TWI736409B - 封裝結構 - Google Patents

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Abstract

一種封裝結構，包含一導線架、一半導體晶片及一塑膠封裝材料。導線架包含一晶片座與複數引腳。引腳設置於晶片座的四周，包含複數電鍍面。半導體晶片設置於導線架的晶片座上。塑膠封裝材料設置於導線架上。引腳突出於塑膠封裝材料的外緣。藉此，增加封裝結構的側面可銲錫面積，提升與電路板之間的連接強度。

Description

封裝結構
本揭示內容係關於一種封裝結構，特別是一種增加可銲接面積的封裝結構。
現今半導體封裝產業中，四方平面無引腳封裝(Quad Flat No Leads, QFN)因其引腳側邊的可銲接的面積較少，故將四方平面無引腳封裝設置於電路板時具有較不佳的銲接效果。
為解決前述問題，目前已發展一種四方平面無引腳封裝的引腳相對底部內縮的結構，藉此提升引腳側邊可銲接的面積。然而，引腳底部設置於電路板的面積變小，造成設置於電路板上不穩定，產生壽命下降的問題。因此，發展一種可增加引腳的可銲接面積，且同時可穩定地設置於電路板的封裝結構遂成為業界重要且急欲解決的問題。
本揭示內容提供一種封裝結構，藉由引腳包含複數電鍍面以提升封裝結構的可銲接性，同時達到設置於電路板上的穩定性。
依據本揭示內容一實施方式提供一種封裝結構，包含一導線架、一半導體晶片及一塑膠封裝材料。導線架包含一晶片座與複數引腳。引腳設置於晶片座的四周，包含複數電鍍面。半導體晶片設置於導線架的晶片座上。塑膠封裝材料設置於導線架上。引腳突出於塑膠封裝材料的外緣。
依據前段所述實施方式的封裝結構，其中引腳可更包含一凹陷部，位於引腳的一表面，且電鍍面設置於凹陷部。
依據前段所述實施方式的封裝結構，其中電鍍面的材質可為錫合金或鎳金合金。
依據前段所述實施方式的封裝結構，其中引腳可更包含至少一無電鍍面。
依據前段所述實施方式的封裝結構，其中塑膠封裝材料的一長度為L，塑膠封裝材料的一寬度為W，引腳的一最大突出長度為L2，其可滿足下列條件：W ≤ L，0.01 W ≤ L2，及L2 ≤ 0.5 L。
依據前段所述實施方式的封裝結構，其中引腳的最大突出長度可為相同。
依據前段所述實施方式的封裝結構，其中導線架的材質可為鐵鎳合金或銅合金，且塑膠封裝材料的材質可為環氧樹脂。
依據前段所述實施方式的封裝結構，其中電鍍面的數量可為至少四。
依據前段所述實施方式的封裝結構，其中引腳可為一梯狀引腳。
依據前段所述實施方式的封裝結構，其中梯狀引腳靠近封裝結構之一上表面之一部分的一突出長度可小於梯狀引腳靠近封裝結構之一下表面之另一部分的一突出長度。
依據前段所述實施方式的封裝結構，其中梯狀引腳靠近封裝結構之下表面之部分的突出長度可小於梯狀引腳靠近封裝結構之上表面之另一部分的突出長度。
依據前段所述實施方式的封裝結構，其中引腳可為一突出引腳。
依據前段所述實施方式的封裝結構，其中突出引腳靠近封裝結構之上表面之一部分的突出長度可小於突出引腳靠近封裝結構之下表面之另一部分的突出長度。
請參照第1圖至第3圖，第1圖繪示依照本發明第一實施方式中封裝結構100的正面示意圖，第2圖繪示第1圖第一實施方式中封裝結構100的背面示意圖，第3圖繪示第1圖第一實施方式中封裝結構100的部分示意圖。由第1圖至第3圖可知，封裝結構100包含一導線架（圖未標示）、一半導體晶片（圖未繪示）及一塑膠封裝材料130，其中導線架用以承載半導體晶片，塑膠封裝材料130設置於導線架上並覆蓋半導體晶片形成封裝結構100。
進一步來說，導線架包含一晶片座110與複數引腳，其中各引腳可為一梯狀引腳120，梯狀引腳120設置於晶片座110的四周，且梯狀引腳120包含複數電鍍面121與至少一無電鍍面122。半導體晶片設置於導線架的晶片座110上，而塑膠封裝材料130設置於導線架上，且梯狀引腳120突出於塑膠封裝材料130的外緣。藉此，突出的梯狀引腳120可提升封裝結構100的側面可銲接面積。
第一實施方式中，可透過蝕刻步驟、模壓步驟、二道雷射步驟、電鍍步驟及切割步驟得到封裝結構100。詳細來說，蝕刻步驟為於導線架的下表面進行蝕刻，模壓步驟為將塑膠封裝材料130設置於導線架上並覆蓋半導體晶片，二道雷射步驟則是分別於導線架的上表面與下表面以雷射光束去除一部分塑膠封裝材料130，電鍍步驟為設置電鍍面121於雷射步驟後無覆蓋塑膠封裝材料130的導線架表面，接著再以切割步驟形成封裝結構100，其中雷射步驟可為二道以上，其取決於雷射光束的能量與參數，但並不以上述的製程步驟為限。
由第2圖可知，塑膠封裝材料130的長度為L，塑膠封裝材料130的寬度為W，引腳（第一實施方式為梯狀引腳120）的一最大突出長度為L2，其可滿足下列條件：W ≤ L，0.01 W ≤ L2，及L2 ≤ 0.5 L。具體而言，塑膠封裝材料130可為正方形或長方形，且最大突出長度取決於電路板的配置，並不以上述的條件為限。再者，各梯狀引腳120的最大突出長度可為相同。藉此，封裝結構100四周的梯狀引腳120的可銲接面積可具有一致性，使後續封裝結構100銲接於電路板（圖未繪示）時不易產生銲接程度的差異，且可穩固地設置於電路板。
具體而言，電鍍面121的材質可為錫合金或鎳金合金，其中鎳金合金可為鎳鈀金(NiPdAu)、鎳鈀銀金(NiPdAgAu)或鎳金(NiAu)，導線架的材質可為鐵鎳合金或銅合金，且塑膠封裝材料130的材質可為環氧樹脂，但並不以上述的材質為限。
請參照第3圖與第4圖，第4圖繪示第1圖第一實施方式中封裝結構100的側面示意圖。由第3圖與第4圖可知，梯狀引腳120靠近封裝結構100之下表面102之一部分的一突出長度小於梯狀引腳120靠近封裝結構100之一上表面101之另一部分的一突出長度。進一步來說，梯狀引腳120中靠近封裝結構100之下表面102的部分未超出塑膠封裝材料130的邊緣。因此，透過第一實施方式的封裝結構100並不需要更換封裝外型圖(Package Outline Drawing, POD)的樣式，減少重新繪製封裝外型圖的程序。再者，因梯狀引腳120的厚度較薄，故可降低毛邊(burr)的產生。
再者，因梯狀引腳120的最小突出長度貼齊塑膠封裝材料130的邊緣（即梯狀引腳120中靠近封裝結構100之下表面102的部分），並未縮減梯狀引腳120底部與電路板接觸的長度。藉此，第一實施方式中的梯狀引腳120可提升側面可銲錫的面積外，同時可維持梯狀引腳120底部與電路板的連接強度，以增加設置於電路板的壽命。
請配合參照第5圖與第6圖，第5圖繪示第1圖第一實施方式中封裝結構100於銲錫後的側面示意圖，第6圖繪示第5圖第一實施方式中封裝結構100於銲錫後的部分側面示意圖。電鍍面121的數量可為至少四，由第3圖至第6圖可知，第一實施方式中，電鍍面121的數量為五，但並不以此為限。接著，由第5圖與第6圖可知，封裝結構100的銲錫部140僅可設置於電鍍面121。藉此，當封裝結構100設置於電路板時，因側面可銲錫的面積增加，提升封裝結構100與電路板的銲接強度。
請參照第7圖至第9圖，第7圖繪示依照本發明第二實施方式中封裝結構200的正面示意圖，第8圖繪示第7圖第二實施方式中封裝結構200的背面示意圖，第9圖繪示第7圖第二實施方式中封裝結構200的部分示意圖。由第7圖至第9圖可知，封裝結構200包含一導線架（圖未標示）、一半導體晶片（圖未繪示）及一塑膠封裝材料230，其中導線架用以承載半導體晶片，塑膠封裝材料230設置於導線架上並覆蓋半導體晶片形成封裝結構200。
進一步來說，導線架包含一晶片座210與複數引腳，其中各引腳可為一梯狀引腳220，梯狀引腳220設置於晶片座210的四周，且梯狀引腳220包含複數電鍍面221與至少一無電鍍面222。半導體晶片設置於導線架的晶片座210上，而塑膠封裝材料230設置於導線架上，且梯狀引腳220突出於塑膠封裝材料230的外緣。藉此，突出的梯狀引腳220可提升封裝結構200的側面可銲接面積。
第二實施方式中，可透過蝕刻步驟、模壓步驟、雷射步驟、電鍍步驟及切割步驟得到封裝結構200。詳細來說，蝕刻步驟為於導線架的下表面進行蝕刻，模壓步驟為將塑膠封裝材料230設置於導線架上並覆蓋半導體晶片，雷射步驟則是於導線架的上表面以雷射光束去除一部分塑膠封裝材料230與一部分導線架，電鍍步驟為設置電鍍面221於雷射步驟後無覆蓋塑膠封裝材料230的導線架表面，接著再以切割步驟形成封裝結構200，其中雷射步驟可為二道以上，其取決於雷射光束的能量與參數，但並不以上述的製程步驟為限。
由第8圖可知，塑膠封裝材料230的長度為L，塑膠封裝材料230的寬度為W，引腳（第二實施方式為梯狀引腳220）的一最大突出長度為L2，其可滿足下列條件：W ≤ L，0.01 W ≤ L2，及L2 ≤ 0.5 L。具體而言，塑膠封裝材料230可為正方形或長方形，且最大突出長度取決於電路板的配置，並不以上述的條件為限。再者，各梯狀引腳220的最大突出長度可為相同。藉此，封裝結構200四周的梯狀引腳220的可銲接面積可具有一致性，使後續封裝結構200銲接於電路板（圖未繪示）時不易產生銲接程度的差異，且可穩固地設置於電路板。
具體而言，電鍍面221的材質可為錫合金或鎳金合金，其中鎳金合金可為鎳鈀金、鎳鈀銀金或鎳金，導線架的材質可為鐵鎳合金或銅合金，且塑膠封裝材料230的材質可為環氧樹脂，但並不以上述的材質為限。
請參照第9圖與第10圖，第10圖繪示第7圖第二實施方式中封裝結構200的側面示意圖。由第9圖與第10圖可知，梯狀引腳220靠近封裝結構200之一上表面201之一部分的一突出長度小於梯狀引腳220靠近封裝結構200之下表面202之另一部分的一突出長度。進一步來說，梯狀引腳220靠近封裝結構200之上表面201之部分未超出塑膠封裝材料230的邊緣。再者，因梯狀引腳220突出的寬度較寬，且梯狀引腳220的厚度較薄。因此，可降低毛邊的產生。
再者，因梯狀引腳220靠近封裝結構200之下表面202之另一部分的突出長度超出塑膠封裝材料230的邊緣。因此，第二實施方式中的梯狀引腳220可提升側面可銲錫的面積外，同時可維持梯狀引腳220底部與電路板的連接強度，以增加設置於電路板的壽命。
請配合參照第11圖與第12圖，第11圖繪示第7圖第二實施方式中封裝結構200於銲錫後的側面示意圖，第12圖繪示第11圖第二實施方式中封裝結構200於銲錫後的部分側面示意圖。電鍍面221的數量可為至少四，由第9圖至第12圖可知，第二實施方式中，電鍍面221的數量為五，但並不以此為限。接著，由第11圖與第12圖可知，封裝結構200的銲錫部240僅可設置於電鍍面221。藉此，當封裝結構200設置於電路板時，因側面可銲錫的面積增加，提升封裝結構200與電路板的銲接強度。
請參照第13圖至第15圖，第13圖繪示依照本發明第三實施方式中封裝結構300的正面示意圖，第14圖繪示第13圖第三實施方式中封裝結構300的背面示意圖，第15圖繪示第13圖第三實施方式中封裝結構300的部分示意圖。由第13圖至第15圖可知，封裝結構300包含一導線架（圖未標示）、一半導體晶片（圖未繪示）及一塑膠封裝材料330，其中導線架用以承載半導體晶片，塑膠封裝材料330設置於導線架上並覆蓋半導體晶片形成封裝結構300。
進一步來說，導線架包含一晶片座310與複數引腳，其中各引腳可為一梯狀引腳320，梯狀引腳320設置於晶片座310的四周，且梯狀引腳320包含複數電鍍面321、至少一無電鍍面322及一凹陷部323，其中凹陷部323位於梯狀引腳320的一表面，且電鍍面321設置於梯狀引腳320與凹陷部323。半導體晶片設置於導線架的晶片座310上，而塑膠封裝材料330設置於導線架上，且梯狀引腳320突出於塑膠封裝材料330的外緣。藉此，突出的梯狀引腳320可提升封裝結構300的側面可銲接面積。
第三實施方式中，可透過蝕刻步驟、模壓步驟、雷射步驟、電鍍步驟及切割步驟得到封裝結構300。詳細來說，蝕刻步驟為於導線架的下表面進行蝕刻，模壓步驟為將塑膠封裝材料330設置於導線架上並覆蓋半導體晶片，雷射步驟則是於導線架的上表面以雷射光束去除一部分塑膠封裝材料330與一部分導線架，電鍍步驟為設置電鍍面321於雷射步驟後無覆蓋塑膠封裝材料330的導線架表面，接著再以切割步驟形成封裝結構300，其中雷射步驟可為二道以上，其取決於雷射光束的能量與參數，但並不以上述的製程步驟為限。
由第14圖可知，塑膠封裝材料330的長度為L，塑膠封裝材料330的寬度為W，引腳（第三實施方式為梯狀引腳320）的一最大突出長度為L2，其可滿足下列條件：W ≤ L，0.01 W ≤ L2，及L2 ≤ 0.5 L。具體而言，塑膠封裝材料330可為正方形或長方形，且最大突出長度取決於電路板的配置，並不以上述的條件為限。再者，各梯狀引腳320的最大突出長度可為相同。藉此，封裝結構300四周的梯狀引腳320的可銲接面積可具有一致性，使後續封裝結構300銲接於電路板（圖未繪示）時不易產生銲接程度的差異，且可穩固地設置於電路板。
具體而言，電鍍面321的材質可為錫合金或鎳金合金，其中鎳金合金可為鎳鈀金、鎳鈀銀金或鎳金，導線架的材質可為鐵鎳合金或銅合金，且塑膠封裝材料330的材質可為環氧樹脂，但並不以上述的材質為限。
請參照第15圖與第16圖，第16圖繪示第13圖第三實施方式中封裝結構300的側面示意圖。由第15圖與第16圖可知，梯狀引腳320靠近封裝結構300之一上表面301之一部分的一突出長度小於梯狀引腳320靠近封裝結構300之下表面302之另一部分的一突出長度。進一步來說，梯狀引腳320的凹陷部323的凹陷深度可為梯狀引腳320靠近封裝結構300之下表面302的另一部分的厚度的一半。再者，因梯狀引腳320的厚度較薄，故可降低毛邊的產生。
再者，因梯狀引腳320靠近封裝結構300之下表面302之另一部分的突出長度超出塑膠封裝材料330的邊緣。因此，第三實施方式中的梯狀引腳320可提升側面可銲錫的面積外，同時可維持梯狀引腳320底部與電路板的連接強度，以增加設置於電路板的壽命。
請配合參照第17圖與第18圖，第17圖繪示第13圖第三實施方式中封裝結構300於銲錫後的側面示意圖，第18圖繪示第17圖第三實施方式中封裝結構300於銲錫後的部分側面示意圖。電鍍面321的數量可為至少四，由第15圖至第18圖可知，第三實施方式中，電鍍面321的數量為八，但並不以此為限。接著，由第17圖與第18圖可知，封裝結構300的銲錫部340僅可設置於電鍍面321。藉此，當封裝結構300設置於電路板時，因側面可銲錫的面積增加，提升封裝結構300與電路板的銲接強度。
請參照第19圖至第21圖，第19圖繪示依照本發明第四實施方式中封裝結構400的正面示意圖，第20圖繪示第19圖第四實施方式中封裝結構400的背面示意圖，第21圖繪示第19圖第四實施方式中封裝結構400的部分示意圖。由第19圖至第21圖可知，封裝結構400包含一導線架（圖未標示）、一半導體晶片（圖未繪示）及一塑膠封裝材料430，其中導線架用以承載半導體晶片，塑膠封裝材料430設置於導線架上並覆蓋半導體晶片形成封裝結構400。
進一步來說，導線架包含一晶片座410與複數引腳，其中各引腳可為一梯狀引腳420，梯狀引腳420設置於晶片座410的四周，且梯狀引腳420包含複數電鍍面421與至少一無電鍍面422。半導體晶片設置於導線架的晶片座410上，而塑膠封裝材料430設置於導線架上，且梯狀引腳420突出於塑膠封裝材料430的外緣。藉此，突出的梯狀引腳420可提升封裝結構400的側面可銲接面積。
第四實施方式中，可透過蝕刻步驟、模壓步驟、雷射步驟、電鍍步驟及切割步驟得到封裝結構400。詳細來說，蝕刻步驟為於導線架的上表面進行蝕刻，模壓步驟為將塑膠封裝材料430設置於導線架上並覆蓋半導體晶片，雷射步驟則是於導線架的上表面以雷射光束去除一部分塑膠封裝材料430，電鍍步驟為設置電鍍面421於雷射步驟後無覆蓋塑膠封裝材料430的導線架表面，接著再以切割步驟形成封裝結構400，其中雷射步驟可為二道以上，其取決於雷射光束的能量與參數，但並不以上述的製程步驟為限。
由第20圖可知，塑膠封裝材料430的長度為L，塑膠封裝材料430的寬度為W，引腳（第四實施方式為梯狀引腳420）的一最大突出長度為L2，其可滿足下列條件：W ≤ L，0.01 W ≤ L2，及L2 ≤ 0.5 L。具體而言，塑膠封裝材料430可為正方形或長方形，且最大突出長度取決於電路板的配置，並不以上述的條件為限。再者，各梯狀引腳420的最大突出長度可為相同。藉此，封裝結構400四周的梯狀引腳420的可銲接面積可具有一致性，使後續封裝結構400銲接於電路板（圖未繪示）時不易產生銲接程度的差異，且可穩固地設置於電路板。
具體而言，電鍍面421的材質可為錫合金或鎳金合金，其中鎳金合金可為鎳鈀金、鎳鈀銀金或鎳金，導線架的材質可為鐵鎳合金或銅合金，且塑膠封裝材料430的材質可為環氧樹脂，但並不以上述的材質為限。
請參照第21圖與第22圖，第22圖繪示第19圖第四實施方式中封裝結構400的側面示意圖。由第21圖與第22圖可知，梯狀引腳420靠近封裝結構400之一上表面401之一部分的一突出長度小於梯狀引腳420靠近封裝結構400之下表面402之另一部分的一突出長度。再者，因梯狀引腳420突出的寬度較寬，且梯狀引腳420的厚度較薄。因此，可降低毛邊的產生。
再者，因梯狀引腳420靠近封裝結構400之下表面402之另一部分的突出長度超出塑膠封裝材料430的邊緣。因此，第四實施方式中的梯狀引腳420可提升側面可銲錫的面積外，同時可維持梯狀引腳420底部與電路板的連接強度，以增加設置於電路板的壽命。
請配合參照第23圖與第24圖，第23圖繪示第19圖第四實施方式中封裝結構400於銲錫後的側面示意圖，第24圖繪示第23圖第四實施方式中封裝結構400於銲錫後的部分側面示意圖。電鍍面421的數量可為至少四，由第21圖至第24圖可知，第四實施方式中，電鍍面421的數量為六，但並不以此為限。接著，由第23圖與第24圖可知，封裝結構400的銲錫部440僅可設置於電鍍面421。藉此，當封裝結構400設置於電路板時，因側面可銲錫的面積增加，提升封裝結構400與電路板的銲接強度。
請參照第25圖至第27圖，第25圖繪示依照本發明第五實施方式中封裝結構500的正面示意圖，第26圖繪示第25圖第五實施方式中封裝結構500的背面示意圖，第27圖繪示第25圖第五實施方式中封裝結構500的部分示意圖。由第25圖至第27圖可知，封裝結構500包含一導線架（圖未標示）、一半導體晶片（圖未繪示）及一塑膠封裝材料530，其中導線架用以承載半導體晶片，塑膠封裝材料530設置於導線架上並覆蓋半導體晶片形成封裝結構500。
進一步來說，導線架包含一晶片座510與複數引腳，其中各引腳可為一梯狀引腳520，梯狀引腳520設置於晶片座510的四周，且梯狀引腳520包含複數電鍍面521與至少一無電鍍面522。半導體晶片設置於導線架的晶片座510上，而塑膠封裝材料530設置於導線架上，且梯狀引腳520突出於塑膠封裝材料530的外緣。藉此，突出的梯狀引腳520可提升封裝結構500的側面可銲接面積。
第五實施方式中，可透過蝕刻步驟、模壓步驟、雷射步驟、電鍍步驟及切割步驟得到封裝結構500。詳細來說，蝕刻步驟為於導線架的上表面進行蝕刻，模壓步驟為將塑膠封裝材料530設置於導線架上並覆蓋半導體晶片，雷射步驟則是於導線架的上表面以雷射光束去除一部分塑膠封裝材料530與一部分導線架，電鍍步驟為設置電鍍面521於雷射步驟後無覆蓋塑膠封裝材料530的導線架表面，接著再以切割步驟形成封裝結構500，其中雷射步驟可為二道以上，其取決於雷射光束的能量與參數，但並不以上述的製程步驟為限。
由第26圖可知，塑膠封裝材料530的長度為L，塑膠封裝材料530的寬度為W，引腳（第五實施方式為梯狀引腳520）的一最大突出長度為L2，其可滿足下列條件：W ≤ L，0.01 W ≤ L2，及L2 ≤ 0.5 L。具體而言，塑膠封裝材料530可為正方形或長方形，且最大突出長度取決於電路板的配置，並不以上述的條件為限。再者，各梯狀引腳520的最大突出長度可為相同。藉此，封裝結構500四周的梯狀引腳520的可銲接面積可具有一致性，使後續封裝結構500銲接於電路板（圖未繪示）時不易產生銲接程度的差異，且可穩固地設置於電路板。
具體而言，電鍍面521的材質可為錫合金或鎳金合金，其中鎳金合金可為鎳鈀金、鎳鈀銀金或鎳金，導線架的材質可為鐵鎳合金或銅合金，且塑膠封裝材料530的材質可為環氧樹脂，但並不以上述的材質為限。
請參照第27圖與第28圖，第28圖繪示第25圖第五實施方式中封裝結構500的側面示意圖。由第27圖與第28圖可知，梯狀引腳520靠近封裝結構500之一上表面501之一部分的一突出長度小於梯狀引腳520靠近封裝結構500之下表面502之另一部分的一突出長度。進一步來說，梯狀引腳520靠近封裝結構500之上表面501之部分未超出塑膠封裝材料530的邊緣，且梯狀引腳520靠近封裝結構500之下表面502之另一部分的突出長度至梯狀引腳520靠近封裝結構500之上表面501之部分的突出長度漸縮。再者，因梯狀引腳520突出的寬度較寬，且梯狀引腳520的厚度較薄。因此，可降低毛邊的產生。
再者，因梯狀引腳520靠近封裝結構500之下表面502之另一部分的突出長度超出塑膠封裝材料530的邊緣。因此，第五實施方式中的梯狀引腳520可提升側面可銲錫的面積外，同時可維持梯狀引腳520底部與電路板的連接強度，以增加設置於電路板的壽命。
請配合參照第29圖與第30圖，第29圖繪示第25圖第五實施方式中封裝結構500於銲錫後的側面示意圖，第30圖繪示第29圖第五實施方式中封裝結構500於銲錫後的部分側面示意圖。電鍍面521的數量可為至少四，由第27圖至第30圖可知，第五實施方式中，電鍍面521的數量為七，但並不以此為限。接著，由第29圖與第30圖可知，封裝結構500的銲錫部540僅可設置於電鍍面521。藉此，當封裝結構500設置於電路板時，因側面可銲錫的面積增加，提升封裝結構500與電路板的銲接強度。
請參照第31圖至第33圖，第31圖繪示依照本發明第六實施方式中封裝結構600的正面示意圖，第32圖繪示第31圖第六實施方式中封裝結構600的背面示意圖，第33圖繪示第31圖第六實施方式中封裝結構600的部分示意圖。由第31圖至第33圖可知，封裝結構600包含一導線架（圖未標示）、一半導體晶片（圖未繪示）及一塑膠封裝材料630，其中導線架用以承載半導體晶片，塑膠封裝材料630設置於導線架上並覆蓋半導體晶片形成封裝結構600。
進一步來說，導線架包含一晶片座610與複數引腳，其中各引腳可為一梯狀引腳620，梯狀引腳620設置於晶片座610的四周，且梯狀引腳620包含複數電鍍面621、至少一無電鍍面622及一凹陷部623，其中凹陷部623位於梯狀引腳620的一表面，且電鍍面621設置於梯狀引腳620與凹陷部623。半導體晶片設置於導線架的晶片座610上，而塑膠封裝材料630設置於導線架上，且梯狀引腳620突出於塑膠封裝材料630的外緣。藉此，突出的梯狀引腳620可提升封裝結構600的側面可銲接面積。
第六實施方式中，可透過蝕刻步驟、模壓步驟、雷射步驟、電鍍步驟及切割步驟得到封裝結構600。詳細來說，蝕刻步驟為於導線架的上表面進行蝕刻，模壓步驟為將塑膠封裝材料630設置於導線架上並覆蓋半導體晶片，雷射步驟則是於導線架的上表面以雷射光束去除一部分塑膠封裝材料630與一部分導線架，電鍍步驟為設置電鍍面621於雷射步驟後無覆蓋塑膠封裝材料630的導線架表面，接著再以切割步驟形成封裝結構600，其中雷射步驟可為二道以上，其取決於雷射光束的能量與參數，但並不以上述的製程步驟為限。
由第32圖可知，塑膠封裝材料630的長度為L，塑膠封裝材料630的寬度為W，引腳（第六實施方式為梯狀引腳620）的一最大突出長度為L2，其可滿足下列條件：W ≤ L，0.01 W ≤ L2，及L2 ≤ 0.5 L。具體而言，塑膠封裝材料630可為正方形或長方形，且最大突出長度取決於電路板的配置，並不以上述的條件為限。再者，各梯狀引腳620的最大突出長度可為相同。藉此，封裝結構600四周的梯狀引腳620的可銲接面積可具有一致性，使後續封裝結構600銲接於電路板（圖未繪示）時不易產生銲接程度的差異，且可穩固地設置於電路板。
具體而言，電鍍面621的材質可為錫合金或鎳金合金，其中鎳金合金可為鎳鈀金、鎳鈀銀金或鎳金，導線架的材質可為鐵鎳合金或銅合金，且塑膠封裝材料630的材質可為環氧樹脂，但並不以上述的材質為限。
請參照第33圖與第34圖，第34圖繪示第31圖第六實施方式中封裝結構600的側面示意圖。由第33圖與第34圖可知，梯狀引腳620靠近封裝結構600之一上表面601之一部分的一突出長度小於梯狀引腳620靠近封裝結構600之下表面602之另一部分的一突出長度。進一步來說，梯狀引腳620靠近封裝結構600之上表面601之部分未超出塑膠封裝材料630的邊緣，且梯狀引腳620靠近封裝結構600之下表面602之另一部分的突出長度至梯狀引腳620靠近封裝結構600之上表面602之部分的突出長度漸縮。再者，因梯狀引腳620突出的寬度較寬，且梯狀引腳620的厚度較薄。因此，可降低毛邊的產生。再者，梯狀引腳620的凹陷部623的凹陷深度可為梯狀引腳620靠近封裝結構600之下表面602的另一部分的厚度的一半。
再者，因梯狀引腳620靠近封裝結構600之下表面602之另一部分的突出長度超出塑膠封裝材料630的邊緣。因此，第六實施方式中的梯狀引腳620可提升側面可銲錫的面積外，同時可維持梯狀引腳620底部與電路板的連接強度，以增加設置於電路板的壽命。
請配合參照第35圖與第36圖，第35圖繪示第31圖第六實施方式中封裝結構600於銲錫後的側面示意圖，第36圖繪示第35圖第六實施方式中封裝結構600於銲錫後的部分側面示意圖。電鍍面621的數量可為至少四，由第33圖至第36圖可知，第六實施方式中，電鍍面621的數量為十，但並不以此為限。接著，由第35圖與第36圖可知，封裝結構600的銲錫部640僅可設置於電鍍面621。藉此，當封裝結構600設置於電路板時，因側面可銲錫的面積增加，提升封裝結構600與電路板的銲接強度。
請參照第37圖至第39圖，第37圖繪示依照本發明第七實施方式中封裝結構700的正面示意圖，第38圖繪示第37圖第七實施方式中封裝結構700的背面示意圖，第39圖繪示第37圖第七實施方式中封裝結構700的部分示意圖。由第37圖至第39圖可知，封裝結構700包含一導線架（圖未標示）、一半導體晶片（圖未繪示）及一塑膠封裝材料730，其中導線架用以承載半導體晶片，塑膠封裝材料730設置於導線架上並覆蓋半導體晶片形成封裝結構700。
進一步來說，導線架包含一晶片座710與複數引腳，其中各引腳可為一突出引腳720，突出引腳720設置於晶片座710的四周，且突出引腳720包含複數電鍍面721與至少一無電鍍面722，其中電鍍面721設置於突出引腳720。半導體晶片設置於導線架的晶片座710上，而塑膠封裝材料730設置於導線架上，且突出引腳720突出於塑膠封裝材料730的外緣。藉此，突出引腳720可提升封裝結構700的側面可銲接面積。
第七實施方式中，可透過蝕刻步驟、模壓步驟、雷射步驟、電鍍步驟及切割步驟得到封裝結構700。詳細來說，蝕刻步驟為於導線架的上表面進行蝕刻，模壓步驟為將塑膠封裝材料730設置於導線架上並覆蓋半導體晶片，雷射步驟則是於導線架的上表面以雷射光束去除一部分塑膠封裝材料730，電鍍步驟為設置電鍍面721於雷射步驟後無覆蓋塑膠封裝材料730的導線架表面，接著再以切割步驟形成封裝結構700，其中雷射步驟可為二道以上，其取決於雷射光束的能量與參數，但並不以上述的製程步驟為限。
由第38圖可知，塑膠封裝材料730的長度為L，塑膠封裝材料730的寬度為W，引腳（第七實施方式為突出引腳720）的一最大突出長度為L2，其可滿足下列條件：W ≤ L，0.01 W ≤ L2，及L2 ≤ 0.5 L。具體而言，塑膠封裝材料730可為正方形或長方形，且最大突出長度取決於電路板的配置，並不以上述的條件為限。再者，各突出引腳720的最大突出長度可為相同。藉此，封裝結構700四周的突出引腳720的可銲接面積可具有一致性，使後續封裝結構700銲接於電路板（圖未繪示）時不易產生銲接程度的差異，且可穩固地設置於電路板。
具體而言，電鍍面721的材質可為錫合金或鎳金合金，其中鎳金合金可為鎳鈀金、鎳鈀銀金或鎳金，導線架的材質可為鐵鎳合金或銅合金，且塑膠封裝材料730的材質可為環氧樹脂，但並不以上述的材質為限。
請參照第39圖與第40圖，第40圖繪示第37圖第七實施方式中封裝結構700的側面示意圖。由第39圖與第40圖可知，突出引腳720靠近封裝結構700之一上表面701之一部分的一突出長度小於突出引腳720靠近封裝結構700之下表面702之另一部分的一突出長度。再者，因突出引腳720突出的寬度較寬，且突出引腳720的厚度較薄。因此，可降低毛邊的產生。
由第38圖可知，突出引腳720突出塑膠封裝材料730的邊緣之外，突出引腳720於封裝結構700的下表面702更包含一部分的電鍍面721。請配合參照第41圖，第41圖繪示第40圖第七實施方式中封裝結構700沿剖線41-41的剖面示意圖。進一步來說，由第41圖可得知，突出引腳720於突出塑膠封裝材料730與塑膠封裝材料730所覆蓋的部分呈現類似鷗翼形(gull-wing shape)。藉此，突出引腳720可具有一定韌性以增加板級(board level)的可靠度，當塑膠封裝材料730覆蓋封裝結構700時，突出引腳720更具有機械強度。再者，提升突出引腳720的側面可銲錫面積的同時，更可保留半導體晶片與突出引腳720之間銲線的連接強度。
請配合參照第42圖與第43圖，第42圖繪示第37圖第七實施方式中封裝結構700於銲錫後的側面示意圖，第43圖繪示第42圖第七實施方式中封裝結構700於銲錫後的部分側面示意圖。電鍍面721的數量可為至少四，由第42圖至第43圖可知，第七實施方式中，電鍍面721的數量為七，但並不以此為限。接著，由第42圖與第43圖可知，封裝結構700的銲錫部740僅可設置於電鍍面721。藉此，當封裝結構700設置於電路板時，因側面可銲錫的面積增加，提升封裝結構700與電路板的銲接強度。
請參照第44圖至第46圖，第44圖繪示依照本發明第八實施方式中封裝結構800的正面示意圖，第45圖繪示第44圖第八實施方式中封裝結構800的背面示意圖，第46圖繪示第44圖第八實施方式中封裝結構800的部分示意圖。由第44圖至第46圖可知，封裝結構800包含一導線架（圖未標示）、一半導體晶片（圖未繪示）及一塑膠封裝材料830，其中導線架用以承載半導體晶片，塑膠封裝材料830設置於導線架上並覆蓋半導體晶片形成封裝結構800。
進一步來說，導線架包含一晶片座810與複數引腳，其中各引腳可為一梯狀引腳820，梯狀引腳820設置於晶片座810的四周，且梯狀引腳820包含複數電鍍面821與至少一無電鍍面822。半導體晶片設置於導線架的晶片座810上，而塑膠封裝材料830設置於導線架上，且梯狀引腳820突出於塑膠封裝材料830的外緣。藉此，突出的梯狀引腳820可提升封裝結構800的側面可銲接面積。
第八實施方式中，可透過蝕刻步驟、模壓步驟、雷射步驟、電鍍步驟及切割步驟得到封裝結構800。詳細來說，蝕刻步驟為於導線架的上表面進行蝕刻，模壓步驟為將塑膠封裝材料830設置於導線架上並覆蓋半導體晶片，雷射步驟則是於導線架的上表面以雷射光束去除一部分塑膠封裝材料830，電鍍步驟為設置電鍍面821於雷射步驟後無覆蓋塑膠封裝材料830的導線架表面，接著再以切割步驟形成封裝結構800，其中雷射步驟可為二道以上，其取決於雷射光束的能量與參數，但並不以上述的製程步驟為限。
由第45圖可知，塑膠封裝材料830的長度為L，塑膠封裝材料830的寬度為W，引腳（第八實施方式為梯狀引腳820）的一最大突出長度為L2，其可滿足下列條件：W ≤ L，0.01 W ≤ L2，及L2 ≤ 0.5 L。具體而言，塑膠封裝材料830可為正方形或長方形，且最大突出長度取決於電路板的配置，並不以上述的條件為限。再者，各梯狀引腳820的最大突出長度可為相同。藉此，封裝結構800四周的梯狀引腳820的可銲接面積可具有一致性，使後續封裝結構800銲接於電路板（圖未繪示）時不易產生銲接程度的差異，且可穩固地設置於電路板。
具體而言，電鍍面821的材質可為錫合金或鎳金合金，其中鎳金合金可為鎳鈀金、鎳鈀銀金或鎳金，導線架的材質可為鐵鎳合金或銅合金，且塑膠封裝材料830的材質可為環氧樹脂，但並不以上述的材質為限。
請參照第46圖與第47圖，第47圖繪示第44圖第八實施方式中封裝結構800的側面示意圖。由第46圖與第47圖可知，梯狀引腳820靠近封裝結構800之一上表面801之一部分的一突出長度小於梯狀引腳820靠近封裝結構800之下表面802之另一部分的一突出長度。再者，因梯狀引腳820突出的寬度較寬，且梯狀引腳820的厚度較薄。因此，可降低毛邊的產生。
請配合參照第48圖，第48圖繪示第47圖第八實施方式中封裝結構800沿剖線48-48的剖面示意圖。由第48圖可得知，梯狀引腳820於突出塑膠封裝材料830與塑膠封裝材料830所覆蓋的部分呈現類似鷗翼形。藉此，梯狀引腳820可具有一定韌性以增加板級的可靠度，當塑膠封裝材料830覆蓋封裝結構800時，梯狀引腳820更具有機械強度。再者，提升梯狀引腳820的側面可銲錫面積的同時，更可保留半導體晶片與梯狀引腳820之間銲線的連接強度。
請配合參照第49圖與第50圖，第49圖繪示第44圖第八實施方式中封裝結構800於銲錫後的側面示意圖，第50圖繪示第49圖第八實施方式中封裝結構800於銲錫後的部分側面示意圖。電鍍面821的數量可為至少四，由第49圖至第50圖可知，第八實施方式中，電鍍面821的數量為六，但並不以此為限。接著，由第49圖與第50圖可知，封裝結構800的銲錫部840僅可設置於電鍍面821。藉此，當封裝結構800設置於電路板時，因側面可銲錫的面積增加，提升封裝結構800與電路板的銲接強度。
請參照第51圖至第53圖，第51圖繪示依照本發明第九實施方式中封裝結構900的正面示意圖，第52圖繪示第51圖第九實施方式中封裝結構900的背面示意圖，第53圖繪示第51圖第九實施方式中封裝結構900的部分示意圖。由第51圖至第53圖可知，封裝結構900包含一導線架（圖未標示）、一半導體晶片（圖未繪示）及一塑膠封裝材料930，其中導線架用以承載半導體晶片，塑膠封裝材料930設置於導線架上並覆蓋半導體晶片形成封裝結構900。
進一步來說，導線架包含一晶片座910與複數引腳，其中各引腳可為一突出引腳920，突出引腳920設置於晶片座910的四周，且突出引腳920包含複數電鍍面921與至少一無電鍍面922，其中電鍍面921設置於突出引腳920。半導體晶片設置於導線架的晶片座910上，而塑膠封裝材料930設置於導線架上，且突出引腳920突出於塑膠封裝材料930的外緣。藉此，突出引腳920可提升封裝結構900的側面可銲接面積。
第九實施方式中，可透過蝕刻步驟、模壓步驟、二道雷射步驟、電鍍步驟及切割步驟得到封裝結構900。詳細來說，蝕刻步驟為於導線架的上表面進行蝕刻，模壓步驟為將塑膠封裝材料930設置於導線架上並覆蓋半導體晶片，二道雷射步驟則是分別於導線架的上表面與下表面以雷射光束去除一部分塑膠封裝材料930，電鍍步驟為設置電鍍面921於雷射步驟後無覆蓋塑膠封裝材料930的導線架表面，接著再以切割步驟形成封裝結構900，其中雷射步驟可為二道以上，其取決於雷射光束的能量與參數，但並不以上述的製程步驟為限。
由第52圖可知，塑膠封裝材料930的長度為L，塑膠封裝材料930的寬度為W，引腳（第九實施方式為突出引腳920）的一最大突出長度為L2，其可滿足下列條件：W ≤ L，0.01 W ≤ L2，及L2 ≤ 0.5 L。具體而言，塑膠封裝材料930可為正方形或長方形，且最大突出長度取決於電路板的配置，並不以上述的條件為限。再者，各突出引腳920的最大突出長度可為相同。藉此，封裝結構900四周的突出引腳920的可銲接面積可具有一致性，使後續封裝結構900銲接於電路板（圖未繪示）時不易產生銲接程度的差異，且可穩固地設置於電路板。
具體而言，電鍍面921的材質可為錫合金或鎳金合金，其中鎳金合金可為鎳鈀金、鎳鈀銀金或鎳金，導線架的材質可為鐵鎳合金或銅合金，且塑膠封裝材料930的材質可為環氧樹脂，但並不以上述的材質為限。
請參照第53圖與第54圖，第54圖繪示第51圖第九實施方式中封裝結構900的側面示意圖。由第53圖與第54圖可知，突出引腳920靠近封裝結構900之一上表面901之一部分的一突出長度小於突出引腳920靠近封裝結構900之下表面902之另一部分的一突出長度。再者，因突出引腳920突出的寬度較寬，且突出引腳920的厚度較薄。因此，可降低毛邊的產生。
由第52圖可知，突出引腳920突出塑膠封裝材料930的邊緣之外，突出引腳920於封裝結構900的下表面902更包含一部分的電鍍面921。請配合參照第55圖，第55圖繪示第54圖第九實施方式中封裝結構900沿剖線55-55的剖面示意圖。進一步來說，由第53圖至第55圖可得知，突出引腳920於突出塑膠封裝材料930與塑膠封裝材料930所覆蓋的部分呈現類似鷗翼形。藉此，突出引腳920可具有一定韌性以增加板級的可靠度，當塑膠封裝材料930覆蓋封裝結構900時，突出引腳920更具有機械強度。再者，提升突出引腳920的側面可銲錫面積的同時，更可保留半導體晶片與突出引腳920之間銲線的連接強度。
請配合參照第56圖與第57圖，第56圖繪示第51圖第九實施方式中封裝結構900於銲錫後的側面示意圖，第57圖繪示第56圖第九實施方式中封裝結構900於銲錫後的部分側面示意圖。電鍍面921的數量可為至少四，由第56圖至第57圖可知，第九實施方式中，電鍍面921的數量為九，但並不以此為限。接著，由第56圖與第57圖可知，封裝結構900的銲錫部940僅可設置於電鍍面921。藉此，當封裝結構900設置於電路板時，因側面可銲錫的面積增加，提升封裝結構900與電路板的銲接強度。
請參照第58圖至第60圖，第58圖繪示依照本發明第十實施方式中封裝結構1000的正面示意圖，第59圖繪示第58圖第十實施方式中封裝結構1000的背面示意圖，第60圖繪示第58圖第十實施方式中封裝結構1000的部分示意圖。由第58圖至第60圖可知，封裝結構1000包含一導線架（圖未標示）、一半導體晶片（圖未繪示）及一塑膠封裝材料1030，其中導線架用以承載半導體晶片，塑膠封裝材料1030設置於導線架上並覆蓋半導體晶片形成封裝結構1000。
進一步來說，導線架包含一晶片座1010與複數引腳，其中各引腳可為一突出引腳1020，突出引腳1020設置於晶片座1010的四周，且突出引腳1020包含複數電鍍面1021與至少一無電鍍面1022，其中電鍍面1021設置於突出引腳1020。半導體晶片設置於導線架的晶片座1010上，而塑膠封裝材料1030設置於導線架上，且突出引腳1020突出於塑膠封裝材料1030的外緣。藉此，突出引腳1020可提升封裝結構1000的側面可銲接面積。
第十實施方式中，可透過蝕刻步驟、模壓步驟、二道雷射步驟、電鍍步驟及切割步驟得到封裝結構1000。詳細來說，蝕刻步驟為於導線架的上表面進行蝕刻，模壓步驟為將塑膠封裝材料1030設置於導線架上並覆蓋半導體晶片，二道雷射步驟則是分別於導線架的上表面與下表面以雷射光束去除一部分塑膠封裝材料1030，電鍍步驟為設置電鍍面1021於雷射步驟後無覆蓋塑膠封裝材料1030的導線架表面，接著再以切割步驟形成封裝結構1000，其中雷射步驟可為二道以上，其取決於雷射光束的能量與參數，但並不以上述的製程步驟為限。
由第59圖可知，塑膠封裝材料1030的長度為L，塑膠封裝材料1030的寬度為W，引腳（第十實施方式為突出引腳1020）的一最大突出長度為L2，其可滿足下列條件：W ≤ L，0.01 W ≤ L2，及L2 ≤ 0.5 L。具體而言，塑膠封裝材料1030可為正方形或長方形，且最大突出長度取決於電路板的配置，並不以上述的條件為限。再者，各突出引腳1020的最大突出長度可為相同。藉此，封裝結構1000四周的突出引腳1020的可銲接面積可具有一致性，使後續封裝結構1000銲接於電路板（圖未繪示）時不易產生銲接程度的差異，且可穩固地設置於電路板。
具體而言，電鍍面1021的材質可為錫合金或鎳金合金，其中鎳金合金可為鎳鈀金、鎳鈀銀金或鎳金，導線架的材質可為鐵鎳合金或銅合金，且塑膠封裝材料1030的材質可為環氧樹脂，但並不以上述的材質為限。
請參照第60圖與第61圖，第61圖繪示第58圖第十實施方式中封裝結構的側面示意圖。由第60圖與第61圖可知，突出引腳1020靠近封裝結構1000之一上表面1001之一部分的一突出長度小於突出引腳1020靠近封裝結構1000之下表面1002之另一部分的一突出長度。再者，因突出引腳1020突出的寬度較寬，且突出引腳1020的厚度較薄。因此，可降低毛邊的產生。
請配合參照第62圖，第62圖繪示第61圖第十實施方式中封裝結構1000沿剖線62-62的剖面示意圖。由第62圖可得知，突出引腳1020於突出塑膠封裝材料1030與塑膠封裝材料1030所覆蓋的部分呈現類似鷗翼形。藉此，突出引腳1020可具有一定韌性以增加板級的可靠度，當塑膠封裝材料1030覆蓋封裝結構1000時，突出引腳1020更具有機械強度。再者，提升突出引腳1020的側面可銲錫面積的同時，更可保留半導體晶片與突出引腳1020之間銲線的連接強度。
請配合參照第63圖與第64圖，第63圖繪示第58圖第十實施方式中封裝結構1000於銲錫後的側面示意圖，第64圖繪示第63圖第十實施方式中封裝結構1000於銲錫後的部分側面示意圖。電鍍面1021的數量可為至少四，由第63圖至第64圖可知，第十實施方式中，電鍍面1021的數量為八，但並不以此為限。接著，由第63圖與第64圖可知，封裝結構1000的銲錫部1040僅可設置於電鍍面1021。藉此，當封裝結構1000設置於電路板時，因側面可銲錫的面積增加，提升封裝結構1000與電路板的銲接強度。
請參照第65圖至第67圖，第65圖繪示依照本發明第十一實施方式中封裝結構1100的正面示意圖，第66圖繪示第65圖第十一實施方式中封裝結構1100的背面示意圖，第67圖繪示第65圖第十一實施方式中封裝結構1100的部分示意圖。由第65圖至第67圖可知，封裝結構1100包含一導線架（圖未標示）、一半導體晶片（圖未繪示）及一塑膠封裝材料1130，其中導線架用以承載半導體晶片，塑膠封裝材料1130設置於導線架上並覆蓋半導體晶片形成封裝結構1100。
進一步來說，導線架包含一晶片座1110與複數引腳，其中各引腳可為一突出引腳1120，突出引腳1120設置於晶片座1110的四周，且突出引腳1120包含複數電鍍面1121與至少一無電鍍面1122，其中電鍍面1121設置於突出引腳1120。半導體晶片設置於導線架的晶片座1110上，而塑膠封裝材料1130設置於導線架上，且突出引腳1120突出於塑膠封裝材料1130的外緣。藉此，突出引腳1120可提升封裝結構1100的側面可銲接面積。
第十一實施方式中，可透過蝕刻步驟、模壓步驟、二道雷射步驟、電鍍步驟及切割步驟得到封裝結構1100。詳細來說，蝕刻步驟為於導線架的下表面進行蝕刻，模壓步驟為將塑膠封裝材料1130設置於導線架上並覆蓋半導體晶片，二道雷射步驟則是分別於導線架的上表面與下表面以雷射光束去除一部分塑膠封裝材料1130，電鍍步驟為設置電鍍面1121於雷射步驟後無覆蓋塑膠封裝材料1130的導線架表面，接著再以切割步驟形成封裝結構1100，其中雷射步驟可為二道以上，其取決於雷射光束的能量與參數，但並不以上述的製程步驟為限。
由第66圖可知，塑膠封裝材料1130的長度為L，塑膠封裝材料1130的寬度為W，引腳（第十一實施方式為突出引腳1120）的一最大突出長度為L2，其可滿足下列條件：W ≤ L，0.01 W ≤ L2，及L2 ≤ 0.5 L。具體而言，塑膠封裝材料1130可為正方形或長方形，且最大突出長度取決於電路板的配置，並不以上述的條件為限。再者，各突出引腳1120的最大突出長度可為相同。藉此，封裝結構1100四周的突出引腳1120的可銲接面積可具有一致性，使後續封裝結構1100銲接於電路板（圖未繪示）時不易產生銲接程度的差異，且可穩固地設置於電路板。
具體而言，電鍍面1121的材質可為錫合金或鎳金合金，其中鎳金合金可為鎳鈀金、鎳鈀銀金或鎳金，導線架的材質可為鐵鎳合金或銅合金，且塑膠封裝材料1130的材質可為環氧樹脂，但並不以上述的材質為限。
請參照第67圖與第68圖，第68圖繪示第65圖第十一實施方式中封裝結構1100的側面示意圖。由第67圖與第68圖可知，突出引腳1120突出的寬度較寬。因此，可降低毛邊的產生。
請配合參照第69圖，第69圖繪示第68圖第十一實施方式中封裝結構1100沿剖線69-69的剖面示意圖。由第69圖可得知，突出引腳1120於突出塑膠封裝材料1130與塑膠封裝材料1130所覆蓋的部分呈現類似鷗翼形。藉此，突出引腳1120可具有一定韌性以增加板級的可靠度，當塑膠封裝材料1130覆蓋封裝結構1100時，突出引腳1120更具有機械強度。再者，提升突出引腳1120的側面可銲錫面積的同時，更可保留半導體晶片與突出引腳1120之間銲線的連接強度。
請配合參照第70圖與第71圖，第70圖繪示第65圖第十一實施方式中封裝結構1100於銲錫後的側面示意圖，第71圖繪示第70圖第十一實施方式中封裝結構1100於銲錫後的部分側面示意圖。電鍍面1121的數量可為至少四，由第70圖至第71圖可知，第十一實施方式中，電鍍面1121的數量為六，但並不以此為限。接著，由第70圖與第71圖可知，封裝結構1100的銲錫部1140僅可設置於電鍍面1121。藉此，當封裝結構1100設置於電路板時，因側面可銲錫的面積增加，提升封裝結構1100與電路板的銲接強度。
請參照第72圖至第74圖，第72圖繪示依照本發明第十二實施方式中封裝結構1200的正面示意圖，第73圖繪示第72圖第十二實施方式中封裝結構1200的背面示意圖，第74圖繪示第72圖第十二實施方式中封裝結構1200的部分示意圖。由第72圖至第74圖可知，封裝結構1200包含一導線架（圖未標示）、一半導體晶片（圖未繪示）及一塑膠封裝材料1230，其中導線架用以承載半導體晶片，塑膠封裝材料1230設置於導線架上並覆蓋半導體晶片形成封裝結構1200。
進一步來說，導線架包含一晶片座1210與複數引腳，其中各引腳可為一突出引腳1220，突出引腳1220設置於晶片座1210的四周，且突出引腳1220包含複數電鍍面1221與至少一無電鍍面1222，其中電鍍面1221設置於突出引腳1220。半導體晶片設置於導線架的晶片座1210上，而塑膠封裝材料1230設置於導線架上，且突出引腳1220突出於塑膠封裝材料1230的外緣。藉此，突出引腳1220可提升封裝結構1200的側面可銲接面積。
第十二實施方式中，可透過蝕刻步驟、模壓步驟、雷射步驟、電鍍步驟及切割步驟得到封裝結構1200。詳細來說，蝕刻步驟為於導線架的下表面進行蝕刻，模壓步驟為將塑膠封裝材料1230設置於導線架上並覆蓋半導體晶片，雷射步驟則是於導線架的上表面以雷射光束去除一部分塑膠封裝材料1230，電鍍步驟為設置電鍍面1221於雷射步驟後無覆蓋塑膠封裝材料1230的導線架表面，接著再以切割步驟形成封裝結構1200，其中雷射步驟可為二道以上，其取決於雷射光束的能量與參數，但並不以上述的製程步驟為限。
由第73圖可知，塑膠封裝材料1230的長度為L，塑膠封裝材料1230的寬度為W，引腳（第十二實施方式為突出引腳1220）的一最大突出長度為L2，其可滿足下列條件：W ≤ L，0.01 W ≤ L2，及L2 ≤ 0.5 L。具體而言，塑膠封裝材料1230可為正方形或長方形，且最大突出長度取決於電路板的配置，並不以上述的條件為限。再者，各突出引腳1220的最大突出長度可為相同。藉此，封裝結構1200四周的突出引腳1220的可銲接面積可具有一致性，使後續封裝結構1200銲接於電路板（圖未繪示）時不易產生銲接程度的差異，且可穩固地設置於電路板。
具體而言，電鍍面1221的材質可為錫合金或鎳金合金，其中鎳金合金可為鎳鈀金、鎳鈀銀金或鎳金，導線架的材質可為鐵鎳合金或銅合金，且塑膠封裝材料1230的材質可為環氧樹脂，但並不以上述的材質為限。
請參照第74圖與第75圖，第75圖繪示第72圖第十二實施方式中封裝結構1200的側面示意圖。由第74圖與第75圖可知，突出引腳1220突出的寬度較寬。因此，可降低毛邊的產生。
請配合參照第76圖，第76圖繪示第75圖第十二實施方式中封裝結構1200沿剖線76-76的剖面示意圖。由第76圖可得知，突出引腳1220於突出塑膠封裝材料1230與塑膠封裝材料1230所覆蓋的部分呈現類似鷗翼形。藉此，突出引腳1220可具有一定韌性以增加板級的可靠度，當塑膠封裝材料1230覆蓋封裝結構1200時，突出引腳1220更具有機械強度。再者，提升突出引腳1220的側面可銲錫面積的同時，更可保留半導體晶片與突出引腳1220之間銲線的連接強度。
請配合參照第77圖與第78圖，第77圖繪示第72圖第十二實施方式中封裝結構1200於銲錫後的側面示意圖，第78圖繪示第77圖第十二實施方式中封裝結構1200於銲錫後的部分側面示意圖。電鍍面1221的數量可為至少四，由第77圖至第78圖可知，第十二實施方式中，電鍍面1221的數量為四，但並不以此為限。接著，由第77圖與第78圖可知，封裝結構1200的銲錫部1240僅可設置於電鍍面1221。藉此，當封裝結構1200設置於電路板時，因側面可銲錫的面積增加，提升封裝結構1200與電路板的銲接強度。
請參照第79圖至第81圖，第79圖繪示依照本發明第十三實施方式中封裝結構1300的正面示意圖，第80圖繪示第79圖第十三實施方式中封裝結構1300的背面示意圖，第81圖繪示第79圖第十三實施方式中封裝結構1300的部分示意圖。由第79圖至第81圖可知，封裝結構1300包含一導線架（圖未標示）、一半導體晶片（圖未繪示）及一塑膠封裝材料1330，其中導線架用以承載半導體晶片，塑膠封裝材料1330設置於導線架上並覆蓋半導體晶片形成封裝結構1300。
進一步來說，導線架包含一晶片座1310與複數引腳，其中各引腳可為一突出引腳1320，突出引腳1320設置於晶片座1310的四周，且突出引腳1320包含複數電鍍面1321、至少一無電鍍面1322及一凹陷部1323，其中凹陷部1323位於突出引腳1320的一表面，且電鍍面1321設置於突出引腳1320與凹陷部1323。半導體晶片設置於導線架的晶片座1310上，而塑膠封裝材料1330設置於導線架上，且突出引腳1320突出於塑膠封裝材料1330的外緣。藉此，突出引腳1320可提升封裝結構1300的側面可銲接面積。
第十三實施方式中，可透過蝕刻步驟、模壓步驟、雷射步驟、電鍍步驟及切割步驟得到封裝結構1300。詳細來說，蝕刻步驟為於導線架的下表面進行蝕刻，模壓步驟為將塑膠封裝材料1330設置於導線架上並覆蓋半導體晶片，雷射步驟則是於導線架的上表面以雷射光束去除一部分塑膠封裝材料1330，電鍍步驟為設置電鍍面1321於雷射步驟後無覆蓋塑膠封裝材料1330的導線架表面，接著再以切割步驟形成封裝結構1300，其中雷射步驟可為二道以上，其取決於雷射光束的能量與參數，但並不以上述的製程步驟為限。
由第80圖可知，塑膠封裝材料1330的長度為L，塑膠封裝材料1330的寬度為W，引腳（第十三實施方式為突出引腳1320）的一最大突出長度為L2，其可滿足下列條件：W ≤ L，0.01 W ≤ L2，及L2 ≤ 0.5 L。具體而言，塑膠封裝材料1330可為正方形或長方形，且最大突出長度取決於電路板的配置，並不以上述的條件為限。再者，各突出引腳1320的最大突出長度可為相同。藉此，封裝結構1300四周的突出引腳1320的可銲接面積可具有一致性，使後續封裝結構1300銲接於電路板（圖未繪示）時不易產生銲接程度的差異，且可穩固地設置於電路板。
具體而言，電鍍面1321的材質可為錫合金或鎳金合金，其中鎳金合金可為鎳鈀金、鎳鈀銀金或鎳金，導線架的材質可為鐵鎳合金或銅合金，且塑膠封裝材料1330的材質可為環氧樹脂，但並不以上述的材質為限。
請參照第81圖與第82圖，第82圖繪示第79圖第十三實施方式中封裝結構1300的側面示意圖。由第81圖與第82圖可知，突出引腳1320突出的寬度較寬。因此，可降低毛邊的產生。再者，突出引腳1320的凹陷部1323的凹陷深度可小於突出引腳1320的厚度的一半。
請配合參照第83圖，第83圖繪示第82圖第十三實施方式中封裝結構1300沿剖線83-83的剖面示意圖。由第83圖可得知，突出引腳1320於突出塑膠封裝材料1330與塑膠封裝材料1330所覆蓋的部分呈現類似鷗翼形。藉此，突出引腳1320可具有一定韌性以增加板級的可靠度，當塑膠封裝材料1330覆蓋封裝結構1300時，突出引腳1320更具有機械強度。再者，提升突出引腳1320的側面可銲錫面積的同時，更可保留半導體晶片與突出引腳1320之間銲線的連接強度。
請配合參照第84圖與第85圖，第84圖繪示第79圖第十三實施方式中封裝結構1300於銲錫後的側面示意圖，第85圖繪示第84圖第十三實施方式中封裝結構1300於銲錫後的部分側面示意圖。電鍍面1321的數量可為至少四，由第84圖至第85圖可知，第十三實施方式中，電鍍面1321的數量為八，但並不以此為限。接著，由第84圖與第85圖可知，封裝結構1300的銲錫部1340僅可設置於電鍍面1321。藉此，當封裝結構1300設置於電路板時，因側面可銲錫的面積增加，提升封裝結構1300與電路板的銲接強度。
綜上所述，本發明的封裝結構可提升可銲接面積，進而提升與電路板的銲接強度。並且，銲接後可穩定地設置於電路板上，故可增加設置於電路板的壽命以增加板級的可靠度。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100,200,300,400,500,600,700,800,900,1000,1100,1200,1300:封裝結構
101,201,301,401,501,601,701,801,901,1001:上表面
102,202,302,402,502,602,702,802,902,1002:下表面
110,210,310,410,510,610,710,810,910,1010,1110,1210,1310:晶片座
120,220,320,420,520,620,820:梯狀引腳
720,920,1020,1120,1220,1320:突出引腳
121,221,321,421,521,621,721,821,921,1021,1121,1221,1321:電鍍面
122,222,322,422,522,622,722,822,922,1022,1122,1222,1322:無電鍍面
323,623,1323:凹陷部
130,230,330,430,530,630,730,830,930,1030,1130,1230,1330:塑膠封裝材料
140,240,340,440,540,640,740,840,940,1040,1140,1240,1340:銲錫部
L:塑膠封裝材料的長度
W:塑膠封裝材料的寬度
L2:引腳的最大突出長度
第1圖繪示依照本發明第一實施方式中封裝結構的正面示意圖； 第2圖繪示第1圖第一實施方式中封裝結構的背面示意圖； 第3圖繪示第1圖第一實施方式中封裝結構的部分示意圖； 第4圖繪示第1圖第一實施方式中封裝結構的側面示意圖； 第5圖繪示第1圖第一實施方式中封裝結構於銲錫後的側面示意圖； 第6圖繪示第5圖第一實施方式中封裝結構於銲錫後的部分側面示意圖； 第7圖繪示依照本發明第二實施方式中封裝結構的正面示意圖； 第8圖繪示第7圖第二實施方式中封裝結構的背面示意圖； 第9圖繪示第7圖第二實施方式中封裝結構的部分示意圖； 第10圖繪示第7圖第二實施方式中封裝結構的側面示意圖； 第11圖繪示第7圖第二實施方式中封裝結構於銲錫後的側面示意圖； 第12圖繪示第11圖第二實施方式中封裝結構於銲錫後的部分側面示意圖； 第13圖繪示依照本發明第三實施方式中封裝結構的正面示意圖； 第14圖繪示第13圖第三實施方式中封裝結構的背面示意圖； 第15圖繪示第13圖第三實施方式中封裝結構的部分示意圖； 第16圖繪示第13圖第三實施方式中封裝結構的側面示意圖； 第17圖繪示第13圖第三實施方式中封裝結構於銲錫後的側面示意圖； 第18圖繪示第17圖第三實施方式中封裝結構於銲錫後的部分側面示意圖； 第19圖繪示依照本發明第四實施方式中封裝結構的正面示意圖； 第20圖繪示第19圖第四實施方式中封裝結構的背面示意圖； 第21圖繪示第19圖第四實施方式中封裝結構的部分示意圖； 第22圖繪示第19圖第四實施方式中封裝結構的側面示意圖； 第23圖繪示第19圖第四實施方式中封裝結構於銲錫後的側面示意圖； 第24圖繪示第23圖第四實施方式中封裝結構於銲錫後的部分側面示意圖； 第25圖繪示依照本發明第五實施方式中封裝結構的正面示意圖； 第26圖繪示第25圖第五實施方式中封裝結構的背面示意圖； 第27圖繪示第25圖第五實施方式中封裝結構的部分示意圖； 第28圖繪示第25圖第五實施方式中封裝結構的側面示意圖； 第29圖繪示第25圖第五實施方式中封裝結構於銲錫後的側面示意圖； 第30圖繪示第29圖第五實施方式中封裝結構於銲錫後的部分側面示意圖； 第31圖繪示依照本發明第六實施方式中封裝結構的正面示意圖； 第32圖繪示第31圖第六實施方式中封裝結構的背面示意圖； 第33圖繪示第31圖第六實施方式中封裝結構的部分示意圖； 第34圖繪示第31圖第六實施方式中封裝結構的側面示意圖； 第35圖繪示第31圖第六實施方式中封裝結構於銲錫後的側面示意圖； 第36圖繪示第35圖第六實施方式中封裝結構於銲錫後的部分側面示意圖； 第37圖繪示依照本發明第七實施方式中封裝結構的正面示意圖； 第38圖繪示第37圖第七實施方式中封裝結構的背面示意圖； 第39圖繪示第37圖第七實施方式中封裝結構的部分示意圖； 第40圖繪示第37圖第七實施方式中封裝結構的側面示意圖； 第41圖繪示第40圖第七實施方式中封裝結構沿剖線41-41的剖面示意圖； 第42圖繪示第37圖第七實施方式中封裝結構於銲錫後的側面示意圖； 第43圖繪示第42圖第七實施方式中封裝結構於銲錫後的部分側面示意圖； 第44圖繪示依照本發明第八實施方式中封裝結構的正面示意圖； 第45圖繪示第44圖第八實施方式中封裝結構的背面示意圖； 第46圖繪示第44圖第八實施方式中封裝結構的部分示意圖； 第47圖繪示第44圖第八實施方式中封裝結構的側面示意圖； 第48圖繪示第47圖第八實施方式中封裝結構沿剖線48-48的剖面示意圖； 第49圖繪示第44圖第八實施方式中封裝結構於銲錫後的側面示意圖； 第50圖繪示第49圖第八實施方式中封裝結構於銲錫後的部分側面示意圖； 第51圖繪示依照本發明第九實施方式中封裝結構的正面示意圖； 第52圖繪示第51圖第九實施方式中封裝結構的背面示意圖； 第53圖繪示第51圖第九實施方式中封裝結構的部分示意圖； 第54圖繪示第51圖第九實施方式中封裝結構的側面示意圖； 第55圖繪示第54圖第九實施方式中封裝結構沿剖線55-55的剖面示意圖； 第56圖繪示第51圖第九實施方式中封裝結構於銲錫後的側面示意圖； 第57圖繪示第56圖第九實施方式中封裝結構於銲錫後的部分側面示意圖； 第58圖繪示依照本發明第十實施方式中封裝結構的正面示意圖； 第59圖繪示第58圖第十實施方式中封裝結構的背面示意圖； 第60圖繪示第58圖第十實施方式中封裝結構的部分示意圖； 第61圖繪示第58圖第十實施方式中封裝結構的側面示意圖； 第62圖繪示第61圖第十實施方式中封裝結構沿剖線62-62的剖面示意圖； 第63圖繪示第58圖第十實施方式中封裝結構於銲錫後的側面示意圖； 第64圖繪示第63圖第十實施方式中封裝結構於銲錫後的部分側面示意圖； 第65圖繪示依照本發明第十一實施方式中封裝結構的正面示意圖； 第66圖繪示第65圖第十一實施方式中封裝結構的背面示意圖； 第67圖繪示第65圖第十一實施方式中封裝結構的部分示意圖； 第68圖繪示第65圖第十一實施方式中封裝結構的側面示意圖； 第69圖繪示第68圖第十一實施方式中封裝結構沿剖線69-69的剖面示意圖； 第70圖繪示第65圖第十一實施方式中封裝結構於銲錫後的側面示意圖； 第71圖繪示第70圖第十一實施方式中封裝結構於銲錫後的部分側面示意圖； 第72圖繪示依照本發明第十二實施方式中封裝結構的正面示意圖； 第73圖繪示第72圖第十二實施方式中封裝結構的背面示意圖； 第74圖繪示第72圖第十二實施方式中封裝結構的部分示意圖； 第75圖繪示第72圖第十二實施方式中封裝結構的側面示意圖； 第76圖繪示第75圖第十二實施方式中封裝結構沿剖線76-76的剖面示意圖； 第77圖繪示第72圖第十二實施方式中封裝結構於銲錫後的側面示意圖； 第78圖繪示第77圖第十二實施方式中封裝結構於銲錫後的部分側面示意圖； 第79圖繪示依照本發明第十三實施方式中封裝結構的正面示意圖； 第80圖繪示第79圖第十三實施方式中封裝結構的背面示意圖； 第81圖繪示第79圖第十三實施方式中封裝結構的部分示意圖； 第82圖繪示第79圖第十三實施方式中封裝結構的側面示意圖； 第83圖繪示第82圖第十三實施方式中封裝結構沿剖線83-83的剖面示意圖； 第84圖繪示第79圖第十三實施方式中封裝結構於銲錫後的側面示意圖；以及 第85圖繪示第84圖第十三實施方式中封裝結構於銲錫後的部分側面示意圖。
100:封裝結構
120:梯狀引腳
121:電鍍面
122:無電鍍面
130:塑膠封裝材料

Claims (8)

  1. 一種封裝結構，包含：一導線架，包含：一晶片座；及複數引腳，設置於該晶片座的四周，且各該引腳包含：複數電鍍面；一半導體晶片，設置於該導線架的該晶片座上；以及一塑膠封裝材料，設置於該導線架上；其中，各該引腳突出於該塑膠封裝材料的外緣；其中，各該引腳為一梯狀引腳，且各該梯狀引腳靠近該封裝結構之一上表面之一部分的一突出長度小於各該梯狀引腳靠近該封裝結構之一下表面之另一部分的一突出長度。
  2. 如請求項1所述之封裝結構，其中各該梯狀引腳更包含一凹陷部，位於各該梯狀引腳的一表面，且該些電鍍面設置於該凹陷部。
  3. 如請求項1所述之封裝結構，其中該些電鍍面的材質為錫合金或鎳金合金。
  4. 如請求項1所述之封裝結構，其中各該梯狀引腳更包含至少一無電鍍面。
  5. 如請求項1所述之封裝結構，其中該封裝結構的一長度為L，該封裝結構的一寬度為W，各該梯狀引腳的一最大突出長度為L2，其滿足下列條件：W
    Figure 109130281-A0305-02-0052-2
    L；0.01W
    Figure 109130281-A0305-02-0052-3
    L2；以及L2
    Figure 109130281-A0305-02-0052-4
    0.5L。
  6. 如請求項5所述之封裝結構，其中各該梯狀引腳的該最大突出長度為相同。
  7. 如請求項1所述之封裝結構，其中該導線架的材質為鐵鎳合金或銅合金，且該塑膠封裝材料的材質為環氧樹脂。
  8. 如請求項1所述之封裝結構，其中該些電鍍面的數量為至少四。
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