JP3328796B2 - 電解コンデンサ用アルミニウム箔 - Google Patents
電解コンデンサ用アルミニウム箔Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電解コンデンサ用ア
ルミニウム箔の創案に係り、コンデンサとして組立てる
に当って充分な強度を有する電解コンデンサ用アルミニ
ウム箔を提供しようとするものである。
ルミニウム箔の創案に係り、コンデンサとして組立てる
に当って充分な強度を有する電解コンデンサ用アルミニ
ウム箔を提供しようとするものである。
【０００２】
【従来の技術】アルミニウム箔は、陽極酸化により表面
に耐電圧性の緻密な酸化皮膜が形成され誘電体として利
用できること、そしてさらに電気化学的にエッチングす
ることにより表面積を拡大できることを活用してコンデ
ンサとして利用されている。このコンデンサに利用され
るアルミニウムは陽極用箔においては純度９9.９７％以
上、好ましくは９9.９８％以上のアルミニウムをベース
とし、これにその他の有意または不純物元素を必要範囲
内において配合または規制して溶製し、脱ガスやフィル
ターなどによる不純物除去等の処理を施したのち、上下
が開放した水冷式鋳型を用いるＤＣ鋳造法で厚さ約５０
０ｍｍのスラブを鋳造し、次いで溶体化処理、熱間圧
延、冷間圧延して厚さ約0.３ｍｍの箔地となし、またそ
の途中で焼鈍再結晶させ、あるいは焼鈍なしで箔圧延し
て厚さが約0.１ｍｍ程度の電解コンデンサ用箔とされ
る。
に耐電圧性の緻密な酸化皮膜が形成され誘電体として利
用できること、そしてさらに電気化学的にエッチングす
ることにより表面積を拡大できることを活用してコンデ
ンサとして利用されている。このコンデンサに利用され
るアルミニウムは陽極用箔においては純度９9.９７％以
上、好ましくは９9.９８％以上のアルミニウムをベース
とし、これにその他の有意または不純物元素を必要範囲
内において配合または規制して溶製し、脱ガスやフィル
ターなどによる不純物除去等の処理を施したのち、上下
が開放した水冷式鋳型を用いるＤＣ鋳造法で厚さ約５０
０ｍｍのスラブを鋳造し、次いで溶体化処理、熱間圧
延、冷間圧延して厚さ約0.３ｍｍの箔地となし、またそ
の途中で焼鈍再結晶させ、あるいは焼鈍なしで箔圧延し
て厚さが約0.１ｍｍ程度の電解コンデンサ用箔とされ
る。
【０００３】上記したような製造過程における鋳造条件
は、鋳型下面からの鋳型内溶湯面の高さ（湯面高さとい
う）が６０〜８０ｍｍ、鋳造速度４０〜７０ｍｍ／min
でスラブを鋳造する。このようにして得られた箔は、エ
ッチング工程で電気化学的に両面から穿孔され表面積を
拡大し芯部を残すことによって箔としての強度を付与し
ている。さらに次の化成工程で処理液、処理条件を変え
て、誘電体酸化皮膜を電気化学的に形成させる。この場
合酸化皮膜をより良質なものとするために用途によって
はエッチング工程後酸化皮膜形成前に４００℃程度の温
度に加熱する場合がある。次いで製品幅に切断し、リー
ドを取付け、セパレート紙を挟み、捲き取って電解液を
含浸させてケースに入れ、封口材で封口する。その後電
圧を印加し、加工中につけた誘電体酸化皮膜の傷を修復
して完成品とされる。
は、鋳型下面からの鋳型内溶湯面の高さ（湯面高さとい
う）が６０〜８０ｍｍ、鋳造速度４０〜７０ｍｍ／min
でスラブを鋳造する。このようにして得られた箔は、エ
ッチング工程で電気化学的に両面から穿孔され表面積を
拡大し芯部を残すことによって箔としての強度を付与し
ている。さらに次の化成工程で処理液、処理条件を変え
て、誘電体酸化皮膜を電気化学的に形成させる。この場
合酸化皮膜をより良質なものとするために用途によって
はエッチング工程後酸化皮膜形成前に４００℃程度の温
度に加熱する場合がある。次いで製品幅に切断し、リー
ドを取付け、セパレート紙を挟み、捲き取って電解液を
含浸させてケースに入れ、封口材で封口する。その後電
圧を印加し、加工中につけた誘電体酸化皮膜の傷を修復
して完成品とされる。
【０００４】ところが、上記のような電解コンデンサ用
アルミニウム箔は、上述の如く製造され、加工されると
ころから良好なエッチング特性が求められる他に、コン
デンサの小型化指向によって巻き取り径が小さくなり、
巻き取りの際に、芯部の折れる所謂箔折れを起こし易く
なってきた。殊に前記のようにエッチング後において、
４００℃程度の温度に加熱して用いられる箔は、この４
００℃程度の温度に加熱することにより芯部強度が低下
し、上述の箔折れを起こす傾向が強くなり対策が求めら
れている。
アルミニウム箔は、上述の如く製造され、加工されると
ころから良好なエッチング特性が求められる他に、コン
デンサの小型化指向によって巻き取り径が小さくなり、
巻き取りの際に、芯部の折れる所謂箔折れを起こし易く
なってきた。殊に前記のようにエッチング後において、
４００℃程度の温度に加熱して用いられる箔は、この４
００℃程度の温度に加熱することにより芯部強度が低下
し、上述の箔折れを起こす傾向が強くなり対策が求めら
れている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記したような
従来技術における課題を解消することについて検討を重
ねた結果、エッチング前の箔中における特定の大きさの
ポロシティ密度に相違があってもエッチング後で加熱前
の箔強度は同じであるのに、このようなポロシティ密度
が前記したような箔折れに著しく影響していることを見
出し、本発明を完成したものであって、エッチング後４
００℃程度の温度に加熱処理して用いられる箔の折曲げ
強度を高めたものである。即ち、本発明は、アルミニウ
ム純度９９．９７％以上であり、エッチング後加熱して
用いられる箔であって、径が０．５μｍ以上である水素
ガスによって形成されるポロシティ分布密度が１５０個
／ｍｍ2以下であることを特徴とする電解コンデンサ用
アルミニウム箔である。
従来技術における課題を解消することについて検討を重
ねた結果、エッチング前の箔中における特定の大きさの
ポロシティ密度に相違があってもエッチング後で加熱前
の箔強度は同じであるのに、このようなポロシティ密度
が前記したような箔折れに著しく影響していることを見
出し、本発明を完成したものであって、エッチング後４
００℃程度の温度に加熱処理して用いられる箔の折曲げ
強度を高めたものである。即ち、本発明は、アルミニウ
ム純度９９．９７％以上であり、エッチング後加熱して
用いられる箔であって、径が０．５μｍ以上である水素
ガスによって形成されるポロシティ分布密度が１５０個
／ｍｍ2以下であることを特徴とする電解コンデンサ用
アルミニウム箔である。
【０００６】
【発明の実施の形態】上記したような本発明について更
に仔細を説明すると、本発明における陽極用材料として
はアルミニウム純度がｗｔ％で９9.９７％以上、更に好
ましくは９9.９８％以上がよい。即ち化成電圧５５０Ｖ
以下の高圧用箔は直流エッチングで粗面化され、また１
５０Ｖ以下の中低圧用箔は主として交流エッチングによ
って粗面化されるが、このときにアルミニウム純度が９
9.９７ｗｔ％未満であると、Si、Fe、Cu等の化合物の析
出を制御することが困難となり、化合物の影響でエッチ
ング中に発生する過溶解によって所望の静電容量を得る
ことができない。従って、陽極用材料のアルミニウム純
度は９9.９７ｗｔ％以上、より好ましくは、９9.９８ｗ
ｔ％以上である。
に仔細を説明すると、本発明における陽極用材料として
はアルミニウム純度がｗｔ％で９9.９７％以上、更に好
ましくは９9.９８％以上がよい。即ち化成電圧５５０Ｖ
以下の高圧用箔は直流エッチングで粗面化され、また１
５０Ｖ以下の中低圧用箔は主として交流エッチングによ
って粗面化されるが、このときにアルミニウム純度が９
9.９７ｗｔ％未満であると、Si、Fe、Cu等の化合物の析
出を制御することが困難となり、化合物の影響でエッチ
ング中に発生する過溶解によって所望の静電容量を得る
ことができない。従って、陽極用材料のアルミニウム純
度は９9.９７ｗｔ％以上、より好ましくは、９9.９８ｗ
ｔ％以上である。
【０００７】上記したようなエッチングした後に４００
℃程度に加熱して用いられる箔が、この４００℃程度の
温度に加熱されることにより芯部強度が低下する事実を
検討すると、結晶粒界は結晶粒内と比較すると水素ガス
などのミクロ物質が移動し易く、その結果アルミニウム
箔の結晶粒界に存在する微細なポロシティーの大きさ
は、結晶粒内のものより大きいものが多く存在する。然
してこのような状態のアルミニウム箔を４００℃程度の
温度に加熱すると、小さくてエネルギー的に不安定なポ
ロシティーは粒界あるいは亜粒界を経路として更により
大きく安定している結晶粒界上のポロシティーへと集合
して粒界を破壊し、大きなポロシティーとなることによ
って箔の折曲げ強度を低下させるものと推定される。
℃程度に加熱して用いられる箔が、この４００℃程度の
温度に加熱されることにより芯部強度が低下する事実を
検討すると、結晶粒界は結晶粒内と比較すると水素ガス
などのミクロ物質が移動し易く、その結果アルミニウム
箔の結晶粒界に存在する微細なポロシティーの大きさ
は、結晶粒内のものより大きいものが多く存在する。然
してこのような状態のアルミニウム箔を４００℃程度の
温度に加熱すると、小さくてエネルギー的に不安定なポ
ロシティーは粒界あるいは亜粒界を経路として更により
大きく安定している結晶粒界上のポロシティーへと集合
して粒界を破壊し、大きなポロシティーとなることによ
って箔の折曲げ強度を低下させるものと推定される。
【０００８】然して径で0.５μｍ未満の微細ポロシティ
ーはエネルギー的に不安定で、他のポロシティーと集合
できないので、その数が多くても折り曲げ強度を低下さ
せない。また、径で0.５μｍ以上のポロシティーの数が
１５０個／ｍｍ2 以上あるとエッチング後に４００℃程
度の温度に加熱することによって他のポロシティーが集
合し易くなって、折り曲げ強度の低下した箇所が多くな
り、工業上採用できなくなる。なお、このような事情に
ついて、さらに説明すると、箔中の上述したようなポロ
シティーはアルミニウム溶湯を鋳造した際に鋳塊中に形
成されるものであって、このポロシティーは溶湯中のガ
ス含有量に比例するものではなく、ガス含有量の低い溶
湯でも粗大なポロシティーを多く内在する。
ーはエネルギー的に不安定で、他のポロシティーと集合
できないので、その数が多くても折り曲げ強度を低下さ
せない。また、径で0.５μｍ以上のポロシティーの数が
１５０個／ｍｍ2 以上あるとエッチング後に４００℃程
度の温度に加熱することによって他のポロシティーが集
合し易くなって、折り曲げ強度の低下した箇所が多くな
り、工業上採用できなくなる。なお、このような事情に
ついて、さらに説明すると、箔中の上述したようなポロ
シティーはアルミニウム溶湯を鋳造した際に鋳塊中に形
成されるものであって、このポロシティーは溶湯中のガ
ス含有量に比例するものではなく、ガス含有量の低い溶
湯でも粗大なポロシティーを多く内在する。
【０００９】ところで、上述のポロシティーは、溶湯の
凝固時に晶出した水素によって形成されるが、その後の
圧延で完全には圧着されることなく、箔の最終焼鈍によ
って明瞭に確認できるようになる。その大きさは、５〜
１０μｍのものも存在するがその多くは５μｍ以下で、
２μｍ以下が殆どを占める。また、径が0.５〜２μｍの
ポロシティーの中には、アルミニウムカーバイドのよう
な非金属介在物が水素ガスの晶出核になっている場合も
多いことが認められる。
凝固時に晶出した水素によって形成されるが、その後の
圧延で完全には圧着されることなく、箔の最終焼鈍によ
って明瞭に確認できるようになる。その大きさは、５〜
１０μｍのものも存在するがその多くは５μｍ以下で、
２μｍ以下が殆どを占める。また、径が0.５〜２μｍの
ポロシティーの中には、アルミニウムカーバイドのよう
な非金属介在物が水素ガスの晶出核になっている場合も
多いことが認められる。
【００１０】上記したようなポロシティー制御について
は、前述したように、エッチング前の軟質箔中には微細
なポロシティーが存在し、これらは鋳造凝固時に形成さ
れるポロシティーに起因する。従って、箔中のポロシテ
ィーを制御するためには鋳造方法について検討すべきで
あり、即ち、水素の晶出によって形成されたポロシティ
ーの大きさは、鋳造時の成長速度、つまり、溶湯の冷却
速度および晶出核が介在物の場合は介在物の大きさに依
存するものと考えられる。例えば、冷却速度を速くすれ
ば、水素の局所的集中の前に溶湯の凝固が完了すること
によってポロシティーが微細化されることになる。
は、前述したように、エッチング前の軟質箔中には微細
なポロシティーが存在し、これらは鋳造凝固時に形成さ
れるポロシティーに起因する。従って、箔中のポロシテ
ィーを制御するためには鋳造方法について検討すべきで
あり、即ち、水素の晶出によって形成されたポロシティ
ーの大きさは、鋳造時の成長速度、つまり、溶湯の冷却
速度および晶出核が介在物の場合は介在物の大きさに依
存するものと考えられる。例えば、冷却速度を速くすれ
ば、水素の局所的集中の前に溶湯の凝固が完了すること
によってポロシティーが微細化されることになる。
【００１１】一般的にアルミニウムの鋳造として用いら
れるＤＣ鋳造の冷却においては、鋳型による１次冷却と
冷却水による２次冷却とがあるが、冷却速度を増加する
ためには、一次冷却能を高めるために鋳型の熱伝導率を
高くする（例えばCu鋳型の採用）、２次冷却能を高める
ために鋳造速度を上げたり、メタルの鋳型との有効接触
高さ（湯面高さ）を低くし、あるいは冷却水とメタルと
の界面に油等の薄膜が生成しないように冷却水の浄化等
の管理が有効である。もちろん凝固殻が破れて溶湯がも
れることのないように鋳型形状を含めた鋳造条件を適正
に設定しなければならない。また、可動鋳型鋳造機のよ
うな連続鋳造機によって速い冷却速度で鋳塊を作製する
ことも考えられるが、シニルが均一に形成されないの
で、エッチングが不均一となり良好なコンデンサ用箔が
得られない。径が0.５μｍ以上の介在物の除去には、鋳
造直前にフィルター等の濾過装置を使用することが有効
である。
れるＤＣ鋳造の冷却においては、鋳型による１次冷却と
冷却水による２次冷却とがあるが、冷却速度を増加する
ためには、一次冷却能を高めるために鋳型の熱伝導率を
高くする（例えばCu鋳型の採用）、２次冷却能を高める
ために鋳造速度を上げたり、メタルの鋳型との有効接触
高さ（湯面高さ）を低くし、あるいは冷却水とメタルと
の界面に油等の薄膜が生成しないように冷却水の浄化等
の管理が有効である。もちろん凝固殻が破れて溶湯がも
れることのないように鋳型形状を含めた鋳造条件を適正
に設定しなければならない。また、可動鋳型鋳造機のよ
うな連続鋳造機によって速い冷却速度で鋳塊を作製する
ことも考えられるが、シニルが均一に形成されないの
で、エッチングが不均一となり良好なコンデンサ用箔が
得られない。径が0.５μｍ以上の介在物の除去には、鋳
造直前にフィルター等の濾過装置を使用することが有効
である。
【００１２】上述のようにして鋳造され、且つ圧延され
たものは、最終焼鈍されて、径が0.５μｍ以上であるポ
ロシティーの密度を１５０個／ｍｍ2 以下に規制された
電解コンデンサ用アルミニウム箔が適切に得られ、この
ような電解コンデンサ用アルミニウム箔は、エッチング
後の加熱中にポロシティーの成長による粒界破壊の頻度
が低くなり、その結果、上述したような折曲げ強度の低
下が著しく少いものとなる。ポロシティーの好ましい密
度は１００個／ｍｍ2 以下、更に好ましくは６０個／ｍ
ｍ2 以下である。
たものは、最終焼鈍されて、径が0.５μｍ以上であるポ
ロシティーの密度を１５０個／ｍｍ2 以下に規制された
電解コンデンサ用アルミニウム箔が適切に得られ、この
ような電解コンデンサ用アルミニウム箔は、エッチング
後の加熱中にポロシティーの成長による粒界破壊の頻度
が低くなり、その結果、上述したような折曲げ強度の低
下が著しく少いものとなる。ポロシティーの好ましい密
度は１００個／ｍｍ2 以下、更に好ましくは６０個／ｍ
ｍ2 以下である。
【００１３】
【実施例】上記したような本発明によるものの具体的な
実施例について説明すると、Siが４０ppm 、Feが３０pp
m 、Cuが２０ppm 、アルミ純度が９9.９８％の組成を有
するスラブを次の表１に示したような条件により、ＤＣ
鋳造で鋳造した。
実施例について説明すると、Siが４０ppm 、Feが３０pp
m 、Cuが２０ppm 、アルミ純度が９9.９８％の組成を有
するスラブを次の表１に示したような条件により、ＤＣ
鋳造で鋳造した。
【００１４】
【表１】
【００１５】前記のようにして得られた厚さ５００mmの
各スラブは所定量面削した後に６００℃で１０時間の均
質化処理し、直ちに略均質化処理温度で熱間圧延を開始
し、常法に従った熱間圧延、冷間圧延によって厚さ９０
μｍの硬質箔とした。またその後これらの硬質箔に対し
不活性ガス中で３３０℃×５時間の熱処理を行って軟質
箔とした。
各スラブは所定量面削した後に６００℃で１０時間の均
質化処理し、直ちに略均質化処理温度で熱間圧延を開始
し、常法に従った熱間圧延、冷間圧延によって厚さ９０
μｍの硬質箔とした。またその後これらの硬質箔に対し
不活性ガス中で３３０℃×５時間の熱処理を行って軟質
箔とした。
【００１６】上記のようにして得られた軟質箔について
のポロシティー面密度の測定については、それぞれのエ
ッチング前の箔を下記するような条件で表面側から電解
研磨し、１ｍｍ2 当りの研磨面に存在する径が0.５μｍ
以上のビット量を測定しポロシティーの面密度とした。
なお、ポロシティーの形状および分布状態を別に確認す
るために、ミクロトームによって機械的に切断された箔
の断面の様子を走査型電子顕微鏡によって観察した。そ
の結果、電解研磨によって得られるビットは、形状が若
干丸くなっているものの、径および分布密度は機械的手
法で得られた断面の観察結果とほぼ一致することが確認
された。なお、析出物についてはその分布密度、サイズ
とも本発明に影響するレベルではなかった。 電解研磨液：エチルアルコール ３８５ｍｌ エチレングリコール・モノブチルエーテル ３５ｍｌ 過塩素酸 ４３ｍｌ 純水 ６６ｍｌ の混合液 液温度 ：０℃近傍 電流密度 ：１Ａ／ｃｍ2 研磨時間 ：５秒〜１８０秒
のポロシティー面密度の測定については、それぞれのエ
ッチング前の箔を下記するような条件で表面側から電解
研磨し、１ｍｍ2 当りの研磨面に存在する径が0.５μｍ
以上のビット量を測定しポロシティーの面密度とした。
なお、ポロシティーの形状および分布状態を別に確認す
るために、ミクロトームによって機械的に切断された箔
の断面の様子を走査型電子顕微鏡によって観察した。そ
の結果、電解研磨によって得られるビットは、形状が若
干丸くなっているものの、径および分布密度は機械的手
法で得られた断面の観察結果とほぼ一致することが確認
された。なお、析出物についてはその分布密度、サイズ
とも本発明に影響するレベルではなかった。 電解研磨液：エチルアルコール ３８５ｍｌ エチレングリコール・モノブチルエーテル ３５ｍｌ 過塩素酸 ４３ｍｌ 純水 ６６ｍｌ の混合液 液温度 ：０℃近傍 電流密度 ：１Ａ／ｃｍ2 研磨時間 ：５秒〜１８０秒
【００１７】電解エッチングおよび曲げ試験は、以下に
示すエッチング液およびエッチング条件で１〜３段目の
３段電解エッチングを行い、水洗・乾燥後、３５０℃×
２０分の熱処理を行った。その際、水洗乾燥後および熱
処理後の試料から１５ｍｍ幅の試験片を切り出し、それ
らの試験片に２４０ｇの荷重をかけ、１Ｒで９０°曲げ
試験を行って破断に至るまでの回数を測定した。また、
ｎ＝５の平均値を採用した。 エッチング液種： ３ｗｔ％ HCl─（Ａ） １２ｗｔ％ HCl＋３ｗｔ％ H2SO4＋１０ｗｔ％ AlCl3─
（Ｂ） 〔エッチング条件〕１段目 液種：（Ａ） 液温：４７℃ 波形：正弦波交流、周波数６０Ｈｚ 電流密度：１６０ｍＡ／ｃｍ2 電解時間：３０秒２段目 液種：（Ｂ） 液温：４０℃ 波形：正弦波交流（６０Ｈｚ）に直流を重畳、デューテ
ィー比0.８０ 電流密度：１６０ｍＡ／ｃｍ2 電解時間：７５秒３段目 液種：（Ｂ） 液温：４０℃ 波形：正弦波交流（６０Ｈｚ） 電流密度：１６０ｍＡ／ｃｍ2 電解時間：４２０秒
示すエッチング液およびエッチング条件で１〜３段目の
３段電解エッチングを行い、水洗・乾燥後、３５０℃×
２０分の熱処理を行った。その際、水洗乾燥後および熱
処理後の試料から１５ｍｍ幅の試験片を切り出し、それ
らの試験片に２４０ｇの荷重をかけ、１Ｒで９０°曲げ
試験を行って破断に至るまでの回数を測定した。また、
ｎ＝５の平均値を採用した。 エッチング液種： ３ｗｔ％ HCl─（Ａ） １２ｗｔ％ HCl＋３ｗｔ％ H2SO4＋１０ｗｔ％ AlCl3─
（Ｂ） 〔エッチング条件〕１段目 液種：（Ａ） 液温：４７℃ 波形：正弦波交流、周波数６０Ｈｚ 電流密度：１６０ｍＡ／ｃｍ2 電解時間：３０秒２段目 液種：（Ｂ） 液温：４０℃ 波形：正弦波交流（６０Ｈｚ）に直流を重畳、デューテ
ィー比0.８０ 電流密度：１６０ｍＡ／ｃｍ2 電解時間：７５秒３段目 液種：（Ｂ） 液温：４０℃ 波形：正弦波交流（６０Ｈｚ） 電流密度：１６０ｍＡ／ｃｍ2 電解時間：４２０秒
【００１８】上記したようにして求められた結果につい
ては次の表２に示す如くであり、このような結果から、
エッチング前のアルミニウム箔における径が0.５μｍ以
上のポロシティー面密度が１５０個／ｍｍ2 以下であれ
ば、エッチング・加熱後に一般的に３０〜５０％も高め
られた折曲げ強度を有するアルミニウム箔を得ることが
できることを確認した。特に0.５μｍ以上のポロシティ
ー面密度を１００個／ｍｍ2 未満とすることにより一般
的に５０回以上の折曲げ強度を得ることができることが
判る。
ては次の表２に示す如くであり、このような結果から、
エッチング前のアルミニウム箔における径が0.５μｍ以
上のポロシティー面密度が１５０個／ｍｍ2 以下であれ
ば、エッチング・加熱後に一般的に３０〜５０％も高め
られた折曲げ強度を有するアルミニウム箔を得ることが
できることを確認した。特に0.５μｍ以上のポロシティ
ー面密度を１００個／ｍｍ2 未満とすることにより一般
的に５０回以上の折曲げ強度を得ることができることが
判る。
【００１９】
【表２】
【００２０】
【発明の効果】以上説明したような本発明によるときは
この種電解コンデンサ用アルミニウム箔としてエッチン
グ工程後に４００℃程度の如きに加熱されるような条件
下においても芯部の強度を適切に確保し箔折れなどを起
すことのない高い曲げ強度の製品を的確に提供し、良好
なコンデンサ用箔を得しめるものであるから工業的にそ
の効果の大きい発明である。
この種電解コンデンサ用アルミニウム箔としてエッチン
グ工程後に４００℃程度の如きに加熱されるような条件
下においても芯部の強度を適切に確保し箔折れなどを起
すことのない高い曲げ強度の製品を的確に提供し、良好
なコンデンサ用箔を得しめるものであるから工業的にそ
の効果の大きい発明である。
フロントページの続き (72)発明者 片野 雅彦 静岡県庵原郡蒲原町蒲原１丁目34番１号 日本軽金属株式会社グループ技術セン ター内 (72)発明者 望月 博 静岡県庵原郡蒲原町蒲原161番地 日本 軽金属株式会社蒲原製造所内 (72)発明者 井上 雄志 静岡県庵原郡蒲原町蒲原161番地 日本 軽金属株式会社蒲原製造所内 審査官 竹井 文雄 (56)参考文献 特開 平５−200407（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 9/04 H01G 9/055 C22C 21/00
Claims (1)
- 【請求項１】 アルミニウム純度が９９．９７％以上で
あり、エッチング後加熱して用いられる箔であって、径
が０．５μｍ以上である水素ガスによって形成されるポ
ロシティーの分布面密度が１５０個／ｍｍ2以下である
ことを特徴とする電解コンデンサ用アルミニウム箔。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11209996A JP3328796B2 (ja) | 1996-04-10 | 1996-04-10 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11209996A JP3328796B2 (ja) | 1996-04-10 | 1996-04-10 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283382A JPH09283382A (ja) | 1997-10-31 |
| JP3328796B2 true JP3328796B2 (ja) | 2002-09-30 |
Family
ID=14578110
Family Applications (1)
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1996
- 1996-04-10 JP JP11209996A patent/JP3328796B2/ja not_active Expired - Lifetime
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