JP3130054B2 - 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 - Google Patents
電解コンデンサ電極用アルミニウム箔Info
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- JP3130054B2 JP3130054B2 JP02401397A JP40139790A JP3130054B2 JP 3130054 B2 JP3130054 B2 JP 3130054B2 JP 02401397 A JP02401397 A JP 02401397A JP 40139790 A JP40139790 A JP 40139790A JP 3130054 B2 JP3130054 B2 JP 3130054B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、電解コンデンサ電極
用アルミニウム箔、特に中高圧用の陽極材料として用い
られるアルミニウム箔に関する。
用アルミニウム箔、特に中高圧用の陽極材料として用い
られるアルミニウム箔に関する。
【０００２】
【従来の技術】電解コンデンサ電極用アルミニウム箔
は、その実効表面積を拡大して単位面積あたりの静電容
量を増大するため、一般に電気的あるいは電気化学的な
エッチング処理により箔表面に形成されるエッチングピ
ットの密度を増大することについて、従来から多くの研
究がなされてきた。なかでも、エッチングピットの密度
は、アルミニウム箔の表面部の組成、組織に大きく影響
されることの知見から、特公昭６２−４２３７０号公報
に見られるように、表層部に、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｉｎの群か
ら選ばれた１種以上の元素を高密度に含有せしめるもの
とする技術の有用性が提案されている。そしてかかるア
ルミニウム箔の表面にＰｂ、ＩｎおよびＢｉの少なくと
も１種以上を化合物の状態で付与し、これら金属の融点
以上の温度で熱拡散処理し、必要ならば常法に従って焼
鈍を行うものとすることが提案されている。
は、その実効表面積を拡大して単位面積あたりの静電容
量を増大するため、一般に電気的あるいは電気化学的な
エッチング処理により箔表面に形成されるエッチングピ
ットの密度を増大することについて、従来から多くの研
究がなされてきた。なかでも、エッチングピットの密度
は、アルミニウム箔の表面部の組成、組織に大きく影響
されることの知見から、特公昭６２−４２３７０号公報
に見られるように、表層部に、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｉｎの群か
ら選ばれた１種以上の元素を高密度に含有せしめるもの
とする技術の有用性が提案されている。そしてかかるア
ルミニウム箔の表面にＰｂ、ＩｎおよびＢｉの少なくと
も１種以上を化合物の状態で付与し、これら金属の融点
以上の温度で熱拡散処理し、必要ならば常法に従って焼
鈍を行うものとすることが提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記のよ
うな従来技術の背景の中で、アルミニウム箔の表面に高
濃度に含有せしめて拡面率の増大に寄与せしめ得る元素
を探索すると共に、最も拡面率の拡大に有効な分布状態
と分布量との関係を見出だすことにより、静電容量の増
大を図り得る電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を提
供することを目的とする。
うな従来技術の背景の中で、アルミニウム箔の表面に高
濃度に含有せしめて拡面率の増大に寄与せしめ得る元素
を探索すると共に、最も拡面率の拡大に有効な分布状態
と分布量との関係を見出だすことにより、静電容量の増
大を図り得る電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を提
供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記拡面率
の増大に有効に寄与するエッチング核生成元素を選択
し、これを箔の所定部位に特定濃度範囲に濃化状態に含
有せしめたものである。而して、この発明は、アルミニ
ウム純度が９９．９％以上でかつＦｅ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｚ
ｎ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｐ、Ｖ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｚ
ｒ、Ｃ、Ｂｅ、Ｂ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｂｉ、希土類元
素のうち１種または２種以上の元素を含有するアルミニ
ウム箔からなり、上記元素が箔基体とその表面に形成さ
れた酸化皮膜との界面部、および該酸化皮膜の表層部に
濃化状態に含有されると共に、これら両部位における上
記元素の濃度がいずれも箔基体内層部に対するイオン強
度比で１．２〜３０の範囲に設定されてなることを特徴
とする電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を要旨とす
る。
の増大に有効に寄与するエッチング核生成元素を選択
し、これを箔の所定部位に特定濃度範囲に濃化状態に含
有せしめたものである。而して、この発明は、アルミニ
ウム純度が９９．９％以上でかつＦｅ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｚ
ｎ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｐ、Ｖ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｚ
ｒ、Ｃ、Ｂｅ、Ｂ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｂｉ、希土類元
素のうち１種または２種以上の元素を含有するアルミニ
ウム箔からなり、上記元素が箔基体とその表面に形成さ
れた酸化皮膜との界面部、および該酸化皮膜の表層部に
濃化状態に含有されると共に、これら両部位における上
記元素の濃度がいずれも箔基体内層部に対するイオン強
度比で１．２〜３０の範囲に設定されてなることを特徴
とする電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を要旨とす
る。
【０００５】この発明において、アルミニウム箔の全体
としてのアルミニウム純度に９９．９％以上を必要とさ
れるのは、上記未満の純度では電解エッチング時にエッ
チングピットの成長が多くの不純物の存在によって阻害
され、均一な深いトンネル状ピットを形成できず、従っ
て静電容量の高いアルミニウム箔を得ることができない
ためである。好ましくはアルミニウム純度９９．９８％
以上のものを用いるのが良い。
としてのアルミニウム純度に９９．９％以上を必要とさ
れるのは、上記未満の純度では電解エッチング時にエッ
チングピットの成長が多くの不純物の存在によって阻害
され、均一な深いトンネル状ピットを形成できず、従っ
て静電容量の高いアルミニウム箔を得ることができない
ためである。好ましくはアルミニウム純度９９．９８％
以上のものを用いるのが良い。
【０００６】箔基体とその表面に形成された酸化皮膜と
の界面部、および該酸化皮膜の表層部に、図１に示すよ
うに、エッチング核形成元素の１種以上を濃化状態に含
有せしめるものとすることは、静電容量の増大効果を得
るための主要素をなすものである。この効果が得られる
理由は、上記高濃度の含有によって箔基体の表面に形成
された酸化皮膜がその表層部に微細な欠陥部を無数に有
するものとなり、エッチングの初期の段階で上記欠陥部
がエッチングの開始点となり、多数のエッチングピット
が形成され、酸化皮膜内部にトンネル状に進行する。し
かもエッチングピットが酸化皮膜と箔基体との界面部ま
で進行するとその部分に濃化した元素がエッチング核と
して作用することより以降箔基体内部にトンネル状に深
く進行するため、より大きな拡面率が得られることによ
るものと考えられる。
の界面部、および該酸化皮膜の表層部に、図１に示すよ
うに、エッチング核形成元素の１種以上を濃化状態に含
有せしめるものとすることは、静電容量の増大効果を得
るための主要素をなすものである。この効果が得られる
理由は、上記高濃度の含有によって箔基体の表面に形成
された酸化皮膜がその表層部に微細な欠陥部を無数に有
するものとなり、エッチングの初期の段階で上記欠陥部
がエッチングの開始点となり、多数のエッチングピット
が形成され、酸化皮膜内部にトンネル状に進行する。し
かもエッチングピットが酸化皮膜と箔基体との界面部ま
で進行するとその部分に濃化した元素がエッチング核と
して作用することより以降箔基体内部にトンネル状に深
く進行するため、より大きな拡面率が得られることによ
るものと考えられる。
【０００７】前記界面部および皮膜表層部における上記
元素の濃度は、いずれも箔基体内層部に対するイオン強
度比で１．２〜３０の範囲に設定されていることが必要
である。下限値未満では、エッチングピットの密度が不
十分なものとなり拡面率の増大が期待できないからであ
り、一方、上限値を超えると、アルミニウム箔表面の耐
食性が著しく低下してエッチングピットが限度を超えて
高密度に形成される結果ピット同志が合体して実質的な
箔表面の全面溶解につながり、かえって表面積が小さい
ものとなるからである。最も好ましいイオン強度比の範
囲は、概ね３〜２５である。
元素の濃度は、いずれも箔基体内層部に対するイオン強
度比で１．２〜３０の範囲に設定されていることが必要
である。下限値未満では、エッチングピットの密度が不
十分なものとなり拡面率の増大が期待できないからであ
り、一方、上限値を超えると、アルミニウム箔表面の耐
食性が著しく低下してエッチングピットが限度を超えて
高密度に形成される結果ピット同志が合体して実質的な
箔表面の全面溶解につながり、かえって表面積が小さい
ものとなるからである。最も好ましいイオン強度比の範
囲は、概ね３〜２５である。
【０００８】ここに、エッチング核形成元素としては、
Ｆｅ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｐ、Ｖ、Ｔｉ、
Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃ、Ｂｅ、Ｂ、Ｍｇ、Ｐｂ、
Ｉｎ、Ｂｉ、希土類元素が用いられる。なお、希土類元
素は、原子番号５７から７１までの１５元素、即ちＬ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｉｍ、Ｙｂ、Ｌｕおよびこれら
にＹ、Ｓｃを加えた１７元素の群からなるものである。
Ｆｅ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｐ、Ｖ、Ｔｉ、
Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃ、Ｂｅ、Ｂ、Ｍｇ、Ｐｂ、
Ｉｎ、Ｂｉ、希土類元素が用いられる。なお、希土類元
素は、原子番号５７から７１までの１５元素、即ちＬ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｉｍ、Ｙｂ、Ｌｕおよびこれら
にＹ、Ｓｃを加えた１７元素の群からなるものである。
【０００９】上述の各元素はこの発明において、アルミ
ニウム箔のエッチングによる表面積の拡大効果に有効に
寄与するものである点で相互に均等物として評価し得る
ものである。またこれらの元素は、ここに単独の元素と
して用いる必要はなく、２種以上の併用が許容される。
希土類元素の場合には、その混合塩化物を電解して得ら
れるミッシュメタル（Ｍ・Ｍ）を用いても良く、また入
手のし易さから工業的にはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｓｍ、ミッシュメタルの群から選ばれた１種または
２種以上の組み合わせにおいて用いるのが好適である。
ニウム箔のエッチングによる表面積の拡大効果に有効に
寄与するものである点で相互に均等物として評価し得る
ものである。またこれらの元素は、ここに単独の元素と
して用いる必要はなく、２種以上の併用が許容される。
希土類元素の場合には、その混合塩化物を電解して得ら
れるミッシュメタル（Ｍ・Ｍ）を用いても良く、また入
手のし易さから工業的にはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｓｍ、ミッシュメタルの群から選ばれた１種または
２種以上の組み合わせにおいて用いるのが好適である。
【００１０】エッチング核形成元素として、Ｆｅ、Ｃ
ｕ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｇａを採用する場合には、箔表
面から厚さ０．１μｍまでの箔表層部を除いた箔内部に
おける上記元素の濃度を３〜６０ｐｐｍの範囲に設定す
ることが望ましい。またＰ、Ｖ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔ
ａ、Ｚｒ、Ｃ、Ｂｅ、Ｂ、Ｍｇを採用する場合には同濃
度を１〜４０ｐｐｍの範囲、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｂｉ、希土類
元素を採用する場合には同濃度を０．０１〜３ｐｐｍの
範囲にそれぞれ設定することが望ましい。いずれの場合
にも下限値未満であるとエッチング核形成が不十分であ
り、また上限値を超えて過多に含有されても過剰エッチ
ングとなるからである。
ｕ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｇａを採用する場合には、箔表
面から厚さ０．１μｍまでの箔表層部を除いた箔内部に
おける上記元素の濃度を３〜６０ｐｐｍの範囲に設定す
ることが望ましい。またＰ、Ｖ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔ
ａ、Ｚｒ、Ｃ、Ｂｅ、Ｂ、Ｍｇを採用する場合には同濃
度を１〜４０ｐｐｍの範囲、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｂｉ、希土類
元素を採用する場合には同濃度を０．０１〜３ｐｐｍの
範囲にそれぞれ設定することが望ましい。いずれの場合
にも下限値未満であるとエッチング核形成が不十分であ
り、また上限値を超えて過多に含有されても過剰エッチ
ングとなるからである。
【００１１】Ｆｅ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｇａを採
用した場合におけるその好適な濃度範囲は概ね１０〜３
０ｐｐｍ、Ｐ、Ｖ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｚｒ、
Ｃ、Ｂｅ、Ｂ、Ｍｇを採用した場合におけるその好適な
濃度範囲は概ね５〜２５ｐｐｍ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｂｉ、希
土類元素を採用した場合におけるその好適な濃度範囲は
概ね０．２〜１．５ｐｐｍである。
用した場合におけるその好適な濃度範囲は概ね１０〜３
０ｐｐｍ、Ｐ、Ｖ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｚｒ、
Ｃ、Ｂｅ、Ｂ、Ｍｇを採用した場合におけるその好適な
濃度範囲は概ね５〜２５ｐｐｍ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｂｉ、希
土類元素を採用した場合におけるその好適な濃度範囲は
概ね０．２〜１．５ｐｐｍである。
【００１２】上述した如き分布状態にエッチング核形成
元素を前記濃度範囲に含有したアルミニウム箔を製造す
るには、アルミニウム地金を溶解する段階で所要量の上
記元素の１種または２種以上を添加して鋳造した後、常
法に従って熱間圧延、箔圧延、要すればその間に更に中
間焼鈍を行って製箔する。そしてこれを例えば真空中に
おいて４５０〜５５０℃で１〜３０時間、好ましくは４
７０〜５２０℃で３〜１０時間の焼鈍処理を施し、然る
後この箔基体とその表面の酸化皮膜の界面部に上記元素
をイオン注入により適宜打ち込み、更にこの箔の表面に
上記元素をスパッタリングメッキ、湿式メッキにより適
宜付与し、これを例えば真空中において２００〜５５０
℃で０．２〜１０時間、好ましくは３００〜５００℃で
１〜３の最終加熱処理を施こすことにより達成すること
ができる。地金中に添加した元素および最初にイオン注
入した元素は酸化皮膜とアルミニウム箔基体との界面部
に濃化し、そしてその後に箔表面に付与した元素は最終
加熱処理によって酸化皮膜の最表層部に濃化し、もって
この発明の規定範囲に集中的に含有せしめることができ
る。
元素を前記濃度範囲に含有したアルミニウム箔を製造す
るには、アルミニウム地金を溶解する段階で所要量の上
記元素の１種または２種以上を添加して鋳造した後、常
法に従って熱間圧延、箔圧延、要すればその間に更に中
間焼鈍を行って製箔する。そしてこれを例えば真空中に
おいて４５０〜５５０℃で１〜３０時間、好ましくは４
７０〜５２０℃で３〜１０時間の焼鈍処理を施し、然る
後この箔基体とその表面の酸化皮膜の界面部に上記元素
をイオン注入により適宜打ち込み、更にこの箔の表面に
上記元素をスパッタリングメッキ、湿式メッキにより適
宜付与し、これを例えば真空中において２００〜５５０
℃で０．２〜１０時間、好ましくは３００〜５００℃で
１〜３の最終加熱処理を施こすことにより達成すること
ができる。地金中に添加した元素および最初にイオン注
入した元素は酸化皮膜とアルミニウム箔基体との界面部
に濃化し、そしてその後に箔表面に付与した元素は最終
加熱処理によって酸化皮膜の最表層部に濃化し、もって
この発明の規定範囲に集中的に含有せしめることができ
る。
【００１３】
【発明の効果】この発明にかかる電解コンデンサ電極用
アルミニウム箔は、エッチング性に優れ、エッチング処
理により極めて大きな拡面率を得ることができるのはも
とより、２箇所に濃化層を有することよりエッチング前
処理を行う場合および同処理を行わない場合のいずれの
エッチング処理条件下においても多数のエッチングピッ
トが形成され大きな拡面率を得ることができると共に、
エッチング時において箔表面の全面溶解を抑制しうる。
アルミニウム箔は、エッチング性に優れ、エッチング処
理により極めて大きな拡面率を得ることができるのはも
とより、２箇所に濃化層を有することよりエッチング前
処理を行う場合および同処理を行わない場合のいずれの
エッチング処理条件下においても多数のエッチングピッ
トが形成され大きな拡面率を得ることができると共に、
エッチング時において箔表面の全面溶解を抑制しうる。
【００１４】従って、大きな静電容量を有し、電気的特
性に優れると共に、強度的にも優れたものとなし得る。
性に優れると共に、強度的にも優れたものとなし得る。
【００１５】
【実施例】純度９９．９９％の純アルミニウム地金（Ｓ
ｉ：０．００２％、Ｆｅ：０．００２％）にＦｅ、Ｃ
ｕ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｐ、Ｖ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎ
ｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃ、Ｂｅ、Ｂ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｂ
ｉ、希土類元素のうちから選ばれたそのうちの１種また
は２種以上を第１表および第２表に示す各種の含有量と
なるように添加し、溶解鋳造後、熱間圧延、中間焼鈍、
箔圧延することにより厚さ０．１mmのアルミニウム箔に
製造した。そしてこれを例えば真空下で４９０℃×４時
間の焼鈍処理を施した後、酸化皮膜とアルミニウム箔基
体との界面部に上記元素を所定量イオン注入し、得られ
た箔の表面に更に上記元素をイオンスパッタリングによ
り所定量付与し、真空下で４００℃×１時間の再加熱処
理を施すことにより電解コンデンサ電極材としての各種
供試料を得た。
ｉ：０．００２％、Ｆｅ：０．００２％）にＦｅ、Ｃ
ｕ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｐ、Ｖ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎ
ｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃ、Ｂｅ、Ｂ、Ｍｇ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｂ
ｉ、希土類元素のうちから選ばれたそのうちの１種また
は２種以上を第１表および第２表に示す各種の含有量と
なるように添加し、溶解鋳造後、熱間圧延、中間焼鈍、
箔圧延することにより厚さ０．１mmのアルミニウム箔に
製造した。そしてこれを例えば真空下で４９０℃×４時
間の焼鈍処理を施した後、酸化皮膜とアルミニウム箔基
体との界面部に上記元素を所定量イオン注入し、得られ
た箔の表面に更に上記元素をイオンスパッタリングによ
り所定量付与し、真空下で４００℃×１時間の再加熱処
理を施すことにより電解コンデンサ電極材としての各種
供試料を得た。
【００１６】続いて、上記の各種アルミニウム箔を、液
温８５℃の５％塩酸及び１０％硫酸を含むエッチング液
で電流密度２０Ａ／dm2 の直流電流を通じて６０秒間の
第１段エッチングを施した後、８５℃の５％塩酸および
０．１％しゅう酸のエッチング液で電流密度５Ａ／dm2
の直流電流を通じて８分間の第２段エッチングを施し
た。
温８５℃の５％塩酸及び１０％硫酸を含むエッチング液
で電流密度２０Ａ／dm2 の直流電流を通じて６０秒間の
第１段エッチングを施した後、８５℃の５％塩酸および
０．１％しゅう酸のエッチング液で電流密度５Ａ／dm2
の直流電流を通じて８分間の第２段エッチングを施し
た。
【００１７】そして、上記エッチド箔を３８０Ｖに化成
した後、各試料について箔基体とその表面に形成された
酸化皮膜との界面部、および該酸化皮膜の表層部におけ
る箔基体内層部（箔表面から０．１μｍ以上の深さの部
位）に対するイオン強度比を、一次イオン：Ａｒ＋、ビ
ーム径：５００μｍ、加速電圧：１０ｋＶ、電流：０．
３μＡの分析条件下で測定してその結果を第１表および
第２表に示す一方、それぞれの静電容量を測定し、比較
例２７の試料の静電容量を１００％とした場合との対比
において他の各種試料の静電容量比を求めその結果を第
１表および第２表に併記する。
した後、各試料について箔基体とその表面に形成された
酸化皮膜との界面部、および該酸化皮膜の表層部におけ
る箔基体内層部（箔表面から０．１μｍ以上の深さの部
位）に対するイオン強度比を、一次イオン：Ａｒ＋、ビ
ーム径：５００μｍ、加速電圧：１０ｋＶ、電流：０．
３μＡの分析条件下で測定してその結果を第１表および
第２表に示す一方、それぞれの静電容量を測定し、比較
例２７の試料の静電容量を１００％とした場合との対比
において他の各種試料の静電容量比を求めその結果を第
１表および第２表に併記する。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【表２】
【００２０】前記結果から分かるように、箔基体とその
表面に形成された酸化皮膜との界面部、および該酸化皮
膜の表層部にエッチング核形成元素のうちの１種または
２種以上を本発明の規定量の範囲で含有する電極箔は、
過多にそれらの元素を含有するのと較べ、静電容量の増
大効果を有するものである。
表面に形成された酸化皮膜との界面部、および該酸化皮
膜の表層部にエッチング核形成元素のうちの１種または
２種以上を本発明の規定量の範囲で含有する電極箔は、
過多にそれらの元素を含有するのと較べ、静電容量の増
大効果を有するものである。
【図１】この発明にかかる電解コンデンサ電極用アルミ
ニウム箔の表面部位における検出イオン強度を示すグラ
フ
ニウム箔の表面部位における検出イオン強度を示すグラ
フ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷尾 真 大阪府堺市海山町６丁224番地 昭和ア ルミニウム 株式会社 内 (72)発明者 礒山 永三 大阪府堺市海山町６丁224番地 昭和ア ルミニウム 株式会社 内 (56)参考文献 特開 昭52−139993（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−92518（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−117820（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−137612（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 9/055 C22C 21/00 H01G 9/042
Claims (4)
- 【請求項１】 アルミニウム純度が９９．９％以上でか
つＦｅ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｐ、Ｖ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃ、Ｂｅ、Ｂ、Ｍｇ、Ｐ
ｂ、Ｉｎ、Ｂｉ、希土類元素のうち１種または２種以上
の元素を含有するアルミニウム箔からなり、上記元素が
箔基体とその表面に形成された酸化皮膜との界面部、お
よび該酸化皮膜の表層部に濃化状態に含有されると共
に、これら両部位における上記元素の濃度がいずれも箔
基体内層部に対するイオン強度比で１．２〜３０の範囲
に設定されてなることを特徴とする電解コンデンサ電極
用アルミニウム箔。 - 【請求項２】 アルミニウム純度が９９．９％以上でか
つＦｅ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｇａのうち１種また
は２種以上の元素を含有するアルミニウム箔からなり、
上記元素が箔基体とその表面に形成された酸化皮膜との
界面部、および該酸化皮膜の表層部に濃化状態に含有さ
れると共に、これら両部位における上記元素の濃度がい
ずれも箔基体内層部に対するイオン強度比で１．２〜３
０の範囲に設定され、かつ箔表面から厚さ０．１μｍま
での箔表層部を除いた箔内部に上記元素が３〜６０ｐｐ
ｍの範囲に含有されてなることを特徴とする電解コンデ
ンサ電極用アルミニウム箔。 - 【請求項３】 アルミニウム純度が９９．９％以上でか
つＰ、Ｖ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃ、Ｂｅ、
Ｂ、Ｍｇのうち１種または２種以上の元素を含有するア
ルミニウム箔からなり、上記元素が箔基体とその表面に
形成された酸化皮膜との界面部、および該酸化皮膜の表
層部に濃化状態に含有されると共に、これら両部位にお
ける上記元素の濃度がいずれも箔基体内層部に対するイ
オン強度比で１．２〜３０の範囲に設定され、かつ箔表
面から厚さ０．１μｍまでの箔表層部を除いた箔内部に
上記元素が１〜４０ｐｐｍの範囲に含有されてなること
を特徴とする電解コンデンサ電極用アルミニウム箔。 - 【請求項４】 アルミニウム純度が９９．９％以上でか
つＰｂ、Ｉｎ、Ｂｉ、希土類元素のうち１種または２種
以上の元素を含有するアルミニウム箔からなり、上記元
素が箔基体とその表面に形成された酸化皮膜との界面
部、および該酸化皮膜の表層部に濃化状態に含有される
と共に、これら両部位における上記元素の濃度がいずれ
も箔基体内層部に対するイオン強度比で１．２〜３０の
範囲に設定され、かつ箔表面から厚さ０．１μｍまでの
箔表層部を除いた箔内部に上記元素が０．０１〜３ｐｐ
ｍの範囲に含有されてなることを特徴とする電解コンデ
ンサ電極用アルミニウム箔。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02401397A JP3130054B2 (ja) | 1990-12-11 | 1990-12-11 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
| DE69118131T DE69118131T2 (de) | 1990-12-11 | 1991-12-04 | Aluminiumfolie wie Elektroden von elektrolytischen Kondensator |
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