DE112018001605T5 - Verfahren zum Polieren von Silizium- Wafern - Google Patents

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Abstract

Diese Erfindung ist ein Verfahren zum Polieren eines Silizium-Wafers, umfassend: Einen ersten Polierschritt zum Polieren einer Silizium-Waferoberfläche, indem der von einem Polierkopf gehaltene Wafer in Schleifkontakt mit einem an einem Drehteller befestigten Poliertuch gebracht wird, während eine wässrige alkalische Lösung, die Schleifkörner enthält, auf das Poliertuch aufgebracht wird, und einen zweiten Polierschritt zum Polieren der Silizium-Waferoberfläche, indem der Wafer in Schleifkontakt mit dem Poliertuch gebracht wird, während eine wässrige alkalische Lösung, die ein Polymer enthält, ohne Schleifkörner zu enthalten, auf das Poliertuch aufgebracht wird, wobei die Oberflächentemperatur des Poliertuchs so gesteuert wird, dass die Oberflächentemperatur des Poliertuchs im zweiten Polierschritt um 2 °C oder mehr höher ist als die Oberflächentemperatur des Poliertuchs im ersten Polierschritt. Dadurch wird sowohl eine höhere Ebenheit als auch eine Verringerung der Oberflächenrauheit erreicht.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Polieren eines Silizium-Wafers.
  • STAND DER TECHNIK
  • In den letzten Jahren haben Halbleiterbauelemente bemerkenswerte Fortschritte in Richtung Miniaturisierung, Gewichtsreduzierung und höherer Integration gemacht. Dementsprechend wurden Wafer, die die Matrix bilden sollen, vorangebracht, damit sie eine höhere Qualität und einen größeren Durchmesser aufweisen, sodass einige von ihnen einen Durchmesser von mehr als 300 mm aufweisen, und die Anforderungen an die Verbesserung der Wafer in Bezug auf Ebenheit und Oberflächenrauheit werden immer strenger.
  • Das bisherige Polieren wurde hauptsächlich mit einem Verfahren unter Verwendung einer Poliervorrichtung durchgeführt, die mit einem Drehteller mit einem daran befestigten Poliertuch, einem Polierkopf zum Halten eines Wafers von seiner Rückseite und einer Düse zum Aufbringen einer Aufschlämmung ausgestattet ist, wobei bei dem Verfahren die Waferoberfläche unter Verwendung des Polierkopfes in Schleifkontakt mit dem Poliertuch gebracht wird, während der Drehteller und der Polierkopf gedreht werden und eine Aufschlämmung auf das Poliertuch aufgebracht wird (siehe Patentdokument 1).
  • Bisher wurde ein Polieren durchgeführt, das die erste Stufe, um einen Wafer hinsichtlich Ebenheit unter Aufbringen einer Schleifkörner enthaltenden Aufschlämmung präzise zu bearbeiten, zusammen mit der zweiten Stufe umfasst, um den Wafer hinsichtlich Oberflächenbedingungen (Rauheit, Kratzer, Partikel usw.) unter Aufbringen einer Aufschlämmung, die ein Polymer enthält, ohne Schleifkörner zu enthalten, präzise zu bearbeiten. Bei diesen Ausführungen des Polierens in einer Mehrzahl von Stufen waren die Polierbedingungen, wie etwa die Drehzahl des Drehtellers usw., immer konstant.
  • LITERATURLISTE
  • PATENTLITERATUR
  • Patentdokument 1: Japanische ungeprüfte Patentanmeldung Nr. 2001-334454
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • TECHNISCHE AUFGABE
  • Die vorliegenden Erfinder forschten an einem Polieren, das die erste Stufe und die zweite Stufe umfasst, die vorstehend beschrieben sind, um festzustellen, dass ΔESFQRmax zwischen vor und nach dem Polieren in einer Kompromissbeziehung mit der Oberflächenrauheit in Bezug auf die Drehzahl eines Drehtellers steht (3). Im Übrigen ist 3 ein Diagramm, das den relativen Wert der Oberflächenrauheit (linke Achse) und den relativen Wert von ΔESFQRmax (Kantenebenheit, rechte Achse) zeigt, die basierend auf Werten, wenn die Drehzahl des Drehtellers verdreifacht wird, normiert sind. Selbst in einer solchen Beziehung ist die Poliertechnologie erforderlich, um beide Eigenschaften zu verbessern.
  • Die vorliegende Erfindung wurde unter Berücksichtigung der oben beschriebenen Aufgabenstellungen erreicht. Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Polieren eines Silizium-Wafers bereitzustellen, das es ermöglicht, sowohl die Ebenheit als auch die Oberflächenrauheit zu verbessern.
  • LÖSUNG DER AUFGABE
  • Um die vorstehend beschriebenen Aufgabenstellungen lösen, stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Polieren eines Silizium-Wafers bereit, wobei das Verfahren umfasst:
    • einen ersten Polierschritt zum Polieren einer Oberfläche des Silizium-Wafers, indem der von einem Polierkopf gehaltene Silizium-Wafer in Schleifkontakt mit einem an einem Drehteller befestigten Poliertuch gebracht wird, während eine wässrige alkalische Lösung, die ein Schleifkorn enthält, auf das Poliertuch aufgebracht wird, und
    • einen zweiten Polierschritt zum Polieren einer Oberfläche des Silizium-Wafers, indem der Silizium-Wafer in Schleifkontakt mit dem Poliertuch gebracht wird, während eine wässrige alkalische Lösung, die ein Polymer enthält, ohne ein Schleifkorn zu enthalten, auf das Poliertuch aufgebracht wird,
    • wobei das Poliertuch so gesteuert wird, dass es eine Oberflächentemperatur aufweist, sodass die Oberflächentemperatur des Poliertuchs im zweiten Polierschritt um 2 °C oder mehr höher ist als die Oberflächentemperatur des Poliertuchs im ersten Polierschritt, um den Silizium-Wafer zu polieren.
  • Es wird möglich, einen Silizium-Wafer zu erhalten, bei dem sowohl eine höhere Ebenheit als auch eine Verringerung der Oberflächenrauheit durch Polieren erreicht wird, wobei die Oberflächentemperatur des Poliertuchs wie vorstehend beschrieben im zweiten Polierschritt um 2 °C oder mehr höher eingestellt wird als im ersten Polierschritt.
  • Vorzugsweise wird die Oberflächentemperatur des Poliertuchs gesteuert, während die Oberflächentemperatur des Poliertuchs mit einem Infrarotstrahl gemessen wird.
  • Dadurch ist es möglich, die Oberflächentemperatur des Poliertuchs genauer zu steuern.
  • In diesem Fall ist es bevorzugt, dass die Oberflächentemperatur des Poliertuchs durch Einstellen von mindestens einem aus einer Drehzahl des Drehtellers sowie einem Durchfluss und einer Temperatur eines in den Drehteller strömenden wässrigen Kühlmittels gesteuert wird.
  • Wenn die Oberflächentemperatur des Poliertuchs auf diese Weise gesteuert wird, ist es möglich, die Oberflächentemperatur ohne Weiteres zu steuern, um die Oberflächentemperatur des Poliertuchs im zweiten Polierschritt um 2 °C oder mehr höher als die des Poliertuchs im ersten Polierschritt einzustellen.
  • VORTEILHAFTE WIRKUNG DER ERFINDUNG
  • Das erfinderische Verfahren zum Polieren eines Silizium-Wafers ermöglicht es, einen Silizium-Wafer zu erhalten, bei dem sowohl eine höhere Ebenheit als auch eine Verringerung der Oberflächenrauheit erreicht wurde.
  • Figurenliste
    • 1 ist ein Diagramm, das die Veränderung der Oberflächentemperatur des Poliertuchs in den Beispielen 1 und 2 zeigt;
    • 2 ist eine schematische Darstellung, die ein Beispiel einer einseitigen Poliervorrichtung zeigt, die im erfinderischen Verfahren zum Polieren eines Silizium-Wafers verwendet werden kann;
    • 3 ist ein Diagramm, das die Kompromissbeziehung zwischen ΔESFQRmax und Oberflächenrauheit zeigt.
  • BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Wie vorstehend beschrieben, war für ein Verfahren zum Polieren eines Silizium-Wafers erforderlich, das sowohl eine höhere Ebenheit als auch eine Verringerung der Oberflächenrauheit erreicht werden kann.
  • Die vorliegenden Erfinder haben weiter untersucht, um festzustellen, dass die Ebenheit überwiegend durch die Poliertemperatur in der ersten Stufe (die Oberflächentemperatur des Poliertuchs im ersten Polierschritt) beeinflusst wird, bei der eine wässrige alkalische Lösung, die nur ein Schleifkorn enthält, aufgebracht wird, und die Oberflächenrauheit überwiegend durch die Poliertemperatur in der zweiten Stufe (die Oberflächentemperatur des Poliertuchs im zweiten Polierschritt) beeinflusst wird, bei der eine wässrige alkalische Lösung, die nur ein Polymer enthält, aufgebracht wird. Dementsprechend werden die Polierbedingungen zum Erreichen sowohl der Ebenheit als auch der Verbesserung der Oberflächenrauheit durch Polieren bestimmt, wobei die Oberflächentemperatur des Poliertuchs mittels Infrarotstrahl überwacht wird, um die Oberflächentemperatur des Poliertuchs zum Polieren im zweiten Polierschritt höher als die Oberflächentemperatur des Poliertuchs im ersten Polierschritt einzustellen.
  • Dann haben die vorliegenden Erfinder festgestellt, dass sowohl eine höhere Ebenheit als auch eine Verringerung der Oberflächenrauheit erreicht werden kann, indem die Oberflächentemperatur des Poliertuchs im zweiten Polierschritt um 2 °C oder mehr höher als die Oberflächentemperatur des Poliertuchs im ersten Polierschritt gesteuert wird; wodurch die vorliegende Erfindung erreicht wurde.
  • Das heißt, die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zum Polieren eines Silizium-Wafers bereit, wobei das Verfahren umfasst:
    • einen ersten Polierschritt zum Polieren einer Oberfläche des Silizium-Wafers, indem der von einem Polierkopf gehaltene Silizium-Wafer in Schleifkontakt mit einem an einem Drehteller befestigten Poliertuch gebracht wird, während eine wässrige alkalische Lösung, die ein Schleifkorn enthält, auf das Poliertuch aufgebracht wird, und
    • einen zweiten Polierschritt zum Polieren einer Oberfläche des Silizium-Wafers, indem der Silizium-Wafer in Schleifkontakt mit dem Poliertuch gebracht wird, während eine wässrige alkalische Lösung, die ein Polymer enthält, ohne ein Schleifkorn zu enthalten, auf das Poliertuch aufgebracht wird,
    • wobei die Oberflächentemperatur des Poliertuchs so gesteuert wird, dass die Oberflächentemperatur des Poliertuchs im zweiten Polierschritt um 2 °C oder mehr höher ist als die Oberflächentemperatur des Poliertuchs im ersten Polierschritt, um den Silizium-Wafer zu polieren.
  • Im Folgenden wird das Verfahren zum Polieren eines Silizium-Wafers besonders beschrieben.
  • In der vorliegenden Erfindung kann eine einseitige Poliervorrichtung 10 verwendet werden, wie in 2 dargestellt, die mit einem Drehteller 2 mit einen daran befestigten Poliertuch 1 und einem Polierkopf 3 zum Halten eines Wafers W ausgestattet ist. Diese einseitige Poliervorrichtung 10 ist ausgelegt, um die Oberfläche des Wafers W zu polieren, indem sie den vom Polierkopf 3 gehaltenen Wafer W in Schleifkontakt mit dem Poliertuch 1 bringt und gleichzeitig ein Poliermittel (Aufschlämmung) von der Düse 4 auf das Poliertuch 1 aufbringt.
  • Es ist zu beachten, dass die in der vorliegenden Erfindung verwendete Poliervorrichtung nicht auf die von 2 beschränkt ist, die eine Ausführungsform mit zwei Polierköpfen 3 über einem Drehteller darstellt. So können beispielsweise ein, drei oder mehr Polierköpfe über einem Drehteller montiert sein. Auch die Anzahl der Drehteller ist nicht besonders begrenzt, und es kann eine Mehrzahl von Drehtellern montiert sein.
  • Als Poliertuch 1 wird vorzugsweise ein geschäumtes Urethan-Tuch oder ein Vliesstoff verwendet.
  • In der vorliegenden Erfindung wird zunächst der erste Polierschritt unter Verwendung einer solchen einseitigen Poliervorrichtung 10 durchgeführt, um die Oberfläche des Silizium-Wafers W zu polieren, indem der vom Polierkopf 3 gehaltene Silizium-Wafer W in Schleifkontakt mit dem am Drehteller 2 befestigten Poliertuch 1 gebracht wird, während eine wässrige alkalische Lösung, die ein Schleifkorn enthält, von der Düse 4 auf das Poliertuch aufgebracht wird.
  • Als Poliermittel (Aufschlämmung) wird im ersten Polierschritt eine wässrige alkalische Lösung mit einem Schleifkorn verwendet. Ein anschauliches Beispiel für die wässrige alkalische Lösung umfasst eine wässrige KOH-Lösung. Das Schleifkorn ist vorzugsweise kolloidale Kieselsäure. Es kann jedoch jede wässrige alkalische Lösung verwendet werden, die ein Schleifkorn enthält, und die Arten von Schleifkorn und wässriger alkalischer Lösung sind nicht darauf beschränkt.
  • Anschließend wird der zweite Polierschritt durchgeführt, um die Oberfläche des Silizium-Wafers W zu polieren, indem der Silizium-Wafer W in Schleifkontakt mit dem Poliertuch 1 gebracht wird, während eine wässrige alkalische Lösung, die ein Polymer enthält, ohne ein Schleifkorn zu enthalten, auf das Poliertuch 1 aufgebracht wird. Die vorliegende Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächentemperatur des Poliertuchs zum Polieren eines Silizium-Wafers so gesteuert wird, dass die Oberflächentemperatur des Poliertuchs im zweiten Polierschritt um 2 °C oder mehr höher ist als die Oberflächentemperatur des Poliertuchs im ersten Polierschritt (d. h. ΔT ≥ 2 °C in 1). Wenn die Oberflächentemperatur des Poliertuchs auf diese Weise gesteuert wird, ist es möglich, sowohl eine höhere Ebenheit als auch eine Verringerung der Oberflächenrauheit zu erreichen.
  • Das im zweiten Polierschritt verwendete Poliermittel ist eine wässrige alkalische Lösung, die ein Polymer enthält, ohne ein Schleifkorn (z. B. kolloidale Kieselsäure) zu enthalten. Veranschaulichende Beispiele für das Polymer sind das auf einem Wafer absorbierte Polymer, wie beispielsweise Hydroxyethylcellulose. Als wässrige alkalische Lösung kann beispielhaft wässriges Ammoniak genannt werden. Die Arten des Polymers und der wässrigen alkalischen Lösung sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die Oberflächentemperatur des Poliertuchs ist im ersten Polierschritt und im zweiten Polierschritt nicht besonders begrenzt, sofern sie so gesteuert wird, dass die Oberflächentemperatur des Poliertuchs im zweiten Polierschritt um 2 °C oder mehr höher ist als die Oberflächentemperatur des Poliertuchs im ersten Polierschritt. So können sie zum Beispiel eine vorgegebene Temperatur im Bereich von 25 bis 35 °C aufweisen. Jede Polierzeit kann auf 2 bis 8 Minuten eingestellt werden.
  • Vorzugsweise wird die Oberflächentemperatur des Poliertuchs gesteuert, während die Oberflächentemperatur des Poliertuchs mit einem Infrarotstrahl gemessen wird. Dadurch ist es möglich, die Oberflächentemperatur des Poliertuchs genauer zu steuern.
  • Das Verfahren ist nicht besonders darauf begrenzt, die Oberflächentemperatur des Poliertuchs im zweiten Polierschritt um 2 °C oder mehr höher als die Oberflächentemperatur des Poliertuchs im ersten Polierschritt einzustellen. Insbesondere kann die Oberflächentemperatur des Poliertuchs durch Einstellen von mindestens einem aus der Drehzahl des Drehtellers sowie dem Durchfluss und der Temperatur eines in den Drehteller strömenden wässrigen Kühlmittels gesteuert werden, während die Oberflächentemperatur des Poliertuchs mit einem Infrarotstrahl gemessen wird. So kann die Oberflächentemperatur des Poliertuchs zum Beispiel nach Abschluss des ersten Polierschrittes um 2 °C oder mehr erhöht werden, indem die Drehzahl des Drehtellers erhöht wird, um die Reibungswärme zu erhöhen, die Temperatur des wässrigen Kühlmittels erhöht wird oder der Durchfluss des wässrigen Kühlmittels verringert wird, das in den Drehteller fließt. Die Übergangszeit (zum Erhöhen der Temperatur) vom ersten Polierschritt zum zweiten Polierschritt kann zum Beispiel 15 bis 30 Sekunden betragen. Als ein Verfahren zum Einstellen der Oberflächentemperatur des Poliertuchs im zweiten Polierschritt, die um 2 °C oder mehr höher ist als die Oberflächentemperatur des Poliertuchs im ersten Polierschritt, ist es auch möglich, den Durchfluss oder die Temperatur des aufzubringenden Poliermittels, die Drehzahl des Polierkopfes oder den Durchfluss oder die Temperatur des in den Polierkopf strömenden wässrigen Kühlmittels einzustellen. Die Oberflächentemperatur des Poliertuchs kann jedoch leichter kontrolliert werden, indem die Drehzahl des Drehtellers, an dem das Poliertuch befestigt ist, oder das in den Drehteller strömende wässrige Kühlmittel eingestellt wird.
  • Wenn die Oberflächentemperatur des Poliertuchs im zweiten Polierschritt niedriger ist als die Oberflächentemperatur des Poliertuchs im ersten Polierschritt, oder wenn die Differenz zwischen der Oberflächentemperatur des Poliertuchs im zweiten Polierschritt und der Oberflächentemperatur des Poliertuchs im ersten Polierschritt weniger als 2 °C beträgt, wird es unmöglich, sowohl eine höhere Ebenheit als auch eine Verringerung der Oberflächenrauheit zu erreichen.
  • BEISPIELE
  • Im Folgenden wird die vorliegende Erfindung durch die Darstellung von Beispielen und Vergleichsbeispielen näher beschrieben, aber die vorliegende Erfindung ist nicht auf diese Beispiele beschränkt.
  • (Beispiele 1 bis 2, Vergleichsbeispiele 1 bis 3)
  • Die einseitige Poliervorrichtung 10, wie in 2 dargestellt, wurde verwendet, um die Oberfläche des Wafers W zu polieren, indem der vom Polierkopf 3 gehaltene Wafer in Schleifkontakt mit dem am Drehteller 2 befestigten Poliertuch 1 gebracht wird, während eine Aufschlämmung von der Düse 4 auf das Poliertuch 1 aufgebracht wird. Als Poliertuch 1 wurde ein Vliesstoff verwendet. Als Polieraufschlämmung wurde im ersten Polierschritt eine wässrige KOH-Lösung mit kolloidaler Kieselsäure und im zweiten Polierschritt eine wässrige Ammoniaklösung mit Hydroxyethylcellulose (HEC) mit dem Molekulargewicht 1.000.000.000 verwendet.
  • Wie in 1 dargestellt, wurde ein Silizium-Wafer poliert, während eine kolloidale Kieselsäure enthaltende wässrige KOH-Lösung aufgebracht wurde (der erste Polierschritt); danach wurde der Kühlmittelstrom zum Drehteller gestoppt, während gleichzeitig das Aufbringen einer HEC mit dem Molekulargewicht von 1.000.000.000 enthaltenden wässrigen Ammoniaklösung begonnen wurde und dabei die Drehzahl des Drehtellers in 15 Sekunden erhöht wurde (Temperaturerhöhungszeitraum); und der zweite Polierschritt wurde mit einer Drehzahl durchgeführt, die ein Wert relativ zur Drehzahl des Drehtellers im ersten Polierschritt ist, wie in Tabelle 1 dargestellt. Die Oberflächentemperatur des Poliertuchs wurde während des Poliervorgangs mit einem Infrarotstrahl gemessen. Tabelle 1 zeigt die Differenz zwischen den mittleren Temperaturen (ΔT) im ersten Polierschritt und im zweiten Polierschritt.
  • Tabelle 1 zeigt die Temperaturdifferenz zwischen dem ersten Polierschritt und dem zweiten Polierschritt sowie die entsprechende ΔESFQRmax und Oberflächenrauheit, gemessen unter Verwendung eines TMS-3000W (Hersteller Schmitt Industries Inc.). Die Kantenebenheit wurde unter Verwendung des Wafer Sight der KLA Tencor Corporation gemessen. Bei der Berechnung des ESFQRmax wurden Zonen (andere Bezeichnung: Polare Stellen) auf den M49-Modus mit der Gesamtsektorzahl von 72 und der Sektorlänge von 30 mm (2 mm E.E. (äußerer Umfangsausschlussbereich)) eingestellt. ΔESFQRmax stellt eine Differenz zwischen vor und nach dem Polieren dar.
  • [Tabelle 1]
    Vergleichsbeispiel 1 Vergleichsbeispiel 2 Vergleichsbeispiel 3 Beispiel 1 Beispiel 2
    Differenz der mittleren Temperatur 0,3 °C 1,4 °C 1,8 °C 2,0 °C 2,6 °C
    Oberflächenrauheit *1 1,67 1,27 1,08 0,93 0,79
    Ebenheit *1 (ΔES-FQRmax) 0,73 0,78 0,83 0,88 0,83
    Drehzahl des Drehtellers beim zweiten Polierschritt *2 1,0 1,6 2,2 2,8 3,5
    Erfolgreich bei Nur Ebenheit Nur Ebenheit Nur Ebenheit Beide Beide
    *1 Relativwert, wenn der Normwert auf 1 gesetz ist
    *2 1 eingestellt ist relativver Wert, wen n die Drehzahl des Drehtel im ersten en Polierschritt auf
  • Wie in Tabelle 1, Beispiele 1 und 2 dargestellt, bei denen die Oberflächentemperatur des Poliertuchs im zweiten Polierschritt jeweils so gesteuert wurde, dass sie um 2 °C oder mehr höher ist als die Oberflächentemperatur des Poliertuchs im ersten Polierschritt, gelang es, sowohl hinsichtlich der Ebenheit als auch der Oberflächenrauheit die Standards zu erreichen. Andererseits konnte bei den Vergleichsbeispielen 1 bis 3 der Standard der Oberflächenrauheit nicht erreicht werden, womit sowohl die Ebenheit als auch die Oberflächenrauheit nicht erfüllt waren.
  • Es ist darauf hinzuweisen, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die vorstehende Ausführungsform beschränkt ist. Die vorstehende Ausführungsform ist nur ein veranschaulichendes Beispiel und jedes Beispiel, das im Wesentlichen die gleiche Konfiguration aufweist und die gleichen Funktionen und Wirkungen wie das in den Ansprüchen der vorliegenden Erfindung beschriebene technische Konzept ausübt, ist im technischen Umfang der vorliegenden Erfindung eingeschlossen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2001334454 [0005]

Claims (3)

  1. Verfahren zum Polieren eines Silizium-Wafers, wobei das Verfahren umfasst: einen ersten Polierschritt zum Polieren einer Oberfläche des Silizium-Wafers, indem der von einem Polierkopf gehaltene Silizium-Wafer in Schleifkontakt mit einem an einem Drehteller befestigten Poliertuch gebracht wird, während eine wässrige alkalische Lösung, die ein Schleifkorn enthält, auf das Poliertuch aufgebracht wird, und einen zweiten Polierschritt zum Polieren einer Oberfläche des Silizium-Wafers, indem der Silizium-Wafer in Schleifkontakt mit dem Poliertuch gebracht wird, während eine wässrige alkalische Lösung, die ein Polymer enthält, ohne ein Schleifkorn zu enthalten, auf das Poliertuch aufgebracht wird, wobei das Poliertuch so gesteuert wird, dass es eine Oberflächentemperatur aufweist, sodass die Oberflächentemperatur des Poliertuchs im zweiten Polierschritt um 2 °C oder mehr höher ist als die Oberflächentemperatur des Poliertuchs im ersten Polierschritt, um den Silizium-Wafer zu polieren.
  2. Verfahren zum Polieren eines Silizium-Wafers nach Anspruch 1, wobei die Oberflächentemperatur des Poliertuchs gesteuert wird, während die Oberflächentemperatur des Poliertuchs durch einen Infrarotstrahl gemessen wird.
  3. Verfahren zum Polieren eines Silizium-Wafers nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei die Oberflächentemperatur des Poliertuchs durch Einstellen von mindestens einem aus einer Drehzahl des Drehtellers sowie einem Durchfluss und einer Temperatur eines in den Drehteller strömenden wässrigen Kühlmittels gesteuert wird.
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