JP2003086553A - 半導体結晶ウェハ - Google Patents
半導体結晶ウェハInfo
- Publication number
- JP2003086553A JP2003086553A JP2001278300A JP2001278300A JP2003086553A JP 2003086553 A JP2003086553 A JP 2003086553A JP 2001278300 A JP2001278300 A JP 2001278300A JP 2001278300 A JP2001278300 A JP 2001278300A JP 2003086553 A JP2003086553 A JP 2003086553A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- polishing
- semiconductor crystal
- crystal wafer
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヘイズレベルの低い半導体結晶ウェハを提供
する。 【解決手段】 研磨終了直後に、水温１５℃以下の超純
水で洗浄することにより、ヘイズレベルの低い半導体結
晶ウェハが得られる。
する。 【解決手段】 研磨終了直後に、水温１５℃以下の超純
水で洗浄することにより、ヘイズレベルの低い半導体結
晶ウェハが得られる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体結晶ウェハ
に関する。 【０００２】 【従来の技術】化合物半導体は、ショットキーゲート電
界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）、高移動度トラン
ジスタ（ＨＥＭＴ）、ヘテロ接合バイポーラトランジス
タ（ＨＢＴ）、種々の受発光デバイスの作製に用いられ
ている。これらの素子の能動層は、鏡面ウェハ表面に分
子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）法、有機金属気相エ
ピタキシャル成長（ＭＯＶＰＥ）法等により作製され
る。 【０００３】鏡面ウェハは次の方法で作製される。 【０００４】結晶インゴットをスライスし、ウェハを切
り出す（スライスウェハ）。このスライスウェハを＃８
００〜＃３０００のアルミナ砥粒でラッピングして平坦
性を高める。このウェハをアルミナセラミック製プレー
トに貼り付けた後、研磨液としてｐＨ８〜ｐＨ１０の次
亜塩素酸系水溶液、研磨布として表面に多孔質層を有す
るものを用い、片面研磨機で研磨し鏡面に仕上げる。研
磨後、プレートごとウェハを水洗し、窒素ブロー乾燥を
行う。 【０００５】次にウェハをプレートから取り外し、脱脂
洗浄し、ごくわずかなエッチング作用を有する洗浄液で
の洗浄及び超純水洗浄を行い、イソプロピルアルコール
蒸気乾燥法またはスピン乾燥により乾燥させる。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】ところで、従来技術で
述べた研磨方法では、酸化性の強い研磨液を用いるため
に、研磨終了後、すぐに水洗を行い、ウェハ表面の研磨
液を瞬時に希釈し、酸化反応を止める必要がある。これ
は、研磨液とウェハとの酸化反応を止めないと、研磨液
でウェハ表面が酸化され、表面にくもり、いわゆるヘイ
ズが発生するためである。ヘイズが発生したウェハにエ
ピタキシャル結晶を成長させると、エピタキシャル結晶
表面には、荒れが発生し、結晶品質を悪化させてしまう
という問題があった。 【０００７】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、ヘイズレベルの低い半導体結晶ウェハを提供するこ
とにある。 【０００８】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の半導体結晶ウェハは、研磨終了直後に、水温
１５℃以下の超純水で洗浄されたものである。 【０００９】ここで、研磨工程においてウェハと研磨液
との酸化反応は瞬時に止める必要がある。従来技術のよ
うに研磨液を希釈して酸化力を徐々に弱めていく方法で
は、瞬時に酸化反応を止めることは困難である。 【００１０】そこで、瞬時に酸化反応を止めるには、ウ
ェハと研磨液との化学反応性を低下させればよい。研磨
直後のウェハの温度は研磨布との摩擦により、３０℃〜
４０℃となっており、研磨液との化学反応性が高くなっ
ている。この高い化学反応性を低下させるためには、ウ
ェハ温度を低下させる必要がある。このため、研磨直後
の水洗に、低温の超純水を用いればよい。通常、超純水
の温度は２０℃前後であるが、反応性を低下させるため
には、１５℃以下にすることが効果的である。 【００１１】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て述べる。 【００１２】本発明の半導体結晶ウェハは、研磨終了直
後に、水温１５℃以下の超純水で洗浄されたものであ
る。 【００１３】このように構成したことで、ウェハと研磨
液との化学反応を止めることができ、ヘイズレベルの低
い半導体結晶ウェハを得ることができる。 【００１４】次に具体的な数値を挙げて説明するが、本
発明はこれらに限定されるものではない。 【００１５】 【実施例】（実施例１）＃１５００のアルミナ砥粒でラ
ッピングを施した直径１０２ｍｍ（約４インチ）のＧａ
Ａｓウェハを直径３６０ｍｍのアルミナセラミック製プ
レートに貼付し、粒径０．５μｍのアルミナで粗研磨し
た後、次亜塩素酸系水溶液を研磨液とし、表面に多孔質
層を有する研磨布を用い、３６Ｂ片面研磨機でメカノケ
ミカル研磨を行った。研磨終了後、直ちに、超純水でウ
ェハ表面を２分間洗浄した。超純水の温度を温度調整器
を用い、温度範囲を１℃〜３０℃とした。最後に窒素ブ
ロー乾燥を行った。この鏡面研磨したウェハのヘイズレ
ベルを鏡面検査装置（テンコール社製サーフスキャン６
２００）を用いて調べた。その結果を図１に示す。 【００１６】図１は水温とヘイズとの関係を示す図であ
り、横軸が温度軸であり、縦軸がヘイズ軸である。 【００１７】同図より、水温が低くなると共に、ウェハ
のヘイズレベルは低下し、１５℃以下で安定して０．５
ｐｐｍを得ることができた。 【００１８】（実施例２）＃１５００のアルミナ砥粒で
ラッピングを施した直径７６ｍｍ（約３インチ）のＩｎ
Ｐウェハを直径３６０ｍｍのアルミナセラミック製プレ
ートに貼付し、粒径０．５μｍのアルミナで粗研磨した
後、Ｂｒ−メタノール溶液を研磨液とし、表面に多孔質
層を有する研磨布を用い、３６Ｂ片面研磨機でメカノケ
ミカル研磨を行った。研磨終了後、直ちに、超純水でウ
ェハ表面を２分間洗浄した。超純水の温度を温度調整器
を用い、温度範囲を１℃〜３０℃とした。最後に窒素ブ
ロー乾燥を行った。この鏡面研磨したウェハのヘイズレ
ベルを鏡面研磨装置（テンコール社製サーフスキャン６
２００）を用いて調べたところ、実施例１と同様の結果
が得られた。 【００１９】以上において、本発明によれば、ヘイズレ
ベルの低いウェハを安定して得ることができ、このウェ
ハを用いることにより、高品質なエピタキシャル層が得
られ、素子の歩留まりを向上させることができる。 【００２０】 【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。 【００２１】ヘイズレベルの低い半導体結晶ウェハの提
供を実現することができる。
に関する。 【０００２】 【従来の技術】化合物半導体は、ショットキーゲート電
界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）、高移動度トラン
ジスタ（ＨＥＭＴ）、ヘテロ接合バイポーラトランジス
タ（ＨＢＴ）、種々の受発光デバイスの作製に用いられ
ている。これらの素子の能動層は、鏡面ウェハ表面に分
子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）法、有機金属気相エ
ピタキシャル成長（ＭＯＶＰＥ）法等により作製され
る。 【０００３】鏡面ウェハは次の方法で作製される。 【０００４】結晶インゴットをスライスし、ウェハを切
り出す（スライスウェハ）。このスライスウェハを＃８
００〜＃３０００のアルミナ砥粒でラッピングして平坦
性を高める。このウェハをアルミナセラミック製プレー
トに貼り付けた後、研磨液としてｐＨ８〜ｐＨ１０の次
亜塩素酸系水溶液、研磨布として表面に多孔質層を有す
るものを用い、片面研磨機で研磨し鏡面に仕上げる。研
磨後、プレートごとウェハを水洗し、窒素ブロー乾燥を
行う。 【０００５】次にウェハをプレートから取り外し、脱脂
洗浄し、ごくわずかなエッチング作用を有する洗浄液で
の洗浄及び超純水洗浄を行い、イソプロピルアルコール
蒸気乾燥法またはスピン乾燥により乾燥させる。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】ところで、従来技術で
述べた研磨方法では、酸化性の強い研磨液を用いるため
に、研磨終了後、すぐに水洗を行い、ウェハ表面の研磨
液を瞬時に希釈し、酸化反応を止める必要がある。これ
は、研磨液とウェハとの酸化反応を止めないと、研磨液
でウェハ表面が酸化され、表面にくもり、いわゆるヘイ
ズが発生するためである。ヘイズが発生したウェハにエ
ピタキシャル結晶を成長させると、エピタキシャル結晶
表面には、荒れが発生し、結晶品質を悪化させてしまう
という問題があった。 【０００７】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、ヘイズレベルの低い半導体結晶ウェハを提供するこ
とにある。 【０００８】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の半導体結晶ウェハは、研磨終了直後に、水温
１５℃以下の超純水で洗浄されたものである。 【０００９】ここで、研磨工程においてウェハと研磨液
との酸化反応は瞬時に止める必要がある。従来技術のよ
うに研磨液を希釈して酸化力を徐々に弱めていく方法で
は、瞬時に酸化反応を止めることは困難である。 【００１０】そこで、瞬時に酸化反応を止めるには、ウ
ェハと研磨液との化学反応性を低下させればよい。研磨
直後のウェハの温度は研磨布との摩擦により、３０℃〜
４０℃となっており、研磨液との化学反応性が高くなっ
ている。この高い化学反応性を低下させるためには、ウ
ェハ温度を低下させる必要がある。このため、研磨直後
の水洗に、低温の超純水を用いればよい。通常、超純水
の温度は２０℃前後であるが、反応性を低下させるため
には、１５℃以下にすることが効果的である。 【００１１】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て述べる。 【００１２】本発明の半導体結晶ウェハは、研磨終了直
後に、水温１５℃以下の超純水で洗浄されたものであ
る。 【００１３】このように構成したことで、ウェハと研磨
液との化学反応を止めることができ、ヘイズレベルの低
い半導体結晶ウェハを得ることができる。 【００１４】次に具体的な数値を挙げて説明するが、本
発明はこれらに限定されるものではない。 【００１５】 【実施例】（実施例１）＃１５００のアルミナ砥粒でラ
ッピングを施した直径１０２ｍｍ（約４インチ）のＧａ
Ａｓウェハを直径３６０ｍｍのアルミナセラミック製プ
レートに貼付し、粒径０．５μｍのアルミナで粗研磨し
た後、次亜塩素酸系水溶液を研磨液とし、表面に多孔質
層を有する研磨布を用い、３６Ｂ片面研磨機でメカノケ
ミカル研磨を行った。研磨終了後、直ちに、超純水でウ
ェハ表面を２分間洗浄した。超純水の温度を温度調整器
を用い、温度範囲を１℃〜３０℃とした。最後に窒素ブ
ロー乾燥を行った。この鏡面研磨したウェハのヘイズレ
ベルを鏡面検査装置（テンコール社製サーフスキャン６
２００）を用いて調べた。その結果を図１に示す。 【００１６】図１は水温とヘイズとの関係を示す図であ
り、横軸が温度軸であり、縦軸がヘイズ軸である。 【００１７】同図より、水温が低くなると共に、ウェハ
のヘイズレベルは低下し、１５℃以下で安定して０．５
ｐｐｍを得ることができた。 【００１８】（実施例２）＃１５００のアルミナ砥粒で
ラッピングを施した直径７６ｍｍ（約３インチ）のＩｎ
Ｐウェハを直径３６０ｍｍのアルミナセラミック製プレ
ートに貼付し、粒径０．５μｍのアルミナで粗研磨した
後、Ｂｒ−メタノール溶液を研磨液とし、表面に多孔質
層を有する研磨布を用い、３６Ｂ片面研磨機でメカノケ
ミカル研磨を行った。研磨終了後、直ちに、超純水でウ
ェハ表面を２分間洗浄した。超純水の温度を温度調整器
を用い、温度範囲を１℃〜３０℃とした。最後に窒素ブ
ロー乾燥を行った。この鏡面研磨したウェハのヘイズレ
ベルを鏡面研磨装置（テンコール社製サーフスキャン６
２００）を用いて調べたところ、実施例１と同様の結果
が得られた。 【００１９】以上において、本発明によれば、ヘイズレ
ベルの低いウェハを安定して得ることができ、このウェ
ハを用いることにより、高品質なエピタキシャル層が得
られ、素子の歩留まりを向上させることができる。 【００２０】 【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。 【００２１】ヘイズレベルの低い半導体結晶ウェハの提
供を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】水温とヘイズとの関係を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 研磨終了直後に、水温１５℃以下の超純
水で洗浄されたことを特徴とする半導体結晶ウェハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001278300A JP2003086553A (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | 半導体結晶ウェハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001278300A JP2003086553A (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | 半導体結晶ウェハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003086553A true JP2003086553A (ja) | 2003-03-20 |
Family
ID=19102690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001278300A Pending JP2003086553A (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | 半導体結晶ウェハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003086553A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1997587A2 (en) | 2007-05-29 | 2008-12-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of polishing compound semiconductor substrate, compound semiconductor substrate, method of manufacturing compound semiconductor epitaxial substrate, and compound semiconductor epitaxial substrate |
| US7737043B2 (en) | 1920-05-17 | 2010-06-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Inspection method of compound semiconductor substrate, compound semiconductor substrate, surface treatment method of compound semiconductor substrate, and method of producing compound semiconductor crystal |
| WO2017098696A1 (ja) * | 2015-12-10 | 2017-06-15 | 信越半導体株式会社 | 研磨方法 |
| CN110546740A (zh) * | 2017-04-24 | 2019-12-06 | 信越半导体株式会社 | 硅晶圆的研磨方法 |
| JP2021024034A (ja) * | 2019-08-06 | 2021-02-22 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
-
2001
- 2001-09-13 JP JP2001278300A patent/JP2003086553A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7737043B2 (en) | 1920-05-17 | 2010-06-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Inspection method of compound semiconductor substrate, compound semiconductor substrate, surface treatment method of compound semiconductor substrate, and method of producing compound semiconductor crystal |
| EP1997587A2 (en) | 2007-05-29 | 2008-12-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of polishing compound semiconductor substrate, compound semiconductor substrate, method of manufacturing compound semiconductor epitaxial substrate, and compound semiconductor epitaxial substrate |
| US8133815B2 (en) * | 2007-05-29 | 2012-03-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of polishing compound semiconductor substrate, compound semiconductor substrate, method of manufacturing compound semiconductor epitaxial substrate, and compound semiconductor epitaxial substrate |
| KR20180092966A (ko) * | 2015-12-10 | 2018-08-20 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 연마방법 |
| JP2017104946A (ja) * | 2015-12-10 | 2017-06-15 | 信越半導体株式会社 | 研磨方法 |
| CN108290266A (zh) * | 2015-12-10 | 2018-07-17 | 信越半导体株式会社 | 研磨方法 |
| WO2017098696A1 (ja) * | 2015-12-10 | 2017-06-15 | 信越半導体株式会社 | 研磨方法 |
| US10300576B2 (en) | 2015-12-10 | 2019-05-28 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polishing method |
| CN108290266B (zh) * | 2015-12-10 | 2020-06-05 | 信越半导体株式会社 | 研磨方法 |
| TWI700146B (zh) * | 2015-12-10 | 2020-08-01 | 日商信越半導體股份有限公司 | 研磨方法 |
| KR102299152B1 (ko) | 2015-12-10 | 2021-09-07 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 연마방법 |
| CN110546740A (zh) * | 2017-04-24 | 2019-12-06 | 信越半导体株式会社 | 硅晶圆的研磨方法 |
| JP2021024034A (ja) * | 2019-08-06 | 2021-02-22 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP7368137B2 (ja) | 2019-08-06 | 2023-10-24 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2007005472A (ja) | 基板の表面処理方法およびｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の製造方法 | |
| WO2012048534A1 (zh) | 化合物半导体晶片清洗方法 | |
| US20070207630A1 (en) | Surface treatment method of compound semiconductor substrate, fabrication method of compound semiconductor, compound semiconductor substrate, and semiconductor wafer | |
| KR20140139608A (ko) | 실리콘 기판 상에 ⅲ/ⅴ족 컨포멀 층을 형성하기 위한 방법 | |
| TWI502635B (zh) | Iii-v族化合物半導體基板之製造方法、磊晶晶圓之製造方法、iii-v族化合物半導體基板及磊晶晶圓 | |
| JP2003086553A (ja) | 半導体結晶ウェハ | |
| WO2007063677A1 (ja) | 半導体ウエーハの平面研削方法および製造方法 | |
| JP4700652B2 (ja) | 層構造の製造方法 | |
| KR100253583B1 (ko) | 접합형 에스. 오. 아이 웨이퍼 제조방법 | |
| US20060185688A1 (en) | Semiconductor wafer cleaning method and wafer cleaned by same method | |
| JP2001144056A (ja) | 半導体結晶ウェハの研磨方法及びその方法で得られるウェハ | |
| JP2000340535A (ja) | 半導体結晶ウエハの洗浄方法 | |
| JP2006173425A (ja) | 半導体結晶ウェハ | |
| JP2002025954A (ja) | 半導体結晶ウエハの研磨方法 | |
| JP2003100671A (ja) | 半導体結晶ウェハの研磨方法及び半導体結晶ウェハ | |
| CN113517175A (zh) | 一种基于异质衬底的β-Ga2O3薄膜及其制备方法 | |
| CN105632894B (zh) | 一种化合物半导体与硅基半导体进行键合的方法 | |
| JP2004087666A (ja) | 半導体ウェハの洗浄方法 | |
| CN106505095B (zh) | 复合衬底及其制备方法、及外延片 | |
| JPH1079363A (ja) | 化合物半導体ウエハの表面処理方法 | |
| JPH08241863A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPH11347920A (ja) | 半導体ウエハの研磨方法 | |
| JPH11126766A (ja) | 半導体結晶ウエハの洗浄方法 | |
| KR101524930B1 (ko) | 질화갈륨 기판의 n 표면용 세정용액 및 이를 이용한 질화갈륨 기판의 n 표면 세정방법 | |
| JP2003229391A (ja) | 半導体基板用研磨布のドレッシング方法 |