TWI750334B - 研磨方法、研磨裝置、基板處理系統以及記錄媒體 - Google Patents

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TWI750334B
TWI750334B TW107106604A TW107106604A TWI750334B TW I750334 B TWI750334 B TW I750334B TW 107106604 A TW107106604 A TW 107106604A TW 107106604 A TW107106604 A TW 107106604A TW I750334 B TWI750334 B TW I750334B
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Abstract

本發明提供一種能夠以低運轉成本對晶片等基板進行研磨的研磨方法，該研磨方法能夠以低運轉成本對晶片等基板進行研磨，該研磨方法包含如下的步驟：一邊利用真空吸附台(11)對基板(W)的背側面進行保持一邊使基板(W)旋轉，使保持有多個研磨器具(61)的研磨頭(50)旋轉，將旋轉的多個研磨器具(61)向基板(W)的表側面按壓。基板(W)的表側面是形成佈線圖案的面。

Description

研磨方法、研磨裝置、基板處理系統以及記錄媒體
本發明涉及對晶片等基板進行研磨的方法和裝置，尤其涉及對形成佈線圖案的基板的表側面進行研磨的方法和裝置。
在NIL(納米壓印光刻技術)中，從樣板將電路圖案直接轉印於晶片。若在晶片表面上存在微粒等微小突起物，則有時在電路圖案的轉印時樣板破損。因此，為了延長昂貴的樣板的壽命，要求從轉印前的晶片中去除微小突起物。在晶片表面上存在的微小突起物不僅僅包含附著於晶片表面的微粒，而且包含埋入於膜中的異物。特別是這樣的異物在海綿擦洗這樣的清潔機構中不容易去除。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]：日本特開2014-150178號公報
[專利文獻2]：日本特開2015-012200號公報
[專利文獻3]：日本特開2016-058724號公報
[專利文獻4]：日本特開2002-343754號公報
因此，為了從晶片表面去除微小突起物，考慮使用化學機械研磨(CMP)裝置。CMP裝置構成為通過一邊對研磨臺上的研磨墊供給漿料一邊使晶片與研磨墊滑動接觸而對晶片的表面進行研磨。
然而，CMP裝置是具有研磨台的較大的裝置，需要較大的設置空間，該研磨台具有晶片的1倍以上的直徑。除此之外，CMP裝置需要漿料和研磨墊等消耗品，消耗品的成本較高。此外，為了防止晶片表面的污染，需要充分地清洗研磨後的晶片表面而從晶片去除漿料。
因此，本發明的目的在於，提供能夠以低運轉成本對晶片等基板進行研磨的研磨方法和研磨裝置。並且，本發明的目的在於，提供具有這樣的研磨裝置的基板處理系統。
為了達成上述的目的，本發明的一個方式提供研磨方法，該研磨方法包含如下的工序：一邊利用真空吸附台對基板的背側面進行保持，一邊使所述基板旋轉；使保持有多個研磨器具的研磨頭旋轉；以及將旋轉的所述多個研磨器具向所述基板的表側面按壓，所述基板的表側面是形成佈線圖案的面。
本發明的優選的方式的特徵在於，將旋轉的所述多個研磨器具向所述基板的表側面按壓的工序，係一邊使所述研磨頭與所述基板的表側面平行地擺動，一邊將旋轉的所述多個研磨器具向所述基板的表側面按壓。
本發明的優選的方式的特徵在於，使所述研磨頭與所述基板的表側面平行地擺動的動作，係使所述研磨頭在所述基板的表側面的中心部與外周部之間與所述基板的表側面平行地擺動。
本發明的優選的方式的特徵在於，將旋轉的所述多個研磨器具向所述基板的表側面按壓的工序，係一邊向所述基板的表側面供給不包含磨粒的液體，一邊將旋轉的所述多個研磨器具向所述基板的表側面按壓。
本發明的優選的方式的特徵在於，所述液體與所述基板的表側面大致平行地噴射。
本發明的優選的方式的特徵在於，將旋轉的所述多個研磨器具向所述基板的表側面按壓的工序，係一邊使所述研磨器具在該研磨器具的長度方向上傳送，一邊將旋轉的所述多個研磨器具向所述基板的表側面按壓。
本發明的優選的方式的特徵在於，將旋轉的所述多個研磨器具向所述基板的表側面按壓的工序，係不使所述研磨器具在該研磨器具的長度方向上傳送，而將旋轉的所述多個研磨器具向所述基板的表側面按壓。
本發明的優選的方式的特徵在於，所述研磨器具是具有研磨面的研磨帶，該研磨面由包含磨粒的研磨層構成。
本發明的一個方式提供研磨方法，其特徵為含有下述步驟：：準備基板，該基板具有形成佈線圖案的表側面和沒有形成佈線圖案的背側面；一邊利用真空吸附台對基板的背側面進行保持，一邊使所述基板旋轉；使保持有多個研磨器具的研磨頭旋轉；以及一邊使所述研磨頭與所述基板的表側面平行地擺動，一邊將旋轉的所述多個研磨器具向所述基板的表側面按壓而對基板的表側面進行研磨。
本發明的一個方式提供研磨裝置，其特徵為具有：真空吸附台，該真空吸附台具有對基板的背側面進行保持的保持面；吸附台馬達，該吸附台馬達使所述真空吸附台旋轉；研磨頭；複數研磨器具，該複數研磨器具安裝於所述研磨頭；頭部馬達，該頭部馬達使所述研磨頭和所述複數研磨器具旋轉；以及致動器，該致動器能夠對所述研磨頭施加朝下的荷重，使所述研磨頭能夠將所述複數研磨器具向所述基板的表側面按壓。
本發明的優選的方式的特徵在於，還具有擺動機構，該擺動機構使所述研磨頭在與所述真空吸附台的保持面平行的方向上擺動。
本發明的優選的方式的特徵在於，還具有狀態檢測感測器，該狀態檢測感測器對所述基板的表側面的狀態進行檢測。
本發明的優選的方式的特徵在於，還具有液體供給噴嘴，該液體供給噴嘴與所述保持面大致平行地配置。
本發明的一個方式提供基板處理系統，該基板處理系統連續地對多個基板進行處理，該基板處理系統包含：上述研磨裝置；微粒計數器，該微粒計數器對所述研磨裝置所研磨的基板的表側面上存在的微小突起物的數量進行計數；以及動作控制部，該動作控制部接收所述微小突起物的數量，變更使用所述研磨裝置的用於後續的基板的研磨方案。
本發明的一個方式提供記錄媒體，是非暫時性的能夠由電腦讀取的記錄媒體，該記錄媒體記錄有用於使電腦執行如下的步驟的程式：對基板旋轉機構施加指令，對基板的背側面進行保持，使該基板旋轉的步驟；對與研磨頭連結的頭部馬達施加指令，使安裝於所述研磨頭的多個研磨器具旋轉的步驟；以及 對與所述研磨頭連結的致動器施加指令，對所述研磨頭施加朝下的荷重，以使所述研磨器具向形成佈線圖案的所述基板的表側面按壓的步驟。
根據本發明，使用固定有磨粒的多個研磨器具，從而不需要漿料，因此能夠低污染地對基板的表側面進行研磨。此外，由於在基板的背側面沒有形成佈線圖案，因此能夠使用真空吸附台對基板的背側面進行保持。不需要通過流體的靜壓來支承基板的機構，能夠實現研磨裝置的低成本。真空吸附台的保持面能夠採用與基板大致相同的大小，因此能夠使研磨裝置整體變得緊湊。
1‧‧‧研磨裝置
6‧‧‧間隔壁
8‧‧‧換氣機構
10‧‧‧基板旋轉機構
11‧‧‧真空吸附台
11a‧‧‧保持面
12‧‧‧吸附台馬達
15‧‧‧旋轉接頭
17‧‧‧真空管線
20‧‧‧吸引孔
21‧‧‧內部腔室
27‧‧‧液體供給噴嘴
30‧‧‧升降機構
31‧‧‧升降銷
32‧‧‧橋
33‧‧‧升降機
36‧‧‧凹陷部
50‧‧‧研磨頭
51‧‧‧研磨頭軸
53‧‧‧擺動臂
54‧‧‧擺動軸
55‧‧‧軸旋轉機構
56‧‧‧研磨頭升降機構
57‧‧‧氣缸
58‧‧‧研磨頭旋轉機構
59‧‧‧狀態檢測感測器
60‧‧‧帶盒
61‧‧‧研磨帶
62‧‧‧支持部材
63‧‧‧施力機構
64‧‧‧帶放出轉輪
65‧‧‧帶捲繞轉輪
69‧‧‧傘齒輪
70‧‧‧傘齒輪
71‧‧‧結束標誌檢測感測器
72‧‧‧卡盤部
75A、75B‧‧‧轉輪軸
76A、76B‧‧‧軸承
77‧‧‧轉輪殼
78‧‧‧滾珠花鍵螺母
79‧‧‧滾珠花鍵軸
80A、80B‧‧‧制動輪
81‧‧‧制動墊
82‧‧‧彈簧
83‧‧‧銷
84A‧‧‧放出齒輪
84B‧‧‧捲繞齒輪
85A、85B‧‧‧單向離合器
86A、86B‧‧‧齒條
87‧‧‧設置台
88‧‧‧轉矩限制器
90‧‧‧研磨墊
120‧‧‧裝卸部
121‧‧‧前部負載部
123‧‧‧第一輸送機器人
124‧‧‧微粒計數器
126‧‧‧第二輸送機器人
131‧‧‧第一基板台
132‧‧‧第二基板台
133‧‧‧動作控制部
134‧‧‧清洗單元
135‧‧‧乾燥單元
137‧‧‧第三輸送機器人
138‧‧‧第四輸送機器人
W‧‧‧基板
CL‧‧‧軸心
p1‧‧‧滑輪
p2‧‧‧滑輪
b1‧‧‧傳送帶
M1‧‧‧頭部馬達
M2‧‧‧傳送馬達
圖1是示意性地表示研磨裝置的一個實施方式的俯視圖。
圖2是表示在基板的表側面的外周部與中央部之間擺動的研磨頭的圖。
圖3是表示移動到位於真空吸附台的外側的退避位置的研磨頭的圖。
圖4是表示升降銷位於上升位置、研磨頭位於上述退避位置的狀態的圖。
圖5是表示真空吸附台和升降銷的俯視圖。
圖6是表示研磨頭和擺動臂的詳細的結構的圖。
圖7是從下方觀察研磨頭的圖。
圖8是表示帶盒的剖視圖。
圖9是表示上述的研磨裝置的動作的一個實施方式的流程圖。
圖10是表示帶盒的另一例的立體圖。
圖11是圖10所示的帶盒的側視圖。
圖12是圖10所示的帶盒的主視圖。
圖13是圖10所示的帶盒的俯視圖。
圖14是圖12所示的D-D線剖視圖。
圖15是圖12所示的E-E線剖視圖。
圖16是圖12所示的F-F線剖視圖。
圖17是圖12所示的G-G線剖視圖。
圖18是具有研磨墊的研磨頭的仰視圖。
圖19是表示具有上述的研磨裝置的基板處理系統的俯視圖。
圖20是表示動作控制部的結構的一例的示意圖。
以下，參照附圖對本發明的實施方式進行說明。
圖1是示意性地表示研磨裝置的一個實施方式的俯視圖。如圖1所示，研磨裝置1具有：基板旋轉機構10，該基板旋轉機構10保持晶片等基板W的背側面，使基板W以基板W的軸心為中心旋轉；研磨頭50，該研磨頭50保持多個研磨帶61，該研磨帶61用於對保持於該基板旋轉機構10的基板W的表側面進行研磨；液體供給噴嘴27，該液體供給噴嘴27向基板W的表側面供給液體；以及升降機構30，該升降機構30抬起基板W。研磨頭50配置於基板旋轉機構10所保持的基板W的上側。從液體供給噴嘴27供給的液體是不包含磨粒的液體，例如是純水或者鹼性水。研磨帶61是用於對基板W的表側面進行研磨的研磨器具的一例。
研磨裝置1具有間隔壁6和換氣機構8。間隔壁6的內部空間構成處理室7。基板旋轉機構10、研磨頭50、液體供給噴嘴27、升降機構30配置於處理室7內。在間隔壁6設置有未圖示的門，能夠使基板W通過該門而搬入到處理室7 內，並且從處理室7搬出。在間隔壁6的上部形成有潔淨空氣取入口6a，在間隔壁6的下部形成有排氣管道9。換氣機構8設置於間隔壁6的上表面。該換氣機構8具有：風扇8A；以及篩檢程式8B，該篩檢程式8B去除從該風扇8A送出的空氣中的微粒、粉塵。換氣機構8使清潔的空氣通過潔淨空氣取入口6a而送入到處理室7，使處理室7內的氣體從排氣管道9排出。在處理室7內形成清潔的空氣的下沖氣流。以下說明的基板的研磨在該處理室7內實施，防止在研磨中產生的屑、微粒、霧等擴散到裝置外。因此，能夠更有效地防止這樣的粒子會無意地附著於結束了一系列的研磨處理後的基板W上。
基板W的表側面是形成佈線圖案的面，更具體地說，是在研磨裝置1對基板W進行研磨後通過納米壓印等而形成佈線圖案的面。作為形成佈線圖案的面的例子，列舉出塗布保護膜之前的面。基板W的背側面是沒有形成佈線圖案的面。作為沒有形成佈線圖案的面的例子，列舉出矽面。
基板旋轉機構10具有：真空吸附台11，該真空吸附台11通過真空吸引而保持基板W的背側面；吸附台馬達12，該吸附台馬達12使真空吸附台11旋轉；旋轉接頭15，該旋轉接頭15與真空吸附台11連接；以及真空管線17，該真空管線17與旋轉接頭15連接。在本實施方式中，吸附台馬達12是中空馬達，真空吸附台11的軸部11b在吸附台馬達12內延伸而與旋轉接頭15連接。在一個實施方式中，吸附台馬達12也可以配置於真空吸附台11的軸部11b的側方，通過傳送帶等動力傳遞機構而與真空吸附台11的軸部11b連結。
真空吸附台11具有：保持面11a，該保持面11a保持基板W的背側面；多個吸引孔20，該多個吸引孔20在保持面11a內開口；以及內部腔室21，該內部腔室21與這些吸引孔20連通。內部腔室21與上述旋轉接頭15連通。真空管線 17通過旋轉接頭15和內部腔室21而與吸引孔20連通。當真空管線17在吸引孔20內形成真空(負壓)時，基板W的背側面吸附於保持面11a。保持面11a具有與基板W實質上相同的大小。在本實施方式中，基板W和保持面11a是圓形，保持面11a具有與基板W實質上相同的直徑。由此，基板W的整個背側面由保持面11a支承。
基板W被真空吸附台11水平保持，通過吸附台馬達12而使基板W以真空吸附台11的軸心(與基板W的軸心一致)為中心旋轉。液體供給噴嘴27配置於真空吸附台11的上方。該液體供給噴嘴27構成為與未圖示的液體供給源連接，向基板W的表側面供給液體(例如純水、或者鹼性水)。液體供給噴嘴27配置為與真空吸附台11的保持面11a大致平行，且朝向研磨頭50所保持的研磨帶61。液體供給噴嘴27也可以傾斜成視為與保持面11a大致平行的程度。例如，液體供給噴嘴27相對於真空吸附台11的保持面11a的角度在1~15度的範圍內。朝向研磨帶61與基板W的表側面的接觸點，與基板W的表側面大致平行地噴射液體。
通過採用上述的結構，在基板W上更有效地形成朝向基板W的外周緣的液體的流動，通過液體來沖洗從基板W游離的粒子，因此能夠在基板W上不殘存微小的異物。即使在納米壓印工序的轉印工序中使用該基板，也能夠防止對樣板側造成不良影響。
“大致平行”包含1度以上~小於15度的傾斜的情況。當液體的噴流方向與基板W的表側面完全平行時液體有可能沒有準確地到達基板W。另一方面，當液體的噴流方向與基板W的表側面的角度過大時，無法期待在基板W上形成朝向基板W的外周緣的液體的流動。並且，也可以在1度以上~小於15度的 傾斜角度的範圍內，使液體供給噴嘴27相對於基板W上下擺動，而提高清洗效果。
在一個實施方式中，從液體供給噴嘴27噴射的液體的流速處於1m/秒~10m/秒的範圍內。當液體的流速比10m/秒高時，有可能使基板W受損、或者使基板W破損，還有可能液體反彈而研磨屑再附著於基板W。另一方面，當液體的流速比1m/秒低時，有可能無法從基板W充分地去除研磨屑。根據本實施方式，由於液體的噴流以適當的流速且適當的角度到達基板W，因此能夠利用液體洗去研磨屑，能夠防止殘留的研磨屑給基板W帶來損傷。
當使從液體供給噴嘴27噴射的液體到達的區域為研磨頭50的上游側的旋轉的基板W上的區域時，能夠進一步期待清洗效果。並且，為了進一步提高清洗效果，也可以使液體供給噴嘴27相對於基板W左右擺動。
研磨頭50配置於真空吸附台11的保持面11a的上方。在本實施方式中，真空吸附台11的保持面11a是圓形，研磨頭50的橫向寬度比真空吸附台11的保持面11a和基板W的直徑小。在一個實施方式中，研磨頭50的橫向寬度是真空吸附台11的保持面11a的直徑的一半。
研磨頭50與研磨頭軸51連結。該研磨頭軸51與擺動臂53的一端連結，擺動臂53的另一端固定於擺動軸54。擺動軸54與軸旋轉機構55連結。軸旋轉機構55能夠由馬達、滑輪、傳送帶等構成。當通過該軸旋轉機構55使擺動軸54順時針和逆時針地旋轉規定的角度時，如圖2所示，研磨頭50在基板W的表側面的外周部與中央部之間擺動。此外，如圖3所示，當軸旋轉機構55使擺動軸54旋轉時，研磨頭50移動到位於真空吸附台11的外側的退避位置。在本實施方式中，軸 旋轉機構55和擺動軸54構成使研磨頭50在與真空吸附台11的保持面11a平行的方向上擺動的擺動機構。
如圖1所示，使擺動軸54、研磨頭軸51和研磨頭50升降的研磨頭升降機構56與擺動軸54連結。作為研磨頭升降機構56，使用氣缸或者伺服馬達與滾珠絲杠的組合等。
升降機構30具有：多個升降銷31，該多個升降銷31支承基板W的緣部；橋32，該橋32將這些升降銷31彼此連結；以及升降機33，該升降機33與橋32連結。在本實施方式中，配置有4個升降銷31，升降機33使用氣缸。升降機33構成為能夠使橋32和升降銷31相對於真空吸附台11相對地上升和下降。更具體地說，升降機33使升降銷31在上升位置與下降位置之間上下運動，上升位置是升降銷31的上端比真空吸附台11的保持面11a高的位置，下降位置是升降銷31的上端比真空吸附台11的保持面11a低的位置。圖1表示升降銷31位於下降位置並且研磨頭50位於基板W上的狀態，圖4表示升降銷31位於上升位置且研磨頭50位於上述退避位置的狀態。液體供給噴嘴27也能夠在圖1所示的液體供給位置與圖4所示的退避位置之間移動。
圖5是表示真空吸附台11和升降銷31的俯視圖。如圖5所示，在真空吸附台11的外周部形成有能夠供升降銷31通過的凹陷部36。在本實施方式中，凹陷部36具有沿著升降銷31的外周面的半圓形狀的水平截面。在研磨頭50位於退避位置並且升降銷31位於上升位置時，通過輸送機器人(後述)將基板W放置在升降銷31上。當升降銷31下降到比真空吸附台11的保持面11a靠下方的位置時，基板W被放置在保持面11a上。此外，在研磨後，通過升降銷31而從保持面 11a抬起基板W。在研磨頭50位於退避位置並且升降銷31位於上升位置時，通過輸送機器人而從升降銷31移走基板W。
圖6是表示研磨頭50和擺動臂53的詳細的結構的圖。研磨頭軸51與研磨頭旋轉機構58連結，該研磨頭旋轉機構58使研磨頭50以其軸心CL為中心旋轉。軸心CL與真空吸附台11的保持面11a和基板W的被研磨的表側面垂直。研磨頭旋轉機構58配置於擺動臂53內。該研磨頭旋轉機構58具有：安裝於研磨頭軸51的滑輪p1、設置於擺動臂53的頭部馬達M1、固定於頭部馬達M1的旋轉軸的滑輪p2以及搭掛於滑輪p1、p2的傳送帶b1。頭部馬達M1的旋轉借助滑輪p1、p2和傳送帶b1而傳遞給研磨頭軸51，研磨頭50與研磨頭軸51一同旋轉。
在研磨頭軸51的上端連結有氣缸57。該氣缸57是構成為對研磨頭50施加朝下的荷重的致動器。在研磨頭軸51形成有沿縱向延伸的槽(未圖示)，滑輪p1具有與研磨頭軸51的槽卡合的多個負載傳遞滾珠(未圖示)。通過這些槽和負載傳遞滾珠而構成滾珠花鍵軸承。即，滑輪p1能夠允許研磨頭軸51在縱向上的移動並且向研磨頭軸51傳遞轉矩。
多個研磨帶61以能夠裝卸的方式安裝於研磨頭50，該多個研磨帶61用於對基板W的表側面進行研磨。多個研磨帶61繞軸心CL等間隔地配置。氣缸57對研磨頭50施加朝下的荷重，研磨頭50能夠一邊以軸心CL為中心旋轉，一邊使研磨帶61相對於基板W的表側面按壓。
基板W的研磨像如下那樣進行：一邊使保持著基板W的真空吸附台11旋轉，一邊從液體供給噴嘴27對基板W的表側面與研磨頭50所保持的研磨帶61的接觸點噴射液體。一邊通過研磨頭旋轉機構58使研磨頭50和研磨帶61以軸心CL為中心旋轉，一邊通過研磨頭50將研磨帶61向基板W的表側面按壓。研 磨頭50的旋轉方向與真空吸附台11的旋轉方向可以相同、或者也可以相反。研磨帶61在液體的存在下與基板W的表側面滑動接觸，由此對基板W的表側面進行研磨。在基板W的研磨中，研磨頭50一邊以其軸心CL為中心旋轉並且將研磨帶61向基板W的表側面按壓，一邊像圖2所示那樣使研磨頭50在基板W的表側面的外周部與中央部之間擺動。
如圖2所示，在研磨頭50位於基板W的表側面的外周部時，研磨帶61的一部分從基板W向外側伸出。因此，研磨帶61能夠對基板W的整個表側面進行研磨。在研磨頭50的橫向寬度比真空吸附台11的保持面11a的半徑大且比保持面11a的直徑小的情況下，也可以在基板W的研磨中使研磨頭50擺動。使用了研磨帶61的基板W的研磨是如下處理：通過切削基板W的表側面，從而從基板W的表側面去除微小突起物、和/或去除構成基板W的表側面的材料的至少一部分。
在基板W的研磨中，從研磨頭50通過研磨帶61而施加給基板W的力被真空吸附台11的保持面11a支承。真空吸附台11的保持面11a具有與基板W實質上相同的大小，因此基板W的整個背側面被保持面11a支承。由此，在研磨頭50使研磨帶61向基板W按壓時，基板W不會撓曲。
由於研磨頭50比基板W小，因此研磨帶61也可以局部地研磨基板W的表側面。在使研磨頭50擺動的情況下，也可以按照在基板W的表側面上預先定義的區間而預先設定研磨頭50的移動速度和/或旋轉速度。例如，為了增加在基板W的外周部的研磨量，也可以在基板W的外周部上的區間中，使研磨頭50的移動速度下降和/或使研磨頭50的旋轉速度上升。這樣，通過在基板W的研磨中改變研磨頭50的移動速度和/或旋轉速度，能夠製成期望的膜厚分佈。
如圖1至圖3所示，也可以將對基板W的表側面的狀態進行檢測的狀態檢測感測器59安裝於擺動臂53。狀態檢測感測器59能夠與研磨頭50一同擺動，對基板W的整個表側面的狀態進行檢測。作為基板W的表側面的狀態的例子，列舉出膜厚、微小突起物的數量、表面粗糙度等。作為能夠檢測這樣的基板W的表側面的狀態的狀態檢測感測器59，能夠使用公知的光學感測器。光學感測器構成為向基板W的表側面引導光，根據來自表側面的反射光中包含的光學資訊而檢測基板W的表側面的狀態。此外，也可以根據基板W的表側面的狀態的檢測結果而在基板W的研磨中變更基板W的表側面的研磨條件。
圖7是從下方觀察研磨頭50的圖。多個(在圖7中為3個)帶盒60以能夠裝卸的方式安裝於研磨頭50。各帶盒60具有研磨帶61。這些帶盒60設置在研磨頭50的內部。
圖8是表示帶盒60的剖視圖。如圖8所示，帶盒60具有：研磨帶61；支持部材62，該支持部材62支承該研磨帶61的背側；施力機構63，該施力機構63朝向真空吸附台11的保持面11a對該支持部材62施力；帶放出轉輪64，該帶放出轉輪64放出研磨帶61；以及帶捲繞轉輪65，該帶捲繞轉輪65捲繞用於研磨的研磨帶61。在圖8所示的實施方式中，使用彈簧作為施力機構63。研磨帶61從帶放出轉輪64經由支持部材62而傳送到帶捲繞轉輪65。多個支持部材62沿著研磨頭50的半徑方向延伸，並且繞研磨頭50的軸心CL(參照圖1)等間隔地配置。各研磨帶61的基板接觸面也在研磨頭50的半徑方向上延伸。
帶捲繞轉輪65與圖6和圖7所示的帶捲繞軸67的一端連結。在帶捲繞軸67的另一端固定有傘齒輪69。與多個帶盒60連結的這些傘齒輪69與連結於傳送馬達M2的傘齒輪70嚙合。使帶盒60的帶捲繞轉輪65由傳送馬達M2驅動而捲 繞研磨帶61。傳送馬達M2、傘齒輪69、70以及帶捲繞軸67構成使研磨帶61從帶放出轉輪64傳送到帶捲繞轉輪65的帶傳送機構。帶傳送機構能夠使研磨帶61在其長度方向上以規定的速度傳送。
研磨帶61具有10mm~60mm的寬度，具有20m~100m的長度。研磨帶61是在單面上形成了包含磨粒的研磨層的帶。研磨層的表面構成研磨帶61的研磨面。磨粒使用粒徑20nm左右的二氧化矽(SiO2)。由二氧化矽構成的磨粒具有不容易使基板W的面產生損傷的優點。通過使用這樣的研磨帶61，能夠去除在基板W上存在的微小突起物、特別是深入到基板W的表面的微粒。
在該實施例中，在基板W的研磨中，研磨帶61從帶放出轉輪64以規定的速度傳送到帶捲繞轉輪65。因此，始終是新的(未使用的)研磨帶61的研磨面與基板W接觸。或者，也可以僅在研磨剛開始之後傳送研磨帶61，在經過了規定的時間(例如1秒左右)之後不傳送研磨帶61。研磨帶61在其末端的附近具有結束標誌(未圖示)。通過與研磨帶61接近地配置的結束標誌檢測感測器71來檢測該結束標誌。當結束標誌檢測感測器71檢測到研磨帶61的結束標誌時，從結束標誌檢測感測器71向動作控制部(後述)發送檢測信號。接收到檢測信號的動作控制部發出催促研磨帶61的更換的信號(警報等)。帶盒60能夠單獨地拆卸，能夠以簡單的操作來更換帶盒60。
關於研磨帶61，也可以將PET(Polyethylene terephthalate：聚對苯二甲酸乙二醇酯)製成的帶設為基層，將例如聚酯系樹脂這樣的水溶性的合成樹脂設為粘合劑，使粒徑20nm左右的二氧化矽(SiO2)磨粒粘合在帶上。
通過未圖示的測壓元件來監視在研磨處理中作用於研磨頭50的荷重，能夠以兩個階段的等級來監視該荷重是否成為規定的值以上。在施加了有 可能使基板W破損的第一等級以上的荷重的情況下，作為產生了異常的負載的情況，能夠在向操作者通知警告警鳴的同時使研磨頭50上升而停止研磨處理。並且，在施加了第一等級以下但第二等級以上的值的荷重的情況下，變更研磨頭50的高度位置而使研磨頭50與基板W分開，或者在研磨頭50已經與基板W分開的情況下，使來自液體供給噴嘴27的液體向研磨帶61與基板W之間的空間噴射，能夠不對基板W施加損傷。並且，關於後者，還從未圖示的氣體供給噴嘴使氣體進一步向研磨帶61與基板W之間的空間噴射，能夠進一步不對基板W施加損傷。
圖9是表示上述的研磨裝置1的動作的一個實施方式的流程圖。在步驟1中，升降銷31通過升降機33而上升，所研磨的基板W通過輸送機器人(後述)而放置在升降銷31上。研磨頭50位於退避位置。在步驟2中，升降銷31與基板W一同下降，將基板W放置在真空吸附台11的保持面11a上。升降銷31下降到比保持面11a靠下方的位置。在步驟3中，通過真空管線17而在真空吸附台11的吸引孔20中形成真空(負壓)。基板W的背側面通過負壓而保持在真空吸附台11的保持面11a上。然後，研磨頭50從退避位置移動到基板W的上方位置。
在步驟4中，真空吸附台11和研磨頭50以各自的軸心為中心旋轉。研磨頭50的旋轉方向與真空吸附台11的旋轉方向可以相同、或者也可以相反。基板W與真空吸附台11一同旋轉。從液體供給噴嘴27向旋轉的基板W的表側面供給液體。在步驟5中，研磨頭升降機構56使研磨頭50下降，接著氣缸57對研磨頭50施加朝下的荷重。研磨頭50一邊以其軸心CL為中心旋轉，一邊使多個研磨帶61相對於基板W的表側面按壓。此外，研磨頭50在基板W的表側面的外周部與中央部之間與該表側面平行地擺動。研磨帶61在液體的存在下與基板W的表側面滑動接觸，由此對基板W的表側面進行研磨。
在步驟6中，在經過了預先設定的研磨時間之後，通過研磨頭升降機構56使研磨頭50上升。研磨帶61與基板W分開，結束基板W的研磨。此外，停止研磨頭50的旋轉、真空吸附台11和基板W的旋轉以及液體的供給。然後，研磨頭50移動到退避位置。在步驟7中，解除基板W的真空吸附，接著，升降銷31上升，通過升降銷31而從真空吸附台11的保持面11a抬起研磨後的基板W。在步驟8中，通過輸送機器人從升降銷31取出基板W，通過輸送機器人而輸送到下一工序。
根據本發明，使用固定有磨粒的多個研磨帶61，從而不需要漿料，因此能夠低污染地對基板W的表側面進行研磨。由於在基板W的背側面沒有形成佈線圖案，因此能夠使用真空吸附台11來保持基板W的背側面。不需要通過流體的靜壓來支承基板W的機構，能夠實現研磨裝置1的低成本。真空吸附台11的保持面11a能夠採用與基板W大致相同的大小，因此能夠使研磨裝置1整體變得緊湊。此外，通過使用寬度比基板W的直徑小的研磨頭50，能夠實現高效率的基板W的研磨。
圖10至圖17是表示帶盒60的另一例的圖。在該例中，在研磨頭50內沒有設置用於傳送研磨帶61的傳送馬達M2。帶放出轉輪64和帶捲繞轉輪65分別安裝於轉輪軸75A、75B。通過軸承76A、76B而分別旋轉自如地支承轉輪軸75A、75B。這些軸承76A、76B固定於轉輪殼77。轉輪殼77固定於滾珠花鍵螺母78，轉輪殼77和滾珠花鍵螺母78能夠相對於花鍵軸79在上下方向上相對移動。
制動輪80A、80B固定於各個轉輪軸75A、75B。使帶放出轉輪64與制動輪80A一體旋轉，帶捲繞轉輪65與制動輪80B一體旋轉。通過彈簧82對滾珠花鍵螺母78向下方施力，通過彈簧82將制動輪80A、80B向制動墊81按壓。在 制動墊81與制動輪80A、80B接觸時，制動輪80A、80B和與它們連結的帶放出轉輪64和帶捲繞轉輪65無法自由旋轉。在轉輪殼77固定有向下方延伸的銷83、83。在研磨頭50的退避位置配置有與這些銷83、83接觸的銷止動件(未圖示)。
在轉輪軸75A安裝有放出齒輪84A，在轉輪軸75B安裝有捲繞齒輪84B。放出齒輪84A具有比捲繞齒輪84B大的直徑。放出齒輪84A和捲繞齒輪84B經由單向離合器85A、85B而分別安裝於轉輪軸75A、75B。帶放出轉輪64、帶捲繞轉輪65、制動輪80A、80B、放出齒輪84A以及捲繞齒輪84B能夠一體地相對於花鍵軸79在上下方向上相對移動。在放出齒輪84A與捲繞齒輪84B之間設置有齒條86A、86B。放出齒輪84A與一方的齒條86A嚙合，捲繞齒輪84B與另一方的齒條86B嚙合。按壓部件62、制動墊81以及齒條86A、86B固定於設置台87。
當研磨頭50下降到退避位置時，銷83、83與銷止動件抵接，與銷83、83連結的帶放出轉輪64、帶捲繞轉輪65、制動輪80A、80B、放出齒輪84A以及捲繞齒輪84B的下降停止，另一方面，按壓部件62、制動墊81以及齒條86A、86B持續下降。其結果為，彈簧82被壓縮，並且制動墊81與制動輪80A、80B分離，由此成為帶放出轉輪64和帶捲繞轉輪65能夠自由旋轉的狀態。隨著齒條86A、86B下降，與齒條86A、86B卡合的放出齒輪84A和捲繞齒輪84B旋轉。帶放出轉輪64與放出齒輪84A一同旋轉，使新的研磨帶61放出規定的長度。另一方面，帶捲繞轉輪65由於單向離合器85B的作用而不旋轉。
當研磨頭50上升時，彈簧82伸長並且齒條86A、86B上升。由於齒條86A、86B的上升而使放出齒輪84A和捲繞齒輪84B旋轉。帶捲繞轉輪65與捲繞齒輪84B一同旋轉，捲繞已使用的研磨帶61。另一方面，帶放出轉輪64由於單向離合器85A的作用而不旋轉。由於捲繞齒輪84B具有比放出齒輪84A小的直徑， 因此帶捲繞轉輪65與帶放出轉輪64相比旋轉得多。在帶捲繞轉輪65裝配有轉矩限制器88，在捲繞了研磨帶61之後捲繞齒輪84B空轉，對研磨帶61施加張力。當制動墊81與制動輪80A、80B接觸時，帶捲繞轉輪65的旋轉停止，由此研磨帶61的更新結束。
在該例的帶盒60中不需要用於傳送研磨帶61的馬達，因此能夠使研磨頭50的結構簡化。並且，由於間歇地傳送研磨帶61，因此能夠削減研磨帶61的使用量。從圖12和圖13可知，該例的帶盒60具有對稱的構造，一個帶盒60具有兩個研磨帶61、61。在該實施例中，關於用於將磨粒固定於研磨帶61而使用的粘合劑的粘著力，與採用了傳送上述的研磨帶61的類型的帶盒的實施例相比選定較弱的粘著力，例如能夠使用水溶性的粘合劑。
在基板W的研磨中，研磨帶61沒有在其長度方向上傳送，研磨帶61的研磨面與研磨頭50的相對位置是固定的。在研磨頭50移動到圖4所示的退避位置時，研磨帶61在其長度方向上從帶放出轉輪64向帶捲繞轉輪65傳送規定的長度。在本實施方式中，通過使研磨帶61與基板W接觸，而使磨粒從研磨帶61脫落，一邊將研磨帶61向基板W上的微小突起物按壓一邊使磨粒與基板W上的微小突起物接觸，由此擦去基板W上的微小突起物並從基板W去除。
在一個實施方式中，也可以取代研磨帶61，將固定有磨粒的研磨墊用作研磨器具。例如，研磨器具也可以由聚乙烯醇或者聚乙烯等合成樹脂以及通過粘合劑而固定在該合成樹脂的一面上的具有磨粒的研磨墊構成。圖18是具有這樣的結構的多個研磨墊的研磨頭50的仰視圖。與上述的實施方式的研磨帶61同樣，多個研磨墊90繞研磨頭50的軸心CL等間隔地配置。各研磨墊90的下表面構成固定有磨粒的研磨面。
根據上述的各實施方式，研磨頭50具有多個研磨器具(研磨帶61或者研磨墊90)，一邊使這些研磨器具繞軸心CL旋轉，一邊對基板W的表側面進行研磨。由於研磨頭50具有多個研磨器具，因此即使在基板W上存在大量的微小突起物，也能夠通過旋轉的多個研磨器具(研磨帶61或者研磨墊90)而有效地去除這些微小突起物。此外，由於多個研磨器具繞與基板W的表側面垂直的軸心CL旋轉，因此研磨頭50能夠從基板W的整個表側面去除微小突起物。
圖19是表示具有上述的研磨裝置1的基板處理系統的俯視圖。該基板處理系統是能夠連續地對多個基板進行處理(即，研磨、清洗和乾燥)的複合型處理系統。如圖19所示，基板處理系統具有裝卸部120，裝卸部120具有對收納多個基板的基板盒(晶片盒)進行載置的4個前部負載部121。能夠在前部負載部121搭載開放盒、SMIF(Standard Manufacturing Interface：標準製造界面)罐、或者FOUP(Front Opening Unified Pod：前開式晶片傳送盒)。SMIF、FOUP是能夠通過在內部收納基板盒並且利用間隔壁進行覆蓋而保持與外部空間獨立的環境的密閉容器。
在裝卸部120設置有第一輸送機器人(裝載機)123，該第一輸送機器人(裝載機)123能夠沿著前部負載部121的排列方向移動。第一輸送機器人123能夠訪問搭載於各前部負載部121的基板盒，而從基板盒取出基板。與第一輸送機器人123相鄰地設置有微粒計數器124。該微粒計數器124是用於對存在於基板的表側面的微粒等微小突起物的數量進行計數的裝置。另外，也可以省略該微粒計數器124。
基板處理系統還具有：上述的多個研磨裝置1、配置於研磨裝置1附近的第二輸送機器人126、暫時地放置基板的第一基板台131和第二基板台 132。在該實施方式中，兩台研磨裝置1鄰近地設置。在一個實施方式中，也可以設置一台研磨裝置1、或者三台以上的研磨裝置1。
基板處理系統還具有：清洗單元134，該清洗單元134對研磨裝置1所研磨的基板進行清洗；乾燥單元135，該乾燥單元135使清洗後的基板乾燥；第三輸送機器人137，該第三輸送機器人137將基板從第二基板台132輸送到清洗單元134；第四輸送機器人138，該第四輸送機器人138將基板從清洗單元134輸送到乾燥單元135；以及動作控制部133，該動作控制部133對基板處理系統整體的動作進行控制。在本實施方式中，清洗單元134是使兩個輥海綿一邊旋轉一邊與基板的表側面和背側面接觸的輥海綿類型的清洗機。乾燥單元135構成為一邊從各個噴嘴向基板的表側面供給IPA蒸氣(異丙醇與N2氣體的混合氣體)和純水，一邊使這些噴嘴沿著基板的表側面移動。
基板處理系統的動作如下。第一輸送機器人123從基板盒中取出基板，並輸送到微粒計數器124。微粒計數器124對存在於基板的表側面上的微粒等微小突起物的數量進行計數，將該微小突起物的數量發送給動作控制部133。動作控制部133也可以根據微小突起物的數量而變更研磨裝置1中的研磨方案。例如，在微小突起物的數量超過了規定的基準值的情況下，也可以加長基板的研磨時間。
第一輸送機器人123從微粒計數器124中取出基板，進一步放置在第一基板台131上。第二輸送機器人126從第一基板台131中提起基板，將基板搬入到兩台研磨裝置1中的任意一台。
研磨裝置1根據上述的動作順序對基板的表側面進行研磨。也可以根據需要，利用另一方的研磨裝置1進一步對研磨後的基板進行研磨。第二輸 送機器人126將研磨後的基板從研磨裝置1輸送到第二基板台132。第三輸送機器人137將基板從第二基板台132輸送到清洗單元134。清洗單元134一邊向基板供給液體，一邊使輥海綿在基板的兩面上摩擦而清洗基板。
第四輸送機器人138將清洗後的基板從清洗單元134輸送到乾燥單元135。乾燥單元135通過從移動的噴嘴向基板供給IPA蒸氣和純水而對基板進行乾燥。第一輸送機器人123從乾燥單元135取出乾燥的基板，並使基板返回到基板盒。這樣，執行基板的研磨、清洗以及乾燥。
在一個實施方式中，也可以在使乾燥後的基板返回到基板盒之前，第一輸送機器人123將基板輸送到微粒計數器124。微粒計數器124對研磨裝置1所研磨的基板的表側面上存在的微小突起物的數量進行計數，將該微小突起物的數量發送給動作控制部133。動作控制部133也可以根據微小突起物的數量而變更研磨裝置1的用於後續的基板的研磨方案。例如，在微小突起物的數量超過了規定的基準值的情況下，也可以加長後續的基板的研磨時間。
上述的基板處理系統能夠選擇性地執行如下的研磨中的任意一種研磨：利用多個研磨裝置1連續地研磨1張基板的串列研磨、利用多個研磨裝置1並行地研磨多張基板的並行研磨、一邊利用多個研磨裝置1連續地分別研磨多個基板一邊利用多個研磨裝置1同時地研磨多個基板的串列研磨與並行研磨的組合。此外，兩個研磨裝置1中的一方也可以使用不具有磨粒的清潔帶來取代研磨帶。在該情況下，能夠利用兩個研磨裝置1中的一方通過研磨帶對基板進行研磨，然後利用另一方的研磨裝置1通過清潔帶對基板進行清潔。
包含研磨裝置1、微粒計數器124等的基板處理系統的動作由動作控制部133控制。在本實施方式中，動作控制部133由專用的電腦或者通用的計算 機構成。圖20是表示動作控制部133的結構的一例的示意圖。動作控制部133具有：存儲有程式、資料等的儲存裝置210、根據存儲在儲存裝置210中的程式而進行運算的CPU(中央處理裝置)等處理裝置220、用於將資料、程式以及各種資訊輸入給儲存裝置210的輸入裝置230、用於輸出處理結果、處理後的資料的輸出裝置240、以及用於與網際網路等網路連接的通訊裝置250。
儲存裝置210具有能夠由處理裝置220訪問的主儲存裝置211以及存儲資料和程式的輔助儲存裝置212。主儲存裝置211是例如隨機存取記憶體(RAM)，輔助儲存裝置212是硬碟HDD)或者固態硬碟(SSD)等儲存裝置。
輸入裝置230具有鍵盤和滑鼠，還具有：記錄媒體讀取裝置232，該記錄媒體讀取裝置232用於從記錄媒體讀取資料；以及記錄媒體埠234，該記錄媒體埠234連接有記錄媒體。記錄媒體是作為非暫時性的有形物的能夠由電腦讀取的記錄媒體，例如是光碟(例如，CD-ROM、DVD-ROM)或半導體記憶體(例如，USB快閃驅動器、記憶卡)。作為記錄媒體讀取裝置232的例子，列舉出CD驅動器、DVD驅動器等光學驅動器、卡讀取器。作為記錄媒體埠234的例子，列舉出USB終端。記錄在記錄媒體中的程式和/或資料經由輸入裝置230而導入到動作控制部133，存儲在儲存裝置210的輔助儲存裝置212中。輸出裝置240具有顯示器裝置241、印刷裝置242，也可以省略印刷裝置242。
動作控制部133根據電存儲在儲存裝置210中的程式而進行動作。即，動作控制部133執行如下的步驟：對基板旋轉機構10施加指令而保持基板的背側面且使該基板旋轉；對與研磨頭50連結的頭部馬達M1施加指令而使安裝於研磨頭50的研磨器具(研磨帶61或者研磨墊90)旋轉；以及對與研磨頭50連結的致動器57施加指令，研磨器具對研磨頭50施加朝下的荷重以使研磨頭50向形成 佈線圖案的基板的表側面按壓。用於使動作控制部133執行這些步驟的程式記錄在作為非暫時性的有形物的能夠由電腦讀取的記錄媒體，經由記錄媒體而提供給動作控制部133。或者，程式也可以經由網際網路等通訊網路而提供給動作控制部133。
上述的實施方式的記載目的為，本領域技術人員能夠實施本發明。本領域的技術人員當然能夠實施上述實施方式的各種變形例，本發明的技術思想也能夠應用於其他的實施方式。因此，本發明不限於所記載的實施方式，能夠解釋為基於申請專利範圍所定義的技術思想的最大範圍。
1‧‧‧研磨裝置
6‧‧‧間隔壁
7‧‧‧處理室
8‧‧‧換氣機構
10‧‧‧基板旋轉機構
11‧‧‧真空吸附台
11a‧‧‧保持面
12‧‧‧吸附台馬達
15‧‧‧旋轉接頭
17‧‧‧真空管線
20‧‧‧吸引孔
21‧‧‧內部腔室
27‧‧‧液體供給噴嘴
30‧‧‧升降機構
31‧‧‧升降銷
32‧‧‧橋
33‧‧‧升降機
36‧‧‧凹陷部
50‧‧‧研磨頭
51‧‧‧研磨頭軸
53‧‧‧擺動臂
54‧‧‧擺動軸
55‧‧‧軸旋轉機構
56‧‧‧研磨頭升降機構
57‧‧‧氣缸
59‧‧‧狀態檢測感測器
60‧‧‧帶盒
61‧‧‧研磨帶
W‧‧‧基板
CL‧‧‧軸心

Claims (14)

  1. 一種研磨方法，其包含如下工序：一邊利用真空吸附台對基板的背側面進行保持，一邊使所述基板旋轉；使保持有多個研磨器具的研磨頭旋轉；以及一邊從液體供給噴嘴供給液體至所述基板的表側面，一邊將旋轉的所述多個研磨器具向所述基板的表側面按壓，前述液體到達前述基板的表側面的區域係在前述基板的旋轉方向上位於前述研磨頭的上游側；所述基板的表側面是形成佈線圖案的面。
  2. 如申請專利範圍第1項之研磨方法，其中將旋轉的所述多個研磨器具向所述基板的表側面按壓的工序，係一邊使所述研磨頭與所述基板的表側面平行地擺動，一邊將旋轉的所述多個研磨器具向所述基板的表側面按壓。
  3. 如申請專利範圍第2項之研磨方法，其中使所述研磨頭與所述基板的表側面平行地擺動的工序，係使所述研磨頭在所述基板的表側面的中心部與外周部之間與所述基板的表側面平行地擺動。
  4. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之研磨方法，其中前述液體係不包含磨粒的液體。
  5. 如申請專利範圍第4項之研磨方法，其中所述液體與所述基板的表側面大致平行地噴射。
  6. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之研磨方法，其中將旋轉的所述多個研磨器具向所述基板的表側面按壓的工序，係一邊使所述研磨器具在該研 磨器具的長度方向上傳送，一邊將旋轉的所述多個研磨器具向所述基板的表側面按壓。
  7. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之研磨方法，其中將旋轉的所述多個研磨器具向所述基板的表側面按壓的步驟，係不使所述研磨器具在該研磨器具的長度方向上傳送，而將旋轉的所述多個研磨器具向所述基板的表側面按壓。
  8. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之研磨方法，其中所述研磨器具是具有研磨面的研磨帶，該研磨面由包含磨粒的研磨層構成。
  9. 一種研磨方法，其含有下述步驟：準備基板，該基板具有形成佈線圖案的表側面和沒有形成佈線圖案的背側面；一邊利用真空吸附台對基板的背側面進行保持，一邊使所述基板旋轉；使保持有多個研磨器具的研磨頭旋轉；以及一邊使所述研磨頭與所述基板的表側面平行地擺動，且一邊從液體供給噴嘴供給液體至所述基板的表側面，一邊將旋轉的所述多個研磨器具向所述基板的表側面按壓而對基板的表側面進行研磨，前述液體到達前述基板的表側面的區域係在前述基板的旋轉方向上位於前述研磨頭的上游側。
  10. 一種研磨裝置，其具備：真空吸附台，該真空吸附台具有對基板的背側面進行保持的保持面；吸附台馬達，該吸附台馬達使所述真空吸附台旋轉； 研磨頭；複數研磨器具，該複數研磨器具安裝於所述研磨頭；頭部馬達，該頭部馬達使所述研磨頭和所述複數研磨器具旋轉；致動器，該致動器能夠對所述研磨頭施加朝下的荷重，使所述研磨頭能夠將所述複數研磨器具向所述基板的表側面按壓；以及液體供給噴嘴，供給液體至所述基板的表側面，所述液體供給噴嘴係配置成讓前述液體到達前述基板的表側面的區域係在前述基板的旋轉方向上位於前述研磨頭的上游側。
  11. 如申請專利範圍第10項之研磨裝置，其中還具有：擺動機構，該擺動機構使所述研磨頭在與所述真空吸附台的保持面平行的方向上擺動。
  12. 如申請專利範圍第10或11項之研磨裝置，其中還具有：狀態檢測感測器，該狀態檢測感測器對所述基板的表側面的狀態進行檢測。
  13. 如申請專利範圍第10或11項之研磨裝置，其中所述液體供給噴嘴與所述保持面大致平行地配置。
  14. 一種基板處理系統，該基板處理系統連續地對多個基板進行處理，該基板處理系統包含：申請專利範圍第10~13項中任一項所述的研磨裝置；微粒計數器，該微粒計數器對所述研磨裝置所研磨的基板的表側面上存在的微小突起物的數量進行計數；以及動作控制部，該動作控制部接收所述微小突起物的數量，變更使用所述研磨裝置的用於後續的基板的研磨方案。
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