TWI745432B - 研磨墊 - Google Patents

Abstract

本發明係一種研磨墊等，其係具有研磨面者，且具有由包含聚胺基甲酸酯樹脂與氧化鈰粒子之高分子體所形成之墊本體，上述墊本體成為構成上述研磨面之部分，上述氧化鈰粒子係成為1次粒子及複數個1次粒子凝集而成之2次粒子而包含於上述高分子體中，且成為30 μm以上之粒徑而包含於上述高分子體中之比率為7,000個/cm³ 以下。

Description

研磨墊

本發明係關於一種研磨墊。

作為對被研磨物(玻璃板等)進行研磨之研磨墊，可使用由包含聚胺基甲酸酯樹脂與氧化鈰粒子之高分子體所形成之研磨墊(例如專利文獻1等)。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2007-250166號公報

[發明所欲解決之問題] 再者，於被研磨物之表面存在因研磨而產生被稱為刮痕之線狀劃傷之情況。近年來，關於使用研磨墊之研磨，謀求減少該刮痕。 因此，鑒於上述期望點，本發明之課題在於提供一種不易於被研磨物上產生刮痕之研磨墊。 [解決問題之技術手段] 本發明之一態樣之研磨墊係具有研磨面者，且 具有由包含聚胺基甲酸酯樹脂與氧化鈰粒子之高分子體所形成之墊本體， 上述墊本體成為構成上述研磨面之部分， 上述氧化鈰粒子係成為1次粒子及複數個1次粒子凝集而成之2次粒子而包含於上述高分子體中，且成為30 μm以上之粒徑而包含於上述高分子體中之比率為7,000個/cm³ 以下。 又，於本發明之一態樣之研磨墊中，較佳為上述氧化鈰粒子係最大粒徑成為80 μm以下而包含於上述高分子體中。 又，本發明之另一態樣之研磨墊係具有研磨面者，且 具有由包含聚胺基甲酸酯樹脂與氧化鈰粒子之高分子體所形成之墊本體， 上述墊本體成為構成上述研磨面之部分， 上述氧化鈰粒子係成為1次粒子及複數個1次粒子凝集而成之2次粒子而包含於上述高分子體中，且最大粒徑成為80 μm以下而包含於上述高分子體中。 又，於本發明之研磨墊中，較佳為上述氧化鈰粒子係藉由雷射繞射法所測定之體積基準之中值粒徑成為0.80～2.00 μm而包含於上述高分子體中。

以下，對發明之一實施形態進行說明。 ＜第1實施形態＞ 首先，對第1實施形態之研磨墊進行說明。 第1實施形態之研磨墊具有研磨面。 又，第1實施形態之研磨墊具有由包含聚胺基甲酸酯樹脂與氧化鈰粒子之高分子體所形成之墊本體。 又，第1實施形態之研磨墊係用於對作為被研磨物之玻璃板進行研磨。 上述墊本體成為構成研磨墊之研磨面之部分。 於上述高分子體中，氧化鈰粒子分散。 上述氧化鈰粒子係成為1次粒子及複數個1次粒子凝集而成之2次粒子而包含於高分子體中。 第1實施形態之研磨墊藉由含有氧化鈰粒子，可提高作為被研磨物之玻璃板之研磨速率。 又，第1實施形態之研磨墊藉由含有氧化鈰粒子，可於氧化鈰粒子與聚胺基甲酸酯樹脂之間形成界面，其結果為藉由該界面而提高切割速率。即，第1實施形態之研磨墊係藉由含有氧化鈰粒子而成為研磨性優異者。 又，上述氧化鈰粒子重要的是成為30 μm以上之粒徑而包含於上述高分子體中之比率為7,000個/cm³ 以下，較佳為200～6,000個/cm³ ，更佳為1,000～4,000個/cm³ ，進而更佳為1,000～2,000個/cm³ 。 換言之，上述氧化鈰粒子重要的是成為30 μm以上且最大粒徑以下之粒徑而包含於上述高分子體中之比率為7,000個/cm³ 以下，較佳為200～6,000個/cm³ ，更佳為1,000～4,000個/cm³ ，進而更佳為1,000～2,000個/cm³ 。 上述氧化鈰粒子藉由成為30 μm以上之粒徑而包含於上述高分子體中之比率為7,000個/cm³ 以下，而抑制高分子體中所含之相對較大之氧化鈰粒子之個數。其結果為，根據第1實施形態之研磨墊，不易於被研磨物上產生刮痕。 上述氧化鈰粒子藉由成為30 μm以上之粒徑而包含於上述高分子體中之比率為200個/cm³ 以上，而大量形成容易提高切割速率的氧化鈰粒子與聚胺基甲酸酯樹脂之間之界面。其結果為，第1實施形態之研磨墊成為研磨性優異者。 再者，成為30 μm以上之粒徑而包含於上述高分子體中之上述氧化鈰粒子之比率可使用X射線CT裝置而求出。再者，該比率(個/cm³ )之分母部分之體積(cm³ )意指高分子體之體積。又，即便於下述般高分子體為發泡體之情形時，該比率(個/cm³ )之分母部分之體積(cm³ )亦意指作為發泡體之高分子體之體積。 具體而言，使用X射線CT裝置測定高分子體之測定對象範圍(例如，0.7 mm×1.6 mm×1.6 mm)2處所含的各氧化鈰粒子之體積，將與該體積相同之體積之圓球之直徑作為各氧化鈰粒子之直徑，藉此求出各氧化鈰粒子之直徑。 其次，求出高分子體之測定對象範圍2處所含的粒徑30 μm以上之氧化鈰粒子之個數。 繼而，求出成為30 μm以上之粒徑而包含於上述高分子體中之上述氧化鈰粒子之比率。 上述氧化鈰粒子較佳為最大粒徑成為80 μm以下而包含於上述高分子體中，更佳為最大粒徑成為30～70 μm而包含於上述高分子體中，進而更佳為最大粒徑成為40～50 μm而包含於上述高分子體中。 上述氧化鈰粒子藉由最大粒徑成為80 μm以下而包含於上述高分子體中，而抑制高分子體中所含之相對較大之氧化鈰粒子之個數。其結果為，根據第1實施形態之研磨墊，更不易於被研磨物上產生刮痕。 再者，上述高分子體中所含之上述氧化鈰粒子之最大粒徑可使用X射線CT裝置而求出。 具體而言，使用X射線CT裝置測定需測定之高分子體之測定對象範圍(例如30 mm(縱)×30 mm(橫)×1～3 mm(厚度)(厚度係根據墊厚度而適宜調整))所含的各氧化鈰粒子之體積，將與該體積相同之體積之圓球之直徑作為各氧化鈰粒子之直徑，藉此求出各氧化鈰粒子之直徑。 繼而，求出上述高分子體中所含之上述氧化鈰粒子之最大粒徑。 再者，上述氧化鈰粒子於最大粒徑成為80 μm以下而包含於上述高分子體中之情形時，上述氧化鈰粒子較佳為成為30～80 μm之粒徑而包含於上述高分子體中之比率為7,000個/cm³ 以下，更佳為200～6,000個/cm³ ，進而更佳為1,000～4,000個/cm³ ，尤其更佳為1,000～2,000個/cm³ 。 上述高分子體中所含之上述氧化鈰粒子之平均粒徑較佳為7.0～29 μm，更佳為10～20 μm，進而更佳為10～15 μm。 上述高分子體中所含之上述氧化鈰粒子之平均粒徑可使用X射線CT裝置而求出。 具體而言，使用X射線CT裝置測定需測定之高分子體之測定對象範圍(例如0.7 mm×1.6 mm×1.6 mm)所含的各氧化鈰粒子之體積，將與該體積相同之體積之圓球之直徑作為各氧化鈰粒子之直徑，藉此求出各氧化鈰粒子之直徑。 再者，於使用X射線CT裝置求出各氧化鈰粒子之直徑時，由於在裝置之空間解析度之關係上無法觀察到未達4.0 μm之粒子，故而僅將4.0 μm以上之粒子作為測定對象之粒子。 繼而，將氧化鈰粒子之直徑之值進行算術平均，藉此求出上述高分子體中所含之上述氧化鈰粒子之平均粒徑。 作為上述X射線CT裝置，可使用Yamato Scientific股份有限公司製造之TDM1000H-I。 上述氧化鈰粒子較佳為藉由雷射繞射法所測定之體積基準之中值粒徑為0.80～2.00 μm，更佳為0.90～1.50 μm。 即，藉由雷射繞射法所測定的上述高分子體中所含之上述氧化鈰粒子之體積基準之中值粒徑較佳為0.80～2.00 μm，更佳為0.90～1.50 μm。 藉由該中值粒徑為0.80 μm以上，氧化鈰之1次粒子之粒徑增大。其結果為，存在氧化鈰之1次粒子之比表面積減小，抑制氧化鈰粒子之凝集之優點。 再者，於本說明書中，上述中值粒徑可藉由如下方式進行測定。 首先，將研磨墊之高分子體之試樣放入至鉑坩堝內，利用燃燒器將收容有上述試樣之鉑坩堝進行加熱，藉此使上述試樣碳化。上述加熱時，使研磨墊不飛散至鉑坩堝外。 繼而，利用電爐於空氣環境下400℃下將收容有經碳化之試樣之鉑坩堝加熱28小時，藉此使經碳化之試樣灰化，取出氧化鈰。 然後，使自研磨墊所取出之氧化鈰分散於分散介質(例如去離子水等)中，獲得分散液。 其後，將分散液供於雷射繞射式粒度分佈測定裝置之分析，求出氧化鈰之體積基準之中值粒徑。換言之，利用雷射繞射法求出分散液中所含之氧化鈰之體積基準之粒度分佈，根據該粒度分佈求出分散液中所含之氧化鈰粒子之體積基準之中值粒徑。 繼而，將「分散液中之氧化鈰粒子之體積基準之中值粒徑」作為「藉由雷射繞射法所測定之高分子體中所含之氧化鈰粒子之體積基準之中值粒徑」。 上述高分子體含有較佳為3～40質量%、更佳為5～30質量%、進而較佳為7～24質量%之氧化鈰粒子。 上述聚胺基甲酸酯樹脂係使活性氫化合物、與作為異氰酸酯化合物之聚異氰酸酯鍵結而成之樹脂。 又，上述聚胺基甲酸酯樹脂具備：源自含有活性氫之化合物(以下，亦稱為「活性氫化合物」)之第1結構單元、及源自含有異氰酸酯基之化合物(以下，亦稱為「異氰酸酯化合物」)之第2結構單元。 作為上述聚異氰酸酯，可列舉聚異氰酸酯、聚異氰酸酯聚合物。 作為上述聚異氰酸酯，可列舉芳香族二異氰酸酯、脂肪族二異氰酸酯、脂環族二異氰酸酯等。 作為上述芳香族二異氰酸酯，可使用：藉由使將苯胺與甲醛縮合所得之胺化合物於非活性溶劑中與碳醯氯反應等而獲得之粗二苯基甲烷二異氰酸酯(粗MDI)、將該粗MDI進行精製所獲得之二苯基甲烷二異氰酸酯(純MDI)、聚亞甲基聚苯聚異氰酸酯(聚合MDI)、及該等改性物等，又，可使用：甲苯二異氰酸酯(TDI)、1,5-萘二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、1,3-苯二異氰酸酯、1,4-苯二異氰酸酯等。再者，該等芳香族二異氰酸酯可使用單獨一種，或將複數種組合而使用。 作為二苯甲烷二異氰酸酯之改性物，例如可列舉：碳二醯亞胺改性物、胺基甲酸酯改性物、脲基甲酸酯改性物、脲改性物、縮二脲改性物、異氰脲酸酯改性物、㗁唑啶酮改性物等。作為該改性物，具體而言，例如可列舉碳二醯亞胺改性二苯基甲烷二異氰酸酯(碳二醯亞胺改性MDI)。 作為上述脂肪族二異氰酸酯，例如可使用：二異氰酸乙二酯、2,2,4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯、1,6-六亞甲基二異氰酸酯等。 作為上述脂環族二異氰酸酯，例如可使用：1,4-環己烷二異氰酸酯、4,4'-二環己基甲烷二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、降𦯉烷二異氰酸酯、亞甲基雙(4,1-伸環己基)=二異氰酸酯等。 作為上述聚異氰酸酯聚合物，可列舉：使多元醇與芳香族二異氰酸酯、脂肪族二異氰酸酯、脂環族二異氰酸酯之至少任一種二異氰酸酯鍵結而成之聚合物等。 作為上述聚異氰酸酯，就其蒸氣壓更低而難以揮發，故而容易控制作業環境之方面而言，較佳為二苯基甲烷二異氰酸酯(純MDI)、聚合MDI、或其改性物。又，就黏度更低、操作容易之方面而言，較佳為碳二醯亞胺改性MDI、聚合MDI、或其等與MDI之混合物。 上述活性氫化合物係分子內具有可與異氰酸酯基反應之活性氫基之有機化合物。作為該活性氫基，具體可列舉羥基、一級胺基、二級胺基、硫醇基等官能基，上述活性氫化合物可於分子中具有僅1種該官能基，亦可於分子中具有複數種該官能基。 作為上述活性氫化合物，例如可使用：於分子中具有複數個羥基之多元醇化合物、於分子內具有複數個一級胺基或二級胺基之多胺化合物等。 上述多元醇化合物可列舉多元醇單體、或多元醇聚合物。 作為該多元醇單體，例如可列舉：1,4-苯二甲醇、1,4-雙(2-羥基乙氧基)苯、乙二醇、丙二醇、1,3-丙二醇、1,3-丁二醇、1,5-戊二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、1,6-己二醇、二乙二醇、三乙二醇、四乙二醇、二丙二醇、三丙二醇、分子量400以下之聚乙二醇、1,8-辛二醇、1,9-壬二醇等直鏈脂肪族二醇；新戊二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、2-甲基-1,3-丙二醇、2-丁基-2-乙基-1,3-丙二醇、2-甲基-1,8-辛二醇等支鏈脂肪族二醇；1,4-環己二醇、1,4-環己烷二甲醇、氫化雙酚A等脂環族二醇；甘油、三羥甲基丙烷、三羥丁基丙烷、季戊四醇、山梨糖醇等多官能多元醇等。 作為上述多元醇單體，就反應時之強度容易進一步提高，包含所製造之發泡聚胺基甲酸酯之研磨墊之剛性容易進一步提高，且相對較廉價之方面而言，較佳為乙二醇、二乙二醇。 作為上述多元醇聚合物，可列舉：聚醚多元醇、聚酯多元醇、聚酯聚碳酸酯多元醇及聚碳酸酯多元醇等。再者，作為多元醇聚合物，亦可列舉分子中具有3個以上之羥基之多官能多元醇聚合物。 詳細而言，作為上述聚醚多元醇，可列舉：聚四亞甲基二醇(PTMG)、聚丙二醇(PPG)、聚乙二醇(PEG)、環氧乙烷加成聚丙烯多元醇等。 作為上述聚酯多元醇，可列舉：聚己二酸丁二酯、聚己二酸六亞甲酯及聚己內酯多元醇等。 作為上述聚酯聚碳酸酯多元醇，可列舉：聚己內酯多元醇等聚酯二醇與碳酸伸烷酯之反應產物、使碳酸伸乙酯與多元醇反應所獲得之反應混合物進而與有機二羧酸反應所得之反應產物等。 作為上述聚碳酸酯多元醇，可列舉：1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,6-己二醇、二乙二醇、聚乙二醇、聚丙二醇、或聚四亞甲基二醇等二醇與碳醯氯、碳酸二烯丙酯(例如碳酸二苯酯)或環式碳酸酯(例如碳酸伸丙酯)之反應產物等。 作為上述多元醇聚合物，就容易獲得具有彈性之發泡聚胺基甲酸酯之方面而言，較佳為數量平均分子量為800～8000者，具體而言，較佳為聚四亞甲基二醇(PTMG)、環氧乙烷加成聚丙烯多元醇。 再者，於本說明書中，數量平均分子量意指藉由GPC(Gel-permeation Chromatography，凝膠滲透層析法)所測定之值。 作為上述多胺化合物，可列舉：4,4'-亞甲基雙(2-氯苯胺)(MOCA)、2,6-二氯-對苯二胺、4,4'-亞甲基雙(2,3-二氯苯胺)、3,5-雙(甲硫基)-2,4-甲苯二胺、3,5-雙(甲硫基)-2,6-甲苯二胺、3,5-二乙基甲苯-2,4-二胺、3,5-二乙基甲苯-2,6-二胺、三亞甲基二醇-二-對胺基苯甲酸酯、1,2-雙(2-胺基苯硫基)乙烷、4,4'-二胺基-3,3'-二乙基-5,5'-二甲基二苯基甲烷等。 第1實施形態之研磨墊係如上述般構成，繼而，對第1實施形態之研磨墊之製造方法進行說明。 第1實施形態之研磨墊之製造方法係製作具有墊本體之研磨墊，上述墊本體係由包含聚胺基甲酸酯樹脂與氧化鈰粒子之高分子體所形成。 第1實施形態之研磨墊之製造方法實施以下步驟：分散步驟，將於分子內具有2個以上之異氰酸酯基之液狀預聚物與氧化鈰粒子混合而獲得混合液，藉此使氧化鈰粒子分散於該混合液中；及硬化步驟，將上述混合液與於分子內具有2個以上之活性氫之有機化合物混合，藉此使上述液狀預聚物硬化。 第1實施形態之研磨墊之製造方法係以成為30 μm以上之粒徑而包含於上述高分子體中之氧化鈰粒子之比率成為7,000個/cm³ 以下之方式實施上述分散步驟。 於上述分散步驟中，可藉由提高剪切應力將液狀預聚物與氧化鈰粒子進行攪拌，而減小高分子體中所含之氧化鈰粒子。 又，於上述分散步驟中，亦可藉由延長液狀預聚物與氧化鈰粒子之攪拌時間，而減小高分子體所含之氧化鈰粒子。 第1實施形態之研磨墊之製造方法較佳為以最大粒徑成為80 μm以下而於上述高分子體中包含氧化鈰粒子之方式實施上述分散步驟。 就抑制上述氧化鈰粒子之凝集之觀點而言，上述液狀預聚物之黏度較佳為1500～3000 cps。 ＜第2實施形態＞ 繼而，對第2實施形態之研磨墊及其製造方法進行說明。 再者，不反覆進行與第1實施形態重複之說明。於第2實施形態中未特別說明者係設為與第1實施形態中所說明者相同之內容。 於第2實施形態之研磨墊中，上述氧化鈰粒子重要的是最大粒徑成為80 μm以下而包含於上述高分子體中，較佳為最大粒徑成為30～70 μm而包含於上述高分子體中，更佳為最大粒徑成為40～50 μm而包含於上述高分子體中。 上述氧化鈰粒子藉由最大粒徑成為80 μm以下而包含於上述高分子體中，而抑制高分子體中所含之相對較大之氧化鈰粒子之數。其結果為，根據第2實施形態之研磨墊，不易於被研磨物上產生刮痕。 又，上述氧化鈰粒子較佳為成為30 μm以上之粒徑而包含於上述高分子體中之比率為7,000個/cm³ 以下，更佳為200～6,000個/cm³ ，進而更佳為1,000～4,000個/cm³ ，尤其更佳為1,000～2,000個/cm³ 。 上述氧化鈰粒子藉由成為30 μm以上之粒徑而包含於上述高分子體中之比率為7,000個/cm³ 以下，而抑制高分子體中所含之相對較大之氧化鈰粒子之數。其結果為，根據第2實施形態之研磨墊，更不易於被研磨物上產生刮痕。 上述氧化鈰粒子藉由成為30 μm以上之粒徑而包含於上述高分子體中之比率為200個/cm³ 以上，而大量形成容易提高切割速率的氧化鈰粒子與聚胺基甲酸酯樹脂之間之界面。其結果為，第2實施形態之研磨墊成為研磨性優異者。 第2實施形態之研磨墊之製造方法係以最大粒徑成為80 μm以下而於上述高分子體中包含氧化鈰粒子之方式實施上述分散步驟。 第2實施形態之研磨墊之製造方法較佳為以成為30 μm以上之粒徑而包含於上述高分子體中之氧化鈰粒子之比率成為7,000個/cm³ 以下之方式實施上述分散步驟。 本實施形態之研磨墊由於係以上述方式構成，故而具有以下之優點。 本發明者努力研究結果發現：於先前之研磨墊中，氧化鈰粒子因凝集而成為較大者存在於研磨面，該情形成為刮痕之原因，而完成了第1、第2實施形態。 即，第1實施形態之研磨墊係具有研磨面者。 又，第1實施形態之研磨墊具有由包含聚胺基甲酸酯樹脂與氧化鈰粒子之高分子體所形成之墊本體。 上述墊本體成為構成上述研磨面之部分。 上述氧化鈰粒子係成為1次粒子及複數個1次粒子凝集而成之2次粒子而包含於上述高分子體中。 又，上述氧化鈰粒子成為30 μm以上之粒徑而包含於上述高分子體中之比率為7,000個/cm³ 以下。 該研磨墊可成為不易於被研磨物上產生刮痕之研磨墊。 又，於第1實施形態之研磨墊中，較佳為上述氧化鈰粒子係最大粒徑成為80 μm以下而包含於上述高分子體中。 又，第2實施形態之研磨墊係具有研磨面者。 又，第2實施形態之研磨墊具有由包含聚胺基甲酸酯樹脂與氧化鈰粒子之高分子體所形成之墊本體。 上述墊本體成為構成上述研磨面之部分。 上述氧化鈰粒子係成為1次粒子及複數個1次粒子凝集而成之2次粒子而包含於上述高分子體。 又，上述氧化鈰粒子係最大粒徑成為80 μm以下而包含於上述高分子體中。 該研磨墊可成為不易於被研磨物上產生刮痕之研磨墊。 進而，於第1、2實施形態之研磨墊中，較佳為上述氧化鈰粒子係藉由雷射繞射法所測定之體積基準之中值粒徑成為0.80～2.00 μm而包含於上述高分子體中。 再者，本發明之研磨墊並不限定於第1、第2實施形態。又，本發明之研磨墊並不限定於上述之作用效果。本發明之研磨墊可於不脫離本發明之主旨之範圍內進行各種變更。 例如，於本發明之研磨墊中，上述高分子體亦可成為發泡體。 於上述高分子體成為發泡體之情形中，於上述分散步驟中，製作進而包含發泡劑之上述混合液。 作為上述發泡劑，只要於使上述發泡聚胺基甲酸酯成形時產生氣體而成為氣泡，於上述發泡聚胺基甲酸酯中形成氣泡者，則並無特別限定，例如可將藉由加熱發生分解而產生氣體之有機化學發泡劑、沸點為-5～70℃之低沸點烴、鹵化烴、水、液化二氧化碳等單獨使用或組合使用。 作為上述有機化學發泡劑，例如可列舉：偶氮系化合物(偶氮二甲醯胺、偶氮二異丁腈、重氮胺基苯、偶氮二羧酸鋇等)、亞硝基化合物(N,N'-二亞硝基五亞甲基四胺、N,N'-二亞硝基-N,N'-二甲基對苯二甲醯胺等)、磺醯肼化合物[p,p'-氧雙(苯磺醯肼)、對甲苯磺醯肼等]等。 作為上述低沸點烴，例如可列舉：丁烷、戊烷、環戊烷、及該等之混合物等。 作為上述鹵化烴，可列舉二氯甲烷、HFC(氫氟碳類)等。 又，上述發泡劑亦可為加熱膨脹性球狀體。該加熱膨脹性球狀體之粒徑例如為2～100 μm。該加熱膨脹性球狀體具備由熱塑性樹脂所形成之中空體、與設置於中空體之中空部分的液狀之烴。作為上述加熱膨脹性球狀體，例如可列舉：日本Fillite公司製造之Expancel(註冊商標)、或松本油脂製藥公司製造之熱膨脹性微膠囊(商品名：Matsumoto Microsphere(註冊商標)(例如F-48D等))等。 [實施例] 繼而，列舉實施例及比較例更具體地說明本發明。 (實施例1) 將具有2個異氰酸酯之作為末端基之液狀胺基甲酸酯預聚物、作為氧化鈰粒子之Mirek(註冊商標)E30(三井金屬工業公司製造)、及作為發泡劑之熱膨脹性微膠囊(F-48D)放入至槽內，並利用攪拌機(攪拌翼：碟型及槳型，攪拌翼之直徑：115 mm，旋轉速度：1350 rpm)攪拌10分鐘而獲得混合液。再者，用作材料之氧化鈰粒子之中值粒徑係利用上述方法而求出。 繼而，將該混合液與4,4'-亞甲基雙(2-氯苯胺)(MOCA)混合並進行聚合發泡，獲得圓板狀之作為高分子體之研磨墊(氧化鈰粒子之濃度：20.0質量%)(820 mm(直徑)×2 mm(厚度))。 藉由雷射繞射法所測定之上述高分子體中所含之上述氧化鈰粒子之體積基準之中值粒徑係1.26 μm。再者，該中值粒徑係利用上述方法而求出。 (實施例2) 使用Mirek(註冊商標)E10(三井金屬工業公司製造)作為氧化鈰粒子，將用以獲得混合液之攪拌時間設為15分鐘，及將研磨墊中之氧化鈰粒子之濃度設為7.0質量%，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得作為高分子體之研磨墊。 藉由雷射繞射法所測定之上述高分子體中所含之上述氧化鈰粒子之體積基準之中值粒徑為0.97 μm。再者，該中值粒徑係利用上述方法而求出。 (實施例3) 以高於實施例1之剪切速度進行攪拌，將用以獲得混合液之攪拌時間設為5分鐘，及將作為高分子體之研磨墊中之氧化鈰粒子之濃度設為23.9質量%，除此以外，以與實施例2相同之方式獲得作為高分子體之研磨墊。 (實施例4) 將用以獲得混合液之攪拌時間設為15分鐘，及將作為高分子體之研磨墊中之氧化鈰粒子之濃度設為10.0質量%，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得作為高分子體之研磨墊。 (比較例1) 將用以獲得混合液之攪拌時間設為5分鐘，及將作為高分子體之研磨墊中之氧化鈰粒子之濃度設為23.9質量%，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得作為高分子體之研磨墊。 (粒徑之測定) 利用上述方法，求出成為30 μm以上之粒徑而包含於高分子體中之上述氧化鈰粒子之比率(以下，亦簡稱為「粒徑30 μm以上之粒子比率」)、及高分子體中之氧化鈰粒子之平均粒徑(以下，亦簡稱為「平均粒徑」)。 (研磨試驗) 於以下之條件下使用作為高分子體之研磨墊而研磨2片玻璃板(400 mm(縱)×300 mm(橫)×0.4 mm(厚度))。 ・研磨壓力：90 gf/cm² ・研磨小時：10 min ・研磨漿料：含有氧化鈰粒子(Mirek(註冊商標)E30，三井金屬工業公司製造)及水之研磨漿料(Mirek(註冊商標)E30之濃度：7質量%) 繼而，使用光學顯微鏡觀察研磨後之玻璃板之表面，確認2片玻璃板上之刮痕(長度為500 μm以上之刮痕)之合計數(以下，亦簡稱為「刮痕之合計數」)。 [表1]

如表1所示般，於使用實施例1～4之研磨墊之情形時未確認到刮痕，但於使用比較例1之研磨墊之情形時確認到刮痕。 [關聯申請案之相互參照] 本申請案係主張日本專利特願2016-181919號之優先權，並藉由引用而併入至本案說明書之記載中。

Claims (4)

1. 一種研磨墊，其係具有研磨面者，且具有由包含聚胺基甲酸酯樹脂與氧化鈰粒子之高分子體所形成之墊本體，上述墊本體成為構成上述研磨面之部分，上述氧化鈰粒子係成為1次粒子及複數個1次粒子凝集而成之2次粒子而包含於上述高分子體中，且成為30μm以上之粒徑而包含於上述高分子體中之比率為7,000個/cm³以下，上述高分子體含有7~24質量%之上述氧化鈰粒子。
2. 如請求項1之研磨墊，其中上述氧化鈰粒子係最大粒徑成為80μm以下而包含於上述高分子體中。
3. 一種研磨墊，其係具有研磨面者，且具有由包含聚胺基甲酸酯樹脂與氧化鈰粒子之高分子體所形成之墊本體，上述墊本體成為構成上述研磨面之部分，上述氧化鈰粒子係成為1次粒子及複數個1次粒子凝集而成之2次粒子而包含於上述高分子體中，且最大粒徑成為30~80μm而包含於上述高分子體中。
4. 如請求項1至3中任一項之研磨墊，其中上述氧化鈰粒子係藉由雷射 繞射法所測定之體積基準之中值粒徑成為0.80~2.00μm而包含於上述高分子體中。