TWI735743B - 感光性樹脂組成物 - Google Patents

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Abstract

提供一種感光性樹脂組成物,其可形成耐熱形狀維持性優異的正型光阻膜。本發明的感光性樹脂組成物包含具有由下述通式(I)所表示之單體單元的聚合物與聚醯胺醯亞胺。 [化1]
Figure 107104884-A0101-11-0001-1
(通式(I)中,R1 為化學單鍵或亦可具有取代基之碳數1~6的2價烴基,R2 為氫原子或亦可具有取代基之碳數1~6的1價烴基。)

Description

感光性樹脂組成物
本發明係關於一種感光性樹脂組成物,尤其係關於可形成耐熱形狀維持性優異之正型光阻膜的感光性樹脂組成物。
在作為電子組件之一例的有機電致發光元件(有機EL元件)中設置有用以防止其劣化或損傷的保護膜、用以平坦化元件表面或配線的平坦化膜、用以保持電性絕緣性的電性絕緣膜、用以分離發光物部的畫素分離膜等各種樹脂膜。
並且,在作為電子組件之其他例的Micro LED(Light Emitting Diode)或Micro OLED(Organic Light Emitting Diode)中,亦設置有用以防止其劣化或損傷的保護膜、用以保持電性絕緣性的電性絕緣膜、用以保護內部抵禦來自外部之水分或金屬離子的鈍化膜等各種樹脂膜。
以往,作為用以形成此些樹脂膜的樹脂材料,普遍使用環氧樹脂等熱固化性樹脂材料。然而另一方面,伴隨著近年之配線或裝置的高密度化,開始對於此些樹脂材料亦謀求透明性優異的樹脂材料。
並且,在Micro LED或Micro OLED中,作為形成以往此些樹脂膜的材料,普遍使用二氧化矽、氧化鋁、氮化矽等無機材料。然而,隨著近年的高亮度化,對於此些樹脂材料亦謀求透明性更為優異的樹脂材料。
為了因應此種要求,而提案有使用各種樹脂材料的感光性樹脂組成物。舉例而言,在專利文獻1中,藉由使用含有具有由特定酚化合物而成之單體單元之聚合物、感光體與交聯劑的感光性樹脂組成物,在提升靈敏度的同時,形成透明性優異的正型光阻膜。
專利文獻1:日本專利公開第2014-29766號公報。
於此,在用以構成上述有機電致發光元件(有機EL元件)、Micro LED及Micro OLED的樹脂膜中,使其圖案化而使用的情況下,謀求圖案形狀在加熱步驟前後既不熔融亦不變形而可維持形狀(耐熱形狀維持性)。
然而,使用記載於專利文獻1之感光性樹脂組成物而形成的正型光阻,其耐熱形狀維持性仍有改善的餘地。
本發明人為了達成上述目的而進行深入研究。而且,本發明人新發現到若使用包含具有乙烯基苯酚單體單元之聚合物與聚醯胺醯亞胺的感光性樹脂組成物,可形成耐熱形狀維持性優異的正型光阻膜,進而完成本發明。
亦即,本發明之目的在於有利解決上述課題,本發明之感光性樹脂組成物的特徵在於包含具有乙烯基苯酚單體單元的聚合物與聚醯胺醯亞胺。
在前述感光性樹脂組成物中,若除了含有由下述通式(I)所表示之單體單元的聚合物以外還含有聚醯胺醯亞胺,則可形成耐熱形狀維持性優異的正型光阻膜。
[化1]
Figure 02_image003
(通式(I)中,R1 為化學單鍵或亦可具有取代基之碳數1~6的2價烴基,R2 為氫原子或亦可具有取代基之碳數1~6的1價烴基。)
於此,在本發明的感光性樹脂組成物中,以「前述聚醯胺醯亞胺為具有分支型結構的聚醯胺醯亞胺」為佳。若聚醯胺醯亞胺為具有分支型結構的聚醯胺醯亞胺,則可提升與具有乙烯基苯酚單體單元之聚合物間的相溶性。
再者,在本發明的感光性樹脂組成物中,以「前述醯胺醯亞胺的數量平均分子量為1000以上且30000以下」為佳。若醯胺醯亞胺的數量平均分子量為1000以上,則可在形成樹脂膜(塗膜)的同時提升耐熱形狀維持性,且若醯胺醯亞胺的數量平均分子量為30000以下,則可提升與具有乙烯基苯酚單體單元之聚合物間的相溶性。
再者,在本發明的感光性樹脂組成物中,以「前述聚合物為更具有(甲基)丙烯酸酯單體單元的共聚物」為佳。若聚合物為更具有(甲基)丙烯酸酯單體單元的共聚物,則可提升感光性樹脂組成物的靈敏度,且同時可形成透明性優異的光阻膜。
此外,本說明書中所謂的「(甲基)丙烯酸酯」,意謂「丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯」。
再者,在本發明的感光性樹脂組成物中,以「前述聚合物與前述醯胺醯亞胺的含量比(聚合物:聚醯胺醯亞胺)以質量基準為90:10~70:30」為佳。若聚合物與醯胺醯亞胺的含量比(聚合物:聚醯胺醯亞胺)以質量基準為90:10~70:30,則可抑制所獲得之光阻膜的透明性降低,可防止顯影後的殘膜率降低,可改善耐熱形狀維持性,且可防止靈敏度降低。
再者,在本發明的感光性樹脂組成物中,以「更具有感光劑與交聯劑」為佳。若感光性樹脂組成物更具有感光劑與交聯劑,則可輕易形成正型光阻膜。
根據本發明的感光性樹脂組成物,可形成耐熱形狀維持性優異的正型光阻膜。
以下詳細說明本發明之實施型態。
於此,本發明的感光性樹脂組成物可例如在有機EL用增層基板等印刷基板的製造流程中形成光阻圖案時使用。
並且,本發明的感光性樹脂組成物可例如使用於有機電致發光元件(有機EL元件)、Micro LED、Micro OLED及觸控面板用的保護膜、電性絕緣膜、鈍化膜等。
(感光性樹脂組成物)
本發明的感光性樹脂組成物包含指定的聚合物與聚醯胺醯亞胺,且更任意含有感光劑、交聯劑、溶劑與得摻合於感光性樹脂組成物的已知添加劑。而且,本發明的感光性樹脂組成物由於除了指定的聚合物以外還含有聚醯胺醯亞胺,故可形成耐熱形狀維持性優異的正型光阻膜。
〈聚合物〉
於此,使用於本發明之感光性樹脂組成物的聚合物具有指定單體單元。
[單體單元]
前述單體單元為由下述通式(I)所表示的單體單元,以具有乙烯基苯酚單體單元為佳,更任意具有(甲基)丙烯酸酯單體單元、芳族乙烯單體單元(排除乙烯基苯酚單體單元)、其他單體單元。
[化2]
Figure 02_image005
(通式(I)中,R1 為化學單鍵或亦可具有取代基之碳數1~6的2價烴基,R2 為氫原子或亦可具有取代基之碳數1~6的1價烴基。)
-由通式(I)所表示的單體單元-
由前述通式(I)所表示的單體單元為由下述通式(I)所表示的結構單元。
[化3]
Figure 02_image007
上述通式(I)中,R1 為化學單鍵或亦可具有取代基之碳數1~6的2價烴基,以化學單鍵或碳數1~4的伸烷基(分支型或直鏈型)為佳,以化學單鍵或碳數1~2的伸烷基為較佳。並且,上述通式(I)中,R2 為氫原子或亦可具有取代基之碳數1~6的1價烴基,以氫原子、碳數1~4的烷基為佳,以氫原子、碳數1~2的烷基為較佳。
作為前述取代基,可列舉例如:氟原子、氯原子、溴原子等鹵素原子;甲氧基、乙氧基、異丙氧基等碳數1~10的烷氧基;硝基;氰基;苯基、4-甲苯基、2-氯苯基等亦可具有取代基的苯基;羥基;等。
作為由前述通式(I)所表示的單體單元,可列舉例如:(i)後述的乙烯基苯酚單體單元、(ii)源自α-甲基-4-羥基苯乙烯、α-甲基-3-羥基苯乙烯、α-甲基-2-羥基苯乙烯、4-羥基烯丙基苯、3-羥基烯丙基苯、2-羥基烯丙基苯等單體的單體單元。此些之中,以後述的乙烯基苯酚單體單元為佳。
-乙烯基苯酚單體單元-
前述乙烯基苯酚單體單元為由下述結構式(I)所表示的結構單元。
[化4]
Figure 02_image009
於此,由上述結構式(I)所表示的結構單元不僅包含源自乙烯基苯酚單體的結構單元,亦包含例如後述合成例1所示之「將源自以任意保護基保護酚性羥基之化合物(例如對三級丁氧基苯乙烯)的結構單元予以脫離保護而獲得」的結構單元。
作為前述乙烯基苯酚單體的具體例,可列舉例如:4-羥基苯乙烯(對乙烯基苯酚)、3-羥基苯乙烯(間乙烯基苯酚)、對異丙烯基苯酚等。此些之中,就易取得性及成本的觀點而言,以4-羥基苯乙烯(對乙烯基苯酚)為佳。
此些乙烯基苯酚單體及以任意保護基保護酚性羥基之化合物,可單獨使用1種,亦可併用2種以上。
前述聚合物中之由結構式(I)所表示之結構單元的含量並未特別受限,但以30質量%以上為佳,以50質量%以上為較佳,且以80質量%以下為佳,以60質量%以下為較佳。
藉由前述聚合物中之由結構式(I)所表示之結構單元的含量為30質量%以上,可使其溶解於鹼性顯影液。另一方面,藉由前述聚合物中之乙烯基苯酚單體單元的含量為80質量%以下,可使所獲得之光阻膜的透明性良好。
-(甲基)丙烯酸酯單體單元-
前述(甲基)丙烯酸酯單體單元為源自(甲基)丙烯酸酯單體的結構單元。前述聚合物係以更具有(甲基)丙烯酸酯單體單元的共聚物為佳。若聚合物為更具有(甲基)丙烯酸酯單體單元的共聚物,則可提升感光性樹脂組成物的靈敏度,且同時可形成透明性優異的光阻膜。
作為前述(甲基)丙烯酸酯單體並未特別受限,但可列舉例如:丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸二級丁酯、丙烯酸正庚酯、丙烯酸正己酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸正辛酯、甲基丙烯酸正癸酯等(甲基)丙烯酸烷基酯;丙烯酸2-甲氧基乙酯、丙烯酸3-甲氧基丙酯、丙烯酸3-甲氧基丁酯、丙烯酸乙氧基甲酯、甲基丙烯酸2-甲氧基乙酯、甲基丙烯酸3-甲氧基丙酯、甲基丙烯酸3-甲氧基丁酯、甲基丙烯酸乙氧基甲酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯;等。此些之中,就易取得性、成本及透明性的觀點而言,以(甲基)丙烯酸烷基酯為佳,以甲基丙烯酸甲酯為更佳。
此些(甲基)丙烯酸酯單體可單獨使用1種,亦可併用2種以上。
前述共聚物中之(甲基)丙烯酸酯單體單元的含量並未特別受限,但以20質量%以上為佳,以40質量%以上為較佳,且以70質量%以下為佳,以50質量%以下為較佳。
藉由前述共聚物中之(甲基)丙烯酸酯單體單元的含量為20質量%以上,可使所獲得之光阻膜的透明性良好。另一方面,藉由前述共聚物中之(甲基)丙烯酸酯單體單元的含量為70質量%以下,可使其溶解於鹼性顯影液。
-芳族乙烯基單體單元(排除乙烯基苯酚單體單元)-
前述芳族乙烯基單體單元為源自芳族乙烯基單體的結構單元。
作為前述芳族乙烯基單體單元並未特別受限,但可列舉例如:苯乙烯、鄰/間/對甲基苯乙烯、對三級丁基苯乙烯、乙基苯乙烯、2,4-二甲基苯乙烯、α-甲基苯乙烯等。此些之中,就易取得性及成本的觀點而言,以苯乙烯為佳。
此些芳族乙烯基單體單元可單獨使用1種,亦可併用2種以上。
前述共聚物中之芳族乙烯基單體單元的含量並未特別受限,但以30質量%以上為佳,以40質量%以上為較佳,且以80質量%以下為佳,以60質量%以下為較佳。
藉由前述聚合物中之芳族乙烯基單體單元的含量為30質量%以上,可使其溶解於鹼性顯影液。另一方面,藉由前述聚合物中之芳族乙烯基單體單元的含量為80質量%以下,可使所獲得之光阻膜的透明性良好。
-其他單體單元-
前述其他單體單元為源自能與上述單體共聚合之其他單體的結構單元,可列舉例如:N-苯基順丁烯二醯亞胺、丙烯腈等。
前述其他單體只要不阻礙本申請發明的效果即可,而並未特別受限。
作為前述聚合物的具體例,可列舉例如:乙烯基苯酚/甲基丙烯酸甲酯共聚物、乙烯基苯酚/苯乙烯共聚物、乙烯基苯酚均聚物等。此些之中,以乙烯基苯酚/甲基丙烯酸甲酯共聚物為佳。
此些聚合物可單獨使用1種,亦可併用2種以上。
[聚合物的性質]
-重量平均分子量-
在前述聚合物為乙烯基苯酚/甲基丙烯酸甲酯共聚物的情況下,其重量平均分子量(Mw)以12000以下為佳,以9900以下為較佳,且以8000以上為佳,以9600以上為較佳。若乙烯基苯酚/甲基丙烯酸甲酯共聚物的重量平均分子量(Mw)為12000以下,則可提升對於溶劑的溶解性。並且,若乙烯基苯酚/甲基丙烯酸甲酯共聚物的重量平均分子量(Mw)為8000以上,則在塗膜之形成、固化後之固化性及機械強度的觀點上為佳。
在前述聚合物為乙烯基苯酚/苯乙烯共聚物的情況下,其重量平均分子量(Mw)以5000以下為佳,且以3000以上為佳,以4000以上為較佳。若乙烯基苯酚/苯乙烯共聚物的重量平均分子量(Mw)為5000以下,則可提升對於溶劑的溶解性。並且,若乙烯基苯酚/苯乙烯共聚物的重量平均分子量(Mw)為3000以上,則在塗膜之形成、固化後之固化性及機械強度的觀點上為佳。
在前述聚合物為乙烯基苯酚均聚物的情況下,其重量平均分子量(Mw)以11000以下為佳,以10000以下為較佳,且以4000以上為佳,以9000以上為較佳。若乙烯基苯酚均聚物的重量平均分子量(Mw)為11000以下,則可提升對於溶劑的溶解性。並且,若乙烯基苯酚均聚物的重量平均分子量(Mw)為4000以上,則在塗膜之形成、固化後之固化性及機械強度的觀點上為佳。
而且,上述數值為聚苯乙烯換算值。
-分子量分布-
上述聚合物的分子量分布(Mw/Mn)以1.5以上為佳,且以5.0以下為佳,以3.0以下為較佳。若聚合物的分子量分布(Mw/Mn)為1.5以上,則可提高聚合物的易製造性。
〈聚醯胺醯亞胺〉
藉由使本發明的感光性樹脂組成物含有聚醯胺醯亞胺,可提升靈敏度,且同時可形成透明性優異的光阻膜。
於此,使用於本發明之感光性樹脂組成物的聚醯胺醯亞胺,可為具有分支型結構之聚醯胺醯亞胺及具有直鏈型結構之聚醯胺醯亞胺的任一者,但以具有分支型結構的聚醯胺醯亞胺為佳。若聚醯胺醯亞胺為具有分支型結構的聚醯胺醯亞胺,則可提升感光性樹脂組成物之對於溶劑的溶解性。
[具有分支型結構的聚醯胺醯亞胺]
作為前述具有分支型結構的聚醯胺醯亞胺,可列舉例如:「具有由下述通式(1)所表示之結構單元與由下述通式(2)所表示之結構單元,且具有由下述結構式(1)、(2)及(3)所表示之末端結構之任1個以上」的化合物、由下述通式(3)所表示的化合物、具有分支型結構的聚醯胺醯亞胺樹脂(DIC股份有限公司製,UNIDIC EMG-793)、具有分支型結構的聚醯胺醯亞胺樹脂(DIC股份有限公司製,UNIDIC EMG-1015)等。
[化5]
Figure 02_image011
…通式(1) 惟前述通式(1)中,R1 表示具有碳數6~13之環脂結構的有機基。
[化6]
Figure 02_image013
…通式(2) 惟前述通式(2)中,R1 表示具有碳數6~13之環脂結構的有機基,R2 表示數量平均分子量為700~4500的鏈烴結構。
[化7]
Figure 02_image015
…結構式(1)
[化8]
Figure 02_image017
…結構式(2)
[化9]
Figure 02_image019
…結構式(3)
[化10]
Figure 02_image021
…通式(3) 惟前述通式(3)中,n為2以上且200以下。
由前述通式(3)所表示的化合物,得藉由使三聚異氰酸三異佛爾酮二異氰酸酯體與1,2,4-苯三甲酸酐反應而獲得(參照下述反應式(1))。
[化11]
Figure 02_image023
…反應式(1) 惟前述反應式(1)中,n為2以上且200以下。
在上述反應式(1)所示的反應中,亦可添加含有2個以上羥基的多官能多元醇作為鏈轉移劑,而將具有胺甲酸乙酯結構的部位導入於上述通式(3)之部分結構。藉由將前述具有胺甲酸乙酯結構的部位導入於上述通式(3)之部分結構,可控制具有分支型結構之聚醯胺醯亞胺的物性。作為前述具有胺甲酸乙酯結構的部位,可列舉例如由下述通式(4)所表示的部位。
[化12]
Figure 02_image025
…通式(4) 惟前述通式(4)中,R1 表示具有碳數6~13之環脂結構的有機基,R2 表示數量平均分子量為700~4500的鏈烴結構。
[具有直鏈型結構的聚醯胺醯亞胺]
作為前述具有直鏈型結構的聚醯胺醯亞胺,可列舉例如由下述通式(5)所表示的化合物等。
[化13]
Figure 02_image027
…通式(5) 惟前述通式(5)中,n為2以上且400以下。
由前述通式(5)所表示的化合物,得藉由使1,2,4-苯三甲酸酐與異佛爾酮二異氰酸酯反應而獲得(參照下述反應式(2))。
[化14]
Figure 02_image029
…反應式(2) 惟前述反應式(2)中,n為2以上且400以下。
[聚醯胺醯亞胺的性質]
-數量平均分子量-
於此,上述聚醯胺醯亞胺的數量平均分子量(Mn)以30000以下為佳,以8000以下為較佳,且以1000以上為佳。若聚醯胺醯亞胺的數量平均分子量(Mn)為30000以下,則可提升對於溶劑的溶解性。並且,若聚醯胺醯亞胺的數量平均分子量(Mn)為1000以上,則耐熱性及固化後的機械強度優異。
在前述聚醯胺醯亞胺為具有分支型結構之聚醯胺醯亞胺的情況下,其數量平均分子量(Mn)以30000以下為佳,且以2000以上為佳。若具有分支型結構之聚醯胺醯亞胺的數量平均分子量(Mn)為30000以下,則可提升對於溶劑的溶解性。並且,若具有分支型結構之聚醯胺醯亞胺的數量平均分子量(Mn)為2000以上,則耐熱性及固化後的機械強度優異。
並且,在前述聚醯胺醯亞胺為具有分支型結構之聚醯胺醯亞胺的情況下,其重量平均分子量(Mw)以100000以下為佳,且以3000以上為佳。若具有分支型結構之聚醯胺醯亞胺的重量平均分子量(Mw)為100000以下,則可提升對於溶劑的溶解性。並且,若具有分支型結構之聚醯胺醯亞胺的重量平均分子量(Mw)為3000以上,則耐熱性及固化後的機械強度優異。
在前述聚醯胺醯亞胺為具有直鏈型結構之聚醯胺醯亞胺的情況下,其數量平均分子量(Mn)以20000以下為佳,且以1000以上為佳。若具有直鏈型結構之聚醯胺醯亞胺的數量平均分子量(Mn)為20000以下,則可提升對於溶劑的溶解性。並且,若具有直鏈型結構之聚醯胺醯亞胺的數量平均分子量(Mn)為1000以上,則耐熱性及固化後的機械強度優異。
在前述聚合物與前述聚醯胺醯亞胺的總和(100質量%)中前述聚合物所佔據的比例以70質量%以上為佳,以80質量%以上為較佳,且以90質量%以下為佳,以85質量%以下為較佳。若在聚合物與聚醯胺醯亞胺的總和(100質量%)中聚合物所佔據的比例為70質量%以上且90質量%以下,則可防止所獲得之光阻膜的透明性降低,可防止殘膜率降低,可防止形狀維持性降低,且可防止靈敏度降低。
〈感光劑〉
於此,作為使用於本發明之感光性樹脂組成物的感光劑,可列舉例如:由4,4’-(1-{4-[1-(4-羥基苯基)-1-甲基乙基]苯基}亞乙基雙酚)與6-重氮-5,6-二氫-5-側氧基-萘-1-磺酸所形成的酯體、由4,4’-(1-{4-[1-(4-羥基苯基)-1-甲基乙基]苯基}亞乙基雙酚) (由下述結構式(4)所表示的化合物)與6-重氮-5,6-二氫-5-側氧基-萘-1-磺酸所形成的酯體、由1,1,1-參(4-羥基苯基)乙烷(由下述結構式(5)所表示的化合物)與6-重氮-5,6-二氫-5-側氧基-萘-1-磺酸所形成的酯體、由2-(4-羥基苯基)-2-(2’,3’,4’-三羥基苯基)丙烷與6-重氮-5,6-二氫-5-側氧基-萘-1-磺酸所形成的酯體、在日本專利公開第2014-29766號公報作為「輻射敏感化合物(B)」記載的公知化合物等。此些之中,以「由4,4’-(1-{4-[1-(4-羥基苯基)-1-甲基乙基]苯基}亞乙基雙酚)與6-重氮-5,6-二氫-5-側氧基-萘-1-磺酸所形成的酯體」及「由1,1,1-參(4-羥基苯基)乙烷與6-重氮-5,6-二氫-5-側氧基-萘-1-磺酸所形成的酯體」為佳。
此些感光劑可單獨使用1種,亦可併用2種以上。
[化15]
Figure 02_image031
…結構式(4)
[化16]
Figure 02_image033
…結構式(5)
〈交聯劑〉
於此,作為使用於本發明之感光性樹脂組成物的交聯劑,可列舉例如:丁烷四羧酸四(3,4-環氧環己基甲基)改質ε-己內酯(DAICEL股份有限公司製,EPOLEAD GT 401)等多官能環氧化合物、在日本專利公開第2014-29766號公報作為「交聯劑(C)」記載的公知化合物等。此些之中,就固化後之膜的柔軟性及耐藥品性的觀點而言,以丁烷四羧酸四(3,4-環氧環己基甲基)改質ε-己內酯為佳。
此些交聯劑可單獨使用1種,亦可併用2種以上。
〈溶劑〉
於此,作為使用於本發明之感光性樹脂組成物的溶劑,通常可使用醚系溶劑。作為前述醚系溶劑,可列舉例如:二乙二醇甲乙醚(東邦化學工業股份有限公司製:HISOLVE EDM)、丙二醇單甲醚(PGME)、乙酸丙二醇單甲醚酯(PGMEA)、γ-丁內酯、1-甲基-2-吡咯啶酮、該等混合物等。
如上所述,溶劑可為混合物,但就溶劑的回收及再利用的容易性的觀點而言,以由單一物質而成的單一溶劑為佳。
〈添加劑〉
於此,作為使用於本發明之感光性樹脂組成物的添加劑,可列舉例如:溶解促進劑、抗老化劑、界面活性劑、紫外線吸收劑、色素、增敏劑等。此些添加劑可單獨使1種,亦可併用2種以上。
[溶解促進劑]
作為前述溶解促進劑,可列舉例如:5,5’-[2,2,2-三氟-1-(三氟甲基)亞乙基]雙(2-羥基-1,3-苯二甲醇)(本州化學工業股份有限公司製,TML-BPAF-MF)、3,3’,5,5’-四甲氧基甲基-4,4’-雙酚(本州化學工業股份有限公司製,TMOM-BP)、三聚氰胺.甲醛.烷基單醇聚縮物(三和化學公司製,NIKALAC Mw-100LM)、其他公知的溶解促進劑等。此些之中,就耐藥品性及固化膜之機械強度的觀點而言,以5,5’-[2,2,2-三氟-1-(三氟甲基)亞乙基]雙(2-羥基-1,3-苯二甲醇)為佳。
此些溶解促進劑可單獨使用1種,亦可併用2種以上。
[抗老化劑]
作為前述抗老化劑,可列舉例如:肆{3-[3,5-二(三級丁基)-4-羥苯基]丙酸}新戊四醇酯(由下述結構式(6)所表示的化合物,BASF公司製,IRGANOX 1010)等受阻酚系抗老化劑、2,4-雙[(十二硫基)甲基]-6-甲基苯酚(由下述結構式(7)所表示的化合物,BASF公司製,IRGANOX 1726)等硫系抗老化劑、其他公知的抗老化劑等。此些之中,就透明性的觀點而言,以肆{3-[3,5-二(三級丁基)-4-羥苯基]丙酸}新戊四醇酯(BASF公司製,IRGANOX 1010)為佳。
此些抗老化劑可單獨使用1種,亦可併用2種以上。
[化17]
Figure 02_image035
…結構式(6)
[化18]
Figure 02_image037
…結構式(7)
[界面活性劑]
作為前述界面活性劑。可列舉例如:有機矽氧烷聚合物(信越化學工業股份有限公司製:KP-341)、其他公知的界面活性劑等。此些之中,就塗布於基板之塗布性的觀點而言,以有機矽氧烷聚合物為佳。
此些界面活性劑可單獨使用1種,亦可併用2種以上。
〈光阻圖案的形成方法〉
使用本發明之感光性樹脂組成物的光阻圖案形成方法,包含(1)使用本發明的感光性樹脂組成物形成光阻膜的步驟(光阻膜形成步驟)、(2)使光阻膜曝光的步驟(曝光步驟)與(3)使經過曝光的光阻膜顯影的步驟(顯影步驟)。
-光阻膜形成步驟-
在上述步驟(1)中,在利用光阻圖案而受到加工之基板等被加工物(被塗布物)上,塗布本發明的感光性樹脂組成物,使所塗布的感光性樹脂組成物乾燥,而形成光阻膜。塗布方法及乾燥方法並未特別受限,可利用已知的塗布方法(例如旋塗法)及乾燥方法進行。
-曝光步驟-
在上述步驟(2)中,對於光阻膜照射電離放射線或光,以描繪預期圖案。而且,關於電離放射線或光的照射,可使用電子束描繪裝置或雷射描繪裝置等已知的描繪裝置。
-顯影步驟-
上述步驟(3)中,使在曝光步驟受到曝光的光阻膜與顯影液接觸,以顯影光阻膜,而在被加工物上形成光阻圖案。
於此,使光阻膜與顯影液接觸的方法並未特別受限,可使用將光阻膜浸漬於顯影液中或對於光阻膜塗布顯影液等已知手法。
--顯影液--
作為顯影液並未特別受限,可使用2.38質量%之四甲基氫氧化銨水溶液等鹼性顯影液;等。
--顯影條件--
顯影條件可適當設定成獲得預期品質之光阻圖案。而且,顯影時間可藉由上述顯影條件的決定方法而適當決定。
〈有機電致發光裝置〉
圖1為繪示「使用本發明之感光性樹脂組成物,且具有形成於經過圖案化之有機絕緣層上之有機電致發光元件(有機EL元件)」的有機電致發光裝置之一實施型態的概略剖面圖。
圖1中,有機電致發光裝置(有機EL裝置)100A係於導電性基板101之面上依序堆疊無機絕緣層102及有機絕緣層103,且於有機絕緣層103上具有有機電致發光元件(有機EL元件)110。有機絕緣層103及有機EL元件110為使用密封層151及密封板152作為密封材150而受到表面密封。於其上形成有機EL元件110的有機絕緣層103,以不自密封層151外露的方式配置於密封層151的內側。有機EL元件110透過陽極111及陰極113而自外部供給的電流,使有機EL層112中之電子及電洞耦合,藉此利用由耦合所產生的激發能量發光。來自有機EL層112的光線,可從有機EL元件110之陰極113側發出(頂部發光方式)。
有機絕緣層103可在形成有機EL元件110的區域,使用上述本發明之感光性樹脂組成物的光刻而受到圖案化,藉此選擇性地形成。前述光刻,其圖案精密度高,易於微細加工。並且如後所述,將前述有機絕緣層之側面形成為自下側朝向上側往內部方向傾斜的錐面,但此時可透過調整光刻的曝光量及後烘烤條件等而簡便地調整錐角。
圖1中,此有機EL裝置100A的有機絕緣層103,其側面形成自下側朝向上側往內部方向傾斜的錐面103T。錐面103T以與導電性基板101表面形成1度以上且50度以下之範圍內的角度為佳。圖2為圖1中放大以虛線圍成之區域T的說明圖。前述角度意指有機絕緣層103之側面之剖面線的延長線與導電性基板101表面相交部分的角度(圖中角A的角度)(以下有時稱為「錐角」)。前述錐角若超過50度,則起因於有機絕緣層所致之段差而變得容易發生有機EL元件110之電極(陽極111或陰極113)的斷線。並且,前述角度若未達1度,則因「錐面所佔據的幅寬變廣,引出電極的長度變長,發光部的範圍變窄」而不佳。前述錐角以10度以上且40度以下的範圍內為佳,以10度以上且20度以下的範圍內為較佳。因此,有機絕緣層103的側面若做成為具有1度以上且50度以下之範圍內之錐角之錐面103T的構成,則可防止有機EL元件110之陽極111及陰極113的斷線。
此外,透過上述本發明的感光性樹脂組成物,則易於製作具有上述範圍內之錐角的錐面。
[實施例]
以下列舉實施例以更具體說明本發明,但本發明並非為限定於此些實施例者。各例中的「份」除非另有特別聲明,否則為質量基準。
以下於合成例1~4揭示聚合物的製備例。
(合成例1)
使對三級丁氧基苯乙烯50份、甲基丙烯酸甲酯50份及作為聚合起始劑的偶氮雙異丁腈4份溶解於作為溶劑的丙二醇單甲醚150份,在氮氣環境下,將反應溫度保持在70℃使其聚合10小時。然後,將硫酸加入反應溶液中,將反應溫度保持在90℃使其反應10小時,將對三級丁氧基苯乙烯單體單元脫離保護而變換成對乙烯基苯酚單體單元。然後,將乙酸乙酯加入所獲得的共聚物,透過反覆水洗5次,分離乙酸乙酯相,去除溶劑,而獲得具有對乙烯基苯酚單體單元與甲基丙烯酸甲酯單體單元的共聚物(A-1)。所獲得的共聚物(A-1)中各單體單元的比例為對乙烯基苯酚單體單元:甲基丙烯酸甲酯單體單元=50:50(質量比)。重量平均分子量(Mw)以聚苯乙烯換算為9600。
(合成例2)
在合成例1中,除了以「將準備量定為對三級丁氧基苯乙烯60份、甲基丙烯酸甲酯40份」取代「將準備量定為對三級丁氧基苯乙烯50份、甲基丙烯酸甲酯50份」以外,其餘以與合成例1同樣的方法獲得具有對乙烯基苯酚單體單元與甲基丙烯酸甲酯單體單元的共聚物(A-2)。所獲得的共聚物(A-2)中各單體單元的比例為對乙烯基苯酚單體單元:甲基丙烯酸甲酯單體單元=60:40(質量比)。重量平均分子量(Mw)以聚苯乙烯換算為9900。
(合成例3)
在合成例1中,除了以「將單體定為對三級丁氧基苯乙烯50份、苯乙烯50份」取代「將單體定為對三級丁氧基苯乙烯50份、甲基丙烯酸甲酯50份」以外,其餘以與合成例1同樣的方法獲得具有對乙烯基苯酚單體單元與苯乙烯單體單元的共聚物(A-3)。所獲得的共聚物(A-3)中各單體單元的比例為對乙烯基苯酚單體單元:苯乙烯單體單元=50:50(質量比)。重量平均分子量(Mw)以聚苯乙烯換算為4700。
(合成例4)
在合成例1中,除了以「將單體定為對三級丁氧基苯乙烯100份」取代「將單體定為對三級丁氧基苯乙烯50份、甲基丙烯酸甲酯50份」以外,其餘以與合成例1同樣的方法獲得對乙烯基苯酚均聚物(A-4)。所獲得之對乙烯基苯酚均聚物(A-4)的重量平均分子量(Mw)以聚苯乙烯換算為9400。
(實施例1)
混合下述(i)~(viii)且使其溶解後,以孔徑0.45 μm之聚四氟乙烯製的過濾器過濾,而製備感光性樹脂組成物。 (i)作為聚合物:由合成例1所獲得之具有對乙烯基苯酚單體單元與甲基丙烯酸甲酯單體單元的共聚物(A-1)85份; (ii)作為聚醯胺醯亞胺:具有分支型結構的聚醯胺醯亞胺樹脂(DIC股份有限公司製,UNIDIC EMG-793,固體成分43.7%(溶劑為乙酸丙二醇單甲醚酯),酸價65.6 mg(KOH)/g,黏度(25℃,E型黏度計)1.04 Pa·s,數量平均分子量2000以上且30000以下)15份; (iii)作為感光劑(輻射敏感性化合物):由4,4’-(1-{4-[1-(4-羥基苯基)-1-甲基乙基]苯基}亞乙基雙酚)與6-重氮-5,6-二氫-5-側氧基-萘-1-磺酸所形成的酯體(2.5莫耳體)(美源商事公司製:TPA-525)12.5份,以及由1,1,1-參(4-羥基苯基)乙烷與6-重氮-5,6-二氫-5-側氧基-萘-1-磺酸所形成的酯體(2莫耳體)(東洋合成公司製:HP-200)12.5份; (iv)作為交聯劑:環氧化丁烷四羧酸肆(3-環己烯甲基)改質ε-己內酯(DAICEL股份有限公司製:EPOLEAD GT401)33份; (v)作為溶解促進劑:5,5’-[2,2,2-三氟-1-(三氟甲基)亞乙基]雙(2-羥基-1,3-苯二甲醇)(本州化學工業股份有限公司製,TML-BPAF-MF)8份; (vi)作為抗老化劑:肆{3-[3,5-二(三級丁基)-4-羥苯基]丙酸}新戊四醇酯(BASF公司製:IRGANOX 1010)2.5份、2,4-雙[(十二硫基)甲基]-6-甲基苯酚(BASF公司製:IRGANOX 1726)2.5份; (vii)作為界面活性劑:有機矽氧烷聚合物(信越化學工業股份有限公司製:KP-341)300 ppm;以及 (viii)作為溶劑:二乙二醇甲乙醚(東邦化學工業股份有限公司製:HISOLVE EDM)100份。
對於製備完成的感光性樹脂組成物進行後述各評價(曝光靈敏度、顯影殘膜率、光線穿透率、耐熱形狀維持性、耐藥品性、溶劑溶解性、相溶性、錐角)。結果如表1所示。
〈曝光靈敏度〉
藉由旋塗法將感光性樹脂組成物塗布於矽晶圓基板上,使用加熱板在100℃加熱乾燥2分鐘(預烘烤),形成膜厚1.5 μm的塗膜。隨後,為了圖案化塗膜,使用能形成10 μm線隙圖案的遮罩,自50 mJ/cm2 至200 mJ/cm2 以50 mJ/cm2 的間隔逐步變化g-h-i混合光線(波長:i線=365 nm,h線=405 nm,g線=436 nm),藉此進行曝光步驟。隨後,使用2.38質量%之四甲基氫氧化銨水溶液,在25℃下進行40秒鐘以上且90秒鐘以下的顯影處理,以超純水潤洗20秒鐘,藉此獲得由具有曝光量相異之線與隙之塗膜與矽晶圓而成的堆疊體。
使用光學顯微鏡觀察所獲得之堆疊體之線及隙的形成部分,分別量測以各曝光量曝光之部分的塗膜之線及隙的長度。然後,依據各曝光量與在對應的曝光量下形成的樹脂膜之線及隙之長度的關係,繪製近似曲線,算出線及隙成為10 μm時的曝光量,將此曝光量作為曝光靈敏度而算出。線及隙成為10 μm時的曝光量愈低,因可用愈低的能量或愈短的時間形成圖案,故為佳。
〈顯影殘膜率〉
藉由旋塗法將感光性樹脂組成物塗布於矽晶圓基板上,使用加熱板在100℃加熱乾燥2分鐘(預烘烤),形成膜厚1.5 μm的塗膜。隨後,使用2.38質量%之四甲基氫氧化銨水溶液,在25℃下進行40秒鐘以上且90秒鐘以下的顯影處理,以超純水潤洗20秒鐘,藉此獲得由塗膜與矽晶圓而成的堆疊體。藉由光干涉式膜厚量測裝置(LAMBDA ACE VM-1200,SCREEN SEMICONDUCTOR SOLUTIONS公司製)量測所獲得之樹脂膜的膜厚,自顯影處理後之膜厚/顯影處理前之膜厚算出顯影殘膜率(%)。顯影殘膜率高者,因較可降低塗料損失量或顯影時的不均等而為佳。
〈光線穿透率(耐熱透明性)〉
藉由旋塗法將感光性樹脂組成物塗布於玻璃基板(康寧公司製,製品名:康寧1737)上,使用加熱板在100℃加熱乾燥2分鐘(預烘烤),形成膜厚1.5 μm的塗膜。隨後,使用2.38質量%之四甲基氫氧化銨水溶液,在25℃下進行40~90秒鐘的顯影處理,以超純水進行潤洗20秒鐘。隨後,透過使用烘箱,在大氣環境下,進行在230℃加熱60分鐘之氧化性氣體環境下的後烘烤,而獲得由樹脂膜與玻璃基板而成的堆疊體。
對於所獲得的堆疊體,使用分光光度計V-560(日本分光公司製),在400 nm至800 nm之波長進行量測。依據量測結果算出在400 nm的光線穿透率(%),而作為耐熱透明性算出。此外,樹脂膜的光線穿透率(%),係以未附有樹脂膜之玻璃基板作為空白對照,由樹脂膜之厚度定為1.0 μm時的換算值算出。
光線穿透率(耐熱透明性)愈高,則因堆疊體的亮度愈高且堆疊體外觀愈美觀而較佳。
〈耐熱形狀維持性(圖案尺寸耐熱性)〉
以與上述曝光靈敏度之量測方法同樣的方法,使用感光性樹脂組成物,在基板上形成10 μm線隙圖案,於此基板整體表面照射1000 mJ/cm2 之g-h-i混合光線的曝光光線。隨後,透過使用烘箱,在大氣環境下,進行在230℃加熱60分鐘之氧化性氣體環境下的後烘烤。利用光學顯微鏡觀察加熱處理後之基板的線圖案。然後,自加熱處理後之圖案幅寬/加熱前之圖案幅寬(10 μm)算出圖案幅寬變化率(%)。圖案幅寬變化率愈接近100%,則因耐熱形狀維持性愈優異而較佳。
〈耐藥品性〉
藉由旋塗法將感光性樹脂組成物塗布於矽晶圓基板上,使用加熱板在100℃加熱乾燥2分鐘(預烘烤),形成膜厚1.5 μm的塗膜。隨後,使用2.38質量%之四甲基氫氧化銨水溶液,在25℃下進行40秒鐘~90秒鐘的顯影處理,以超純水進行潤洗20秒鐘。隨後,透過使用烘箱,在大氣環境下,進行在230℃加熱60分鐘之氧化性氣體環境下的後烘烤,而獲得由樹脂膜與矽晶圓基板而成的堆疊體。
將所獲得的堆疊體浸漬於作為由恆溫槽維持在25℃之剝離液的ST 106(以單乙醇胺(MEA)/二甲基亞碸(DMSO)=7:3混合)200 mL中歷時5分鐘。藉由光干涉式膜厚量測裝置(SCREEN SEMICONDUCTOR SOLUTIONS公司製,LAMBDA ACE VM-1200)量測浸漬前後之樹脂膜的膜厚,自浸漬後之樹脂膜的膜厚/浸漬前之樹脂膜的膜厚算出樹脂膜的膜厚變化率(%)。樹脂膜的膜厚變化率在±5%的情況下定為○,在超過5%或未達−5%的情況下定為×。
〈溶劑溶解性(樹脂與溶劑的混合性)〉
按照記載於表1中之實施例1~13及比較例1~4之欄位的種類及混合比例秤取聚合物與聚醯胺醯亞胺樹脂,且以樣品瓶混合。以樹脂的固體成分濃度成為20%的方式將二乙二醇甲乙醚(東邦化學工業股份有限公司製:HISOLVE EDM)添加於前述樣品瓶,以振動機在指定時間振動樣品瓶。在經過指定時間後,以目視判斷溶劑溶解性。在指定時間振動後,溶解於溶劑而成為透明樹脂溶液者為○,不溶於溶劑而有殘留物的情況定為×。
〈相溶性(樹脂與樹脂的混合性)〉
以與上述溶劑溶解性同樣的方法製作樣品瓶,且以振動機在指定時間振動樣品瓶。在經過指定時間後,以目視判斷相溶性。成為透明樹脂溶液者為○,有白濁或沉澱物的情況定為×。
〈錐角〉
以與上述曝光靈敏度之量測方法同樣的方法,使用感光性樹脂組成物,在基板上形成10 μm線隙圖案,於此基板整體表面照射1000 mJ/cm2 之g-h-i混合光線的曝光光線。隨後,透過使用烘箱,在大氣環境下,進行在230℃加熱60分鐘之氧化性氣體環境下的後烘烤。利用SEM顯微鏡觀察加熱處理後之基板之線圖案的剖面形狀。線圖案的剖面形狀以錐狀為佳,再者,其錐角成為50°以下為較佳,錐角成為40°以下為尤佳。透過錐角形狀或錐角成為低角度,由於難以發生起因於有機絕緣層之段差的電極斷線等而產量高,故為佳。
(實施例2)
在實施例1中,除了以「使用(i)由合成例1所獲得之具有對乙烯基苯酚單體單元與甲基丙烯酸甲酯單體單元的共聚物(A-1)80份;(ii)具有分支型結構的聚醯胺醯亞胺樹脂(DIC股份有限公司製:UNIDIC EMG-793)20份」取代「使用(i)由合成例1所獲得之具有對乙烯基苯酚單體單元與甲基丙烯酸甲酯單體單元的共聚物(A-1)85份;(ii)具有分支型結構的聚醯胺醯亞胺樹脂(DIC股份有限公司製:UNIDIC EMG-793)15份」以外,其餘比照實施例1製備感光性樹脂組成物,且對於製備完成的感光性樹脂組成物進行各評價。結果如表1所示。
(實施例3)
在實施例1中,除了以「使用(i)由合成例1所獲得之具有對乙烯基苯酚單體單元與甲基丙烯酸甲酯單體單元的共聚物(A-1)90份;(ii)具有分支型結構的聚醯胺醯亞胺樹脂(DIC股份有限公司製:UNIDIC EMG-793)10份」取代「使用(i)由合成例1所獲得之具有對乙烯基苯酚單體單元與甲基丙烯酸甲酯單體單元的共聚物(A-1)85份;(ii)具有分支型結構的聚醯胺醯亞胺樹脂(DIC股份有限公司製:UNIDIC EMG-793)15份」以外,其餘比照實施例1製備感光性樹脂組成物,且對於製備完成的感光性樹脂組成物進行各評價。結果如表1所示。
(實施例4)
在實施例1中,除了以「使用(iii)由4,4’-(1-{4-[1-(4-羥基苯基)-1-甲基乙基]苯基}亞乙基雙酚)與6-重氮-5,6-二氫-5-側氧基-萘-1-磺酸所形成的酯體(2莫耳體)(美源商事公司製:TPA-520)12.5份、由1,1,1-參(4-羥基苯基)乙烷與6-重氮-5,6-二氫-5-側氧基-萘-1-磺酸所形成的酯體(2莫耳體)(東洋合成公司製:HP-200)12.5份」取代「使用(iii)由4,4’-(1-{4-[1-(4-羥基苯基)-1-甲基乙基]苯基}亞乙基雙酚)與6-重氮-5,6-二氫-5-側氧基-萘-1-磺酸所形成的酯體(2.5莫耳體)(美源商事公司製:TPA-525)12.5份,以及由1,1,1-參(4-羥基苯基)乙烷與6-重氮-5,6-二氫-5-側氧基-萘-1-磺酸所形成的酯體(2莫耳體)(東洋合成公司製:HP-200)12.5份」以外,其餘比照實施例1製備感光性樹脂組成物,且對於製備完成的感光性樹脂組成物進行各評價。結果如表1所示。
(實施例5)
在實施例1中,除了以「使用(iii)由1,1,1-參(4-羥基苯基)乙烷與6-重氮-5,6-二氫-5-側氧基-萘-1-磺酸所形成的酯體(2莫耳體)(東洋合成公司製:HP-200)12.5份,以及由2-(4-羥基苯基)-2-(2’,3’,4’-三羥基苯基)丙烷與6-重氮-5,6-二氫-5-側氧基-萘-1-磺酸所形成的酯體(2莫耳體)(東洋合成公司製:THDPP-200)12.5份」取代「使用(iii)由4,4’-(1-{4-[1-(4-羥基苯基)-1-甲基乙基]苯基}亞乙基雙酚)與6-重氮-5,6-二氫-5-側氧基-萘-1-磺酸所形成的酯體(2.5莫耳體)(美源商事公司製:TPA-525)12.5份,以及由1,1,1-參(4-羥基苯基)乙烷與6-重氮-5,6-二氫-5-側氧基-萘-1-磺酸所形成的酯體(2莫耳體)(東洋合成公司製:HP-200)12.5份」以外,其餘比照實施例1製備感光性樹脂組成物,且對於製備完成的感光性樹脂組成物進行各評價。結果如表1所示。
(實施例6)
在實施例1中,除了以「使用(iii)由4,4’-(1-{4-[1-(4-羥基苯基)-1-甲基乙基]苯基}亞乙基雙酚)與6-重氮-5,6-二氫-5-側氧基-萘-1-磺酸所形成的酯體(2莫耳體)(美源商事公司製:TPA-520)25份」取代「使用(iii)由4,4’-(1-{4-[1-(4-羥基苯基)-1-甲基乙基]苯基}亞乙基雙酚)與6-重氮-5,6-二氫-5-側氧基-萘-1-磺酸所形成的酯體(2.5莫耳體)(美源商事公司製:TPA-525)12.5份,以及由1,1,1-參(4-羥基苯基)乙烷與6-重氮-5,6-二氫-5-側氧基-萘-1-磺酸所形成的酯體(2莫耳體)(東洋合成公司製:HP-200)12.5份」以外,其餘比照實施例1製備感光性樹脂組成物,且對於製備完成的感光性樹脂組成物進行各評價。結果如表1所示。
(實施例7)
在實施例4中,除了以「使用(v)三聚氰胺.甲醛.烷基單醇聚縮物(三和化學公司製:NIKALAC Mw-100LM)8份」取代「使用(v)5,5’-[2,2,2-三氟-1-(三氟甲基)亞乙基]雙(2-羥基-1,3-苯二甲醇)(本州化學工業股份有限公司製:TML-BPAF-MF)8份」以外,其餘比照實施例4製備感光性樹脂組成物,且對於製備完成的感光性樹脂組成物進行各評價。結果如表1所示。
(實施例8)
在實施例4中,除了以「使用(v)3,3’,5,5’-四甲氧基甲基-4,4’-雙酚(本州化學工業股份有限公司製:TMOM-BP)8份」取代「使用(v)5,5’-[2,2,2-三氟-1-(三氟甲基)亞乙基]雙(2-羥基-1,3-苯二甲醇)(本州化學工業股份有限公司製:TML-BPAF-MF)8份」以外,其餘比照實施例4製備感光性樹脂組成物,且對於製備完成的感光性樹脂組成物進行各評價。結果如表1所示。
(實施例9)
在實施例1中,除了以「使用(ii)具有分支型結構的聚醯胺醯亞胺樹脂(DIC股份有限公司製,UNIDIC EMG-1015)15份;(iii)由4,4’-(1-{4-[1-(4-羥基苯基)-1-甲基乙基]苯基}亞乙基雙酚)與6-重氮-5,6-二氫-5-側氧基-萘-1-磺酸所形成的酯體(2.5莫耳體)(美源商事公司製:TPA-525)20份,以及由1,1,1-參(4-羥基苯基)乙烷與6-重氮-5,6-二氫-5-側氧基-萘-1-磺酸所形成的酯體(2莫耳體)(東洋合成公司製:HP-200)5份」取代「使用(ii)具有分支型結構的聚醯胺醯亞胺樹脂(DIC股份有限公司製,UNIDIC EMG-793)15份;(iii)由4,4’-(1-{4-[1-(4-羥基苯基)-1-甲基乙基]苯基}亞乙基雙酚)與6-重氮-5,6-二氫-5-側氧基-萘-1-磺酸所形成的酯體(2.5莫耳體)(美源商事公司製:TPA-525)12.5份,以及由1,1,1-參(4-羥基苯基)乙烷與6-重氮-5,6-二氫-5-側氧基-萘-1-磺酸所形成的酯體(2莫耳體)(東洋合成公司製:HP-200)12.5份」以外,其餘比照實施例1製備感光性樹脂組成物,且對於製備完成的感光性樹脂組成物進行各評價。結果如表1所示。
(實施例10)
在實施例1中,除了以「使用(i)由合成例3所獲得之具有對乙烯基苯酚單體單元與苯乙烯單體單元的共聚物(A-3)85份」取代「使用(i)由合成例1所獲得之具有對乙烯基苯酚單體單元與甲基丙烯酸甲酯單體單元的共聚物(A-1)85份」以外,其餘比照實施例1製備感光性樹脂組成物,且對於製備完成的感光性樹脂組成物進行各評價。結果如表1所示。
(實施例11)
在實施例1中,除了以「使用(i)由合成例4所獲得之對乙烯基苯酚均聚物(A-4)85份」取代「使用(i)由合成例1所獲得之具有對乙烯基苯酚單體單元與甲基丙烯酸甲酯單體單元的共聚物(A-1)85份」以外,其餘比照實施例1製備感光性樹脂組成物,且對於製備完成的感光性樹脂組成物進行各評價。結果如表1所示。
(實施例12)
在實施例1中,除了以「使用(i)由合成例1所獲得之具有對乙烯基苯酚單體單元與甲基丙烯酸甲酯單體單元的共聚物(A-1)70份;(ii)具有分支型結構的聚醯胺醯亞胺樹脂(DIC股份有限公司製:UNIDIC EMG-793)30份」取代「使用(i)由合成例1所獲得之具有對乙烯基苯酚單體單元與甲基丙烯酸甲酯單體單元的共聚物(A-1)85份;(ii)具有分支型結構的聚醯胺醯亞胺樹脂(DIC股份有限公司製:UNIDIC EMG-793)15份」以外,其餘比照實施例1製備感光性樹脂組成物,且對於製備完成的感光性樹脂組成物進行各評價。結果如表1所示。
(實施例13)
在實施例1中,除了以「使用(i)由合成例2所獲得之具有對乙烯基苯酚單體單元與甲基丙烯酸甲酯單體單元的共聚物(A-2)85份」取代「使用(i)由合成例1所獲得之具有對乙烯基苯酚單體單元與甲基丙烯酸甲酯單體單元的共聚物(A-1)85份」以外,其餘比照實施例1製備感光性樹脂組成物,且對於製備完成的感光性樹脂組成物進行各評價。結果如表1所示。
(比較例1)
在實施例4中,除了以「使用(i)由合成例1所獲得之具有對乙烯基苯酚單體單元與甲基丙烯酸甲酯單體單元的共聚物(A-1)100份,而不使用(ii)作為聚醯胺醯亞胺之具有分支型結構的聚醯胺醯亞胺樹脂(DIC股份有限公司製:UNIDIC EMG-793)」取代「使用(i)由合成例1所獲得之具有對乙烯基苯酚單體單元與甲基丙烯酸甲酯單體單元的共聚物(A-1)85份;(ii)具有分支型結構的聚醯胺醯亞胺樹脂(DIC股份有限公司製:UNIDIC EMG-793)15份」以外,其餘比照實施例4製備感光性樹脂組成物,且對於製備完成的感光性樹脂組成物進行各評價(相溶性及錐角以外)。結果如表1所示。
(比較例2)
在比較例1中,除了更添加2,2-雙(羥甲基)-1-丁醇的1,2-環氧-4-(2-環氧乙烷基)環己烷加成物(DAICEL股份有限公司製:EHPE 3150)17份作為添加劑以外,其餘比照比較例1製備感光性樹脂組成物,且對於製備完成的感光性樹脂組成物進行各評價(相溶性及錐角以外)。結果如表1所示。
(比較例3)
在比較例1中,除了以「使用(v)三聚氰胺.甲醛.烷基單醇聚縮物(三和化學公司製:NIKALAC Mw-100LM)15份」取代「使用(v)5,5’-[2,2,2-三氟-1-(三氟甲基)亞乙基]雙(2-羥基-1,3-苯二甲醇)(本州化學工業股份有限公司製:TML-BPAF-MF)8份」以外,其餘比照比較例1製備感光性樹脂組成物,且對於製備完成的感光性樹脂組成物進行各評價(相溶性及錐角以外)。結果如表1所示。
(比較例4)
在實施例1中,除了以「使用(ii)具有分支型結構的聚醯胺醯亞胺樹脂(DIC股份有限公司製:UNIDIC EMG-793)100份,而不使用(i)由合成例1所獲得之具有對乙烯基苯酚單體單元與甲基丙烯酸甲酯單體單元的共聚物(A-1)」取代「使用(i)由合成例1所獲得之具有對乙烯基苯酚單體單元與甲基丙烯酸甲酯單體單元的共聚物(A-1)85份;(ii)具有分支型結構的聚醯胺醯亞胺樹脂(DIC股份有限公司製:UNIDIC EMG-793)15份」以外,其餘比照實施例1製備感光性樹脂組成物,且對於製備完成的感光性樹脂組成物進行各評價,但僅進行部分評價(顯影殘膜率、溶劑溶解性)。結果如表1所示。
[表1]
Figure 107104884-A0304-0001
如上述表1所示,可知根據含有「在合成例1~3所獲得的共聚物(A-1)~(A-3)及在合成例4所獲得的均聚物(A-4)之任一者」與「聚醯胺醯亞胺樹脂」二者之實施例1~13的感光性樹脂組成物,可形成耐熱形狀維持性優異的正型光阻膜。
再者,可知實施例1~13的感光性樹脂組成物溶劑溶解性及相溶性良好,曝光靈敏度高,耐藥品性或耐熱透明性優異,進一步其錐角為低角度,難以發生起因於有機絕緣層之段差的電極斷線,而產量高。
另一方面,可知在未含有聚醯胺醯亞胺樹脂的比較例1~3中,其耐熱形狀維持性大幅降低。
並且,可知在未含有共聚物(A-1)~共聚物(A-3)及均聚物(A-4)之任一者的比較例4中,對於顯影液的溶解性高,顯影殘膜率大幅降低。
根據本發明的感光性樹脂組成物,可形成耐熱形狀維持性優異的正型光阻膜。
此外,本發明的感光性樹脂組成物可使用於有機電致發光元件、Micro LED、Micro OLED、觸控面板等。
100A‧‧‧有機電致發光裝置(有機EL裝置)101‧‧‧導電性基板102‧‧‧無機絕緣層103‧‧‧有機絕緣層103T‧‧‧錐面110‧‧‧有機電致發光元件(有機EL元件)111‧‧‧陽極112‧‧‧有機EL層113‧‧‧陰極150‧‧‧密封材151‧‧‧密封層152‧‧‧密封板A‧‧‧錐角T‧‧‧區域
圖1為繪示「使用本發明之感光性樹脂組成物,且具有形成於經過圖案化之有機絕緣層上之有機電致發光元件(有機EL元件)」的有機電致發光裝置之一實施型態的概略剖面圖。 圖2為圖1中放大以虛線圍成之區域T的說明圖。
Figure 107104884-A0101-11-0001-1
101‧‧‧導電性基板
102‧‧‧無機絕緣層
103‧‧‧有機絕緣層
103T‧‧‧錐面
113‧‧‧陰極
A‧‧‧錐角
T‧‧‧區域

Claims (5)

  1. 一種感光性樹脂組成物,其包含具有由下述通式(I)所表示之單體單元的聚合物與聚醯胺醯亞胺,前述聚合物與前述聚醯胺醯亞胺的含量比(聚合物:聚醯胺醯亞胺)以質量基準為90:10~70:30,
    Figure 107104884-A0305-02-0048-1
    (通式(I)中,R1為化學單鍵或亦可具有取代基之碳數1~6的2價烴基,R2為氫原子或亦可具有取代基之碳數1~6的1價烴基)。
  2. 如請求項1所述之感光性樹脂組成物,其中前述聚醯胺醯亞胺為具有分支型結構的聚醯胺醯亞胺。
  3. 如請求項1或2所述之感光性樹脂組成物,其中前述聚醯胺醯亞胺的數量平均分子量為1000以上且30000以下。
  4. 如請求項1或2所述之感光性樹脂組成物,其中前述聚合物為更具有(甲基)丙烯酸酯單體單元的共聚物。
  5. 如請求項1或2所述之感光性樹脂組成物,其更包含感光劑與交聯劑。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019146436A1 (ja) * 2018-01-26 2019-08-01 日本ゼオン株式会社 感光性樹脂組成物及びレンズ
JP2022029427A (ja) * 2020-08-04 2022-02-17 信越化学工業株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016171179A1 (ja) * 2015-04-24 2016-10-27 東レ株式会社 樹脂組成物、それを用いた半導体素子の製造方法および半導体装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6238840B1 (en) * 1997-11-12 2001-05-29 Hitachi Chemical Company, Ltd. Photosensitive resin composition
JP4255633B2 (ja) 2000-11-21 2009-04-15 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
TW200421032A (en) 2003-01-17 2004-10-16 Mitsubishi Gas Chemical Co Resist composition
JP2005053936A (ja) * 2003-06-13 2005-03-03 Jsr Corp 光硬化性液状樹脂組成物
TW200602427A (en) * 2004-03-30 2006-01-16 Taiyo Ink Mfg Co Ltd Thermosetting resin composition and multilayered printed wiring board comprising the same
JP2006162791A (ja) * 2004-12-03 2006-06-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、並びにそれを用いた半導体装置及び表示素子
JP2008083359A (ja) * 2006-09-27 2008-04-10 Jsr Corp 感光性樹脂組成物及び硬化膜
JP5061703B2 (ja) 2007-04-25 2012-10-31 東レ株式会社 感光性樹脂組成物
JP5129598B2 (ja) 2008-02-08 2013-01-30 旭化成イーマテリアルズ株式会社 重縮合化合物及びポジ型感光性樹脂組成物
EP2479612B1 (en) * 2009-09-14 2016-12-07 Nissan Chemical Industries, Ltd. Photosensitive resin composition containing copolymer
JP2011071424A (ja) 2009-09-28 2011-04-07 Nippon Zeon Co Ltd 薄膜トランジスタ
TWI430024B (zh) * 2010-08-05 2014-03-11 Asahi Kasei E Materials Corp A photosensitive resin composition, a method for manufacturing a hardened bump pattern, and a semiconductor device
JP2014029766A (ja) 2012-07-31 2014-02-13 Nippon Zeon Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US8822130B2 (en) * 2012-11-19 2014-09-02 The Texas A&M University System Self-assembled structures, method of manufacture thereof and articles comprising the same
TWI688475B (zh) * 2014-10-16 2020-03-21 日商太陽油墨製造股份有限公司 層合結構體、乾薄膜及可撓性印刷配線板
WO2016084694A1 (ja) * 2014-11-27 2016-06-02 東レ株式会社 樹脂および感光性樹脂組成物
CN107407876A (zh) 2015-03-06 2017-11-28 东丽株式会社 感光性树脂组合物及电子部件
CN107850847B (zh) 2015-08-05 2021-04-13 太阳油墨制造株式会社 层叠结构体、干膜和柔性印刷电路板

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016171179A1 (ja) * 2015-04-24 2016-10-27 東レ株式会社 樹脂組成物、それを用いた半導体素子の製造方法および半導体装置

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