JP4539912B2 - 電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔およびその製造方法 - Google Patents
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Description
さらに、電解エッチング処理における拡面効果を最大限に得るためには、最表面の全面溶解などの無効溶解を抑制しながら、形成されるエッチングピットの数(密度)および形態(径・長さ)を適正にする必要がある。
したがってアルミニウム原箔としては、表層の全面溶解が起きにくく、内部でのエッチングピット径拡大およびピット長伸長が促進される材料が好ましいといえる。
例えば、特許文献1では、Si、Fe、Cu、REM等を微量含有することで、ピット密度を増加させて粗面化率を向上させる提案がなされている。
Si:5ppm以上100ppm以下
Siは、Al−Fe−Siまたは単体Siとして存在し、表面においてはピットの発生基点として寄与し、内部においてはピットの径拡大・伸長に寄与して粗面化率を向上させる。ただし、下限未満では上記作用が十分に得られず、一方、上限を超えると過溶解、ピットの合体が生じて却って粗面化率を低下させる。なお、同様の理由で下限を10ppm、
上限を60ppmとするのが望ましい。
Feは、Al−FeまたはAl−Fe−Si化合物として存在し、表面においてはピットの発生基点として寄与し、内部においてはピットの径拡大・伸長に寄与する。ただし、下限未満では上記作用が十分に得られず、一方、上限を超えると過溶解、ピットの合体が生じて却って粗面化率を低下させる。なお、同様の理由で下限を10ppm、上限を50ppmとするのが望ましい。
Cuは、アノード皮膜の形成とその上へのカソード皮膜の形成を促進して粗面化率を向上させる。ただし、下限未満ではアノード皮膜およびカソード皮膜が十分形成されず、拡面にほとんど寄与しない全面溶解が進む。一方、上限を超えると、アノード皮膜およびカソード皮膜が厚くなりすぎるので、皮膜欠陥が形成されにくくなり、ピットの形成が阻害される。なお、同様の理由で下限を20ppm、上限を70ppmとするのが望ましい。
Pbは、最表層近傍に濃縮し、エッチング初期のピット形成を促進する。ただし、下限未満では、上記作用が十分に得られず、一方、上限を超えると、ピットが過密に生成されて合体し、無効溶解となる。なお、同様の理由で下限を0.2ppm、上限を2ppmとするのが望ましい。
希土類元素は、表面に近い層に存在することによりエッチング前に行われる化学的な前処理において均一性を高め、よって電解エッチングにおけるピット生成の均一性向上に寄与して粗面化率を向上させる。ただし、希土類元素の含有量が下限未満であると、上記作用が十分に得られず、一方、上限を超えると過溶解を招く。なお、同様の理由で下限を3ppm、上限を30ppmとするのが望ましい。
表面からのPb濃縮ピーク深さ(P1)が希土類元素濃縮ピーク深さ(P2)よりも大きいことにより、希土類元素が表面側により近い位置で濃縮しており、上記希土類元素による作用を顕著なものにする。通常、Pbは、酸化皮膜と箔本体との界面付近に濃縮して濃度ピークを有しており、該Pbのピーク深さよりも浅い位置に希土類元素が濃縮することで、多くの希土類元素が酸化皮膜中に存在してエッチング前処理で均一性に対し良好な作用を果たす。したがって、上記ピーク深さを比較する対象となるアルミニウム箔は、最終焼鈍後であって、エッチング前処理が行われる前のものである。そして上記ピーク深さP1、P2は、通常は表面から0.5μm未満の深さに位置している。
なお、希土類元素濃縮ピーク深さP2がPb濃縮ピーク深さP1以下であると、エッチング前処理における上記作用が得られない。
Pb:5〜50
希土類元素:5〜30
前記濃縮ピークにおけるイオン強度(ピーク強度値)と、表面から深さ0.5μm以上の内部における平均イオン強度(内部強度値)との比が上記した適切な範囲にあることで、Pbと希土類元素とによるそれぞれの前記作用が十分に得られる。上記比がそれぞれ下限未満であると、上記作用が十分に得られない。一方、上記比が上限を超えると、無効溶解、過溶解を招く。なお、同様の理由でそれぞれの比の下限が10、上限が25であるのが望ましい。
冷間圧延時の中間焼鈍後(複数回の中間焼鈍では最後の中間焼鈍後)における最終冷間圧延率を適正に行うことで歪み導入を多くして上記希土類元素の拡散を促して表層への濃縮を促進する。ただし、最終冷間圧延率が下限未満であると、上記作用が十分に得られず、また、上限を超えると後処理の最終焼鈍での立方体方位占有率が低下する。
最終焼鈍によって、アルミニウム箔内部での希土類元素の拡散を促進して表層への濃縮を促す。また、最終焼鈍では、立方晶を十分に成長させて粗面化率の向上に寄与する立方体方位占有率を高める。なお、最終焼鈍での温度、時間が下限未満であると、上記元素の拡散作用が十分に得られず、P1>P2となる構成を得ることが難しい。また、最終焼鈍の温度、時間が上限を超えると、コイルの密着を招き、生産性が低下する。
上記した濃縮深さと、イオン強度比の条件は、最終冷間圧延率と最終焼鈍の条件を上記に定めることが好ましく、また、これらの条件を適切にバランスさせることで濃縮深さと、イオン強度比の条件が確実に達成される。
好適には純度99.9%以上で、本発明の成分となるように調製されたアルミニウム材は、常法により得ることができ、本発明としては特にその製造方法が限定されるものではない。例えば、半連続鋳造によって得たスラブを熱間圧延したものを用いることができる。その他に連続鋳造により得られるアルミニウム材を対象とするものであってもよい。なお、REMの含有に際してはミッシュメタルを用いることもできる。上記熱間圧延または連続鋳造圧延によって例えば数mm厚程度のシート材とする。このシート材に対し冷間圧延を行い、数十μmから100μm程度のアルミニウム合金箔を得る。なお、冷間圧延の途中で1回以上の中間焼鈍を行う。本発明としては、該中間焼鈍の条件が特に限定されるものではないが、例えば、200〜270℃、1〜6時間のバッチ炉での処理や、250〜300℃、30秒〜10分の連続炉での処理を示すことができる。
最終冷間圧延後には、530〜600℃×4〜10時間に加熱する最終焼鈍熱処理を行う。
上記イオン強度比は、SIMS(二次イオン質量分析)やGD−MS(グロー放電質量分析)による分析によって得られる。該イオン強度をアルミニウム箔の表面(酸化皮膜を含む)からの距離で示したものが図1である。本発明のアルミニウム箔では、Pb濃縮ピーク深さ(P1)が希土類元素濃縮ピーク深さ(P2)よりも大きくなっており、希土類元素がより表層側に近い位置で濃縮している。なお、それぞれのピーク値は、代表値として対内部イオン強度比Pb:25程度、REM:20程度が例示される。
なお、通常、エッチング処理前には、表面の清浄化などを目的としてアルカリや酸などを用いた化学的な前処理がなされる。この前処理において、アルミニウム箔の表層側に濃縮した希土類元素は、前処理液による化学的な作用を均一化し、アルミニウム箔の表面性状を一様にする作用を果たす。本発明としては、エッチング前処理における処理内容が特定のものに限定されるものではないが、薬液を用いた化学的な前処理が想定されている。
エッチング処理においては、表面性状が一様化されたアルミニウム箔を対象にすることで、箔にピットが高密度で均一に形成され、高い粗面化率が得られるとともに、無効溶解が抑制される。この箔を常法により電解コンデンサに電極として組み込むことにより静電容量の高いコンデンサが得られる。
表1に示す組成を有するアルミニウム材料を溶製し、熱間圧延、冷間圧延を経てアルミニウム箔を製造した。なお、冷間圧延の途中では、250℃×4時間の中間焼鈍を行い、中間焼鈍後の最終冷間圧延率を変えて同一厚さの最終厚(110μm厚)とした。
これらのアルミニウム箔に表2に示す条件で最終焼鈍を施した。この最終焼鈍を終えた各供試材について、SIMSによる深さ方向元素濃度分析法によって希土類元素の深さ方向での濃度(イオン強度)分布とPbの深さ方向での濃度(イオン強度)分布を測定した。表面から0.5μm未満の深さで現れる希土類濃縮ピーク深さをP1、Pb濃縮ピーク深さをP2として両者の大小関係を表2に示した。また、上記ピークにおけるイオン強度と、表面から0.5μm以上の深さにおける平均イオン強度との比を求め、同じく表2に示した。
エッチング液中無電解浸漬60secの条件でエッチング前処理を行い、その後、以下の条件でエッチングを行いアルミニウム箔を粗面化した。
75℃HCl 1M、H2SO4 3M溶液中で200mA/cm2の直流電流を120秒印加後、80℃HCl 2M溶液中で50mA/cm2の直流電流を600秒印加した。
上記エッチング箔を1×5cmのサイズに切り出し、80℃ホウ酸80g/l溶液にて300Vの化成を行い、150g/lアジピン酸溶液中にて容量を測定した。
上記で測定した静電容量は、比較例21(従来技術による標準箔)を基準にして百分率で相対評価した。これらの評価結果を表2に示した。
これに対し、本発明の成分範囲を外れた比較例では良好な静電容量が得られなかった。
また、比較例のうち、比較法で製造したものは、析出物に関する本発明の要件を満たすことができず、いずれも静電容量は本発明に比べて劣っていた。
Claims (3)
- 質量比で、
Si:5ppm以上100ppm以下、
Fe:5ppm以上100ppm以下、
Cu:10ppm以上100ppm以下、
Pb:0.1ppm以上5ppm以下、
希土類元素:1ppm以上50ppm以下
を含有し、残部がAlと不可避不純物とからなり、表面からのPb濃縮ピーク深さ(P1)と、希土類元素濃縮ピーク深さ(P2)の関係がP1>P2であることを特徴とする電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔。 - 前記濃縮ピークにおけるイオン強度と、表面から深さ0.5μm以上の内部における平均イオン強度の比(ピーク強度値/内部強度値)が、それぞれ、
Pb:5〜50、
希土類元素:5〜30
であることを特徴とする請求項1記載の電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔。 - 質量比で、
Si:5ppm以上100ppm以下、
Fe:5ppm以上100ppm以下、
Cu:10ppm以上100ppm以下、
Pb:0.1ppm以上5ppm以下、
希土類元素:1ppm以上50ppm以下
を含有し、残部がAlと不可避不純物とからなる組成の電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔を製造する方法であって、冷間圧延時の最終冷間圧延率が15%以上25%以下であり、かつ、かつ最終焼鈍として、530℃〜600℃で4〜10時間保持することを特徴とする電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔の製造方法。
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