CN101409273B - 封装基板的植球侧表面结构及其制法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种封装基板的植球侧表面结构，该封装基板具有两相对的置晶侧及植球侧，于该置晶侧及植球侧分别具有第一及第二线路层，于该封装基板的置晶侧及第一线路层上形成有第一绝缘保护层，该植球侧表面结构包括：金属垫，为该第二线路层的一部分；金属凸缘，环设于该金属垫上；以及第二绝缘保护层，位于该封装基板的植球侧上，并具有小于该金属凸缘外径尺寸的第二开孔，以露出该金属凸缘的部分表面。藉以增加该表面结构供导电元件接着的接触面积，从而避免位于该表面结构表面的导电元件因结合力不足产生脱落的情况。本发明复提供一种封装基板的植球侧表面结构的制法。
Description
技术领域
本发明涉及一种封装基板的植球侧表面结构及其制法，尤指一种电性连接垫表面具有金属凸缘的封装基板。
背景技术
随着电子产业的蓬勃发展，电子产品亦逐渐迈入多功能、高性能的研发方向。为满足半导体封装件高积集度(Integration)以及微型化(Miniaturization)的封装需求，承载半导体芯片的封装基板，逐渐由单层板演变成多层板(Multi-layer Board)，从而于有限的空间下，通过层间连接技术(Interlayer Connection)以扩大封装基板上可利用的线路面积，以因应高电子密度的集成电路(IntegratedCircuit)的使用需求。
目前用以承载半导体芯片的封装基板包括有打线式封装基板(PBGA)、芯片尺寸封装(CSP)基板及覆晶基板(FCBGA)等，以下是以覆晶基板供半导体芯片封装举例说明，如图1所示，覆晶技术使提供一封装基板11，其包括置晶侧(chip disposing side)的第一表面11a及植球侧(ball disposing side)的第二表面11b，于该第一表面11a表面具有多个提供电性连接一半导体芯片12的第一电性连接垫111，该第一电性连接垫111表面形成有由焊料所制成的第一导电元件13a，又于该第二表面11b表面具有提供电性连接其它电子装置如印刷电路板的第二电性连接垫112，于该第二电性连接垫112表面形成有由焊料所制成的第二导电元件13b，而该半导体芯片12具有多个电极垫121，于该电极垫121表面形成有金属凸块14，以将该半导体芯片12的金属凸块14以覆晶方式对应于封装基板11的第一导电元件13a，并在足以使该第一导电元件13a熔融的回焊温度条件下，将第一导电元件13a回焊至相对应的金属凸块14，使该半导体芯片12电性连接该封装基板11。
但是，该封装基板11的第二表面11b上的第二电性连接垫112与第二导电元件13b之间的接触面积局限于该第二电性连接垫112露出的面积大小，使该第二导电元件13b与第二电性连接垫112之间接触面积不足而降低其间的结合力，导致该第二导电元件13b容易产生脱落；如目前封装基板11用以提供与印刷电路板电性连接的第二电性连接垫112的间距由800μm缩小至300μm，第二电性连接垫112的开孔孔径由500μm缩小至250μm，该用以电性连接的面积仅剩1/4导致导电元件结合力严重降低。
请参阅图2A至图2E，为现有增加该封装基板的植球侧表面的电性连接垫与导电元件之间接触面积的制法，是于封装基板20的植球侧表面具有电性连接垫201，且于该表面及电性连接垫201表面形成有绝缘保护层21，于该绝缘保护层21中形成有开孔210以露出该电性连接垫201的部分表面，如图2A所示；于该绝缘保护层21上及电性连接垫201的露出表面形成有一导电层22，如图2B所示；接着于该导电层22上形成有一阻层23，且该阻层23经曝光显影的图案化制程以形成环状开口230，以露出该电性连接垫201上及该绝缘保护层21开孔210周缘的导电层22，如图2C所示；之后通过该导电层22作为电镀的电流传导路径以于该环状开口230中电镀形成贴靠在该绝缘保护层21的开孔210周缘的凸缘24，如图2D所示；最后，移除该阻层23及其所覆盖的导电层22，以露出该凸缘24及电性连接垫201的部分表面，如图2E所示。
但是，该凸缘24与电性连接垫201之间具有导电层22，该凸缘24并非直接与该电性连接垫201结合，即该凸缘24与电性连接垫201之间并非一体，而降低该凸缘24与电性连接垫201之间的结合强度；此外，该制程仅能形成凸缘24贴靠在该绝缘保护层21的开孔210周缘的结构特征，使后续形成于该凸缘24与电性连接垫201上的如锡球的导电元件于有限空间下所能增加的接触面积有限，导致该锡球容易产生脱落的情况。另外，因对位偏移问题，易使内部侧壁厚度不一致而影响侧壁凸缘的形成。
因此，如何提供一种电性连接垫与导电元件之间增加结合力的结构，以避免现有技术中该导电元件因结合面积降低导致脱落的问题，实已成为目前业界亟待克服的难题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的主要目的是提供一种封装基板的植球侧表面结构及其制法，能增加该表面结构供导电元件接着的接触面积。
本发明的又一目的是提供一种封装基板的植球侧表面结构及其制法，能增加该表面结构与导电元件之间的结合力。
为达到上述及其它目的，本发明提供一种封装基板的植球侧表面结构，该封装基板具有两相对的置晶侧及植球侧，于该置晶侧及植球侧分别具有第一及第二线路层，于该封装基板的置晶侧及第一线路层上形成有第一绝缘保护层，该植球侧表面结构包括：金属垫，为该第二线路层的一部分；金属凸缘，环设于该金属垫上；以及第二绝缘保护层，位于该封装基板的植球侧上，并具有小于该金属凸缘外径尺寸的第二开孔，以露出该金属凸缘的部分表面。
本发明复提供另一种封装基板的植球侧表面结构，该封装基板具有两相对的置晶侧及植球侧，于该置晶侧及植球侧分别具有第一及第二线路层，于该封装基板的置晶侧及第一线路层上形成有第一绝缘保护层，该植球侧表面结构包括：金属垫，为该第二线路层的一部分；金属凸缘，环设于该金属垫上；以及第二绝缘保护层，位于该封装基板的植球侧上，并具有大于该金属垫尺寸的第二开孔以露出该金属凸缘及金属垫。
依上述的结构，位于该金属垫及金属凸缘上具有表面处理层或导电元件，其中该表面处理层为有机保焊剂(OSP)、镍/金(Ni/Au)、镍/钯/金(Ni/Pd/Au)、锡/铅(Sn/Pb)的其中一者，或该表面处理层为金(Au)、银(Ag)、锡(Sn)及铜(Cu)所组群组的其中一者；而该导电元件为锡球；又位于该封装基板表面与金属垫之间具有导电层。
本发明复提供一种封装基板的植球侧表面结构的制法，包括：提供一核心板，并于该核心板的两相对表面形成有第一金属层及第二金属层；于该第二金属层上电镀形成金属块；于该第一金属层上形成第三阻层，并形成有第三开口以露出该第一金属层的部分表面，且于该第二金属层及金属块上形成第四阻层，并形成第四开口以露出该第二金属层的部分表面及第五开口以露出该金属块的部分表面；移除该第三及第四阻层的第三及第四开口中的第一及第二金属层，以于该核心板的两相对表面分别形成第一线路层、第二线路层及金属垫，并移除该第五开口中的金属块，以形成金属凸缘环设于该金属垫上；移除该第三及第四阻层；于该核心板及第一线路层上形成有第一绝缘保护层，且形成有第一开孔以露出该第一线路层的部分表面而成为电性连接垫；以及于该核心板、第二线路层及其上的金属垫上形成第二绝缘保护层，该第二绝缘保护层形成有第二开孔，以露出该金属凸缘的部分表面。
依上述的制法，该第二开孔不大于该金属凸缘的外径，或该第二开孔大于该金属垫的外径。
该核心板为表面具有介电层的两层或多层线路板或绝缘板；该金属凸缘的外形为圆形、椭圆形、矩形及不规则形的其中一者；该金属垫的外形为圆形、椭圆形、矩形及不规则形的其中一者；该金属凸缘的外径不大于该金属垫的外径。
该第二金属层上电镀形成金属块的制法，包括：于该第一金属层及第二金属层上分别形成第一及第二阻层，且该第二阻层形成有第二开口以露出该第二金属层的部分表面；于该第二阻层的第二开口中的第二金属层上电镀形成金属块；以及移除该第一及第二阻层以露出该第一、第二金属层及金属块。
依上述的制法，复包括该第五开口中的金属块是移除部分上表面以于该金属垫上形成一金属层，于该金属凸缘及金属层上形成有表面处理层，该表面处理层为有机保焊剂(OSP)、镍/金(Ni/Au)、镍/钯/金(Ni/Pd/Au)、锡/铅(Sn/Pb)的其中一者，或该表面处理层为金(Au)、银(Ag)、锡(Sn)及铜(Cu)所组群组的其中一者，复包括于该表面处理层上形成有为锡球的导电元件；或于该金属凸缘及金属层上形成有为锡球的导电元件。
本发明复提供另一实施例，复包括该第五开口中的金属块完全被移除以露出该金属垫的部分表面，于该金属凸缘及金属垫上形成有表面处理层，该表面处理层为有机保焊剂(OSP)、镍/金(Ni/Au)、镍/钯/金(Ni/Pd/Au)、锡/铅(Sn/Pb)的其中一者，或该表面处理层为金(Au)、银(Ag)、锡(Sn)及铜(Cu)所组群组的其中一者，复包括于该表面处理层上形成有为锡球的导电元件；或于该金属凸缘及金属垫上形成有为锡球的导电元件。
本发明复提供另一种封装基板的植球侧表面结构的制法，包括：提供一核心板；于该核心板表面形成有导电层；于该核心板两表面的导电层上分别形成有第一及第二阻层，且该第一及第二阻层形成有第一及第二开口以露出该导电层的部分表面；于该核心板两表面的第一及第二阻层的第一及第二开口中分别电镀形成第一线路层及第二线路层，其中该第二线路层并具有金属垫；于该第一阻层及第一线路层表面形成有第三阻层，又于该第二阻层及第二线路层表面形成有第四阻层，且该第四阻层形成有环状开口以露出该金属垫部分表面；该导电层作为电流传导路径，以于该金属垫表面电镀形成金属凸缘；移除该第二阻层、第一阻层及其所覆盖的导电层，并移除该第四阻层、第三阻层及其所覆盖的导电层，从而以露出该第一线路层、第二线路层及其金属垫上的金属凸缘；于该核心板及第一线路层上形成有第一绝缘保护层，且形成有第一开孔以露出该第一线路层的部分表面而成为电性连接垫；以及于该核心板、第二线路层及其上的金属垫上形成第二绝缘保护层，该第二绝缘保护层形成有第二开孔，以露出该金属凸缘的部分表面。
依上述的制法，该第二开孔不大于该金属凸缘的外径，或该第二开孔大于该金属垫的外径。
该核心板为表面具有介电层的两层或多层线路板、铜箔基板(Copper Clad Laminates，CCL)及绝缘板的其中一者；该金属凸缘的外形为圆形、椭圆形、矩形及不规则形的其中一者；该金属垫的外形为圆形、椭圆形、矩形及不规则形的其中一者；该金属凸缘的外径不大于该金属垫的外径。
又依上述的制法，复包括于该金属凸缘及金属垫上形成有表面处理层，该表面处理层为有机保焊剂(OSP)、镍/金(Ni/Au)、镍/钯/金(Ni/Pd/Au)、锡/铅(Sn/Pb)的其中一者，或该表面处理层为金(Au)、银(Ag)、锡(Sn)及铜(Cu)所组群组的其中一者；复包括于该表面处理层上形成有为锡球的导电元件；或于该金属凸缘及金属垫上形成有为锡球的导电元件。
本发明的封装基板的植球侧表面结构，是于该金属垫表面形成有金属凸缘，使该金属垫表面具有较大的接触面积，此外，亦可通过调整绝缘保护层的开孔形式，从而使位于该电性连接垫表面的导电元件增加结合面积，且于该金属垫与金属凸缘之间并无现有的导电层，从而提高该金属垫与金属凸缘之间的结合强度，使后续形成于该金属垫与金属凸缘上的导电元件避免产生脱落。
附图说明
图1为现有技术于封装基板表面接置半导体芯片的示意图；
图2A至图2E为现有封装基板的电性连接垫上形成凸缘的制法剖视图；
图3A至图3H为本发明封装基板的植球侧表面结构的第一实施例制法剖视图；
图3F’为图3F的另一实施例；
图3H’为图3H的另一实施例；
图4A至图4G为本发明封装基板的植球侧表面结构的第二实施例制法剖视图；
图4G’为图4G的另一实施例；
图5A为绝缘保护层定义电性连接垫的金属垫及金属凸缘上形成有表面处理层的实施例；
图5B为图5A的表面处理层上形成有导电元件的实施例；
图5C为绝缘保护层定义电性连接垫的金属垫及金属凸缘上形成有导电元件的实施例；
图6A为非绝缘保护层定义电性连接垫金属垫及金属凸缘上形成有表面处理层的实施例；
图6B为图6A的表面处理层上形成有导电元件的实施例；以及
图6C为该非绝缘保护层定义电性连接垫金属垫及金属凸缘上形成有导电元件的实施例。
元件符号简单说明
11、20、3封装基板
11a 第一表面
11b 第二表面
111 第一电性连接垫
112 第二电性连接垫
12 半导体芯片
121 电极垫
13a 第一导电元件
13b 第二导电元件
14 金属凸块
201 电性连接垫
21 绝缘保护层
210 开孔
22、301导电层
23 阻层
230、320d环状开口
24 凸缘
3a 置晶侧
3b 植球侧
30 核心板
310b’金属垫
31a 第一金属层
31a’第一线路层
31b 第二金属层
31b’第二线路层
32a 第一阻层
320a 第一开口
32b 第二阻层
320b 第二开口
32c 第三阻层
320c 第三开口
32d 第四阻层
320d 第四开口
321d 第五开口
33 金属块
33’ 金属凸缘
331’ 金属层
34a 第一绝缘保护层
340a 第一开孔
34b 第二绝缘保护层
340b、340b’ 第二开孔
35 表面处理层
36 导电元件
37a 绝缘保护层定义电性连接垫(SMD Pad)
37b 非绝缘保护层定义电性连接垫(SMD Pad)
具体实施方式
以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点及功效。
第一实施例
请参阅图3A至图3H，是显示本发明的封装基板的植球侧表面结构制法第一实施例的剖面示意图。
如图3A所示，首先提供一核心板30，并于该核心板30的两相对表面形成有第一金属层31a及第二金属层31b，该核心板30为表面具有介电层的两层或多层线路板或绝缘板。有关于线路板的制程技术繁多，但是乃业界所周知的制程技术，其非本案技术特征，故未再予赘述。
如图3B所示，于该第一金属层31a及第二金属层31b上分别形成第一及第二阻层32a、32b，该第一及第二阻层32a、32b可为一例如干膜或液态光阻等光阻层(Photoresist)，其是利用印刷、旋涂或贴合等方式形成于该第一金属层31a及第二金属层31b上，再通过曝光、显影等方式加以图案化，使该第二阻层32b形成有第二开口320b以露出该第二金属层31b的部分表面。
如图3C所示，通过该第二金属层31b作为电流传导路径，以在显露于该第二阻层32b的第二开口320b中的第二金属层31b上电镀形成金属块33。
如图3D所示，移除该第一及第二阻层32a、32b以露出该第一、第二金属层31a、31b及金属块33。
如图3E所示，于该第一金属层31a上形成第三阻层32c，并形成有第三开口320c以露出该第一金属层31a的部分表面，而于该第二金属层31b及金属块33上形成第四阻层32d，并形成第四开口320d以露出该第二金属层31b的部分表面及第五开口321d以露出该金属块33的部分表面。
如图3F及图3F’所示，以蚀刻方式移除该第三及第四阻层32c、32d的第三及第四开口320c、320d中的第一及第二金属层31a、31b，并移除该第五开口321d中的金属块33，以于该核心板30的两相对表面分别形成第一线路层31a’、第二线路层31b’及金属垫310b’，其中，该金属块33的部分厚度被移除，以形成金属凸缘33’环设于该金属垫310b’上，且于该金属凸缘33’内的金属垫310b’上形成一金属层331’(如图3F所示)或完全移除该第五开口321d中的金属块33，以形成金属凸缘33”环设于该金属垫310b’上(如图3F’所示)；使该核心板30、第一线路层31a’及第二线路层31b’构成封装基板3，且该封装基板3具有两相对的置晶侧3a及植球侧3b，该置晶侧3a及植球侧3b分别具有该第一及第二线路层31a’、31b’。
如图3G所示，移除该第三及第四阻层32c、32d以露出该第一线路层31a’、第二线路层31b’、金属垫310b’及环设于该金属垫310b’上的金属凸缘33’。
如图3H及3H’所示，于该核心板30及第一线路层31a’上形成有第一绝缘保护层34a，且形成有第一开孔340a以露出该第一线路层31a’的部分表面而成为电性连接垫，从而供电性连接半导体芯片，又于该核心板30、第二线路层31b’及其上的金属垫310b’上形成第二绝缘保护层34b，并形成有第二开孔340b，且该第二开孔340b的尺寸d2小于该金属凸缘33’的外径尺寸d1，以该露出金属凸缘33’的部分表面，而为绝缘保护层定义电性连接垫(Solder Mask Defined Pad，SMD Pad)37a，如图3H所示；或该第二开孔340b’的尺寸d4大于该金属垫310b’的尺寸d3，以露出该金属垫310b’及金属凸缘33’，而为非绝缘保护层定义电性连接垫(Non Solder Mask Defined Pad，NSMDPad)37b，如图3H’所示。
本发明提供一种封装基板的植球侧表面结构，如图3H所示，该封装基板3具有两相对的置晶侧3a及植球侧3b，于该置晶侧3a及植球侧3b分别具有第一及第二线路层31a’、31b’，于该置晶侧3a及第一线路层31a’上形成有第一绝缘保护层34a，该植球侧表面结构包括：金属垫310b’，为该第二线路层31b’的一部分；金属凸缘33’，环设于该金属垫310b’上；以及第二绝缘保护层34b，位于该封装基板3的植球侧3b上，并具有第二开孔340b。
依上述的结构，该第二开孔340b的尺寸小于该金属凸缘33’外径的尺寸，并露出该金属凸缘33’的部分表面，而为绝缘保护层定义电性连接垫(Solder Mask Defined Pad，SMD Pad)37a；或该第二开孔340b’的尺寸大于该金属垫310b’的尺寸，并露出该金属垫310b’及金属凸缘33’，而为非绝缘保护层定义电性连接垫(Non Solder MaskDefined Pad，NSMD Pad)37b。该金属凸缘33’的外形为圆形、椭圆形、矩形及不规则形的其中一者；该金属垫310b’的外形为圆形、椭圆形、矩形及不规则形的其中一者；该金属凸缘33’的外径不大于该金属垫310b’的外径。
第二实施例
请参阅图4A至图4G，是显示本发明的封装基板的植球侧表面结构制法第二实施例的剖面示意图。
如图4A所示，首先，提供具有两相对表面的核心板30，并于该核心板30表面形成有导电层301。该核心板30为绝缘板、铜箔基板(Copper Clad Laminates，CCL)或表面具有介电层的两层或多层线路板。有关于线路板的制程技术繁多，但是乃业界所周知的制程技术，其非本案技术特征，故未再予赘述。如图4B所示，于该核心板30两表面的导电层301上分别形成有第一及第二阻层32a、32b，且该第一及第二阻层32a、32b形成有第一及第二开口320a、320b以露出该导电层301的部分表面。
如图4C所示，通过该导电层301作为电流传导路径以于该核心板30两表面的第一及第二阻层32a、32b的第一及第二开口320a、320b中分别电镀形成第一线路层31a’及第二线路层31b’，其中该第二线路层31b’并具有金属垫310b’。
如图4D所示，于该第一阻层32a及第一线路层31a’表面形成有第三阻层32c，又于该第二阻层32b及第二线路层31b’表面形成有第四阻层32d，且该第四阻层32d形成有环状开口320d以露出该金属垫310b’部分表面。
如图4E所示，又通过该导电层301作为电流传导路径，以于该金属垫310b’表面电镀形成金属凸缘33’。
如图4F所示，移除该第二阻层32b、第一阻层32a及其所覆盖的导电层301，并移除该第四阻层32d、第三阻层32c及其所覆盖的导电层301，从而以露出该第一线路层31a’、第二线路层31b’及其金属垫310b’上的金属凸缘33’。
如图4G及图4G’所示，于该核心板30及第一线路层31a’上形成有第一绝缘保护层34a，且形成有第一开孔340a以露出该第一线路层31a’的部分表面而成为电性连接垫，从而供电性连接半导体芯片，又于该核心板30、第二线路层31b’及其上的金属垫310b’上形成第二绝缘保护层34b，并形成有小于该金属凸缘33’外径尺寸的第二开孔340b，以露出该金属凸缘33’的部分表面，而为绝缘保护层定义电性连接垫(Solder Mask Defined Pad，SMD Pad)37a，如图4G所示；或该第二开孔340b’的尺寸大于该金属垫310b’的尺寸，以露出该金属垫310b’及金属凸缘33’，而为非绝缘保护层定义电性连接垫(Non Solder Mask Defined Pad，NSMD Pad)37b，如第4G’图所示。该金属凸缘33’的外形为圆形、椭圆形、矩形及不规则形的其中一者；该金属垫310b’的外形为圆形、椭圆形、矩形及不规则形的其中一者；该金属凸缘33’的外径不大于该金属垫310b’的外径。
请参阅图5A至图5C，复可于绝缘保护层定义电性连接垫(SMDPad)37a上形成表面处理层35，该表面处理层35为有机保焊剂(OSP)、镍/金(Ni/Au)、镍/钯/金(Ni/Pd/Au)、锡/铅(Sn/Pb)的其中一者，或该表面处理层35为金(Au)、银(Ag)、锡(Sn)及铜(Cu)所组群组的其中一者，如图5A所示，再于该表面处理层35上形成为锡球的导电元件36，如图5B所示；或于该绝缘保护层定义电性连接垫(SMDPad)37a上形成为锡球的导电元件36，如图5C所示。
请参阅第6A至6C图，复可于非绝缘保护层定义电性连接垫(NSMDPad)37b上形成表面处理层35，该表面处理层35为有机保焊剂(OSP)、镍/金(Ni/Au)、镍/钯/金(Ni/Pd/Au)、锡/铅(Sn/Pb)的其中一者，或该表面处理层35为金(Au)、银(Ag)、锡(Sn)及铜(Cu)所组群组的其中一者，如图6A所示，再于该表面处理层35上形成为锡球的导电元件36，如图6B所示；或于该非绝缘保护层定义电性连接垫(NSMDPad)37b上形成为锡球的导电元件36，如图6C所示。
本发明的封装基板的植球侧表面结构，是于该金属垫表面形成有金属凸缘，使该金属垫表面具有较大的接触面积，此外，亦可通过调整绝缘保护层的开孔形式，从而使位于该电性连接垫表面的导电元件增加结合面积，且于该金属垫与金属凸缘之间并无现有的导电层，从而提高该金属垫与金属凸缘之间的结合强度，使后续形成于该金属垫与金属凸缘上的导电元件避免产生脱落。
上述实施例是用以例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修改。因此本发明的权利保护范围，应以权利要求书的范围为依据。
Claims (30)
1.一种封装基板的植球侧表面结构，该封装基板具有两相对的置晶侧及植球侧，于该置晶侧具有第一线路层，及于该植球侧具有第二线路层，于该封装基板的置晶侧及第一线路层上形成有第一绝缘保护层，该植球侧表面结构包括：
金属垫，为该第二线路层的一部分；
金属凸缘，环设于该金属垫上；以及
第二绝缘保护层，位于该封装基板的植球侧上，并具有小于该金属凸缘外径的尺寸的第二开孔，以露出该金属凸缘的部分表面，且令部份金属凸缘嵌设于该第二绝缘保护的第二开孔的侧壁中。
2.根据权利要求1所述的封装基板的植球侧表面结构，其中，该金属凸缘的外径不大于该金属垫的外径。
3.根据权利要求1所述的封装基板的植球侧表面结构，复包括金属层，位于该金属凸缘内的该金属垫上。
4.根据权利要求3所述的封装基板的植球侧表面结构，复包括表面处理层，位于该金属凸缘及金属层上。
5.根据权利要求4所述的封装基板的植球侧表面结构，其中，该表面处理层为有机保焊剂(OSP)、镍/金(Ni/Au)、镍/钯/金(Ni/Pd/Au)、锡/铅(Sn/Pb)的其中一者。
6.根据权利要求4所述的封装基板的植球侧表面结构，其中，该表面处理层为金(Au)、银(Ag)、锡(Sn)及铜(Cu)所组群组的其中一者。
7.根据权利要求1所述的封装基板的植球侧表面结构，复包括表面处理层，位于该金属垫及金属凸缘上。
8.根据权利要求1所述的封装基板的植球侧表面结构，复包括导电层，位于该封装基板表面与金属垫之间。
9.一种封装基板的植球侧表面结构，该封装基板具有两相对的置晶侧及植球侧，于该置晶侧具有第一线路层，及于该植球侧具有第二线路层，于该封装基板的置晶侧及第一线路层上形成有第一绝缘保护层，该表面结构包括：
金属垫，为该第二线路层的一部分；
金属凸缘，环设于该金属垫上；以及
第二绝缘保护层，位于该封装基板的植球侧上，并具有大于该金属垫尺寸的第二开孔，以完全露出该金属凸缘及露出未被该金属凸缘所覆盖的金属垫。
10.根据权利要求9所述的封装基板的植球侧表面结构，其中，该金属凸缘的外径不大于该金属垫的外径。
11.根据权利要求9所述的封装基板的植球侧表面结构，复包括金属层，位于该金属凸缘内的该金属垫上。
12.根据权利要求11所述的封装基板的植球侧表面结构，复包括表面处理层，位于该金属凸缘、金属层及金属垫上。
13.根据权利要求9所述的封装基板的植球侧表面结构，复包括表面处理层，位于该金属垫及金属凸缘上。
14.根据权利要求9所述的封装基板的植球侧表面结构，复包括导电层，位于该封装基板表面与金属垫之间。
15.一种封装基板的植球侧表面结构的制法，包括：
提供一核心板，并于该核心板的两相对表面，一表面上形成有第一金属层，另一表面上形成有第二金属层；
于该第二金属层上电镀形成金属块；
于该第一金属层上形成第三阻层，并于该第三阻层上形成有第三开口以露出该第一金属层的部分表面，且于该第二金属层及金属块上形成第四阻层，并于该第四阻层上形成第四开口以露出该第二金属层的部分表面及第五开口以露出该金属块的部分表面；
移除该第三及第四阻层的第三及第四开口中的第一及第二金属层，以于该核心板的两相对表面分别形成第一线路层、第二线路层及金属垫，并至少部份地移除该第五开口中的金属块，以形成金属凸缘环设于该金属垫上；
移除该第三及第四阻层；
于该核心板及第一线路层上形成有第一绝缘保护层，且该第一绝缘保护层形成有第一开孔以露出该第一线路层的部分表面而成为电性连接垫；以及
于该核心板、第二线路层及其上的金属垫上形成第二绝缘保护层，该第二绝缘保护层形成有第二开孔，以露出该金属凸缘的部分表面。
16.根据权利要求15所述的封装基板的植球侧表面结构的制法，其中，该第二开孔不大于该金属凸缘的外径。
17.根据权利要求15所述的封装基板的植球侧表面结构的制法，其中，该第二开孔大于该金属垫的外径。
18.根据权利要求15所述的封装基板的植球侧表面结构的制法，其中，该核心板为表面具有介电层的两层或多层线路板及绝缘板的其中一者。
19.根据权利要求15所述的封装基板的植球侧表面结构的制法，其中，该金属凸缘的外径不大于该金属垫的外径。
20.根据权利要求15所述的封装基板的植球侧表面结构的制法，其中，该第二金属层上电镀形成金属块的制法，包括：
于该第一金属层形成第一阻层，及于该第二金属层上形成第二阻层，且该第二阻层形成有第二开口以露出该第二金属层的部分表面；
于该第二阻层的第二开口中的第二金属层上电镀形成金属块；以及
移除该第一及第二阻层以露出该第一、第二金属层及金属块。
21.根据权利要求15所述的封装基板的植球侧表面结构的制法，其中，该第五开口中的金属块是移除部分厚度以于该金属垫上形成一金属层。
22.根据权利要求21所述的封装基板的植球侧表面结构的制法，复包括于该金属凸缘及金属层上形成有表面处理层。
23.根据权利要求15所述的封装基板的植球侧表面结构的制法，其中，该第五开口中的金属块完全移除以露出该金属垫的部分表面。
24.根据权利要求23所述的封装基板的植球侧表面结构的制法，复包括于该金属凸缘及金属垫上形成有表面处理层。
25.一种封装基板的植球侧表面结构的制法，包括：
提供一核心板；
于该核心板的两相对表面形成有导电层；
于该核心板一表面的导电层上形成有第一阻层，另一表面的导电层上形成有第二阻层，且该第一阻层形成有第一开口以露出该导电层的部分表面，而该第二阻层形成有第二开口以露出该导电层的部分表面；
于该核心板一表面的第一阻层的第一开口中电镀形成第一线路层，另一表面的第二阻层的第二开口中电镀形成第二线路层，其中该第二线路层并具有金属垫；
于该第一阻层及第一线路层表面形成有第三阻层，又于该第二阻层及第二线路层表面形成有第四阻层，且该第四阻层形成有环状开口以露出该金属垫部分表面；
该导电层作为电流传导路径，以于该金属垫表面电镀形成金属凸缘；
移除该第二阻层、第一阻层及其所覆盖的导电层，并移除该第四阻层、第三阻层及其所覆盖的导电层，从而以露出该第一线路层、第二线路层及其金属垫上的金属凸缘；
于该核心板及第一线路层上形成有第一绝缘保护层，且该第一绝缘保护层形成有第一开孔以露出该第一线路层的部分表面而成为电性连接垫；以及
于该核心板、第二线路层及其上的金属垫上形成第二绝缘保护层，该第二绝缘保护层形成有第二开孔，以露出该金属凸缘的部分表面。
26.根据权利要求25所述的封装基板的植球侧表面结构的制法，其中，该第二开孔不大于该金属凸缘的外径。
27.根据权利要求25所述的封装基板的植球侧表面结构的制法，其中，该第二开孔大于该金属垫的外径。
28.根据权利要求25所述的封装基板的植球侧表面结构的制法，其中，该核心板为表面具有介电层的两层或多层线路板、铜箔基板(Copper Clad Laminates，CCL)及绝缘板的其中一者。
29.根据权利要求25所述的封装基板的植球侧表面结构的制法，其中，该金属凸缘的外径不大于该金属垫的外径。
30.根据权利要求25所述的封装基板的植球侧表面结构的制法，复包括于该金属凸缘及金属垫上形成有表面处理层。
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