CN219547079U - 一种晶片生产夹具 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及夹具领域，具体提供一种晶片生产夹具，包括上夹板、中间板和下夹板，中间板被夹持于上夹板和下夹板之间，其中，中间板上设有晶片腔和中间导通腔，所述中间导通腔包括第一类中间导通腔和第二类中间导通腔；所述上夹板上设有上电极腔和上导通腔；所述下夹板上设有下电极腔和下导通腔；所述上电极腔的至少一部分与所述第一类中间导通腔和下导通腔连通形成上下通道；所述下电极腔的至少一部分与所述第二类中间导通腔和上导通腔连通形成下上通道。用于解决简化晶振制造工艺，降低制造成本和提高晶片的镀膜精准度和操作自动化的问题，实现多晶片样式，提高晶片镀膜精准度、提升操作效率、简化制造工序和降低制造成本的效果。

Description

一种晶片生产夹具

技术领域

本实用新型涉及夹具领域，更具体地，涉及一种晶片生产夹具。

背景技术

随着芯片的快速发展，半导体元器件的制造也成为了需求快速膨胀的行业。而石英晶体谐振器简称为石英晶体或晶体、晶振，作为为电路中提供稳定的时间频率信号让半导体元器件可以统一工作的必要产品，其制造工艺要求颇高。晶振是利用石英晶体的压电效应制成的一种谐振器件，它的基本构成是从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(该薄片简称为晶片，它可以是正方形、矩形或圆形等)，在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了晶振。由于石英晶体是离子型的晶体，是结晶点阵的有规则分布，当其发生机械变形时，例如拉伸或压缩时能产生电极化现象，成为压电现象。石英晶体压电效应的固有频率不仅取决于其几何尺寸，切割类型，而且还取决于晶片的厚度，当晶片上镀了某种膜层，使晶片的厚度增大，则晶片的固有频率会相应的衰减，石英晶体的这个效应是质量负荷效应。

现有技术中为了实现晶片的精准镀膜，需要工人借助手工持吸笔放置晶片，人工操作导致效率低下，但如果将人工操作换为机械手吸附晶片自动放置晶片的话，由于定位孔的直径非常小，机械手又难以将晶片精准放置于定位孔内，因此，实现晶片的精准镀膜操作自动化成为了现有技术中的难题。而晶振的制造工艺中，由于晶片的厚度直接影响基频，因此，如何能将涂敷银层、焊接引线、镀膜等步骤工艺进行简化且保证晶片的厚度和平整度也成为了本领域中亟待解决的难题。

如何能通过晶片夹具的设计来达到简化晶振制造工艺，降低制造成本的效果是本方案需要解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型旨在克服上述现有技术的至少一种缺陷(不足)，提供一种晶片生产夹具，用于解决简化晶振制造工艺，降低制造成本和提高晶片的镀膜精准度和操作自动化的问题。

本实用新型采取的技术方案是，一种晶片生产夹具，包括上夹板、中间板和下夹板，所述中间板被夹持于上夹板和下夹板之间，其中，所述中间板上开设有容纳晶片的晶片腔和若干分布于晶片腔周围且连通晶片腔的中间导通腔，所述中间导通腔包括第一类中间导通腔和第二类中间导通腔；所述上夹板上开设有用于电镀形成上电极片的上电极腔和与上电极腔分隔设置的上导通腔，上导通腔与第二类中间导通腔相对应；所述下夹板上开设有用于电镀形成下电极片的下电极腔和与下电极腔分隔设置的下导通腔，下导通腔与第一类中间导通腔相对应；所述上电极腔的至少一部分与所述第一类中间导通腔和下导通腔连通形成上下通道；所述下电极腔的至少一部分与所述第二类中间导通腔和上导通腔连通形成下上通道。

进一步的，所述上电极腔包括上主腔和与上主腔连通的上延伸腔，所述上主腔面积小于所述晶片腔，所述中间板被夹持于上夹板和下夹板之间，所述上主腔不超出所述晶片腔，所述上延伸腔与所述第一类中间导通腔和下导通腔连通形成上下通道；所述下电极腔包括下主腔和与下主腔连通的下延伸腔，所述下主腔面积小于所述晶片腔，所述中间板被夹持于上夹板和下夹板之间，所述下主腔不超出所述晶片腔，所述下延伸腔与所述第二类中间导通腔和上导通腔连通形成下上通道。有利于在夹具之间直接形成引线，减少了晶片制造工艺中的焊接引线步骤，有效提升晶片制造效率降低晶片制造成本。

进一步的，所述上延伸腔、第一类中间导通腔和下导通腔部分外轮廓上下重叠，形成具有相同横截面的上下通道；所述下延伸腔、第二类中间导通腔和上导通腔部分外轮廓上下重叠，形成具有相同横截面的下上通道。有利于电子在引线内部流动时，电子势能不发生变化。

进一步的，所述上主腔或下主腔面积占晶片腔面积的1/2-9/10。有利于延长晶片中引线的使用寿命。

进一步的，所述上主腔和下主腔边缘不与晶片腔边缘重合。有利于减少引线对晶片基频的影响。

进一步的，所述上电极腔和上导通腔，与下电极腔和下导通腔形状与布局相同，方向相反或对称。形成正极引线和负极引线的形状相同，方向相反或对称有利于增加引线的通用性和适应不同规格的晶振，有利于提高夹具的使用频率，提升夹具的生产效率。

进一步的，所述晶片腔和中间导通腔呈矩形，所述中间导通腔包括四个、对称分布于晶片腔的四个角，并与晶片腔部分重叠，所述重叠部分的面积占中间导通腔面积的1/4-1/2；所述上主腔和下主腔，上导通腔和下导通腔呈矩形，所述上导通腔和下导通腔面积与中间导通腔相同且对应；所述上延伸腔呈L型，包括连通上主腔的竖直部和横向部，所述横向部面积与中间导通腔相同且对应；所述下延伸腔呈L型，包括连通下主腔的竖直部和横向部，所述横向部面积与中间导通腔相同且对应；所述上延伸腔与上导通腔在上主腔上对角设置，所述下延伸腔与下导通腔在下主腔上对角设置，所述上电极腔和上导通腔，与下电极腔和下导通腔形状与布局相同，以晶片腔中心对称设置，以使形成上下通道的所述第一类中间导通腔和形成下上通道的所述第二类中间导通腔在晶片腔上呈对角分布。有利于晶片适应于不同频率，提高夹具的生产效率。

进一步的，所述晶片腔和中间导通腔呈矩形，所述中间导通腔包括两个、相邻分布于晶片腔的两个角，并与晶片腔部分重叠，所述重叠部分的面积占中间导通腔面积的1/4-1/2；所述上主腔和下主腔，上导通腔和下导通腔呈矩形，所述上导通腔和下导通腔面积与中间导通腔相同且对应；所述上延伸腔呈L型，包括连通上主腔的竖直部和横向部，所述横向部面积与中间导通腔相同且对应；所述下延伸腔呈L型，包括连通下主腔的竖直部和横向部，所述横向部面积与中间导通腔相同且对应；所述上延伸腔与上导通腔在上主腔上相邻角设置，所述下延伸腔与下导通腔在下主腔上相邻角设置，所述上电极腔和上导通腔，与下电极腔和下导通腔形状与布局相同，以晶片腔中心轴对称设置，以使形成上下通道的所述第一类中间导通腔和形成下上通道的所述第二类中间导通腔在晶片腔上呈相邻角分布。有利于晶片适应于不同频率，提高夹具的生产效率。

进一步的，所述晶片腔的另外两个角开设有连通晶片腔的导槽。有利于适应于需要多条引线的晶振，提高夹具的生产效率。

进一步的，所述晶片腔和中间导通腔呈矩形，所述中间导通腔包括四个、对称分布于晶片腔的四个角，并与晶片腔部分重叠，所述重叠部分的面积占中间导通腔面积的1/4-1/2；包括两个相邻设置的上导通腔、两个相邻设置的下导通腔、两个相邻设置的上延伸腔和两个相邻设置的下延伸腔；所述上主腔和下主腔，上导通腔和下导通腔呈矩形，所述上导通腔和下导通腔面积与中间导通腔相同且对应；所述上延伸腔呈L型，包括连通上主腔的竖直部和横向部，所述横向部面积与中间导通腔相同且对应；所述下延伸腔呈L型，包括连通下主腔的竖直部和横向部，所述横向部面积与中间导通腔相同且对应；所述上延伸腔与上导通腔在上主腔上对角设置，所述下延伸腔与下导通腔在下主腔上对角设置，所述上电极腔和上导通腔，与下电极腔和下导通腔形状与布局相同，以晶片腔中心轴对称设置，以使形成上下通道的两个第一类中间导通腔和形成下上通道的两个第二类中间导通腔在晶片腔上呈轴对称分布。有利于晶片适应于不同频率，提高夹具的生产效率。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：利用多层电极板形成可放置晶片的通孔夹具，实现多晶片样式、自动化放置晶片，提高晶片的镀膜精准度、提升操作自动化效率、简化制造工序和降低制造成本的效果。

附图说明

图1为本实用新型的晶片腔结构放大示意图。

图2为本实用新型一优选实施例第一组夹具的上电极平面图。

图3为本实用新型一优选实施例第一组夹具的下电极平面图。

图4为本实用新型一优选实施例第一组夹具的中电极平面图。

图5为本实用新型一优选实施例第二组夹具的上电极平面图。

图6为本实用新型一优选实施例第二组夹具的下电极平面图。

图7为本实用新型一优选实施例第二组夹具的中电极平面图。

图8为本实用新型一优选实施例第三组夹具的上电极平面图。

图9为本实用新型一优选实施例第三组夹具的下电极平面图。

图10为本实用新型一优选实施例第三组夹具的中电极平面图。

图11为本实用新型一优选实施例第四组夹具的上电极平面图。

图12为本实用新型一优选实施例第四组夹具的下电极平面图。

图13为本实用新型一优选实施例第四组夹具的中电极平面图。

附图标识说明：上夹板100，上电极腔110，上主腔111，上延伸腔112，上导通腔120，中间板200，第一类中间导通腔210，第二类中间导通腔220，晶片腔230，下夹板300，下电极腔310，下主腔311，下延伸腔312，下导通腔320。

具体实施方式

本实用新型附图仅用于示例性说明，不能理解为对本实用新型的限制。为了更好说明以下实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对于本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。

实施例

如图1所示，本实施例的晶片生产夹具用于夹持晶片用于双锚镀银电极层，夹具分为三层，分别为上夹板100，中间板200和下夹板300，所述上夹板100和下夹板300的厚度均为0.15mm，中间板200的厚度为0.07mm。所述中间200板上开设有容纳晶片的晶片腔230和若干分布于晶片腔230周围且连通晶片腔230的中间导通腔，所述中间导通腔包括第一类中间导通腔210和第二类中间导通腔220；所述上夹板100上开设有用于电镀形成上电极片的上电极腔110和与上电极腔110分隔设置的上导通腔120，所述上导通腔120与所述第二类中间导通腔220相对应；所述下夹板300上开设有用于电镀形成下电极片的下电极腔310和与下电极腔310分隔设置的下导通腔320，所述下导通腔320与所述第一类中间导通腔210相对应；所述上电极腔110的至少一部分与所述第一类中间导通腔210和下导通腔320连通形成上下通道410；所述下电极腔310的至少一部分与所述第二类中间导通腔220和上导通腔120连通形成下上通道420。

所述上电极腔110包括上主腔111和上主腔连通的上延伸腔112，所述上主腔111面积小于所述晶片腔230，所述中间板200被夹持于上夹板100和下夹板300之间，所述上主腔111不超出所述晶片腔230，所述上延伸腔112与所述第一类中间导通腔210和下导通腔320连通形成上下通道410，所述下电极腔310包括下主腔311和与下主腔311连通的下延伸腔312，所述下主腔311面积小于所述晶片腔230，所述中间板200被夹持于上夹板100和下夹板300之间，所述下主腔311小于所述晶片腔230，所述下延伸腔312与所述第二类中间导通腔220和上导通腔120连通形成下上通道420。本实施例中所述上下通道410用于限制电极材料银的流向以形成与晶片腔230连通的正极引线，所述下上通道420用于限制电极材料银的流向以形成与晶片230连通的负极引线。

所述上延伸腔112、所述第一类中间导通腔210和所述下导通腔320部分外轮廓上下重叠，形成具有横截面相同的上下通道410；所述下延伸腔312、所述第二类中间导通腔220和所述上导通腔120部分外轮廓上下重叠，形成具有相同横截面的下上通道420。本实施例中，由于所述上下通道410的端部的横截面与其根部的横截面面积相同，因此当涂敷电极材料银流经所述上下通道410时，其形成的正极引线由端口到根部的导线宽度一致，横截面面积不发生变化，通电后，电子在正极引线中由端部流向根部时，其电子势能不发生变化。

所述上主腔111或所述下主腔311面积占所述晶片腔230面积的1/2-9/10。本实施例中，所述上主腔111的面积和所述下主腔311的面积相等，但均略小于所述晶片腔230的面积。所述上主腔111和所述下主腔311的面积大小代替了现有技术中的两条引线的键合点大小，但其延长了引线键合的使用寿命。

所述上主腔111和所述下主腔311边缘不与所述晶片腔230边缘重合。本实施例中，所述上主腔111与所述晶片腔230的连接边缘由所述上延伸腔112的竖直部和横向部包覆，与上主腔111相对应的是，所述下主腔311与所述晶片腔230的连接边缘由所述下延伸腔312的竖直部和横向部包覆。当所述上主腔111或所述下主腔311的边缘与所述晶片腔230的边缘重合，可能会使晶片的厚度增加，从而影响到晶片的振动。

所述上电极腔110和上导通腔120，与下电极腔310和下导通腔320形状与布局相同，方向相反或对称。本实施例中，如图2至4所示，所述上电极腔、上导通腔与所述下电极腔、所述下导通腔的形状与布局相同，但两者方向呈对角对称；如图5至7所示，所述上电极腔、上导通腔与所述下电极腔、所述下导通腔的形状与布局相同，但两者方向呈上下对称；如图8至10所示，所述上电极腔、上导通腔与所述下电极腔、所述下导通腔的形状与布局相同，但两者方向呈左右对称；如图11至13所示，所述上电极腔、上导通腔与所述下电极腔、所述下导通腔的形状与布局相同，但两者方向呈上下对称。

所述晶片腔230和中间导通腔呈矩形，所述中间导通腔包括四个、对称分布于所述晶片腔230的四个角，并与所述晶片腔230部分重叠，所述重叠部分的面积占中间导通腔面积的1/4-1/2；所述上主腔111和所述下主腔311，所述上导通腔120和所述下导通腔320呈矩形，所述上导通腔120和所述下导通腔320面积与中间导通腔相同且对应；所述下延伸腔312呈L型，包括连通下主腔311的竖直部和横向部，所述横向部面积与中间导通腔相同且对应；所述上延伸腔112与上导通腔120在上主腔111上对角设置，所述下延伸腔312与下导通腔320在下主腔311上对角设置，所述上电极腔110和上导通腔120，与下电极腔310和下导通腔320形状与布局相同，以晶片腔230中心对称设置，以使形成上下通道410的所述第一类中间导通腔210和形成下上通道420的所述第二类中间导通腔220在晶片腔230上呈对角分布。本实施例中，当晶片受到机械压力时，其由于压电效应产生的电势差受到位于对角位置的引线距离的影响。如图2至4所示，晶片的引线位于对角位置，其引线距离为该长度1.3mm宽度1mm的矩形的晶片的对角线距离约为1.64mm。

所述晶片腔230和中间导通腔呈矩形，所述中间导通腔包括两个、相邻分布于晶片腔230的两个角，并与晶片腔(230)部分重叠，所述重叠部分的面积占中间导通腔面积的1/4-1/2；所述上主腔111和下主腔311，上导通腔120和下导通腔320呈矩形，所述上导通腔120和下导通腔320面积与中间导通腔相同且对应；所述上延伸腔112呈L型，包括连通上主腔111的竖直部和横向部，所述横向部面积与中间导通腔相同且对应；所述下延伸腔312呈L型，包括连通下主腔311的竖直部和横向部，所述横向部面积与中间导通腔相同且对应；所述上延伸腔112与上导通腔120在上主腔111上相邻角设置，所述下延伸腔312与下导通腔320在下主腔311上相邻角设置，所述上电极腔110和上导通腔120，与下电极腔310和下导通腔320形状与布局相同，以晶片腔230中心轴对称设置，以使形成上下通道410的所述第一类中间导通腔210和形成下上通道420的所述第二类中间导通腔220在晶片腔230上呈相邻角分布。本实施例中，如图5至7所示，晶片的引线位于长边邻角位置，其引线距离为该长度1.3mm宽度1mm的矩形的晶片的长度距离1.3mm。

所述晶片腔230的另外两个角开设有连通晶片腔230的导槽231。本实施例中，如图4和5所示，所述导槽设置于所述晶片腔的长边相邻角或是短边相邻角，所述导槽用于导入电极材料银作为晶片的另外两条引线。以适应于需要四条引脚的晶振。

所述晶片腔230和中间导通腔呈矩形，所述中间导通腔包括四个、对称分布于晶片腔230的四个角，并与晶片腔230部分重叠，所述重叠部分的面积占中间导通腔面积的1/4-1/2；包括两个相邻设置的上导通腔120、两个相邻设置的下导通腔320、两个相邻设置的上延伸腔112和两个相邻设置的下延伸腔312；所述上主腔111和下主腔311，上导通腔120和下导通腔320呈矩形，所述上导通腔120和下导通腔320面积与中间导通腔相同且对应；所述上延伸腔112呈L型，包括连通上主腔111的竖直部和横向部，所述横向部面积与中间导通腔相同且对应；所述下延伸腔312呈L型，包括连通下主腔311的竖直部和横向部，所述横向部面积与中间导通腔相同且对应；所述上延伸腔112与上导通腔120在上主腔111上对角设置，所述下延伸腔312与下导通腔320在下主腔311上对角设置，所述上电极腔110和上导通腔120，与下电极腔310和下导通腔320形状与布局相同，以晶片腔230中心轴对称设置，以使形成上下通道410的两个第一类中间导通腔210和形成下上通道220的两个第二类中间导通腔220在晶片腔230上呈轴对称分布。本实施例中，如图8至10所示，晶片的引线位于长边邻角位置，其引线距离为该长度1.3mm宽度1mm的矩形的晶片的长度距离1.3mm；如图11至13所示，晶片的引线位于短边邻角位置，其引线距离为该长度1.3mm宽度1mm的矩形的晶片的长度距离1mm。

显然，本实用新型的上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型技术方案所作的举例，而并非是对本实用新型的具体实施方式的限定。凡在本实用新型权利要求书的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型权利要求的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种晶片生产夹具，包括上夹板(100)、中间板(200)和下夹板(300)，所述中间板(200)被夹持于上夹板(100)和下夹板(300)之间，其特征在于，

所述中间板(200)上开设有容纳晶片的晶片腔(230)和若干分布于晶片腔(230)周围且连通晶片腔(230)的中间导通腔，所述中间导通腔包括第一类中间导通腔(210)和第二类中间导通腔(220)；

所述上夹板(100)上开设有用于电镀形成上电极片的上电极腔(110)和与上电极腔(110)分隔设置的上导通腔(120)，上导通腔(120)与第二类中间导通腔(220)相对应；

所述下夹板(300)上开设有用于电镀形成下电极片的下电极腔(310)和与下电极腔(310)分隔设置的下导通腔(320)，下导通腔(320)与第一类中间导通腔(210)相对应；

所述上电极腔(110)的至少一部分与所述第一类中间导通腔(210)和下导通腔(320)连通形成上下通道(410)；

所述下电极腔(310)的至少一部分与所述第二类中间导通腔(220)和上导通腔(120)连通形成下上通道(420)。

2.根据权利要求1所述的晶片生产夹具，其特征在于，

所述上电极腔(110)包括上主腔(111)和与上主腔(111)连通的上延伸腔(112)，所述上主腔(111)面积小于所述晶片腔(230)，所述中间板(200)被夹持于上夹板(100)和下夹板(300)之间，所述上主腔(111)不超出所述晶片腔(230)，所述上延伸腔(112)与所述第一类中间导通腔(210)和下导通腔(320)连通形成上下通道(410)；

所述下电极腔(310)包括下主腔(311)和与下主腔(311)连通的下延伸腔(312)，所述下主腔(311)面积小于所述晶片腔(230)，所述中间板(200)被夹持于上夹板(100)和下夹板(300)之间，所述下主腔(311)不超出所述晶片腔(230)，所述下延伸腔(312)与所述第二类中间导通腔(220)和上导通腔(120)连通形成下上通道(420)。

3.根据权利要求2所述的晶片生产夹具，其特征在于，

所述上延伸腔(112)、第一类中间导通腔(210)和下导通腔(320)部分外轮廓上下重叠，形成具有相同横截面的上下通道(410)；

所述下延伸腔(312)、第二类中间导通腔(220)和上导通腔(120)部分外轮廓上下重叠，形成具有相同横截面的下上通道(420)。

4.根据权利要求2所述的晶片生产夹具，其特征在于，所述上主腔(111)或下主腔(311)面积占晶片腔(230)面积的1/2-9/10。

5.根据权利要求2所述的晶片生产夹具，其特征在于，所述上主腔(111)和下主腔(311)边缘不与晶片腔(230)边缘重合。

6.根据权利要求1所述的晶片生产夹具，其特征在于，所述上电极腔(110)和上导通腔(120)，与下电极腔(310)和下导通腔(320)形状与布局相同，方向相反或对称。

7.根据权利要求2-5任一项所述的晶片生产夹具，其特征在于，

所述晶片腔(230)和中间导通腔呈矩形，所述中间导通腔包括四个、对称分布于晶片腔(230)的四个角，并与晶片腔(230)部分重叠，所述重叠部分的面积占中间导通腔面积的1/4-1/2；

所述上主腔(111)和下主腔(311)，上导通腔(120)和下导通腔(320)呈矩形，所述上导通腔(120)和下导通腔(320)面积与中间导通腔相同且对应；

所述上延伸腔(112)呈L型，包括连通上主腔(111)的竖直部和横向部，所述横向部面积与中间导通腔相同且对应；

所述下延伸腔(312)呈L型，包括连通下主腔(311)的竖直部和横向部，所述横向部面积与中间导通腔相同且对应；

所述上延伸腔(112)与上导通腔(120)在上主腔(111)上对角设置，所述下延伸腔(312)与下导通腔(320)在下主腔(311)上对角设置，所述上电极腔(110)和上导通腔(120)，与下电极腔(310)和下导通腔(320)形状与布局相同，以晶片腔(230)中心对称设置，以使形成上下通道(410)的所述第一类中间导通腔(210)和形成下上通道(420)的所述第二类中间导通腔(220)在晶片腔(230)上呈对角分布。

8.根据权利要求2-5任一项所述的晶片生产夹具，其特征在于，

所述晶片腔(230)和中间导通腔呈矩形，所述中间导通腔包括两个、相邻分布于晶片腔(230)的两个角，并与晶片腔(230)部分重叠，所述重叠部分的面积占中间导通腔面积的1/4-1/2；

所述上主腔(111)和下主腔(311)，上导通腔(120)和下导通腔(320)呈矩形，所述上导通腔(120)和下导通腔(320)面积与中间导通腔相同且对应；

所述上延伸腔(112)呈L型，包括连通上主腔(111)的竖直部和横向部，所述横向部面积与中间导通腔相同且对应；

所述下延伸腔(312)呈L型，包括连通下主腔(311)的竖直部和横向部，所述横向部面积与中间导通腔相同且对应；

所述上延伸腔(112)与上导通腔(120)在上主腔(111)上相邻角设置，所述下延伸腔(312)与下导通腔(320)在下主腔(311)上相邻角设置，所述上电极腔(110)和上导通腔(120)，与下电极腔(310)和下导通腔(320)形状与布局相同，以晶片腔(230)中心轴对称设置，以使形成上下通道(410)的所述第一类中间导通腔(210)和形成下上通道(420)的所述第二类中间导通腔(220)在晶片腔(230)上呈相邻角分布。

9.根据权利要求8所述的晶片生产夹具，其特征在于，所述晶片腔(230)的另外两个角开设有连通晶片腔(230)的导槽(231)。

10.根据权利要求2-5任一项所述的晶片生产夹具，其特征在于，

所述晶片腔(230)和中间导通腔呈矩形，所述中间导通腔包括四个、对称分布于晶片腔(230)的四个角，并与晶片腔(230)部分重叠，所述重叠部分的面积占中间导通腔面积的1/4-1/2；

包括两个相邻设置的上导通腔(120)、两个相邻设置的下导通腔(320)、两个相邻设置的上延伸腔(112)和两个相邻设置的下延伸腔(312)；

所述上主腔(111)和下主腔(311)，上导通腔(120)和下导通腔(320)呈矩形，所述上导通腔(120)和下导通腔(320)面积与中间导通腔相同且对应；

所述上延伸腔(112)呈L型，包括连通上主腔(111)的竖直部和横向部，所述横向部面积与中间导通腔相同且对应；

所述下延伸腔(312)呈L型，包括连通下主腔(311)的竖直部和横向部，所述横向部面积与中间导通腔相同且对应；

所述上延伸腔(112)与上导通腔(120)在上主腔(111)上对角设置，所述下延伸腔(312)与下导通腔(320)在下主腔(311)上对角设置，所述上电极腔(110)和上导通腔(120)，与下电极腔(310)和下导通腔(320)形状与布局相同，以晶片腔(230)中心轴对称设置，以使形成上下通道(410)的两个第一类中间导通腔(210)和形成下上通道(420)的两个第二类中间导通腔(220)在晶片腔(230)上呈轴对称分布。