される。

【００５７】前記処理液が、導電度が２μＳ／ｃｍ以下
の水、トリエタノールアミン溶液、ジエタノールアミン
溶液、モノエタノールアミン溶液、アンモニア溶液のう
ちのいずれかである場合は、規定重量の水和酸化皮膜を
容易に形成できる。

【００５８】また、前記水和処理は、処理液中にアルミ
ニウム箔基材を浸漬することにより行っても、処理液を
アルミニウム箔基材にスプレーすることにより行っても
良く、いずれの場合も規定重量の水和酸化皮膜を形成で
きる。

【００５９】また、前記水和処理を行った後にアルミニ
ウム箔を乾燥させる場合は、エッチング処理を連続して
行う必要がなくなり、エッチング前の状態で保管して別
工程でエッチングする等、工程管理の任意性が得られ
る。

【００６０】この発明の電解コンデンサ電極用アルミニ
ウムエッチド箔の製造方法は、上述の電解コンデンサ電
極用アルミニウム箔に対しエッチング処理を施すもので
あり、箔のエッチング特性が優れているため、前処理を
行うことなくエッチング処理を施しても高い拡面率が得
られる。

【００６１】また、酸性処理液またはアルカリ性処理液
による前処理を行った場合は、さらに高い拡面率が得ら
れる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西森 秀樹 大阪府堺市海山町６丁224番地 昭和電工 株式会社堺事業所内 (72)発明者 加藤 豊 大阪府堺市海山町６丁224番地 昭和電工 株式会社堺事業所内 Ｆターム(参考） 4K026 AA09 AA21 BA08 BB10 CA15 CA36 CA37 DA02 DA03 DA11 EA17

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アルミニウム箔基材の表面に、一水和酸
   化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃・Ｈ₂Ｏ）または三水和酸化
   アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃・３Ｈ₂Ｏ）、あるいはこれら
   の混合物を主体とする水和酸化皮膜が、０．０２〜０．
   １ｇ／ｍ²未満の重量で形成されていることを特徴とす
   るエッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミ
   ニウム箔。
2. 【請求項２】 前記アルミニウム箔基材は、Ａｌ純度が
   ９９．９％以上である請求項１に記載のエッチング特性
   に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム箔。
3. 【請求項３】 前記アルミニウム箔基材は、表面層にお
   ける（１００）面積率が９０％以上である請求項１また
   は２に記載のエッチング特性に優れた電解コンデンサ電
   極用アルミニウム箔。
4. 【請求項４】 前記水和酸化皮膜の重量は、０．０４〜
   ０．０８ｇ／ｍ²である請求項１〜３のいずれかに記載
   のエッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミ
   ニウム箔。
5. 【請求項５】 アルミニウム箔基材に対し、５５〜７５
   ℃未満の処理液に５〜３００秒、または７５〜１００℃
   の処理液に２〜３０秒未満接触させる水和処理を行うこ
   とにより、アルミニウム箔基材表面に、重量が０．０２
   〜０．１ｇ／ｍ²未満の一水和酸化アルミニウム（Ａｌ₂
   Ｏ₃・Ｈ₂Ｏ）または三水和酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃
   ・３Ｈ₂Ｏ）、あるいはこれらの混合物を主体とする水
   和酸化皮膜を形成することを特徴とするエッチング特性
   に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方
   法。
6. 【請求項６】 前記水和処理前に、アルミニウム箔基材
   を焼鈍することにより表面層における（１００）面積率
   を９０％以上とする請求項５に記載のエッチング特性に
   優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方
   法。
7. 【請求項７】 前記焼鈍は、非酸化雰囲気中において、
   アルミニウム箔基材の実体温度を４５０〜６００℃に１
   ０分〜５０時間保持することにより行う請求項６に記載
   のエッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミ
   ニウム箔の製造方法。
8. 【請求項８】 前記焼鈍は、アルミニウム箔基材を実体
   温度を５４０〜５８０℃に１〜３０時間保持することに
   より行う請求項７に記載のエッチング特性に優れた電解
   コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法。
9. 【請求項９】 前記アルミニウム箔基材は、Ａｌ純度が
   ９９．９％以上である請求項５に〜８のいずれかに記載
   のエッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミ
   ニウム箔の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記処理液は、導電度が２μＳ／ｃｍ
    以下の水、トリエタノールアミン溶液、ジエタノールア
    ミン溶液、モノエタノールアミン溶液、アンモニア溶液
    のうちのいずれかである請求項５〜９のいずれかに記載
    のエッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミ
    ニウム箔の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記水和処理は、処理液中にアルミニ
    ウム箔基材を浸漬することにより行う請求項５〜１０の
    いずれかに記載のエッチング特性に優れた電解コンデン
    サ電極用アルミニウム箔の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記水和処理は、処理液をアルミニウ
    ム箔基材にスプレーすることにより行う請求項５〜１０
    のいずれかに記載のエッチング特性に優れた電解コンデ
    ンサ電極用アルミニウム箔の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記水和処理を行った後、アルミニウ
    ム箔を乾燥させる請求項５〜１１のいずれかに記載のエ
    ッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウ
    ム箔の製造方法。
14. 【請求項１４】 請求項１〜４のいずれかに記載された
    電解コンデンサ電極用アルミニウム箔に対し、前処理を
    行うことなくエッチング処理を施すことを特徴とする電
    解コンデンサ電極用アルミニウムエッチド箔の製造方
    法。
15. 【請求項１５】 請求項１〜４のいずれかに記載された
    電解コンデンサ電極用アルミニウム箔に対し、酸性処理
    液またはアルカリ性処理液による前処理を行った後、エ
    ッチング処理を施すことを特徴とする電解コンデンサ電
    極用アルミニウムエッチド箔の製造方法。