KR20170113404A - 절삭 장치 - Google Patents

절삭 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20170113404A
KR20170113404A KR1020170040740A KR20170040740A KR20170113404A KR 20170113404 A KR20170113404 A KR 20170113404A KR 1020170040740 A KR1020170040740 A KR 1020170040740A KR 20170040740 A KR20170040740 A KR 20170040740A KR 20170113404 A KR20170113404 A KR 20170113404A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cutting
light receiving
reference position
unit
amount
Prior art date
Application number
KR1020170040740A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102241356B1 (ko
Inventor
츠요시 가사이
기요시 야마다
겐 우에하라
아키오 오자와
마사시 사토
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20170113404A publication Critical patent/KR20170113404A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102241356B1 publication Critical patent/KR102241356B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0017—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing using moving tools
    • B28D5/0023—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing using moving tools rectilinearly
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0017—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing using moving tools
    • B28D5/0029—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing using moving tools rotating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0052—Means for supporting or holding work during breaking
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0064—Devices for the automatic drive or the program control of the machines
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
    • B28D5/023—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a cutting blade mounted on a carriage
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Machine Tool Sensing Apparatuses (AREA)

Abstract

셋업 시에 절입 이송 방향의 절삭 수단의 이동을 고속으로 실시 가능한 절삭 장치를 제공한다.
절삭 장치의 제어 수단은, 발광부와 수광부 사이에 침입하여 절입 이송 방향으로 이동하는 절삭 블레이드의 이동량과, 상기 이동량에 대응하여 변화하는 상기 수광부의 수광량의 변화의 관계가 등록되는 변화량 등록부와, 상기 수광부의 수광량이 임계값이 되었을 때에 상기 발광부와 상기 수광부 사이에 침입한 상기 절삭 블레이드의 절입 이송 수단을 정지시키는 정지 신호를 발신하는 정지 신호 발신부와, 상기 정지 신호의 발신 시보다 절삭 수단이 오버런하여 정지하였을 때의 상기 수광량과 상기 임계값의 차 및 상기 변화량 등록부에 등록된 변화량 정보로부터, 상기 절삭 수단이 오버런한 거리를 결정하여, 정지한 상기 절삭 수단의 위치를 상기 거리로 보정하고, 위치 인식부에서 인식되는 상기 절삭 수단의 기준 위치를 산출하는 기준 위치 산출부와, 상기 기준 위치 산출부에서 산출된 상기 기준 위치를 등록하는 기준 위치 등록부를 포함한다.

Description

절삭 장치{CUTTING APPARATUS}
본 발명은 웨이퍼, 패키지 기판, 세라믹스 기판 등의 피가공물을 절삭하는 절삭 장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 등의 절단은, 일반적으로 다이싱 장치라고 불리는 절삭 장치에 의해 실시된다. 다이싱 장치는, 회전하는 절삭 블레이드에 의해 반도체 웨이퍼 등의 피가공물을 절삭한다. 이 절삭 블레이드는, 사용에 의해 마모하여 그 직경이 감소한다.
절삭 장치는, 피가공물을 유지하는 척 테이블의 유지면을 기준 위치(높이 0)로 하여 가공을 실시하기 때문에, 절삭 블레이드의 하단이 유지면과 접하는 위치를 결정하는(셋업) 공정을 실시한다.
이 공정은, 절삭 블레이드의 소모(마모)에 따라 적절하게 실시되지만, 척 테이블에서 셋업을 실시할 때, 절삭 블레이드로 척 테이블의 프레임 상면을 약간 절삭하여, 도통을 검지하는 구조를 이용하고 있기 때문에, 셋업 때마다 프레임 상면에 상처가 나고, 절삭 블레이드의 선단에 눈 막힘이나 찌부러짐이 발생하여 버린다.
그래서, 척 테이블을 이용한 셋업과는 별도로, 블레이드 검출 기구를 이용한 비접촉 셋업이라고 하는 구성이 고안되었다(예컨대, 일본 특허 제4590058호 공보 참조). 이 비접촉 셋업에서는, 발광부 및 수광부를 갖는 블레이드 검출 기구를 마련하여, 이 블레이드 검출 기구로 블레이드의 날끝의 절입 이송 방향의 위치를 검출하고, 척 테이블의 유지면 위치와 블레이드 검출 기구의 검출 위치의 높이 방향(절입 방향)의 차를 보정하여, 절삭 블레이드의 기준 위치를 검출하는 것이 행해지고 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 제4590058호 공보
이 블레이드 검출 기구에서는, 수광부의 수광량이 임계값이 되었을 때의 절삭 수단(절삭 유닛)의 높이를 기준 위치로서 등록하는데, 임계값에서 절삭 수단의 절입 이송 방향의 이동을 정지시키기 위해, 매우 느린 속도로 절삭 수단을 하강시킬 필요가 있다. 그 때문에, 적절하게 행하고 있는 셋업 동작이 길어져, 절삭 장치의 처리 능력을 저하시켜 버린다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 셋업 시에 절입 이송 방향의 절삭 수단의 이동을 고속으로 실시 가능한 절삭 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 피가공물을 유지하는 척 테이블과, 상기 척 테이블에 유지된 피가공물을 절삭하는 절삭 블레이드가 장착된 절삭 수단과, 상기 절삭 수단을 상기 척 테이블에 대하여 절입 이송 방향으로 이동시키는 절입 이송 수단과, 상기 절입 이송 수단에 의해 이동한 상기 절삭 수단의 위치를 인식하는 위치 인식부와, 발광부와 수광부를 가지며 상기 절삭 블레이드의 상기 절입 이송 방향에서의 선단 위치를 검출하는 블레이드 검출 기구와, 상기 각 구성 요소를 제어하는 제어 수단을 포함하는 절삭 장치로서, 상기 제어 수단은, 상기 발광부와 상기 수광부 사이에 침입하여 상기 절입 이송 방향으로 이동하는 상기 절삭 블레이드의 이동량과, 상기 이동량에 대응하여 변화하는 상기 수광부의 수광량의 변화의 관계가 등록되는 변화량 등록부와, 상기 수광부의 수광량이 임계값이 되었을 때에, 상기 발광부와 상기 수광부 사이에 침입한 상기 절삭 블레이드의 상기 절입 이송 수단을 정지시키는 정지 신호를 발신하는 정지 신호 발신부와, 상기 정지 신호의 발신 시보다 상기 절삭 수단이 오버런하여 정지하였을 때의 상기 수광량과 상기 임계값의 차 및 상기 변화량 등록부에 등록된 변화량 정보로부터, 상기 절삭 수단이 오버런한 거리를 결정하고, 정지한 상기 절삭 수단의 위치를 상기 거리로 보정하여, 상기 위치 인식부에서 인식되는 상기 절삭 수단의 기준 위치를 산출하는 기준 위치 산출부와 상기 기준 위치 산출부에서 산출된 상기 기준 위치를 등록하는 기준 위치 등록부를 포함하며, 상기 기준 위치 등록부에 등록된 상기 절삭 수단의 기준 위치에서, 상기 발광부와 상기 수광부 사이에 침입한 상기 절삭 블레이드에 의해 상기 수광부의 상기 수광량이 상기 임계값이 되었다고 의제(擬制)하는 것을 특징으로 하는 절삭 장치가 제공된다.
본 발명의 절삭 장치에 따르면, 매우 고속으로 셋업을 실시하여, 임계값의 위치를 넘어 절삭 수단이 오버런하였다고 해도, 수광부의 수광량과 오버런한 거리의 관계가 미리 등록되어 있기 때문에, 오버런한 거리를 보정하여 기준 위치를 산출하여 등록할 수 있다. 그 때문에, 고속으로 셋업을 실시할 수 있어, 절삭 장치의 처리 능력을 향상시킬 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
도 1은 절삭 장치의 사시도이다.
도 2는 다이싱 테이프를 통해 환형 프레임에 지지된 반도체 웨이퍼의 표면측 사시도이다.
도 3은 블레이드 검출 기구 및 척 테이블 부분의 일부 단면 측면도이다.
도 4는 블레이드 검출 기구의 주요부의 사시도이다.
도 5는 본 발명 실시형태에 따른 블레이드 검출 기구의 블록도이다.
도 6은 절삭 블레이드의 절입 이송 방향의 위치에 따른 블레이드 검출 기구의 출력 전압의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 7은 변화량 등록부에 등록되는 위치 인식부의 인식 위치와 전압의 관계의 일례를 나타내는 그래프이다.
이하, 본 발명 실시형태에 따른 절삭 장치(2)를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 도 1은 절삭 장치(2)의 개략 구성도를 나타내고 있다. 절삭 장치(2)는, 정지 베이스(4) 상에 탑재된 X축 방향으로 신장하는 한쌍의 가이드 레일(6)을 포함하고 있다.
도면 부호 8은 테이블 베이스(X축 이동 블록)이며, 테이블 베이스(8)는 볼 나사(10) 및 펄스 모터(12)로 구성되는 X축 이송 기구(14)에 의해 가공 이송 방향, 즉 X축 방향으로 이동된다. 테이블 베이스(8) 상에는 원통형 지지 부재(22)를 통해 척 테이블(20)이 탑재되어 있다. 원통형 지지 부재(22) 중에 척 테이블(20)을 회전시키는 모터가 수용되어 있다.
척 테이블(20)은 다공성 세라믹스 등으로 형성된 흡인 유지부(24)와, 흡인 유지부(24)를 뚤러싸는 SUS 등의 금속으로 형성된 프레임(23)을 가지고 있다. 흡인 유지부(24)의 유지면과 프레임(23)의 상면은 동일 평면으로 형성되어 있다. 척 테이블(20)에는, 도 2에 나타내는 환형 프레임(F)을 클램프하는 복수(본 실시형태에서는 4개)의 클램프(26)가 설치되어 있다. 도면 부호 25는 방수 커버이다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 절삭 장치(2)의 가공 대상인 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 있어서는, 제1 스트리트(S1)와 제2 스트리트(S2)가 직교하여 형성되어 있고, 제1 스트리트(S1)와 제2 스트리트(S2)에 의해 구획된 영역에 각각 디바이스(D)가 형성되어 있다.
웨이퍼(W)는 점착 테이프인 다이싱 테이프(T)에 점착되고, 다이싱 테이프(T)의 외주부는 환형 프레임(F)에 점착되어 있다. 이에 의해, 웨이퍼(W)는 다이싱 테이프(T)를 통해 환형 프레임(F)에 지지된 상태가 되고, 도 1에 나타내는 클램프(26)에 의해 환형 프레임(F)을 클램프함으로써, 척 테이블(20) 상에 흡인 고정된다.
X축 이송 기구(14)는, 가이드 레일(6)을 따라 정지 베이스(4) 상에 설치된 리니어 스케일(16)과, 리니어 스케일(16)의 X 좌표값을 판독하는 테이블 베이스(8)의 하면에 설치된 판독 헤드(18)를 포함하고 있다. 판독 헤드(18)는 절삭 장치(2)의 컨트롤러(제어 수단)에 접속되어 있다.
정지 베이스(4) 상에는 또한, Y축 방향으로 신장하는 한쌍의 가이드 레일(28)이 고정되어 있다. Y축 이동 블록(30)이, 볼 나사(32) 및 펄스 모터(34)로 구성되는 Y축 이송 기구(인덱싱 이송 기구)(36)에 의해 Y축 방향으로 이동된다.
특별히 도시하지 않지만, Y축 이송 기구(36)는, 가이드 레일(28)을 따라 정지 베이스(4) 상에 설치된 리니어 스케일과, 이 리니어 스케일의 Y 좌표값을 판독하는 Y축 이동 블록(30)의 하면에 설치된 판독 헤드를 포함하고 있고, 판독 헤드는 절삭 장치(2)의 컨트롤러에 접속되어 있다.
Y축 이동 블록(30)에는 Z축 방향으로 신장하는 한쌍의(1개만 도시) 가이드 레일(38)이 형성되어 있다. Z축 이동 블록(40)이, 도시하지 않는 볼 나사와 펄스 모터(42)로 구성되는 Z축 이송 기구(44)에 의해 Z축 방향으로 이동된다. 펄스 모터(42) 대신에 서보 모터를 채용하여도 좋다.
특별히 도시하지 않지만, Z축 이송 기구(44)는, 가이드 레일(38)을 따라 Y축 이동 블록(30) 상에 설치된 리니어 스케일과, 이 리니어 스케일의 Z 좌표값을 판독하는 Z축 이동 블록(40)에 설치된 판독 헤드를 포함하고 있으며, 판독 헤드는 절삭 장치(2)의 컨트롤러에 접속되어 있다.
도면 부호 46은 절삭 유닛(절삭 수단)이며, 절삭 유닛(46)의 스핀들 하우징(48)이 Z축 이동 블록(40) 중에 삽입되어 지지되어 있다. 스핀들 하우징(48) 중에는 스핀들(49)(도 5 참조)이 수용되어, 에어 베어링에 의해 회전 가능하게 지지되어 있다. 스핀들(49)은 스핀들 하우징(48) 중에 수용된 도시하지 않는 모터에 의해 회전 구동되고, 스핀들(49)의 선단부에는 절삭 블레이드(50)가 착탈 가능하게 장착되어 있다.
스핀들 하우징(48)에는 얼라인먼트 유닛(얼라인먼트 수단)(52)이 탑재되어 있다. 얼라인먼트 유닛(52)은 척 테이블(20)에 유지된 웨이퍼(W)를 촬상하는 촬상 유닛(촬상 수단)(54)을 가지고 있다. 절삭 블레이드(50)와 촬상 유닛(54)은 X축 방향으로 정렬하여 배치되어 있다.
도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 절삭 블레이드(50)의 절입 방향의 기준 위치를 검출하는 블레이드 검출 수단(56)은, 테이블 베이스(8)로부터 세워서 마련하는 수직 지지 부재(78)와, 수직 지지 부재(78)에 고정되어 수직 지지 부재(78)로부터 척 테이블(20)의 가로로 돌출하도록 연장되는 수평 지지 부재(72)와, 수평 지지 부재(72)의 선단부에 탑재된 블레이드 검출 기구(58)로 구성된다.
도 4에 가장 잘 나타내어진 바와 같이, 수평 지지 부재(72)는 복수개의 나사(76)에 의해 수직 지지 부재(78)에 고정되어 있다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 방수 커버(25)가 복수의 나사(77)에 의해 수직 지지 부재(78)에 고정되어 있다. 척 테이블(20)의 원통형 지지 부재(22)와 방수 커버(25) 사이에는 패킹(27)이 설치되어 있다. 도면 부호 80은 주름 상자이며, 도 1에서는 생략되어 있다.
블레이드 검출 기구(58)는, 수평부(60a)와 수직부(60b)를 갖는 부착 부재(60)를 포함하고 있다. 부착 부재(60)의 수직부(60b)의 선단은 블레이드 침입부(62)를 구획하는 U 형상으로 형성되어 있고, 이 블레이드 침입부(62)를 사이에 끼고 발광부(64)와, 이 발광부(64)로부터의 광을 수광하는 수광부(66)가 설치되어 있다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 발광부(64)는 광 파이버(81)를 통해 광원(82)에 접속되어 있고, 수광부(66)는 광 파이버(83)를 통해 광전 변환부(84)에 접속되어 있다.
부착 부재(60)의 수평부(60a)에는, 발광부(64) 및 수광부(66)의 단부면에 항온 조정된 세정수를 공급하는 세정수 공급 노즐(68a, 68b)과, 발광부(64) 및 수광부(66)의 단부면에 에어를 공급하는 에어 공급 노즐(70a, 70b)이 설치되어 있다.
다음에, 절삭 블레이드(50)를 금속으로 이루어지는 척 테이블(20)의 프레임(23)에 절입시켜 도통을 취함으로써, 절삭 블레이드(50)의 원점 위치를 검출하는 원점 위치 검출 기구 및 절삭 블레이드(50)의 기준 위치를 검출하는 본 발명의 블레이드 검출 기구(58)의 작용에 대해서 설명한다.
새로운 척 테이블(20)을 탑재하였을 때, 혹은 척 테이블(20)을 분해하여 청소 후 재조립하였을 때 등에는, 먼저 원점 위치 검출 기구로, 절삭 블레이드(50)를 척 테이블(20)의 프레임(23)에 절입시켜 도통을 취함으로써, 절입 이송 방향(Z축 방향)에서의 절삭 블레이드(50)의 원점 위치를 검출하고, 이 원점 위치를 절삭 장치(2)의 컨트롤러의 메모리에 기억한다.
계속해서, 블레이드 검출 기구(56)에 의한 절삭 블레이드(50)의 날끝의 절입 이송 방향의 기준 위치를 검출하는 기준 위치 검출(비접촉 셋업)을 실시한다. 이 비접촉 셋업을 도 5를 참조하여 설명한다.
본 실시형태의 비접촉 셋업 시에는, Z축 방향 이송 기구(44)의 펄스 모터(42)를 구동시켜 절삭 블레이드(50)를 절입 이송 방향으로 고속으로 이동시켜, 블레이드 검출 기구(58)의 블레이드 침입부(62)에 침입시킨다.
블레이드 침입부(62)에서는, 광원(82)으로부터의 광이 광 파이버(81)로 반송되어 발광부(64)로부터 빔형으로 출사된다. 수광부(66)는 발광부(64)가 발광한 광을 수광하고, 이 수광한 광을 광 파이버(83)를 통해 제어 수단(컨트롤러)(79)의 광전 변환부(84)에 보낸다.
광전 변환부(84)는, 수광부(66)로부터 보내오는 광의 광량에 대응한 전압을 전압 비교부(88)에 출력한다. 한편, 전압 비교부(88)에는 기준 전압 설정부(86)에 의해 설정된 기준 전압(예컨대 3 V)이 입력되어 있다.
전압 비교부(88)는, 광전 변환부(84)로부터의 출력과 기준 전압 설정부(86)에 의해 설정된 기준 전압을 비교하여, 광전 변환부(84)로부터의 출력이 기준 전압에 달하였을 때, 그 취지의 신호를 정지 신호 발신부(90) 및 단부 위치 검출부(91)에 출력한다.
보다 상세하게 설명하면, 절삭 블레이드(50)가 발광부(64)와 수광부(66) 사이를 전혀 차단하고 있지 않은 경우는 수광부(66)가 수광하는 광량은 최대이며, 이 광량에 대응하는 광전 변환부(84)로부터의 출력은 예컨대 도 6에 나타내는 바와 같이 5 V로 설정되어 있다.
절삭 블레이드(50)가 블레이드 침입부(62)에 고속으로 침입함에 따라, 절삭 블레이드(50)가 발광부(64)로부터 출사되는 광 빔을 차단하는 양이 증가하기 때문에, 수광부(66)가 수광하는 광량은 감소하여, 광전 변환부(84)로부터의 출력 전압은 도 6에 도면 부호 92로 나타내는 바와 같이 감소한다.
그리고, 절삭 블레이드(50)가 발광부(64)와 수광부(66)의 중심을 잇는 위치에 달하였을 때, 광전 변환부(84)로부터의 출력 전압이 예컨대 3 V가 되도록 설정되어 있다. 따라서, 광전 변환부(84)의 출력 전압이 3 V가 되었을 때, 전압 비교부(88)는 광전 변환부(84)의 출력 전압이 기준 전압에 달한 취지의 신호를 정지 신호 발신부(90) 및 단부 위치 검출부(91)에 출력한다.
정지 신호 발신부(90)는, 기준 위치를 검출한 취지의 신호를 펄스 모터(42)에 송신하여, 펄스 모터(42)의 구동을 즉시 정지한다. 그러나, 본 실시형태에서는, 절삭 블레이드(50)가 고속으로 이동되고 있기 때문에, 절삭 블레이드(50)는 기준 위치에서 정지하지 않고 소정 거리 오버런하여 정지한다.
절삭 블레이드(50)가 정지하였을 때의 수광부(66)가 수광하는 수광량은, 광전 변환부(84)에 의해 전압에 변환되어 단부 위치 검출부(91)에 입력된다. 단부 위치 검출부(91)는, 절삭 수단이 오버런하여 정지하였을 때의 수광부(66)의 수광량에 대응하는 전압과 임계값(3 V)의 차를 기준 위치 산출부(96)에 입력한다.
절삭 수단이 기준 위치를 오버런하여 정지하기까지의 거리와, 수광부(66)가 수광하는 수광량을 광전 변환부(84)에서 변환한 전압의 관계는, 절입 이송 방향의 소정의 범위 내에 있어서 도 7에 나타내는 바와 같은 선형적 관계에 있다.
도 7의 그래프에서 전압의 최대값은 기준 위치를 나타내고 있고, 오버런함에 따라 전압은 선형적으로 감소하며, 제어 수단(79) 내의 위치 인식부에서 인식하는 인식 위치, 즉 오버런 거리는 증대한다.
전압과 인식 위치의 변화량은 변화량 등록부(94)에 미리 등록되어 있다. 이 변화량은 절삭 장치마다 상이하기 때문에, 미리 비접촉 셋업의 테스트를 하여 변화량 등록부(94)에 등록해 둔다.
절삭 수단(46)이 오버런하여 정지하였을 때의 수광량과 임계값의 차가 단부 위치 검출부(91)로부터 기준 위치 산출부(96)에 입력되며, 변화량 등록부(94)로부터 등록된 변화량 정보가 기준 위치 산출부(96)에 입력되고, 기준 위치 산출부(96)에서는 절삭 수단(46)이 오버런한 거리를 결정하며, 정지한 절삭 수단(46)의 위치를 결정한 거리로 보정하여 기준 위치를 산출한다.
기준 위치 산출부(96)에서 산출된 기준 위치는, 발광부(64)와 수광부(66) 사이에 침입한 절삭 블레이드(50)에 의해 수광부(66)의 수광량이 임계값(3 V)이 되었다고 의제한 기준 위치이며, 산출된 기준 위치는 기준 위치 등록부(98)에 등록된다.
기준 위치 산출부(96)에서의 구체적인 기준 위치의 산출예를 이하에 설명한다. 예컨대, 수광량이 임계값일 때의 전압을 3000 ㎷, 절삭 수단(46)이 오버런하여 정지하였을 때의 전압을 2900 ㎷라고 하면, 단부 위치 검출부(91)가 검출하는 임계값과의 차는 100 ㎷가 된다.
도 7에 나타내는 변화량의 그래프로부터, 1 ㎷에서 0.1 ㎛라고 하는 변화량이 검출되었다고 하면, 보정값은 10 ㎛가 된다. 따라서, 오버런하여 정지한 위치+10 ㎛가 기준 위치 산출부(96)에서 산출한 기준 위치가 된다.
기준 위치 등록부(98)에 등록된 기준 위치는, 피가공물에 절삭 가공을 실시할 때의 기준 위치가 되고, 이 기준 위치에 기초하여 반도체 웨이퍼 등의 피가공물의 절삭을 실시한다.
전술한 본 실시형태의 절삭 장치로는, 매우 고속으로 비접촉 셋업을 실시할 수 있다. 고속으로 셋업을 실시하여, 임계값의 위치를 넘어 절삭 수단(46)이 오버런하였다고 해도, 도 7에 나타내는 바와 같은 수광량과 거리의 관계가 미리 변화량 등록부(94)에 등록되어 있기 때문에, 기준 위치 산출부(96)에서 오버런한 위치를 보정하여 기준 위치를 산출하고, 산출한 기준 위치를 기준 위치 등록부(98)에 등록할 수 있다. 따라서, 고속으로 셋업을 실시할 수 있어, 절삭 장치의 처리 능력을 향상시킬 수 있다.
46 절삭 수단(절삭 유닛)
50 절삭 블레이드
56 블레이드 검출 수단
58 블레이드 검출 기구
62 블레이드 침입부
64 발광부
66 수광부
84 광전 변환부
86 기준 전압 설정부
88 전압 비교부
90 정지 신호 발신부
91 단부 위치 검출부
94 변화량 등록부
96 기준 위치 산출부
98 기준 위치 등록부

Claims (2)

  1. 피가공물을 유지하는 척 테이블과, 상기 척 테이블에 유지된 피가공물을 절삭하는 절삭 블레이드가 장착된 절삭 수단과, 상기 절삭 수단을 상기 척 테이블에 대하여 절입 이송 방향으로 이동시키는 절입 이송 수단과, 상기 절입 이송 수단에 의해 이동한 상기 절삭 수단의 위치를 인식하는 위치 인식부와, 발광부와 수광부를 가지며 상기 절삭 블레이드의 상기 절입 이송 방향에서의 선단 위치를 검출하는 블레이드 검출 기구와, 상기 각 구성 요소를 제어하는 제어 수단을 포함하는 절삭 장치로서,
    상기 제어 수단은,
    상기 발광부와 상기 수광부 사이에 침입하여 상기 절입 이송 방향으로 이동하는 상기 절삭 블레이드의 이동량과, 상기 이동량에 대응하여 변화하는 상기 수광부의 수광량의 변화의 관계가 등록되는 변화량 등록부와,
    상기 수광부의 수광량이 임계값이 되었을 때에, 상기 발광부와 상기 수광부 사이에 침입한 상기 절삭 블레이드의 상기 절입 이송 수단을 정지시키는 정지 신호를 발신하는 정지 신호 발신부와,
    상기 정지 신호의 발신 시보다 상기 절삭 수단이 오버런하여 정지하였을 때의 상기 수광량과 상기 임계값의 차 및 상기 변화량 등록부에 등록된 변화량 정보로부터, 상기 절삭 수단이 오버런한 거리를 결정하고, 정지한 상기 절삭 수단의 위치를 상기 거리로 보정하여, 상기 위치 인식부에서 인식되는 상기 절삭 수단의 기준 위치를 산출하는 기준 위치 산출부와,
    상기 기준 위치 산출부에서 산출된 상기 기준 위치를 등록하는 기준 위치 등록부를 포함하며,
    상기 기준 위치 등록부에 등록된 상기 절삭 수단의 기준 위치에서, 상기 발광부와 상기 수광부 사이에 침입한 상기 절삭 블레이드에 의해 상기 수광부의 상기 수광량이 상기 임계값이 되었다고 의제(擬制)하는 것을 특징으로 하는 절삭 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어 수단은, 상기 수광량을 전압으로 변환하여 상기 변화량 등록부에 등록하는 것을 특징으로 하는 절삭 장치.
KR1020170040740A 2016-04-01 2017-03-30 절삭 장치 KR102241356B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016073879A JP6746198B2 (ja) 2016-04-01 2016-04-01 切削装置
JPJP-P-2016-073879 2016-04-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170113404A true KR20170113404A (ko) 2017-10-12
KR102241356B1 KR102241356B1 (ko) 2021-04-15

Family

ID=60045265

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170040740A KR102241356B1 (ko) 2016-04-01 2017-03-30 절삭 장치

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6746198B2 (ko)
KR (1) KR102241356B1 (ko)
CN (1) CN107263745B (ko)
TW (1) TWI719146B (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6990588B2 (ja) * 2018-01-05 2022-01-12 株式会社ディスコ 切削装置
JP7126849B2 (ja) * 2018-04-13 2022-08-29 株式会社ディスコ 加工装置
JP7325203B2 (ja) * 2019-03-25 2023-08-14 株式会社ディスコ 加工装置
JP7354069B2 (ja) * 2020-08-26 2023-10-02 Ｔｏｗａ株式会社 切断装置、及び、切断品の製造方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0775966A (ja) * 1993-09-08 1995-03-20 Nippei Toyama Corp 研削方法及びその装置
JPH08112754A (ja) * 1994-10-13 1996-05-07 Shin Meiwa Ind Co Ltd 自動研削装置における研削基準面検出装置
JPH0919858A (ja) * 1995-07-10 1997-01-21 Mitsubishi Heavy Ind Ltd ビードの自動研削制御方法及びその装置
JP2002370163A (ja) * 2001-06-12 2002-12-24 Okamoto Machine Tool Works Ltd ワ−クに対する砥石の切り込み開始点位置決め方法および研削装置
JP2004017194A (ja) * 2002-06-14 2004-01-22 Okamoto Machine Tool Works Ltd 研削装置およびそれを用いて砥石車をワ−クへ自動的に接近させる方法
JP2009214217A (ja) * 2008-03-10 2009-09-24 Jtekt Corp 砥石先端位置補正方法及び装置
JP4590058B2 (ja) 2000-04-12 2010-12-01 株式会社ディスコ 切削装置の切削ブレード検出機構
JP2011082402A (ja) * 2009-10-09 2011-04-21 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3074668B2 (ja) * 1994-12-13 2000-08-07 株式会社東京精密 ブレード変位検出装置
JPH09123160A (ja) * 1995-10-30 1997-05-13 Hitachi Cable Ltd ダイシング方法及びその装置
JP4599629B2 (ja) * 2001-04-19 2010-12-15 株式会社東京精密 ブレード先端位置検出装置及び検出方法
JP2003234309A (ja) * 2002-02-12 2003-08-22 Tokyo Seimitsu Co Ltd 光学式カッターセット装置及びカッターセット方法
CN101497179A (zh) * 2009-03-13 2009-08-05 袁文斌 基于机器视觉的钢坯修磨机砂轮直径检测装置
JP2013258204A (ja) * 2012-06-11 2013-12-26 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
JP6120710B2 (ja) * 2013-07-19 2017-04-26 株式会社ディスコ 切削装置
US9263352B2 (en) * 2014-01-03 2016-02-16 Asm Technology Singapore Pte Ltd Singulation apparatus comprising an imaging device

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0775966A (ja) * 1993-09-08 1995-03-20 Nippei Toyama Corp 研削方法及びその装置
JPH08112754A (ja) * 1994-10-13 1996-05-07 Shin Meiwa Ind Co Ltd 自動研削装置における研削基準面検出装置
JPH0919858A (ja) * 1995-07-10 1997-01-21 Mitsubishi Heavy Ind Ltd ビードの自動研削制御方法及びその装置
JP4590058B2 (ja) 2000-04-12 2010-12-01 株式会社ディスコ 切削装置の切削ブレード検出機構
JP2002370163A (ja) * 2001-06-12 2002-12-24 Okamoto Machine Tool Works Ltd ワ−クに対する砥石の切り込み開始点位置決め方法および研削装置
JP2004017194A (ja) * 2002-06-14 2004-01-22 Okamoto Machine Tool Works Ltd 研削装置およびそれを用いて砥石車をワ−クへ自動的に接近させる方法
JP2009214217A (ja) * 2008-03-10 2009-09-24 Jtekt Corp 砥石先端位置補正方法及び装置
JP2011082402A (ja) * 2009-10-09 2011-04-21 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017185552A (ja) 2017-10-12
CN107263745B (zh) 2020-12-22
JP6746198B2 (ja) 2020-08-26
TW201739590A (zh) 2017-11-16
KR102241356B1 (ko) 2021-04-15
TWI719146B (zh) 2021-02-21
CN107263745A (zh) 2017-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102251265B1 (ko) 절삭 장치
KR20170113404A (ko) 절삭 장치
US9724783B2 (en) Laser processing apparatus
US8040520B2 (en) Device for detecting the edges of a workpiece, and a laser beam processing machine
KR102232101B1 (ko) 절삭 장치의 셋업 방법
TWI606500B (zh) Cutting device
KR102448222B1 (ko) 레이저 가공 방법
KR102246916B1 (ko) 레이저 가공 장치
KR20070001006A (ko) 레이저 가공장치
KR20140086822A (ko) 웨이퍼의 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
KR20150117220A (ko) 높이 위치 검출 장치
JP6120710B2 (ja) 切削装置
KR20150101381A (ko) 가공 장치에서의 웨이퍼의 중심 검출 방법
JP5415219B2 (ja) 切削装置
JP5389604B2 (ja) 切削装置における切削ブレードの消耗量管理方法
JP6464028B2 (ja) 切削ブレードの外径サイズ検出方法
JP2018147914A (ja) 被加工物の切削方法
KR102302579B1 (ko) 절삭 장치
JP2013251457A (ja) 切削ブレードの刃先位置検出方法
JP2011104731A (ja) 切削装置
KR102341606B1 (ko) 절삭 장치
JP5389603B2 (ja) 切削装置における切削ブレードの消耗量管理方法
JPH10177973A (ja) ブレード変位検出装置
KR20170029381A (ko) 레이저 가공 장치
JP2012111003A (ja) 切削ブレード検出機構

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right