CN116599489A - 一种新型晶体谐振器基座、制作工艺及谐振器 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种新型晶体谐振器基座、制作工艺及谐振器，所述基座包括基座本体，所述基座本体包括凸台和加强筋，所述加强筋环绕连接于凸台底部的边缘，所述凸台的高度高于加强筋的高度，所述凸台上开设有贯穿凸台的第一圆形通孔和第二圆形通孔，通过设置加强筋，有利于提高基座的强度，从而减小基座受损的几率，提高谐振器的使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及电子元器件技术领域，尤其涉及一种新型晶体谐振器基座、制作工艺及谐振器。
背景技术
石英晶体谐振器是一种机电器件，是用电损耗很小的石英晶体经精密切割磨削并镀上电极焊上引线做成的。这种晶体有个重要的特性，如果给它机械力，它会产生电，如果给它通电，它就会产生机械振荡。石英晶体谐振器的另一个重要特性是振荡频率与材料、形状、切割方向等密切相关。由于石英晶体热膨胀系数常小，化学性能非常稳定，其振荡频率也稳定，而且控制几何尺寸可以做到很精密，因此其谐振频率精度很高，且由于石英晶体的损耗小，即Q值高，因此作振荡器用时，可以产生稳定的振荡；作滤波器用时，可以获得稳定和陡削的带通或带阻曲线。因此，石英晶体谐振器广泛应用于各类设备、仪器、电子产品中，为当今电子产品中不可缺少的关键元件。
石英晶体谐振器的基本结构由石英片、电极、电极引线、支架(基座)、上盖等组成，石英片固定在基座上，在石英片上镀上银层作为两个对应表面上的电极，两根电极引线分别连接石英片上的电极，然后盖上上盖，即形成石英晶体谐振器。然而，现有的谐振器基座通常采用陶瓷材质制作，陶瓷为易碎裂材质，在谐振器生产、使用过程中基座易碎裂，影响谐振器寿命。
发明内容
本发明实施例提供一种新型晶体谐振器基座、制作工艺及谐振器，能够提高基座的强度，减小基座受损的几率，提高谐振器的使用寿命。
为了达到上述目的，本发明第一方面，提供一种新型晶体谐振器基座，包括基座本体，所述基座本体包括凸台和加强筋，所述加强筋环绕连接于凸台底部的边缘，所述凸台的高度高于加强筋的高度，所述凸台上开设有贯穿凸台的第一圆形通孔和第二圆形通孔。
进一步地，所述凸台上还开设有盲孔，所述盲孔位于所述第一圆形通孔和第二圆形通孔之间。
进一步地，所述第一圆形通孔和第二圆形通孔的直径相同，所述盲孔的直径小于所述第一圆形通孔的直径。
进一步地，所述第一圆形通孔和第二圆形通孔的直径为1.01mm~1.03mm，所述盲孔的直径为0.1mm~0.3mm，所述盲孔的孔深度为0.1mm~0.3mm。
进一步地，所述第一圆形通孔和第二圆形通孔的圆心之间的距离为2.5mm~2.7mm。
进一步地，所述加强筋包括内加强筋和外加强筋，所述内加强筋连接于外加强筋和凸台的底部边缘之间，所述外加强筋高于内加强筋。
进一步地，所述基座本体为椭圆形，其中长为6.7mm~6.9mm,宽为2.9mm~3.1mm，高为0.6mm~0.67mm。
本发明第二方面，还提供一种新型晶体谐振器基座的制作工艺，包括：
提供原始基材，在所述原始基材上通过定位针冲压两个定位孔，在两个定位孔内分别插入导正针；
在所述原始基材上冲压贯穿原始基材得到第一圆形通孔和第二圆形通孔，得到初加工基座；
在所述初加工基座上冲压出凸台，并在凸台的底部边缘处冲压出加强筋，其中所述凸台的高度高于加强筋的高度，从而得到基座本体。
进一步地，在所述原始基材上冲压贯穿原始基材得到第一圆形通孔和第二圆形通孔，得到初加工基座之前，还包括：在原始基材上冲压形成盲孔；
所述原始基材上冲压贯穿原始基材得到第一圆形通孔和第二圆形通孔包括：在所述盲孔的两侧分别冲压出贯穿原始基材的第一圆形通孔和第二圆形通孔。
本发明第三方面，还提供一种新型晶体谐振器，包括上述任一项所述的新型晶体谐振器基座。
有益效果：本发明的新型晶体谐振器基座，包括基座本体，所述基座本体包括凸台和加强筋，所述加强筋环绕连接于凸台底部的边缘，所述凸台的高度高于加强筋的高度，所述凸台上开设有贯穿凸台的第一圆形通孔和第二圆形通孔，通过设置加强筋，有利于提高基座的强度，从而减小基座受损的几率，提高谐振器的使用寿命。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其有益效果显而易见。
图1是本发明实施例提供的新型晶体谐振器基座的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的新型晶体谐振器基座的截面图；
图3是本发明实施例提供的新型晶体谐振器基座的制作工艺的流程图。
具体实施方式
请参照图式，其中相同的组件符号代表相同的组件，本发明的原理是以实施在一适当的运算环境中来举例说明。以下的说明是基于所例示的本发明具体实施例，其不应被视为限制本发明未在此详述的其它具体实施例。
参阅图1和图2，本发明实施例的一种新型晶体谐振器基座，包括基座本体10，所述基座本体10包括凸台101和加强筋102，所述加强筋102环绕连接于凸台101底部的边缘，所述凸台101的高度高于加强筋102的高度，所述凸台101上开设有贯穿凸台101的第一圆形通孔1011和第二圆形通孔1012。其中，第一圆形通孔1011和第二圆形通孔1012用于分别设置谐振器的引脚，具体而言，谐振器的石英片固定在凸台101的顶面上，两个电极引线分别穿过第一圆形通孔1011和第二圆形通孔1012与石英片上的两个电极连接。
本实施例中，通过在凸台101的底部边缘设置加强筋102，从而有利于提高基座的强度，从而减小基座受损的几率，提高谐振器的使用寿命。
可选地，所述凸台101上还开设有盲孔1013，所述盲孔1013位于所述第一圆形通孔1011和第二圆形通孔1012之间。盲孔1013为激光扫描点，用于冲压形成谐振器基座时需要使用的激光扫描点。
其中，所述第一圆形通孔1011和第二圆形通孔1012的直径相同，所述盲孔1013的直径小于所述第一圆形通孔1011的直径。
其中，所述第一圆形通孔1011和第二圆形通孔1012的直径为1.01mm~1.03mm，例如可以是1.02mm。所述盲孔1013的直径为0.1mm~0.3mm，例如可以是0.2mm，所述盲孔1013的孔深度为0.1mm~0.3mm，例如可以是0.2mm。
此外，所述第一圆形通孔1011和第二圆形通孔1012的圆心之间的距离为2.5mm~2.7mm，例如可以是2.6mm。
进一步地，所述加强筋102包括内加强筋1021和外加强筋1022，所述内加强筋1021连接于外加强筋1022和凸台101的底部边缘之间，所述外加强筋1022高于内加强筋1021。
其中，所述基座本体10为椭圆形，其中如图1和图2所示，基座本体10的长L为6.7mm-6.9mm，宽W为2.9mm-3.1mm，高H为0.6mm-0.67mm。其中，凸台101的长度为5.8±0.1mm，宽度为2.01±0.1mm，凸台101的高度为0.4±0.1mm。因此，本发明实施例的基座体积较小，便于谐振器的小型化。
参阅图3，本发明实施例还提供一种新型晶体谐振器基座的制作工艺，包括以下步骤：
S301：提供原始基材，在所述原始基材上通过定位针冲压两个定位孔，在两个定位孔内分别插入导正针。通过该步骤，可以对原始基材进行定位。
S302：在所述原始基材上冲压贯穿原始基材得到第一圆形通孔和第二圆形通孔，得到初加工基座。
S303：在所述初加工基座上冲压出凸台，并在凸台的底部边缘处冲压出加强筋，其中所述凸台的高度高于加强筋的高度，从而得到基座本体。
其中，在所述原始基材上冲压贯穿原始基材得到第一圆形通孔和第二圆形通孔，得到初加工基座之前，还包括：在原始基材上冲压形成盲孔；
所述原始基材上冲压贯穿原始基材得到第一圆形通孔和第二圆形通孔包括：在所述盲孔的两侧分别冲压出贯穿原始基材的第一圆形通孔和第二圆形通孔。
此外，在凸台的底部边缘处冲压出加强筋包括：在所述凸台的底部边缘处冲压出内加强筋；在所述内加强筋远离凸台的一侧边缘处冲压出外加强筋，所述外加强筋高于内加强筋。在完成冲压后，冲掉多余的废料。
本发明还提供一种新型晶体谐振器，包括上述任一实施例所描述的基座。
本发明的新型晶体谐振器基座，包括基座本体，所述基座本体包括凸台和加强筋，所述加强筋环绕连接于凸台底部的边缘，所述凸台的高度高于加强筋的高度，所述凸台上开设有贯穿凸台的第一圆形通孔和第二圆形通孔，通过设置加强筋，有利于提高基座的强度，从而减小基座受损的几率，提高谐振器的使用寿命。
本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种新型晶体谐振器基座，其特征在于，包括基座本体，所述基座本体包括凸台和加强筋，所述加强筋环绕连接于凸台底部的边缘，所述凸台的高度高于加强筋的高度，所述凸台上开设有贯穿凸台的第一圆形通孔和第二圆形通孔。
2.如权利要求1所述的新型晶体谐振器基座，其特征在于，所述凸台上还开设有盲孔，所述盲孔位于所述第一圆形通孔和第二圆形通孔之间。
3.根据权利要求2所述的新型晶体谐振器基座，其特征在于，所述第一圆形通孔和第二圆形通孔的直径相同，所述盲孔的直径小于所述第一圆形通孔的直径。
4.根据权利要求3所述的新型晶体谐振器基座，其特征在于，所述第一圆形通孔和第二圆形通孔的直径为1.01mm~1.03mm，所述盲孔的直径为0.1mm~0.3mm，所述盲孔的孔深度为0.1mm~0.3mm。
5.根据权利要求1所述的新型晶体谐振器基座，其特征在于，所述第一圆形通孔和第二圆形通孔的圆心之间的距离为2.5mm~2.7mm。
6.根据权利要求1所述的新型晶体谐振器基座，其特征在于，所述加强筋包括内加强筋和外加强筋，所述内加强筋连接于外加强筋和凸台的底部边缘之间，所述外加强筋高于内加强筋。
7.如权利要求1所述的新型晶体谐振器基座，其特征在于，所述基座本体为椭圆形，其中长为6.7mm~6.9mm,宽为2.9mm~3.1mm，高为0.6mm~0.67mm。
8.一种新型晶体谐振器基座的制作工艺，其特征在于，包括：
提供原始基材，在所述原始基材上通过定位针冲压两个定位孔，在两个定位孔内分别插入导正针；
在所述原始基材上冲压贯穿原始基材得到第一圆形通孔和第二圆形通孔，得到初加工基座；
在所述初加工基座上冲压出凸台，并在凸台的底部边缘处冲压出加强筋，其中所述凸台的高度高于加强筋的高度，从而得到基座本体。
9.根据权利要求6所述的制作工艺，其特征在于，在所述原始基材上冲压贯穿原始基材得到第一圆形通孔和第二圆形通孔，得到初加工基座之前，还包括：在原始基材上冲压形成盲孔；
所述原始基材上冲压贯穿原始基材得到第一圆形通孔和第二圆形通孔包括：在所述盲孔的两侧分别冲压出贯穿原始基材的第一圆形通孔和第二圆形通孔。
10.一种新型晶体谐振器，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的新型晶体谐振器基座。
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