JP2018139263A - 半導体パッケージおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既に説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図2(a)は、実施形態に係る半導体パッケージ100を表す断面図であり、図2(b)は、実施形態に係る半導体パッケージ100のリードフレーム20を表す断面図である。
図1および図2に表すように、半導体パッケージ100は、ダイパッド10、リードフレーム20、半導体チップ30、絶縁部40、金属層45および46を有する。
ダイパッド10およびリードフレーム20は、銅などの金属材料を含む。
半導体チップ30は、シリコンなどの半導体材料を主成分として含む。
絶縁部40は、エポキシ樹脂などの絶縁性樹脂を含む。
金属層45および46は、めっき法を用いてダイパッド10およびリードフレーム20の上に成膜可能な金属材料を含む。これらのリードフレームが銅を含む場合、金属層45および46は、スズ、あるいは銀とスズとの合金、などを含む。
図3および図4は、実施形態に係る半導体パッケージ100の製造工程の一例を表す工程断面図である。
なお、図3(a)〜図4(b)に表した例では、凹部Rを形成した後にリードフレーム部材20Aを切断することで、リードフレーム20に傾斜面S4を形成した。しかし、本実施形態に係る半導体パッケージ100の製造方法はこれに限定されない。例えば、リードフレーム部材20Aを切断した後に、リードフレーム20の切断面の下部を除去することで傾斜面S4を形成しても良い。この場合、傾斜面S4には金属層46が形成されない。
図3(a)に表わすような構造体STを切断する際、その厚みが大きいほど、切断される部分の幅も広くなる。これは、厚みが大きい部材を狭い幅で切断すると、工程に要する時間が長くなりすぎるためである。
一方で、切断幅が広いほど、除去されるリードフレーム部材20Aの幅も広くなるため、リードフレーム20の下面S1の面積も減少する。半導体パッケージ100を実装する際は、下面S1と外部電極を接合するため、下面S1の面積が減少すると、実装時に接続不良等が生じやすくなり、半導体パッケージ100の信頼性が低下する。
このため、本実施形態に係る半導体パッケージの製造方法によれば、実装時の信頼性の高い半導体パッケージを作製することができる。
本実施形態に係る半導体パッケージ100では、リードフレーム20が傾斜面S4を有する。リードフレーム20が傾斜面S4を有する場合、半導体パッケージ100を実装した際に、はんだが傾斜面S4を伝ってリードフレーム20の側面へ流動し易くなり、はんだフィレットが形成され易くなる。リードフレーム20の側面にはんだフィレットが形成されると、半導体パッケージ100が外部電極と十分に接合されているかを、外観検査によって容易に確認することができる。
図5(a)は、実施形態の第1変形例に係る半導体パッケージ200を表す断面図であり、図5(b)は、実施形態の第1変形例に係る半導体パッケージ200のリードフレーム20を表す断面図である。
図6は、実施形態の第2変形例に係る半導体パッケージ300を表す斜視図である。
本変形例に係る半導体パッケージ300は、リードフレーム20同士の間に絶縁部40の一部が設けられている点で、半導体パッケージ100と異なる。
これに対して、リードフレーム部材20A同士の間の絶縁部40を除去せずに、リードフレーム部材20Aを切断することで、図6に表す半導体パッケージ300が作製される。
Claims (8)
- ダイパッドと、
前記ダイパッドの上に設けられた半導体チップと、
第1部分と、
前記第1部分と前記ダイパッドとの間に設けられた第2部分と、
を有し、前記第1部分の上面が前記第2部分の上面よりも下方に位置し、前記ダイパッドと離間して設けられ、前記半導体チップの端子と電気的に接続されたリードフレームと、
前記ダイパッド、前記半導体チップ、および前記第2部分の上に設けられ、前記半導体チップを封止する絶縁部と、
を備えた半導体パッケージ。 - 前記第1部分の下面の少なくとも一部は、前記第2部分の下面よりも上方に位置している請求項1記載の半導体パッケージ。
- 前記ダイパッドから前記リードフレームに向かう第1方向における前記リードフレームの端部と、前記リードフレームの下面と、の間に、前記第1方向に向かって上方へ傾斜した傾斜面が設けられた請求項1または2に記載の半導体パッケージ。
- 前記リードフレームは、前記ダイパッドの周りに、周方向において複数設けられた請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体パッケージ。
- ダイパッドと、
前記ダイパッドの上に設けられた半導体チップと、
前記ダイパッドと離間して設けられ、前記半導体チップの端子と電気的に接続されたリードフレームであって、前記ダイパッドから前記リードフレームに向かう第1方向における前記リードフレームの端部と、前記リードフレームの下面と、の間に、前記第1方向に向かって上方へ傾斜した傾斜面が設けられたリードフレームと、
前記ダイパッド、前記半導体チップ、および前記リードフレームの一部の上に設けられ、前記半導体チップを封止する絶縁部と、
を備えた半導体パッケージ。 - 互いに離間して並べられた複数のダイパッドと、
それぞれが前記ダイパッドの上に設けられた複数の半導体チップと、
前記ダイパッド同士の間に設けられた複数のリードフレーム部材と、
前記複数のダイパッド、前記複数の半導体チップ、および前記複数のリードフレーム部材の上に設けられ、前記複数の半導体チップを封止する絶縁部と、
を備えた構造体に対して、前記絶縁部の一部を除去して第1幅の溝を形成し、それぞれの前記リードフレーム部材の上面の一部を露出させ、
露出したそれぞれの前記リードフレーム部材の前記一部において、前記第1幅よりも狭い第2幅で前記リードフレーム部材を切断し、それぞれの前記リードフレーム部材を複数のリードフレームに分割する半導体パッケージの製造方法。 - 前記リードフレーム部材の下面に、前記第2幅よりも広い第3幅の凹部を形成し、
前記リードフレーム部材は、前記凹部が形成された部分で切断される請求項6記載の半導体パッケージの製造方法。 - それぞれの前記リードフレームにおいて、切断面の下端を除去し、前記リードフレームの前記切断面側の下面を、前記ダイパッド側の下面よりも上方に位置させる請求項6記載の半導体パッケージの製造方法。
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