CN113451148A - 封装结构的形成方法 - Google Patents

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CN113451148A CN202010914208.XA CN202010914208A CN113451148A CN 113451148 A CN113451148 A CN 113451148A CN 202010914208 A CN202010914208 A CN 202010914208A CN 113451148 A CN113451148 A CN 113451148A
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余正富
史凯日
柳怡蓉
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American Merchant Silicon Integrated Circuit Co ltd
Integrated Silicon Solution Inc
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American Merchant Silicon Integrated Circuit Co ltd
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Abstract

一种封装结构的形成方法，包含一蚀刻步骤、一激光步骤、一电镀步骤及一切割步骤。蚀刻步骤中，对一导线架的多个切割道进行蚀刻。激光步骤中，以一激光光束移除覆盖切割道上的一塑胶封装材料。电镀步骤中，多个电镀面设置于导线架上塑胶封装材料未覆盖的多个区域。切割步骤中，切割导线架的切割道以形成一封装结构。借此，有助于形成具有良好焊接性的封装结构，且封装结构可稳固地设置于电路板。

Description

封装结构的形成方法
技术领域
本公开内容涉及一种封装结构的形成方法。
背景技术
以往来说，四方平面无引脚封装(Quad Flat No Leads,QFN)因其引脚侧面的可焊接面积较少，故将四方平面无引脚封装设置于电路板时具有较不佳的焊接效果。
现今已发展一种四方平面无引脚封装的引脚内缩底部一部分的结构，借此提升引脚侧面可焊接的面积。一般来说，会以刀切、蚀刻或激光的工艺以达到上述的结构。然而，如此的结构会造成引脚底部设置于电路板的面积变小，进而产生设置于电路板的寿命下降的问题。
发明内容
本公开内容提供一种封装结构的形成方法，通过蚀刻切割道与激光光束移除切割道的塑胶封装材料以得到可提升侧面可焊接性和维持设置于电路板寿命的封装结构。
依据本公开内容一实施方式提供一种封装结构的形成方法，包含一蚀刻步骤、一激光步骤、一电镀步骤及一切割步骤。蚀刻步骤中，对一导线架的多个切割道进行蚀刻。激光步骤中，以一激光光束移除覆盖切割道上的一塑胶封装材料。电镀步骤中，多个电镀面设置于导线架上塑胶封装材料未覆盖的多个区域。切割步骤中，切割导线架的切割道以形成一封装结构。
依据前段所述实施方式的封装结构的形成方法，可还包含一模压步骤，其中塑胶封装材料于激光步骤前覆盖于导线架。
依据前段所述实施方式的封装结构的形成方法，其中蚀刻步骤中的一蚀刻深度可小于或等于导线架的一厚度的一半。
依据前段所述实施方式的封装结构的形成方法，其中激光步骤中，激光光束可移除导线架的切割道的一上表面的一部分。
依据前段所述实施方式的封装结构的形成方法，其中切割步骤中，导线架的切割道可由一刀具切割。
依据前段所述实施方式的封装结构的形成方法，其中刀具的切割宽度可小于或等于蚀刻步骤的蚀刻宽度。
依据前段所述实施方式的封装结构的形成方法，其中激光步骤的激光光束可为二极管泵浦掺钕钒酸钇，其输出功率可为10瓦至40瓦，其波长可为355纳米、532纳米或1064纳米，其脉冲形式可为连续波，且脉冲频率可为60千赫兹至200千赫兹。
依据前段所述实施方式的封装结构的形成方法，其中激光步骤可包含一第一激光步骤与一第二激光步骤，且第二激光步骤于第一激光步骤后进行。
依据前段所述实施方式的封装结构的形成方法，其中第一激光步骤可为激光光束移除覆盖切割道的上表面的塑胶封装材料。
依据前段所述实施方式的封装结构的形成方法，其中第二激光步骤可为激光光束移除覆盖切割道的一下表面的塑胶封装材料。
附图说明
图1示出依照本发明第一实施方式中封装结构的形成方法的流程示意图；
图2示出图1第一实施方式中蚀刻步骤的示意图；
图3示出图2第一实施方式中导线架沿剖线3-3'的剖面示意图；
图4示出图1第一实施方式中模压步骤的示意图；
图5示出图4第一实施方式中导线架沿剖线5-5'的剖面示意图；
图6示出图1第一实施方式中第一激光步骤的示意图；
图7示出图6第一实施方式中导线架沿剖线7-7'的剖面示意图；
图8示出图1第一实施方式中第二激光步骤的示意图；
图9示出图8第一实施方式中导线架沿剖线9-9'的剖面示意图；
图10示出图1第一实施方式中电镀步骤的示意图；
图11示出图10第一实施方式中导线架沿剖线11-11'的剖面示意图；
图12示出图1第一实施方式中切割步骤的示意图；
图13示出图12第一实施方式中封装结构沿剖线13-13'的剖面示意图；
图14示出图12第一实施方式中封装结构沿剖线14-14'的剖面示意图；
图15示出图1第一实施方式中封装结构的侧面示意图；
图16示出图1第一实施方式中封装结构的部分示意图；
图17示出依照本发明第二实施方式中封装结构的形成方法的流程示意图；
图18示出图17第二实施方式中蚀刻步骤的示意图；
图19示出图18第二实施方式中导线架沿剖线19-19'的剖面示意图；
图20示出图17第二实施方式中模压步骤的示意图；
图21示出图20第二实施方式中导线架沿剖线21-21'的剖面示意图；
图22示出图17第二实施方式中激光步骤的示意图；
图23示出图22第二实施方式中导线架沿剖线23-23'的剖面示意图；
图24示出图17第二实施方式中电镀步骤的示意图；
图25示出图24第二实施方式中导线架沿剖线25-25'的剖面示意图；
图26示出图17第二实施方式中切割步骤的示意图；
图27示出图26第二实施方式中封装结构沿剖线27-27'的剖面示意图；
图28示出图26第二实施方式中封装结构沿剖线28-28'的剖面示意图；
图29示出图17第二实施方式中封装结构的侧面示意图；
图30示出图17第二实施方式中封装结构的部分示意图；
图31示出依照本发明第三实施方式中封装结构的形成方法的流程示意图；
图32示出图31第三实施方式中蚀刻步骤的示意图；
图33示出图32第三实施方式中导线架沿剖线33-33'的剖面示意图；
图34示出图31第三实施方式中模压步骤的示意图；
图35示出图34第三实施方式中导线架沿剖线35-35'的剖面示意图；
图36示出图31第三实施方式中激光步骤的示意图；
图37示出图36第三实施方式中导线架沿剖线37-37'的剖面示意图；
图38示出图31第三实施方式中电镀步骤的示意图；
图39示出图38第三实施方式中导线架沿剖线39-39'的剖面示意图；
图40示出图31第三实施方式中切割步骤的示意图；
图41示出图40第三实施方式中封装结构沿剖线41-41'的剖面示意图；
图42示出图40第三实施方式中封装结构沿剖线42-42'的剖面示意图；
图43示出图31第三实施方式中封装结构的侧面示意图；
图44示出图31第三实施方式中封装结构的部分示意图；
图45示出依照本发明第四实施方式中封装结构的形成方法的流程示意图；
图46示出图45第四实施方式中蚀刻步骤的示意图；
图47示出图46第四实施方式中导线架沿剖线47-47'的剖面示意图；
图48示出图45第四实施方式中模压步骤的示意图；
图49示出图48第四实施方式中导线架沿剖线49-49'的剖面示意图；
图50示出图45第四实施方式中激光步骤的示意图；
图51示出图50第四实施方式中导线架沿剖线51-51'的剖面示意图；
图52示出图45第四实施方式中电镀步骤的示意图；
图53示出图52第四实施方式中导线架沿剖线53-53'的剖面示意图；
图54示出图45第四实施方式中切割步骤的示意图；
图55示出图54第四实施方式中封装结构沿剖线55-55'的剖面示意图；
图56示出图54第四实施方式中封装结构沿剖线56-56'的剖面示意图；
图57示出图45第四实施方式中封装结构的侧面示意图；
图58示出图45第四实施方式中封装结构的部分示意图；
图59示出依照本发明第五实施方式中封装结构的形成方法的流程示意图；
图60示出图59第五实施方式中蚀刻步骤的示意图；
图61示出图60第五实施方式中导线架沿剖线61-61'的剖面示意图；
图62示出图59第五实施方式中模压步骤的示意图；
图63示出图62第五实施方式中导线架沿剖线63-63'的剖面示意图；
图64示出图59第五实施方式中激光步骤的示意图；
图65示出图64第五实施方式中导线架沿剖线65-65'的剖面示意图；
图66示出图59第五实施方式中电镀步骤的示意图；
图67示出图66第五实施方式中导线架沿剖线67-67'的剖面示意图；
图68示出图59第五实施方式中切割步骤的示意图；
图69示出图68第五实施方式中封装结构沿剖线69-69'的剖面示意图；
图70示出图68第五实施方式中封装结构沿剖线70-70'的剖面示意图；
图71示出图59第五实施方式中封装结构的侧面示意图；
图72示出图59第五实施方式中封装结构的部分示意图；
图73示出依照本发明第六实施方式中封装结构的形成方法的流程示意图；
图74示出图73第六实施方式中蚀刻步骤的示意图；
图75示出图74第六实施方式中导线架沿剖线75-75'的剖面示意图；
图76示出图73第六实施方式中模压步骤的示意图；
图77示出图76第六实施方式中导线架沿剖线77-77'的剖面示意图；
图78示出图73第六实施方式中激光步骤的示意图；
图79示出图78第六实施方式中导线架沿剖线79-79'的剖面示意图；
图80示出图73第六实施方式中电镀步骤的示意图；
图81示出图80第六实施方式中导线架沿剖线81-81'的剖面示意图；
图82示出图73第六实施方式中切割步骤的示意图；
图83示出图82第六实施方式中封装结构沿剖线83-83'的剖面示意图；
图84示出图82第六实施方式中封装结构沿剖线84-84'的剖面示意图；
图85示出图73第六实施方式中封装结构的侧面示意图；
图86示出图73第六实施方式中封装结构的部分示意图；
图87示出依照本发明第七实施方式中封装结构的形成方法的流程示意图；
图88示出图87第七实施方式中蚀刻步骤的示意图；
图89示出图88第七实施方式中导线架沿剖线89-89'的剖面示意图；
图90示出图87第七实施方式中模压步骤的示意图；
图91示出图90第七实施方式中导线架沿剖线91-91'的剖面示意图；
图92示出图87第七实施方式中激光步骤的示意图；
图93示出图92第七实施方式中导线架沿剖线93-93'的剖面示意图；
图94示出图87第七实施方式中电镀步骤的示意图；
图95示出图94第七实施方式中导线架沿剖线95-95'的剖面示意图；
图96示出图87第七实施方式中切割步骤的示意图；
图97示出图96第七实施方式中封装结构沿剖线97-97'的剖面示意图；
图98示出图96第七实施方式中封装结构沿剖线98-98'的剖面示意图；
图99示出图87第七实施方式中封装结构的侧面示意图；
图100示出图87第七实施方式中封装结构的部分示意图；
图101示出依照本发明第八实施方式中封装结构的形成方法的流程示意图；
图102示出图101第八实施方式中蚀刻步骤的示意图；
图103示出图102第八实施方式中导线架沿剖线103-103'的剖面示意图；
图104示出图101第八实施方式中模压步骤的示意图；
图105示出图104第八实施方式中导线架沿剖线105-105'的剖面示意图；
图106示出图101第八实施方式中激光步骤的示意图；
图107示出图106第八实施方式中导线架沿剖线107-107'的剖面示意图；
图108示出图101第八实施方式中电镀步骤的示意图；
图109示出图108第八实施方式中导线架沿剖线109-109'的剖面示意图；
图110示出图101第八实施方式中切割步骤的示意图；
图111示出图110第八实施方式中封装结构沿剖线111-111'的剖面示意图；
图112示出图110第八实施方式中封装结构沿剖线112-112'的剖面示意图；
图113示出图101第八实施方式中封装结构的侧面示意图；
图114示出图101第八实施方式中封装结构的部分示意图；
图115示出依照本发明第九实施方式中封装结构的形成方法的流程示意图；
图116示出图115第九实施方式中蚀刻步骤的示意图；
图117示出图116第九实施方式中导线架沿剖线117-117'的剖面示意图；
图118示出图115第九实施方式中模压步骤的示意图；
图119示出图118第九实施方式中导线架沿剖线119-119'的剖面示意图；
图120示出图115第九实施方式中第一激光步骤的示意图；
图121示出图120第九实施方式中导线架沿剖线121-121'的剖面示意图；
图122示出图115第九实施方式中第二激光步骤的示意图；
图123示出图122第九实施方式中导线架沿剖线123-123'的剖面示意图；
图124示出图115第九实施方式中电镀步骤的示意图；
图125示出图124第九实施方式中导线架沿剖线125-125'的剖面示意图；
图126示出图115第九实施方式中切割步骤的示意图；
图127示出图126第九实施方式中封装结构沿剖线127-127'的剖面示意图；
图128示出图126第九实施方式中封装结构沿剖线128-128'的剖面示意图；
图129示出图115第九实施方式中封装结构的侧面示意图；
图130示出图115第九实施方式中封装结构的部分示意图；
图131示出依照本发明第十实施方式中封装结构的形成方法的流程示意图；
图132示出图131第十实施方式中蚀刻步骤的示意图；
图133示出图132第十实施方式中导线架沿剖线133-133'的剖面示意图；
图134示出图131第十实施方式中模压步骤的示意图；
图135示出图134第十实施方式中导线架沿剖线135-135'的剖面示意图；
图136示出图131第十实施方式中第一激光步骤的示意图；
图137示出图136第十实施方式中导线架沿剖线137-137'的剖面示意图；
图138示出图131第十实施方式中第二激光步骤的示意图；
图139示出图138第十实施方式中导线架沿剖线139-139'的剖面示意图；
图140示出图131第十实施方式中电镀步骤的示意图；
图141示出图140第十实施方式中导线架沿剖线141-141'的剖面示意图；
图142示出图131第十实施方式中切割步骤的示意图；
图143示出图142第十实施方式中封装结构沿剖线143-143'的剖面示意图；
图144示出图142第十实施方式中封装结构沿剖线144-144'的剖面示意图；
图145示出图131第十实施方式中封装结构的侧面示意图；
图146示出图131第十实施方式中封装结构的部分示意图；
图147示出依照本发明第十一实施方式中封装结构的形成方法的流程示意图；
图148示出图147第十一实施方式中蚀刻步骤的示意图；
图149示出图148第十一实施方式中导线架沿剖线149-149'的剖面示意图；
图150示出图147第十一实施方式中模压步骤的示意图；
图151示出图150第十一实施方式中导线架沿剖线151-151'的剖面示意图；
图152示出图147第十一实施方式中第一激光步骤的示意图；
图153示出图152第十一实施方式中导线架沿剖线153-153'的剖面示意图；
图154示出图147第十一实施方式中第二激光步骤的示意图；
图155示出图154第十一实施方式中导线架沿剖线155-155'的剖面示意图；
图156示出图147第十一实施方式中电镀步骤的示意图；
图157示出图156第十一实施方式中导线架沿剖线157-157'的剖面示意图；
图158示出图147第十一实施方式中切割步骤的示意图；
图159示出图158第十一实施方式中封装结构沿剖线159-159'的剖面示意图；
图160示出图158第十一实施方式中封装结构沿剖线160-160'的剖面示意图；
图161示出图147第十一实施方式中封装结构的侧面示意图；
图162示出图147第十一实施方式中封装结构的部分示意图；
图163示出依照本发明第十二实施方式中封装结构的形成方法的流程示意图；
图164示出图163第十二实施方式中蚀刻步骤的示意图；
图165示出图164第十二实施方式中导线架沿剖线165-165'的剖面示意图；
图166示出图163第十二实施方式中模压步骤的示意图；
图167示出图166第十二实施方式中导线架沿剖线167-167'的剖面示意图；
图168示出图163第十二实施方式中激光步骤的示意图；
图169示出图168第十二实施方式中导线架沿剖线169-169'的剖面示意图；
图170示出图163第十二实施方式中电镀步骤的示意图；
图171示出图170第十二实施方式中导线架沿剖线171-171'的剖面示意图；
图172示出图163第十二实施方式中切割步骤的示意图；
图173示出图172第十二实施方式中封装结构沿剖线173-173'的剖面示意图；
图174示出图172第十二实施方式中封装结构沿剖线174-174'的剖面示意图；
图175示出图163第十二实施方式中封装结构的侧面示意图；
图176示出图163第十二实施方式中封装结构的部分示意图；
图177示出依照本发明第十三实施方式中封装结构的形成方法的流程示意图；
图178示出图177第十三实施方式中蚀刻步骤的示意图；
图179示出图178第十三实施方式中导线架沿剖线179-179'的剖面示意图；
图180示出图177第十三实施方式中模压步骤的示意图；
图181示出图180第十三实施方式中导线架沿剖线181-181'的剖面示意图；
图182示出图177第十三实施方式中激光步骤的示意图；
图183示出图182第十三实施方式中导线架沿剖线183-183'的剖面示意图；
图184示出图177第十三实施方式中电镀步骤的示意图；
图185示出图184第十三实施方式中导线架沿剖线185-185'的剖面示意图；
图186示出图177第十三实施方式中切割步骤的示意图；
图187示出图186第十三实施方式中封装结构沿剖线187-187'的剖面示意图；
图188示出图186第十三实施方式中封装结构沿剖线188-188'的剖面示意图；
图189示出图177第十三实施方式中封装结构的侧面示意图；以及
图190示出图177第十三实施方式中封装结构的部分示意图。
附图标记说明：
S100,S200,S300,S400,S500,S600,S700,S800,S900,S1000,S1100,S1200,S1300：封装结构的形成方法
S101,S201,S301,S401,S501,S601,S701,S801,S901,S1001,S1101,S1201,S1301：蚀刻步骤
S102,S202,S302,S402,S502,S602,S702,S802,S902,S1002,S1102,S1202,S1302：模压步骤
S103,S903,S1003,S1103：第一激光步骤
S104,S904,S1004,S1104：第二激光步骤
S105,S204,S304,S404,S504,S604,S704,S804,S905,S1005,S1105,S1204,S1304：电镀步骤
S106,S205,S305,S405,S505,S605,S705,S805,S906,S1006,S1106,S1205,S1305：切割步骤
S203,S303,S403,S503,S603,S703,S803,S1203,S1303：激光步骤
100,200,300,400,500,600,700,800,900,1000,1100,1200,1300：封装结构
110,210,310,410,510,610,710,810,910,1010,1110,1210,1310：导线架
111,211,311,411,511,611,711,811,911,1011,1111,1211,1311：切割道
112,212,312,412,512,612,712,812,912,1012,1112,1212,1312：蚀刻槽
113,213,313,413,513,613,813：梯状引脚
713,913,1013,1113,1213,1313：突出引脚
120,220,320,420,520,620,720,820,920,1020,1120,1220,1320：塑胶封装材料
130,230,330,430,530,630,730,830,930,1030,1130,1230,1330：电镀面
314,614,714,814,914,1014,1314：凹陷部
L：激光光束
L0：凹陷部的宽度
d：导线架的厚度
具体实施方式
请参照图1，图1示出依照本发明第一实施方式中封装结构的形成方法S100的流程示意图。由图1可知，封装结构的形成方法S100包含一蚀刻步骤S101、一模压步骤S102、一激光步骤、一电镀步骤S105及一切割步骤S106，其中激光步骤可包含一第一激光步骤S103与一第二激光步骤S104，且第二激光步骤S104于第一激光步骤S103后进行。
请参照图2与图3，图2示出图1第一实施方式中蚀刻步骤S101的示意图，图3示出图2第一实施方式中导线架110沿剖线3-3'的剖面示意图。由图2与图3可知，蚀刻步骤S101中对导线架110的多个切割道111进行蚀刻。第一实施方式中，对导线架110的切割道111的下表面进行蚀刻形成一蚀刻槽112，且蚀刻深度可等于导线架110的厚度的一半，但并不以此为限。
请参照图4与图5，图4示出图1第一实施方式中模压步骤S102的示意图，图5示出图4第一实施方式中导线架110沿剖线5-5'的剖面示意图。由图4与图5可知，塑胶封装材料120于激光步骤前覆盖于导线架110。
请参照图6与图7，图6示出图1第一实施方式中第一激光步骤S103的示意图，图7示出图6第一实施方式中导线架110沿剖线7-7'的剖面示意图。由图6与图7可知，激光步骤是以一激光光束L移除覆盖切割道111上的塑胶封装材料120。具体来说，第一实施方式中，第一激光步骤S103是激光光束L移除覆盖切割道111的一上表面的塑胶封装材料120，且塑胶封装材料120仅部分被移除。值得一提的是，因激光光束L照射于切割道111的上表面以移除塑胶封装材料120，而设置于蚀刻槽112的塑胶封装材料120不会被激光光束L照射到，故设置于蚀刻槽112的塑胶封装材料120则保留于其中。
请参照图8与图9，图8示出图1第一实施方式中第二激光步骤S104的示意图，图9示出图8第一实施方式中导线架110沿剖线9-9'的剖面示意图。由图8与图9可知，第二激光步骤S104为激光光束L移除覆盖切割道111的下表面的塑胶封装材料120，且塑胶封装材料120仅部分被移除。
请参照下表一，表一为第一实施方式中第一激光步骤S103与第二激光步骤S104所使用的激光光束L的参数，但并不以表一中的参数为限。
Figure BDA0002664426750000121
进一步来说，通过第一激光步骤S103与第二激光步骤S104可选择移除的对象(如部分塑胶封装材料120)与其深度。借此，可有效控制移除的范围。具体而言，第一激光步骤S103与第二激光步骤S104皆可由一道或多道激光光束L所组成。举例来说，多道激光光束L可先由较小波长(如355纳米)的激光光束L进行粗加工达到快速的移除效果，接着再以较大波长(如532纳米或1064纳米)的激光光束L进行细加工以达到较为精细的移除效果，但并不以此为限。
请参照图10与图11，图10示出图1第一实施方式中电镀步骤S105的示意图，图11示出图10第一实施方式中导线架110沿剖线11-11'的剖面示意图。由图10与图11可知，多个电镀面130设置于导线架110上塑胶封装材料120未覆盖的多个区域。
请参照图12、图13及图14，图12示出图1第一实施方式中切割步骤S106的示意图，图13示出图12第一实施方式中封装结构100沿剖线13-13'的剖面示意图，图14示出图12第一实施方式中封装结构100沿剖线14-14'的剖面示意图。由图12至图14可知，切割步骤S106是切割导线架110的切割道111以形成封装结构100。详细来说，导线架110的切割道111由一刀具切割，而刀具的切割宽度小于蚀刻步骤S101的蚀刻宽度(即蚀刻槽112的宽度)，故形成梯状引脚113，且电镀面130设置于梯状引脚113的外周。再者，因蚀刻步骤S101已使切割道111的厚度变薄，因此当切割步骤S106时可降低毛边(burr)的产生。
请参照图15与图16，图15示出图1第一实施方式中封装结构100的侧面示意图，图16示出图1第一实施方式中封装结构100的部分示意图。由图15与图16可知，封装结构100包含多个梯状引脚113，梯状引脚113突出于塑胶封装材料120的边缘，各个梯状引脚113包含五电镀面130，且靠近封装结构100下表面的梯状引脚113未超出且贴齐塑胶封装材料120的边缘。
因此，通过第一实施方式的封装结构的形成方法S100，不仅可提高封装结构100的侧面可焊接面积，同时可不用更换封装外型图(Package Outline Drawing,POD)的样式，减少重新绘制封装外型图的程序。因此，可提升梯状引脚113与电路板的连接强度，以维持并增加设置于电路板的寿命，进一步提升板级(board level)的可靠度。
请参照图17，图17示出依照本发明第二实施方式中封装结构的形成方法S200的流程示意图。由图17可知，封装结构的形成方法S200包含一蚀刻步骤S201、一模压步骤S202、一激光步骤S203、一电镀步骤S204及一切割步骤S205。
请参照图18与图19，图18示出图17第二实施方式中蚀刻步骤S201的示意图，图19示出图18第二实施方式中导线架210沿剖线19-19'的剖面示意图。由图18与图19可知，蚀刻步骤S201中对导线架210的多个切割道211进行蚀刻。第二实施方式中，对导线架210的切割道211的下表面进行蚀刻形成一蚀刻槽212，且蚀刻深度可等于导线架210的厚度的一半，但并不以此为限。
请参照图20与图21，图20示出图17第二实施方式中模压步骤S202的示意图，图21示出图20第二实施方式中导线架210沿剖线21-21'的剖面示意图。由图20与图21可知，塑胶封装材料220于激光步骤S203前覆盖于导线架210。
请参照图22与图23，图22示出图17第二实施方式中激光步骤S203的示意图，图23示出图22第二实施方式中导线架210沿剖线23-23'的剖面示意图。由图22与图23可知，激光步骤S203是以一激光光束L移除覆盖切割道211上的塑胶封装材料220。具体来说，激光步骤S203是激光光束L移除覆盖切割道211的一上表面的塑胶封装材料220，且激光光束L移除导线架210的切割道211的上表面的一部分，其中塑胶封装材料220仅部分被移除。值得一提的是，因激光光束L照射于切割道211的上表面以移除塑胶封装材料220与切割道211的上表面的一部分，而设置于蚀刻槽212的塑胶封装材料220不会被激光光束L照射到，故设置于蚀刻槽212的塑胶封装材料220则保留于其中。
请参照下表二，表二为第二实施方式中激光步骤S203所使用的激光光束L的参数，但并不以表二中的参数为限。
Figure BDA0002664426750000141
进一步来说，通过激光步骤S203可选择移除的对象(如部分塑胶封装材料220与部分导线架210)与其深度，且激光步骤S203不限于一道，亦可为二道以上，其取决于激光光束L的能量与参数。借此，可有效控制移除的范围。具体而言，激光步骤S203可由一道或多道激光光束L所组成。举例来说，多道激光光束L可先由较小波长(如355纳米)的激光光束L进行粗加工达到快速的移除效果，接着再以较大波长(如532纳米或1064纳米)的激光光束L进行细加工以达到较为精细的移除效果，但并不以此为限。
请参照图24与图25，图24示出图17第二实施方式中电镀步骤S204的示意图，图25示出图24第二实施方式中导线架210沿剖线25-25'的剖面示意图。由图24与图25可知，多个电镀面230设置于导线架210上塑胶封装材料220未覆盖的多个区域。
请参照图26、图27及图28，图26示出图17第二实施方式中切割步骤S205的示意图，图27示出图26第二实施方式中封装结构200沿剖线27-27'的剖面示意图，图28示出图26第二实施方式中封装结构200沿剖线28-28'的剖面示意图。由图26至图28可知，切割步骤S205是切割导线架210的切割道211以形成封装结构200。详细来说，导线架210的切割道211由一刀具切割，而刀具的切割宽度等于蚀刻步骤S201的蚀刻宽度(即蚀刻槽212的宽度)，故形成梯状引脚213，且电镀面230设置于梯状引脚213的外周。再者，因蚀刻步骤S201已使切割道211的厚度变薄，因此当切割步骤S205时可降低毛边的产生。
请参照图29与图30，图29示出图17第二实施方式中封装结构200的侧面示意图，图30示出图17第二实施方式中封装结构200的部分示意图。由图29与图30可知，封装结构200包含多个梯状引脚213，梯状引脚213突出于塑胶封装材料220的边缘，各个梯状引脚213包含五电镀面230，且靠近封装结构200下表面的梯状引脚213突出塑胶封装材料220的边缘。
因此，通过第二实施方式的封装结构的形成方法S200，有利于提高封装结构200的侧面可焊接面积。因此，可提升梯状引脚213与电路板的连接强度，以维持并增加设置于电路板的寿命，进一步提升板级的可靠度。
请参照图31，图31示出依照本发明第三实施方式中封装结构的形成方法S300的流程示意图。由图31可知，封装结构的形成方法S300包含一蚀刻步骤S301、一模压步骤S302、一激光步骤S303、一电镀步骤S304及一切割步骤S305。
请参照图32与图33，图32示出图31第三实施方式中蚀刻步骤S301的示意图，图33示出图32第三实施方式中导线架310沿剖线33-33'的剖面示意图。由图32与图33可知，蚀刻步骤S301中对导线架310的多个切割道311进行蚀刻。第三实施方式中，对导线架310的切割道311的下表面进行蚀刻形成一蚀刻槽312，且蚀刻深度可小于导线架310的厚度的一半，但并不以此为限。进一步来说，切割道311可具有多个凹陷部314，凹陷部314的凹陷深度可为导线架310的厚度的一半，各凹陷部314的宽度可大于各蚀刻槽312的宽度，且各凹陷部314位于切割道311的中央。
请参照图34与图35，图34示出图31第三实施方式中模压步骤S302的示意图，图35示出图34第三实施方式中导线架310沿剖线35-35'的剖面示意图。由图34与图35可知，塑胶封装材料320于激光步骤S303前覆盖于导线架310。值得一提的是，塑胶封装材料320并无填入凹陷部314内。
请参照图36与图37，图36示出图31第三实施方式中激光步骤S303的示意图，图37示出图36第三实施方式中导线架310沿剖线37-37'的剖面示意图。由图36与图37可知，激光步骤S303是以一激光光束L移除覆盖切割道311上的塑胶封装材料320。具体来说，激光步骤S303是激光光束L移除覆盖切割道311的一上表面的塑胶封装材料320，且激光光束L移除导线架310的切割道311的上表面的一部分，其中塑胶封装材料320仅部分被移除。
请参照下表三，表三为第三实施方式中激光步骤S303所使用的激光光束L的参数，但并不以表三中的参数为限。
Figure BDA0002664426750000161
进一步来说，通过激光步骤S303可选择移除的对象(如部分塑胶封装材料320与部分导线架310)与其深度，且激光步骤S303不限于一道，亦可为二道以上，其取决于激光光束L的能量与参数。借此，可有效控制移除的范围。具体而言，激光步骤S303可由一道或多道激光光束L所组成。举例来说，多道激光光束L可先由较小波长(如355纳米)的激光光束L进行粗加工达到快速的移除效果，接着再以较大波长(如532纳米或1064纳米)的激光光束L进行细加工以达到较为精细的移除效果，但并不以此为限。
请参照图38与图39，图38示出图31第三实施方式中电镀步骤S304的示意图，图39示出图38第三实施方式中导线架310沿剖线39-39'的剖面示意图。由图38与图39可知，多个电镀面330设置于导线架310上塑胶封装材料320未覆盖的多个区域。
请参照图40、图41及图42，图40示出图31第三实施方式中切割步骤S305的示意图，图41示出图40第三实施方式中封装结构300沿剖线41-41'的剖面示意图，图42示出图40第三实施方式中封装结构300沿剖线42-42'的剖面示意图。由图40至图42可知，切割步骤S305是切割导线架310的切割道311以形成封装结构300。详细来说，导线架310的切割道311由一刀具切割，而刀具的切割宽度等于蚀刻步骤S301的蚀刻宽度(即蚀刻槽312的宽度)，故形成梯状引脚313，且电镀面330设置于梯状引脚313的外周。再者，因蚀刻步骤S301已使切割道311的厚度变薄，因此当切割步骤S305时可降低毛边的产生。
请参照图43与图44，图43示出图31第三实施方式中封装结构300的侧面示意图，图44示出图31第三实施方式中封装结构300的部分示意图。由图43与图44可知，封装结构300包含多个梯状引脚313，梯状引脚313突出于塑胶封装材料320的边缘，各个梯状引脚313包含八电镀面330，且靠近封装结构300下表面的梯状引脚313突出塑胶封装材料320的边缘。
因此，通过第三实施方式的封装结构的形成方法S300，有利于提高封装结构300的侧面可焊接面积。因此，可提升梯状引脚313与电路板的连接强度，以维持并增加设置于电路板的寿命，进一步提升板级的可靠度。
请参照图45，图45示出依照本发明第四实施方式中封装结构的形成方法S400的流程示意图。由图45可知，封装结构的形成方法S400包含一蚀刻步骤S401、一模压步骤S402、一激光步骤S403、一电镀步骤S404及一切割步骤S405。
请参照图46与图47，图46示出图45第四实施方式中蚀刻步骤S401的示意图，图47示出图46第四实施方式中导线架410沿剖线47-47'的剖面示意图。由图46与图47可知，蚀刻步骤S401中对导线架410的多个切割道411进行蚀刻。第四实施方式中，对导线架410的切割道411的上表面进行蚀刻形成一蚀刻槽412，且蚀刻深度可等于导线架410的厚度的一半，但并不以此为限。
请参照图48与图49，图48示出图45第四实施方式中模压步骤S402的示意图，图49示出图48第四实施方式中导线架410沿剖线49-49'的剖面示意图。由图48与图49可知，塑胶封装材料420于激光步骤S403前覆盖于导线架410。
请参照图50与图51，图50示出图45第四实施方式中激光步骤S403的示意图，图51示出图50第四实施方式中导线架410沿剖线51-51'的剖面示意图。由图50与图51可知，激光步骤S403是以一激光光束L移除覆盖切割道411上的塑胶封装材料420。具体来说，激光步骤S403是激光光束L移除覆盖切割道411的一上表面的塑胶封装材料420，且塑胶封装材料420仅部分被移除。
请参照下表四，表四为第四实施方式中激光步骤S403所使用的激光光束L的参数，但并不以表四中的参数为限。
Figure BDA0002664426750000181
进一步来说，通过激光步骤S403可选择移除的对象(如部分塑胶封装材料420)与其深度。借此，可有效控制移除的范围。具体而言，激光步骤S403可由一道或多道激光光束L所组成。举例来说，多道激光光束L可先由较小波长(如355纳米)的激光光束L进行粗加工，接着再以较大波长(如532纳米或1064纳米)的激光光束L进行细加工以达到较为精细的移除效果，但并不以此为限。
请参照图52与图53，图52示出图45第四实施方式中电镀步骤S404的示意图，图53示出图52第四实施方式中导线架410沿剖线53-53'的剖面示意图。由图52与图53可知，多个电镀面430设置于导线架410上塑胶封装材料420未覆盖的多个区域。
请参照图54、图55及图56，图54示出图45第四实施方式中切割步骤S405的示意图，图55示出图54第四实施方式中封装结构400沿剖线55-55'的剖面示意图，图56示出图54第四实施方式中封装结构400沿剖线56-56'的剖面示意图。由图54至图56可知，切割步骤S405是切割导线架410的切割道411以形成封装结构400。详细来说，导线架410的切割道411由一刀具切割，而刀具的切割宽度等于蚀刻步骤S401的蚀刻宽度(即蚀刻槽412的宽度)，故形成梯状引脚413，且电镀面430设置于梯状引脚413的外周。再者，因蚀刻步骤S401已使切割道411的厚度变薄，因此当切割步骤S405时可降低毛边的产生。
请参照图57与图58，图57示出图45第四实施方式中封装结构400的侧面示意图，图58示出图45第四实施方式中封装结构400的部分示意图。由图57与图58可知，封装结构400包含多个梯状引脚413，梯状引脚413突出于塑胶封装材料420的边缘，各个梯状引脚413包含六电镀面430，且靠近封装结构400下表面的梯状引脚413突出塑胶封装材料420的边缘。
因此，通过第四实施方式的封装结构的形成方法S400，有利于提高封装结构400的侧面可焊接面积。因此，可提升梯状引脚413与电路板的连接强度，以维持并增加设置于电路板的寿命，进一步提升板级的可靠度。
请参照图59，图59示出依照本发明第五实施方式中封装结构的形成方法S500的流程示意图。由图59可知，封装结构的形成方法S500包含一蚀刻步骤S501、一模压步骤S502、一激光步骤S503、一电镀步骤S504及一切割步骤S505。
请参照图60与图61，图60示出图59第五实施方式中蚀刻步骤S501的示意图，图61示出图60第五实施方式中导线架510沿剖线61-61'的剖面示意图。由图60与图61可知，蚀刻步骤S501中对导线架510的多个切割道511进行蚀刻。第五实施方式中，对导线架510的切割道511的上表面进行蚀刻形成一蚀刻槽512，且蚀刻深度可等于导线架510的厚度的一半，但并不以此为限。
请参照图62与图63，图62示出图59第五实施方式中模压步骤S502的示意图，图63示出图62第五实施方式中导线架510沿剖线63-63'的剖面示意图。由图62与图63可知，塑胶封装材料520于激光步骤S503前覆盖于导线架510。
请参照图64与图65，图64示出图59第五实施方式中激光步骤S503的示意图，图65示出图64第五实施方式中导线架510沿剖线65-65'的剖面示意图。由图64与图65可知，激光步骤S503是激光光束L移除覆盖切割道511的一上表面的塑胶封装材料520，且激光光束L移除导线架510的切割道511的上表面的一部分，其中塑胶封装材料520仅部分被移除。
请参照下表五，表五为第五实施方式中激光步骤S503所使用的激光光束L的参数，但并不以表五中的参数为限。
Figure BDA0002664426750000201
进一步来说，通过激光步骤S503可选择移除的对象(如部分塑胶封装材料520与部分导线架510)与其深度，且激光步骤S503不限于一道，亦可为二道以上，其取决于激光光束L的能量与参数。借此，可有效控制移除的范围。具体而言，激光步骤S503可由一道或多道激光光束L所组成。举例来说，多道激光光束L可先由较小波长(如355纳米)的激光光束L进行粗加工，接着再以较大波长(如532纳米或1064纳米)的激光光束L进行细加工以达到较为精细的移除效果，但并不以此为限。
请参照图66与图67，图66示出图59第五实施方式中电镀步骤S504的示意图，图67示出图66第五实施方式中导线架510沿剖线67-67'的剖面示意图。由图66与图67可知，多个电镀面530设置于导线架510上塑胶封装材料520未覆盖的多个区域。
请参照图68、图69及图70，图68示出图59第五实施方式中切割步骤S505的示意图，图69示出图68第五实施方式中封装结构500沿剖线69-69'的剖面示意图，图70示出图68第五实施方式中封装结构500沿剖线70-70'的剖面示意图。由图68至图70可知，切割步骤S505是切割导线架510的切割道511以形成封装结构500。详细来说，导线架510的切割道511由一刀具切割，而刀具的切割宽度等于蚀刻步骤S501的蚀刻宽度(即蚀刻槽512的宽度)，故形成梯状引脚513，且电镀面530设置于梯状引脚513的外周。再者，因蚀刻步骤S501已使切割道511的厚度变薄，因此当切割步骤S505时可降低毛边的产生。
请参照图71与图72，图71示出图59第五实施方式中封装结构500的侧面示意图，图72示出图59第五实施方式中封装结构500的部分示意图。由图71与图72可知，封装结构500包含多个梯状引脚513，梯状引脚513突出于塑胶封装材料520的边缘，各个梯状引脚513包含七电镀面530，且靠近封装结构500下表面的梯状引脚513突出塑胶封装材料520的边缘。
因此，通过第五实施方式的封装结构的形成方法S500，有利于提高封装结构500的侧面可焊接面积。因此，可提升梯状引脚513与电路板的连接强度，以维持并增加设置于电路板的寿命，进一步提升板级的可靠度。
请参照图73，图73示出依照本发明第六实施方式中封装结构的形成方法S600的流程示意图。由图73可知，封装结构的形成方法S600包含一蚀刻步骤S601、一模压步骤S602、一激光步骤S603、一电镀步骤S604及一切割步骤S605。
请参照图74与图75，图74示出图73第六实施方式中蚀刻步骤S601的示意图，图75示出图74第六实施方式中导线架610沿剖线75-75'的剖面示意图。由图74与图75可知，蚀刻步骤S601中对导线架610的多个切割道611进行蚀刻。第六实施方式中，对导线架610的切割道611的上表面进行蚀刻形成一蚀刻槽612，且蚀刻深度可小于导线架610的厚度的一半，但并不以此为限。进一步来说，切割道611可具有多个凹陷部614，凹陷部614的凹陷深度可小于导线架610的厚度的一半，各凹陷部614的宽度可大于各蚀刻槽612的宽度，且各凹陷部614位于切割道611的中央。
请参照图76与图77，图76示出图73第六实施方式中模压步骤S602的示意图，图77示出图76第六实施方式中导线架610沿剖线77-77'的剖面示意图。由图76与图77可知，塑胶封装材料620于激光步骤S603前覆盖于导线架610。值得一提的是，塑胶封装材料620并无填入凹陷部614内。
请参照图78与图79，图78示出图73第六实施方式中激光步骤S603的示意图，图79示出图78第六实施方式中导线架610沿剖线79-79'的剖面示意图。由图78与图79可知，激光步骤S603是激光光束L移除覆盖切割道611的一上表面的塑胶封装材料620，且激光光束L移除导线架610的切割道611的上表面的一部分，其中塑胶封装材料620仅部分被移除。
请参照下表六，表六为第六实施方式中激光步骤S603所使用的激光光束L的参数，但并不以表六中的参数为限。
Figure BDA0002664426750000221
进一步来说，通过激光步骤S603可选择移除的对象(如部分塑胶封装材料620与部分导线架610)与其深度，且激光步骤S603不限于一道，亦可为二道以上，其取决于激光光束L的能量与参数。借此，可有效控制移除的范围。具体而言，激光步骤S603可由一道或多道激光光束L所组成。举例来说，多道激光光束L可先由较小波长(如355纳米)的激光光束L进行粗加工，接着再以较大波长(如532纳米或1064纳米)的激光光束L进行细加工以达到较为精细的移除效果，但并不以此为限。
请参照图80与图81，图80示出图73第六实施方式中电镀步骤S604的示意图，图81示出图80第六实施方式中导线架610沿剖线81-81'的剖面示意图。由图80与图81可知，多个电镀面630设置于导线架610上塑胶封装材料620未覆盖的多个区域。
请参照图82、图83及图84，图82示出图73第六实施方式中切割步骤S605的示意图，图83示出图82第六实施方式中封装结构600沿剖线83-83'的剖面示意图，图84示出图82第六实施方式中封装结构600沿剖线84-84'的剖面示意图。由图82至图84可知，切割步骤S605是切割导线架610的切割道611以形成封装结构600。详细来说，导线架610的切割道611由一刀具切割，而刀具的切割宽度等于蚀刻步骤S601的蚀刻宽度(即蚀刻槽612的宽度)，故形成梯状引脚613，且电镀面630设置于梯状引脚613的外周。再者，因蚀刻步骤S601已使切割道611的厚度变薄，因此当切割步骤S605时可降低毛边的产生。
请参照图85与图86，图85示出图73第六实施方式中封装结构600的侧面示意图，图86示出图73第六实施方式中封装结构600的部分示意图。由图85与图86可知，封装结构600包含多个梯状引脚613，梯状引脚613突出于塑胶封装材料620的边缘，各个梯状引脚613包含十电镀面630，且靠近封装结构600下表面的梯状引脚613突出塑胶封装材料620的边缘。
因此，通过第六实施方式的封装结构的形成方法S600，有利于提高封装结构600的侧面可焊接面积。因此，可提升梯状引脚613与电路板的连接强度，以维持并增加设置于电路板的寿命，进一步提升板级的可靠度。
请参照图87，图87示出依照本发明第七实施方式中封装结构的形成方法S700的流程示意图。由图87可知，封装结构的形成方法S700包含一蚀刻步骤S701、一模压步骤S702、一激光步骤S703、一电镀步骤S704及一切割步骤S705。
请参照图88与图89，图88示出图87第七实施方式中蚀刻步骤S701的示意图，图89示出图88第七实施方式中导线架710沿剖线89-89'的剖面示意图。由图88与图89可知，蚀刻步骤S701中对导线架710的多个切割道711进行蚀刻。第七实施方式中，对导线架710的切割道711的上表面进行蚀刻形成一蚀刻槽712，且蚀刻深度可等于导线架710的厚度的一半，但并不以此为限。进一步来说，切割道711可具有多个凹陷部714，凹陷部714的凹陷深度可小于导线架710的厚度的一半，各凹陷部714的宽度可小于各蚀刻槽712的宽度，且凹陷部714位于切割道711的二侧。具体而言，凹陷部714的宽度为L0，导线架710的厚度为d，其可满足下列条件：0.5d≤L0，但并不以此为限。
请参照图90与图91，图90示出图87第七实施方式中模压步骤S702的示意图，图91示出图90第七实施方式中导线架710沿剖线91-91'的剖面示意图。由图90与图91可知，塑胶封装材料720于激光步骤S703前覆盖于导线架710。
请参照图92与图93，图92示出图87第七实施方式中激光步骤S703的示意图，图93示出图92第七实施方式中导线架710沿剖线93-93'的剖面示意图。由图92与图93可知，激光步骤S703是激光光束L移除覆盖切割道711的一上表面的塑胶封装材料720，其中塑胶封装材料720仅部分被移除。值得一提的是，因激光光束L照射于切割道711的上表面以移除塑胶封装材料720，而设置于凹陷部714的塑胶封装材料720不会被激光光束L照射到，故设置于凹陷部714的塑胶封装材料720则保留于其中。
请参照下表七，表七为第七实施方式中激光步骤S703所使用的激光光束L的参数，但并不以表七中的参数为限。
Figure BDA0002664426750000241
进一步来说，通过激光步骤S703可选择移除的对象(如部分塑胶封装材料720)与其深度，且激光步骤S703不限于一道，亦可为二道以上，其取决于激光光束L的能量与参数。借此，可有效控制移除的范围。具体而言，激光步骤S703可由一道或多道激光光束L所组成。举例来说，多道激光光束L可先由较小波长(如355纳米)的激光光束L进行粗加工，接着再以较大波长(如532纳米或1064纳米)的激光光束L进行细加工以达到较为精细的移除效果，但并不以此为限。
请参照图94与图95，图94示出图87第七实施方式中电镀步骤S704的示意图，图95示出图94第七实施方式中导线架710沿剖线95-95'的剖面示意图。由图94与图95可知，多个电镀面730设置于导线架710上塑胶封装材料720未覆盖的多个区域。
请参照图96、图97及图98，图96示出图87第七实施方式中切割步骤S705的示意图，图97示出图96第七实施方式中封装结构700沿剖线97-97'的剖面示意图，图98示出图96第七实施方式中封装结构700沿剖线98-98'的剖面示意图。由图96至图98可知，切割步骤S705是切割导线架710的切割道711以形成封装结构700。详细来说，导线架710的切割道711由一刀具切割，而刀具的切割宽度小于蚀刻步骤S701的蚀刻宽度(即蚀刻槽712的宽度)，故形成突出引脚713，且电镀面730设置于突出引脚713的外周。再者，因蚀刻步骤S701已使切割道711的厚度变薄，因此当切割步骤S705时可降低毛边的产生。
请参照图99与图100，图99示出图87第七实施方式中封装结构700的侧面示意图，图100示出图87第七实施方式中封装结构700的部分示意图。由图99与图100可知，封装结构700包含多个突出引脚713，突出引脚713突出于塑胶封装材料720的边缘，各个突出引脚713包含七电镀面730，且靠近封装结构700下表面的突出引脚713突出塑胶封装材料720的边缘。
因此，通过第七实施方式的封装结构的形成方法S700，有利于提高封装结构700的侧面可焊接面积。并且，由图97可知，因突出引脚713突出于塑胶封装材料720与塑胶封装材料720所覆盖的部分呈现类似鸥翼型(gull-wing shape)，故突出引脚713更具有机械强度。因此，可提升突出引脚713与电路板的连接强度，以维持并增加设置于电路板的寿命，进一步提升板级的可靠度。
请参照图101，图101示出依照本发明第八实施方式中封装结构的形成方法S800的流程示意图。由图101可知，封装结构的形成方法S800包含一蚀刻步骤S801、一模压步骤S802、一激光步骤S803、一电镀步骤S804及一切割步骤S805。
请参照图102与图103，图102示出图101第八实施方式中蚀刻步骤S801的示意图，图103示出图102第八实施方式中导线架810沿剖线103-103'的剖面示意图。由图102与图103可知，蚀刻步骤S801中对导线架810的多个切割道811进行蚀刻。第八实施方式中，对导线架810的切割道811的上表面进行蚀刻形成一蚀刻槽812，且蚀刻深度可等于导线架810的厚度的一半，但并不以此为限。进一步来说，切割道811可具有多个凹陷部814，凹陷部814的凹陷深度可小于导线架810的厚度的一半，各凹陷部814的宽度可小于各蚀刻槽812的宽度，且凹陷部814位于切割道811的二侧。
请参照图104与图105，图104示出图101第八实施方式中模压步骤S802的示意图，图105示出图104第八实施方式中导线架810沿剖线105-105'的剖面示意图。由图104与图105可知，塑胶封装材料820于激光步骤S803前覆盖于导线架810。
请参照图106与图107，图106示出图101第八实施方式中激光步骤S803的示意图，图107示出图106第八实施方式中导线架810沿剖线107-107'的剖面示意图。由图106与图107可知，激光步骤S803是激光光束L移除覆盖切割道811的一上表面的塑胶封装材料820，其中塑胶封装材料820仅部分被移除。值得一提的是，因激光光束L照射于切割道811的上表面以移除塑胶封装材料820，而设置于凹陷部814的塑胶封装材料820不会被激光光束L照射到，故设置于凹陷部814的塑胶封装材料820则保留于其中。
请参照下表八，表八为第八实施方式中激光步骤S803所使用的激光光束L的参数，但并不以表八中的参数为限。
Figure BDA0002664426750000261
进一步来说，通过激光步骤S803可选择移除的对象(如部分塑胶封装材料820)与其深度，且激光步骤S803不限于一道，亦可为二道以上，其取决于激光光束L的能量与参数。借此，可有效控制移除的范围。具体而言，激光步骤S803可由一道或多道激光光束L所组成。举例来说，多道激光光束L可先由较小波长(如355纳米)的激光光束L进行粗加工，接着再以较大波长(如532纳米或1064纳米)的激光光束L进行细加工以达到较为精细的移除效果，但并不以此为限。
请参照图108与图109，图108示出图101第八实施方式中电镀步骤S804的示意图，图109示出图108第八实施方式中导线架810沿剖线109-109'的剖面示意图。由图108与图109可知，多个电镀面830设置于导线架810上塑胶封装材料820未覆盖的多个区域。
请参照图110、图111及图112，图110示出图101第八实施方式中切割步骤S805的示意图，图111示出图110第八实施方式中封装结构800沿剖线111-111'的剖面示意图，图112示出图110第八实施方式中封装结构800沿剖线112-112'的剖面示意图。由图110至图112可知，切割步骤S805是切割导线架810的切割道811以形成封装结构800。详细来说，导线架810的切割道811由一刀具切割，而刀具的切割宽度小于蚀刻步骤S801的蚀刻宽度(即蚀刻槽812的宽度)，故形成梯状引脚813，且电镀面830设置于梯状引脚813的外周。再者，因蚀刻步骤S801已使切割道811的厚度变薄，因此当切割步骤S805时可降低毛边的产生。
请参照图113与图114，图113示出图101第八实施方式中封装结构800的侧面示意图，图114示出图101第八实施方式中封装结构800的部分示意图。由图113与图114可知，封装结构800包含多个梯状引脚813，梯状引脚813突出于塑胶封装材料820的边缘，各个梯状引脚813包含六电镀面830，且靠近封装结构800下表面的梯状引脚813突出塑胶封装材料820的边缘。
因此，通过第八实施方式的封装结构的形成方法S800，有利于提高封装结构800的侧面可焊接面积。并且，由图111可知，因梯状引脚813突出于塑胶封装材料820与塑胶封装材料820所覆盖的部分呈现类似鸥翼型，故梯状引脚813更具有机械强度。因此，可提升梯状引脚813与电路板的连接强度，以维持并增加设置于电路板的寿命，进一步提升板级的可靠度。
请参照图115，图115示出依照本发明第九实施方式中封装结构的形成方法S900的流程示意图。由图115可知，封装结构的形成方法S900包含一蚀刻步骤S901、一模压步骤S902、一激光步骤、一电镀步骤S905及一切割步骤S906，其中激光步骤可包含一第一激光步骤S903与一第二激光步骤S904，且第二激光步骤S904于第一激光步骤S903后进行。
请参照图116与图117，图116示出图115第九实施方式中蚀刻步骤S901的示意图，图117示出图116第九实施方式中导线架910沿剖线117-117'的剖面示意图。由图116与图117可知，蚀刻步骤S901中对导线架910的多个切割道911进行蚀刻。第九实施方式中，对导线架910的切割道911的上表面进行蚀刻形成一蚀刻槽912，且蚀刻深度可等于导线架910的厚度的一半，但并不以此为限。进一步来说，切割道911可具有多个凹陷部914，凹陷部914的凹陷深度可小于导线架910的厚度的一半，各凹陷部914的宽度可等于各蚀刻槽912的宽度，且凹陷部914位于切割道911的二侧。具体而言，凹陷部914的宽度为L0，导线架910的厚度为d，其可满足下列条件：0.5d≤L0，但并不以此为限。
请参照图118与图119，图118示出图115第九实施方式中模压步骤S902的示意图，图119示出图118第九实施方式中导线架910沿剖线119-119'的剖面示意图。由图118与图119可知，塑胶封装材料920于激光步骤前覆盖于导线架910。
请参照图120与图121，图120示出图115第九实施方式中第一激光步骤S903的示意图，图121示出图120第九实施方式中导线架910沿剖线121-121'的剖面示意图。由图120与图121可知，激光步骤是以一激光光束L移除覆盖切割道911上的塑胶封装材料920。具体来说，第九实施方式中，第一激光步骤S903是激光光束L移除覆盖切割道911的一上表面的塑胶封装材料920，且塑胶封装材料920仅部分被移除。值得一提的是，因激光光束L照射于切割道911的上表面以移除塑胶封装材料920，而设置于凹陷部914的塑胶封装材料920不会被激光光束L照射到，故设置于凹陷部914的塑胶封装材料920则保留于其中。
请参照图122与图123，图122示出图115第九实施方式中第二激光步骤S904的示意图，图123示出图122第九实施方式中导线架910沿剖线123-123'的剖面示意图。由图122与图123可知，第二激光步骤S904为激光光束L移除覆盖切割道911的下表面的塑胶封装材料920，且塑胶封装材料920仅部分被移除。
请参照下表九，表九为第九实施方式中第一激光步骤S903与第二激光步骤S904所使用的激光光束L的参数，但并不以表九中的参数为限。
Figure BDA0002664426750000281
Figure BDA0002664426750000291
进一步来说，通过第一激光步骤S903与第二激光步骤S904可选择移除的对象(如部分塑胶封装材料920)与其深度。借此，可有效控制移除的范围。具体而言，第一激光步骤S903与第二激光步骤S904皆可由一道或多道激光光束L所组成。举例来说，多道激光光束L可先由较小波长(如355纳米)的激光光束L进行粗加工，接着再以较大波长(如532纳米或1064纳米)的激光光束L进行细加工以达到较为精细的移除效果，但并不以此为限。
请参照图124与图125，图124示出图115第九实施方式中电镀步骤S905的示意图，图125示出图124第九实施方式中导线架910沿剖线125-125'的剖面示意图。由图124与图125可知，多个电镀面930设置于导线架910上塑胶封装材料920未覆盖的多个区域。
请参照图126、图127及图128，图126示出图115第九实施方式中切割步骤S906的示意图，图127示出图126第九实施方式中封装结构900沿剖线127-127'的剖面示意图，图128示出图126第九实施方式中封装结构900沿剖线128-128'的剖面示意图。由图126至图128可知，切割步骤S906是切割导线架910的切割道911以形成封装结构900。详细来说，导线架910的切割道911由一刀具切割，而刀具的切割宽度小于蚀刻步骤S901的蚀刻宽度(即蚀刻槽912的宽度)，故形成突出引脚913，且电镀面930设置于突出引脚913的外周。再者，因蚀刻步骤S901已使切割道911的厚度变薄，因此当切割步骤S906时可降低毛边的产生。
请参照图129与图130，图129示出图115第九实施方式中封装结构900的侧面示意图，图130示出图115第九实施方式中封装结构900的部分示意图。由图129与图130可知，封装结构900包含多个突出引脚913，突出引脚913突出于塑胶封装材料920的边缘，各个突出引脚913包含九电镀面930，且靠近封装结构900下表面的突出引脚913突出塑胶封装材料920的边缘。
因此，通过第九实施方式的封装结构的形成方法S900，有利于提高封装结构900的侧面可焊接面积。并且，由图127可知，因突出引脚913突出于塑胶封装材料920与塑胶封装材料920所覆盖的部分呈现类似鸥翼型，故突出引脚913更具有机械强度。因此，可提升突出引脚913与电路板的连接强度，以维持并增加设置于电路板的寿命，进一步提升板级的可靠度。
请参照图131，图131示出依照本发明第十实施方式中封装结构的形成方法S1000的流程示意图。由图131可知，封装结构的形成方法S1000包含一蚀刻步骤S1001、一模压步骤S1002、一激光步骤、一电镀步骤S1005及一切割步骤S1006，其中激光步骤可包含一第一激光步骤S1003与一第二激光步骤S1004，且第二激光步骤S1004于第一激光步骤S1003后进行。
请参照图132与图133，图132示出图131第十实施方式中蚀刻步骤S1001的示意图，图133示出图132第十实施方式中导线架1010沿剖线133-133'的剖面示意图。由图132与图133可知，蚀刻步骤S1001中对导线架1010的多个切割道1011进行蚀刻。第十实施方式中，对导线架1010的切割道1011的上表面进行蚀刻形成一蚀刻槽1012，且蚀刻深度可等于导线架1010的厚度的一半，但并不以此为限。进一步来说，切割道1011可具有多个凹陷部1014，凹陷部1014的凹陷深度可小于导线架1010的厚度的一半，各凹陷部1014的宽度可等于各蚀刻槽1012的宽度，且凹陷部1014位于切割道1011的二侧。
请参照图134与图135，图134示出图131第十实施方式中模压步骤S1002的示意图，图135示出图134第十实施方式中导线架1010沿剖线135-135'的剖面示意图。由图134与图135可知，塑胶封装材料1020于激光步骤前覆盖于导线架1010。
请参照图136与图137，图136示出图131第十实施方式中第一激光步骤S1003的示意图，图137示出图136第十实施方式中导线架1010沿剖线137-137'的剖面示意图。由图136与图137可知，激光步骤是以一激光光束L移除覆盖切割道1011上的塑胶封装材料1020。具体来说，第十实施方式中，第一激光步骤S1003是激光光束L移除覆盖切割道1011的一上表面的塑胶封装材料1020，且塑胶封装材料1020仅部分被移除。值得一提的是，因激光光束L照射于切割道1011的上表面以移除塑胶封装材料1020，而设置于凹陷部1014的塑胶封装材料1020不会被激光光束L照射到，故设置于凹陷部1014的塑胶封装材料1020则保留于其中。
请参照图138与图139，图138示出图131第十实施方式中第二激光步骤S1004的示意图，图139示出图138第十实施方式中导线架1010沿剖线139-139'的剖面示意图。由图138与图139可知，第二激光步骤S1004为激光光束L移除覆盖切割道1011的下表面的塑胶封装材料1020，且塑胶封装材料1020仅部分被移除。
请参照下表十，表十为第十实施方式中第一激光步骤S1003与第二激光步骤S1004所使用的激光光束L的参数，但并不以表十中的参数为限。
Figure BDA0002664426750000311
进一步来说，通过第一激光步骤S1003与第二激光步骤S1004可选择移除的对象(如部分塑胶封装材料1020)与其深度。借此，可有效控制移除的范围。具体而言，第一激光步骤S1003与第二激光步骤S1004皆可由一道或多道激光光束L所组成。举例来说，多道激光光束L可先由较小波长(如355纳米)的激光光束L进行粗加工，接着再以较大波长(如532纳米或1064纳米)的激光光束L进行细加工以达到较为精细的移除效果，但并不以此为限。
请参照图140与图141，图140示出图131第十实施方式中电镀步骤S1005的示意图，图141示出图140第十实施方式中导线架1010沿剖线141-141'的剖面示意图。由图140与图141可知，多个电镀面1030设置于导线架1010上塑胶封装材料1020未覆盖的多个区域。
请参照图142、图143及图144，图142示出图131第十实施方式中切割步骤S1006的示意图，图143示出图142第十实施方式中封装结构1000沿剖线143-143'的剖面示意图，图144示出图142第十实施方式中封装结构1000沿剖线144-144'的剖面示意图。由图142至图144可知，切割步骤S1006是切割导线架1010的切割道1011以形成封装结构1000。详细来说，导线架1010的切割道1011由一刀具切割，而刀具的切割宽度小于蚀刻槽1012的宽度(即蚀刻槽1012的宽度)，故形成突出引脚1013，且电镀面1030设置于突出引脚1013的外周。再者，因蚀刻步骤S1001已使切割道1011的厚度变薄，因此当切割步骤S1006时可降低毛边的产生。
请参照图145与图146，图145示出图131第十实施方式中封装结构1000的侧面示意图，图146示出图131第十实施方式中封装结构1000的部分示意图。由图145与图146可知，封装结构1000包含多个突出引脚1013，突出引脚1013突出于塑胶封装材料1020的边缘，各个突出引脚1013包含八电镀面1030，且靠近封装结构1000下表面的突出引脚1013突出塑胶封装材料1020的边缘。
因此，通过第十实施方式的封装结构的形成方法S1000，有利于提高封装结构1000的侧面可焊接面积。并且，由图143可知，因突出引脚1013突出于塑胶封装材料1020与塑胶封装材料1020所覆盖的部分呈现类似鸥翼型，故突出引脚1013更具有机械强度。因此，可提升突出引脚1013与电路板的连接强度，以维持并增加设置于电路板的寿命，进一步提升板级的可靠度。
请参照图147，图147示出依照本发明第十一实施方式中封装结构的形成方法S1100的流程示意图。由图147可知，封装结构的形成方法S1100包含一蚀刻步骤S1101、一模压步骤S1102、一激光步骤、一电镀步骤S1105及一切割步骤S1106，其中激光步骤可包含一第一激光步骤S1103与一第二激光步骤S1104，且第二激光步骤S1104于第一激光步骤S1103后进行。
请参照图148与图149，图148示出图147第十一实施方式中蚀刻步骤S1101的示意图，图149示出图148第十一实施方式中导线架1110沿剖线149-149'的剖面示意图。由图148与图149可知，蚀刻步骤S1101中对导线架1110的多个切割道1111进行蚀刻。第十一实施方式中，对导线架1110的切割道1111的下表面进行蚀刻形成二蚀刻槽1112，且蚀刻深度可小于导线架1110的厚度的一半，但并不以此为限。
请参照图150与图151，图150示出图147第十一实施方式中模压步骤S1102的示意图，图151示出图150第十一实施方式中导线架1110沿剖线151-151'的剖面示意图。由图150与图151可知，塑胶封装材料1120于激光步骤前覆盖于导线架1110。
请参照图152与图153，图152示出图147第十一实施方式中第一激光步骤S1103的示意图，图153示出图152第十一实施方式中导线架1110沿剖线153-153'的剖面示意图。由图152与图153可知，激光步骤是以一激光光束L移除覆盖切割道1111上的塑胶封装材料1120。具体来说，第十一实施方式中，第一激光步骤S1103是激光光束L移除覆盖切割道1111的一上表面的塑胶封装材料1120，且塑胶封装材料1120仅部分被移除。值得一提的是，因激光光束L照射于切割道1111的上表面以移除塑胶封装材料1120，而设置于蚀刻槽1112的塑胶封装材料1120不会被激光光束L照射到，故设置于蚀刻槽1112的塑胶封装材料1120则保留于其中。
请参照图154与图155，图154示出图147第十一实施方式中第二激光步骤S1104的示意图，图155示出图154第十一实施方式中导线架1110沿剖线155-155'的剖面示意图。由图154与图155可知，第二激光步骤S1104为激光光束L移除覆盖切割道1111的下表面的塑胶封装材料1120，且塑胶封装材料1120仅部分被移除。
请参照下表十一，表十一为第十一实施方式中第一激光步骤S1103与第二激光步骤S1104所使用的激光光束L的参数，但并不以表十一中的参数为限。
Figure BDA0002664426750000331
进一步来说，通过第一激光步骤S1103与第二激光步骤S1104可选择移除的对象(如部分塑胶封装材料1120)与其深度。借此，可有效控制移除的范围。具体而言，第一激光步骤S1103与第二激光步骤S1104皆可由一道或多道激光光束L所组成。举例来说，多道激光光束L可先由较小波长(如355纳米)的激光光束L进行粗加工，接着再以较大波长(如532纳米或1064纳米)的激光光束L进行细加工以达到较为精细的移除效果，但并不以此为限。
请参照图156与图157，图156示出图147第十一实施方式中电镀步骤S1105的示意图，图157示出图156第十一实施方式中导线架1110沿剖线157-157'的剖面示意图。由图156与图157可知，多个电镀面1130设置于导线架1110上塑胶封装材料1120未覆盖的多个区域。
请参照图158、图159及图160，图158示出图147第十一实施方式中切割步骤S1106的示意图，图159示出图158第十一实施方式中封装结构1100沿剖线159-159'的剖面示意图，图160示出图158第十一实施方式中封装结构1100沿剖线160-160'的剖面示意图。由图158至图160可知，切割步骤S1106是切割导线架1110的切割道1111以形成封装结构1100。详细来说，导线架1110的切割道1111由一刀具切割，故形成突出引脚1113，且电镀面1130设置于突出引脚1113的外周。再者，突出引脚1113的宽度较宽，因此当切割步骤S1106时可降低毛边的产生。
请参照图161与图162，图161示出图147第十一实施方式中封装结构1100的侧面示意图，图162示出图147第十一实施方式中封装结构1100的部分示意图。由图161与图162可知，封装结构1100包含多个突出引脚1113，突出引脚1113突出于塑胶封装材料1120的边缘，各个突出引脚1113包含六电镀面1130，且靠近封装结构1100下表面的突出引脚1113突出塑胶封装材料1120的边缘。
因此，通过第十一实施方式的封装结构的形成方法S1100，有利于提高封装结构1100的侧面可焊接面积。并且，由图159可知，因突出引脚1113突出于塑胶封装材料1120与塑胶封装材料1120所覆盖的部分呈现类似鸥翼型，故突出引脚1113更具有机械强度。因此，可提升突出引脚1113与电路板的连接强度，以维持并增加设置于电路板的寿命，进一步提升板级的可靠度。
请参照图163，图163示出依照本发明第十二实施方式中封装结构的形成方法S1200的流程示意图。由图163可知，封装结构的形成方法S1200包含一蚀刻步骤S1201、一模压步骤S1202、一激光步骤S1203、一电镀步骤S1204及一切割步骤S1205。
请参照图164与图165，图164示出图163第十二实施方式中蚀刻步骤S1201的示意图，图165示出图164第十二实施方式中导线架1210沿剖线165-165'的剖面示意图。由图164与图165可知，蚀刻步骤S1201中对导线架1210的多个切割道1211进行蚀刻。第十二实施方式中，对导线架1210的切割道1211的下表面进行蚀刻形成二蚀刻槽1212，且蚀刻深度可小于导线架1210的厚度的一半，但并不以此为限。
请参照图166与图167，图166示出图163第十二实施方式中模压步骤S1202的示意图，图167示出图166第十二实施方式中导线架1210沿剖线167-167'的剖面示意图。由图166与图167可知，塑胶封装材料1220于激光步骤S1203前覆盖于导线架1210。
请参照图168与图169，图168示出图163第十二实施方式中激光步骤S1203的示意图，图169示出图168第十二实施方式中导线架1210沿剖线169-169'的剖面示意图。由图168与图169可知，激光步骤S1203是激光光束L移除覆盖切割道1211的一上表面的塑胶封装材料1220，其中塑胶封装材料1220仅部分被移除。值得一提的是，因激光光束L照射于切割道1211的上表面以移除塑胶封装材料1220，而设置于蚀刻槽1212的塑胶封装材料1220不会被激光光束L照射到，故设置于蚀刻槽1212的塑胶封装材料1220则保留于其中。
请参照下表十二，表十二为第十二实施方式中激光步骤S1203所使用的激光光束L的参数，但并不以表十二中的参数为限。
Figure BDA0002664426750000351
Figure BDA0002664426750000361
进一步来说，通过激光步骤S1203可选择移除的对象(如部分塑胶封装材料1220)与其深度，且激光步骤S1203不限于一道，亦可为二道以上，其取决于激光光束L的能量与参数。借此，可有效控制移除的范围。具体而言，激光步骤S1203可由一道或多道激光光束L所组成。举例来说，多道激光光束L可先由较小波长(如355纳米)的激光光束L进行粗加工，接着再以较大波长(如532纳米或1064纳米)的激光光束L进行细加工以达到较为精细的移除效果，但并不以此为限。
请参照图170与图171，图170示出图163第十二实施方式中电镀步骤S1204的示意图，图171示出图170第十二实施方式中导线架1210沿剖线171-171'的剖面示意图。由图170与图171可知，多个电镀面1230设置于导线架1210上塑胶封装材料1220未覆盖的多个区域。
请参照图172、图173及图174，图172示出图163第十二实施方式中切割步骤S1205的示意图，图173示出图172第十二实施方式中封装结构1200沿剖线173-173'的剖面示意图，图174示出图172第十二实施方式中封装结构1200沿剖线174-174'的剖面示意图。由图172至图174可知，切割步骤S1205是切割导线架1210的切割道1211以形成封装结构1200。详细来说，导线架1210的切割道1211由一刀具切割，故形成突出引脚1213，且电镀面1230设置于突出引脚1213的外周。再者，突出引脚1213的宽度较宽，因此当切割步骤S1205时可降低毛边的产生。
请参照图175与图176，图175示出图163第十二实施方式中封装结构1200的侧面示意图，图176示出图163第十二实施方式中封装结构1200的部分示意图。由图175与图176可知，封装结构1200包含多个突出引脚1213，突出引脚1213突出于塑胶封装材料1220的边缘，各个突出引脚1213包含四电镀面1230，且靠近封装结构1200下表面的突出引脚1213突出塑胶封装材料1220的边缘。
因此，通过第十二实施方式的封装结构的形成方法S1200，有利于提高封装结构1200的侧面可焊接面积。并且，由图173可知，因突出引脚1213突出于塑胶封装材料1220与塑胶封装材料1220所覆盖的部分呈现类似鸥翼型，故突出引脚1213更具有机械强度。因此，可提升突出引脚1213与电路板的连接强度，以维持并增加设置于电路板的寿命，进一步提升板级的可靠度。
请参照图177，图177示出依照本发明第十三实施方式中封装结构的形成方法S1300的流程示意图。由图177可知，封装结构的形成方法S1300包含一蚀刻步骤S1301、一模压步骤S1302、一激光步骤S1303、一电镀步骤S1304及一切割步骤S1305。
请参照图178与图179，图178示出图177第十三实施方式中蚀刻步骤S1301的示意图，图179示出图178第十三实施方式中导线架1310沿剖线179-179'的剖面示意图。由图178与图179可知，蚀刻步骤S1301中对导线架1310的多个切割道1311进行蚀刻。第十三实施方式中，对导线架1310的切割道1311的下表面进行蚀刻形成二蚀刻槽1312，且蚀刻深度可小于导线架1310的厚度的一半，但并不以此为限。进一步来说，切割道1311可具有多个凹陷部1314，凹陷部1314的凹陷深度可小于导线架1310的厚度的一半，各凹陷部1314的宽度可大于各蚀刻槽1312的宽度，且各凹陷部1314位于切割道1311的中央。
请参照图180与图181，图180示出图177第十三实施方式中模压步骤S1302的示意图，图181示出图180第十三实施方式中导线架1310沿剖线181-181'的剖面示意图。由图180与图181可知，塑胶封装材料1320于激光步骤S1303前覆盖于导线架1310。值得一提的是，塑胶封装材料1320并无填入凹陷部1314内。
请参照图182与图183，图182示出图177第十三实施方式中激光步骤S1303的示意图，图183示出图182第十三实施方式中导线架1310沿剖线183-183'的剖面示意图。由图182与图183可知，激光步骤S1303是激光光束L移除覆盖切割道1311的一上表面的塑胶封装材料1320，其中塑胶封装材料1320仅部分被移除。值得一提的是，因激光光束L照射于切割道1311的上表面以移除塑胶封装材料1320，而设置于蚀刻槽1312的塑胶封装材料1320不会被激光光束L照射到，故设置于蚀刻槽1312的塑胶封装材料1320则保留于其中。
请参照下表十三，表十三为第十三实施方式中激光步骤S1303所使用的激光光束L的参数，但并不以表十三中的参数为限。
Figure BDA0002664426750000381
进一步来说，通过激光步骤S1303可选择移除的对象(如部分塑胶封装材料1320)与其深度，且激光步骤S1303不限于一道，亦可为二道以上，其取决于激光光束L的能量与参数。借此，可有效控制移除的范围。具体而言，激光步骤S1303可由一道或多道激光光束L所组成。举例来说，多道激光光束L可先由较小波长(如355纳米)的激光光束L进行粗加工，接着再以较大波长(如532纳米或1064纳米)的激光光束L进行细加工以达到较为精细的移除效果，但并不以此为限。
请参照图184与图185，图184示出图177第十三实施方式中电镀步骤S1304的示意图，图185示出图184第十三实施方式中导线架1310沿剖线185-185'的剖面示意图。由图184与图185可知，多个电镀面1330设置于导线架1310上塑胶封装材料1320未覆盖的多个区域。
请参照图186、图187及图188，图186示出图177第十三实施方式中切割步骤S1305的示意图，图187示出图186第十三实施方式中封装结构1300沿剖线187-187'的剖面示意图，图188示出图186第十三实施方式中封装结构1300沿剖线188-188'的剖面示意图。由图186至图188可知，切割步骤S1305是切割导线架1310的切割道1311以形成封装结构1300。详细来说，导线架1310的切割道1311由一刀具切割，故形成突出引脚1313，且电镀面1330设置于突出引脚1313的外周。再者，突出引脚1313的宽度较宽，因此当切割步骤S1305时可降低毛边的产生。
请参照图189与图190，图189示出图177第十三实施方式中封装结构1300的侧面示意图，图190示出图177第十三实施方式中封装结构1300的部分示意图。由图189与图190可知，封装结构1300包含多个突出引脚1313，突出引脚1313突出于塑胶封装材料1320的边缘，各个突出引脚1313包含八电镀面1330，且靠近封装结构1300下表面的突出引脚1313突出塑胶封装材料1320的边缘。
因此，通过第十三实施方式的封装结构的形成方法S1300，有利于提高封装结构1300的侧面可焊接面积。并且，由图187可知，因突出引脚1313突出于塑胶封装材料1320与塑胶封装材料1320所覆盖的部分呈现类似鸥翼型，故突出引脚1313更具有机械强度。因此，可提升突出引脚1313与电路板的连接强度，以维持并增加设置于电路板的寿命，进一步提升板级的可靠度。
综上所述，通过本发明的封装结构的形成方法可形成具有梯状引脚或突出引脚的封装结构，其结构不仅可提升可焊接性，亦可增加设置于电路板的连接强度以提升板级的可靠度。
虽然本发明已以实施方式公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的构思和范围内，当可作些许的变动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (10)

1.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包含：
一蚀刻步骤，其中对一导线架的多个切割道进行蚀刻；
一激光步骤，其中以一激光光束移除覆盖各该切割道上的一塑胶封装材料；
一电镀步骤，其中多个电镀面设置于该导线架上该塑胶封装材料未覆盖的多个区域；以及
一切割步骤，其中切割该导线架的所述多个切割道以形成一封装结构。
2.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，还包含：
一模压步骤，其中该塑胶封装材料于该激光步骤前覆盖于该导线架。
3.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，该蚀刻步骤中的一蚀刻深度小于或等于该导线架的一厚度的一半。
4.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，该激光步骤中，该激光光束移除该导线架的所述多个切割道的一上表面的一部分。
5.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，该切割步骤中，该导线架的所述多个切割道由一刀具切割。
6.如权利要求5所述的封装结构的形成方法，其特征在于，该刀具的切割宽度小于或等于该蚀刻步骤的蚀刻宽度。
7.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，该激光步骤的该激光光束为二极管泵浦掺钕钒酸钇，其输出功率为10瓦至40瓦，其波长为355纳米、532纳米或1064纳米，其脉冲形式为连续波，且脉冲频率为60千赫兹至200千赫兹。
8.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，该激光步骤包含一第一激光步骤与一第二激光步骤，且该第二激光步骤于该第一激光步骤后进行。
9.如权利要求8所述的封装结构的形成方法，其特征在于，该第一激光步骤为该激光光束移除覆盖各该切割道的一上表面的该塑胶封装材料。
10.如权利要求9所述的封装结构的形成方法，其特征在于，该第二激光步骤为该激光光束移除覆盖各该切割道的一下表面的该塑胶封装材料。
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