TWI723936B - 散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構、製作方法和基板 - Google Patents

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Abstract

本發明公開了一種散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構、製作方法和基板，該散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構包括：介質層，包括上表面和下表面，介質層內部設置有至少一個空腔單元；絕緣層，設置於空腔單元中，空腔單元被絕緣層部分填充；電子元件，一端嵌埋於絕緣層中，另一端外露於空腔單元中，電子元件包括端子；通孔，貫穿於介質層的上表面和下表面，並與端子連通；金屬層，覆蓋在介質層的六個表面和通孔內，分別用於形成屏蔽層和線路層，屏蔽層覆蓋電子元件外露一端，屏蔽層與線路層通過介質層阻隔。本發明的散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構及其製作方法和基板能夠同時實現較好的電磁輻射屏蔽和散熱功能。

Description

散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構、製作方法和基板
本發明涉及半導體封裝技術領域，尤其涉及一種散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構及其製作方法和基板。
電子產品體積日趨輕薄，集成度日益提高，埋入式封裝技術越來越受到青睞，但隨著集成化程度增加，運算能力的提高，對封裝體的散熱性，抗電磁干擾性要求越來越高。
目前，市面上散熱性多採用在電子元件一個表面通過連接銅柱實現；而抗電磁干擾多通過在基板的外部利用金屬封裝外殼實現，但就現有的封裝技術而言散熱和抗電磁干擾的功能並不能兼顧設計。
本發明旨在至少在一定程度上解決相關技術中的技術問題之一。為此，本發明提出一種散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構、製作方法和基板，以下是對本文詳細描述的主題的概述。本概述並非是為了限制請求項的保護範圍。所述技術方案如下：
第一方面，本發明實施例提供了一種散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構，包括：介質層，包括上表面和下表面，所述介質層內部設置有至少一個空腔單元；絕緣層，設置於所述空腔單元中，所述空腔單元被所述絕緣層部分填充；電子元件，一端嵌埋於所述絕緣層中，另一端外露於所述空腔單元中，所述電子元件包括端子；通孔，貫穿於所述介質層的上表面和下表面，並與所述端子連通；金屬層，覆蓋在所述介質層的六個表面和所述通孔中分別用於形成屏蔽層和線路層，所述屏蔽層覆蓋所述電子元件外露一端，所述屏蔽層與所述線路層通過所述介質層阻隔。
根據本發明第一方面實施例的散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構，至少具有以下有益效果：第一方面通過在介質層的六個表面形成屏蔽層達到全方位防電磁輻射的效果，第二方面通過通孔與電子元件的端子連通並引出至上下表面的線路層中實現高效散熱，需要說明的是，位於電子元件端子反面的屏蔽層不僅可以實現電磁屏蔽功能同時具有散熱功能。
可選地，在本發明的一個實施例中，所述介質層至少包括一層，每一層所述介質層表面均設置有線路層。
可選地，在本發明的一個實施例中，覆蓋所述電子元件外露一端的屏蔽層與所述介質層表面的屏蔽層還可以通過通孔連通。
可選地，在本發明的一個實施例中，所述金屬層包括種子層和覆蓋層，所述種子層設置在所述覆蓋層底部。
可選地，在本發明的一個實施例中，所述絕緣層材料為液態感光型介質材料；所述液態感光型介質材料通過高溫可固化。
第二方面，本發明實施例提供一種散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構的製作方法，包括：提供具有通孔和空腔單元的第一介質層，所述第一介質層的四周表面和所述通孔內覆蓋有金屬層；在空腔單元內設置絕緣層，貼裝電子元件至所述絕緣層底部，固化並光刻所述絕緣層露出電子元件端子，其中所述電子元件上端露出所述絕緣層；在所述第一介質層的上表面和下表面形成第一金屬層，並對所述第一金屬層光刻形成第一線路層和第一屏蔽層，所述第一線路層與所述端子和所述通孔連通；所述第一屏蔽層與所述第一介質層的四周表面的金屬層連通。
根據本發明第二方面實施例的散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構的製作方法，至少具有以下有益效果：第一方面通過在介質層的六個表面形成屏蔽層達到全方位防電磁輻射的效果，第二方面通過將電子元件的端子連接至上下表面的線路層中實現高效散熱，需要說明的是，位於電子元件端子反面的屏蔽層不僅可以實現電磁屏蔽功能同時具有散熱功能。
可選地，在本發明的一個實施例中，在空腔單元內設置絕緣層，貼裝電子元件至所述絕緣層底部，固化並光刻所述絕緣層露出電子元件端子還包括：在所述第一介質層下表面層壓膠帶；填充定量絕緣層材料至空腔單元形成絕緣層；貼裝電子元件至所述絕緣層底部；預固化所述絕緣層；移出所述膠帶；高溫固化並光刻所述絕緣層露出電子元件端子。
可選地，在本發明的一個實施例中，形成所述第一金屬層包括：在所述第一介質層上表面形成種子層，所述種子層為金屬和或金屬合金材料；在所述種子層表面形成覆蓋層，所述覆蓋層為具有一定厚度的金屬材料。
可選地，在本發明的一個實施例中，還包括：在所述第N金屬層表面形成第N+1介質層，並對所述第N+1介質層光刻鍍膜形成第N+1金屬層；對所述第N+1金屬層光刻形成第N+1線路層和第N+1屏蔽層，所述第一線路層、……所述第N+1線路層與所述通孔連通，所述第一屏蔽層、……所述第N+1屏蔽層與所述介質層的四周表面的金屬層連通，其中N≥1。
可選地，在本發明的一個實施例中，所述第一屏蔽層與所述第N+1屏蔽層與所述介質層的四周表面的金屬層連通，其中所述第一屏蔽層與所述第N+1屏蔽層連通方式包括以下至少之一：完全刻蝕掉位於所述空腔單元上表面對應的第N+1介質層，填充金屬使得所述第一屏蔽層與所述第N+1屏蔽層通過金屬無縫連接；部分刻蝕掉位於所述空腔單元上表面對應的第N+1介質層形成通孔視窗，填充金屬使得所述第一屏蔽層與所述N+1屏蔽層通過通孔連通。
第三方面，本發明實施例提供一種基板，包括如上第一方面所述的散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構。
根據本發明第三方面實施例的基板，至少具有以下有益效果：第一方面通過在基板的六個表面形成屏蔽層達到全方位防電磁輻射的效果，第二方面通過基板內部通孔與電子元件的端子連通並引出至上下表面的線路層中實現高效散熱，需要說明的是，位於電子元件端子反面的屏蔽層不僅可以實現電磁屏蔽功能同時具有散熱功能。
本發明的其它特徵和優點將在隨後的說明書中闡述，並且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發明而瞭解。本發明的目的和其他優點可通過在說明書、權利要求書以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。
為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本發明，並不用於限定本發明，故不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關係的改變或大小的調整，在不影響本發明所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本發明所揭示的技術內容得能涵蓋的範圍內。
本部分將詳細描述本發明的具體實施例，本發明之較佳實施例在附圖中示出，附圖的作用在於用圖形補充說明書文字部分的描述，使人能夠直觀地、形象地理解本發明的每個技術特徵和整體技術方案，但其不能理解為對本發明保護範圍的限制。
在發明的描述中，若干的含義是一個或者多個，多個的含義是兩個及兩個以上，大於、小於、超過等理解為不包括本數，以上、以下、以內等理解為包括本數。如果有描述到第一、第二只是用於區分技術特徵為目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特徵的數量或者隱含指明所指示的技術特徵的先後關係。
參照圖1，本發明提供了一種散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構，包括：介質層100，包括上表面和下表面，所述介質層100內部設置有至少一個空腔單元130；絕緣層200，設置於所述空腔單元130中，所述空腔單元130被所述絕緣層200部分填充；電子元件300，一端嵌埋於所述絕緣層200中，另一端外露於所述空腔單元130中，所述電子元件300包括端子310；通孔400，貫穿於所述介質層100的上表面和下表面，並與所述端子310連通；金屬層500，覆蓋在所述介質層100的六個表面和所述通孔400中分別用於形成屏蔽層510和線路層520，所述屏蔽層510覆蓋所述電子元件300外露一端，所述屏蔽層510與所述線路層520通過所述介質層100阻隔。
在一個實施例中，介質層100內部設置有一個或多個空腔單元130，空腔單元130可以是陣列排布也可以是非陣列排布，根據所需電子元件300的數量要求進行設置，空腔單元130形成後進行絕緣層200填充，絕緣層200並未填滿空腔單元130，而預留有一定空間用於放置電子元件300和覆蓋金屬，電子元件300按照是否有接線端子310分為正面和反面，正面具有接線端子310置於絕緣層200底部接近空腔單元130下表面，反面外露於絕緣層200之上，金屬層500包括屏蔽層510和線路層520，屏蔽層510覆蓋在介質層100的四周以及上下六個表面，並且還覆蓋在電子元件300反面的上部，通過屏蔽層510的設置可以達到全方位防電磁輻射的效果；另外在介質層100的內部設置有通孔400，通孔400與電子元件300的接線端子310連通，並延伸至介質層100的上表面和下表面的的線路層520，相對於電子元件300單面散熱的技術，通過通孔400和介質層100上表面和下表面的線路層520連通的散熱方式增加了電子元件300的散熱面積，提高散熱效率，並且電子元件300反面覆蓋的屏蔽層510同樣具有散熱功能，更進一步提高了電子元件300的散熱效率；再次利用絕緣層200材料進行空腔單元130預填充，不需要經過貼片後的層壓再減薄工藝，大大縮短了生產週期，降低了生產成本，同時降低了材料的使用量，減少了對環境的污染。
需要說明的是，電子元件300包括但不限於器件、晶片，可以是有源器件也可以是無源器件，可以是獨立的晶片或器件，也可以是多顆晶片或者器件的組合，按用途分類可以是不同的功率器件，還可以是射頻或邏輯晶片，晶片或器件的種類和數量可根據實際需求按照3D背靠背堆疊多顆晶片的組合，也可以是上下左右單層陣列組合設計。電子元件300可以正面向下安裝於空腔單元130中，通過與下表面線路層520連通進行導電和散熱，還可以反面安裝於空腔單元130中，此時，端子310向上可與上表面設置的線路層520連通進行導電和散熱，電子元件300具體的安裝方向可依據設計需求進行設置，均屬於本發明的保護範圍。
參照圖14，本發明的一個實施例提供了一種散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構，所述介質層100至少包括一層，每一層所述介質層100表面均設置有線路層520。
在一個實施例中，介質層100可以是單層，實現單層電子元件300的嵌埋封裝，也可以是多層，實現疊層電子元件300的嵌埋封裝，在每一層介質層100表面均設置有線路層520，各層介質層100之間的線路層520通過通孔400連通，並最終在最外層介質層100的上表面或者下表面以及四周表面形成屏蔽層510及線路層520，實現屏蔽、散熱和電性介面引出功能。
本發明的一個實施例提供了一種散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構，覆蓋所述電子元件300外露一端的屏蔽層510與所述介質層100表面的屏蔽層510還可以通過通孔400連通。
參照圖10和圖13，在一個實施例中，覆蓋所述電子元件300外露一端的屏蔽層510與介質層100表面的屏蔽層510可以是一塊整體的金屬層500，也可以在金屬層500中間間隔填充介質層100，使得原本連接在一起的金屬層500中間形成金屬通孔400進行連通，同樣可以達到屏蔽和散熱的功能，並且通過間隔介質層100填充的方式還可以降低金屬與電子元件300表面因熱膨脹係數不同而造成的應力損傷。
參照圖6至圖13，本發明的一個實施例提供了一種散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構，所述金屬層500包括種子層530和覆蓋層540，所述種子層530設置在所述覆蓋層540底部。
在一個實施例中，金屬層500由相對厚度較薄的種子層530和相對厚度較厚的覆蓋層540組成，種子層530設置在覆蓋層540底部，種子層530可以為覆蓋層540提供良好的覆蓋基礎，提高覆蓋層540的品質，種子層530可以是但不限於鈦、銅、鈦鎢合金等金屬材料，覆蓋層540可以但不限於是金屬銅。
參照圖1，本發明的一個實施例提供了一種散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構，所述絕緣層200為液態感光型介質材料，通過高溫可固化。
在一個實施例中，絕緣層200為液態感光型介質材料，可以通過點膠，印刷等方式進行填充，液態感光型介質材料具有高溫固化的性能，液態狀態時方便調整電子元件300的貼裝位置以及露出高度，調整好進行固化可以將電子元件300安裝的更加精准，絕緣層200材料可以但不限於是油墨，另外，利用液態感光型介質材料進行空腔單元130預填充，不需要經過貼片後的層壓再減薄工藝，大大縮短了生產週期，降低了生產成本，同時降低了材料的使用量，減少了對環境的污染。
基於上述散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構，提出本發明的散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構的製作方法的各個實施例。
參照圖2，本發明的另一個實施例還提供了一種散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構的製作方法的流程圖，該方法包括但不限於以下步驟：
步驟S100，提供具有通孔400和空腔單元130的第一介質層110，所述第一介質層110的四周表面和所述通孔400內覆蓋有金屬層500；
如圖3所示，利用第一介質層110製作有機框架，框架包括內部至少一個貫穿通孔400和至少一個空腔單元130，空腔單元130的體積和數量根據需要埋入的電子元件300的大小和設計需求設置，通孔400的數量和位置可以根據電子元件300的位置和散熱量進行設置。
步驟S200，在空腔單元130內設置絕緣層200，貼裝電子元件300至所述絕緣層200底部，固化並光刻所述絕緣層200露出電子元件300端子310，其中所述電子元件300上端露出所述絕緣層200，對步驟S200進一步細化，該步驟S200包括但不限於：在所述第一介質層110下表面層壓膠帶600；填充定量感光型液態介質材料至空腔單元130形成絕緣層200；貼裝電子元件300至所述絕緣層200底部；預固化所述絕緣層200；移出所述膠帶600；高溫固化並光刻所述絕緣層200露出電子元件300端子310。
如圖4和圖5所示，在圖4中，在第一介質層110下表面層壓膠帶600，使空腔單元130底部密封，填充由液態感光型介質材料組成的絕緣層200，液態材料填充利於控制絕緣層200的填充量和填充高度，方便電子元件300安裝，另外不需要經過貼裝電子元件300後的層壓再減薄工藝，大大縮短了生產週期降低了成本，最後貼裝電子元件300至絕緣層200底部，其中電子元件300的端子310面朝下，接近第一介質層110下表面，電子元件300頂部高於絕緣層200方便後續與金屬層500連接進行散熱和屏蔽。在圖5中，對填充好的絕緣層200進行預固化，目的是使液態絕緣層200凝固，方便移出膠帶600，預固化溫度不會造成膠帶600的損傷，移出膠帶600後對絕緣層200進行高溫固化，進一步在固化後的絕緣層200表面進行光刻露出電源元件的端子310。
需要說明的是，膠帶600起承載作用，膠帶600不需經過高溫固化處理，降低了對承載膠帶600的高性能要求，降低生產成本，且因不需要對承載膠帶600進行高溫處理，可實現對承載膠帶600多次重複利用，區別於以往電子元件300與承載膠帶600直接接觸並高溫固化，在去除膠帶600時往往會在電子元件300表面產生一定比例的殘膠報廢，此方法因高溫固化時不需與膠帶600直接接觸，消除了電子元件300殘膠的風險，提升了產品良率。
步驟S300，在所述第一介質層110的上表面和下表面形成第一金屬層501，並對所述第一金屬層501光刻形成第一線路層521和第一屏蔽層511，所述第一線路層521與所述端子310和所述通孔400連通，所述第一屏蔽層511與所述第一介質層110的四周表面的金屬層500連通。
如圖6所示，在一個實施例中，形成所述第一金屬層501包括：
在所述第一介質層110上表面形成種子層530，所述種子層530為金屬和或金屬合金材料；
在所述種子層530表面形成覆蓋層540，所述覆蓋層540為具有一定厚度的金屬材料。
如圖6所示，通過化學鍍銅或濺射的方式在步驟S200的基礎上在第一介質層110的上表面和下表面整面形成一層較薄的金屬種子層530，常用的種子層530金屬是鈦、銅、鈦鎢合金，但不僅限於上述金屬，進一步在金屬種子層530上電鍍金屬覆蓋層540，考慮金屬的良好的導電導熱性，選用銅金屬進行電鍍，通過填孔電鍍工藝將空腔單元130以及所有金屬種子層530上形成一定厚度的銅金屬，目的是為了讓電子元件300的背面以及絕緣層200上方側壁部分都包覆金屬，並將電子元件300與四周表面的金屬層500相連，能更好的將熱量傳導至封裝體的外表面，有效降低器件的工作溫度。
在本發明的一些實施例中，種子層530可以為覆蓋層540提供良好的覆蓋基礎，提高覆蓋層540的品質，因此在本發明的一個實施例中，優選的，種子層530厚度為1000奈米，覆蓋層540厚度為8000奈米，種子層530和蓋層540的厚度是相對設計，設計的具體厚度參數值滿足實際工藝和設計需求即可，都屬於本發明的保護範圍。
如圖7所示，對第一金屬層501光刻形成第一線路層521和第一屏蔽層511，在第一金屬層501表面貼附光刻膠或者感光幹膜，通過對光刻膠或者感光幹膜曝光、顯影的方式形成線路圖案，通過蝕刻的方式去除圖案對應部分的覆蓋層540和種子層530，形成第一線路層521和第一屏蔽層511，第一線路層521與電子元件300的端子310相連通並且位於第一介質層110的兩端表面，可以實現電子元件300電氣引腳的外部引出，方便後續進一步對電子元件300的電氣電通或者測試，而第一屏蔽層511則與第一介質層110四周表面的金屬層500直接連通，實現防止電磁干擾和散熱的作用。最後通過退膜的方式將光刻膠或感光幹膜去除。
參照圖8至圖10，本發明的另一個實施例提供的一種散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構的製作方法，還可以包括以下步驟：
在所述第一金屬層501表面形成第二介質層120，並對所述第二介質層120光刻鍍膜形成第二金屬層502，在圖8中，在步驟S300基礎上的第二介質層120包括上下兩部分，在上下兩部分第二介質層120的外側表面貼附光刻膠或者感光乾膜，對光刻膠或者感光乾膜進行光刻形成金屬通孔400，再電鍍形成金屬柱和四周表面金屬層500，先壓合第二介質層120材料，使連接更穩固，再利用等離子蝕刻或拋光等工藝減薄第二介質層120材料，露出金屬柱上下表面和介質材料上下表，在圖9中，通過化學電鍍或者物理濺射的方式在第二介質層120材料四周和上下表面上形成第二金屬層502，第二金屬層502包括金屬種子層530和覆蓋層540，進一步通過圖形電鍍或負片蝕刻的方式對所述第二金屬層502光刻形成第二線路層522和第二屏蔽層512，所述第一線路層521與所述第二線路層522與所述通孔400連通，所述第一屏蔽層511、所述第二屏蔽層512與所述第一介質層110的四周表面的金屬連通，如圖10所示，在外層兩面塗覆或壓合阻焊材料，阻焊材料為不導電的介質材料，通過曝光和顯影在阻焊材料開出特定的阻焊開窗700。線路層520與電子元件300連通，通過阻焊開窗700將線路層520和屏蔽層510隔離，可以實現內部電子器件的電性引腳與四周表面屏蔽層510之間的電性隔離，從而進行內部電子器件的佈局和測試。
參照圖14，在本發明的一個實施例中，還可以設置成多層封裝結構，即，在所述第N金屬層500表面形成第N+1介質層100，並對所述第N+1介質層100光刻鍍膜形成第N+1金屬層500；
對所述第N+1金屬層500光刻形成第N+1線路層520和第N+1屏蔽層510，所述第一線路層521、……所述第N+1線路層520與所述通孔400連通，所述第一屏蔽層511、……所述第N+1屏蔽層510與所述介質層100的四周表面的金屬連通，其中N≥1。本發明的散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構層數可以根據布板佈線層數的需求設置多層，其中內部線路層520之間通過內部通孔400最終連通至最外層介質層100的表面，屏蔽層510通過各個介質層100四周表面的金屬層500和內部通孔400進行連通。
參考圖8至圖13，本發明的另一個實施例提供的一種散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構的製作方法，所述第一屏蔽層511、所述第二屏蔽層512與所述第一介質層110的四周表面的金屬連通，其中所述第一屏蔽層511與所述第二屏蔽層512連通方式包括以下至少之一：
完全刻蝕掉位於所述空腔單元130上表面對應的第二介質層120，使得所述第一屏蔽層511與所述第二屏蔽層512無縫連接，如上述實施例描述的圖8至圖10所示。
在一個實施例中，所述第一屏蔽層511與所述第二屏蔽層512連通方式還可以是：部分刻蝕掉位於所述空腔單元130上表面對應的第二介質層120，使得所述第一屏蔽層511與所述第二屏蔽層512填充第二介質層120，如圖11所示，在步驟S300基礎上的第二介質層120的上下表面貼附光刻膠或者感光乾膜，對光刻膠或者感光乾膜進行光刻形成金屬通孔400，所述金屬通孔400既包括與線路層520連接的金屬通孔400，也包括位於空腔單元130上表面金屬層500的金屬通孔400，再電鍍形成金屬柱和四周表面金屬層500，壓合第二介質層120材料，利用等離子蝕刻或拋光等工藝減薄第二介質層120材料，露出金屬通孔400的上表面或者下表面以及第二介質層120的上表面和下表面，如圖12所示，通過化學電鍍或者物理濺射的方式在第二介質層120材料表面上形成第二金屬層502，包括金屬種子層530和覆蓋層540，進一步通過圖形電鍍或負片蝕刻的方式形成第二線路層522和第二屏蔽層512，需要說明的是，位於空腔單元130上表面的第二屏蔽層512通過金屬填充通孔400的方式與垂直方向的第一屏蔽層511相通，通過金屬通孔400與介質間隔設置的連通關係有助於電子元件300表面應力的均勻擴散，提高封裝結構的整體應力效果，在圖13所示，在外層兩面塗覆或壓合阻焊材料，阻焊材料為不導電的介質材料，通過曝光和顯影在阻焊材料開出特定的阻焊開窗700。線路層520與電子元件300連通，通過阻焊開窗700將線路層520和屏蔽層510隔離，可以實現內部電子器件的電性引腳與四周表面屏蔽層510之間的電性隔離，從而進行內部電子器件的佈局和測試。
本發明的另一個實施例還提供了一種基板，該基板包括如上任一個實施例中的散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構。
以上是對本發明的較佳實施進行了具體說明，但本發明並不局限於上述實施方式，熟悉本領域的技術人員在不違背本發明精神的前提下還可作出種種的等同變形或替換，這些等同的變形或替換均包含在本發明權利要求所限定的範圍內。
100:介質層
110:第一介質層
120:第二介質層
130:空腔單元
200:絕緣層
300:電子元件
310:端子
400:通孔
500:金屬層
501:第一金屬層
502:第二金屬層
510:屏蔽層
511:第一屏蔽層
512:第二屏蔽層
520:線路層
521:第一線路層
522:第二線路層
530:種子層
540:覆蓋層
600:膠帶
700:阻焊開窗
S100:步驟
S200:步驟
S300:步驟
附圖用來提供對本發明技術方案的進一步理解，並且構成說明書的一部分，與本發明的實施例一起用於解釋本發明的技術方案，並不構成對本發明技術方案的限制。 圖1是本發明一個實施例提供的散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構的截面圖。 圖2是本發明另一個實施例提供的散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構的製作方法的步驟流程圖。 圖3是本發明另一個實施例提供的散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構的製作方法中步驟S100對應的截面圖。 圖4至圖5是本發明另一個實施例提供的散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構的製作方法中步驟S200對應的截面圖。 圖6至圖7是本發明另一個實施例提供的散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構的製作方法中步驟S300對應的截面圖。 圖8至圖9是本發明另一個實施例提供的散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構的製作方法中間狀態對應的截面圖。 圖10是本發明另一個實施例提供的散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構的截面圖。 圖11至圖12是本發明另一個實施例提供的散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構的製作方法中間狀態對應的截面圖。 圖13是本發明另一個實施例提供的散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構的截面圖。 圖14是本發明另一個實施例提供的散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構的截面圖。
100:介質層
130:空腔單元
200:絕緣層
300:電子元件
310:端子
400:通孔
500:金屬層
510:屏蔽層
520:線路層

Claims (5)

  1. 一種散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構的製作方法，其特徵在於，包括以下步驟：提供具有通孔和空腔單元的第一介質層，所述第一介質層的四周表面和所述通孔內覆蓋有金屬層；在空腔單元內設置絕緣層，貼裝電子元件至所述絕緣層底部，固化並光刻所述絕緣層露出電子元件的端子，其中所述電子元件上端露出所述絕緣層；在所述第一介質層的上表面和下表面形成第一金屬層，並對所述第一金屬層光刻形成第一線路層和第一屏蔽層，所述第一線路層與所述端子和所述通孔連通；所述第一屏蔽層與所述第一介質層的四周表面的金屬層連通。
  2. 如請求項1所述的散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構的製作方法，在空腔單元內設置絕緣層，貼裝電子元件至所述絕緣層底部，固化並光刻所述絕緣層露出電子元件的端子包括：在所述第一介質層下表面層壓膠帶；填充定量絕緣層材料至空腔單元形成絕緣層；貼裝電子元件至所述絕緣層底部；預固化所述絕緣層；移出所述膠帶；高溫固化並光刻所述絕緣層露出電子元件的端子。
  3. 如請求項1所述的散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構的製作方法，形成所述第一金屬層包括：在所述第一介質層上表面形成種子層，所述種子層為金屬和或金屬合金材 料；在所述種子層表面形成覆蓋層，所述覆蓋層為具有一定厚度的金屬材料。
  4. 如請求項1至3中任一項所述的散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構的製作方法，還包括：在所述第N金屬層表面形成第N+1介質層，並對所述第N+1介質層光刻鍍膜形成第N+1金屬層；對所述第N+1金屬層光刻形成第N+1線路層和第N+1屏蔽層，所述第一線路層、……所述第N+1線路層與所述通孔連通，所述第一屏蔽層、……所述第N+1屏蔽層與所述介質層的四周表面的金屬層連通，其中N
    Figure 109128048-A0305-02-0019-1
    1。
  5. 如請求項4所述的散熱兼電磁屏蔽嵌埋封裝結構的製作方法，所述第一屏蔽層與所述第N+1屏蔽層與所述介質層的四周表面的金屬層連通，其中所述第一屏蔽層與所述第N+1屏蔽層連通方式包括以下至少之一：完全刻蝕掉位於所述空腔單元上表面對應的第N+1介質層，填充金屬使得所述第一屏蔽層與所述第N+1屏蔽層通過金屬無縫連接；部分刻蝕掉位於所述空腔單元上表面對應的第N+1介質層形成通孔視窗，填充金屬使得所述第一屏蔽層與所述N+1屏蔽層通過通孔連通。
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