JP3348340B2 - 電解コンデンサ用アルミニウム硬質箔およびその製造方法 - Google Patents
電解コンデンサ用アルミニウム硬質箔およびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電解コンデンサ用ア
ルミニウム硬質箔およびその製造方法に係り、電解エッ
チングに際して表面むらが少なく、かつ電解液への溶解
性が低くて電解エッチング性の良好な電解コンデンサ用
アルミニウム硬質箔およびその好ましい製造方法に関す
るものである。
ルミニウム硬質箔およびその製造方法に係り、電解エッ
チングに際して表面むらが少なく、かつ電解液への溶解
性が低くて電解エッチング性の良好な電解コンデンサ用
アルミニウム硬質箔およびその好ましい製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】アルミニウムは、陽極酸化により表面に
耐電圧性の緻密な酸化皮膜が形成され誘電体として利用
できること、そしてさらに電気化学的にエッチングする
ことにより表面積を拡大できることを活かしてコンデン
サとして利用されている。このコンデンサに利用される
アルミニウムは陽極用箔においては高静電容量付与の関
係から純度９9.９７％以上、好ましくは９9.９８％以上
のアルミニウムをベースに、その他の有意または不純物
元素を必要範囲に配合溶製し、脱ガス、不純物除去等の
処理を施したのち、上下が開放した水冷式鋳型を用いる
ＤＣ鋳造法で厚さ約５００mmのスラブを鋳造し、溶体化
処理、熱間圧延、冷間圧延して厚さ約0.３mmの箔地とな
し、焼鈍再結晶させた後、あるいは焼鈍なしでさらに薄
く圧延して厚さ約0.１mmの電解コンデンサ用箔とされ
る。
耐電圧性の緻密な酸化皮膜が形成され誘電体として利用
できること、そしてさらに電気化学的にエッチングする
ことにより表面積を拡大できることを活かしてコンデン
サとして利用されている。このコンデンサに利用される
アルミニウムは陽極用箔においては高静電容量付与の関
係から純度９9.９７％以上、好ましくは９9.９８％以上
のアルミニウムをベースに、その他の有意または不純物
元素を必要範囲に配合溶製し、脱ガス、不純物除去等の
処理を施したのち、上下が開放した水冷式鋳型を用いる
ＤＣ鋳造法で厚さ約５００mmのスラブを鋳造し、溶体化
処理、熱間圧延、冷間圧延して厚さ約0.３mmの箔地とな
し、焼鈍再結晶させた後、あるいは焼鈍なしでさらに薄
く圧延して厚さ約0.１mmの電解コンデンサ用箔とされ
る。
【０００３】前記したようにして得られた箔は、酸系電
解液を用いたエッチング工程で電気化学的に両面から穿
孔されピットを多数形成して表面積を拡大し、芯部を残
すことによって箔としての強度を付与している。さらに
次の化成工程で処理液、条件を変えて、誘電体酸化皮膜
を電気化学的に形成させ、次いで製品幅に切断し、リー
ドを取り付け、セパレート紙を挟み、巻き取って電解液
を含浸してケースに入れ、封口材で封口するもので、そ
の後電圧を印加し、加工中に付けた誘電体酸化皮膜の傷
を修復して完成品とされる。
解液を用いたエッチング工程で電気化学的に両面から穿
孔されピットを多数形成して表面積を拡大し、芯部を残
すことによって箔としての強度を付与している。さらに
次の化成工程で処理液、条件を変えて、誘電体酸化皮膜
を電気化学的に形成させ、次いで製品幅に切断し、リー
ドを取り付け、セパレート紙を挟み、巻き取って電解液
を含浸してケースに入れ、封口材で封口するもので、そ
の後電圧を印加し、加工中に付けた誘電体酸化皮膜の傷
を修復して完成品とされる。
【０００４】ところで、電解コンデンサ用アルミニウム
箔は、上述の如く精密に製造され、加工されるところか
ら表面むらのない良好なエッチング特性が求められる他
に、コンデンサの小型化指向によって、箔の表面積を拡
大するためのエッチング条件が益々苛酷なものとなって
きた。特に陽極用に用いられる低圧コンデンサ用アルミ
ニウム硬質箔は、鋳塊を均質化処理後焼鈍処理すること
なく冷間圧延して製造され、表面積の拡大処理として特
に塩酸を主体とした電解液を用い交流電流でエッチング
される。近時箔の静電容量を上げるために、電解液中の
塩酸濃度を高くし、また箔が液中に存在する時間を長く
する傾向にある。
箔は、上述の如く精密に製造され、加工されるところか
ら表面むらのない良好なエッチング特性が求められる他
に、コンデンサの小型化指向によって、箔の表面積を拡
大するためのエッチング条件が益々苛酷なものとなって
きた。特に陽極用に用いられる低圧コンデンサ用アルミ
ニウム硬質箔は、鋳塊を均質化処理後焼鈍処理すること
なく冷間圧延して製造され、表面積の拡大処理として特
に塩酸を主体とした電解液を用い交流電流でエッチング
される。近時箔の静電容量を上げるために、電解液中の
塩酸濃度を高くし、また箔が液中に存在する時間を長く
する傾向にある。
【０００５】即ち、上記したような処理をすると箔の電
解液と接触した面は化学的な溶解量が多くなり、ピット
の形状を崩し静電容量の低下や残芯部の厚さ不足による
機械的強度不足をもたらすので、ピットの形状を崩さな
いため化学的な溶解量を少なくする必要があり、酸系電
解液に対する耐溶解性のあるアルミニウム箔が求められ
ている。また化学的な溶解はアルミニウム箔の不純物が
多いと促進されることが知られており、高純化の傾向に
ある。更に特開平４−３３３５４１号公報においては箔
の結晶方位の考察から（１１０）面に対する（１００）
面の比（１００）／（１１０）を特定値以下とした硬質
アルミニウム箔の提案がなされている。
解液と接触した面は化学的な溶解量が多くなり、ピット
の形状を崩し静電容量の低下や残芯部の厚さ不足による
機械的強度不足をもたらすので、ピットの形状を崩さな
いため化学的な溶解量を少なくする必要があり、酸系電
解液に対する耐溶解性のあるアルミニウム箔が求められ
ている。また化学的な溶解はアルミニウム箔の不純物が
多いと促進されることが知られており、高純化の傾向に
ある。更に特開平４−３３３５４１号公報においては箔
の結晶方位の考察から（１１０）面に対する（１００）
面の比（１００）／（１１０）を特定値以下とした硬質
アルミニウム箔の提案がなされている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】アルミニウム箔におけ
る結晶方位の考察から提案された上述のアルミニウム硬
質箔は耐化学的溶解性に関して効果があるが、低圧用ア
ルミニウム硬質箔はエッチング後に目視的な表面むらが
生じており、このような表面むらはエッチングに携わる
場合に好まれない欠点である。しかもさらにより化学的
な溶解量の少ない電解コンデンサ用アルミニウム硬質箔
が求められることは言うまでもない。
る結晶方位の考察から提案された上述のアルミニウム硬
質箔は耐化学的溶解性に関して効果があるが、低圧用ア
ルミニウム硬質箔はエッチング後に目視的な表面むらが
生じており、このような表面むらはエッチングに携わる
場合に好まれない欠点である。しかもさらにより化学的
な溶解量の少ない電解コンデンサ用アルミニウム硬質箔
が求められることは言うまでもない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記したような
従来技術における課題を解消することに成功したもの
で、即ち本発明者らは、低圧用アルミニウム硬質箔のエ
ッチング後の目視的な表面むらは鋳塊の均質化処理後の
結晶粒の残影であり、如何にこの残影を無くすかについ
て鋭意研究した結果、箔の結晶粒幅を0.４mm以下とした
硬質箔は、エッチング後に目視的な表面むらが生じない
ことを見出し、さらに箔の結晶粒幅をこのように0.４mm
以下とした硬質箔は結晶方位の種類の多い圧延集合組織
であって、このアルミニウム硬質箔の圧延集合組織中の
（２００）、（２２０）方位を除いたその他の結晶方位
中（３１１）方位が酸系電解液、特に塩酸系電解液に対
する溶解性を助長することを見出し本発明を完成したも
のであって、以下の如くである。
従来技術における課題を解消することに成功したもの
で、即ち本発明者らは、低圧用アルミニウム硬質箔のエ
ッチング後の目視的な表面むらは鋳塊の均質化処理後の
結晶粒の残影であり、如何にこの残影を無くすかについ
て鋭意研究した結果、箔の結晶粒幅を0.４mm以下とした
硬質箔は、エッチング後に目視的な表面むらが生じない
ことを見出し、さらに箔の結晶粒幅をこのように0.４mm
以下とした硬質箔は結晶方位の種類の多い圧延集合組織
であって、このアルミニウム硬質箔の圧延集合組織中の
（２００）、（２２０）方位を除いたその他の結晶方位
中（３１１）方位が酸系電解液、特に塩酸系電解液に対
する溶解性を助長することを見出し本発明を完成したも
のであって、以下の如くである。
【０００８】即ち、第１の発明は、アルミニウム純度が
９9.９７％以上であり、表面の結晶粒幅が0.４mm以下で
あって、かつ結晶方位の（３１１）面に対する（２２
０）面の反射Ｘ線強度比（２２０）／（３１１）が1.０
以上であることを特徴とする電解コンデンサ用アルミニ
ウム硬質箔であり、また第２の発明は、アルミニウム純
度が９9.９７％以上であり、表面の結晶粒幅が0.４mm以
下であって、かつ結晶方位の（２００）面および（３１
１）面に対する（２２０）面の反射Ｘ線強度比（２２
０）／｛（２００）＋（３１１）｝が1.０以上であるこ
とを特徴とする電解コンデンサ用アルミニウム硬質箔で
ある。更に第３の発明は、アルミニウム純度が９9.９７
％以上であり、表面の結晶粒幅が0.４mm以下であり、か
つ結晶方位の（２００）面、（２２０）面および（３１
１）面に対する（２２０）面の反射Ｘ線強度比（２２
０）／｛（２００）＋（２２０）＋（３１１）｝が0.４
以上であることを特徴とする電解コンデンサ用アルミニ
ウム硬質箔であり、第４の発明は、アルミニウム純度が
９9.９７％以上の鋳塊を均質化処理後熱間圧延し熱間圧
延板を得るに際し、熱間圧延中に２回以上再結晶を発生
させ、最終の再結晶を発生させる熱間圧延の圧延条件と
して、板の入り側の温度を４００℃以下として圧延を開
始し出側の温度を３１０℃以上の温度とし、しかる後焼
鈍処理することなく冷間圧延することを特徴とする電解
コンデンサ用アルミニウム硬質箔の製造方法である。
９9.９７％以上であり、表面の結晶粒幅が0.４mm以下で
あって、かつ結晶方位の（３１１）面に対する（２２
０）面の反射Ｘ線強度比（２２０）／（３１１）が1.０
以上であることを特徴とする電解コンデンサ用アルミニ
ウム硬質箔であり、また第２の発明は、アルミニウム純
度が９9.９７％以上であり、表面の結晶粒幅が0.４mm以
下であって、かつ結晶方位の（２００）面および（３１
１）面に対する（２２０）面の反射Ｘ線強度比（２２
０）／｛（２００）＋（３１１）｝が1.０以上であるこ
とを特徴とする電解コンデンサ用アルミニウム硬質箔で
ある。更に第３の発明は、アルミニウム純度が９9.９７
％以上であり、表面の結晶粒幅が0.４mm以下であり、か
つ結晶方位の（２００）面、（２２０）面および（３１
１）面に対する（２２０）面の反射Ｘ線強度比（２２
０）／｛（２００）＋（２２０）＋（３１１）｝が0.４
以上であることを特徴とする電解コンデンサ用アルミニ
ウム硬質箔であり、第４の発明は、アルミニウム純度が
９9.９７％以上の鋳塊を均質化処理後熱間圧延し熱間圧
延板を得るに際し、熱間圧延中に２回以上再結晶を発生
させ、最終の再結晶を発生させる熱間圧延の圧延条件と
して、板の入り側の温度を４００℃以下として圧延を開
始し出側の温度を３１０℃以上の温度とし、しかる後焼
鈍処理することなく冷間圧延することを特徴とする電解
コンデンサ用アルミニウム硬質箔の製造方法である。
【０００９】
【発明の実施の形態】上記したような本発明について、
更にその仔細を説明すると、電解コンデンサ用アルミニ
ウム硬質箔は鋳塊を均質化処理後焼鈍処理することなく
冷間圧延されて製箔されることから、均質化処理後の鋳
塊の結晶組織が箔にまで影響を及ぼすこととなる。即
ち、高い静電容量を付与できることから純度９9.９７％
以上、好ましくは９9.９８％以上のアルミニウムをベー
スに、Fe、Si、Cu、等の元素を必要範囲に配合または制
限して溶製し、脱ガス、不純物除去等の処理を施したの
ち、上下が開放した水冷式鋳型を用いるＤＣ鋳造法で厚
さ約５００mmのスラブを鋳造し、該鋳塊を６００〜６４
０℃程度の温度で溶体化される。ここで鋳塊は再結晶
し、この再結晶した鋳塊は次に熱間圧延される。この熱
間圧延は鋳塊を冷間圧延可能の厚さまで複数回圧延され
る。
更にその仔細を説明すると、電解コンデンサ用アルミニ
ウム硬質箔は鋳塊を均質化処理後焼鈍処理することなく
冷間圧延されて製箔されることから、均質化処理後の鋳
塊の結晶組織が箔にまで影響を及ぼすこととなる。即
ち、高い静電容量を付与できることから純度９9.９７％
以上、好ましくは９9.９８％以上のアルミニウムをベー
スに、Fe、Si、Cu、等の元素を必要範囲に配合または制
限して溶製し、脱ガス、不純物除去等の処理を施したの
ち、上下が開放した水冷式鋳型を用いるＤＣ鋳造法で厚
さ約５００mmのスラブを鋳造し、該鋳塊を６００〜６４
０℃程度の温度で溶体化される。ここで鋳塊は再結晶
し、この再結晶した鋳塊は次に熱間圧延される。この熱
間圧延は鋳塊を冷間圧延可能の厚さまで複数回圧延され
る。
【００１０】上記したような複数回の圧延の間に結晶粒
は圧延方向に延ばされ再結晶する時間的余裕の無い間に
熱間圧延が終了するが、圧延板の表面を平滑なものとす
るために熱間圧延板の両端が切断されるような場合は、
この両端切断作業の間に再結晶が終了する。本発明者等
は硬質箔のエッチング後の表面むらがこの再結晶と非常
に関係があることを見出したことは上述したとおりであ
るが、この再結晶粒の幅がさらに重要であって、その幅
が0.４mm以下であればエッチング後の表面むらが解消す
ることを見出した。然して再結晶粒幅を0.４mm以下にす
るには、熱間圧延における再結晶を少なくとも２回発生
させる処理が必要であることも発明者らが確認した。こ
のような再結晶を発生させる好ましい条件は、最終の再
結晶を発生させる熱間圧延条件として、板の温度が４０
０℃以下で圧延を開始し、３１０℃以上の温度で終了す
ることである。
は圧延方向に延ばされ再結晶する時間的余裕の無い間に
熱間圧延が終了するが、圧延板の表面を平滑なものとす
るために熱間圧延板の両端が切断されるような場合は、
この両端切断作業の間に再結晶が終了する。本発明者等
は硬質箔のエッチング後の表面むらがこの再結晶と非常
に関係があることを見出したことは上述したとおりであ
るが、この再結晶粒の幅がさらに重要であって、その幅
が0.４mm以下であればエッチング後の表面むらが解消す
ることを見出した。然して再結晶粒幅を0.４mm以下にす
るには、熱間圧延における再結晶を少なくとも２回発生
させる処理が必要であることも発明者らが確認した。こ
のような再結晶を発生させる好ましい条件は、最終の再
結晶を発生させる熱間圧延条件として、板の温度が４０
０℃以下で圧延を開始し、３１０℃以上の温度で終了す
ることである。
【００１１】上述したような再結晶がエッチング後の表
面むらを解消するのは次のように考えられる。即ち複数
回の圧延の間に鋳塊の結晶粒は圧延方向に延ばされる
が、再結晶させることによりこの圧延方向に延ばされた
結晶粒の粒界および粒内から新しい再結晶粒が発生す
る。このときの再結晶においては圧延による加工歪が再
結晶の核となるため圧延前鋳塊における結晶粒よりサイ
ズが小さく、かつ鋳塊結晶粒の再結晶はもとの粒界を消
滅させていくことになる。このようにして表面むらの原
因である鋳塊組織の残影は解消されていくが、鋳塊の結
晶粒界に沿った結晶粒が直線状に残るため１回の再結晶
では表面むら解消の効果は充分に得られない。
面むらを解消するのは次のように考えられる。即ち複数
回の圧延の間に鋳塊の結晶粒は圧延方向に延ばされる
が、再結晶させることによりこの圧延方向に延ばされた
結晶粒の粒界および粒内から新しい再結晶粒が発生す
る。このときの再結晶においては圧延による加工歪が再
結晶の核となるため圧延前鋳塊における結晶粒よりサイ
ズが小さく、かつ鋳塊結晶粒の再結晶はもとの粒界を消
滅させていくことになる。このようにして表面むらの原
因である鋳塊組織の残影は解消されていくが、鋳塊の結
晶粒界に沿った結晶粒が直線状に残るため１回の再結晶
では表面むら解消の効果は充分に得られない。
【００１２】したがって上述したような現象を確実なも
のとするためには少くとも２回以上、好ましくは３回以
上、さらに好ましくは４回以上再結晶させることが肝要
である。この場合の熱間圧延条件は上述したように、最
終の再結晶を発生させる熱間圧延の圧延条件として板の
入側における温度を４００℃以下で圧延を開始し、出側
の温度を３１０℃以上の温度で終了するもので、このよ
うにすると好ましく表面むらを解消できる。
のとするためには少くとも２回以上、好ましくは３回以
上、さらに好ましくは４回以上再結晶させることが肝要
である。この場合の熱間圧延条件は上述したように、最
終の再結晶を発生させる熱間圧延の圧延条件として板の
入側における温度を４００℃以下で圧延を開始し、出側
の温度を３１０℃以上の温度で終了するもので、このよ
うにすると好ましく表面むらを解消できる。
【００１３】上記のような熱間圧延温度が前記範囲であ
る理由は、再結晶温度が４００℃を超えると、不純物が
少いため結晶粒は粗大化し、その幅が0.４mmを超えてし
まい、また出側温度が３１０℃未満であると熱間圧延中
に再結晶の駆動力である歪がある程度解放され、このよ
うに駆動力の解放された状態の板では再結晶が発生しな
いことによるものである。然して２回以上の再結晶では
鋳塊の結晶粒界に沿って発生した結晶粒の粒内および粒
界から結晶粒が発生し、更に粒内、粒界上の再結晶を繰
返すことによって鋳塊における結晶組織残影は適切に消
滅する。このような結果として結晶粒幅は細かくなり、
この細かさが目視的な表面むらを解消させるものと推定
される。
る理由は、再結晶温度が４００℃を超えると、不純物が
少いため結晶粒は粗大化し、その幅が0.４mmを超えてし
まい、また出側温度が３１０℃未満であると熱間圧延中
に再結晶の駆動力である歪がある程度解放され、このよ
うに駆動力の解放された状態の板では再結晶が発生しな
いことによるものである。然して２回以上の再結晶では
鋳塊の結晶粒界に沿って発生した結晶粒の粒内および粒
界から結晶粒が発生し、更に粒内、粒界上の再結晶を繰
返すことによって鋳塊における結晶組織残影は適切に消
滅する。このような結果として結晶粒幅は細かくなり、
この細かさが目視的な表面むらを解消させるものと推定
される。
【００１４】前記した熱間圧延の終了した熱間圧延板は
次に冷間圧延され硬質箔とされるが、上述のように再結
晶を複数回発生させた硬質アルミニウム箔の圧延集合組
織は、（２００）（２２０）ばかりでなく（１１１）
（３１１）（４２２）等多種の結晶方位面を有するもの
であって、それらの中で（２００）はアルミニウム箔に
酸溶解性を付与し、（２２０）は耐酸溶解性を付与する
ものであることは知られている。然しこの特定結晶方位
だけでは再結晶を複数回発生させたアルミニウム硬質箔
の酸溶解性を規定することはできない。何故ならば、
（２００）（２２０）以外の上述の結晶方位面の中（３
１１）は酸溶解性を著しく付与するところから、（３１
１）の存在量によっては箔中の（２００）（２２０）の
量的割合を規定しただけでは酸溶解性を規定することは
できないからである。
次に冷間圧延され硬質箔とされるが、上述のように再結
晶を複数回発生させた硬質アルミニウム箔の圧延集合組
織は、（２００）（２２０）ばかりでなく（１１１）
（３１１）（４２２）等多種の結晶方位面を有するもの
であって、それらの中で（２００）はアルミニウム箔に
酸溶解性を付与し、（２２０）は耐酸溶解性を付与する
ものであることは知られている。然しこの特定結晶方位
だけでは再結晶を複数回発生させたアルミニウム硬質箔
の酸溶解性を規定することはできない。何故ならば、
（２００）（２２０）以外の上述の結晶方位面の中（３
１１）は酸溶解性を著しく付与するところから、（３１
１）の存在量によっては箔中の（２００）（２２０）の
量的割合を規定しただけでは酸溶解性を規定することは
できないからである。
【００１５】従って酸溶解性を規定するには（３１１）
を考慮する必要があり、本発明者等の種々研究結果から
して結晶方位の（３１１）面に対する（２２０）面の反
射Ｘ線強度比（２２０）／（３１１）が1.０以上である
こと、または結晶方位の（２００）面および（３１１）
面に対する（２２０）面の反射Ｘ線強度比（２２０）／
｛（２００）＋（３１１）｝が1.０以上であること、ま
たは結晶方位の（２００）面、（２２０）面および（３
１１）面に対する（２２０）面の反射Ｘ線強度比（２２
０）／｛（２００）＋（２２０）＋（３１１）｝が0.４
以上であることにより酸溶解性に優れたアルミニウム硬
質箔の得られることを見出した。
を考慮する必要があり、本発明者等の種々研究結果から
して結晶方位の（３１１）面に対する（２２０）面の反
射Ｘ線強度比（２２０）／（３１１）が1.０以上である
こと、または結晶方位の（２００）面および（３１１）
面に対する（２２０）面の反射Ｘ線強度比（２２０）／
｛（２００）＋（３１１）｝が1.０以上であること、ま
たは結晶方位の（２００）面、（２２０）面および（３
１１）面に対する（２２０）面の反射Ｘ線強度比（２２
０）／｛（２００）＋（２２０）＋（３１１）｝が0.４
以上であることにより酸溶解性に優れたアルミニウム硬
質箔の得られることを見出した。
【００１６】前記（３１１）方位の結晶を少なくするに
は、例えば上述の熱間圧延に於ける複数回の再結晶処理
における最終の再結晶処理を、板の入り側の温度４００
℃以下で圧延を開始し、出側の温度を３１０℃以上の温
度とすることである。その他の方法としては、熱間圧延
の速度、熱間圧延の板温度の組み合わせによって達成さ
せることができる。したがって、エッチングに際して表
面むらがなく、耐酸性の優れた電解コンデンサ用硬質ア
ルミニウム箔を製造するには、エッチングの際に生じる
上述の表面むらの解消条件と（３１１）方位を少なくす
る熱間圧延条件を組み合わせると、熱間圧延中に２回以
上の再結晶を発生させ、最終の再結晶を発生させる熱間
圧延の圧延条件として、板の入り側温度を４００℃以下
で圧延を開始し、出側の温度を３１０℃以上とすること
となる。請求項１の（２２０）／（３１１）及び請求項
２の（２２０）／｛（２００）＋（３１１）｝の上限値
は表面むらのない箔を得るという実際の操業上において
3.５〜4.０程度となるが、理想的な条件を把握すれば本
発明において得られる理論的上限値は無限大となる。ま
た、同様に請求項３の（２２０）／｛（２００）＋（２
２０）＋（３１１）｝の実際の操業上の上限値は0.９程
度であるが、本発明における理論的上限値は１である。
は、例えば上述の熱間圧延に於ける複数回の再結晶処理
における最終の再結晶処理を、板の入り側の温度４００
℃以下で圧延を開始し、出側の温度を３１０℃以上の温
度とすることである。その他の方法としては、熱間圧延
の速度、熱間圧延の板温度の組み合わせによって達成さ
せることができる。したがって、エッチングに際して表
面むらがなく、耐酸性の優れた電解コンデンサ用硬質ア
ルミニウム箔を製造するには、エッチングの際に生じる
上述の表面むらの解消条件と（３１１）方位を少なくす
る熱間圧延条件を組み合わせると、熱間圧延中に２回以
上の再結晶を発生させ、最終の再結晶を発生させる熱間
圧延の圧延条件として、板の入り側温度を４００℃以下
で圧延を開始し、出側の温度を３１０℃以上とすること
となる。請求項１の（２２０）／（３１１）及び請求項
２の（２２０）／｛（２００）＋（３１１）｝の上限値
は表面むらのない箔を得るという実際の操業上において
3.５〜4.０程度となるが、理想的な条件を把握すれば本
発明において得られる理論的上限値は無限大となる。ま
た、同様に請求項３の（２２０）／｛（２００）＋（２
２０）＋（３１１）｝の実際の操業上の上限値は0.９程
度であるが、本発明における理論的上限値は１である。
【００１７】本発明における上述の結晶方位は、反射Ｘ
線強度で測定したものであって、以下の方法によるもの
である。箔のＣｕＫα（アルファ）線による反射Ｘ線強
度測定において、Al（２００）、（２２０）、（３１
１）の位置に検出器を固定し、試料を８０rpm で面内回
転させながら、１０°／分のスキャンスピードでそれぞ
れの方位の±１０°の範囲で試料を回転させて、その間
0.０２°間隔で計測した全計測値をそれぞれの方位の集
積度として得た。なお、測定中の電圧は３０kV、電流は
２０mA、スリット幅は発散スリット１°、受光スリット
0.３mmである。また、測定の繰り返し数を５回とし、平
均値を求めた。
線強度で測定したものであって、以下の方法によるもの
である。箔のＣｕＫα（アルファ）線による反射Ｘ線強
度測定において、Al（２００）、（２２０）、（３１
１）の位置に検出器を固定し、試料を８０rpm で面内回
転させながら、１０°／分のスキャンスピードでそれぞ
れの方位の±１０°の範囲で試料を回転させて、その間
0.０２°間隔で計測した全計測値をそれぞれの方位の集
積度として得た。なお、測定中の電圧は３０kV、電流は
２０mA、スリット幅は発散スリット１°、受光スリット
0.３mmである。また、測定の繰り返し数を５回とし、平
均値を求めた。
【００１８】また化学溶解性の評価は次の方法によっ
た。表面酸化皮膜の影響を避けるため、箔を常温の希フ
ッ酸水溶液に２０秒浸せきし、その後以下の条件で化学
溶解性（対酸性）を評価した。 液組成 ：２３６０cc塩酸、２６４０cc純水 液温 ：８０℃ 浸せき時間：１８０秒
た。表面酸化皮膜の影響を避けるため、箔を常温の希フ
ッ酸水溶液に２０秒浸せきし、その後以下の条件で化学
溶解性（対酸性）を評価した。 液組成 ：２３６０cc塩酸、２６４０cc純水 液温 ：８０℃ 浸せき時間：１８０秒
【００１９】更に表面むらの判定および結晶粒幅の
測定はそれぞれ次の方法によった。 表面むら判定 箔を常温の希フッ酸水溶液に２０秒浸漬後、５０℃の８
％ＨCl、１％H2SO4 の混酸溶液中において、３００mA／
cm2 の電流密度で周波数２０Hzの交流電解を６０秒行
い、表面むらを目視で判定した。 結晶粒幅の測定 箔を電解研磨し、ホウフッ酸溶液中で陽極酸化後、光学
顕微鏡に偏光レンズを用いて結晶粒を観察した。その
後、写真から試料における結晶粒の最大幅を求めた。
測定はそれぞれ次の方法によった。 表面むら判定 箔を常温の希フッ酸水溶液に２０秒浸漬後、５０℃の８
％ＨCl、１％H2SO4 の混酸溶液中において、３００mA／
cm2 の電流密度で周波数２０Hzの交流電解を６０秒行
い、表面むらを目視で判定した。 結晶粒幅の測定 箔を電解研磨し、ホウフッ酸溶液中で陽極酸化後、光学
顕微鏡に偏光レンズを用いて結晶粒を観察した。その
後、写真から試料における結晶粒の最大幅を求めた。
【００２０】
【実施例】本発明によるものの具体的実施例について説
明すると、本発明者等は次の表１に示すような組成のア
ルミニウム溶湯を準備し、ＤＣ鋳造して厚さ５００mmの
鋳塊とした。
明すると、本発明者等は次の表１に示すような組成のア
ルミニウム溶湯を準備し、ＤＣ鋳造して厚さ５００mmの
鋳塊とした。
【００２１】
【表１】
【００２２】上記のようにして得られた鋳塊は、次いで
これを６００℃の温度で４時間の均質化処理をなし、こ
れを次の表２に示すような種々の条件で熱間圧延をな
し、然る後焼鈍処理することなく厚さ９０μm のアルミ
ニウム硬質箔とした。得られた硬質箔について化学溶解
性と反射Ｘ線強度を前述したような測定方法によって測
定した結果は次の表２に示す如くであった。
これを６００℃の温度で４時間の均質化処理をなし、こ
れを次の表２に示すような種々の条件で熱間圧延をな
し、然る後焼鈍処理することなく厚さ９０μm のアルミ
ニウム硬質箔とした。得られた硬質箔について化学溶解
性と反射Ｘ線強度を前述したような測定方法によって測
定した結果は次の表２に示す如くであった。
【００２３】
【表２】
【００２４】即ちこの表２において試験番号１のものは
熱間圧延中の再結晶回数が１回であって比較例であり、
試験番号２と３のものはこの熱間圧延中における再結晶
回数が２回。試験番号４と５のものは３回であって本発
明方法の条件を満足した発明例であり、試験番号６と７
のものは熱間圧延中再結晶回数が何れも２回であるけれ
ども最終の再結晶を発生させる熱間圧延条件としての板
の温度が本発明の温度条件を満足しない比較例であって
表面むら、化学溶解量などが何れも本発明のものより劣
っており、反射Ｘ線強度比などにおいても試験番号１の
ものより低い。
熱間圧延中の再結晶回数が１回であって比較例であり、
試験番号２と３のものはこの熱間圧延中における再結晶
回数が２回。試験番号４と５のものは３回であって本発
明方法の条件を満足した発明例であり、試験番号６と７
のものは熱間圧延中再結晶回数が何れも２回であるけれ
ども最終の再結晶を発生させる熱間圧延条件としての板
の温度が本発明の温度条件を満足しない比較例であって
表面むら、化学溶解量などが何れも本発明のものより劣
っており、反射Ｘ線強度比などにおいても試験番号１の
ものより低い。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したような本発明によるときは
電解エッチングに際して表面むらが少く、また電解液へ
の溶解性が低くて電解エッチング性の良好な電解コンデ
ンサ用アルミニウム硬質箔を提供し、またその好ましい
製造方法を確立して近時におけるコンデンサの小型化指
向に即応した製品を適切に提供し得るものであるから工
業的にその効果の大きい発明である。
電解エッチングに際して表面むらが少く、また電解液へ
の溶解性が低くて電解エッチング性の良好な電解コンデ
ンサ用アルミニウム硬質箔を提供し、またその好ましい
製造方法を確立して近時におけるコンデンサの小型化指
向に即応した製品を適切に提供し得るものであるから工
業的にその効果の大きい発明である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片野 雅彦 静岡県庵原郡蒲原町蒲原１丁目34番１号 日本軽金属株式会社グループ技術セン ター内 (72)発明者 小菅 張弓 愛知県稲沢市小池１丁目11番１号 日本 軽金属株式会社名古屋工場内 (56)参考文献 特開 平４−333541（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−181146（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C22C 21/00 - 21/18 C22F 1/04 - 1/057 H01G 9/042,9/055
Claims (4)
- 【請求項１】 アルミニウム純度が９9.９７％以上で、
表面の結晶粒幅が0.４mm以下であり、かつ結晶方位の
（３１１）面に対する（２２０）面の反射Ｘ線強度比
（２２０）／（３１１）が1.０以上であることを特徴と
した電解コンデンサ用アルミニウム硬質箔。 - 【請求項２】 アルミニウム純度が９9.９７％以上で、
表面の結晶粒幅が0.４mm以下であり、かつ結晶方位の
（２００）面および（３１１）面に対する（２２０）面
の反射Ｘ線強度比（２２０）／｛（２００）＋（３１
１）｝が1.０以上であることを特徴とした電解コンデン
サ用アルミニウム硬質箔。 - 【請求項３】 アルミニウム純度が９9.９７％以上で、
表面の結晶粒幅が0.４mm以下であり、かつ結晶方位の
（２００）面、（２２０）面および（３１１）面に対す
る（２２０）面の反射Ｘ線強度比（２２０）／｛（２０
０）＋（２２０）＋（３１１）｝が0.４以上であること
を特徴とした電解コンデンサ用アルミニウム硬質箔。 - 【請求項４】 アルミニウム純度が９9.９７％以上の鋳
塊を均質化処理後熱間圧延し熱間圧延板を得るに際し、
熱間圧延中に２回以上の再結晶を発生させ、最終の再結
晶を発生させる熱間圧延の圧延条件を、板の入り側の温
度を４００℃以下で圧延を開始し出側の温度を３１０℃
以上の温度とし、しかる後焼鈍処理することなく冷間圧
延することを特徴とした電解コンデンサ用アルミニウム
硬質箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14848096A JP3348340B2 (ja) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | 電解コンデンサ用アルミニウム硬質箔およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14848096A JP3348340B2 (ja) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | 電解コンデンサ用アルミニウム硬質箔およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09310136A JPH09310136A (ja) | 1997-12-02 |
| JP3348340B2 true JP3348340B2 (ja) | 2002-11-20 |
Family
ID=15453704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14848096A Expired - Lifetime JP3348340B2 (ja) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | 電解コンデンサ用アルミニウム硬質箔およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3348340B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3899479B2 (ja) * | 1997-07-25 | 2007-03-28 | 古河スカイ株式会社 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
| JP5112630B2 (ja) * | 2004-12-21 | 2013-01-09 | 昭和電工株式会社 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用陽極材及びアルミニウム電解コンデンサ |
| JP2012144809A (ja) * | 2005-05-31 | 2012-08-02 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用陽極材及びアルミニウム電解コンデンサ |
| KR20110017761A (ko) * | 2009-08-14 | 2011-02-22 | 에스비리모티브 주식회사 | 이차 전지용 전극판 및 이를 포함하는 이차 전지 |
-
1996
- 1996-05-21 JP JP14848096A patent/JP3348340B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09310136A (ja) | 1997-12-02 |
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