CN103938178A - 直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法 - Google Patents
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Abstract
一种直接在si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法,包括如下步骤:将一衬底放入有机溶液中超声清洗;将清洗后的衬底用氢氟酸溶液进行腐蚀;将腐蚀后的衬底放入MOCVD外延设备的腔室中,将衬底第一次升温后稳定一预定时间;将衬底第一次降到设定温度后,第一次通入AsH3气体;将衬底第二次升温至纳米线的生长温度稳定一预定时间后,减小AsH3气体的流量,同时通入TMIn和TMSb气体,开始生长InAsSb纳米线;生长结束后关掉通入的TMIn气体,将衬底温度第二次降至室温后关掉AsH3和TMSb气体,完成InAsSb纳米线的制备。本发明不需要使用外来催化剂,没有污染,也不需要核子纳米线辅助成核,生长步骤简化。
Description
技术领域
本发明涉及半导体光电子及微电子材料生长技术领域,尤其是指直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法。
背景技术
InAsSb三元合金纳米线由于其宽范围可调的带隙(2-8μm)、高热导率和高电子迁移率,在电子、光电子以及热电传感器等方便有广泛的应用。目前,国际上已经制备出将其作为沟道材料的低功耗场效应晶体管以及InAsSb纳米线材料的探测器。
由于Sb的表面钝化作用,InAsSb纳米线材料难以在衬底上直接成核生长。目前,国内外各研究小组对InAsSb纳米线的外延生长方法主要可以分为两类:一类是先生长一段InAs核子纳米线,然后在其基础上成核生长InAsSb纳米线;另一类是通过生长轴向异质结,先长一定长度的InAs或InP纳米线,再在其上生长InAsSb纳米线。虽然两种方法都能制备出InAsSb纳米线,但其大部分都是使用Au作为催化剂和III-V族材料作为衬底材料。这样既不利于与成熟的Si基CMOS技术集成,也难以满足对单独InAsSb纳米线的需求。此外,目前国内外生长的InAsSb纳米线材料的晶体质量并不高,含有很多缺陷(如层错、栾晶和晶界),而纳米线晶体质量的优略直接关系到器件性能的好坏。因此,如何在Si衬底上直接自催化生长出高晶体质量的InAsSb纳米线成为了一个极其有意义的课题。
发明内容
本发明的目的是,提供一种直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法,其不需要使用外来催化剂,没有污染,也不需要核子纳米线辅助成核,生长步骤简化,即可在Si衬底上生长高晶体质量InAsSb纳米线。
本发明提供一种直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法,包括如下步骤:
步骤1:将一衬底放入有机溶液中超声清洗;
步骤2:将清洗后的衬底用氢氟酸溶液进行腐蚀;
步骤3:将腐蚀后的衬底放入MOCVD外延设备的腔室中,将衬底第一次升温后稳定一预定时间;
步骤4:将衬底第一次降到设定温度后,第一次通入AsH3气体;
步骤5:将衬底第二次升温至纳米线的生长温度稳定一预定时间后,减小AsH3气体的流量,同时通入TMIn和TMSb气体,开始生长InAsSb纳米线;
步骤6:生长结束后关掉通入的TMIn气体,将衬底温度第二次降至室温后关掉AsH3和TMSb气体,完成InAsSb纳米线的制备。
本发明的有益效果是:
1、本发明提供的直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法,可以实现与成熟的Si基光电子技术的集成。
2、本发明提供的直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法,与常用的Au催化方法相比,避免了Au对器件性能带来的损害。
3、本发明提供的直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法,可以生长出高质量的InAsSb纳米线,因此可以用来制作高性能的器件。
附图说明
为使本发明的技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实例及附图详细说明如后,其中:
图1为本发明方法的流程图;
图2为本发明中InAsSb纳米线的扫描电镜图;
图3为本发明中高晶体质量InAsSb纳米线的高分辨率透射电镜图;
图4为本发明中高晶体质量InAsSb纳米线的电子衍射图。
具体实施方式
请参阅图1所示,本发明提供了一种直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法,包括以下步骤:
步骤1:将一衬底放入有机溶液中超声清洗,该衬底的材料为Si(n型或P型),这样有利于与成熟的Si基CMOS技术集成,所述的有机溶液为乙醇和丙酮,所述的超声清洗过程为乙醇超声5分钟后再用丙酮超声5分钟,超声清洗可以去掉表面的有机物和颗粒状杂质;
步骤2:将清洗后的衬底用氢氟酸溶液进行腐蚀,除去表面自然氧化层。所述腐蚀所用的氢氟酸溶液质量百分浓度为2%,腐蚀液放在30℃的恒温槽内恒温10分钟后腐蚀,腐蚀时间为5秒钟,腐蚀后立即用去离子水清洗干净后用氮气枪吹干,这样可避免腐蚀液残留在衬底表面;
步骤3:将腐蚀后的衬底放入MOCVD外延设备的腔室中,为了防止硅表面再次氧化,从清洗结束到放入腔室整个过程要在10分钟内完成,将衬底第一次升温后稳定一预定时间,所述衬底第一次升温的温度为630℃,稳定的时间为5分钟,目的在于去除表面残留的污染物;
步骤4:将衬底第一次降到设定温度后,第一次通入AsH3气体,所述将衬底第一次降温的设定温度为400℃,所述的第一次通入的AsH3气体的流量为2.0x10-4mol/min,以形成Si(111)B面,为步骤5中的InAsSb纳米线的生长提供垂直生长的外延方向和富As的气氛;
步骤5:将衬底第二次升温至纳米线的生长温度稳定一预定时间后,减小AsH3气体的流量,同时通入TMIn和TMSb气体,开始生长InAsSb纳米线,第二次升温的温度为510℃,这一温度既高于源材料TMIn和TMSb的分解温度,可使得源材料TMIn和TMSb有较高的分解率,同时又低于纳米线材料InAsSb的熔点,不会致使融化。纳米线的生长温度为510℃,稳定时间为5分钟,纳米线生长时间为5分钟,纳米线生长时AsH3气体的流量为8.0x10-5mo1/min,TMIn的流量为2.0x10-6mol/min,TMSb的流量为2.0x10-5mol/min;
步骤6:生长结束后关掉通入的TMIn气体,将衬底温度第二次降至室温后关掉AsH3和TMSb气体,最后完成InAsSb纳米线的制备,降温过程中AsH3和TMSb气体为InAsSb纳米线提供V族保护,防止InAsSb纳米线在较高温度下分解蒸发。
由图2所示InAsSb纳米线的扫描电镜图可知,利用本方法得到的InAsSb纳米线垂直衬底Si表面方向外延生长。图3和图4示出的InAsSb纳米线的高分辨率透射电镜图和InAsSb纳米线的电子衍射图可知,利用本方法得到的InAsSb纳米线为纯立方闪锌矿结构,且晶格质量完整。
以上所述的具体实施例中,对本发明要解决的技术问题和技术方案进行了较详细具体的说明,所应理解的是,以上所述的仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神、思想和原则范围内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包括在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法,包括如下步骤:
步骤1:将一衬底放入有机溶液中超声清洗;
步骤2:将清洗后的衬底用氢氟酸溶液进行腐蚀;
步骤3:将腐蚀后的衬底放入MOCVD外延设备的腔室中,将衬底第一次升温后稳定一预定时间;
步骤4:将衬底第一次降到设定温度后,第一次通入AsH3气体;
步骤5:将衬底第二次升温至纳米线的生长温度稳定一预定时间后,减小AsH3气体的流量,同时通入TMIn和TMSb气体,开始生长InAsSb纳米线;
步骤6:生长结束后关掉通入的TMIn气体,将衬底温度第二次降至室温后关掉AsH3和TMSb气体,完成InAsSb纳米线的制备。
2.如权利要求1所述的直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法,其中衬底的材料为Si。
3.如权利要求1所述的直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法,其中所述的有机溶液为乙醇和丙酮。
4.如权利要求3所述的直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法,其中所述的超声清洗过程为乙醇超声5分钟后再用丙酮超声5分钟。
5.如权利要求1所述的直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法,其中腐蚀所用的氢氟酸溶液质量百分浓度为2%,腐蚀时间为5秒钟,腐蚀后用去离子水清洗干净后用氮气枪吹干。
6.如权利要求1所述的直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法,其中衬底第一次升温的温度为630℃,稳定的时间为5分钟。
7.如权利要求1所述的直接在 衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法,其中将衬底第一次降温的设定温度为400℃,第二次升温的温度为510℃,纳米线的生长温度为510℃,稳定时间为5分钟。
8.如权利要求1所述的直接在 衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法,其中所述的第一次通入的AsH3气体的流量为2.0x10-4mol/min,纳米线生长时AsH3气体的流量为8.0x10-5mol/min,TMIn的流量为2.0x10-6mol/min,TMSb的流量为2.0x10-5mol/min。
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