TWI719146B - 切割裝置 - Google Patents

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TWI719146B
TWI719146B TW106106088A TW106106088A TWI719146B TW I719146 B TWI719146 B TW I719146B TW 106106088 A TW106106088 A TW 106106088A TW 106106088 A TW106106088 A TW 106106088A TW I719146 B TWI719146 B TW I719146B
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笠井剛史
山田清
上原健
小澤明生
佐藤雅史
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日商迪思科股份有限公司
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Abstract

本發明之課題是提供一種在設置時能夠以高速實施切入進給方向之切割組件的移動的切割裝置。解決手段是使切割裝置的控制組件包含：變化量登錄部，登錄侵入發光部與受光部之間且朝切入進給方向移動之切割刀的移動量、與對應於該移動量而變化之該受光部的受光量的變化間的關係；停止訊號發送部，在該受光部的受光量成為閾值時，發送使已侵入該發光部與該受光部之間的該切割刀之切入進給組件停止的停止訊號；基準位置計算部，從由該停止訊號的發送時起切割組件超限運轉而停止時的該受光量與該閾值之差、及該變化量登錄部所登錄的變化量資訊中，找出該切割組件超限運轉的距離，並以該距離補正已停止之該切割組件的位置，而計算要以位置辨識部辨識之該切割組件的基準位置；及基準位置登錄部，登錄以該基準位置計算部所計算出的該基準位置。

Description

切割裝置
發明領域
本發明是有關於一種切割晶圓、封裝基板、陶瓷基板等被加工物的切割裝置。
發明背景
半導體晶圓等的切斷一般是藉由被稱為切割(dicing)機的切割裝置來實施。切割機會藉由旋轉的切割刀來切割半導體晶圓等的被加工物。此切割刀會因使用而磨耗並使其直徑減少。
切割裝置為了將保持被加工物之工作夾台的保持面作為基準位置(高度0)來實施加工，會實施找出(設置(setup))切割刀的下端與保持面接觸之位置的步驟。
此步驟雖然可伴隨著切割刀的消耗(磨耗)而適宜地實施，但是由於是使用以工作夾台實施設置時，使切割刀稍微切割工作夾台之框體上表面以檢測導通的機制，所以導致每次設置時會在框體上表面造成損傷，且在切割刀的前端產生堵塞或磨平。
因此，已有考慮有別於使用了工作夾台之設置並使用了刀片檢測機構之非接觸設置的構成(參照例如日本專利特許第4590058號公報)。在此非接觸設置中，所 進行的是，設置具有發光部及受光部的刀片檢測機構，並以此刀片檢測機構檢測刀片之刀尖的切入進給方向的位置，補正工作夾台的保持面位置與刀片檢測機構的檢測位置間的高度方向(切入方向)之差，並檢測切割刀之基準位置。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特許第4590058號公報
發明概要
在此刀片檢測機構中，雖然是將受光部的受光量成為閾值時之切割組件(切割單元)的高度作為基準位置而進行登錄，但為了使切割組件在切入進給方向的移動在閾值上停止，必須以非常緩慢之速度來使切割組件降下。因此，會有適宜進行的設置動作變長，而降低切割裝置之處理能力的問題。
本發明是有鑒於如此的問題點而作成的發明，其目的在於提供一種在設置時能以高速實施切入進給方向之切割組件的移動的切割裝置。
依據本發明，提供一種切割裝置，具備有保持被加工物之工作夾台、裝設有切割被該工作夾台所保持之被加工物的切割刀的切割組件、使該切割組件相對於該 工作夾台在切入進給方向上移動的切入進給組件、辨識藉由該切入進給組件而移動之該切割組件的位置的位置辨識部、具有發光部與受光部且檢測該切割刀在該切入進給方向上的前端位置的刀片檢測機構、及控制前述各構成要素的控制組件，該切割裝置的特徵在於，該控制組件具備：變化量登錄部，登錄侵入該發光部與該受光部間且朝該切入進給方向移動之該切割刀的移動量、與對應於該移動量而變化之該受光部的受光量的變化間的關係；停止訊號發送部，在該受光部的受光量成為閾值時，發送使已侵入該發光部與該受光部之間的該切割刀的該切入進給組件停止的停止訊號；基準位置計算部，從由該停止訊號的發送時起該切割組件超限運轉(overrun)而停止時的該受光量與該閾值之差、及該變化量登錄部所登錄的變化量資訊中，找出該切割組件超限運轉的距離，並以該距離補正已停止之該切割組件的位置，且計算要以該位置辨識部辨識之該切割組件的基準位置；及基準位置登錄部，登錄以該基準位置計算部所計算出的該基準位置，且在登錄到該基準位置登錄部之該切割組件的基準位置，視為該受光部之該受光量因已侵入該發光部與該受光部之間的該切割刀而成為該閾值。
依據本發明之切割裝置，即便在非常高速下 實施設置，並使切割組件超出閾值的位置而超限運轉，由於已預先登錄受光部之受光量與超限運轉之距離間的關係，所以能夠補正超限運轉之距離並計算基準位置而進行登錄。因此，能夠以高速實施設置，而達到能夠提升切割裝置之處理能力的效果。
2:切割裝置
4:靜止基台
6、28、38:導軌
8:工作台基座
10、32:滾珠螺桿
12、34、42:脈衝馬達
14:X軸進給機構
16:線性標度尺
18:讀取頭
20:工作夾台
22:圓筒狀支撐構件
23:框體
24:吸引保持部
25:防水蓋
26:夾具
27:襯墊
30:Y軸移動塊
36:Y軸進給機構(分度進給機構)
40:Z軸移動塊
44:Z軸進給機構
46:切割組件(切割單元)
48:主軸殼體
49:主軸
50:切割刀
52:校準單元(校準組件)
54:攝像單元(攝像組件)
56:刀片檢測組件
58:刀片檢測機構
60:安裝構件
60a:水平部
60b:垂直部
62:刀片侵入部
64:發光部
66:受光部
68a、68b:洗淨水供給噴嘴
70a、70b:空氣供給噴嘴
72:水平支撐構件
76、77:螺絲
78:垂直支撐構件
79:控制組件(控制器)
80:伸縮囊
81、83:光纖
82:光源
84:光電轉換部
86:基準電壓設定部
88:電壓比較部
90:停止訊號發送部
91:端部位置檢測部
92:符號
94:變化量登錄部
96:基準位置計算部
98:基準位置登錄部
D:元件
F:環狀框架
S1:第1切割道
S2:第2切割道
T:切割膠帶
W:晶圓
X、Y、Z:方向
圖1為切割裝置的立體圖。
圖2是透過切割膠帶被環狀框架所支撐的半導體晶圓之正面側立體圖。
圖3是刀片檢測機構及工作夾台部分的局部剖面側面圖。
圖4是刀片檢測機構之主要部分的立體圖。
圖5是本發明實施形態之刀片檢測機構的方塊圖。
圖6是顯示對應於切割刀之切入進給方向的位置之刀片檢測機構的輸出電壓之變化的圖表。
圖7是顯示變化量登錄部所登錄之位置辨識部的辨識位置與電壓間的關係之一例的圖表。
用以實施發明之形態
以下，參照圖式詳細地說明本發明實施形態之切割裝置2。圖1所示為切割裝置2的概要構成圖。切割裝置2包含有搭載於靜止基台4上之於X軸方向上伸長的一對導軌6。
8是工作台基座(X軸移動塊)，工作台基座8會利用由滾珠螺桿10及脈衝馬達12所構成的X軸進給機構 14在加工進給方向(亦即在X軸方向)上移動。在工作台基座8上透過圓筒狀支撐構件22而搭載有工作夾台20。在圓筒狀支撐構件22中收容有旋轉工作夾台20的馬達。
工作夾台20具有著由多孔性陶瓷等所形成的吸引保持部24、及圍繞吸引保持部24之由SUS等的金屬所形成的框體23。吸引保持部24的保持面與框體23的上表面是呈一平面地形成。工作夾台20上配設有可夾持圖2所示之環狀框架F的複數個(在本實施形態中為4個)夾具26。25是防水蓋。
如圖2所示，在切割裝置2之加工對象的半導體晶圓W的表面上，垂直相交地形成有第1切割道S1與第2切割道S2，且在藉由第1切割道S1與第2切割道S2所劃分出的區域中各自形成有元件D。
晶圓W是貼附於作為黏著膠帶的切割膠帶T上，且切割膠帶T之外周部是貼附於環狀框架F上。藉此，晶圓W會成為透過切割膠帶T被環狀框架F所支撐的狀態，並藉由以圖1所示之夾具26夾持環狀框架F，而被吸引固定於工作夾台20上。
X軸進給機構14包含有沿導軌6配設於靜止基台4上的線性標度尺16、及讀取線性標度尺16之X座標值之配設於工作台基座8的下表面的讀取頭18。讀取頭18連接於切割裝置2的控制器(控制組件)。
於靜止基台4上更固定有朝Y軸方向伸長的一對導軌28。Y軸移動塊30可透過由滾珠螺桿32及脈衝馬 達34所構成之Y軸進給機構(分度進給機構)36而在Y軸方向上移動。
雖未特別圖示，但Y軸進給機構36包含有沿導軌28配設於靜止基台4上的線性標度尺、及讀取此線性標度尺之Y座標值之配設於Y軸移動塊30的下表面的讀取頭，且讀取頭是連接到切割裝置2的控制器。
在Y軸移動塊30上形成有朝Z軸方向伸長的一對(僅圖示一條)導軌38。Z軸移動塊40透過由圖未示之滾珠螺桿及脈衝馬達42所構成之Z軸進給機構44而可在Z軸方向上移動。亦可採用伺服馬達來替代脈衝馬達42。
雖未特別圖示，但Z軸進給機構44包含有沿導軌38配設於Y軸移動塊30上的線性標度尺、及讀取此線性標度尺之Z座標值之配設於Z軸移動塊40的讀取頭，且讀取頭是連接到切割裝置2的控制器。
46是切割單元(切割組件)，切割單元46的主軸殼體48是插入Z軸移動塊40中而被支撐著。主軸殼體48中收容有主軸49(參照圖5)，並藉由空氣軸承而被支撐成可旋轉。主軸49是藉由主軸殼體48中所收容之圖未示的馬達而被旋轉驅動，在主軸49的前端部可裝卸地裝設有切割刀50。
主軸殼體48中搭載有校準單元(校準組件)52。校準單元52具有著拍攝被工作夾台20所保持之晶圓W的攝像單元(攝像組件)54。切割刀50與攝像單元54是在X軸方向上成行而配置。
如圖3及圖4所示，檢測切割刀50的切入方向的基準位置之刀片檢測組件56是由下述所構成：從工作台基座8豎立設置的垂直支撐構件78、固定於垂直支撐構件78且從垂直支撐構件78延伸成突出於工作夾台20之側邊的水平支撐構件72、及搭載於水平支撐構件72之前端部的刀片檢測機構58。
如圖4所清楚地顯示地，水平支撐構件72是藉由複數個螺絲76而固定於垂直支撐構件78。如圖3所示，防水蓋25是藉由複數個螺絲77而固定於垂直支撐構件78上。在工作夾台20的圓筒狀支撐構件22與防水蓋25之間配設有襯墊27。80是伸縮囊，在圖1中被省略。
刀片檢測機構58包含有具有水平部60a與垂直部60b的安裝構件60。安裝構件60之垂直部60b的前端是以界定刀片侵入部62之U形狀的形式形成，且包夾此刀片侵入部62而配設有發光部64及接收來自發光部64之光的受光部66。如圖5所示，發光部64是透過光纖81而連接到光源82，受光部66是透過光纖83而連接到光電轉換部84。
在安裝構件60的水平部60a配設有對發光部64及受光部66的端面供給經恆溫調整之洗淨水的洗淨水供給噴嘴68a、68b、及對發光部64及受光部66的端面供給空氣之空氣供給噴嘴70a、70b。
接著，針對藉由將切割刀50切入由金屬所形成的工作夾台20之框體23並取得導通之作法，以檢測切割 刀50之原點位置的原點位置檢測機構、及檢測切割刀50之基準位置的本發明之刀片檢測機構58的作用進行說明。
在搭載了新的工作夾台20時、或在拆解並清掃工作夾台20後重新組裝時等，首先會藉由以原點位置檢測機構，使切割刀50切入工作夾台20的框體23來取得導通之作法，以檢測在切入進給方向(Z軸方向)上之切割刀50的原點位置，並將此原點位置儲存於切割裝置2之控制器的記憶體中。
接著，實施藉由刀片檢測機構58所進行之基準位置檢測(非接觸設置)，該基準位置檢測是檢測切割刀50的刀尖的切入進給方向的基準位置。參照圖5說明此非接觸設置。
在本實施形態的非接觸設置時，會驅動Z軸方向進給機構44的脈衝馬達42使切割刀50在切入進給方向上以高速移動，並使其侵入刀片檢測機構58的刀片侵入部62。
在刀片侵入部62中，是將來自光源82的光以光纖81輸送並從發光部64光束狀地射出。受光部66會接收發光部64所發出的光，並將此接收的光透過光纖83傳送至控制組件(控制器)79的光電轉換部84。
光電轉換部84會將對應於從受光部66所傳送來之光的光量的電壓輸出至電壓比較部88。另一方面，在電壓比較部88輸入有藉由基準電壓設定部86所設定的基準電壓(例如3V)。
電壓比較部88會比較來自光電轉換部84的輸出與藉由基準電壓設定部86所設定的基準電壓，並在來自光電轉換部84的輸出達到基準電壓時，將表示該意旨的訊號輸出至停止訊號發送部90及端部位置檢測部91。
若更詳細地說明，在切割刀50完全未遮蔽於發光部64與受光部66之間的情形下，受光部66接收的光量為最大，對應於此光量之來自光電轉換部84的輸出會例如圖6所示地設定為5V。
由於隨著切割刀50以高速侵入刀片侵入部62，會使切割刀50遮蔽從發光部64射出的光束之量增加，所以受光部66所接收的光量會減少，來自光電轉換部84的輸出電壓會如圖6中以符號92所示地減少。
並且，設定成在切割刀50到達連結發光部64與受光部66之中心的位置時，使來自光電轉換部84的輸出電壓成為例如3V。因此，在光電轉換部84的輸出電壓成為3V時，電壓比較部88會將表示光電轉換部84之輸出電壓已達到基準電壓之意旨的訊號輸出至停止訊號發送部90及端部位置檢測部91。
停止訊號發送部90會將表示已檢測出基準位置之意旨的訊號發送至脈衝馬達42，並立即停止脈衝馬達42的驅動。然而，在本實施形態中，由於切割刀50是以高速移動，所以切割刀50不會在基準位置停止而是超限運轉預定距離並停止。
切割刀50停止時之受光部66所接收的受光 量是藉由光電轉換部84而被轉換成電壓並輸入至端部位置檢測部91。端部位置檢測部91會將對應於切割組件超限運轉並停止之時的受光部66的受光量的電壓與閾值(3V)間的差輸入至基準位置計算部96。
使切割組件於基準位置超限運轉並停止為止的距離、與將受光部66所接收的受光量以光電轉換部84轉換成之電壓間的關係，在切入進給方向之預定的範圍內存有如圖7所示之線性關係。
圖7之圖表中電壓的最大值是表示基準位置，隨著超限運轉電壓會線性地減少，而以控制組件79內之位置辨識部辨識的辨識位置(亦即超限運轉距離)會增大。
電壓與辨識位置間的變化量已預先登錄於變化量登錄部94中。由於此變化量會按每一切割裝置而不同，所以會預先進行非接觸設置的測試並登錄於變化量登錄部94中。
將切割組件46超限運轉並停止之時的受光量與閾值間的差從端部位置檢測部91輸入至基準位置計算部96，並且從變化量登錄部94將所登錄的變化量資訊輸入至基準位置計算部96，以在基準位置計算部96找出切割組件46超限運轉的距離，並以所找出的距離補正已停止之切割組件46的位置並計算基準位置。
以基準位置計算部96所計算出的基準位置，是視為受光部66的受光量因已侵入發光部64與受光部 66之間的切割刀50而成為閾值(3V)的基準位置，且會將所計算出的基準位置登錄於基準位置登錄部98。
在基準位置計算部96上之具體的基準位置的計算例於以下進行說明。例如，當將受光量為閾值時之電壓設為3000mV、將切割組件46超限運轉而停止時之電壓設為2900mV時，與端部位置檢測部91所檢測之閾值的差會成為100mV。
從圖7所示之變化量的圖表中，若設為以1mV所檢測出的是0.1μm之變化量的話，補正值會成為10μm。因此，超限運轉並停止的位置+10μm就會成為以基準位置計算部96所計算出的基準位置。
基準位置登錄部98所登錄的基準位置會成為對被加工物施行切割加工時的基準位置，並根據此基準位置實施半導體晶圓等之被加工物的切割。
在上述之本實施形態的切割裝置中，能夠非常高速地實施非接觸設置。即使以高速實施設置，且切割組件46於閾值之位置超限運轉，由於已預先將如圖7所示之受光量與距離間的關係登錄於變化量登錄部94中，所以能夠以基準位置計算部96補正超限運轉之位置且計算基準位置，並將計算出的基準位置登錄於基準位置登錄部98。因此，能夠以高速實施設置，而能夠提升切割裝置的處理能力。
8:工作台基座
30:Y軸移動塊
38:導軌
40:Z軸移動塊
42:脈衝馬達
44:Z軸進給機構
46:切割組件(切割單元)
48:主軸殼體
49:主軸
50:切割刀
56:刀片檢測組件
58:刀片檢測機構
60:安裝構件
62:刀片侵入部
64:發光部
66:受光部
72:水平支撐構件
78:垂直支撐構件
79:控制組件(控制器)
81、83:光纖
82:光源
84:光電轉換部
86:基準電壓設定部
88:電壓比較部
90:停止訊號發送部
91:端部位置檢測部
94:變化量登錄部
96:基準位置計算部
98:基準位置登錄部

Claims (2)

  1. 一種切割裝置，具備有保持被加工物之工作夾台、裝設有切割被該工作夾台所保持之被加工物的切割刀之切割組件、使該切割組件相對於該工作夾台在切入進給方向上移動的切入進給組件、辨識藉由該切入進給組件而移動之該切割組件的位置的位置辨識部、具有發光部與受光部且檢測該切割刀在該切入進給方向上的前端位置的刀片檢測機構、及控制前述各構成要素的控制組件，該切割裝置的特徵在於：該控制組件具備：變化量登錄部，登錄侵入該發光部與該受光部之間且朝該切入進給方向移動之該切割刀的移動量、與對應於該移動量而變化之該受光部的受光量之變化間的關係；停止訊號發送部，在該受光部的受光量成為閾值時，發送使已侵入該發光部與該受光部之間的該切割刀的該切入進給組件停止的停止訊號；基準位置計算部，從由該停止訊號之發送時起該切割組件超限運轉而停止時的該受光量與該閾值之差、及該變化量登錄部所登錄之變化量資訊中，找出該切割組件超限運轉的距離，並以該距離補正已停止之該切割組件的位置，且計算要以該位置辨識部辨識之該切割組件的基準位置；及基準位置登錄部，登錄以該基準位置計算部所計算出的該基準位置， 且在登錄到該基準位置登錄部之該切割組件的基準位置，視為該受光部之該受光量因已侵入該發光部與該受光部之間的該切割刀而成為該閾值。
  2. 如請求項1之切割裝置，其中，該控制組件會將該受光量轉換成電壓並登錄至該變化量登錄部。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6990588B2 (ja) * 2018-01-05 2022-01-12 株式会社ディスコ 切削装置
JP7126849B2 (ja) * 2018-04-13 2022-08-29 株式会社ディスコ 加工装置
JP7325203B2 (ja) * 2019-03-25 2023-08-14 株式会社ディスコ 加工装置
JP7354069B2 (ja) * 2020-08-26 2023-10-02 Ｔｏｗａ株式会社 切断装置、及び、切断品の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0919858A (ja) * 1995-07-10 1997-01-21 Mitsubishi Heavy Ind Ltd ビードの自動研削制御方法及びその装置
JP2011082402A (ja) * 2009-10-09 2011-04-21 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0775966A (ja) * 1993-09-08 1995-03-20 Nippei Toyama Corp 研削方法及びその装置
JPH08112754A (ja) * 1994-10-13 1996-05-07 Shin Meiwa Ind Co Ltd 自動研削装置における研削基準面検出装置
JP3074668B2 (ja) * 1994-12-13 2000-08-07 株式会社東京精密 ブレード変位検出装置
JPH09123160A (ja) * 1995-10-30 1997-05-13 Hitachi Cable Ltd ダイシング方法及びその装置
JP4590058B2 (ja) * 2000-04-12 2010-12-01 株式会社ディスコ 切削装置の切削ブレード検出機構
JP4599629B2 (ja) * 2001-04-19 2010-12-15 株式会社東京精密 ブレード先端位置検出装置及び検出方法
JP2002370163A (ja) * 2001-06-12 2002-12-24 Okamoto Machine Tool Works Ltd ワ−クに対する砥石の切り込み開始点位置決め方法および研削装置
JP2003234309A (ja) * 2002-02-12 2003-08-22 Tokyo Seimitsu Co Ltd 光学式カッターセット装置及びカッターセット方法
JP2004017194A (ja) * 2002-06-14 2004-01-22 Okamoto Machine Tool Works Ltd 研削装置およびそれを用いて砥石車をワ−クへ自動的に接近させる方法
JP2009214217A (ja) * 2008-03-10 2009-09-24 Jtekt Corp 砥石先端位置補正方法及び装置
CN101497179A (zh) * 2009-03-13 2009-08-05 袁文斌 基于机器视觉的钢坯修磨机砂轮直径检测装置
JP2013258204A (ja) * 2012-06-11 2013-12-26 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
JP6120710B2 (ja) * 2013-07-19 2017-04-26 株式会社ディスコ 切削装置
US9263352B2 (en) * 2014-01-03 2016-02-16 Asm Technology Singapore Pte Ltd Singulation apparatus comprising an imaging device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0919858A (ja) * 1995-07-10 1997-01-21 Mitsubishi Heavy Ind Ltd ビードの自動研削制御方法及びその装置
JP2011082402A (ja) * 2009-10-09 2011-04-21 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置

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