CN105632894B - 一种化合物半导体与硅基半导体进行键合的方法 - Google Patents
一种化合物半导体与硅基半导体进行键合的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105632894B CN105632894B CN201511031542.6A CN201511031542A CN105632894B CN 105632894 B CN105632894 B CN 105632894B CN 201511031542 A CN201511031542 A CN 201511031542A CN 105632894 B CN105632894 B CN 105632894B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon
- bonding
- compound semiconductor
- based semiconductor
- aluminum oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 40
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 40
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 39
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 19
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 18
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 10
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 13
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 13
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 206010037544 Purging Diseases 0.000 claims 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
本发明公开了一种化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，其包括如下步骤：(1)对硅基半导体进行清洗，之后在其表面沉积氧化硅；(2)对化合物半导体进行清洗，之后在其上沉积三氧化二铝介质；(3)在沉积完三氧化二铝介质后对其表面进行三甲基铝气体吹扫；(4)对硅基半导体二氧化硅表面进行氧等离子体吹扫，之后将两种半导体进行热键合。本发明所述的低温化合物半导体与硅基半导体键合方法，温度低于350度，且采用三氧化二铝与二氧化硅键合，键合步骤简单、成本低。
Description
技术领域
本发明涉及一种化合物半导体与硅基半导体进行键合的方法，属于半导体制造的技术领域。
技术背景
化合物半导体材料以其可裁剪的能带结构、高电子迁移率等物理特性在众多技术领域得到广泛应用，但是硅基CMOS技术是现代微电子产业的基础，将应用于微波、光电等领域的化合物半导体器件和电路与硅基CMOS技术进行异质集成一直以来都是产业界与科研领域非常关注的重大技术难题。
现有的直接键合技术存在着表面处理温度高，键合层容易产生空洞和非键合区，键合率低，键合效果差，从而影响器件制备和器件性能。因此，采用表面沉积介质，进行增强键合率的表面处理成为实现良好的化合物半导体与硅基半导体键合的重要方法。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明所要解决的技术问题是直接键合键合温度高、键合效果差的问题，在直接键合过程中，由于要实现硅基半导体与化合物半导体良好的键合效果，需要将键合温度提高，实现两者表面悬挂键的结合，从而提高键合效果，这种做法不仅温度高，而且键合效果不够理想。
(二)技术方案
为了解决以上技术问题，本发明提供了一种硅基半导体与化合物半导体键合的方法：其包括如下步骤：
(1)对硅基半导体表面进行清洗，之后在其表面沉积二氧化硅；
(2)对化合物半导体进行清洗，之后在其上沉积三氧化二铝介质，在沉积完三氧化二铝介质后对其表面进行三甲基铝气体吹扫；
(3)对硅基半导体二氧化硅表面进行氧等离子体吹扫，之后将两种半导体进行热键合。
所述化合物半导体为砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅等半导体材料。
所述步骤(1)中，对硅基半导体表面进行RCA清洗。
所述步骤(1)中，沉积二氧化硅的方式为PECVD法，二氧化硅为非晶态，沉积厚度为30纳米到50纳米。
所述步骤(2)中，对化合物半导体进行如下清洗：将所述化合物半导体在丙酮、乙醇、去离子水中分别进行5分钟的浸泡和1分钟的超声清洗，在去离子水中超声完成后，将化合物半导体迅速放入盐酸和去离子水质量比为1：10的混合溶液中，进行5分钟清洗，最后再用去离子水超声清洗5min，并用甩干机甩干。
所述步骤(2)中，在化合物半导体表面沉积三氧化二铝的方式为原子层沉积法,沉积的前躯体为三甲基铝和水，生长温度为250度，生长厚度为10纳米到30纳米。
所述步骤(2)中，对化合物半导体上沉积了三氧化二铝表面进行吹扫三甲基铝的过程是在原子层沉积系统的生长腔体内进行的。
所述步骤(3)中，在二氧化硅表面进行氧等离子体吹扫，是在反应离子刻蚀机中进行的，刻蚀射频功率低于20W,气体流量大于100sccm，时间为10min。
所述步骤(3)中，两种半导体的热键合，其键合温度为250度，压力为5-10bar。
(三)有益效果
从上述技术方案可以看出，本发明有以下有益效果：
本发明采用的键合温度低，两种材料表面生长二氧化硅与三氧化二铝的温度都不超过300度；而且本发明对两种介质表面进行了等离子处理，使得在键合过程中二氧化硅表面出现羧基，在三氧化二铝表面出现甲基，在热键合过程中这两个基团发生键合反应，使得键合效果更好；最后本发明沉积的介质都在50纳米以内，介质薄，更容易实现化合物半导体表面集成电路工艺与硅基半导体表面集成电路工艺的集成。
附图说明：
图1为硅片结构示意图；
图2为化合物半导体片结构示意图；
图3为硅片与化合物半导体片键合后结构示意图；
附图中标记表示为：1-硅片，2-二氧化硅，3-化合物半导体片，4-三氧化二铝。
具体实施方式
本实施例提供一种化合物半导体磷化铟和硅片进行键合的方法，包括如下步骤：
(1)准备一个4英寸(100)晶向的圆形硅片，进行标准的RCA清洗，具体步骤如下
A)配置RCA清洗所用清洗溶液I、溶液II和溶液III；溶液I为氨水(质量浓度27％)：双氧水(质量浓度30％)：去离子水＝1：1：5体积比配置；溶液II为氢氟酸(质量浓度50％)：去离子水＝1：50体积比配置；溶液III为盐酸(质量浓度37％)：双氧水(质量浓度30％)：去离子水＝1：1：6体积比配置。
B)将硅片依次进行如下清洗：在溶液I中，在80℃浸泡10分钟后，放入去离子水清洗1分钟，之后将硅片浸泡在溶液II中，常温浸泡1分钟后，放入去离子水冲洗1分钟，最后放入溶液III中，在80℃浸泡10分钟，再放入去离子水清洗1分钟。
(2)将清洗过的硅片从甩干机甩干后，放入PECVD腔体内沉积二氧化硅30纳米，生长温度为300度。
(3)对2英寸的化合物半导体磷化铟片进行如下清洗：将所述化合物半导体浸入丙酮、乙醇、去离子水中依次进行超声清洗5分钟，最后放在盐酸(质量浓度37％):去离子水＝1：10体积比的溶液中，清洗5分钟，最后用去离子水冲洗，超声清洗1分钟。
(4)将清洗后的磷化铟片放入原子层沉积腔体内生长三氧化二铝，生长温度为250℃，前躯体为三甲基铝和水，生长厚度为20纳米。
(5)磷化铟片表面生长完三氧化二铝后，在原子层沉积系统内，进行三甲基铝气体的吹扫，吹扫时间为10分钟。
(6)将沉积了二氧化硅的硅片放入反应离子刻蚀机中，对二氧化硅表面进行氧等离子体吹扫，反应离子刻蚀机的氧气流量为100SCCM,射频功率为20W,处理时间为10分钟。
(7)将处理好的硅片和磷化铟片迅速放入键合机内进行键合，硅片在下，磷化铟片在上，二氧化硅面与三氧化二铝面接触，键合温度为250℃，压力为5-10bar。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种化合物半导体与硅基半导体进行键合的方法，其包括如下步骤：
(1)对硅基半导体表面进行清洗，之后在其表面沉积二氧化硅；所述二氧化硅采用PECVD快速生长，为非晶态；
(2)对化合物半导体进行清洗，之后在其上沉积三氧化二铝介质，所述三氧化二铝介质采用原子层沉积方法生长，且生长源为三甲基铝和水，在沉积完三氧化二铝介质后对其表面进行三甲基铝气体吹扫，三氧化二铝表面进行三甲基铝的吹扫处理过程在原子层沉积系统腔体内进行；
(3)对硅基半导体二氧化硅表面进行氧等离子体吹扫，所述硅基半导体上二氧化硅表面进行氧等离子体吹扫，是在反应离子刻蚀机内进行的，气体流量为100sccm，射频功率为20瓦，吹扫时间为10分钟，之后将两种半导体进行热键合，二氧化硅与三氧化二铝为键合接触面。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体与硅基半导体进行键合的方法，其特征在于，所述硅基半导体表面清洗采用RCA清洗，化合物半导体表面进行丙酮、乙醇、DI水各5分钟清洗后，采用盐酸和去离子水以质量比1：10组成的混合液进行超声清洗。
3.根据权利要求1所述的化合物半导体与硅基半导体进行键合的方法，其特征在于，所述两种半导体的热键合，其键合温度为250度，压力为5-10bar。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201511031542.6A CN105632894B (zh) | 2015-12-30 | 2015-12-30 | 一种化合物半导体与硅基半导体进行键合的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201511031542.6A CN105632894B (zh) | 2015-12-30 | 2015-12-30 | 一种化合物半导体与硅基半导体进行键合的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105632894A CN105632894A (zh) | 2016-06-01 |
| CN105632894B true CN105632894B (zh) | 2020-01-07 |
Family
ID=56047699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201511031542.6A Active CN105632894B (zh) | 2015-12-30 | 2015-12-30 | 一种化合物半导体与硅基半导体进行键合的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105632894B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110534417B (zh) * | 2019-07-26 | 2021-12-21 | 中国科学院微电子研究所 | 硅基半导体与化合物半导体异构集成方法及异构集成器件 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102790138A (zh) * | 2011-05-19 | 2012-11-21 | 易美芯光（北京）科技有限公司 | 一种GaN基薄膜芯片的生产方法 |
| WO2014174946A1 (ja) * | 2013-04-26 | 2014-10-30 | 日本碍子株式会社 | 半導体用複合基板のハンドル基板 |
| CN104412358A (zh) * | 2013-03-27 | 2015-03-11 | 日本碍子株式会社 | 半导体用复合基板的操作基板 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102184882A (zh) * | 2011-04-07 | 2011-09-14 | 中国科学院微电子研究所 | 一种形成复合功能材料结构的方法 |
| CN102347219A (zh) * | 2011-09-23 | 2012-02-08 | 中国科学院微电子研究所 | 形成复合功能材料结构的方法 |
| CN102623387A (zh) * | 2012-04-25 | 2012-08-01 | 上海新储集成电路有限公司 | 一种基于埋层氮化物陶瓷垫底的绝缘体上硅材料制备方法 |
-
2015
- 2015-12-30 CN CN201511031542.6A patent/CN105632894B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102790138A (zh) * | 2011-05-19 | 2012-11-21 | 易美芯光（北京）科技有限公司 | 一种GaN基薄膜芯片的生产方法 |
| CN104412358A (zh) * | 2013-03-27 | 2015-03-11 | 日本碍子株式会社 | 半导体用复合基板的操作基板 |
| WO2014174946A1 (ja) * | 2013-04-26 | 2014-10-30 | 日本碍子株式会社 | 半導体用複合基板のハンドル基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105632894A (zh) | 2016-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10748989B2 (en) | Insulating layer structure for semiconductor product, and preparation method of insulating layer structure | |
| CN106128937B (zh) | 一种在Si衬底上外延生长的高质量AlN薄膜及其制备方法 | |
| CN103035794B (zh) | 一种生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法 | |
| CN104087909B (zh) | 一种立方碳化硅薄膜的制备方法 | |
| CN104045079A (zh) | 在蓝宝石与外延金属界面外延生长石墨烯的方法 | |
| CN104157744B (zh) | 一种基于外延层转移实现金刚石基GaN的方法 | |
| CN108807153B (zh) | 基于表面活化键合工艺的金刚石基氮化镓晶体管及制备法 | |
| CN104498897B (zh) | 一种碳化硅薄膜的制备方法 | |
| CN103730545A (zh) | 一种AlGaN基垂直结构深紫外LED的制造方法 | |
| CN110783177A (zh) | 一种在蓝宝石模板上生长图形化GaN的方法及一种GaN外延片 | |
| TW202039945A (zh) | 用於製作光電半導體晶片的方法及其所使用的鍵合晶圓 | |
| CN113948389B (zh) | 一种基于衬底背面SiSn外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法 | |
| CN105632894B (zh) | 一种化合物半导体与硅基半导体进行键合的方法 | |
| CN113903656A (zh) | 一种碳化硅晶圆加工工艺 | |
| CN104328390B (zh) | 一种GaN/金刚石膜复合片的制备方法 | |
| JP4700652B2 (ja) | 層構造の製造方法 | |
| CN116555734A (zh) | 一种在金刚石表面异质外延的氧化镓薄膜及其制备方法 | |
| CN103938178A (zh) | 直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法 | |
| CN107785304B (zh) | 以氮化物薄膜为绝缘埋层的soi材料及其制备方法 | |
| CN113223928B (zh) | 一种基于转移键合的氧化镓外延生长方法 | |
| CN103594354B (zh) | 一种电介质层的制造方法 | |
| JP6927429B2 (ja) | ＳｉＣエピタキシャル基板の製造方法 | |
| CN111900107B (zh) | 基于直接键合工艺的金刚石基氮化镓晶体管制备方法 | |
| CN110808282A (zh) | 一种制备碳化硅mosfet栅介质层的方法 | |
| WO2019153431A1 (zh) | 一种高频氮化镓/石墨烯异质结热电子晶体管的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20191119 Address after: 523000 South Dongguan, Dongcheng District, Dongguan City, Guangdong, No. 8, No. 8 building, resplendence business mansion, south of Dongcheng Road, main mountain, Dongcheng District Applicant after: Dongguan Yi Ren Automobile Rental Co.,Ltd. Address before: 6, C10, building 81, splendid business building, 523000 South Road, Dongcheng, Dongcheng District, Guangdong, Dongguan Applicant before: DONGGUAN QINGMAITIAN DIGITAL TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20191212 Address after: Room 248 Chenghu Road, Kunshan Development Zone, Suzhou City, Jiangsu Province Applicant after: KUNSHAN CHENGGONG ENVIRONMENTAL PROTECTION TECHNOLOGY CO.,LTD. Address before: 523000 South Dongguan, Dongcheng District, Dongguan City, Guangdong, No. 8, No. 8 building, resplendence business mansion, south of Dongcheng Road, main mountain, Dongcheng District Applicant before: Dongguan Yi Ren Automobile Rental Co.,Ltd. |
|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 215334 room 3, 248 Chenghu Road, Kunshan Development Zone, Suzhou City, Jiangsu Province Patentee after: Chenggong Environmental Protection Technology (Nantong) Co.,Ltd. Address before: 215334 room 3, 248 Chenghu Road, Kunshan Development Zone, Suzhou City, Jiangsu Province Patentee before: KUNSHAN CHENGGONG ENVIRONMENTAL PROTECTION TECHNOLOGY CO.,LTD. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20221122 Address after: No. 323, Jinchuan Road, Nantong Hi tech Industrial Development Zone, Nantong, Jiangsu 226399 Patentee after: Jiangsu Sizhi Semiconductor Technology Co.,Ltd. Address before: 215334 room 3, 248 Chenghu Road, Kunshan Development Zone, Suzhou City, Jiangsu Province Patentee before: Chenggong Environmental Protection Technology (Nantong) Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |