TWI718251B - 裝置晶圓之評估方法 - Google Patents

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原田晴司
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日商迪思科股份有限公司
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Abstract

本發明係一種被加工物之評估方法，其課題為提供：可評估可成為製品之被加工物的凝聚性的被加工物之評估方法。

解決手段為一種被加工物之評估方法，係評估加以形成複數之裝置於表面同時，加以形成凝聚層於內部之裝置晶圓的凝聚性。被加工物之評估方法係包含：照射為了使載體激發之激發光於裝置晶圓的激發光照射工程，和於裝置晶圓之激發光的照射範圍與激發光的照射範圍外，各照射微波之微波照射工程，和各測定來自裝置晶圓之微波(MR)的反射波之強度，導出從來自照射範圍之反射波的強度減去來自照射範圍外之反射波的強度之差動信號之測定工程，和依據由測定工程所算出之差動信號的強度而判斷凝聚性之工程。

Description

裝置晶圓之評估方法
本發明係有關評估被加工物之凝聚性的被加工物之評估方法。
在近年來，為了裝置之小型化等，而薄化加工裝置形成後之晶圓(以下，裝置晶圓)。但，例如，研磨裝置晶圓而薄化為100μm以下時，抑制對於裝置有害之金屬元素的動作之凝聚性則下降，而有產生裝置之動作不良之虞。為了解決此問題，將捕獲金屬元素之凝聚層形成於裝置晶圓中(例如，參照專利文獻1)。在此加工方法中，經由以特定的條件而研削裝置晶圓之時，維持裝置晶圓之抗折強度的同時，形成包含特定之偏移層的凝聚層。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2009-94326號公報
經由專利文獻1所示之加工方法而加工之裝置晶圓的凝聚性之評估係例如，可實際以金屬元素而污染裝置晶圓而進行。但此方法係成為無法得到良品之裝置晶片。也就是，此評估方法係以實際以金屬元素而污染裝置晶圓，而無法評估能成為製品之裝置晶圓者。
本發明係有鑑於有關的問題點所作為之構成，其目的係提供：可評估能成為製品之被加工物的凝聚性之被加工物之評估方法。
為了解決上述之課題而達成目的，經由本發明時，係加以提供評估於表面加以形成複數之裝置之同時，於內部加以形成凝聚層之被加工物的凝聚性之評估方法，其特徵為包含：照射為了使載體激發之激發光於被加工物之激發光照射工程，和實施該激發光照射工程之後，於前述被加工物之前述激發光的照射範圍與前述激發光之照射範圍外，各照射微波之微波照射工程，和實施該微波照射工程之後，各測定來自前述被加工物之前述微波的反射波之強度，導出從來自前述照射範圍之反射波的強度減去來自前述照射範圍外之反射波的強度之差動信號的測定工程，和依據在前述測定工程所算出之前述差動信號的強度，判斷凝聚性之工程的被加工物之評估方法。
理想係前述微波的頻率數為26GHz。
理想係前述激發光的波長為349nm。
本發明係可得到可評估被加工物的凝聚性之效果。
W‧‧‧裝置晶圓(被加工物)
WS‧‧‧表面
D‧‧‧裝置
G‧‧‧凝聚層
L‧‧‧激發光
R‧‧‧照射範圍
MT、MR‧‧‧微波
圖1係顯示有關第1實施形態之被加工物之評估方法的評估對象之裝置晶圓的斜視圖。
圖2係實行有關第1實施形態之被加工物之評估方法的研削研磨裝置之構成例的斜視圖。
圖3係顯示圖2所示之研削研磨裝置之研磨手段的構成例之斜視圖。
圖4係顯示經由圖1所示之裝置晶圓的凝聚層之狀態的不同，自裝置晶圓的背面所反射之微波的強度之圖。
圖5係顯示圖2所示之研削研磨裝置之評估裝置的構成例的圖。
圖6係實行有關本發明之第2實施形態之被加工物之評估方法的研硝研磨裝置之評估裝置之構成例的圖。
圖7係顯示經由圖6所示之評估裝置而加以測定基準差動信號值之裝置晶圓的測定位置之斜視圖。
圖8(a)係顯示實行有關本發明之第3實施形態之被加工物的評估方法之加工裝置之一例的平面圖，而圖8 (b)係顯示圖8(a)所示之加工裝置之各工程的圖。
圖9係顯示實行有關本發明之第4實施形態之被加工物之評估方法的加工裝置之一例的平面圖。
圖10係顯示實行有關本發明之第5實施形態之被加工物之評估方法的加工裝置之一例的平面圖。
圖11係顯示實行有關本發明之第6實施形態之被加工物之評估方法的加工裝置之一例的平面圖。
圖12係顯示實行有關本發明之第7實施形態之被加工物之評估方法的加工裝置之一例的平面圖。
圖13係顯示實行有關本發明之第8實施形態之被加工物之評估方法的加工裝置之一例的平面圖。
圖14係顯示實行有關本發明之第9實施形態之被加工物之評估方法的加工裝置之一例的平面圖。
對於為了實施本發明之形態(實施形態)，參照圖面之同時，加以詳細說明。並非經由記載於以下的實施形態之內容而加以限定本發明者。另外，對於以下所記載之構成要素，係包含該業者容易想定之構成，實質上同一之構成。更且，以下所記載之構成係可做適宜組合者。另外，在不脫離本發明之內容範圍，可進行構成之各種省略，置換或變更者。
(第1實施形態)
依據圖面而加以說明有關本發明之第1實施形態的被加工物之評估方法。圖1係顯示有關第1實施形態之被加工物之評估方法的評估對象之裝置晶圓的斜視圖。圖2係實行有關第1實施形態之被加工物之評估方法的研削研磨裝置之構成例的斜視圖。圖3係顯示圖2所示之研削研磨裝置之研磨手段的構成例之斜視圖。
有關第1實施形態之被加工物之評估方法(以下，單記述為評估方法)，係評估作為被加工物之圖1所示的裝置晶圓W之凝聚性的方法。裝置晶圓W係如圖1所示，將矽作為母材之圓板狀的半導體晶圓或光裝置晶圓。裝置晶圓W係於經由形成為格子狀的複數之分割預定線S而區劃於表面WS之範圍，加以形成裝置D。即，裝置晶圓W係加以形成有複數之裝置D於表面WS。裝置晶圓W係加以施以研削加工等於表面WS之背側的背面WR，加以薄化至特定的厚度之後，於裝置晶圓W的內部，加以形成凝聚層G，而加以評估凝聚層G之凝聚性。凝聚層G之凝聚性係指：抑制對於裝置D而言為有害的銅等之金屬元素的動作之效果的大小。形成於裝置晶圓W之表面WS的裝置D係例如，記憶體(快閃記憶體或DRAM(Dynamic Random Access Memory)等之記憶體)，來自背面WR的金屬污染(例如，經由銅元素的污染)則成為問題者。然而，在第1實施形態中，被加工物係裝置晶圓W，但在本發明中，被加工物係未限定於裝置晶圓W。
有關第1實施形態之評估方法係經由作為圖2所示之加工裝置之研削研磨裝置1而加以執行。研削研磨裝置1係為了薄型化裝置晶圓W之背面WR而進行研削加工之同時，高精確度地平坦化所研削加工的裝置晶圓W之背面WR，且於裝置晶圓W內部，為了形成凝聚層G而進行研磨加工之構成。研削研磨裝置1係如圖2所示，主要具備：裝置主體2，和第1研削手段3，和第2研削手段4，和研磨手段5，和加以設置於旋轉台6上之例如4個的保持手段7，和卡匣8，9，和位置調整手段10，和搬入手段11，和洗淨手段13，和搬出入手段14，和評估裝置20，和未圖示之控制手段。
第1研削手段3係加以旋轉具有安裝於心軸下端之研磨石的研磨輪31之同時，經由沿著與垂直方向平行之Z軸方向而加以按壓於保持在粗研削位置B之保持手段7之時，為了粗研削加工裝置晶圓W的背面WR之構成。同樣地，第2研削手段4係加以旋轉具有安裝於心軸下端之研磨石的研磨輪41之同時，經由沿著Z軸方向而加以按壓於保持在位置於完成研削位置C之保持手段7之粗研削完成的裝置晶圓W的背面WR之時，為了完成研削加工裝置晶圓W的背面WR之構成。
在第1實施形態中，研磨手段5係如圖3所示，使安裝於心軸下端之研磨墊片等之乾式的研磨工具51，對向於保持手段7之保持面而加以配置。研磨手段5係加以旋轉研磨工具51之同時，沿著Z軸方向而加以按 壓於保持在位置於研磨位置D之保持手段7的保持面之完成研削結束之裝置晶圓W的背面WR。研磨手段5係經由沿著Z軸方向而加以按壓研磨工具51於裝置晶圓W的背面WR之時，為了研磨加工裝置晶圓W的背面WR之構成。
研磨手段5係使用乾式之研磨工具51，將所謂乾式研磨加工施以於裝置晶圓W的背面WR，於裝置晶圓W內部，形成包含將結晶構造作為偏移之偏移層的凝聚層G。此時，加以維持裝置晶圓W的抗折強度。在第1實施形態中，裝置晶圓W的抗折強度係加以維持為1000MPa以上，但本發明係未加以限定於此，而如設定呈可得到所期望之裝置強度的值即可。另外，研磨手段5係如圖3所示，具備：使研磨工具51，與心軸同時，移動於與Z軸方向正交，且與裝置主體2的寬度方向平行之X軸方向的X軸移動手段52。
然而，有關第1實施形態之評估方法係為了賦予具有凝聚性之凝聚層G而使用所謂乾式研磨加工，但本發明係未限定於乾式研磨加工，而使用可賦予具有凝結性(對於結晶生成偏移)之凝聚層G的加工方法亦可。本發明係作為可賦予凝聚層G的加工方法，例如，可使用施以採用高網格輪之加工的研削加工，電漿蝕刻，雷射光照射，或離子束照射(例如，參照日本特開2011-253983)等之方法。第1研削手段3、第2研削手段4及研磨手段5係加工作為被加工物之裝置晶圓W的加工手段。更且， 作為其他的例，如日本特開2013-244537，供給漿料同時，經由濕式研磨(例如，CMP)而除去背面WR之研磨偏差之後，供給未含有研磨粒之藥液同時，可以研磨墊而進行濕式研磨者。另外，供給漿料的同時進行研磨之後，經由停止藥液(例如，水)的供給，或減少供給量而進行研磨之時，形成凝聚層亦可。當經由停止藥液(例如，水)的供給，或減少供給量時，經由加熱裝置晶圓W之時，可提早形成凝聚層G(在以下之其他的實施形態，亦可同樣地使用)。
旋轉台6係加以設置於裝置主體2上面之圓盤狀的平台，而在水平面內可旋轉地加以設置，以特定的時間加以旋轉驅動。對於此旋轉台6上，係例如，4個保持手段7則例如在90度之相位角，等間隔地加以配設。此等4個之保持手段7係具備真空吸盤於上面之夾盤構造的構成，而真空吸附保持所載置之裝置晶圓W。此等保持手段7係對於研削加工時及研磨加工時，係將與垂直方向平行的軸作為旋轉軸，經由旋轉驅動機構而在水平面內加以旋轉驅動。如此，保持手段7係具有可旋轉地保持作為被加工物之裝置晶圓W的保持面。如此之保持手段7係經由旋轉台6的旋轉，加以依序移動至搬入搬出位置A，粗研削位置B，完成研削位置C，研磨位置D，搬入搬出位置A。
卡匣8，9係為了收納具有複數的槽之裝置晶圓W的收容器。一方的卡匣8係收容研削研磨加工前之 裝置晶圓W，而另一方之卡匣9係收容研削研磨加工後之裝置晶圓W。另外，位置調整手段10係加以暫時放置自卡匣8所取出之裝置晶圓W，為了進行其中心位置調整之平台。
搬入手段11係具有吸附墊，吸附保持在位置調整手段10所位置調整之研削研磨加工前的裝置晶圓W而搬入至位置在搬入搬出位置A之保持手段7上。搬入手段11係吸附保持加以保持於位置在搬入搬出位置A之保持手段7上之研削研磨加工後的裝置晶圓W而搬出於洗淨手段13。
搬出入手段14係例如，具備U字型手部14a之拾取機器手臂，經由U字型手部14a而吸附保持搬送裝置晶圓W。具體而言，搬出入手段14係將研削研磨加工前的裝置晶圓W，自卡匣8搬出於位置調整手段10之同時，將研削研磨加工後之裝置晶圓W，自洗淨手段13搬入至卡匣9。洗淨手段13係洗淨研削研磨加工後的裝置晶圓W，除去附著於研削及研磨後之加工面之研削屑及研磨屑等之污染。另外，研削研磨裝置1係將洗淨形成研削研磨加工後的凝聚層G且保持於保持手段7之裝置晶圓W的背面WR之未圖示的第2洗淨手段，具備於搬出入位置A。
控制手段係各控制構成研削研磨裝置1之上述的構成要素之構成。即，控制手段係由研削研磨裝置1而執行對於裝置晶圓W之加工動作的構成。控制手段係 可執行電腦程式之電腦。控制手段係具有：具有如CPU(central processing unit)之微處理器的演算處理裝置，和具有如ROM(read only memory)或RAM(random access memory)之記憶體的記憶裝置，和輸出入介面裝置。控制手段之CPU係在RAM上執行記憶於ROM之電腦程式，生成為了控制研削研磨裝置1之控制信號。控制手段之CPU係藉由輸出入介面裝置而輸出所生成之控制信號於研削研磨裝置1之各構成要素。另外，控制手段係與經由顯示加工動作之狀態或畫像等之液晶顯示裝置等而所構成之未圖示之顯示手段，或運算子則登錄在加工內容資訊時所使用之輸入手段加以連接。輸入手段係經由加以設置於顯示手段之觸控面板，和鍵盤等之中至少一個而加以構成。
評估裝置20係評估加以設置於研削研磨加工後的搬出入位置A，且形成凝聚層G於內部之裝置晶圓W的凝聚性的裝置。即，評估裝置20係加以設置於未配設研削研磨裝置1之研削手段3，4及研磨手段5之搬入搬出位置A的保持手段7之上方，判定研削研磨加工後的裝置晶圓W之凝聚性的良否。
圖4係顯示經由圖1所示之裝置晶圓的凝聚層之狀態的不同，自裝置晶圓的背面所反射之微波的強度之圖。本發明之發明者們係如圖4所示，發現經由裝置晶圓W的內部之偏移層，即凝聚層G之厚度等之狀態，在照射激發光L時產生於裝置晶圓W內部之激發載體的電 子及電洞的量則為不同，而在加以照射微波MT時反射之微波MR的強度則為不同。具體而言，本發明之發明者們係如圖4所示，發現伴隨著裝置晶圓W內部的偏移變大，不易激發載體(激發載體之電子及電洞的量變少)，加以照射微波MT時反射之微波MR的強度變弱者。
因此，本發明之發明者們係發明依據照射激發光L於裝置晶圓W之背面WR的一部分，從自激發光L之照射範圍R所反射的微波MR強度，減去自激發光L之照射範圍R外所反射的微波MR強度之信號(以下，亦單稱為差動信號)，評估凝聚性的評估裝置20。然而，圖4係顯示“測定例1”，和“測定例2”，和“測定例3”係自照射特定強度之微波MT於各作為不同加工之各裝置晶圓W的背面WR時之照射激發光L的照射範圍R所反射之微波MR的強度，和自照射範圍R外所反射之微波MR的強度之差動信號。有關測定例2之晶圓係裝置晶圓W則為加以乾式研磨背面WR而凝聚性並不充分之擬似裸晶圓，經由研磨而除去研削損傷之晶圓(表面粗度Ra為1nm程度的晶圓)。因而，有關測定例2之晶圓係雖為凝聚性並不充分，但抗折強度係為大。另一方面，有關測定例3之晶圓係裝置晶圓W則為直接施以完成研削加工於背面WR而偏移層為厚之裝置晶圓。因而，有關測定例3之晶圓係為保持研削之晶圓之故而凝聚性為大，但抗折強度為小，例如，當晶圓的厚度變薄成100μm以下時，在拾取時有產生裝置破損之虞。測定例1所記載之測 定對象的晶圓係經由研削研磨裝置1而研削背面WR，保持提高維持抗折強度，加以施以為了形成凝聚層G之乾式研磨加工(例如，使用日本DISCO公司所提供之Gettering DP輪盤之乾式研磨加工)的裝置晶圓W。另外，測定例1所記載之對象的晶圓係例如，經由使用日本特開2012-238731號公報所示之經由銅的強制污染之以往的檢查方法(經由銅而污染背面，檢出表面之銅原子的量之方法)而加以確認充分之凝聚性的晶圓。圖4係在各前述之測定例1、測定例2及測定例3中，使用厚度為25μm、50μm、100μm之裝置晶圓W。然而，圖4之縱軸係經由對數刻度而顯示差動信號之微波強度。
如根據圖4，測定例1之最小的微波強度Tmin(對於厚度25μm之晶圓而言之反射強度的差動信號)係較將測定例3之最大的微波強度TB作為5倍的值為大，而測定例1之最大的微波強度Tmax(對於厚度100μm之晶圓而言之反射強度的差動信號)係較測定例2之最小的微波強度TA之5分之1的值為小，較對於在測定例2之厚度100μm的晶圓而言之微波強度TC的10分之1的值為小。有關反射微波的強度之差動信號則依存於裝置晶圓W之背面WR狀態，將此差動信號的大小作為指標，發現可判定裝置晶圓W之凝聚的良否者。即，本發明者們係從測定例2之差動信號為高，而測定例3之差動信號為低之情況，凝聚性越低，差動信號則變高，而凝聚性越高，差動信號則變小。
圖5係顯示圖2所示之研削研磨裝置之評估裝置的構成例的圖。評估裝置20係如圖5所示，具備：激發光照射手段21，和微波照射手段22，和反射波受訊部23，和控制部24。
激發光照射手段21係照射使載體(電子及電洞)於裝置晶圓W之背面WR表層附近的激發光L之構成。在第1實施形態中，激發光照射手段21係將波長為349nm之激發光L，即，紫外線，照射於裝置晶圓W，但本發明之激發光L的波長係未加以限定為349nm。然而，在第1實施形態中，將激發光L之波長作為349nm之情況係349nm等之波長為短之波長的光(紫外光)係適合於檢出裝置晶圓W之背面WR表層附近的結晶狀態(偏移之狀態)之故。另一方面，長波長的光係激發載體之電子及電洞則不僅在裝置晶圓W之背面WR表層，而亦自裝置晶圓W的內部使其產生。因而，長波長的光係比較於照射349nm等之短波長的光之情況，對於精確度佳地檢出裝置晶圓W之背面WR表層附近的載體激發狀態情況係並不理想。
激發光照射手段21係如圖5所示，具備：出射激發光L之激發光源21a，和將激發光源21a所出射的激發光L，朝向裝置晶圓W而進行反射之反射鏡21b。激發光源21a係經由作為激發光L而放射紫外光的雷射震盪器而加以構成。作為激發光L之紫外線係利用作為YLF雷射之第三高諧波所得到之紫外線的構成。激發光源21a 係出射波長為349nm之紫外線。激發光照射手段21係以較裝置晶圓W之背面WR的面積為充分小的雷射光點系統，將激發光L照射至裝置晶圓W之背面WR。激發光照射手段21係對於裝置晶圓W之背面WR而言，沿著正交的方向而將激發光L照射至背面WR。然而，加以照射裝置晶圓W之背面WR的激發光L之範圍係激發光L的照射範圍R。在第1實施形態中，因激發光L之波長為349nm之故，對於裝置晶圓W而言之激發光L的浸透長度係約為10nm，而激發光照射手段21係可對於裝置晶圓W之背面WR之照射範圍R的表層，效率佳地進行激發載體之電子及電洞的生成者。
微波照射手段22係於裝置晶圓W之背面WR的激發光L之照射範圍R內，和裝置晶圓W之背面WR之激發光L的照射範圍R外，各照射微波MT之構成。微波照射手段22係具備：振盪微波MT之微波振盪器22a，和放大微波振盪器22a所振盪之微波MT的未圖示之放大器，和導波管構件22b。
微波振盪器22a係輸出(射出)微波MT之構成。在第1實施形態中，微波振盪器22a係輸出頻率數為26GHz之微波MT，但本發明係微波MT之頻率數係未加以限定為26GHz。
放大器係加以配設於微波振盪器22a與導波管構件22b之間，放大自微波振盪器22a所輸出之微波MT的構成。導波管構件22b係具備：為了2分割來自放 大器之微波MT的分割部22c，和加以設置於分割部22c與裝置晶圓W之間的第1導波管22d及第2導波管22e。第1導波管22d係與裝置晶圓W之背面WR的照射範圍R，沿著正交於背面WR之方向而對向。第1導波管22d係呈照射微波MT於照射範圍R而傳送微波MT。第2導波管22e係與裝置晶圓W之背面WR的照射範圍R外，沿著正交於背面WR之方向而對向。第2導波管22e係呈照射微波MT於照射範圍R外而傳送微波MT。
反射波受訊部23係各測定來自裝置晶圓W之微波MR的反射波之強度，導出從來自照射範圍R之反射波的強度減去來自照射範圍R外之反射波的強度之差動信號之測定手段。反射波受訊部23係具備第1受訊器23a，和第2受訊器23b，和差動信號算出部23c。第1受訊器23a係受訊通過第1導波管22d而加以照射至裝置晶圓W之背面WR，且自背面WR所反射之微波MR的反射波。第1受訊器23a係測定所受訊之微波MR的反射波之強度，將所測定之強度輸出於差動信號算出部23c。第2受訊器23b係受訊通過第2導波管22e而加以照射至裝置晶圓W之背面WR，且自背面WR所反射之微波MR的反射波。第2受訊器23b係測定所受訊之微波MR的反射波之強度，將所測定之強度輸出於差動信號算出部23c。
差動信號算出部23c係導出從來自第1受訊器23a所受訊之激發光L的照射範圍R之微波MR的反射波之強度，減去來自第2受訊器23b所受訊之激發光L的 照射範圍R外之微波MR的反射波之強度的值(亦稱為減算的值)之差動信號，將差動信號輸出至控制部24。差動信號算出部23c之機能係經由執行軟體與韌體之中至少一方之CPU(Central Processing Unit)、或經由至少一以上之電路所構成之處理電路而加以實現。
控制部24係各控制構成評估裝置20之上述的構成要素之構成。即，控制部24係由評估裝置20執行評估凝聚性的有關第1實施形態之評估方法之構成。
控制部24係依據自差動信號算出部23c輸入之差動信號的強度，判斷裝置晶圓W之凝聚層G的凝聚性之手段。具體而言，控制部24係自差動信號算出部23c所輸入之差動信號的強度，則依據有關圖4所示之測定例1之微波強度Tmax而加以預先設定之上限強度以下時，凝聚層G之凝聚性則判斷為適當。另外，控制部24係如為依據有關圖4所示之測定例1之微波強度Tmin而加以預先設定之下限強度以上時，抗折強度係判斷為適當。控制部24係依據自差動信號算出部23c輸入之差動信號的強度，則不足依據有關圖4所示之微波強度Tmin而加以預先設定之下限強度，或超過依據有關圖4所示之微波強度Tmax而加以預先設定之上限強度時，判斷為凝聚層G的凝聚性為差，或抗折強度為低。如此，控制部24係在評估實際之裝置晶圓W的凝聚性時，將自差動信號算出部23c輸入之差動信號的強度，與前述之下限強度及上限強度做比較。然而，有關第1實施形態之評估裝置 20之控制部24係依據下限強度與上限強度而判斷包含凝聚性之加工特性，但如僅判斷凝聚性時，未使用下限強度的值，而僅依據上限強度進行判斷亦可。此情況，控制部24係自差動信號算出部23c輸入之差動信號的強度，則為依據圖4所示之微波強度Tmax而加以預先設定之上限強度以下時，凝聚層G的凝聚性則判斷為適當，而超過上限強度時，凝聚層G的凝聚性則判斷為不適當亦可。如此，控制部24係將自差動信號算出部23c輸入之差動信號的強度，與上限強度做比較。作為其他例，如段落[0027]所記載地，將較將測定例3之最大的微波強度TB作為5倍的值(下限強度)為大，較測定例2之最小的微波強度TA之5分之1的值(上限強度)為小之情況，作為凝聚性的判定基準亦可。
下限強度及上限強度係因應由賦予至裝置晶圓W之凝聚層G所要求之凝聚性，而加以適宜設定。下限強度係對於微波強度Tmin，考慮由凝聚層G所要求之凝聚性而加以設定亦可。上限強度係對於微波強度Tmax，考慮由凝聚層G所要求之凝聚性而加以設定亦可。然而，在第1實施形態中，下限強度及上限強度係例如，加以設定為圖4所示之測定例1的微波強度，即差動信號的值±10%的值亦可。另外，前述之上限強度，及下限強度係因應裝置晶圓W的厚度而加以設定值亦可。
然而，控制部24係可執行電腦程式之電腦。控制部24係具有：具有如CPU(central processing unit) 之微處理器的演算處理裝置，和具有如ROM(read only memory)或RAM(random access memory)之記憶體的記憶裝置，和輸出入介面裝置。
控制部24之CPU係在RAM上執行記憶於ROM之電腦程式，生成為了控制評估裝置20之控制信號。控制部24之CPU係藉由輸出入介面裝置而輸出所生成之控制信號於評估裝置20之各構成要素。
接著，將研削研磨裝置之加工動作的一例，與有關第1實施形態之評估方法同時加以說明。有關第1實施形態之評估方法係評估凝聚性賦予加工後之裝置晶圓W的凝聚性之評估方法。
首先，運算子係將收容研削研磨加工前之裝置晶圓W的卡匣8，和未收容裝置晶圓W的卡匣9，安裝於裝置主體2，將加工資訊登錄於控制部24。研削研磨裝置1係在有加工動作的開始指示之情況，開始加工動作。在加工動作中，研削研磨裝置1係搬出入手段14則自卡匣8取出裝置晶圓W，搬出於位置調整手段10。研削研磨裝置1係位置調整手段10則進行裝置晶圓W之中心位置調整，而搬入手段11則將位置調整之裝置晶圓W，搬入於位置在搬入搬出位置A之保持手段7上。研削研磨裝置1係保持手段7則保持裝置晶圓W，而旋轉台6則將裝置晶圓W，依序搬送至粗研削位置B，完成研削位置C，研磨位置D及搬入搬出位置A。然而，研削研磨裝置1係旋轉台6則在每次90度旋轉，研削研磨加工前之裝置晶 圓W則加以搬入至搬入搬出位置A之保持手段7。
研削研磨裝置1係在粗研削位置B，使用第1研削手段3而對於裝置晶圓W之背面WR進行粗研削加工，而在完成研削位置C，使用第2研削手段4而對於裝置晶圓W之背面WR進行完成研削加工。研削研磨裝置1係在研磨位置D，使用研磨手段5而對於裝置晶圓W之背面WR進行研磨加工，於裝置晶圓W內部形成凝聚層G，將加以研削研磨加工之裝置晶圓W，定位於搬入搬出位置A。研削研磨裝置1係由未圖示之第2洗淨手段而洗淨定位於搬入搬出位置A之研削研磨加工後之裝置晶圓W之背面WR，執行對於自背面WR除去洗淨加工屑等之洗淨後的裝置晶圓W，使用評估裝置20之評估方法。
評估方法係具有激發光照射工程，和微波照射工程，和測定工程，和判斷凝聚性之工程。在評估方法中，評估裝置20之激發光照射手段21則執行照射激發光L於裝置晶圓W之背面WR之照射範圍R內的激發光照射工程。評估裝置20係保持照射激發光L，微波照射手段22則執行各照射微波MT於激發光L之照射範圍R與激發光L之照射範圍R外之微波照射工程。評估裝置20係執行測定工程。
評估裝置20係在測定工程中，反射波受訊部23之第1受訊器23a及第2受訊器23b則各測定來自裝置晶圓W之背面WR的激發光L之照射範圍R與激發光L之照射範圍R外之微波MR的反射波之強度。評估裝置 20係反射波受訊部23之差動信號算出部23c則導出從來自激發光L之照射範圍R的微波MR之反射波的強度，減去來自激發光L之照射範圍R外的微波MR之反射波的強度之差動信號，輸出至控制部24。
評估裝置20係依據在測定工程所算出之差動信號的強度，執行判斷裝置晶圓W之凝聚性的工程。評估裝置20係在判斷凝聚性的工程中，差動信號之強度為上限強度以下時，凝聚層G之凝聚性則可判斷為佳(適當)，而如為下限強度以上時，抗折強度亦可判斷為充分(適當)。當超過上限強度時，凝聚層G之凝聚性則可判斷為不佳(不充分)，而不足下限強度之情況係抗折強度則可判斷為不充分。
研削研磨裝置1係將在搬入搬出位置A之研削研磨加工後，且加以執行凝聚性的評估之裝置晶圓W，經由搬入手段11而搬出於洗淨手段13。研削研磨裝置1係洗淨手段13則洗淨裝置晶圓W，搬出入手段14則將洗淨後之裝置晶圓W搬入至卡匣9。
如以上，如根據有關第1實施形態之切削研磨裝置的加工動作，即，評估方法，依據照射激發光L之照射範圍R的微波MR之反射波的強度，和激發光L之照射範圍R外的微波MR之反射波的強度之差動信號而判斷凝聚性。因此，有關第1實施形態之評估方法係未由金屬元素而使裝置晶圓W污染，而成為可判定凝聚性之良否。隨之，有關第1實施形態之評估方法係可評估可成為 製品之裝置晶圓W的凝聚性。
另外，有關第1實施形態之評估方法係依據差動信號而判斷凝聚性之故，可以即時除去干擾，而成為可判定正確之凝聚性的良否。更且，有關第1實施形態之評估方法係使用照射激發光L之照射範圍R的微波MR之反射波的強度，和激發光L之照射範圍R外的微波MR之反射波的強度而判斷凝聚性之故，未歷經複雜的算出過程，而可判定凝聚性的良否。
另外，有關第1實施形態之評估方法係因照射波長為349nm之激發光L之故，可使裝置晶圓W之背面WR附近的載體激發，而可正確地判定凝聚層G的凝聚性。
有關第1實施形態之評估裝置20係在判斷凝聚性的工程中，差動信號之強度為上限強度以下時，凝聚層G之凝聚性則可判斷為佳(適當)，而如為下限強度以上時，抗折強度亦可判斷為充分(適當)。
但本發明之評估裝置20的控制部24係不限於第1實施形態所記載之構成，而經由將自評估對象之裝置晶圓W所得到之差動信號，與自具備成為基準之凝聚性的裝置晶圓W(亦稱為基準晶圓)所得到之差動信號做比較之時，評估評估對象之裝置晶圓W的凝聚性亦可。也就是，本發明之評估裝置20係使包含對於基準晶圓而言，照射．受訊微波所得到之差動信號的值(以下，稱為基準差動信號值)之範圍，作為得到“適當之凝聚性及抗 折強度之範圍(適當範圍)”而記憶於控制部24，進行設定亦可。此情況，評估裝置20之控制部24係基準差動信號值則位於所設定之上限、下限之範圍(即適當範圍)內時，凝聚性與抗折強度則判斷為充分(適當)，而基準差動信號值則未在於所設定之上限、下限之範圍(即適當範圍)內時，凝聚性與抗折強度之一方則判斷為不充分。然而，基準晶圓係例如，經由日本特開2012-238731號公報所示，使用經由銅之強制污染之以往的檢查方法(經由銅而污染背面，檢出表面側之銅原子的量之方法)而加以確認充分的凝聚性之晶圓亦可，而為歷經與加以確認充分之凝聚性之所確認的晶圓同樣之處理的晶圓即可。
另外，本發明之評估裝置20的控制部24係適當範圍則作為一例，作為基準差動信號值之±20%範圍的值亦可，而作為自基準差動信號值之標準偏差(σ)所求得的值(例如，基準差動信號值之±3 σ)之範圍的值亦可，經由將凝聚性與抗折強度之哪個作為優先之時，任意地加以設定適當範圍之上限，下限即可。另外，本發明之評估裝置20的控制部24係例如，對於比較於抗折強度而重視凝聚性時，將適當範圍之上限，作為加上10%於基準差動信號值的值，而將下限作為減去20%的值亦可。另一方面，本發明之評估裝置20的控制部24係對於重視抗折強度之情況，係將下限作為自基準差動信號值減去10%的值，而將上限作為加算20%的值亦可。僅考慮凝聚性而僅設定上限亦可。
(第2實施形態)
依據圖面而加以說明有關本發明之第2實施形態的評估方法。圖6係顯示實行有關本發明之第2實施形態之被加工物之評估方法的研硝研磨裝置之評估裝置之構成例的圖。圖7係顯示經由圖6所示之評估裝置而加以測定基準差動信號值之裝置晶圓的測定位置之斜視圖。在圖6及圖7中，對於與第1實施形態同一部分，係附上同一符號而省略說明。
作為有關第2實施形態之加工裝置的研磨裝置1-2之評估裝置20-2係如圖6所示，具備：激發光照射手段21，和微波照射手段22，和反射波受訊部23，和加上於控制部24，具備驅動部26，和輸入部27。驅動部26係相對使保持於搬出入位置A之保持手段7的裝置晶圓W與微波照射手段22移動之構成。
在第2實施形態中，驅動部26係取得通過保持於搬出入位置A之保持手段7，圖7所示之裝置晶圓W的背面WR之中心P的中心線CL上之微波的反射強度，而評估裝置20-2則呈可取得差動信號地，對於保持於搬出入位置A之保持手段7的裝置晶圓W而言，使微波照射手段22相對性地移動。即，驅動部26係沿著保持於搬出入位置A之保持手段7，圖7所示之裝置晶圓W的背面WR的中心線CL而使微波照射手段22移動。驅動部26係經由馬達，根據馬達之旋轉驅動力而使微波照射手 段22移動之引導螺旋，及引導微波照射手段22之移動方向的線性導軌而加以構成。驅動部26之構成係未加以限定於經由馬達，引導螺旋，及線性導軌之構成。
輸入部27係連接於控制部24。輸入部27係將保持於搬出入位置A之保持手段7的裝置晶圓W之中心線CL的位置，即，微波照射手段22之移動範圍，輸入至控制部24。輸入部27係將取得保持於搬出入位置A之保持手段7的裝置晶圓W之中心線CL的差動信號之位置，輸入至控制部24。在第2實施形態中，輸入部27係將保持於搬出入位置A之保持手段7的裝置晶圓W之中心線CL上的複數之位置，作為取得差動信號之位置，而輸入至控制部24。輸入部27係經由觸控面板，和鍵盤等之中至少一個而加以構成。
在第2實施形態中，評估裝置20-2係在測定工程中，控制部24則使微波照射手段22，沿著中心線CL而移動同時，在自輸入部27所輸入之複數的位置中，自激發光L之照射範圍R及非照射範圍取得微波之反射強度，算出差動信號。評估裝置20-2係在判斷凝聚性之工程中，控制部24則判定所取得之各位置的差動信號之強度是否為適當範圍內，而記憶各位置之凝聚性為適當或不適當。
有關第2實施形態之加工裝置1-2，即，評估方法係與第1實施形態同樣地，未以金屬元素而使裝置晶圓W污染，而成為可判定凝聚性之良否。
另外，有關第2實施形態之加工裝置1-2，即，評估方法係控制部24則使微波照射手段22，對於裝置晶圓W而言相對性地移動同時，算出自輸入部27所輸入之複數的位置之差動信號，而判定複數之位置的凝聚性為適當或不適當。因此，有關第2實施形態之加工裝置1-2，即，評估方法係成為可判定裝置晶圓W之複數的位置之凝聚性的良否，而成為可對於各裝置D判定凝聚性的良否。另外，一般而言，裝置晶圓W之凝聚性係因對於裝置晶圓W的口徑方向有不同(不均)傾向之故，有關第2實施形態之加工裝置1-2，即，評估方法係使微波照射手段22，對於裝置晶圓W而言，沿著中心線CL移動同時，自差動信號算出部23c取得微波反射強度之差動信號，而可推定裝置晶圓W全體之凝聚性的良否。然而，在本實施形態中，亦可從圖4所得到之差動信號的上限．下限強度是否含於適當範圍而判定凝聚性，但並不限定於此。例如，對於保證凝聚性之基準晶圓W而言，照射激發光及微波於全面或複數點，而得到微波之反射強度，算出差動信號，再依據此值而訂定適當範圍(凝聚性則成為適當之基準的範圍)亦可。
(第3實施形態)
依據圖面而加以說明有關本發明之第3實施形態的評估方法。圖8(a)係實行有關本發明之第3實施形態之被加工物之評估方法的加工系統之一例的平面圖。圖8 (b)係顯示圖8(a)所示之加工裝置的各工程之圖。在圖8(a)及圖8(b)中，對於與第1實施形態同一部分，係附上同一符號而省略說明。
有關第3實施形態之加工裝置1-3係如圖8(a)所示，具備：切削裝置101，和層積裝置102，和作為將包含賦予凝聚性之加工於裝置晶圓W之加工，實施於裝置晶圓W之裝置的研削研磨裝置103，和評估裝置20，和介面(圖8中、表記為IF)104。切削裝置101係如圖8(b)所示，在厚度方向自作為被加工物之裝置晶圓W的表面WS，而視分割預定線S，半切至完成厚度以上為止之構成。層積裝置102係於加以半切分割預定線S之裝置晶片W的表面WS，貼著保護膠帶T之構成。研削研磨裝置103係具備：第1實施形態之第1研削手段3，第2研削手段4及研磨手段5，研削研磨加工裝置晶圓W的表面WS，分割成裝置D之同時，於所分割之各裝置晶圓W內，形成凝聚層G之構成。評估裝置20係判定凝聚層G之良否的裝置。藉由界面104，裝置晶圓W係加以依序搬送至切削裝置101，層積裝置102，研削研磨裝置103及評估裝置20。
有關第3實施形態之加工裝置1-3，即，評估方法係與第1實施形態同樣地，未以金屬元素而使裝置晶圓W污染，而成為可判定凝聚性之良否。
然而，有關第3實施形態之加工裝置1-3係為了賦予具有凝聚性之凝聚層G而使用研削研磨裝置 103，但本發明係未限定於乾式研磨加工，而使用可形成具有凝結性(對於結晶生成偏移)之凝聚層G的加工方法之裝置亦可。本發明係作為執行可形成凝聚層G的加工方法之裝置，例如，可使用施以使用高網格輪盤之加工的研削裝置，於研磨後之裝置晶圓W，執行電漿蝕刻之裝置，執行雷射光照射之裝置，或執行離子束照射(例如，參照日本特開2011-253983)之裝置。
(第4實施形態)
依據圖面而加以說明有關本發明之第4實施形態的評估方法。圖9係實行有關本發明之第4實施形態之被加工物之評估方法的加工裝置之一例的平面圖。在圖9中，對於與第3實施形態同一部分，係附上同一符號而省略說明。
有關第4實施形態之加工裝置1-4係如圖9所示，於作為凝聚性賦予裝置之研削研磨裝置103內，設置評估裝置20之情況以外，係與第3實施形態之加工裝置1-3同一之構成。
有關第4實施形態之加工裝置1-4，即，評估方法係與第3實施形態同樣地，未以金屬元素而使裝置晶圓W污染，而成為可判定凝聚性之良否。然而，有關第4實施形態之加工裝置1-4係與第3實施形態同樣地，作為執行可賦予凝聚層G的加工方法之裝置，例如，亦可使用施以使用高網格輪盤之加工的研削裝置，於研磨後之裝置 晶圓W，執行電漿蝕刻之裝置，執行雷射光照射之裝置，或執行離子束照射(例如，參照日本特開2011-253983)之裝置。更且，作為賦予凝聚性之加工而可使用濕式的研磨加工等的點係與第1實施形態同樣。
有關第3實施形態及第4實施形態之加工裝置1-3，1-4係取代切削裝置101而具備形成改質層於裝置晶圓W的內部之雷射加工裝置亦可。
(第5實施形態)
依據圖面而加以說明有關本發明之第5實施形態的評估方法。圖10係實行有關本發明之第5實施形態之被加工物之評估方法的加工裝置之一例的平面圖。在圖10中，對於與第1實施形態同一部分，係附上同一符號而省略說明。
有關第5實施形態之加工裝置1-5係如圖10所示，將卡匣8及卡匣9排列於同一直線上，沿著排列有卡匣8，9之方向而經由移動支持機構14b，移動自由地加以設置搬出入手段14。加工裝置1-5係具備：對於搬出入手段14之移動方向而言正交之方向，經由移動支持機構19a而移動自由地加以設置，且經由具備與搬出入手段14同樣之U字型手部14a之拾取機械手臂而加以構成之搬送手段19。加工裝置1-5係於移動自由地支持搬送手段19之移動支持機構19a的靠卡匣8，9之一端部，加以安裝位置調整手段10與洗淨手段13，再於移動支持機構 19a之中央部，加以安裝有具備第1研削手段3及第2研削手段4之研削裝置17，和具備研磨手段5之研磨裝置18，於自移動支持機構19a之卡匣8，9遠離之另一端部，加以設置評估裝置20。
加工裝置1-5係搬出入手段14則於自卡匣8加以設置於移動支持機構19a之一端部的暫時放置部25，搬送裝置晶圓W，而搬送手段19則自暫時放置部25，將裝置晶圓W，搬送至位置調整手段10。加工裝置1-5係搬送手段19則將經由位置調整手段10所位置調整後之裝置晶圓W，依序搬送至研削裝置17與研磨裝置10與評估裝置20與洗淨手段13。加工裝置1-5係研削裝置17則粗研削加工及完成研削加工裝置晶圓W，而研磨裝置18則研磨加工裝置晶圓W，評估裝置20則評估裝置晶圓W之凝聚性。加工裝置1-5係洗淨手段13則洗淨裝置晶圓W，而搬送手段19則將洗淨後之裝置晶圓W搬送至暫時放置部25，搬出入手段14則將加以洗淨後之裝置晶圓W，自暫時放置部25搬入至卡匣9。
有關第5實施形態之加工裝置1-5，即，評估方法係與第1實施形態同樣地，未以金屬元素而使裝置晶圓W污染，而成為可判定凝聚性之良否。然而，有關第5實施形態之加工裝置1-5係與第1實施形態同樣地，為了賦予具有凝聚性之凝聚層G而使用所謂乾式研磨加工，但不限於乾式研磨加工，例如，亦可使用施以使用高網格輪盤之加工的研削加工，於研磨後之裝置晶圓W，使用電漿 蝕刻，雷射光照射，或離子束照射(例如，參照日本特開2011-253983)。使用濕式的研磨加工等即可者係與第1實施形態等同樣。另外，有關第5實施形態之加工裝置1-5係未設置暫時放置部25，而搬出入手段14與搬送手段19則直接收受裝置晶圓W亦可。
(第6實施形態)
依據圖面而加以說明有關本發明之第6實施形態的評估方法。圖11係實行有關本發明之第6實施形態之被加工物之評估方法的加工裝置之一例的平面圖。在圖11中，對於與第5實施形態同一部分，係附上同一符號而省略說明。
有關第6實施形態之加工裝置1-6係如圖11所示，於移動自由地支持搬出入手段14之移動支持機構14b的一端部，安裝評估裝置20，於洗淨後執行裝置晶圓W的凝聚層G之評估以外，係與第5實施形態同一之構成。
有關第6實施形態之加工裝置1-6，即，評估方法係與第1實施形態同樣地，未以金屬元素而使裝置晶圓W污染，而成為可判定凝聚性之良否。然而，有關第6實施形態之加工裝置1-6係與第1實施形態同樣地，為了賦予具有凝聚性之凝聚層G而使用所謂乾式研磨加工，但不限於乾式研磨加工，例如，亦可使用施以使用高網格輪盤之加工的研削加工，於電漿蝕刻，雷射光照射，或離子 束照射(例如，參照日本特開2011-253983)。另外，可使用濕式研磨加工等的點係與第1實施形態等同樣。
另外，本發明係在第6實施形態中，取代於移動支持機構19a之一端部上設置暫時放置部25，而作為由搬出入手段14與搬送手段19，直接收受裝置晶圓W亦可。
(第7實施形態)
依據圖面而加以說明有關本發明之第7實施形態的評估方法。圖12係顯示實行有關本發明之第7實施形態之被加工物之評估方法的加工裝置之一例的平面圖。在圖12中，對於與第5實施形態同一部分，係附上同一符號而省略說明。
有關第7實施形態之加工裝置1-7，係如圖12所示，於移動支持機構19a之一端部上，未配置暫時放置部25而設置位置調整手段10，於移動自由地支持搬送手段19之移動支持機構19a之一端部，安裝評估裝置20，在洗淨後執行裝置晶圓W的凝聚層G之評估以外，係與第5實施形態同一之構成。
有關第7實施形態之加工裝置1-7，即，評估方法係與第1實施形態同樣地，未以金屬元素而使裝置晶圓W污染，而成為可判定凝聚性之良否。然而，有關第7實施形態之加工裝置1-7係與第1實施形態同樣地，為了賦予具有凝聚性之凝聚層G而使用所謂乾式研磨加工，但 例如，亦可使用施以使用高網格輪盤之加工的研削加工，於研磨後之裝置晶圓W，使用電漿蝕刻，雷射光照射，或離子束照射(例如，參照日本特開2011-253983)。另外，可使用濕式研磨加工等的點係與第1實施形態等同樣。
(第8實施形態)
依據圖面而加以說明有關本發明之第8實施形態的評估方法。圖13係顯示實行有關本發明之第8實施形態之被加工物之評估方法的加工裝置之一例的平面圖。在圖13中，對於與第5實施形態同一部分，係附上同一符號而省略說明。
有關第8實施形態之加工裝置1-8，係如圖13所示，於移動自由地支持搬送手段19之移動支持機構19a之另一端部，安裝移動自由地支持第2搬出入手段16之移動支持機構16a，再於移動支持機構16a設置卡匣9。第2搬出入手段16係經由具備與搬出入手段14同樣構成之U字形手部14a之拾取機械手臂而加以構成。另外，加工裝置1-8係於移動支持機構19a之另一端部，設置有搬送手段19與第2搬送手段16之雙方則可搬送裝置晶圓W，且可取出裝置晶圓W之暫時放置部25。加工裝置1-8係於移動自由地支持搬出入手段14之移動支持機構14b，設置卡匣8。搬出入手段14及第2搬出入手段16之移動方向係相互為平行。有關第8實施形態之加工 裝置1-8，係於移動自由地支持搬送手段19之移動支持機構19a之另一端部，安裝洗淨手段13。有關第8實施形態之加工裝置1-8，係上述以外的構成係與第5實施形態同一之構成。
有關第8實施形態之加工裝置1-8，即，評估方法係與第1實施形態同樣地，未以金屬元素而使裝置晶圓W污染，而成為可判定凝聚性之良否。然而，有關第8實施形態之加工裝置1-8係與第1實施形態同樣地，為了賦予具有凝聚性之凝聚層G而使用所謂乾式研磨加工，但不限於乾式研磨加工，例如，亦可使用施以使用高網格輪盤之加工的研削加工，於研磨後之裝置晶圓W，使用電漿蝕刻，雷射光照射，或離子束照射(例如，參照日本特開2011-253983)等，濕式研磨加工等的點係與第1實施形態等同樣。
(第9實施形態)
依據圖面而加以說明有關本發明之第9實施形態的評估方法。圖14係實行有關本發明之第9實施形態之被加工物之評估方法的加工裝置之一例的平面圖。在圖14中，對於與第5實施形態同一部分，係附上同一符號而省略說明。
有關第9實施形態之加工裝置1-9係如圖14所示，研磨裝置18及評估裝置20則自移動自由地支持搬送手段19之移動支持機構19a加以分離，具備自研削裝 置17搬送裝置晶圓W於研磨裝置18之未圖示的搬送手段以外的構成係與第5實施形態同一之構成。
有關第9實施形態之加工裝置1-9，即，評估方法係與第1實施形態同樣地，未以金屬元素而使裝置晶圓W污染，而成為可判定凝聚性之良否。然而，有關第9實施形態之加工裝置1-9係與第1實施形態同樣地，為了賦予具有凝聚性之凝聚層G而使用所謂乾式研磨加工，但不限於乾式研磨加工，例如，可使用施以使用高網格輪盤之加工，使用高粗砂的研削加工，於研磨後之裝置晶圓W，使用電漿蝕刻，雷射光照射，或離子束照射(例如，參照日本特開2011-253983)等，濕式研磨加工等的點係與第1實施形態等同樣。
有關前述之第1實施形態至第8實施形態之裝置晶圓之加工裝置1，1-2，1-3，1-4，1-5，1-6，1-7，1-8的搬出入手段14及搬送手段19係具備U字型手部14a之拾取機械手臂，顯示經由U字型手部14a而吸附保持裝置晶圓W的一部分而搬送的例，但具備吸附保持裝置晶圓W的全面之全面吸附式的吸附墊片亦可。另外，在前述之實施形態中，係記載過藉由暫時放置部25而收受裝置晶圓W的構成，但搬出入手段14與搬送手段19則直接進行收受亦可。特別是對於搬送對象之裝置晶圓W為薄之情況係為有效。在前述第1實施形態至第9實施形態中，評估裝置20係構成被加工物之裝置晶圓的加工裝置1，1-2，1-3，1-4，1-5，1-6，1-7，1-8，1-9，但在本 發明中，亦可構成被加工物之製造裝置。即，有關第1實施形態至第9實施形態之評估方法係亦可為裝置之製造方法。另外，本發明係未使用差動信號，而依據自加以照射激發光L的照射範圍R所反射之微波MR的強度，而評估凝聚性亦可。另外，本發明係加以照射激發光L的照射範圍R所反射之微波MR的強度則依據加以停止激發光L的照射而成為1/e以下之時間，即所謂再結合衰退期而評估凝聚性亦可。
如根據第1實施形態至第9實施形態，可得到以下之評估裝置及加工裝置。
(附記1)
一種評估裝置，係評估加以形成複數之裝置於表面同時，加以形成凝聚層於內部之被加工物的凝聚之評估裝置，其特徵為具有：照射為了使載體激發之激發光L於被加工物的激發光照射手段，和於前述被加工物之前述激發光L的照射範圍R與前述激發光L的照射範圍R外，各照射微波MT之微波照射手段，和各測定來自前述被加工物之前述微波MR的反射波之強度，導出從來自前述照射範圍R之反射波的強度減去來自前述照射範圍R外之反射波的強度之差動信號之測定手段， 和依據由前述測定手段所算出之前述差動信號的強度而判斷凝聚性之手段者。
(附記2)
一種加工裝置，其特徵係具備：如附記1記載之評估裝置、和加工前述被加工物之加工手段者。
(附記3)
一種被加工物之製造方法，係加以形成複數之裝置於表面同時，加以形成凝聚層於內部之被加工物的製造方法，其特徵為具有：照射為了使載體激發之激發光L於被加工物的第1工程，和於前述被加工物之前述激發光L的照射範圍R與前述激發光L的照射範圍R外，各照射微波MT之第2工程，和各測定來自前述被加工物之前述微波MR的反射波之強度，導出從來自前述照射範圍R之反射波的強度減去來自前述照射範圍R外之反射波的強度之差動信號之第3工程，和依據由前述測定手段所算出之前述差動信號的強度而判斷前述凝聚層之凝聚性之第4工程者。
然而，本發明係不限定於上述實施形態，變 形例者。即，在不脫離本發明之內容的範圍，可做各種變形而實施者。
7:保持手段
20:評估裝置
21:激發光照射手段
21a:激發光源
21b:反射鏡
22:微波照射手段
22a:微波振盪器
22b:導波管構件
22c:分割部
22d:第1導波管
22e:第2導波管
23:反射波受訊部
23a:第1受訊器
23b:第2受訊器
23c:差動信號算出部
24:控制部
G:凝聚層
L:激發光
MT、MR:微波
R:照射範圍
W:裝置晶圓(被加工物)
WR:背面
WS:表面

Claims (6)

  1. 一種裝置晶圓之評估方法，係評估加以形成複數之裝置於表面同時，加以形成凝聚層於內部之裝置晶圓的凝聚性之評估方法，其特徵為含有：照射為了使載體激發之激發光於裝置晶圓的激發光照射工程，和於前述裝置晶圓之前述激發光的照射範圍與前述激發光的照射範圍外，各照射微波之微波照射工程，和各測定來自前述裝置晶圓之前述微波的反射波之強度，導出從來自前述照射範圍之反射波的強度減去來自前述照射範圍外之反射波的強度之差動信號之測定工程，和依據以前述測定手段所算出之前述差動信號的強度而判斷凝聚性之工程；於前述判斷工程中，將前述差動信號之強度，與對應於賦予前述裝置裝置之凝聚層所要求之凝聚性所設定之上限強度比較，判斷凝聚性者。
  2. 如請求項第1項記載之裝置晶圓之評估方法，其中，於前述判斷工程中，前述差動信號之強度為前述上限強度以下時，判斷凝聚性為適合，而超過前述上限強度時，判斷凝聚性為不適合。
  3. 如請求項第1項或第2項記載之裝置晶圓之評估方法，其中，於前述判斷工程中，將前述差動信號之強度，與對應於賦予前述裝置裝置之凝聚層所要求之凝聚性所設定之下限強度比較，判斷前述裝置晶圓之抗折強度。
  4. 如請求項第3項記載之裝置晶圓之評估方法，其中，於前述判斷工程中，前述差動信號之強度為前述下限強度以上時，判斷前述裝置晶圓之抗折強度為適合，而不足前述下限強度時，判斷前述裝置晶圓之抗折強度為低。
  5. 如請求項第1項或第2項記載之裝置晶圓之評估方法，其中，前述微波之頻率數係26GHz。
  6. 如請求項第1項或第2項記載之裝置晶圓之評估方法，其中，前述激發光的波長係349nm。
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