JP3244131B2 - 電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔及びその製造方法 - Google Patents
電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔及びその製造方法Info
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- JP3244131B2 JP3244131B2 JP08641592A JP8641592A JP3244131B2 JP 3244131 B2 JP3244131 B2 JP 3244131B2 JP 08641592 A JP08641592 A JP 08641592A JP 8641592 A JP8641592 A JP 8641592A JP 3244131 B2 JP3244131 B2 JP 3244131B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主として電解コンデン
サ用陰極箔を製造する際に用いる、電解コンデンサ電極
用アルミニウム合金箔及びその製造方法に関するもので
ある。
サ用陰極箔を製造する際に用いる、電解コンデンサ電極
用アルミニウム合金箔及びその製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】電解コンデンサ電極用アルミニウム合金
箔としては、Al純度99.5％以上のアルミニウムにCu、M
n、Ni等を添加したアルミニウム合金箔が使用されてい
る。そして、このアルミニウム合金箔に、エッチング処
理を施して、その表面に微細な凹部を形成させた箔が、
電解コンデンサ用陰極箔として使用されている。表面に
微細な凹部を形成させるのは、その表面積を拡大させ、
静電容量を増大させるためである。
箔としては、Al純度99.5％以上のアルミニウムにCu、M
n、Ni等を添加したアルミニウム合金箔が使用されてい
る。そして、このアルミニウム合金箔に、エッチング処
理を施して、その表面に微細な凹部を形成させた箔が、
電解コンデンサ用陰極箔として使用されている。表面に
微細な凹部を形成させるのは、その表面積を拡大させ、
静電容量を増大させるためである。
【０００３】従来より、電解コンデンサ電極用アルミニ
ウム合金箔の表面積の拡大の増大を図り、高静電容量の
陰極箔を得るために種々の試みがなされている。例え
ば、エッチング処理時において溶解しやすいSiやFeの析
出量を制御したり、Si単体析出物の大きさを制御した
り、或いはSi単体析出物の数を制御したりすることが提
案されている（特開平2-200749号公報、特開平3-94039
号公報）。
ウム合金箔の表面積の拡大の増大を図り、高静電容量の
陰極箔を得るために種々の試みがなされている。例え
ば、エッチング処理時において溶解しやすいSiやFeの析
出量を制御したり、Si単体析出物の大きさを制御した
り、或いはSi単体析出物の数を制御したりすることが提
案されている（特開平2-200749号公報、特開平3-94039
号公報）。
【０００４】しかしながら、近年、更に高静電容量の陰
極箔を得るために、エッチング処理が非常に苛酷な条件
で行なわれており、前記した方法では電解コンデンサ電
極用アルミニウム合金箔の表面積の拡大の増大が十分で
なく、結局高静電容量の陰極箔が得られにくいという欠
点があった。この理由は、前記の方法であっても、比較
的多量のSi単体析出物が存在し、このSi単体析出物によ
るエッチングピットの発生が過剰になり、その結果、電
位の高いSiの影響でマトリックスであるAlの溶解も過剰
になって、微細な凹部が多数形成されずに、十分な表面
積の拡大が図れないからであると考えられる。
極箔を得るために、エッチング処理が非常に苛酷な条件
で行なわれており、前記した方法では電解コンデンサ電
極用アルミニウム合金箔の表面積の拡大の増大が十分で
なく、結局高静電容量の陰極箔が得られにくいという欠
点があった。この理由は、前記の方法であっても、比較
的多量のSi単体析出物が存在し、このSi単体析出物によ
るエッチングピットの発生が過剰になり、その結果、電
位の高いSiの影響でマトリックスであるAlの溶解も過剰
になって、微細な凹部が多数形成されずに、十分な表面
積の拡大が図れないからであると考えられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明者が種
々研究を重ねた結果、原料であるアルミニウム鋳塊中
に、一定量のMgを添加することによって、従来と同様の
方法で電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔を製造
しても、Si単体析出物の発生を適度に抑制できることを
見出し、本発明に到達したのである。
々研究を重ねた結果、原料であるアルミニウム鋳塊中
に、一定量のMgを添加することによって、従来と同様の
方法で電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔を製造
しても、Si単体析出物の発生を適度に抑制できることを
見出し、本発明に到達したのである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、Ａｌ純
度が９９．５％以上であって、Ｓｉ０．００１〜０．２
％及びＦｅ０．００１〜０．２％を含有すると共に、Ｍ
ｇ０．００１〜０．０１％、所望によりＺｎ０．００１
〜０．０５％、Ｃｕ０．００１〜０．０１％、Ｔｉ≦
０．００１％、Ｎｉ≦０．００２％、及びその他不可避
不純物を含有し、且つＳｉ／Ｍｇの重量比が１．５以上
３．０以下であるアルミニウム鋳塊に、均質化処理、熱
間圧延、冷間圧延、及び最終焼鈍の順で処理を施すこと
によって得られた電解コンデンサ電極用アルミニウム合
金箔に関するものである。
度が９９．５％以上であって、Ｓｉ０．００１〜０．２
％及びＦｅ０．００１〜０．２％を含有すると共に、Ｍ
ｇ０．００１〜０．０１％、所望によりＺｎ０．００１
〜０．０５％、Ｃｕ０．００１〜０．０１％、Ｔｉ≦
０．００１％、Ｎｉ≦０．００２％、及びその他不可避
不純物を含有し、且つＳｉ／Ｍｇの重量比が１．５以上
３．０以下であるアルミニウム鋳塊に、均質化処理、熱
間圧延、冷間圧延、及び最終焼鈍の順で処理を施すこと
によって得られた電解コンデンサ電極用アルミニウム合
金箔に関するものである。
【０００７】本発明においては、Ａｌ純度が９９．５％
（重量％のことである。以下同じ）以上であるアルミニ
ウム鋳塊を準備する。Ａｌ純度が９９．５％未満である
と、得られたアルミニウム合金箔をエッチングしても、
微細なエッチングピットが生じにくく、十分な表面積の
拡大を図れないため、好ましくない。そして、このアル
ミニウム鋳塊中には、Ｓｉ及びＦｅが含有されている。
Ｓｉ及びＦｅの含有量は、従来、電解コンデンサ電極用
アルミニウム合金箔を製造する際に使用されている量で
あれば、特に問題はない。即ち、Ｓｉは０．００１〜
０．２％、Ｆｅも０．００１〜０．２％である。
（重量％のことである。以下同じ）以上であるアルミニ
ウム鋳塊を準備する。Ａｌ純度が９９．５％未満である
と、得られたアルミニウム合金箔をエッチングしても、
微細なエッチングピットが生じにくく、十分な表面積の
拡大を図れないため、好ましくない。そして、このアル
ミニウム鋳塊中には、Ｓｉ及びＦｅが含有されている。
Ｓｉ及びＦｅの含有量は、従来、電解コンデンサ電極用
アルミニウム合金箔を製造する際に使用されている量で
あれば、特に問題はない。即ち、Ｓｉは０．００１〜
０．２％、Ｆｅも０．００１〜０．２％である。
【０００８】本発明において重要なことは、このアルミ
ニウム鋳塊中に、Mgが0.001〜0.10％含有されているこ
とである。Mgが0.001％未満しか含有されていないと、
電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔を製造する
際、Si単体析出物の析出量が多く、従来と同様にマトリ
ックスであるAlの過溶解が生じて、表面積の十分な拡大
が図れないため、好ましくない。逆に、Mgの量が0.10％
を超えると、得られた電解コンデンサ電極用アルミニウ
ム合金箔表面の酸化皮膜中に、Mgが過剰に濃縮し、エッ
チング時の反応が過剰になって、過溶解が生じ、表面積
の十分な拡大が図れないので、好ましくない。従って、
Mgの量が0.001〜0.10％の範囲で、アルミニウム鋳塊中
に含有されていると、得られた電解コンデンサ電極用ア
ルミニウム箔中におけるSi単体析出物の量を抑制でき、
Alの過溶解を防止でき、エッチング時に表面積の十分な
拡大が図れるのである。なお、Mgの添加は、Siの析出は
抑制しうるものの、Feの析出は抑制しうるものではな
く、むしろ増加させるものである。従って、Siの析出が
抑制されることによる、エッチング時におけるピット数
の減少は、Feの析出箇所の増加によって補填することが
できる。依って、Siの析出が抑制されても、エッチング
による表面積の十分な拡大が図れるのである。
ニウム鋳塊中に、Mgが0.001〜0.10％含有されているこ
とである。Mgが0.001％未満しか含有されていないと、
電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔を製造する
際、Si単体析出物の析出量が多く、従来と同様にマトリ
ックスであるAlの過溶解が生じて、表面積の十分な拡大
が図れないため、好ましくない。逆に、Mgの量が0.10％
を超えると、得られた電解コンデンサ電極用アルミニウ
ム合金箔表面の酸化皮膜中に、Mgが過剰に濃縮し、エッ
チング時の反応が過剰になって、過溶解が生じ、表面積
の十分な拡大が図れないので、好ましくない。従って、
Mgの量が0.001〜0.10％の範囲で、アルミニウム鋳塊中
に含有されていると、得られた電解コンデンサ電極用ア
ルミニウム箔中におけるSi単体析出物の量を抑制でき、
Alの過溶解を防止でき、エッチング時に表面積の十分な
拡大が図れるのである。なお、Mgの添加は、Siの析出は
抑制しうるものの、Feの析出は抑制しうるものではな
く、むしろ増加させるものである。従って、Siの析出が
抑制されることによる、エッチング時におけるピット数
の減少は、Feの析出箇所の増加によって補填することが
できる。依って、Siの析出が抑制されても、エッチング
による表面積の十分な拡大が図れるのである。
【０００９】また、本発明においては、アルミニウム鋳
塊中に、Znが0.001〜0.05％の範囲で含有されていても
よい。Znは、得られた電解コンデンサ電極用アルミニウ
ム合金箔にエッチングを施す際に、発生したエッチング
ピットの進行を促進するからである。Znがエッチングピ
ットの進行を促進する理由は、Znがマトリックスである
Alの電位を下げるため、初期の溶解後における金属酸化
物界面での反応を助けるからであると考えられる。Znの
量が0.001％未満であると、エッチングピットの進行を
促進する効果が少ないので、好ましくない。逆に、Znの
量が0.05％を超えると、金属酸化物界面での反応が激し
く、得られる電極箔の表面が剥離する可能性が生じるの
で、好ましくない。
塊中に、Znが0.001〜0.05％の範囲で含有されていても
よい。Znは、得られた電解コンデンサ電極用アルミニウ
ム合金箔にエッチングを施す際に、発生したエッチング
ピットの進行を促進するからである。Znがエッチングピ
ットの進行を促進する理由は、Znがマトリックスである
Alの電位を下げるため、初期の溶解後における金属酸化
物界面での反応を助けるからであると考えられる。Znの
量が0.001％未満であると、エッチングピットの進行を
促進する効果が少ないので、好ましくない。逆に、Znの
量が0.05％を超えると、金属酸化物界面での反応が激し
く、得られる電極箔の表面が剥離する可能性が生じるの
で、好ましくない。
【００１０】本発明においては、アルミニウム鋳塊中に
Cuが0.001〜0.01％の範囲で含有されている。Cuは、得
られた電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔のエッ
チング性を向上させるために、含有されるものである。
Cuの量が0.001％未満では、エッチング性の向上を十分
に図ることができないので、好ましくない。逆に、Cuの
量が0.01％を超えると、得られた電極箔をコンデンサと
して組み込んで使用した場合、充放電の際に析出して短
絡する危険が生じるので、好ましくない。
Cuが0.001〜0.01％の範囲で含有されている。Cuは、得
られた電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔のエッ
チング性を向上させるために、含有されるものである。
Cuの量が0.001％未満では、エッチング性の向上を十分
に図ることができないので、好ましくない。逆に、Cuの
量が0.01％を超えると、得られた電極箔をコンデンサと
して組み込んで使用した場合、充放電の際に析出して短
絡する危険が生じるので、好ましくない。
【００１１】Tiは、アルミニウム鋳塊中に0.001％以下
含有されている。Tiは、Alに固溶しにくいため、これが
存在すると、得られた電解コンデンサ電極用アルミニウ
ム箔をエッチングする際に、過溶解になる恐れがある。
従って、0.001％を超えて、Tiが含有されていると、静
電容量の高い電極箔が得られにくくなるので、好ましく
ない。
含有されている。Tiは、Alに固溶しにくいため、これが
存在すると、得られた電解コンデンサ電極用アルミニウ
ム箔をエッチングする際に、過溶解になる恐れがある。
従って、0.001％を超えて、Tiが含有されていると、静
電容量の高い電極箔が得られにくくなるので、好ましく
ない。
【００１２】Niは、アルミニウム鋳塊中に0.002％以下
含有されている。Niは、Alに比べて、電位が高いため、
Alの溶解を促進し、得られた電解コンデンサ電極用アル
ミニウム箔をエッチングする際に、過溶解になる恐れが
ある。従って、0.002％を超えて、Niが含有されている
と、静電容量の高い電極箔が得られにくくなるので、好
ましない。
含有されている。Niは、Alに比べて、電位が高いため、
Alの溶解を促進し、得られた電解コンデンサ電極用アル
ミニウム箔をエッチングする際に、過溶解になる恐れが
ある。従って、0.002％を超えて、Niが含有されている
と、静電容量の高い電極箔が得られにくくなるので、好
ましない。
【００１３】また、本発明において使用するアルミニウ
ム鋳塊中における、Si／Mgの重量比は1.5以上3.0以下で
ある。Si／Mgの重量比が1.5未満であると、Si析出量及
びFe析出量が共に少なくなりすぎて、得られた電解コン
デンサ電極用アルミニウム合金箔にエッチングを施した
とき、エッチングピット自体の発生が絶対的に少なくな
り、溶解量が少なすぎて、表面積の十分な拡大が図れな
いため、好ましくない。逆に、Si／Mgの重量比が3.0を
超えると、Mgの量が相対的に少なくなりすぎて、従来公
知の製造方法で電解コンデンサ電極用アルミニウム合金
箔を得た際に、Si単体析出物の量を減少させることが困
難になるので、好ましくない。Si単体析出物の量が多い
と、前記したように、苛酷な条件でエッチングを行なう
と、このSi単体析出物によるエッチングピットの発生が
過剰になり、その結果、電位の高いSiの影響でマトリッ
クスであるAlの溶解も過剰になって、微細な凹部が多数
形成されずに、十分な表面積の拡大が図れないのであ
る。
ム鋳塊中における、Si／Mgの重量比は1.5以上3.0以下で
ある。Si／Mgの重量比が1.5未満であると、Si析出量及
びFe析出量が共に少なくなりすぎて、得られた電解コン
デンサ電極用アルミニウム合金箔にエッチングを施した
とき、エッチングピット自体の発生が絶対的に少なくな
り、溶解量が少なすぎて、表面積の十分な拡大が図れな
いため、好ましくない。逆に、Si／Mgの重量比が3.0を
超えると、Mgの量が相対的に少なくなりすぎて、従来公
知の製造方法で電解コンデンサ電極用アルミニウム合金
箔を得た際に、Si単体析出物の量を減少させることが困
難になるので、好ましくない。Si単体析出物の量が多い
と、前記したように、苛酷な条件でエッチングを行なう
と、このSi単体析出物によるエッチングピットの発生が
過剰になり、その結果、電位の高いSiの影響でマトリッ
クスであるAlの溶解も過剰になって、微細な凹部が多数
形成されずに、十分な表面積の拡大が図れないのであ
る。
【００１４】以上の如きアルミニウム鋳塊を使用して、
従来公知の製造方法、即ち均質化処理、熱間圧延、冷間
圧延、及び最終焼鈍の順で処理を施すことによって、本
発明に係る電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔を
製造することができる。このようにして製造した場合、
得られた電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔は、
Ａｌ純度が９９．５％以上であって、Ｓｉ０．００１〜
０．２％及びＦｅ０．００１〜０．２％を含有すると共
に、Ｍｇ０．００１〜０．０１％、所望によりＺｎ０．
００１〜０．０５％、Ｃｕ０．００１〜０．０１％、Ｔ
ｉ≦０．００１％、Ｎｉ≦０．００２％、及びその他不
可避不純物を含有し、且つＳｉ／Ｍｇの重量比が１．５
以上３．０以下となっているものである。
従来公知の製造方法、即ち均質化処理、熱間圧延、冷間
圧延、及び最終焼鈍の順で処理を施すことによって、本
発明に係る電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔を
製造することができる。このようにして製造した場合、
得られた電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔は、
Ａｌ純度が９９．５％以上であって、Ｓｉ０．００１〜
０．２％及びＦｅ０．００１〜０．２％を含有すると共
に、Ｍｇ０．００１〜０．０１％、所望によりＺｎ０．
００１〜０．０５％、Ｃｕ０．００１〜０．０１％、Ｔ
ｉ≦０．００１％、Ｎｉ≦０．００２％、及びその他不
可避不純物を含有し、且つＳｉ／Ｍｇの重量比が１．５
以上３．０以下となっているものである。
【００１５】本発明で使用するアルミニウム鋳塊を使用
し、従来公知の製造方法を種々調整して、以下の如き電
解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔を得るのが、特
に好ましい。即ち、Siの析出量を0.01％以下にするのが
好ましい。Siの析出量が0.01％を超えると、エッチング
時に過溶解を生じる恐れがある。また、Siの析出量とFe
の析出量の比を、（Feの析出量）／（Siの析出量）≧1.
5とするのが好ましい。（Feの析出量）／（Siの析出
量）＜1.5となると、Siの析出量が相対的に多くなっ
て、エッチング時における核が主としてSi析出物になる
ため、過溶解が生じる恐れがある。更に、Si単体析出物
の粒径が2μｍ以下であって、且つ該Si単体析出物の数
が1000個／mm2未満であるのが好ましい。Si単体析出物
の粒径が2μｍを超えるか、又はSi単体析出物の数が100
0個／mm2を超えると、エッチング時に過溶解を生じる恐
れがある。
し、従来公知の製造方法を種々調整して、以下の如き電
解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔を得るのが、特
に好ましい。即ち、Siの析出量を0.01％以下にするのが
好ましい。Siの析出量が0.01％を超えると、エッチング
時に過溶解を生じる恐れがある。また、Siの析出量とFe
の析出量の比を、（Feの析出量）／（Siの析出量）≧1.
5とするのが好ましい。（Feの析出量）／（Siの析出
量）＜1.5となると、Siの析出量が相対的に多くなっ
て、エッチング時における核が主としてSi析出物になる
ため、過溶解が生じる恐れがある。更に、Si単体析出物
の粒径が2μｍ以下であって、且つ該Si単体析出物の数
が1000個／mm2未満であるのが好ましい。Si単体析出物
の粒径が2μｍを超えるか、又はSi単体析出物の数が100
0個／mm2を超えると、エッチング時に過溶解を生じる恐
れがある。
【００１６】以上の如き、本発明に係る電解コンデンサ
電極用アルミニウム合金箔は、エッチング処理されて電
解コンデンサ用電極箔として、使用されるのである。な
お、以上主として電解コンデンサ陰極用アルミニウム合
金箔について説明したが、本発明に係る電解コンデンサ
電極用アルミニウム合金箔は、陽極用アルミニウム合金
箔として使用されてもよいことは言うまでもない。陽極
用アルミニウム合金箔として使用される場合には、エッ
チング処理及び化成処理を施して、電解コンデンサ用陽
極箔として使用されるのである。
電極用アルミニウム合金箔は、エッチング処理されて電
解コンデンサ用電極箔として、使用されるのである。な
お、以上主として電解コンデンサ陰極用アルミニウム合
金箔について説明したが、本発明に係る電解コンデンサ
電極用アルミニウム合金箔は、陽極用アルミニウム合金
箔として使用されてもよいことは言うまでもない。陽極
用アルミニウム合金箔として使用される場合には、エッ
チング処理及び化成処理を施して、電解コンデンサ用陽
極箔として使用されるのである。
【００１７】
【実施例】表１に示した元素組成のアルミニウム鋳塊
（厚さ400mm）を、520℃で25時間の条件で均質化処理を
施した。その後、熱間粗圧延開始温度480℃で熱間粗圧
延終了温度420℃の条件で、熱間粗圧延を行なった。次
いで、熱間仕上圧延開始温度400℃で熱間仕上圧延終了
温度230℃の条件で、熱間仕上圧延を行ない、厚さ3mmの
アルミニウム板を得た。このアルミニウム板を巻き上げ
てコイルとし、これを冷却した。その後、冷間圧延し
て、厚さ0.05mmのアルミニウム箔を得た。次いで、表２
に示すいずれかの条件で最終焼鈍を施して、電解コンデ
ンサ電極用アルミニウム合金箔を得た。なお、実施例５
のみは、アルミニウム箔の厚さを0.09mmとした。
（厚さ400mm）を、520℃で25時間の条件で均質化処理を
施した。その後、熱間粗圧延開始温度480℃で熱間粗圧
延終了温度420℃の条件で、熱間粗圧延を行なった。次
いで、熱間仕上圧延開始温度400℃で熱間仕上圧延終了
温度230℃の条件で、熱間仕上圧延を行ない、厚さ3mmの
アルミニウム板を得た。このアルミニウム板を巻き上げ
てコイルとし、これを冷却した。その後、冷間圧延し
て、厚さ0.05mmのアルミニウム箔を得た。次いで、表２
に示すいずれかの条件で最終焼鈍を施して、電解コンデ
ンサ電極用アルミニウム合金箔を得た。なお、実施例５
のみは、アルミニウム箔の厚さを0.09mmとした。
【００１８】
【表１】
【表２】
【００１９】以上のようにして得られた電解コンデンサ
電極用アルミニウム合金箔中における、Si析出量、Si単
体析出物の粒径、Si単体析出物の数、（Feの析出量）／
（Siの析出量）を測定し、表３に示した。また、エッチ
ング処理後の静電容量についても測定し、表３に示し
た。
電極用アルミニウム合金箔中における、Si析出量、Si単
体析出物の粒径、Si単体析出物の数、（Feの析出量）／
（Siの析出量）を測定し、表３に示した。また、エッチ
ング処理後の静電容量についても測定し、表３に示し
た。
【表３】
【００２０】なお、表３中の測定方法は、以下のとおり
である。 ［Si析出量、Fe析出量］：電解コンデンサ電極用アルミ
ニウム合金箔中から、10mm巾で長さ500mmの試料を採取
し、この試料を直流四端子法で、20℃において測定距離
400mmで電気抵抗を測定し、Si析出量、Fe析出量、及び
（Fe析出量）／（Si析出量）を求めた。なお、Siの固
溶、Feの固溶、及びAl−Fe化合物の析出による電気抵抗
の増加値は、各々0.947μ・Ω・cm／重量％、2.75μ・
Ω・cm／重量％、0.058μ・Ω・cm／重量％の値を用い
た。 ［Si単体析出物の粒径及び数］：電解コンデンサ電極用
アルミニウム合金箔を、硝酸：メタノール＝1：2の溶液
中で電解研磨した後、透過型電子顕微鏡を用い、10000
倍で10視野（4.8×10-4mm2に相当）検鏡し、Si単体析出
物の粒径（μｍ）を測定した。なお、粒径は、顕微鏡写
真における析出物の面積を、円形にしたときの直径とし
た。また、Si単体析出物の数（個／mm2）については、
電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔を前記と同様
に電解研磨した後、透過型電子顕微鏡を用い、2000倍で
10視野（2.4×10-2mm2に相当）検鏡し、測定した。 ［静電容量］：まず、電解コンデンサ電極用アルミニウ
ム合金箔を、以下の条件でエッチング処理した。即ち、
処理溶液として、2.8％HCl＋7.5％AlCl3・6H2O＋0.1％C2
H2O4・2H2O水溶液（温度30℃）を使用し、10Hzの矩形波
交流を用い、0.2Ａ／cm2で210秒間行なった。エッチン
グ処理後のアルミニウム箔を、8.0％HNO3水溶液（温度3
0℃）中にて、120Hzの直列等価回路で０vf.でLCRメータ
を用いて、静電容量（μＦ／cm2）を測定した。
である。 ［Si析出量、Fe析出量］：電解コンデンサ電極用アルミ
ニウム合金箔中から、10mm巾で長さ500mmの試料を採取
し、この試料を直流四端子法で、20℃において測定距離
400mmで電気抵抗を測定し、Si析出量、Fe析出量、及び
（Fe析出量）／（Si析出量）を求めた。なお、Siの固
溶、Feの固溶、及びAl−Fe化合物の析出による電気抵抗
の増加値は、各々0.947μ・Ω・cm／重量％、2.75μ・
Ω・cm／重量％、0.058μ・Ω・cm／重量％の値を用い
た。 ［Si単体析出物の粒径及び数］：電解コンデンサ電極用
アルミニウム合金箔を、硝酸：メタノール＝1：2の溶液
中で電解研磨した後、透過型電子顕微鏡を用い、10000
倍で10視野（4.8×10-4mm2に相当）検鏡し、Si単体析出
物の粒径（μｍ）を測定した。なお、粒径は、顕微鏡写
真における析出物の面積を、円形にしたときの直径とし
た。また、Si単体析出物の数（個／mm2）については、
電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔を前記と同様
に電解研磨した後、透過型電子顕微鏡を用い、2000倍で
10視野（2.4×10-2mm2に相当）検鏡し、測定した。 ［静電容量］：まず、電解コンデンサ電極用アルミニウ
ム合金箔を、以下の条件でエッチング処理した。即ち、
処理溶液として、2.8％HCl＋7.5％AlCl3・6H2O＋0.1％C2
H2O4・2H2O水溶液（温度30℃）を使用し、10Hzの矩形波
交流を用い、0.2Ａ／cm2で210秒間行なった。エッチン
グ処理後のアルミニウム箔を、8.0％HNO3水溶液（温度3
0℃）中にて、120Hzの直列等価回路で０vf.でLCRメータ
を用いて、静電容量（μＦ／cm2）を測定した。
【００２１】表３に示した結果から明かなように、実施
例に係る電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔を使
用すれば、静電容量の高い陰極箔が得られることが分か
る。これに対し、比較例１〜３に係る方法によって得ら
れた電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔は、Mgが
含有されていないため、Si析出量、Si単体析出物の粒径
が大きく且つその数が多い。従って、エッチング時に過
溶解が生じ、高静電容量の陰極箔を得ることができな
い。また、比較例４に係る方法によって得られた電解コ
ンデンサ電極用アルミニウム合金箔は、Si／Mg（重量
比）＝1.4であるため、Si析出量及びFe析出量が共に少
なく、エッチングが十分に行なわれず、高静電容量の陰
極箔を得にくいことが分かる。また、比較例５及び６に
係る方法によって得られた電解コンデンサ電極用アルミ
ニウム合金箔は、Si／Mg（重量比）が3.0以上であるの
で、Mgの含有量が相対的に少なすぎて、Siの析出を抑制
することができず、エッチング時に過溶解を起こし、高
静電容量の陰極箔を得ることができない。また、比較例
７に係る方法によって得られた電解コンデンサ電極用ア
ルミニウム合金箔は、含有されているMgの量が多すぎ
て、表面にMgが濃縮しやすくなって、エッチング時に過
溶解を生じ、高静電容量の陰極箔を得ることができな
い。更に、比較例８及び９に係る方法によって得られた
電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔は、各々Ti及
びNiの含有量が多すぎて、エッチング時に過溶解を生じ
やすく、高静電容量の陰極箔を得られないことが分か
る。
例に係る電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔を使
用すれば、静電容量の高い陰極箔が得られることが分か
る。これに対し、比較例１〜３に係る方法によって得ら
れた電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔は、Mgが
含有されていないため、Si析出量、Si単体析出物の粒径
が大きく且つその数が多い。従って、エッチング時に過
溶解が生じ、高静電容量の陰極箔を得ることができな
い。また、比較例４に係る方法によって得られた電解コ
ンデンサ電極用アルミニウム合金箔は、Si／Mg（重量
比）＝1.4であるため、Si析出量及びFe析出量が共に少
なく、エッチングが十分に行なわれず、高静電容量の陰
極箔を得にくいことが分かる。また、比較例５及び６に
係る方法によって得られた電解コンデンサ電極用アルミ
ニウム合金箔は、Si／Mg（重量比）が3.0以上であるの
で、Mgの含有量が相対的に少なすぎて、Siの析出を抑制
することができず、エッチング時に過溶解を起こし、高
静電容量の陰極箔を得ることができない。また、比較例
７に係る方法によって得られた電解コンデンサ電極用ア
ルミニウム合金箔は、含有されているMgの量が多すぎ
て、表面にMgが濃縮しやすくなって、エッチング時に過
溶解を生じ、高静電容量の陰極箔を得ることができな
い。更に、比較例８及び９に係る方法によって得られた
電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔は、各々Ti及
びNiの含有量が多すぎて、エッチング時に過溶解を生じ
やすく、高静電容量の陰極箔を得られないことが分か
る。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る電解
コンデンサ電極用アルミニウム合金箔は、Mgを所定量含
有させたアルミニウム鋳塊を使用して、製造されるもの
であるため、このMgの存在によってアルミニウム鋳塊中
のSiの析出を抑制することができる。従って、Siの析出
が多いことによって生じる、エッチング時の過溶解を防
止することができる。その結果、本発明に係る電解コン
デンサ電極用アルミニウム合金箔を使用すれば、高静電
容量の電極箔を得ることができるという効果を奏する。
また、本発明においては、アルミニウム鋳塊中の元素組
成によって、製造中に生じるSiの析出を防止するもので
あるため、製造条件を厳密に管理しなくとも良い。従っ
て、電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔の製造が
容易になって、合理化しうるという効果も奏する。
コンデンサ電極用アルミニウム合金箔は、Mgを所定量含
有させたアルミニウム鋳塊を使用して、製造されるもの
であるため、このMgの存在によってアルミニウム鋳塊中
のSiの析出を抑制することができる。従って、Siの析出
が多いことによって生じる、エッチング時の過溶解を防
止することができる。その結果、本発明に係る電解コン
デンサ電極用アルミニウム合金箔を使用すれば、高静電
容量の電極箔を得ることができるという効果を奏する。
また、本発明においては、アルミニウム鋳塊中の元素組
成によって、製造中に生じるSiの析出を防止するもので
あるため、製造条件を厳密に管理しなくとも良い。従っ
て、電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔の製造が
容易になって、合理化しうるという効果も奏する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｃ２２Ｆ 1/00 ６６１ Ｈ０１Ｇ 9/04 ３４６ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C22C 21/00 - 21/18 C22F 1/04 - 1/057 H01G 9/042 H01G 9/055
Claims (10)
- 【請求項１】 Ａｌ純度が９９．５％以上であって、Ｓ
ｉ０．００１〜０．２％及びＦｅ０．００１〜０．２％
を含有すると共に、Ｍｇ０．００１〜０．０１％、Ｃｕ
０．００１〜０．０１％、Ｔｉ≦０．００１％、Ｎｉ≦
０．００２％、及びその他不可避不純物を含有し、且つ
Ｓｉ／Ｍｇの重量比が１．５以上３．０以下であること
を特徴とする電解コンデンサ電極用アルミニウム合金
箔。 - 【請求項２】 Ｓｉの析出量が０．０１％以下である請
求項１記載の電解コンデンサ電極用アルミニウム合金
箔。 - 【請求項３】 Ｓｉの析出量とＦｅの析出量の比が、
（Ｆｅの析出量）／（Ｓｉの析出量）≧１．５である請
求項１又は２記載の電解コンデンサ電極用アルミニウム
合金箔。 - 【請求項４】 Ｓｉ単体析出物の粒径が０．２μｍ以下
であって、且つ該Ｓｉ単体析出物の数が２０００個／ｍ
ｍ2未満である請求項１、２又は３記載の電解コンデン
サ電極用アルミニウム合金箔。 - 【請求項５】 Ａｌ純度が９９．５％以上であって、Ｓ
ｉ０．００１〜０．２％及びＦｅ０．００１〜０．２％
を含有すると共に、Ｍｇ０．００１〜０．０１％、Ｃｕ
０．００１〜０．０１％、Ｔｉ≦０．００１％、Ｎｉ≦
０．００２％、及びその他不可避不純物を含有し、且つ
Ｓｉ／Ｍｇの重量比が１．５以上３．０以下であるアル
ミニウム鋳塊に、均質化処理、熱間圧延、冷間圧延、及
び最終焼鈍の順で処理を施すことを特徴とする電解コン
デンサ電極用アルミニウム合金箔の製造方法。 - 【請求項６】 Ａｌ純度が９９．５％以上であって、Ｓ
ｉ０．００１〜０．２％及びＦｅ０．００１〜０．２％
を含有すると共に、Ｍｇ０．００１〜０．０１％、Ｚｎ
０．００１〜０．０５％、Ｃｕ０．００１〜０．０１
％、Ｔｉ≦０．００１％、Ｎｉ≦０．００２％、及びそ
の他不可避不純物を含有し、且つＳｉ／Ｍｇの重量比が
１．５以上３．０以下であることを特徴とする電解コン
デンサ電極用アルミニウム合金箔。 - 【請求項７】 Ｓｉの析出量が０．０１％以下である請
求項６記載の電解コンデンサ電極用アルミニウム合金
箔。 - 【請求項８】 Ｓｉの析出量とＦｅの析出量の比が、
（Ｆｅの析出量）／（Ｓｉの析出量）≧１．５である請
求項６又は７記載の電解コンデンサ電極用アルミニウム
合金箔。 - 【請求項９】 Ｓｉ単体析出物の粒径が０．２μｍ以下
であって、且つ該Ｓｉ単体析出物の数が２０００個／ｍ
ｍ2未満である請求項６、７又は８記載の電解コンデン
サ電極用アルミニウム合金箔。 - 【請求項１０】 Ａｌ純度が９９．５％以上であって、
Ｓｉ０．００１〜０．２％及びＦｅ０．００１〜０．２
％を含有すると共に、Ｍｇ０．００１〜０．０１％、Ｚ
ｎ０．００１〜０．０５％、Ｃｕ０．００１〜０．０１
％、Ｔｉ≦０．００１％、Ｎｉ≦０．００２％、及びそ
の他不可避不純物を含有し、且つＳｉ／Ｍｇの重量比が
１．５以上３．０以下であるアルミニウム鋳塊に、均質
化処理、熱間圧延、冷間圧延、及び最終焼鈍の順で処理
を施すことを特徴とする電解コンデンサ電極用アルミニ
ウム合金箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08641592A JP3244131B2 (ja) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08641592A JP3244131B2 (ja) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05255790A JPH05255790A (ja) | 1993-10-05 |
| JP3244131B2 true JP3244131B2 (ja) | 2002-01-07 |
Family
ID=13886247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08641592A Expired - Lifetime JP3244131B2 (ja) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3244131B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003059779A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Nippon Chemicon Corp | 電解コンデンサ |
| CN107245607B (zh) * | 2017-06-01 | 2019-05-07 | 乳源东阳光优艾希杰精箔有限公司 | 一种集流体用铝箔及其制造方法 |
-
1992
- 1992-03-09 JP JP08641592A patent/JP3244131B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05255790A (ja) | 1993-10-05 |
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