JP2756861B2 - 電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔の製造方法 - Google Patents
電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔の製造方法Info
- Publication number
- JP2756861B2 JP2756861B2 JP2202587A JP20258790A JP2756861B2 JP 2756861 B2 JP2756861 B2 JP 2756861B2 JP 2202587 A JP2202587 A JP 2202587A JP 20258790 A JP20258790 A JP 20258790A JP 2756861 B2 JP2756861 B2 JP 2756861B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rolling
- hot rolling
- temperature
- foil
- hours
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000011888 foil Substances 0.000 title claims description 35
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims description 29
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 24
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 claims description 31
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 24
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 18
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 claims description 9
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 claims description 8
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 claims description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 8
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 description 3
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001640 fractional crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21B—ROLLING OF METAL
- B21B1/00—Metal-rolling methods or mills for making semi-finished products of solid or profiled cross-section; Sequence of operations in milling trains; Layout of rolling-mill plant, e.g. grouping of stands; Succession of passes or of sectional pass alternations
- B21B1/40—Metal-rolling methods or mills for making semi-finished products of solid or profiled cross-section; Sequence of operations in milling trains; Layout of rolling-mill plant, e.g. grouping of stands; Succession of passes or of sectional pass alternations for rolling foils which present special problems, e.g. because of thinness
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21B—ROLLING OF METAL
- B21B3/00—Rolling materials of special alloys so far as the composition of the alloy requires or permits special rolling methods or sequences ; Rolling of aluminium, copper, zinc or other non-ferrous metals
- B21B2003/001—Aluminium or its alloys
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metal Rolling (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は，主に直流を用いて電解エッチングされる電
解コンデンサ陽極用アルミニウム箔の製造方法に関す
る。
解コンデンサ陽極用アルミニウム箔の製造方法に関す
る。
（従来の技術の問題点） 電解コンデンサの電極に使用されるアルミニウム箔に
は，有効表面積拡大のためにエッチング処理が施され
る。エッチングには，直流によるものと交流によるもの
とに大別される。前者は主に150V以上の化成電圧が高い
高圧用陽極箔に，後者は150V未満の化成電圧の低い低圧
用陽極箔および化成処理を行わない陰極箔の電解エッチ
ングに使用される。直流によって電解エッチングされた
アルミニウム箔には，直径1.5〜３μｍのトンネル状の
エッチピットが形成される。トンネル状エッチピットの
優先成長方向は，＜100＞方向であるので，トンネル状
の電解エッチングが効率的に行われ，静電容量の高い電
解コンデンサを得るには，電極に用いられるアルミニウ
ム箔は箔面に垂直方向に＜100＞方向を持つ結晶粒方位
（以下「立方体方位」という）の集積度（立方体方位粒
が箔面に占める割合を百分率で表示した値）が高いこと
が要求される。また立方体方位がマクロ的に不均一に分
布していても信頼性の高い電解コンデンサの電極用箔に
は適さない。
は，有効表面積拡大のためにエッチング処理が施され
る。エッチングには，直流によるものと交流によるもの
とに大別される。前者は主に150V以上の化成電圧が高い
高圧用陽極箔に，後者は150V未満の化成電圧の低い低圧
用陽極箔および化成処理を行わない陰極箔の電解エッチ
ングに使用される。直流によって電解エッチングされた
アルミニウム箔には，直径1.5〜３μｍのトンネル状の
エッチピットが形成される。トンネル状エッチピットの
優先成長方向は，＜100＞方向であるので，トンネル状
の電解エッチングが効率的に行われ，静電容量の高い電
解コンデンサを得るには，電極に用いられるアルミニウ
ム箔は箔面に垂直方向に＜100＞方向を持つ結晶粒方位
（以下「立方体方位」という）の集積度（立方体方位粒
が箔面に占める割合を百分率で表示した値）が高いこと
が要求される。また立方体方位がマクロ的に不均一に分
布していても信頼性の高い電解コンデンサの電極用箔に
は適さない。
通常直流でエッチングされる電解コンデンサ用アルミ
ニウム箔を製造する場合，以下の様な工程を経る。すな
わち、製造されたスラブに均質化処理を施し，熱間圧
延，冷間圧延および箔圧延を行い，最後に焼鈍を行って
電解コンデンサ用アルミニウム箔を得る。ところで，高
い立方体方位集積度を得るため，従来（１）99.99％以
上の高純度アルミニウムを使用する，（２）最終焼鈍温
度を500℃以上の高温度とする，（３）最終焼鈍の前に
部分焼鈍と付加的圧延を加えるなどの方法が効果がある
ことが軽金属学会誌，軽金属，31（1981）,675に示され
ている。99.99％以上の高純度のアルミニウムを製造す
るには，溶融塩電解精練法によって生産された99.7％純
度の一次地金を，三層式溶融塩電解精製法によって精製
する方法が取られている。この方法は多量の電力を必要
とし,99.99％以上の高純度アルミニウムの製造コストを
著しく高め，それが電解コンデンサ用アルミニウム箔の
コストを高めていた。近年，凝固時の液体と固体の分離
を利用した偏析法（分別結晶法ともいう）によって,99.
95％以上の純度のアルミニウムが従来の三層式溶融塩電
解精製法に比べて安価に製造出来るようになった。さら
に溶融塩電解精練法の向上によって99.90％以上の純度
のアルミニウムも製造出来るようになった。しかしアル
ミニウムの純度が下がると高い立方体方位集積度の箔
を，上述の方法だけで得ることは困難であった。
ニウム箔を製造する場合，以下の様な工程を経る。すな
わち、製造されたスラブに均質化処理を施し，熱間圧
延，冷間圧延および箔圧延を行い，最後に焼鈍を行って
電解コンデンサ用アルミニウム箔を得る。ところで，高
い立方体方位集積度を得るため，従来（１）99.99％以
上の高純度アルミニウムを使用する，（２）最終焼鈍温
度を500℃以上の高温度とする，（３）最終焼鈍の前に
部分焼鈍と付加的圧延を加えるなどの方法が効果がある
ことが軽金属学会誌，軽金属，31（1981）,675に示され
ている。99.99％以上の高純度のアルミニウムを製造す
るには，溶融塩電解精練法によって生産された99.7％純
度の一次地金を，三層式溶融塩電解精製法によって精製
する方法が取られている。この方法は多量の電力を必要
とし,99.99％以上の高純度アルミニウムの製造コストを
著しく高め，それが電解コンデンサ用アルミニウム箔の
コストを高めていた。近年，凝固時の液体と固体の分離
を利用した偏析法（分別結晶法ともいう）によって,99.
95％以上の純度のアルミニウムが従来の三層式溶融塩電
解精製法に比べて安価に製造出来るようになった。さら
に溶融塩電解精練法の向上によって99.90％以上の純度
のアルミニウムも製造出来るようになった。しかしアル
ミニウムの純度が下がると高い立方体方位集積度の箔
を，上述の方法だけで得ることは困難であった。
（問題点を解決するための手段） 本発明者らはアルミニウムの純度が電解コンデンサ用
地金であれば、高い立方体方位集積度を得られる製造方
法を鋭意研究開発し，熱間圧延時の再結晶と温度の制御
と熱間圧延後の焼鈍との組み合わせによって要求を満た
すことを見いだし以下のような製造方法を発明するに至
った。
地金であれば、高い立方体方位集積度を得られる製造方
法を鋭意研究開発し，熱間圧延時の再結晶と温度の制御
と熱間圧延後の焼鈍との組み合わせによって要求を満た
すことを見いだし以下のような製造方法を発明するに至
った。
すなわち，（１） 電解コンデンサ用アルミニウム鋳
塊に570〜630℃の温度範囲で４〜24時間の均質化処理を
施した後，ただちにほぼ均質化処理温度で粗圧間圧延に
着手し,480〜530℃の温度で粗熱間圧延を終了し再結晶
が完了するまで放置し，その後仕上げ熱間圧延を行い,2
80℃以下の温度で終了し、更に300〜380℃で１〜12時間
の焼鈍を行い，最後に常法によって冷間圧延、箔圧延お
よび最終焼鈍を行う。（２） 電解コンデンサ用アルミ
ニウム鋳塊に570〜630℃で４〜24時間の均質化処理を施
した後，ただちにほぼ均質化処理温度で粗熱間圧延に着
手し,80％以上の圧下率による粗熱間圧延を行い,480〜5
30℃の温度範囲で粗熱間圧延を終了し,100〜200秒放置
して再結晶を完了させ，その後仕上げ熱間圧延を行い,2
80℃以下の温度で終了し、更に300〜380℃で１〜12時間
の焼鈍を行い，最後に常法によって冷間圧延，箔圧延お
よび最終焼鈍を行う。
塊に570〜630℃の温度範囲で４〜24時間の均質化処理を
施した後，ただちにほぼ均質化処理温度で粗圧間圧延に
着手し,480〜530℃の温度で粗熱間圧延を終了し再結晶
が完了するまで放置し，その後仕上げ熱間圧延を行い,2
80℃以下の温度で終了し、更に300〜380℃で１〜12時間
の焼鈍を行い，最後に常法によって冷間圧延、箔圧延お
よび最終焼鈍を行う。（２） 電解コンデンサ用アルミ
ニウム鋳塊に570〜630℃で４〜24時間の均質化処理を施
した後，ただちにほぼ均質化処理温度で粗熱間圧延に着
手し,80％以上の圧下率による粗熱間圧延を行い,480〜5
30℃の温度範囲で粗熱間圧延を終了し,100〜200秒放置
して再結晶を完了させ，その後仕上げ熱間圧延を行い,2
80℃以下の温度で終了し、更に300〜380℃で１〜12時間
の焼鈍を行い，最後に常法によって冷間圧延，箔圧延お
よび最終焼鈍を行う。
（作用） 次に本発明の製造条件を限定した理由について説明す
る。
る。
本製造方法は，電解コンデンサに使用される純度であ
れば，使用するアルミニウム地金の純度を制約しない
が，トンネル状エッチピットのより均一な分布を得るた
めには,99.90％Al以上の純度の地金が使用されることが
望ましい。更に99.90％Al以上,Fe300ppm以下,Si300ppm
以下,Cu100ppm以下の地金を使用することによって本発
明の製造方法の効果が一層有効になる。すなわち,Fe
は，立方体方位の成長を阻止する元素であるので300ppm
以下とすることが望ましい。Siは,Feの析出を促進する
のでFeの有害な作用を緩和するが、多く含有されるとSi
自身が立方体方位の生成を阻止するので300ppm以下とす
ることが望ましい。Cuは，エッチングを均一に進行させ
る効果を有する元素であるが，多く含有されるとエッチ
ングに際し過溶解などの不具合が生じるので,100ppm以
下が望ましい。
れば，使用するアルミニウム地金の純度を制約しない
が，トンネル状エッチピットのより均一な分布を得るた
めには,99.90％Al以上の純度の地金が使用されることが
望ましい。更に99.90％Al以上,Fe300ppm以下,Si300ppm
以下,Cu100ppm以下の地金を使用することによって本発
明の製造方法の効果が一層有効になる。すなわち,Fe
は，立方体方位の成長を阻止する元素であるので300ppm
以下とすることが望ましい。Siは,Feの析出を促進する
のでFeの有害な作用を緩和するが、多く含有されるとSi
自身が立方体方位の生成を阻止するので300ppm以下とす
ることが望ましい。Cuは，エッチングを均一に進行させ
る効果を有する元素であるが，多く含有されるとエッチ
ングに際し過溶解などの不具合が生じるので,100ppm以
下が望ましい。
均質化処理を570〜630℃以上で,4〜12時間としたの
は,570℃未満では鋳造時に生成する不純物元素のミクロ
偏析を均一に固溶分布出来ないこと，さらに570℃以上
でも加熱時間が４時間未満であるとやはり均質化が不十
分であり，その結果，最終焼鈍箔の立方体方位集積度が
低く，しかも場所によって変動するからである。一方63
0℃を超えて加熱すると、鋳造時に生成する不純物元素
のミクロ偏析均一化には都合は良いが、鋳塊の表面酸化
が著しくなるのでエッチングの異常を発生させる。又こ
の加熱時間を24時間を超えて行ってもその効果が飽和
し，熱エネルギー的にも不利である。従って570〜630℃
の温度範囲で４〜24時間の均一化処理とする。
は,570℃未満では鋳造時に生成する不純物元素のミクロ
偏析を均一に固溶分布出来ないこと，さらに570℃以上
でも加熱時間が４時間未満であるとやはり均質化が不十
分であり，その結果，最終焼鈍箔の立方体方位集積度が
低く，しかも場所によって変動するからである。一方63
0℃を超えて加熱すると、鋳造時に生成する不純物元素
のミクロ偏析均一化には都合は良いが、鋳塊の表面酸化
が著しくなるのでエッチングの異常を発生させる。又こ
の加熱時間を24時間を超えて行ってもその効果が飽和
し，熱エネルギー的にも不利である。従って570〜630℃
の温度範囲で４〜24時間の均一化処理とする。
均質化処理後，温度を下げることなく高温のまま粗熱
間圧延に着手し,80％以上の圧下率で粗熱間圧延し,480
〜530℃の温度範囲で粗熱間圧延を終了し，再結晶が完
了するまで放置するのは，一般に圧延用スラブは300〜6
00mm厚さのものが多く使用されており，これに80％以上
の圧下を加えて，その厚さのままで480〜530℃の温度範
囲で粗熱間圧延を終了し放置すると,100秒以上で粗熱間
圧延時に圧延方向に延ばされた鋳塊の結晶粒が完全に再
結晶するからである。この再結晶粒には立方体方位を有
するものが多く含まれている。もし再結晶の進行が不充
分であると局部的に未再結晶域が残り，最終焼鈍後の箔
の立方体方位集積度の低下および場所による変動を大き
くする。80％未満の圧下率または480℃未満の温度では
完全に再結晶するのに数分以上を要し著しく生産を阻害
し望ましくない。一方粗熱間圧延が530℃を超えて終了
すると再結晶は容易に進行するが、結晶粒が粗大となり
最終焼鈍後の箔における立方体方位集積度が低下する。
又200秒以上放置しても再結晶は既に完了しており意味
がない。なお圧下率の上限は特に限定する必要がなく、
99.5％程度まで採用し得る。従って,80％以上の圧下率
で粗熱間圧延し,480〜530℃の温度範囲で粗熱間圧延を
終了し、そのまま完全に再結晶が完了するように100〜2
00秒放置し、再結晶させる。
間圧延に着手し,80％以上の圧下率で粗熱間圧延し,480
〜530℃の温度範囲で粗熱間圧延を終了し，再結晶が完
了するまで放置するのは，一般に圧延用スラブは300〜6
00mm厚さのものが多く使用されており，これに80％以上
の圧下を加えて，その厚さのままで480〜530℃の温度範
囲で粗熱間圧延を終了し放置すると,100秒以上で粗熱間
圧延時に圧延方向に延ばされた鋳塊の結晶粒が完全に再
結晶するからである。この再結晶粒には立方体方位を有
するものが多く含まれている。もし再結晶の進行が不充
分であると局部的に未再結晶域が残り，最終焼鈍後の箔
の立方体方位集積度の低下および場所による変動を大き
くする。80％未満の圧下率または480℃未満の温度では
完全に再結晶するのに数分以上を要し著しく生産を阻害
し望ましくない。一方粗熱間圧延が530℃を超えて終了
すると再結晶は容易に進行するが、結晶粒が粗大となり
最終焼鈍後の箔における立方体方位集積度が低下する。
又200秒以上放置しても再結晶は既に完了しており意味
がない。なお圧下率の上限は特に限定する必要がなく、
99.5％程度まで採用し得る。従って,80％以上の圧下率
で粗熱間圧延し,480〜530℃の温度範囲で粗熱間圧延を
終了し、そのまま完全に再結晶が完了するように100〜2
00秒放置し、再結晶させる。
次に，仕上げ熱間圧延終了温度を280℃以下とする理
由について説明する。すなわち,60mm厚さ以下から仕上
げ熱間圧延終了厚さ（一般的には３〜8mm厚さである）
までは３〜４パスで仕上げ熱間圧延が行われるが，仕上
げ熱間圧延温度を下げて行くと，歪エネルギーが高く蓄
積された領域が，結晶粒界近傍および粒内の変形遷移帯
に形成される。そして歪エネルギーは結晶粒界近傍の方
が変形遷移帯よりも高いので,2〜３パスの段階で結晶粒
界近傍にランダム方位を有する再結晶粒が発生する。そ
の様な状態で最終パスを280℃以下，望ましくは250〜28
0℃で終了させると，粒内の変形遷移帯域が最も歪エネ
ルギーが高くなる。一方,280℃を越えて仕上げ熱間圧延
を終了した場合は，結晶粒界近傍と変形遷移帯域とで歪
エネルギーの蓄積に差がなくなる。その結果，仕上げ熱
間圧延板を焼鈍した際,280℃以下の温度で仕上げ熱間圧
延を終了した場合は，変形遷移帯域に立方体方位を有す
る再結晶核が生成し，その結果立方体方位粒を多く有す
る焼鈍板が得られるが,280℃を越えて仕上げ熱間圧延を
終了した場合は，結晶粒界近傍と変形遷移帯域の両者に
再結晶核が生成し，立方体方位粒だけでなくランダム方
位粒が生じるのでその分だけ，焼鈍板に含まれる立方体
方位粒の割合が低くなる。その結果，最終焼鈍箔の立方
体方位集積度が低下する。
由について説明する。すなわち,60mm厚さ以下から仕上
げ熱間圧延終了厚さ（一般的には３〜8mm厚さである）
までは３〜４パスで仕上げ熱間圧延が行われるが，仕上
げ熱間圧延温度を下げて行くと，歪エネルギーが高く蓄
積された領域が，結晶粒界近傍および粒内の変形遷移帯
に形成される。そして歪エネルギーは結晶粒界近傍の方
が変形遷移帯よりも高いので,2〜３パスの段階で結晶粒
界近傍にランダム方位を有する再結晶粒が発生する。そ
の様な状態で最終パスを280℃以下，望ましくは250〜28
0℃で終了させると，粒内の変形遷移帯域が最も歪エネ
ルギーが高くなる。一方,280℃を越えて仕上げ熱間圧延
を終了した場合は，結晶粒界近傍と変形遷移帯域とで歪
エネルギーの蓄積に差がなくなる。その結果，仕上げ熱
間圧延板を焼鈍した際,280℃以下の温度で仕上げ熱間圧
延を終了した場合は，変形遷移帯域に立方体方位を有す
る再結晶核が生成し，その結果立方体方位粒を多く有す
る焼鈍板が得られるが,280℃を越えて仕上げ熱間圧延を
終了した場合は，結晶粒界近傍と変形遷移帯域の両者に
再結晶核が生成し，立方体方位粒だけでなくランダム方
位粒が生じるのでその分だけ，焼鈍板に含まれる立方体
方位粒の割合が低くなる。その結果，最終焼鈍箔の立方
体方位集積度が低下する。
なおこの仕上げ圧延終了温度の下限については一般的
には常温程度となるが、これ以下でも差支えがなく、特
に限定する必要がない。
には常温程度となるが、これ以下でも差支えがなく、特
に限定する必要がない。
仕上げ熱間圧延板の焼鈍を,300〜380℃の温度範囲で
１〜12時間としたのは,300℃未満では再結晶が完了する
のに長時間を要し，変形遷移帯域からの優先的再結晶核
の生成が起こり難くなるからであり、また300℃以上で
も１時間未満では完全に再結晶が完了しないからであ
る。なお12時間以内に再結晶は完了するので12時間以上
焼鈍しても工業的に意味がなく、又焼鈍温度が380℃を
超えると、再結晶は急激に起こり、変形遷移帯域から優
先核生成が得られない。従って焼鈍は300〜380℃で１〜
12時間行う。
１〜12時間としたのは,300℃未満では再結晶が完了する
のに長時間を要し，変形遷移帯域からの優先的再結晶核
の生成が起こり難くなるからであり、また300℃以上で
も１時間未満では完全に再結晶が完了しないからであ
る。なお12時間以内に再結晶は完了するので12時間以上
焼鈍しても工業的に意味がなく、又焼鈍温度が380℃を
超えると、再結晶は急激に起こり、変形遷移帯域から優
先核生成が得られない。従って焼鈍は300〜380℃で１〜
12時間行う。
仕上げ熱間圧延の焼鈍後に行われる冷間圧延および箔
圧延は，従来から行われている工程でよい。圧下率は95
％以上となるのが普通である。また冷間圧延および箔圧
延の途中に中間焼鈍を入れることも可能で，中間焼鈍は
本発明の効果を阻害するものではない。最後に真空中ま
たは不活性雰囲気中で500℃以上の高温度で最終焼鈍が
行われるが，これも従来から行われているもので特に特
別の工程，条件を規定するものでない。
圧延は，従来から行われている工程でよい。圧下率は95
％以上となるのが普通である。また冷間圧延および箔圧
延の途中に中間焼鈍を入れることも可能で，中間焼鈍は
本発明の効果を阻害するものではない。最後に真空中ま
たは不活性雰囲気中で500℃以上の高温度で最終焼鈍が
行われるが，これも従来から行われているもので特に特
別の工程，条件を規定するものでない。
（実施例） 通常のDC鋳造によって第１表に示すような化学組成を
有し，厚さが400mm,幅が1000mmのスラブを得た。
有し，厚さが400mm,幅が1000mmのスラブを得た。
表１の化学組成を有するDCスラブを使用して，第２表
に示す条件で均質化処理と熱間圧延と焼鈍を行った後，
冷間圧延および箔圧延を施し，供試材Ａ−１からＡ−18
については104μｍ厚さ,B−１からＢ−４については90
μｍ厚さの箔地材を作成した。その箔に真空中で550℃
で４時間の最終焼鈍を行い，第３表に示す条件により電
解エッチングおよび化成処理をおこなった後，静電容量
および立方体集積度を測定して箔の品質を評価した。静
電容量測定は公知のブリッジ法によって行った。評価の
結果を第２表に示す。○印が合格と判定された。
に示す条件で均質化処理と熱間圧延と焼鈍を行った後，
冷間圧延および箔圧延を施し，供試材Ａ−１からＡ−18
については104μｍ厚さ,B−１からＢ−４については90
μｍ厚さの箔地材を作成した。その箔に真空中で550℃
で４時間の最終焼鈍を行い，第３表に示す条件により電
解エッチングおよび化成処理をおこなった後，静電容量
および立方体集積度を測定して箔の品質を評価した。静
電容量測定は公知のブリッジ法によって行った。評価の
結果を第２表に示す。○印が合格と判定された。
「発明の効果」 以上説明したように本発明に係わる電解コンデンサ陽
極用アルミニウム箔の製造方法によって，従来用いられ
てきたよりも低純度のアルミニウム地金を使用して，良
好な箔特性，すなわち高い立方体方位集積度，高い静電
容量並びに均一な特性分布を有する陽極箔を効率的に製
造できるので、工業的に効果の高い発明である。
極用アルミニウム箔の製造方法によって，従来用いられ
てきたよりも低純度のアルミニウム地金を使用して，良
好な箔特性，すなわち高い立方体方位集積度，高い静電
容量並びに均一な特性分布を有する陽極箔を効率的に製
造できるので、工業的に効果の高い発明である。
フロントページの続き (72)発明者 清水 遵 大阪府大阪市中央区久太郎町３丁目６番 ８号 東洋アルミニウム株式会社内 (72)発明者 目秦 将志 大阪府大阪市中央区久太郎町３丁目６番 ８号 東洋アルミニウム株式会社内 (72)発明者 足高 善也 大阪府大阪市中央区久太郎町３丁目６番 ８号 東洋アルミニウム株式会社内 (72)発明者 石井 秀彦 愛知県稲沢市小池１丁目11番１号 日本 軽金属株式会社名古屋工場内 (72)発明者 鈴木 利明 愛知県稲沢市小池１丁目11番１号 日本 軽金属株式会社名古屋工場内 (56)参考文献 特開 平２−270928（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−130340（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】電解コンデンサ用アルミニウム鋳塊に570
〜630℃の温度範囲で４〜24時間の均質化処理を施した
後，ただちにほぼ均質化処理温度で粗熱間圧延に着手
し,480〜530℃の温度で粗熱間圧延を終了し再結晶が完
了するまで放置し，その後仕上げ熱間圧延を行い,280℃
以下の温度で終了し、更に300〜380℃で１〜12時間の焼
鈍を行い，最後に常法によって冷間圧延、箔圧延および
最終焼鈍を行うことを特徴とする電解コンデンサ用アル
ミニウム箔の製造方法。 - 【請求項２】電解コンデンサ用アルミニウム鋳塊に570
〜630℃で４〜24時間の均質化処理を施した後，ただち
にほぼ均質化処理温度で粗熱間圧延に着手し,80％以上
の圧下率による粗熱間圧延を行い,480〜530℃の温度範
囲で粗熱間圧延を完了し,100〜200秒放置して再結晶を
完了させ，その後仕上げ熱間圧延を行い,280℃以下の温
度で終了し、更に300〜380℃で１〜12時間の焼鈍を行
い，最後に常法によって冷間圧延，箔圧延および最終焼
鈍を行うことを特徴とする電解コンデンサ用アルミニウ
ム箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2202587A JP2756861B2 (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2202587A JP2756861B2 (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0489118A JPH0489118A (ja) | 1992-03-23 |
| JP2756861B2 true JP2756861B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=16459956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2202587A Expired - Fee Related JP2756861B2 (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2756861B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2918172B2 (ja) | 1990-08-01 | 1999-07-12 | 日本軽金属株式会社 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3899479B2 (ja) * | 1997-07-25 | 2007-03-28 | 古河スカイ株式会社 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
| JP2012114020A (ja) | 2010-11-26 | 2012-06-14 | Ricoh Co Ltd | キー構造、そのキー構造を備えた画像形成装置及び情報処理装置 |
| CN102766831A (zh) * | 2012-08-01 | 2012-11-07 | 内蒙古包钢钢联股份有限公司 | 一种提高铝箔立方织构占有率的方法 |
| JP6802161B2 (ja) * | 2015-07-30 | 2020-12-16 | 昭和電工株式会社 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用電極材の製造方法、およびアルミニウム電解コンデンサの製造方法 |
-
1990
- 1990-08-01 JP JP2202587A patent/JP2756861B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2918172B2 (ja) | 1990-08-01 | 1999-07-12 | 日本軽金属株式会社 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0489118A (ja) | 1992-03-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3293081B2 (ja) | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔及びその製造方法 | |
| JP2756861B2 (ja) | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔の製造方法 | |
| JP2007046093A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔およびその製造方法 | |
| JPH07235457A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔及びそのエッチング方法 | |
| JP4094244B2 (ja) | 表層部組織に優れた銅箔製造ドラム用チタンおよびその製造方法 | |
| JP2970852B2 (ja) | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔の製造方法 | |
| JP4060493B2 (ja) | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔の製造方法 | |
| JP2945298B2 (ja) | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔地の製造方法 | |
| JPS58221265A (ja) | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔地材の製造方法 | |
| JP2918172B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法 | |
| JP2803762B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法 | |
| JP4650887B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 | |
| JPH11199992A (ja) | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム軟質箔の製造方法 | |
| JP2004076059A (ja) | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔及びその製造方法 | |
| JP2007169690A (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 | |
| JP3203678B2 (ja) | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔の製造方法 | |
| JP3370239B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム硬質薄板およびその製造方法 | |
| JP3203666B2 (ja) | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム合金箔の製造方法 | |
| JP3594858B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 | |
| JP4539911B2 (ja) | 電極コンデンサ陽極用アルミニウム箔およびその製造方法 | |
| JP3328796B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 | |
| JP2006144122A (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム材とその製造方法、電解コンデンサ用電極材の製造方法、電解コンデンサ用陽極材及びアルミニウム電解コンデンサ | |
| JP3244131B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔及びその製造方法 | |
| JP2007039771A (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム合金材及びその製造方法、電解コンデンサ用陽極材、電解コンデンサ用電極材の製造方法並びにアルミニウム電解コンデンサ | |
| JPH08337833A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |