TWI754025B - 矽晶圓的研磨方法 - Google Patents

矽晶圓的研磨方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI754025B
TWI754025B TW107109260A TW107109260A TWI754025B TW I754025 B TWI754025 B TW I754025B TW 107109260 A TW107109260 A TW 107109260A TW 107109260 A TW107109260 A TW 107109260A TW I754025 B TWI754025 B TW I754025B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
polishing
polishing cloth
cloth
silicon wafer
surface temperature
Prior art date
Application number
TW107109260A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201839837A (zh
Inventor
田中佑宜
上濱直紀
Original Assignee
日商信越半導體股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商信越半導體股份有限公司 filed Critical 日商信越半導體股份有限公司
Publication of TW201839837A publication Critical patent/TW201839837A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI754025B publication Critical patent/TWI754025B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02024—Mirror polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B24B37/015—Temperature control
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

本發明提供一種矽晶圓的研磨方法，包含：一第一研磨步驟，係在貼附於定盤之研磨布上供給含磨粒之鹼性水溶液，並使研磨頭所承載之矽晶圓的表面滑接於該研磨布而研磨；以及一第二研磨步驟，係在該研磨布供給未含磨粒而含有高分子聚合物之鹼性水溶液，並使該矽晶圓的表面滑接於該研磨布而研磨，其中，以使該第二研磨步驟中的該研磨布的表面溫度成為高於該第一研磨步驟中的該研磨布的表面溫度2℃以上的方式，控制該研磨布的表面溫度而進行該矽晶圓的研磨。藉此提供兼顧高平坦度（Flatness）及表面粗糙度減低的矽晶圓的研磨方法。

Description

矽晶圓的研磨方法
本發明係關於一種矽晶圓的研磨方法。
近年來，半導體元件的小型輕量化、高度積體化引人注目，是故成為母體之晶圓的高品質化及大尺寸化與時俱進，亦出現直徑超過300mm者，要求之晶圓的平坦度及表面粗糙度日益嚴苛。
以往的研磨方法之中，主要使用貼附研磨布的定盤、將晶圓自背面側承載的研磨頭、以及具備供給研磨漿之噴嘴的研磨裝置，使定盤及研磨頭旋轉，再於研磨布上提供研磨漿，並經由研磨頭將晶圓的表面滑接於研磨布而進行研磨(參考專利文獻1)。
以往實施之研磨由以下所構成：第一段，為了造就晶圓的平坦性(Flatness)而供給含磨粒之研磨漿並加工；第二段，為了造就晶圓的表面狀態(粗糙度、傷痕、顆粒等)而供給未含磨粒而含有高分子聚合物之研磨漿並加工。另外，在這種複數段的研磨實施的方式中，定盤轉速等的研磨條件始終為固定。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕 特開2001-334454號公報
本發明人等係於迄今為止的研究中，發現進行上述第一段及第二段所構成之研磨時，以定盤轉速為軸，於研磨前後的△ESFQRmax及表面粗糙度之間具有抵換(Trade off)的關係(圖3)。再者，圖3係表示以定盤轉速3倍速的場合為基準的表面粗糙度的相對值(左軸)以及△ESFQRmax(Edge Flatness)的相對值(右軸)的圖。但即便關係如此，吾人始終尋求使兩者品質良好的技術。
有鑑於上述問題點，本發明之目的係提供一種矽晶圓的研磨方法，能兼顧平坦度(Flatness)及表面粗糙度的改善。
為解決上述問題，本發明提供一種矽晶圓的研磨方法，該研磨方法包含下列步驟：一第一研磨步驟，係在貼附於定盤之研磨布上供給含磨粒之鹼性水溶液，並使研磨頭所承載之矽晶圓的表面滑接於該研磨布而研磨；以及一第二研磨步驟，係在該研磨布供給未含磨粒而含有高分子聚合物之鹼性水溶液，並使該矽晶圓的表面滑接於該研磨布而研磨，其中，以使該第二研磨步驟中的該研磨布的表面溫度成為高於該第一研磨步驟中的該研磨布的表面溫度2℃以上的方式，控制該研磨布的表面溫度而進行該矽晶圓的研磨。
如此藉由使第二研磨步驟中的研磨布的表面溫度高於第一研磨步驟2℃以上而研磨，能得到高平坦度(Flatness)及表面粗糙度減低的兩者兼具的矽晶圓。
再者，該研磨布的表面溫度的控制，係在以紅外線取得研磨布的表面溫度的同時進行為佳。
這種作法，能更正確地進行研磨布的表面溫度的控制。
又於此時，該研磨布的表面溫度的控制，係藉由控制該定盤的轉速以及在該定盤流動的冷卻水的流量及溫度中的至少一項而進行為佳。
依此進行研磨布的表面溫度的控制，能容易地以使第二研磨步驟中的研磨布的表面溫度成為高於第一研磨步驟中的研磨布的表面溫度2℃以上的方式進行控制。
若為本發明之矽晶圓的研磨方法，能得到高平坦度(Flatness)及表面粗糙度減低皆達成之矽晶圓。
1:研磨布
2:定盤
3:研磨頭
4:噴嘴
10:單面研磨機
W:矽晶圓
圖1係表示於實施例1及2之研磨布的表面溫度的推移的圖。
圖2係表示能用於本發明的矽晶圓的研磨方法的單面研磨機的一範例的概略圖。
圖3係表示△ESFQRmax與表面粗糙度之間的抵換(Trade off)的關係的圖。
如上所述，一直以來，吾人不斷尋求一種能兼顧高平坦度(Flatness)及表面粗糙度減低的矽晶圓的研磨方法。
本發明人等藉由進一步的研究，結果找出：對平坦度而言，供給僅含磨粒之鹼性水溶液之第一段的研磨溫度(第一研磨步驟中的研磨布的表面溫度)具有支配性影響；對表面粗糙度而言，供給僅含高分子聚合物之鹼性水溶液之第二段的研磨溫度(第二研磨步驟中的研磨布的表面溫度)具有支配性影響。於是，求得以紅外線監控研磨布的表面溫度，以相較於第一研磨步驟中的研磨布的表面溫度使第二研磨步驟中的研磨布的表面溫度的溫度成為高的方式研磨，而達成平坦度(Flatness)及表面粗糙度皆改善的條件。
接著，本發明人等找出以使第二研磨步驟中的研磨布的表面溫度高於第一研磨步驟中的研磨布的表面溫度2℃以上的方式控制，能夠兼顧高平坦度(Flatness)及表面粗糙度減低的方法，進而完成本發明。
換言之，本發明提供一種矽晶圓的研磨方法，包含：一第一研磨步驟，係在貼附於定盤之研磨布上供給含磨粒之鹼性水溶液，並使研磨頭所承載之矽晶圓的表面滑接於該研磨布而研磨；以及一第二研磨步驟，係在該研磨布供給未含磨粒而含有高分子聚合物之鹼性水溶液，並使該矽晶圓的表面滑接於該研磨布而研磨，其中，以使該第二研磨步驟中的該研磨布的表面溫度成為高於該第一研磨步驟中的該研磨布的表面溫度2℃以上的方式，控制該研磨布的表面溫度而進行該矽晶圓的研磨。
以下針對矽晶圓的研磨方法詳細說明。
本發明可使用如圖2所示，具備貼附研磨布1之定盤2以及用以支承矽晶圓W的研磨頭3之單面研磨機10。此單面研磨機10係為自噴嘴4供給研磨液(研磨漿)於研磨布1上，並使研磨頭3所承載之矽晶圓W的表面滑接於該研磨布1而研磨。
此外，圖2中雖然以一座定盤上有二個研磨頭3的圖樣呈現，但本發明中使用之研磨裝置不限於此。例如，一座定盤上有一個或三個以上的研磨頭亦可。再者，定盤的數量也無特別限制，有複數座定盤亦可。
以研磨布1而言，使用發泡聚氨酯墊或不織布為佳。
本發明中，使用此單面研磨機10進行第一研磨步驟如下：首先在貼附於定盤2之研磨布上自噴嘴4供給含磨粒之鹼性水溶液，並使研磨頭3支承之矽晶圓W的表面滑接於研磨布1而研磨。
以第一研磨步驟的研磨液(研磨漿)而言，使用含磨粒之鹼性水溶液。以鹼性水溶液而言，舉例如KOH水溶液。以磨粒而言，矽酸膠為佳。然而若是含磨粒之鹼性水溶液，磨粒及鹼性水溶液的種類則不限定於此類。
其次，進行第二研磨步驟如下：在研磨布1供給未含磨粒而含有高分子聚合物之鹼性水溶液，並使矽晶圓W的表面滑接於研磨布1而研磨。此處 本發明以使第二研磨步驟中的研磨布的表面溫度成為高於第一研磨步驟中的研磨布的表面溫度2℃以上的方式，控制研磨布的表面溫度而進行矽晶圓的研磨(即為圖1中的△T≧2℃)。如此般地控制研磨布的表面溫度，能兼顧高平坦度與表面粗糙度減低。
以第二研磨步驟的研磨液而言，使用未含磨粒(例如矽酸膠)而含高分子聚合物之鹼性水溶液。以高分子聚合物而言，會吸附於晶圓為佳，舉例如羥乙基纖維素等。以鹼性水溶液而言，舉例如氨水。然而高分子聚合物及鹼性水溶液的種類則不限定於此類。
第一研磨步驟中及第二研磨步驟中的研磨布的表面溫度，只要以讓第二研磨步驟中的研磨布的表面溫度成為高於第一研磨步驟中的研磨布的表面溫度2℃以上的方式控制，並無特別限制，例如可設定為25℃至35℃的範圍內的指定溫度。研磨時間可各自設定為2分至8分。
另外，研磨布的表面溫度的控制，在以紅外線取得研磨布的表面溫度的同時進行為佳。這種作法，能更正確地進行研磨布的表面溫度的控制。
使第二研磨步驟中的研磨布的表面溫度成為高於第一研磨步驟中的研磨布的表面溫度2℃以上的方式並無特別限制，具體而言，可在以紅外線取得研磨布的表面溫度的同時，藉由控制定盤的轉速以及在定盤流動的冷卻水的流量及溫度中的至少一項，進行研磨布的表面溫度控制。例如第一研磨步驟結束後，藉由使定盤轉速上升而增加摩擦熱，或是藉由使在定盤流動的冷卻水的溫度上升且流量下降的方式，可使得研磨布的表面溫度上升2℃以上。自第一研磨步驟往第二研磨步驟的轉變(升溫)時間，例如可設定為15秒至30秒。使第二研磨步驟中的研磨布的表面溫度成為高於第一研磨步驟中的研磨布的表面溫度2℃以上的方式，亦可藉由供給的研磨液的流量及溫度、研磨頭的轉速或在 研磨頭流動的冷卻水的流量或溫度加以控制。然而，控制貼附研磨布的定盤的轉速以及在定盤流動的冷卻水，能更簡單地控制研磨布的表面溫度。
在第二研磨步驟中的研磨布的表面溫度低於第一研磨步驟中的研磨布的表面溫度以及第二研磨步驟中的研磨布的表面溫度與第一研磨步驟中的研磨布的表面溫度之間的差未滿2℃的場合，不能兼顧高平坦度及表面粗糙度減低。
〔實施例〕
以下表示實施例及比較例而對本發明進行更具體說明，然而本發明並不限於此等實施例。
(實施例1至2、比較例1至3)
如圖2所示，使用在貼附於定盤2之研磨布1上自噴嘴4供給研磨漿，並使研磨頭3支承之矽晶圓W的表面滑接於研磨布1而研磨的單面研磨機10。研磨布1使用不織布。研磨之研磨漿，於第一研磨步驟使用含矽酸膠的KOH水溶液；於第二研磨步驟使用含分子量100萬的HEC(羥乙基纖維素)的氨水溶液。
如圖1所示，供給含矽酸膠的KOH水溶液，並研磨矽晶圓(第一研磨步驟)後，在含分子量100萬的HEC的氨水溶液開始供給的同時，切斷定盤冷卻水且使定盤轉速上升15秒(升溫部分)；如表1所示，以第一研磨步驟中的定盤轉速所相對的轉速進行第二研磨步驟。研磨中的研磨布的表面溫度以紅外線抓取，將第一研磨步驟及第二研磨步驟中的平均溫度差(△T)於表1示之。
將第一研磨步驟及第二研磨步驟的溫度差所對照的△ESFQRmax，以及使用TMS-3000W(Schmitt公司製)測量之表面粗糙度彙整於表1。邊緣平坦度則使用KLA Tencor社的Wafer Sight測量。ESFQRmax計算時， 於M49 mode下將部位(別名：Polar Sites)設定為全扇形區數72個，扇形區長度30mm(2mm E.E.(外周部去除區域))。△ESFQRmax代表研磨前後的差異量。
Figure 107109260-A0305-02-0008-1
如表1所示，以使第二研磨步驟中的研磨布的表面溫度成為高於第一研磨步驟中的研磨布的表面溫度2℃以上的方式控制的實施例1及2之中，平坦度及表面粗糙度兩者皆已符合規格。另一方面，比較例1至3之中，表面粗糙度未滿足規格，不能兼顧平坦度及表面粗糙度。
另外，本發明並不限於上述的實施型態。上述實施型態為舉例說明，凡具有與本發明的申請專利範圍所記載之技術思想及實質上同樣構成而產生相同的功效者，不論為何物皆包含在本發明的技術範圍內。

Claims (3)

  1. 一種矽晶圓的研磨方法，包含： 一第一研磨步驟，係在貼附於定盤之研磨布上供給含磨粒之鹼性水溶液，並使研磨頭所承載之矽晶圓的表面滑接於該研磨布而研磨；以及 一第二研磨步驟，係在該研磨布供給未含磨粒而含有高分子聚合物之鹼性水溶液，並使該矽晶圓的表面滑接於該研磨布而研磨， 其中，以使該第二研磨步驟中的該研磨布的表面溫度成為高於該第一研磨步驟中的該研磨布的表面溫度2℃以上的方式，控制該研磨布的表面溫度而進行該矽晶圓的研磨。
  2. 如請求項1所述之矽晶圓的研磨方法，其中該研磨布的表面溫度的控制，係在以紅外線取得研磨布的表面溫度的同時進行。
  3. 如請求項1或請求項2所述之矽晶圓的研磨方法，其中該研磨布的表面溫度的控制，係藉由控制該定盤的轉速以及在該定盤流動的冷卻水的流量及溫度中的至少一項而進行。
TW107109260A 2017-04-24 2018-03-19 矽晶圓的研磨方法 TWI754025B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017085270A JP6635088B2 (ja) 2017-04-24 2017-04-24 シリコンウエーハの研磨方法
JPJP2017-085270 2017-04-24
JP2017-085270 2017-04-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201839837A TW201839837A (zh) 2018-11-01
TWI754025B true TWI754025B (zh) 2022-02-01

Family

ID=63919797

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107109260A TWI754025B (zh) 2017-04-24 2018-03-19 矽晶圓的研磨方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10913137B2 (zh)
JP (1) JP6635088B2 (zh)
KR (1) KR102382812B1 (zh)
CN (1) CN110546740B (zh)
DE (1) DE112018001605T5 (zh)
SG (1) SG11201909787SA (zh)
TW (1) TWI754025B (zh)
WO (1) WO2018198583A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6635088B2 (ja) * 2017-04-24 2020-01-22 信越半導体株式会社 シリコンウエーハの研磨方法
CN112218737B (zh) * 2018-09-14 2023-06-06 胜高股份有限公司 晶片的镜面倒角方法、晶片的制造方法及晶片
JP7467188B2 (ja) 2020-03-24 2024-04-15 キオクシア株式会社 Ｃｍｐ方法及びｃｍｐ用洗浄剤
CN111618707A (zh) * 2020-05-20 2020-09-04 清华大学 晶圆磨削方法及晶圆磨削系统
CN112405330B (zh) * 2020-12-08 2021-09-07 杭州众硅电子科技有限公司 一种抛光装置
CN112652526A (zh) * 2020-12-14 2021-04-13 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种硅片抛光方法和硅片
JP2022173730A (ja) 2021-05-10 2022-11-22 株式会社Sumco 研磨条件決定用相関関係式の作成方法、研磨条件の決定方法および半導体ウェーハの製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140287656A1 (en) * 2013-03-19 2014-09-25 Siltronic Ag Method for polishing a semiconductor material wafer

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0659623B2 (ja) * 1984-03-23 1994-08-10 株式会社日立製作所 ウェハのメカノケミカルポリシング加工方法および装置
JPH06114725A (ja) * 1992-09-30 1994-04-26 Kawasaki Steel Corp 半導体ウェーハの研磨方法および装置
US5352328A (en) * 1992-12-15 1994-10-04 At&T Bell Laboratories Control of time-dependent haze in the manufacture of integrated circuits
JPH08112752A (ja) * 1994-10-13 1996-05-07 Mitsubishi Materials Shilicon Corp 半導体ウェーハの研磨方法および研磨装置
JPH0992632A (ja) * 1995-09-22 1997-04-04 Nippon Steel Corp 化学機械研磨方法
JPH09306881A (ja) * 1996-05-15 1997-11-28 Kobe Steel Ltd シリコン用研磨液組成物および研磨方法
MY133700A (en) 1996-05-15 2007-11-30 Kobe Steel Ltd Polishing fluid composition and polishing method
US6611060B1 (en) * 1999-10-04 2003-08-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device having a damascene type wiring layer
US6189546B1 (en) * 1999-12-29 2001-02-20 Memc Electronic Materials, Inc. Polishing process for manufacturing dopant-striation-free polished silicon wafers
JP3835122B2 (ja) 2000-05-29 2006-10-18 信越半導体株式会社 ワークの研磨方法
JP3916375B2 (ja) * 2000-06-02 2007-05-16 株式会社荏原製作所 ポリッシング方法および装置
JP2002231672A (ja) * 2001-01-31 2002-08-16 Mitsubishi Materials Silicon Corp ウェーハ研磨方法およびその装置
JP2003086548A (ja) * 2001-06-29 2003-03-20 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法及びその研磨液
JP2003086553A (ja) * 2001-09-13 2003-03-20 Hitachi Cable Ltd 半導体結晶ウェハ
JP4799122B2 (ja) * 2005-10-20 2011-10-26 株式会社東芝 Ｃｕ膜の研磨方法および半導体装置の製造方法
JP2007258510A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP5009101B2 (ja) * 2006-10-06 2012-08-22 株式会社荏原製作所 基板研磨装置
CN101310925A (zh) * 2007-05-22 2008-11-26 天津晶岭电子材料科技有限公司 硅片研磨表面应力消减方法
JP5707682B2 (ja) * 2009-08-21 2015-04-30 株式会社Sumco エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
TWI498954B (zh) 2009-08-21 2015-09-01 Sumco Corp 磊晶矽晶圓的製造方法
SG185085A1 (en) 2010-04-30 2012-12-28 Sumco Corp Method for polishing silicon wafer and polishing liquid therefor
US20130095660A1 (en) * 2010-07-02 2013-04-18 Sumco Corporation Method for polishing silicon wafer
WO2012090510A1 (ja) * 2010-12-29 2012-07-05 Hoya株式会社 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法
US20130210173A1 (en) * 2012-02-14 2013-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Multiple Zone Temperature Control for CMP
JP6279593B2 (ja) * 2013-09-26 2018-02-14 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法およびシリコンウェーハ製造方法
US9984888B2 (en) * 2014-08-13 2018-05-29 Newport Fab, Llc Method of fabricating a semiconductor wafer including a through substrate via (TSV) and a stepped support ring on a back side of the wafer
JP6234957B2 (ja) * 2015-04-20 2017-11-22 信越半導体株式会社 エピタキシャルウェーハの製造方法
US10600634B2 (en) * 2015-12-21 2020-03-24 Globalwafers Co., Ltd. Semiconductor substrate polishing methods with dynamic control
JP6081006B2 (ja) * 2016-04-26 2017-02-15 株式会社東京精密 ウェハ割断方法及びウェハ割断装置
JP6635088B2 (ja) * 2017-04-24 2020-01-22 信越半導体株式会社 シリコンウエーハの研磨方法
US11890719B2 (en) * 2017-10-17 2024-02-06 Sumco Corporation Method of polishing silicon wafer
US10879077B2 (en) * 2017-10-30 2020-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Planarization apparatus and planarization method thereof
US11081359B2 (en) * 2018-09-10 2021-08-03 Globalwafers Co., Ltd. Methods for polishing semiconductor substrates that adjust for pad-to-pad variance
CN112218737B (zh) * 2018-09-14 2023-06-06 胜高股份有限公司 晶片的镜面倒角方法、晶片的制造方法及晶片
US20200198090A1 (en) * 2018-12-13 2020-06-25 Xia Tai Xin Semiconductor (Qing Dao) Ltd. Cmp apparatus and method of performing ceria-based cmp process

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140287656A1 (en) * 2013-03-19 2014-09-25 Siltronic Ag Method for polishing a semiconductor material wafer

Also Published As

Publication number Publication date
CN110546740A (zh) 2019-12-06
CN110546740B (zh) 2023-05-26
US10913137B2 (en) 2021-02-09
DE112018001605T5 (de) 2020-01-16
SG11201909787SA (en) 2019-11-28
JP2018186118A (ja) 2018-11-22
WO2018198583A1 (ja) 2018-11-01
KR20190142338A (ko) 2019-12-26
JP6635088B2 (ja) 2020-01-22
KR102382812B1 (ko) 2022-04-05
US20200114488A1 (en) 2020-04-16
TW201839837A (zh) 2018-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI754025B (zh) 矽晶圓的研磨方法
WO2013187441A1 (ja) 半導体ウェーハの製造方法
WO2005055302A1 (ja) 片面鏡面ウェーハの製造方法
JP6027346B2 (ja) 半導体ウェーハの製造方法
JP2005045102A (ja) ウエーハの研磨方法
JP2011165909A (ja) 半導体ウェーハの製造方法
WO2019043895A1 (ja) シリコンウェーハの両面研磨方法
JP2009111094A (ja) ウェーハ鏡面研磨方法
JP2001156030A (ja) 半導体ウェーハ用研磨ローラおよびこれを用いた半導体ウェーハの研磨方法
CN101347922A (zh) 研磨垫的清洗方法
JP3797065B2 (ja) 片面鏡面ウェーハの製造方法
TWI694893B (zh) 研磨方法以及研磨裝置
JP2005005315A (ja) ウエーハの研磨方法
WO2017098696A1 (ja) 研磨方法
JP2004200240A (ja) 片面鏡面ウェーハの製造方法
JP4154683B2 (ja) 高平坦度裏面梨地ウェーハの製造方法および該製造方法に用いられる表面研削裏面ラップ装置
TW201934259A (zh) 雙面研磨方法
JP6406048B2 (ja) ウェハの加工方法
JP2017045990A (ja) ウェハの表面処理装置
JP4153810B2 (ja) Ｓｏｉウェーハの製造方法
TWI302003B (en) Method for processing a semiconductor wafer including back side grinding
JP2004342848A (ja) ウエーハの研磨方法
JP2003103455A (ja) ワーク保持盤並びにワークの研磨装置及び研磨方法
JPH10294301A (ja) 半導体ウェハの研磨方法
JP2000015571A (ja) 半導体ウェーハの研磨方法