DE102017205104A1 - Werkstückevaluierungsverfahren - Google Patents

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Abstract

Es wird hierin ein Werkstückevaluierungsverfahren zum Evaluieren der Gettereigenschaft eines Bauelementwafers offenbart, der eine Vielzahl von Bauelementen, die an der Vorderseite des Bauelementwafers ausgebildet sind, und eine Getterschicht aufweist, die im Inneren des Bauelementwafers ausgebildet ist. Das Werkstückevaluierungsverfahren schließt die Schritte eines Aufbringens von Anregungslicht auf den Bauelementwafer zum Anregen eines Trägers, eines Aufbringens von Mikrowellen auf einen Lichtaufbringbereich, wo das Anregungslicht aufgebracht wird, und zudem auf einen anderen Bereich als den Lichtaufbringbereich auf dem Bauelementwafer, eines Messens der Intensität der Mikrowellen, die von dem Lichtaufbringbereich und von dem anderen Bereich als dem Lichtaufbringbereich reflektiert werden, eines Subtrahierens der Intensität der Mikrowellen, die von dem anderen Bereich als dem Lichtaufbringbereich reflektiert werden, von der Intensität der Mikrowellen, die von dem Lichtaufbringbereich reflektiert werden, um dadurch ein Differenzsignal zu erhalten, und eines Bestimmens der Gettereigenschaft der Getterschicht nach der Intensität des oben erhaltenen Differenzsignals.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Werkstückevaluierungsverfahren mit einem Evaluieren der Gettereigenschaft eines Werkstücks.
  • Beschreibung des in Beziehung stehenden Stands der Technik
  • In den letzten Jahren wurde ein Wafer mit einer Vielzahl darauf ausgebildeter Bauelemente, auf den hiernach als Bauelementwafer Bezug genommen wird, beispielsweise zum Zwecke einer Größenreduktion von jedem Bauelement verdünnt. Wenn der Bauelementwafer jedoch poliert wird, um die Waferdicke auf 100 μm oder weniger zu reduzieren, besteht die Möglichkeit einer Verminderung der Gettereigenschaft mit einem Unterdrücken der Bewegung von Metallelementen, welche die Bauelemente schädigen, was einen fehlerhaften Betrieb jedes Bauelements verursacht. Um mit diesem Problem umzugehen wird eine Getterschicht zum Einfangen der Metallelemente im Inneren des Bauelementwafers ausgebildet (siehe zum Beispiel das japanische offengelegte Patent Nr. 2009-94326 ). Bei diesem Bearbeitungsverfahren wird der Bauelementwafer unter vorbestimmten Bedingungen geschliffen, um dadurch die Getterschicht einschließlich einer vorbestimmten verspannten Schicht bei einem Aufrechterhalten der Formfestigkeit des Bauelementwafers auszubilden.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die Gettereigenschaft des Bauelementwafers, der durch das in dem japanischen offengelegten Patent Nr. 2009-94326 beschriebenen Bearbeitungsverfahren bearbeitet wird, kann durch tatsächliches Kontaminieren des Bauelementwafers mit Metallelementen evaluiert werden. Jedoch weist dieses Verfahren das Problem auf, dass keine guten Bauelementchips, d. h. keine defektfreien Produkte, erreicht werden können. D. h., da dieses Evaluierungsverfahren den Schritt eines tatsächlichen Kontaminierens des Bauelementwafers mit Metallelementen einschließt, kann ein Bauelementwafer, der ein Produkt werden kann, nicht evaluiert werden.
  • Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Werkstückevaluierungsverfahren bereitzustellen, dass die Gettereigenschaft eines Werkstücks als mögliches Produkt evaluieren kann.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Werkstückevaluierungsverfahren zum Evaluieren der Gettereigenschaft eines Werkstücks mit einer Vielzahl von Bauelementen, die an der Vorderseite des Werkstücks ausgebildet sind, und mit einer Getterschicht bereitgestellt, die im Inneren des Werkstücks ausgebildet ist, wobei das Werkstückevaluierungsverfahren einen Anregungslichtaufbringschritt mit einem Aufbringen von Anregungslicht auf das Werkstück für ein Anregen eines Trägers; nach dem Ausführen des Anregungslichtaufbringschritts einen Mikrowellenaufbringschritt mit einem Aufbringen von Mikrowellen auf einen Lichtaufbringbereich, wo das Anregungslicht aufgebracht wird, und zudem auf einen anderen Bereich als den Lichtaufbringbereich auf dem Werkstück; einen Messschritt mit einem Messen der Intensität der Mikrowellen, die von dem Lichtaufbringbereich und von dem anderen Bereich als dem Lichtaufbringbereich nach dem Ausführen des Mikrowellenaufbringschritt reflektiert werden, und als Nächstes ein Subtrahieren der Intensität der Mikrowellen, die von dem Anderen Bereich als den Lichtaufbringbereich reflektiert werden, von der Intensität der Mikrowellen, die von dem Lichtaufbringbereich reflektiert werden, um dadurch ein Differenzsignal zu erhalten; und einen Gettereigenschaftbestimmungsschritt mit einem Bestimmen der Gettereigenschaft der Getterschicht nach der Intensität des Differenzsignals einschließt, das in dem Messschritt erhalten wird.
  • Vorzugsweise ist die Frequenz der Mikrowellen 26 GHz.
  • Vorzugsweise ist die Wellenlänge des Anregungslichts 349 nm.
  • In Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung ist es möglich, die Gettereigenschaft des Werkstücks zu evaluieren, das ein Produkt werden kann.
  • Die obigen und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise ihrer Umsetzung wird von einem Studium der folgenden Beschreibung und angehängten Ansprüche mit Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen, die einige bevorzugte Ausführungsformen der Erfindungen zeigen, deutlicher und die Erfindung selbst wird dadurch am besten verstanden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Bauelementwafer als bei einem Werkstückbewertungsverfahren zu evaluierendes Ziel in Übereinstimmung mit einer ersten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 2 ist eine perspektivische Ansicht, die den Aufbau einer Schleif- und Poliervorrichtung zum Ausführen des Werkstückevaluierungsverfahrens in Übereinstimmung mit der ersten bevorzugten Ausführungsform zeigt;
  • 3 ist eine perspektivische Ansicht, die den Aufbau eines Poliermittels zeigt, das zu der in 2 gezeigten Schleif- und Poliervorrichtung gehört;
  • 4 ist ein Graph, der die Intensität von Mikrowellen zeigt, die von der Rückseite des in 1 gezeigten Bauelementwafers in Abhängigkeit eines Unterschieds bei einem Zustand einer Getterschicht reflektiert werden, die im Inneren des Bauelementwafers ausgebildet ist;
  • 5 ist ein Blockdiagramm, das den Aufbau einer Evaluierungsvorrichtung zeigt, die zu der in 2 gezeigten Schleif- und Poliervorrichtung gehört;
  • 6 ist ein Blockdiagramm, das den Aufbau einer Evaluierungsvorrichtung zeigt, die zu einer Schleif- und Poliervorrichtung zum Ausführen eines Werkstückevaluierungsverfahrens in Übereinstimmung mit einer zweiten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gehört;
  • 7 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Messposition an einem Bauelementwafer zeigt, wo ein Referenzdifferenzsignalwert durch die in 6 gezeigte Evaluierungsvorrichtung gemessen wird;
  • 8A ist eine schematische Draufsicht, die ein Bearbeitungssystem zum Ausführen eines Werkstückevaluierungsverfahrens in Übereinstimmung mit einer dritten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 8B ist eine schematische Schnittansicht, die eine Reihe von durch das in 8A gezeigte Bearbeitungssystem auszuführende Bearbeitungsschritte zeigt;
  • 9 ist eine schematische Draufsicht, die ein Bearbeitungssystem zum Ausführen eines Werkstückevaluierungsverfahrens in Übereinstimmung mit einer vierten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 10 ist eine Draufsicht, die ein Bearbeitungssystem zum Ausführen eines Werkstückevaluierungsverfahrens in Übereinstimmung mit einer fünften bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 11 ist eine Draufsicht, die ein Bearbeitungssystem zum Ausführen eines Werkstückevaluierungsverfahrens in Übereinstimmung mit einer sechsten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 12 ist eine Draufsicht, die ein Bearbeitungssystem zum Ausführen eines Werkstückevaluierungsverfahrens in Übereinstimmung mit einer siebten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 13 ist eine Draufsicht, die ein Bearbeitungssystem zum Ausführen eines Werkstückevaluierungsverfahrens in Übereinstimmung mit einer achten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt; und
  • 14 ist eine Draufsicht, die ein Bearbeitungssystem zum Ausführen eines Werkstückevaluierungsverfahrens in Übereinstimmung mit einer neunten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Es werden nun bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen im Detail beschrieben. Die vorliegende Erfindung ist nicht auf diese bevorzugten Ausführungsformen beschränkt. Ferner können die in diesen bevorzugten Ausführungsformen verwendeten Komponenten jene einschließen, die einfach durch den Fachmann angenommen werden oder die im Wesentlichen die gleichen aus dem Stand der Technik bekannten Elemente sind. Ferner können die nachfolgend beschriebenen Aufbauten bzw. Konfigurationen auf geeignete Weise kombiniert werden. Zudem können die Konfigurationen auf vielfältige Weise weggelassen, ersetzt oder verändert werden, ohne den Schutzbereich der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
  • (Erste bevorzugte Ausführungsform)
  • Es wird nun ein Werkstückevaluierungsverfahren in Übereinstimmung mit einer ersten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. 1 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Bauelementwafer W als bei dem Werkstückevaluierungsverfahren in Übereinstimmung mit der ersten bevorzugten Ausführungsform zu evaluierendes Ziel zeigt. 2 ist eine perspektivische Ansicht, die den Aufbau einer Schleif- und Poliervorrichtung 1 zum Ausführen des Werkstückevaluierungsverfahrens in Übereinstimmung mit der ersten bevorzugten Ausführungsform zeigt. 3 ist eine perspektivische Ansicht, die den Aufbau des Poliermittels 5 zeigt, das zu der in 2 gezeigten Schleif- und Poliervorrichtung 1 gehört.
  • Das Werkstückevaluierungsverfahren, auf das hiernach einfach als Evaluierungsverfahren Bezug genommen wird, in Übereinstimmung mit der ersten bevorzugten Ausführungsform ist ein Verfahren zum Evaluieren der Gettereigenschaft des in 1 als Werkstück gezeigten Bauelementwafers W. Wie in 1 gezeigt, ist der Bauelementwafer W ein scheibenförmiger Halbleiterwafer oder ein optischer Bauelementwafer, der Silizium als Basismaterial aufweist. Der Bauelementwafer W weist eine Vorderseite WS und eine Rückseite WR, die der Vorderseite WS gegenüberliegt, auf. Eine Vielzahl sich schneidender Trennlinien S sind an der Vorderseite WS des Bauelementwafers W ausgebildet, um dadurch eine Vielzahl getrennter Bereiche zu definieren, wo eine Vielzahl von Bauelementen D ausgebildet sind. D. h., dass die Vielzahl von Bauelementen D an der Vorderseite WS des Bauelementwafers W ausgebildet sind. Die Rückseite WR des Bauelementwafers W wird in der Schleif- und Poliervorrichtung 1 geschliffen, um dadurch die Dicke des Bauelementwafers W auf eine vorbestimmte Dicke zu reduzieren. Danach wird eine Getterschicht G im Inneren des Bauelementwafers W ausgebildet und die Gettereigenschaft der Getterschicht G wird als Nächstes evaluiert. Die Gettereigenschaft der Getterschicht G gibt den Grad an Effektivität beim Unterdrücken der Bewegung von Metallelementen an, wie zum Beispiel Kupfer, das die Bauelemente D schädigt. Jedes Bauelement D, das an der Vorderseite WS des Bauelementwafers W ausgebildet ist, ist ein Speicher, wie zum Beispiel ein Flash Memory und ein Dynamic Random Access Memory (DRAM), wobei Metallverunreinigungen, wie zum Beispiel Verunreinigungen durch ein Kupferelement, der Rückseite WR ein Problem ist. Während das Werkstück bei der ersten bevorzugten Ausführungsform der Bauelementwafer W ist, ist das Werkstück bei der vorliegenden Erfindung nicht auf den Bauelementwafer W beschränkt.
  • Das Evaluierungsverfahren in Übereinstimmung mit der ersten bevorzugten Ausführungsform wird durch die in 2 gezeigte Schleif- und Poliervorrichtung 1 als Bearbeitungssystem ausgeführt. Die Schleif- und Poliervorrichtung 1 funktioniert so, dass sie die Rückseite WR des Bauelementwafers W schleift, dadurch die Dicke des Bauelementwafers W reduziert, und funktioniert zudem so, dass sie die Rückseite WR des oben geschliffenen Bauelementwafers W poliert, wodurch die Rückseite WR mit hoher Genauigkeit abgeflacht wird und die Getterschicht G im Inneren des Bauelementwafers W ausgebildet wird. Wie in 2 gezeigt, schließt die Schleif- und Poliervorrichtung 1 ein Basisgehäuse 2, ein erstes Schleifmittel 3, ein zweites Schleifmittel 4, ein Poliermittel 5, einen Drehtisch 6, eine Vielzahl von Haltemitteln 7 (zum Beispiel vier), die an dem Drehtisch 6 vorgesehen sind, zwei Kassetten 8 und 9, ein Positioniermittel 10, ein Transfermittel 11, ein Reinigungsmittel 13, ein Handhabungsmittel 14, eine Evaluierungsvorrichtung 20 und ein nicht gezeigtes Steuerungsmittel ein.
  • Jedes Haltemittel 7 ist angepasst, um wahlweise eine Bereitschaftsposition (Lade-/Entladeposition) A, eine Grobschleifposition B, eine Fertigschleifposition C und eine Polierposition D einzunehmen.
  • Das erste Schleifmittel 3 schließt eine sich vertikal erstreckende Spindel und ein Schleifrad 31 ein, das an dem unteren Ende der Spindel montiert ist, wobei das Schleifrad 31 Schleifelemente für ein grobes Schleifen aufweist. Das Schleifrad 31 ist um die Achse der Spindel drehbar und in einer Z-Richtung parallel zu einer vertikalen Richtung bewegbar. Durch Drehen des Schleifrads 31 und Bewegen des Schleifrads 31 in der Z-Richtung, um die Schleifelemente des Schleifrads 31 gegen die Rückseite WR des Bauelementwafers W zu drücken, der durch das auf die Grobschleifposition B eingestellte Haltemittel 7 gehalten wird, wobei die Rückseite WR des Bauelementwafers W durch das Schleifrad 31 des ersten Schleifmittels 3 grob geschliffen wird. Auf ähnliche Weise schließt das zweite Schleifmittel 4 eine sich in vertikaler Richtung erstreckende Spindel und ein Schleifrad 41 ein, das an dem unteren Ende der Spindel montiert ist, wobei das Schleifrad 41 Schleifelemente zum Fertigschleifen aufweist. Das Schleifrad 41 ist um die Achse der Spindel drehbar und vertikal in der Z-Richtung bewegbar. Durch Drehen des Schleifrads 41 und Bewegen des Schleifrads 41 in der Z-Richtung, um die Schleifelemente des Schleifrads 41 gegen die Rückseite WR des Bauelement Wafers W (bereits grob geschliffen) zu drücken, der durch das auf die Fertigschleifposition C eingestellte Haltemittel 7 gehalten wird, wobei die Rückseite WR des Bauelementwafers W durch das Schleifrad 41 des zweiten Schleifmittels 4 fertiggeschliffen wird.
  • Wie in 3 gezeigt, schließt das Poliermittel 5 eine sich vertikal erstreckende Spindel und ein Trockenpolierwerkzeug 51 ein, wie zum Beispiel ein Polierkissen, das an das untere Ende der Spindel montiert ist, wobei das Polierwerkzeug 51 der oberen Fläche (Haltefläche) des Haltemittels 7, das auf die Polierposition D eingestellt ist, gegenüberliegt. Das Polierwerkzeug 51 ist um die Achse der Spindel drehbar und in der Z-Richtung bewegbar. Durch Drehen des Polierwerkzeugs 51 und Bewegen des Polierwerkzeugs 51 in der Z-Richtung, um das Polierwerkzeug 51 gegen die Rückseite WR des Bauelementwafers W (der bereits fertig geschliffen ist) zu drücken, der durch das auf die Polierposition D eingestellte Haltemittel 7 gehalten wird, wobei die Rückseite WR des Bauelementwafers W durch das Polierwerkzeug 51 des Poliermittels 5 poliert wird.
  • Das Trockenpolierwerkzeug 51 des Poliermittels 5 arbeitet so, dass es sogenanntes Trockenpolieren an der Rückseite WR des Bauelementwafers W auszuführen, um dadurch die Getterschicht G im Inneren des Bauelementwafers W auszubilden, wobei die Getterschicht G eine verspannte Schicht aufweist, die durch Belasten einer Kristallstruktur ausgebildet wird. Zu diesem Zeitpunkt wird die Formfestigkeit des Bauelementwafers W aufrechterhalten. Bei der ersten bevorzugten Ausführungsform wird die Formsteifigkeit des Bauelementwafers W bei 1000 MPa oder mehr gehalten. Jedoch ist die Formfestigkeit des Bauelementwafers W bei der vorliegenden Erfindung nicht auf diesen Wert beschränkt, sondern kann auf einen Wert eingestellt werden, der eine gewünschte Bauelementfestigkeit bereitstellt. Wie in 3 gezeigt, schließt das Poliermittel 5 ferner ein X-Bewegungsmittel 52 zum Bewegen des Polierwerkzeugs 51 mit der Spindel in einer X-Richtung senkrecht zu der Z-Richtung und parallel zu der seitlichen Richtung des Basisgehäuses 2 ein, das in 2 gezeigt wird.
  • Obwohl das Evaluierungsverfahren in Übereinstimmung mit der ersten bevorzugten Ausführungsform sogenanntes Trockenpolieren zum Ausbilden der Getterschicht G einsetzt, die eine Gettereigenschaft aufweist, kann die vorliegende Erfindung nicht nur dieses Trockenpolieren übernehmen, sondern ebenso beliebige andere Bearbeitungsverfahren, die imstande sind, die Getterschicht G mit einer Gettereigenschaft auszubilden, d. h. eine Dehnung in einem Kristall bereitzustellen. Beispiele für so ein Bearbeitungsverfahren, das imstande ist, die Getterschicht G auszubilden, schließen Schleifen unter Verwendung eines hochmaschigen Rads, Plasmaätzen, eine Laserstrahlanwendung und eine Ionenstrahlanwendung ein, siehe zum Beispiel das japanische offengelegte Patent mit der Nummer 2011-253983 . Das erste Schleifmittel 3, das zweite Schleifmittel 4 und das Poliermittel 5 sind Bearbeitungsmittel zum Bearbeiten des Bauelementwafers W als Werkstück. Ein anderes, wie in dem japanischen offengelegten Patent Nr 2013-244537 beschriebenes Verfahren kann ebenso verwendet werden, um die Getterschicht G auszubilden. Dieses Verfahren schließt die Schritte des Ausführens von Nasspolieren, wie zum Beispiel ein chemisch-mechanisches Polieren (CMP) ein, wie zum Beispiel ein Zuführen eines Schlamms, um dadurch eine Schleifbelastung von der Rückseite WR des Bauelementwafers W zu entfernen und als nächstes Nasspolieren der Rückseite WR mit einem Polierkissen bei einer Zufuhr einer Flüssigkeit, die keine Schleifkörner enthält. Nach dem Polieren der Rückseite WR bei einem Zuführen des Schlamms kann als Abwandlung die Zufuhr der Flüssigkeit, wie zum Beispiel reinen Wassers, gestoppt werden oder die Menge an zuzuführender Flüssigkeit kann beim Polieren der Rückseite WR reduziert werden, um die Getterschicht G auszubilden. Durch Stoppen der Zufuhr der Flüssigkeit oder Reduzieren der zuzuführenden Flüssigkeitsmenge wird der Bauelementwafer W beim Polieren der Rückseite WR erwärmt, sodass die Getterschicht G in einer kurzen Zeit ausgebildet werden kann. Diese verschiedenen Verfahren können auf ähnliche Weise bei den anderen bevorzugten nachfolgend beschriebenen Ausführungsformen verwendet werden.
  • Wiederum Bezug nehmend auf 2 ist der Drehtisch 6 ein scheibenförmiger Tisch, der an der oberen Fläche des Basisgehäuse 2 vorgesehen ist. Der Drehtisch 6 ist in einer horizontalen Ebene drehbar und wird mit einem vorbestimmten Zeitablauf in Drehrichtung angetrieben. Bei dieser bevorzugten Ausführungsform sind die vier Haltemittel 7 an dem Drehtisch 6 so bereitgestellt, dass sie mit einem Phasenwinkel von 90° gleichmäßig beabstandet sind. Jedes Haltemittel 7 weist eine Spanntischstruktur mit einer an der oberen Fläche ausgebildeten Unterdruckspanneinrichtung auf, wobei der Bauelementwafer W, der auf der Unterdruckspanneinrichtung platziert ist, unter Saugkraft gehalten wird. Jedes Haltemittel 7 weist eine sich vertikal erstreckende Rotationsachse auf und wird durch einen nicht gezeigten Drehantriebsmechanismus beim Schleifen und Polieren des Bauelementwafers W in einer horizontalen Ebene in Drehrichtung angetrieben. Jedes Haltemittel 7 weist eine Haltefläche auf, die zum Halten des Bauelementwafers W als Werkstück in Drehrichtung ist. Durch Drehen des Drehtischs 6 wird jedes Haltemittel 7 nacheinander von der Bereitschaftsposition A über die Grobschleifposition B, die Fertigschleifposition C und die Polierposition D zu der Bereitschaftsposition A bewegt.
  • Jede der Kassetten 8 und 9 fungiert als ein Behälter, der eine Vielzahl von Schlitzen zum Aufnehmen einer Vielzahl von Bauelementwafern W aufweist. Die Kassette 8 fungiert vor dem Ausführen des Schleif- und Poliervorgangs zur Aufbewahrung einer Vielzahl von Bauelementwafern W, wogegen die Kassette 9 nach dem Ausführen des Schleif- und Poliervorgangs als Aufbewahrung für die Vielzahl von Bauelementwafern W fungiert. Das Positionierungsmittel 10 fungiert als ein Tisch für ein zeitweiliges Ablegen des Bauelementwafers W, der aus der Kassette 8 herausgenommen wird, und zum Zentrieren des Bauelementwafers W.
  • Das Transfermittel 11 weist ein Saugpad zum Halten des Bauelementwafers W unter Saugkraft auf. Vor dem Ausführen des Schleif- und Poliervorgangs fungiert das Transfermittel 11 zum Überführen des Bauelementwafers W von dem Positioniermittel 10 zu der Bereitschaftsposition A. Nach dem Ausführen des Schleif- und Poliervorgangs fungiert das Transfermittel 11 zum Überführen des Bauelementwafers W von der Bereitschaftsposition A zu dem Reinigungsmittel 13.
  • Das Handhabungsmittel 14 ist ein Aufnahmeroboter mit einer U-förmigen Hand 14a zum Halten des Bauelementwafers W unter Saugkraft und dann dessen Überführung. Vor dem Ausführen des Schleif- und Poliervorgangs ist das Handhabungsmittel 14 fungiert zum Überführen des Bauelementwafers W von der Kassette 8 zu dem Positioniermittel 10. Nach dem Ausführen des Schleif- und Poliervorgangs fungiert das Handhabungsmittel 14 zum Überführen des Bauelementwafers W von dem Reinigungsmittel 13 zu der Kassette 9. Das Reinigungsmittel 13 fungiert nach dem Ausführen des Schleif- und Poliervorgangs zum Reinigen des Bauelementwafers W, um dadurch jegliche Verunreinigung, wie zum Beispiel Schleifstaub und Polierstaub, der an der Arbeitsfläche, d. h. Rückseite WR, des geschliffenen und polierten Bauelementwafers W anhaftet zu entfernen. Die Schleif- und Poliervorrichtung 1 schließt ferner ein zweites nicht gezeigtes Reinigungsmittel ein, das nach dem Ausführen des Schleif- und Poliervorgangs zum Ausbilden der Getterschicht G bei der Bereitschaftsposition A zum Reinigen der Rückseite WR des Bauelementwafers W, der durch das Haltemittel 7 gehalten wird, vorgesehen ist.
  • Das Steuerungsmittel fungiert zum Steuern der oben genannten Komponenten der Schleif- und Poliervorrichtung 1. D. h., dass das Steuerungsmittel so funktioniert, dass es die Schleif- und Poliervorrichtung 1 den Bearbeitungsvorgang an dem Bauelementwafer W ausführen lässt. Insbesondere ist das Steuerungsmittel durch einen Computer bereitgestellt, der imstande ist, ein Computerprogramm auszuführen. Das Steuerungsmittel weist eine Verarbeitungseinheit auf, die einen Mikroprozessor, wie zum Beispiel eine Central Processing Unit (CPU), eine Speichereinheit mit einem Speicher, wie zum Beispiel ein Read Only Memory (ROM) und ein Random Access Memory (RAM) und eine Eingabe-Ausgabe-Schnittstelle aufweist. Die CPU in dem Steuerungsmittel funktioniert so, dass sie das in dem ROM gespeicherte Computerprogramm ausliest, das Computerprogramm auf dem RAM ausführt und ein Steuerungssignal zum Steuern der Schleif- und Poliervorrichtung 1 erzeugt. Das erzeugte Steuerungssignal wird von der CPU durch die Eingabe-Ausgabe-Schnittstelleneinheit zu den Komponenten der Schleif- und Poliervorrichtung 1 ausgegeben. Des Weiteren ist das Steuerungsmittel mit einem nicht gezeigten Anzeigemittel, wie zum Beispiel einer Flüssigkeitskristallanzeigeeinheit zum Anzeigen des Zustands des Bearbeitungsvorgangs, Bildern etc. verbunden und zudem mit einem beim Aufnehmen von Bearbeitungsinformationen durch einen Bediener zu verwendendes Eingabemittel verbunden. Das Eingabemittel ist durch mindestens ein Touchpanel, das in dem Anzeigemittel vorgesehen ist, und eine Tastatur eingerichtet.
  • Die Evaluierungsvorrichtung 20 ist eine Vorrichtung, die bei der Bereitschaftsposition A zum Evaluieren der Gettereigenschaft des Bauelementwafers W bereitgestellt ist, in dem die Getterschicht G durch den Schleif- und Poliervorgang ausgebildet worden ist. D. h., dass die Evaluierungsvorrichtung 20 über dem Haltemittel 7 bereitgestellt ist, das auf die Bereitschaftsposition A eingestellt ist, bei der das Schleifmittel 3 und 4 und das Poliermittel 5 der Schleif- und Poliervorrichtung 1 nicht vorgesehen sind und so funktioniert, dass sie bestimmt, ob die Gettereigenschaft des geschliffenen und polierten Bauelementwafers W gut ist oder nicht.
  • 4 ist ein Graph, der die Intensität von Mikrowellen zeigt, die von der Rückseite WR des in 1 gezeigten Bauelementwafers W in Abhängigkeit eines Unterschieds bei dem Zustand der im Inneren des Bauelementwafers W ausgebildeten Getterschicht G reflektiert werden. Die Erfinder haben festgestellt, dass sich die Menge an Elektronen und Löchern als durch die Anwendung von Erregungslicht L in dem Bauelementwafer W erzeugte angeregte Träger in Übereinstimmung mit dem Zustand, wie zum Beispiel der Dicke, der verspannten Schicht oder der im Inneren des Bauelementwafers W ausgebildeten Getterschicht G unterscheidet, und dass wenn Mikrowellen MT auf den Bauelementwafer W aufgebracht werden, sich die Intensität der Mikrowellen MR, die von dem Bauelementwafer W reflektiert werden, wie in 4 gezeigt, auch entsprechend unterscheiden. Insbesondere haben die Erfinder festgestellt, dass wenn die Dehnung in dem Bauelementwafer W ansteigt, die Träger weniger angeregt sind (die Menge an Elektronen und Löchern als angeregte Träger vermindert ist), sodass, wenn die Mikrowellen MT auf den Bauelementwafer W angewandt werden, die Intensität der reflektierten Mikrowellen MR reduziert ist.
  • Angesichts der obigen Tatsache haben die Erfinder die Evaluierungsvorrichtung 20 zum Evaluieren der Gettereigenschaft durch Aufbringen des Anregungslichts L auf einen Teil der Rückseite WR des Bauelementwafers W, Messen der Intensität der Mikrowellen MR, die von einem Lichtaufbringbereich R, wo das Anregungslicht L aufgebracht worden ist, reflektiert werden, Messen der Intensität der Mikrowellen MR von einem beliebigen anderen Bereich als dem Lichtaufbringbereich R und Subtrahieren der Intensität der Mikrowellen MR, die von dem anderen Bereich als dem Lichtaufbringbereich R reflektiert werden, von der Intensität der Mikrowellen MR, die von dem Lichtaufbringbereich R reflektiert werden, um dadurch ein Differenzsignal zu erhalten, wobei die Gettereigenschaft entsprechend dieses Differenzsignals evaluiert wird. In 4 sind „Beispiel 1,” „Beispiel 2,” und „Beispiel 3” unterschiedliche Fälle, die durch unterschiedliches Bearbeiten des Bauelementwafers W erhalten werden. Bei jedem der Beispiele 1 bis 3 werden die Mikrowellen MT mit einer vorbestimmten Intensität auf die Rückseite WR des Bauelementwafers W aufgebracht und das Anregungslicht L wird auf die Rückseite WR des Bauelementwafers W in lediglich dem Lichtaufbringbereich R aufgebracht. Dann wird die Intensität der Mikrowellen MR, die von dem Lichtaufbringbereich R reflektiert werden, und die Intensität der Mikrowellen MR, die von dem anderen Bereich als dem Lichtaufbringbereich R reflektiert werden, gemessen, um das Differenzsignal zu erhalten. Der Wafer des Beispiels 2 ist ein leerer Dummy Wafer mit unzureichender Gettereigenschaft, die durch Ausführen von Trockenpolieren an dem Bauelementwafer W erhalten wird, das heißt ein Wafer, der durch Polieren des Bauelementwafers W erhalten wird, um einen Schleifschaden zu entfernen, d. h. ein Wafer mit einer Oberflächenrauigkeit Ra von in etwa 1 nm. Dementsprechend weist der Wafer beim Beispiel 2 eine unzureichende Gettereigenschaft auf, hat jedoch eine große Formfestigkeit.
  • Im Gegensatz dazu ist der Wafer beim Beispiel 3 ein Wafer mit einer dicken verspannten Schicht, die durch Fertigschleifen der Rückseite WR des Bauelementwafers W erhalten wird. D. h., dass der Wafer des Beispiels 3 ein nicht polierter Wafer ist, sodass er eine hohe Gettereigenschaft aufweist, jedoch eine geringe Formfestigkeit hat. Dementsprechend besteht bei dem Wafer des Beispiels 3 die Möglichkeit, dass wenn die Dicke des Wafers auf 100 μm oder weniger reduziert wird, jedes Bauelement bei einem Aufnahmeschritt beschädigt wird. Der Wafer des Beispiels 1 ist ein Wafer, der durch Verwendung der Schleif- und Poliervorrichtung 1, um die Rückseite WR des Bauelementwafers W zu schleifen und dann zum Ausbilden der Getterschicht G für ein Beibehalten einer hohen Formfestigkeit trockenzupolieren (zum Beispiel durch ein Trockenpolieren unter Verwendung eines Getter-DP-Rads, das durch die Disco Corporation bereitgestellt wird), erhalten wird. Der Wafer des Beispiels 1 ist auch ein Wafer mit einer ausreichenden Gettereigenschaft, die durch eine konventionelle Untersuchungsmethode unter Verwendung einer forcierten Verunreinigung durch Kupfer, d. h. ein Verfahren mit einem Kontaminieren der Rückseite des Wafers mit Kupfer und Erfassen der Menge an Kupferatomen an der Vorderseite des Wafers, wie in der japanischen offengelegten Patent Nr. 2012-238731 beschrieben, bestätigt wird. Bei jedem der Beispiele 1 bis 3, die in 4 gezeigt werden, werden die Bauelementwafer W mit unterschiedlichen Dicken von 25 μm, 50 μm und 100 μm verwendet. In 4 gibt die vertikale Achse die Intensität von Mikrowellen als Differenzsignal wieder, das mit einer logarithmischen Skala ausgedrückt wird.
  • Wie aus 4 deutlich wird, ist eine minimale Mikrowellenintensität Tmin im Beispiel 1 (Differenzsignal der Reflexionsintensität für den Wafer mit einer Dicke von 25 μm) größer als fünfmal der Wert einer maximalen Mikrowellenintensität TB des Beispiels 3 und eine maximale Mikrowellenintensität Tmax des Beispiels 1 (Differenzsignal der Reflexionsintensität für den Wafer mit einer Dicke von 100 μm) ist geringer als 1/5 des Werts einer minimalen Mikrowellenintensität TA des Beispiels 2 und zudem geringer als 1/10 des Werts einer Mikrowellenintensität TC für den Wafer mit einer Dicke von 100 μm des Beispiels 2. Die Erfinder haben festgestellt, dass das mit der Intensität der reflektierten Mikrowellen in Beziehung stehende Differenzsignal von dem Zustand der Rückseite WR des Bauelementwafers W abhängt und das in Übereinstimmung mit der Höhe des Differenzsignals als Index festgestellt werden kann, ob die Gettereigenschaft des Bauelementwafers W gut ist oder nicht. D. h., dass, wie aus 4 deutlich wird, das Differenzsignal des Beispiels 2 hoch ist und das Differenzsignal des Beispiels 3 niedrig ist. Dementsprechend ist je geringer die Gettereigenschaft desto höher das Differenzsignal. Umgekehrt ist je höher die Gettereigenschaft, desto geringer das Differenzsignal.
  • 5 ist ein Blockdiagramm, das den Aufbau der Evaluierungsvorrichtung 20 in der in 2 gezeigten Schleif- und Poliervorrichtung 1 zeigt. Wie in 5 gezeigt, schließt die Evaluierungsvorrichtung 20 ein Anregungslichtaufbringmittel 21, ein Mikrowellenaufbringmittel 22, ein Empfangsmittel für reflektierte Wellen 23 und ein Steuerungsmittel 24 ein.
  • Das Anregungslichtaufbringmittel 21 funktioniert so, dass es Anregungslicht L zum Anregen von Trägern (Elektronen und Löchern) auf eine Flächenschicht auf der Rückseite WR des Bauelementwafers W aufbringt. Bei der ersten bevorzugten Ausführungsform bringt das Anregungslichtaufbringmittel 21 Anregungslicht L mit einer Wellenlänge von 349 nm, d. h. ultraviolettes Licht, auf den Bauelementwafer W auf. Allerdings ist die Wellenlänge des Anregungslichts L bei der vorliegenden Erfindung nicht auf 349 nm beschränkt. Der Grund dafür, warum die Wellenlänge des Anregungslichts L bei der ersten bevorzugten Ausführungsform auf 349 nm eingestellt ist, ist, dass das Licht (ultraviolettes Licht) mit einer kurzen Wellenlänge, wie zum Beispiel 349 nm, für die Erfassung des Zustands eines Kristalls (der Verzerrungszustand) nahe der Flächenschicht auf der Rückseite WR des Bauelementwafers W geeignet ist. Hingegen verursacht Licht mit einer langen Wellenlänge die Erzeugung angeregter Träger (Elektronen und Löcher) nicht nur in der gleichen Schicht auf der Rückseite WR des Bauelementwafers W, sondern auch im Inneren des Bauelementwafers W. Im Gegensatz zu dem Fall eines Aufbringens von Licht mit einer kurzen Wellenlänge, wie zum Beispiel 349 nm, ist es dementsprechend unerwünscht, Licht mit einer langen Wellenlänge beim genauen Erfassen des Anregungszustands der Träger nahe der Flächenschicht auf der Rückseite WR des Bauelementwafers W zu verwenden.
  • Wie in 5 gezeigt, schließt das Anregungslichtaufbringmittel 21 eine Anregungslichtquelle 21a zum Ausstrahlen von Anregungslicht L und einen Spiegel 21b zum Reflektieren des Anregungslichts L ein, das von der Anregungslichtquelle 21a in Richtung des Bauelementwafers W abgestrahlt wird. Die Anregungslichtquelle 21a ist durch einen Laseroszillator zum Abstrahlen ultravioletten Lichts als Anregungslicht L eingerichtet. Das ultraviolette Licht als Anregungslicht L ist ultraviolettes Licht, das als dritte harmonische Schwingung eines Yttrium-Lithium-Fluorid-Lasers (YLF-Laser) erhalten wird. Die Anregungslichtquelle 21a emittiert ultraviolettes Licht mit einer Wellenlänge von 349 nm. Das Anregungslichtaufbringmittel 21 bringt das Anregungslicht L auf die Rückseite WR des Bauelementwafers W so auf, dass es einen Punkt mit einer Größe ausbildet, die ausreichend kleiner ist als der Bereich der Rückseite WR des Bauelementwafers W das Anregungslicht L wird auf die Rückseite WR des Bauelementwafers W in einer Richtung senkrecht zu der Rückseite WR aufgebracht. Das Anregungslicht L wird auf die Rückseite WR des Bauelementwafers W in dem Bereich R aufgebracht, der als Lichtaufbringbereich R definiert ist. Da die Wellenlänge des Anregungslichts L bei der ersten bevorzugten Ausführungsform 349 nm ist, beträgt die Eindringtiefe des Anregungslichts L in den Bauelementwafer W in etwa 10 nm, sodass das Anregungslichtaufbringmittel 21 die angeregten Träger (Elektronen und Löcher) in der Flächenschicht auf der Rückseite WR des Bauelementwafers W in dem Lichtaufbringbereich R auf effiziente Weise erzeugen kann.
  • Das Mikrowellenaufbringmittel 22 funktioniert so, dass es Mikrowellen MT auf den Lichtaufbringbereich R auf der Rückseite WR des Bauelementwafers W und zudem auf jeglichen anderen Bereich als den Lichtaufbringbereich R auf der Rückseite WR des Bauelementwafers W aufbringt. Das Mikrowellenaufbringmittel 22 schließt einen Mikrowellenoszillator 22a zum Oszillieren von Mikrowellen MT, einen nicht gezeigten Verstärker zum Verstärken der Mikrowellen MT, die durch den Mikrowellenoszillator 22a oszilliert werden, und ein Wellenleiterelement 22b ein.
  • Der Mikrowellenoszillator 22a funktioniert so, dass er Mikrowellen MT ausgibt (emittiert). Bei der ersten bevorzugten Ausführungsform gibt der Mikrowellenoszillator 22a Mikrowellen MT mit einer Frequenz von 26 GHz aus. Jedoch ist die Frequenz der Mikrowellen MT bei der vorliegenden Erfindung nicht auf 26 GHz beschränkt.
  • Der Verstärker ist zwischen dem Mikrowellenoszillator 22a und dem Wellenleiterelement 22b vorgesehen und funktioniert so, dass er die Mikrowellen MT, die von dem Mikrowellenoszillator 22a ausgegeben werden, verstärkt. Das Wellenleiterelement 22b schließt ein Trennmittel 22c zum Trennen der Mikrowellen MT, die durch den Verstärker verstärkt werden, in zwei Teile und ein Paar aus einem ersten und einem zweiten Wellenleiter 22d und 22e ein, das zwischen dem Trennmittel 22c und dem Bauelementwafer W vorgesehen ist. Der erste Wellenleiter 22d liegt dem Lichtaufbringbereich R auf der Rückseite WR des Bauelementwafers W in der Richtung senkrecht zu der Rückseite WR gegenüber. Der erste Wellenleiter 22d überträgt die Mikrowellen MT, um diese auf den Lichtaufbringbereich R aufzubringen. Der zweite Wellenleiter 22e ist dem anderen Bereich als dem Lichtaufbringbereich R auf der Rückseite WR des Bauelementwafers W in der Richtung senkrecht zu der Rückseite WR gegenüberliegend. Der zweite Wellenleiter 22e überträgt die Mikrowellen MT, um diese so in dem anderen Bereich als dem Lichtaufbringbereichs R aufzubringen.
  • Das Empfangsmittel für reflektierte Wellen 23 funktioniert als Messmittel zum Messen der Intensität von Mikrowellen MR, die von dem Lichtaufbringbereich R reflektiert werden, und der Intensität von Mikrowellen MR, die von dem anderen Bereich als dem Lichtaufbringbereich R reflektiert werden, und subtrahiert dann die Intensität der Mikrowellen MR, die von dem anderen Bereich als dem Lichtaufbringbereich R reflektiert werden, von der Intensität der Mikrowellen MR, die von dem Lichtaufbringbereich R reflektiert werden, um dadurch ein Differenzsignal zu erhalten. Das Empfangsmittel für reflektierte Wellen 23 schließt einen ersten Empfänger 23a, einen zweiten Empfänger 23b und ein Differenzsignalberechnungsmittel 23c ein. Der erste Empfänger 23a empfängt die Mikrowellen MR, die von dem Lichtaufbringbereich R reflektiert werden, misst die Intensität der empfangenen Mikrowellen MR und gibt die gemessene Intensität an das Differenzsignalberechnungsmittel 23c aus. Auf ähnliche Weise empfängt der zweite Empfänger 23b die Mikrowellen MR, die von dem anderen Bereich als dem Lichtaufbringbereich R reflektiert werden, misst die Intensität der empfangenen Mikrowellen MR und gibt die gemessene Intensität an das Differenzsignalberechnungsmittel 23c aus.
  • Das Differenzsignalberechnungsmittel 23c subtrahiert die Intensität der Mikrowellen MR, die durch den zweiten Empfänger 23b gemessen werden, von der Intensität der Mikrowellen MR, die durch den ersten Empfänger 23a gemessen werden, um dadurch ein Differenzsignal als eine Intensitätsdifferenz der reflektierten Mikrowellen MR zwischen dem Lichtaufbringbereich R und dem anderen Bereich auf der Rückseite WR des Bauelementwafers W zu erhalten. Das so erhaltene Differenzsignal wird an das Steuerungsmittel 24 ausgegeben. Die Funktion des Differenzsignalberechnungsmittels 23c wird durch eine CPU zum Ausführen mindestens einer Software und Firmware oder durch einen Verarbeitungsschaltkreis, der durch mindestens einen Schaltkreis eingerichtet ist, umgesetzt.
  • Das Steuerungsmittel 24 fungiert zur Steuerung der oben erwähnten Komponenten der Evaluierungsvorrichtung 20. D. h., dass das Steuerungsmittel 24 so funktioniert, dass sie die Evaluierungsvorrichtung 20 das Evaluierungsverfahren mit einem Evaluieren der Gettereigenschaft in Übereinstimmung mit der ersten bevorzugten Ausführungsform ausführen lässt.
  • Das Steuerungsmittel 24 funktioniert so, dass es bestimmt, ob die Gettereigenschaft der in dem Bauelementwafer W ausgebildeten Getterschicht G gemäß der Intensität der Differenzsignaleingabe von dem Differenzsignalberechnungsmittel 23c gut ist oder nicht. Wenn die Intensität der Differenzsignaleingabe von dem Differenzsignalberechnungsmittel 23c genauer gesagt geringer ist als oder gleich ist wie eine obere Grenze, die entsprechend der Mikrowellenintensität Tmax des in 4 gezeigten Beispiel 1 voreingestellt ist, bestimmt das Steuerungsmittel 24, dass die Gettereigenschaft der Getterschicht G gut ist. Wenn die Intensität der Differenzsignaleingabe von dem Differenzsignalberechnungsmittel 23c ferner größer als oder gleich wie eine untere Grenze ist, die entsprechend der Mikrowellenintensität Tmin des in 4 gezeigten Beispiels 1 voreingestellt ist, bestimmt das Steuerungsmittel 24, dass die Formfestigkeit des Bauelementwafers W gut ist. Wenn die Intensität der Differenzsignaleingabe von dem Differenzsignalberechnungsmittel 23c dagegen geringer ist als die oben erwähnte untere Grenze oder größer ist als die oben erwähnte obere Grenze, bestimmt das Steuerungsmittel 24, dass die Gettereigenschaft der Getterschicht G schlecht ist oder dass die Formfestigkeit des Bauelementwafers W gering ist.
  • Folglich vergleicht das Steuerungsmittel 24 beim Evaluieren der Gettereigenschaft der Getterschicht G, die in dem tatsächlichen Bauelementwafer W ausgebildet ist, die Intensität der Differenzsignaleingabe von dem Differenzsignalberechnungsmittel 23c mit der unteren Grenze und der oberen Grenze, die oben erwähnt worden sind.
  • Während das Steuerungsmittel 24 der Evaluierungsvorrichtung 20 in Übereinstimmung mit der ersten bevorzugten Ausführungsform angepasst ist, Bearbeitungsbedingungen einschließlich der Gettereigenschaft nach der unteren Grenze und der oberen Grenze der Differenzsignalintensität zu bestimmen, kann durch das Steuerungsmittel 24 nur die Gettereigenschaft nach nur der oberen Grenze der Intensität bestimmt werden, ohne die untere Intensitätsgrenze zu verwenden. Wenn in diesem Fall die Intensität der Differenzsignaleingabe von dem Differenzsignalberechnungsmittel 23c geringer ist als oder gleich ist wie die obere Grenze, die entsprechend der in 4 gezeigten Mikrowellenintensität Tmax voreingestellt ist, bestimmt das Steuerungsmittel 24, dass die Gettereigenschaft der Getterschicht G gut ist, wogegen, wenn die Intensität des Differenzsignals größer als die oben erwähnte obere Grenze ist, bestimmt das Steuerungsmittel 24, dass die Gettereigenschaft der Getterschicht G schlecht ist. Folglich kann das Steuerungsmittel 24 die Intensität der Differenzsignaleingabe von dem Differenzsignalberechnungsmittel 23c mit nur der oberen Grenze vergleichen. Als eine Abwandlung kann das Kriterium für eine Bestimmung, ob die Gettereigenschaft gut ist oder nicht, so eingestellt sein, dass die Intensität des Differenzsignals größer als 5-mal der Wert (untere Grenze) der maximalen Mikrowellenintensität TB des Beispiels 3 ist und geringer als 1/5 des Werts (obere Grenze) der minimalen Mikrowellenintensität TA des Beispiels 2.
  • Die untere Grenze und die obere Grenze der Intensität kann entsprechend der Gettereigenschaft eingestellt werden, die in der in dem Bauelementwafer W auszubildenden Getterschicht G benötigt wird. Zum Beispiel kann die untere Grenze unter Berücksichtigung der in der Getterschicht G benötigten Gettereigenschaft auf die Mikrowellenintensität Tmin eingestellt werden. Die obere Grenze kann unter Berücksichtigung der in der Getterschicht G benötigten Gettereigenschaft auf die Mikrowellenintensität Tmax eingestellt werden. Ferner können die untere Grenze und die obere Grenze der Intensität auf die Mikrowellenintensität ±10% des Beispiels 1, d. h. respektive die Differenzsignalintensität +10% und die Differenzsignalintensität –10% des Beispiels 1 eingestellt werden. Ferner können die obere Grenze und die untere Grenze entsprechend der Dicke des Bauelementwafers W eingestellt werden.
  • Das Steuerungsmittel 24 ist durch einen Computer eingerichtet, der imstande ist, ein Computerprogramm auszuführen. Das Steuerungsmittel 24 schließt eine Verarbeitungseinheit mit einem Mikroprozessor, wie zum Beispiel eine CPU, eine Speichereinheit mit einem Speicher, wie zum Beispiel ROM und RAM, und eine Eingabe-Ausgabe-Schnittstelleneinheit ein.
  • Die CPU bei dem Steuerungsmittel 24 funktioniert so, dass sie das in dem ROM gespeicherte Computerprogramm ausliest, das Computerprogramm auf dem RAM ausführt und ein Steuerungssignal zum Steuern der Evaluierungsvorrichtung 20 erzeugt. Das erzeugte Steuerungssignal wird von der CPU durch die Eingabe-Ausgabe-Schnittstelleneinheit zu den Komponenten der Evaluierungsvorrichtung 20 ausgegeben.
  • Es wird nunmehr der Bearbeitungsvorgang der Schleif- und Poliervorrichtung 1 und ein Evaluierungsverfahren in Übereinstimmung mit der ersten bevorzugten Ausführungsform beschrieben. Das Evaluierungsverfahren in Übereinstimmung mit der ersten bevorzugten Ausführungsform ist ein Verfahren mit einem Evaluieren der Gettereigenschaft des Bauelementwafers W nach dem Ausbilden der Getterschicht G im Inneren des Bauelementwafers W.
  • Als Erstes setzt der Bediener die Kassette 8, welche die Vielzahl zu schleifender und polierender Bauelementwafer W aufweist, an das Basisgehäuse 2 und montiert zudem die Kassette 9, die keine Bauelementwafer W speichert, an dem Basisgehäuse 2. Danach nimmt der Bediener eine Bearbeitungsinformation in dem nicht gezeigten Steuerungsmittel der Schleif- und Poliervorrichtung 1 auf. Wenn das Steuerungsmittel der Schleif- und Poliervorrichtung 1 durch den Bediener angewiesen wird, einen Bearbeitungsvorgang zu starten, wird die Schleif- und Poliervorrichtung 1 betrieben, um den Bearbeitungsvorgang zu starten. Bei dem Bearbeitungsvorgang wird einer der Bauelementwafer W durch das Handhabungsmittel 14 aus der Kassette 8 herausgenommen und als Nächstes durch das Handhabungsmittel 14 zu dem Positioniermittel 10 überführt. Der Bauelementwafer W wird als Nächstes durch das Positioniermittel 10 zentriert. Danach wird der Bauelementwafer W durch Betreiben des Transfermittels 11 von dem Positioniermittel 10 zu dem Haltemittel 7 überführt, das auf die Bereitschaftsposition A eingestellt ist. Der Bauelementwafer W wird durch das Haltemittel 7 gehalten und der Drehtisch 6 wird gedreht, um nacheinander den Bauelementwafer W zu der Grobschleifposition B, der Fertigschleifposition C, der Polierposition D und der Bereitschaftsposition A zu bewegen. Jedes Mal, wenn sich der Drehtisch 6 um 90° dreht, wird ein anderer der zu schleifenden und polierenden Bauelementwafer W zu dem Haltemittel 7 überführt, das auf die Bereitschaftsposition A eingestellt ist.
  • Bei der Grobschleifposition B wird die Rückseite WR des Bauelementwafers W durch das erste Schleifmittel 3 grob geschliffen. Danach wird die Rückseite WR des Bauelementwafers W bei der Fertigschleifposition C durch das zweite Schleifmittel 4 fertig geschliffen. Danach wird die Rückseite WR des Bauelementwafers W durch das Poliermittel 5 bei der Polierposition D poliert, um dadurch die Getterschicht G im Inneren des Bauelementwafers W auszubilden. Danach wird der Bauelementwafer W auf die Bereitschaftsposition A eingestellt und die Rückseite WR des Bauelementwafers W wird durch das nicht gezeigte zweite Reinigungsmittel gereinigt, um Bearbeitungsstaub von der Rückseite WR zu entfernen. Danach wird der Bauelementwafer W unter Verwendung der Evaluierungsvorrichtung 20 dem Evaluierungsverfahren unterzogen.
  • Das Evaluierungsverfahren schließt einen Anregungslichtaufbringschritt, einen Mikrowellenaufbringschritt, einen Messschritt und einen Gettereigenschaftbestimmungsschritt ein. Der Anregungslichtaufbringschritt wird durch das Anregungslichtaufbringmittel 21 der Evaluierungsvorrichtung 20 auf so eine Weise ausgeführt, dass das Anregungslicht L auf den Lichtanwendungsbereich R auf der Rückseite WR des Bauelementwafers W aufgebracht wird. Der Mikrowellenaufbringschritt wird durch das Mikrowellenaufbringmittel 22 der Evaluierungsvorrichtung 20 auf so eine Weise ausgeführt, dass während das Anregungslicht L aufgebracht wird, die Mikrowellen MT auf den Lichtaufbringbereich R und auch auf den anderen Bereich als den Lichtaufbringbereich R auf der Rückseite WR des Bauelementwafers W aufgebracht werden. Der Messschritt wird durch das Empfangsmittel für reflektierte Wellen 23 der Evaluierungsvorrichtung 20 auf die folgende Weise ausgeführt.
  • Die Intensität der Mikrowellen MR, die von dem Lichtaufbringbereich R auf der Rückseite WR des Bauelementwafers W reflektiert werden, wird durch den ersten Empfänger 23a des Empfangsmittels für reflektierte Wellen 23 gemessen. Auf ähnliche Weise wird die Intensität der Mikrowellen MR, die von dem anderen Bereich als dem Lichtaufbringbereich R auf der Rückseite WR des Bauelementwafers W reflektiert werden, durch den zweiten Empfänger 23b des Empfangsmittels für reflektierte Wellen 23 gemessen. Danach wird durch das Differenzsignalberechnungsmittel 23c des Empfangsmittels für reflektierte Wellen 23 die Intensität der Mikrowellen MR, die von dem anderen Bereich als dem Lichtaufbringbereich R reflektiert werden, von der Intensität der Mikrowellen MR, die von dem Lichtaufbringbereich R reflektiert werden, subtrahiert, um dadurch ein Differenzsignal zu erhalten. Das so erhaltene Differenzsignal wird an das Steuerungsmittel 24 ausgegeben.
  • Der Gettereigenschaftbestimmungsschritt wird durch das Steuerungsmittel 24 auf so eine Weise ausgeführt, dass die Gettereigenschaft des Bauelementwafers W nach der Intensität des in dem Messschritt erhaltenen Differenzsignals bestimmt wird. Genauer gesagt, wenn die Intensität des Differenzsignals geringer als oder gleich wie die obere Grenze ist, bestimmt das Steuerungsmittel 24, dass die Gettereigenschaft der Getterschicht G gut bzw. in Ordnung ist. Wenn die Intensität des Differenzsignals ferner größer als oder gleich wie die untere Grenze ist, bestimmt das Steuerungsmittel 24, dass die Formfestigkeit ebenso ausreichend, d. h. in Ordnung, ist. Wenn dagegen die Intensität des Differenzsignals größer als die obere Grenze ist, bestimmt das Steuerungsmittel 24, dass die Gettereigenschaft der Getterschicht G schlecht, d. h. unzureichend, ist. Wenn die Intensität des Differenzsignals ferner geringer als die untere Grenze ist, bestimmt das Steuerungsmittel 24, dass die Formfestigkeit unzureichend ist.
  • Nach dem Evaluieren der Gettereigenschaft des Bauelementwafers W, der auf die Bereitschaftsposition A eingestellt ist, wird der Bauelementwafer W durch das Transfermittel 11 zu dem Reinigungsmittel 13 überführt. Danach wird der Bauelementwafer W durch das Reinigungsmittel 13 gereinigt und dann durch das Handhabungsmittel 14 zu der Kassette 9 überführt.
  • In Übereinstimmung mit den Bearbeitungsvorgang der Schleif- und Poliervorrichtung 1, d. h. dem Evaluierungsverfahren in Übereinstimmung mit der ersten bevorzugten Ausführungsform, wird die Gettereigenschaft nach dem Differenzsignal als Differenz zwischen der Intensität der Mikrowellen MR, die von dem Lichtaufbringbereich R reflektiert werden, wo das Anregungslicht L aufgebracht worden ist, und der Intensität der Mikrowellen MR, die von dem anderen Bereich als dem Lichtaufbringbereich R reflektiert werden, bestimmt. Dementsprechend kann bei dem Evaluierungsverfahren in Übereinstimmung mit der ersten bevorzugten Ausführungsform die Bestimmung, ob die Gettereigenschaft gut ist oder nicht, ohne Kontaminierung des Bauelementwafers W mit Metallelementen ausgeführt werden. D. h., dass die Gettereigenschaft des Bauelementwafers W, der zu einem Produkt werden kann, durch das Evaluierungsverfahren in Übereinstimmung mit der ersten bevorzugten Ausführungsform evaluiert werden kann.
  • Da die Gettereigenschaft bei dem Evaluierungsverfahren in Übereinstimmung mit der ersten bevorzugten Ausführungsform nach dem Differenzsignal bestimmt wird, kann Rauschen in Echtzeit entfernt werden, sodass genau bestimmt werden kann, ob die Gettereigenschaft gut ist oder nicht.
  • Da die Gettereigenschaft ferner bei dem Evaluierungsverfahren in Übereinstimmung mit der ersten bevorzugten Ausführungsform durch Verwendung der Intensität der Mikrowellen MR, die von dem Lichtaufbringbereich R reflektiert werden, und der Intensität der Mikrowellen MR, die von dem anderen Bereich als dem Lichtaufbringbereich R reflektiert werden, bestimmt wird, kann die Bestimmung, ob die Gettereigenschaft gut ist oder nicht, ohne die Notwendigkeit für irgendeinen komplizierten Berechnungsvorgang ausgeführt werden.
  • Da bei dem Evaluierungsverfahren in Übereinstimmung mit der ersten bevorzugten Ausführungsform das Anregungslicht L ferner mit einer Wellenlänge von 349 nm aufgebracht wird, können die Träger, die in der Umgebung der Rückseite WR des Bauelementwafers W vorhanden sind, angeregt werden, sodass die Gettereigenschaft der Getterschicht G genau bestimmt werden kann.
  • Bei dem Gettereigenschaftbestimmungsschritt bestimmt die Evaluierungsvorrichtung 20 in Übereinstimmung mit der ersten bevorzugten Ausführungsform die Gettereigenschaft auf die folgende Weise. D. h., wenn die Intensität des Differenzsignals geringer als oder gleich wie die obere Grenze ist, wird bestimmt, dass die Gettereigenschaft der Getterschicht G gut, d. h. in Ordnung, ist. Wenn die Intensität des Differenzsignals ferner größer als oder gleich wie die untere Grenze ist, wird bestimmt, dass die Formfestigkeit ebenfalls ausreichend, d. h. in Ordnung, ist.
  • Als eine Abwandlung kann das Steuerungsmittel 24 der Evaluierungsvorrichtung 20 das Differenzsignal, das von dem Bauelementwafer W als Ziel erhalten wird, mit einem Differenzsignal vergleichen, das von einem Bauelementwafer W (Referenzwafer) mit einer Referenzgettereigenschaft erhalten wird, um dadurch die Gettereigenschaft des Zielbauelementwafers W zu evaluieren. D. h., dass das Steuerungsmittel 24 der Evaluierungsvorrichtung 20 den Bereich einschließlich eines Differenzsignalwerts (Referenzdifferenzsignalwert), der durch Aufbringen von Mikrowellen auf den Referenzwafer und Empfangen reflektierter Mikrowellen erhalten wird, als „Bereich (ordnungsgemäßer Bereich), wo eine ordnungsgemäße Gettereigenschaft und eine ordnungsgemäße Formfestigkeit erreicht werden kann” speichern und einstellen kann. In diesem Fall bestimmt das Steuerungsmittel 24 die Gettereigenschaft und die Formfestigkeit auf die folgende Weise. D. h., wenn der Differenzsignalwert, der von dem Zielbauelementwafer W erhalten wird, in den ordnungsgemäßen Bereich fällt, auf den der Referenzdifferenzsignalwert eingestellt ist, wird bestimmt, dass die Gettereigenschaft und die Formfestigkeit ausreichend, d. h. in Ordnung, sind. Wenn der Differenzsignalwert, der von dem Zielbauelementwafer W erhalten wird, nicht in den ordnungsgemäßen Bereich fällt, auf den der Referenzdifferenzsignalwert eingestellt ist, wird bestimmt, dass entweder die Gettereigenschaft oder die Formfestigkeit unzureichend ist. Der Referenzwafer kann ein Wafer mit einer ausreichenden Gettereigenschaft sein, die durch ein konventionelles Untersuchungsverfahren unter Verwendung einer erzwungenen Kontamination mit Kupfer bestätigt wird, wie es zum Beispiel in dem japanischen offengelegten Patent Nr. 2012-238731 beschrieben wird, d. h. ein Verfahren mit einem Kontaminieren der Rückseite des Wafers mit Kupfer und Erfassen der Menge an Kupferatomen an der Vorderseite des Wafers. Alternativ kann der Referenzwafer ein Wafer sein, der ähnlich wie der obige Wafer bearbeitet worden ist und bei dem eine ausreichende Gettereigenschaft bestätigt worden ist.
  • Zum Beispiel kann der ordnungsgemäße Bereich auf einen Bereich von dem Referenzdifferenzsignalwert –20% zu dem Referenzdifferenzsignalwert +20% eingestellt werden. Ferner kann der ordnungsgemäße Bereich auf einen Bereich eingestellt werden, der von einer Standardabweichung (σ) des Referenzdifferenzsignalwerts erhalten wird, wie zum Beispiel ein Bereich aus dem Referenzdifferenzsignalwert –3σ zu dem Referenzdifferenzsignalwert +3σ. Ferner können die obere Grenze und die untere Grenze des ordnungsgemäßen Bereichs willkürlich nach der Priorität zwischen der Gettereigenschaft und der Formfestigkeit eingestellt werden. Wenn zum Beispiel die Gettereigenschaft Priorität über der Formfestigkeit aufweist, kann die obere Grenze des ordnungsgemäßen Bereichs auf den Referenzdifferenzsignalwert +10% eingestellt werden und die untere Grenze des ordnungsgemäßen Bereichs kann auf den Referenzdifferenzsignalwert –20% eingestellt werden. Wenn umgekehrt die Formfestigkeit Priorität über der Gettereigenschaft aufweist, kann die untere Grenze des ordnungsgemäßen Bereichs auf den Referenzdifferenzsignalwert –10% eingestellt werden und die obere Grenze des ordnungsgemäßen Bereichs kann auf den Referenzdifferenzsignalwert +20% eingestellt werden. Ferner kann unter Berücksichtigung von nur der Gettereigenschaft lediglich die obere Grenze eingestellt werden.
  • (Zweite bevorzugte Ausführungsform)
  • Ein Evaluierungsverfahren in Übereinstimmung mit einer zweiten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nunmehr unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. 6 ist ein Blockdiagramm, das den Aufbau einer Evaluierungsvorrichtung 20-2 in einer Schleif- und Poliervorrichtung 1-2 zum Ausführen des Werkstückevaluierungsverfahrens in Übereinstimmung mit der zweiten bevorzugten Ausführungsform zeigt. 7 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Messposition an einem Bauelementwafer W zeigt, wo ein Referenzdifferenzsignalwert durch die in 6 gezeigte Evaluierungsvorrichtung 20-2 gemessen wird. In den 6 und 7 werden die gleichen Teile wie die der ersten bevorzugten Ausführungsform durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und deren Beschreibung wird weggelassen.
  • Wie in 6 gezeigt, schließt die Evaluierungsvorrichtung 20-2 in der Schleif- und Poliervorrichtung 1-2 als Bearbeitungssystem in Übereinstimmung mit der zweiten bevorzugten Ausführungsform ein Anregungslichtaufbringmittel 21, ein Mikrowellenaufbringmittel 22, ein Empfangsmittel für Referenzwellen 23, ein Steuerungsmittel 24, ein Antriebsmittel 26 und ein Eingabemittel 27 ein. Das Antriebsmittel 26 funktioniert so, dass es das Mikrowellenaufbringmittel 22 und den Bauelementwafer W, der durch das auf die Bereitschaftsposition A eingestellte Haltemittel 7 gehalten wird, relativ zueinander bewegt.
  • Genauer gesagt ist das Antriebsmittel 26 eingerichtet, das Mikrowellenaufbringmittel 22 relativ zu dem Bauelementwafer W zu bewegen, der durch das auf die Bereitschaftsposition A eingestellte Haltemittel 7 gehalten wird, um so die Intensität der Mikrowellen zu erhalten, die von einer Mittellinie CL reflektiert werden, welche durch den Mittelpunkt P auf der Rückseite WR des in 7 gezeigten Bauelementwafers W in dem Zustand verläuft, in dem der Bauelementwafer W durch das auf die Bereitschaftsposition A eingestellte Haltemittel 7 gehalten wird. Dementsprechend wird ein Differenzsignal entlang der Mittellinie CL des Bauelementwafers W erhalten. Mit anderen Worten ist das Antriebsmittel 26 angepasst, das Mikrowellenaufbringmittel 22 entlang der Mittellinie CL auf der Rückseite WR des in 7 abgebildeten Bauelementwafers W zu bewegen, der durch das auf die Bereitschaftsposition A eingestellte Haltemittel 7 hält. Das Antriebsmittel 26 schließt einen Motor, eine Leitspindel zum Bewegen des Mikrowellenaufbringmittels 22 durch Verwendung einer Drehkraft in Drehrichtung des Motors und eine lineare Führung zum Führen der Bewegungsrichtung des Mikrowellenaufbringmittels 22 ein. Der Aufbau des Antriebsmittels 26 ist nicht auf die obige Ausführung beschränkt, die den Motor, die Leitspindel und die lineare Führung aufweist.
  • Das Eingabemittel 27 ist mit dem Steuerungsmittel 24 verbunden. Das Eingabemittel 27 funktioniert so, dass es die Position auf der Mittellinie CL des Bauelementwafers W, der durch das auf die Bereitschaftsposition A eingestellte Haltemittel 7 gehalten wird, d. h. den Bewegungsbereich des Mikrowellenaufbringmittels 22 entlang der Mittellinie CL in das Steuerungsmittel 24 eingibt. Mit anderen Worten funktioniert das Eingabemittel 27 so, dass es ein Differenzsignal in das Steuerungsmittel 24 eingibt, welches eine Position auf der Mittellinie CL des Bauelementwafers W erhält, der durch das auf die Bereitschaftsposition A eingestellte Haltemittel 7 gehalten wird. Genauer gesagt ist das Eingabemittel 27 bei der zweiten bevorzugten Ausführungsform angepasst, eine Vielzahl von Positionen als die Differenzsignalerfassungsposition auf der Mittellinie CL des Bauelementwafers W, der durch das auf die Bereitschaftsposition A eingestellte Haltemittel 7 gehalten wird, in das Steuerungsmittel 24 einzugeben. Das Eingabemittel 27 wird durch ein Touchpanel und/oder eine Tastatur eingerichtet.
  • Bei dem durch die Evaluierungsvorrichtung 20-2 auszuführenden Messschritt wird das Mikrowellenaufbringmittel 22 entlang der Mittellinie CL durch das durch das Steuerungsmittel 24 gesteuerte Antriebsmittel 26 bewegt. Während der Bewegung des Mikrowellenaufbringmittels 22 werden die Intensität der Mikrowellen, die von dem Lichtaufbringbereich R reflektiert werden, und die Intensität der Mikrowellen, die von dem anderen Bereich als dem Lichtaufbringbereich R reflektiert werden, bei der Vielzahl von Positionen gemessen, die von dem Eingabemittel 27 eingegeben werden. Danach wird ein Differenzsignal bei jeder Position auf eine Weise berechnet, die ähnlich zu der der ersten bevorzugten Ausführungsform ist. In dem Gettereigenschaftbestimmungsschritt, der durch die Evaluierungsvorrichtung 20-2 auszuführen ist, bestimmt das Steuerungsmittel 24, ob die Intensität des Differenzsignals bei jeder Position auf der Mittellinie CL in den ordnungsgemäßen Bereich fällt oder nicht, und speichert dann das Bestimmungsergebnis, ob die Gettereigenschaft bei jeder Position in Ordnung ist oder nicht.
  • Durch Betreiben des Bearbeitungssystems 1-2, d. h. durch Ausführen des Evaluierungsverfahrens in Übereinstimmung mit der zweiten bevorzugten Ausführungsform kann die Bestimmung, ob die Gettereigenschaft gut ist oder nicht, ohne Kontaminierung des Bauelementwafers W mit Metallelementen ausgeführt werden.
  • Bei dem Bearbeitungssystem 1-2, d. h. bei dem Evaluierungsverfahren in Übereinstimmung mit der zweiten bevorzugten Ausführungsform, berechnet das Steuerungsmittel 24 ferner das Differenzsignal bei der Vielzahl von Positionen, die von dem Eingabemittel 27 eingegeben werden, und bestimmt dann, ob die Gettereigenschaft bei der Vielzahl von Positionen in Ordnung ist oder nicht, während das Mikrowellenaufbringmittel 22 relativ zu dem Bauelementwafer W bewegt wird. D. h., dass in Übereinstimmung mit der zweiten bevorzugten Ausführungsform die Bestimmung, ob die Gettereigenschaft gut ist oder nicht, bei der Vielzahl von Positionen an dem Bauelementwafer W ausgeführt werden kann, sodass diese Bestimmung für jedes Bauelement D ausgeführt werden kann. Im Allgemeinen tendiert die Gettereigenschaft des Bauelementwafers W dazu, sich in der radialen Richtung des Bauelementwafers W zu unterscheiden bzw. zu variieren. Dementsprechend ist es durch Bewegen des Mikrowellenaufbringmittels 22 relativ zu dem Bauelementwafer W entlang dessen Mittellinie CL beim Erfassen des Differenzsignals von dem Differenzsignalberechnungsmittel 23c in Übereinstimmung mit der zweiten bevorzugten Ausführungsform möglich, abzuschätzen, ob die Gettereigenschaft des gesamten Bauelementwafers W gut ist oder nicht. Bei dieser bevorzugten Ausführungsform wird der ordnungsgemäße Bereich durch die obere Grenze und die untere Grenze des aus 4 erhaltenen Differenzsignals definiert und die Gettereigenschaft wird danach bestimmt, ob die Intensität des Differenzsignals in diesen ordnungsgemäßen Bereich fällt oder nicht. Jedoch ist der Aufbau dieser bevorzugten Ausführungsform nicht durch das Obige begrenzt. Beispielsweise können Anregungslicht und Mikrowellen auf die gesamte Fläche oder eine Vielzahl von Punkten eines Referenzwafers mit einer guten, bestätigten Gettereigenschaft aufgebracht werden, um dadurch ein Differenzsignal bei jedem Punkt des Referenzwafers zu berechnen und dann einen ordnungsgemäßen Bereich (als Kriterium zum Bestimmen, ob die Gettereigenschaft ordnungsgemäß ist oder nicht) nach dem oben berechneten Differenzsignal zu definieren.
  • (Dritte bevorzugte Ausführungsform)
  • Ein Evaluierungsverfahren in Übereinstimmung mit einer dritten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nunmehr unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. 8A ist eine schematische Übersicht, die ein Bearbeitungssystem 1-3 zum Ausführen des Werkstückevaluierungsverfahrens in Übereinstimmung mit der dritten bevorzugten Ausführungsform zeigt. 8B ist eine schematische Schnittansicht, die eine Reihe von Bearbeitungsschritten zeigt, die durch das in 8A gezeigte Bearbeitungssystem 1-3 auszuführen sind. In den 8A und 8B werden die gleichen Teile wie die der ersten bevorzugten Ausführungsform durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und deren Beschreibung wird weggelassen.
  • Wie in 8A gezeigt, schließt das Bearbeitungssystem 1-3 in Übereinstimmung mit der dritten bevorzugten Ausführungsform eine Schneidvorrichtung 101, einen Laminator 102, eine Schleif- und Poliervorrichtung 103 zum Bearbeiten eines Bauelementwafers W, um mit dem Bauelementwafer W eine Gettereigenschaft zu vermitteln, eine Evaluierungsvorrichtung 20 und eine in 8A als IF ausgedrückte Schnittstelle 104 ein. Wie in 8B gezeigt, funktioniert die Schneidevorrichtung 101 so, dass sie den Bauelementwafer W als ein Werkstück entlang jeder Trennlinie S von der Vorderseite WS teilweise auf die Tiefe schneidet, die größer ist als oder gleich ist wie eine fertiggestellte Dicke. Der Laminator 102 funktioniert so, dass er ein Schutzband T auf die Vorderseite WS des Bauelementwafers W anbringt, der entlang jeder Trennlinie S halb geschnitten worden ist. Die Schleif- und Poliervorrichtung 103 schließt das erste Schleifmittel 3, das zweite Schleifmittel 4 und das Poliermittel 5 ein, die bei der ersten bevorzugten Ausführungsform verwendet werden, und funktioniert so, dass sie die Rückseite WR des Bauelementwafers W schleift und poliert, der entlang jeder Trennlinie S halb geschnitten worden ist, um dadurch den Bauelementwafer W in die Bauelemente D aufzuteilen und zudem eine Getterschicht G im Inneren jedes Bauelements D auszubilden. Die Evaluierungsvorrichtung 20 ist eine Vorrichtung, um zu bestimmen, ob die Gettereigenschaft der Getterschicht G gut ist oder nicht. Der Bauelementwafer W ist eingerichtet, nacheinander in der Reihenfolge der Schneidevorrichtung 101, des Laminators 102, der Schleif- und Poliervorrichtung 103 und der Evaluierungsvorrichtung 20 über die Schnittstelle 104 nacheinander überführt zu werden.
  • Ähnlich zu der ersten bevorzugten Ausführungsform kann durch Betreiben des Bearbeitungssystems 1-3, d. h. durch Ausführen des Evaluierungsverfahrens in Übereinstimmung mit der dritten bevorzugten Ausführungsform, die Bestimmung, ob die Gettereigenschaft gut ist oder nicht, ohne Kontaminieren des Bauelementwafers W mit Metallelementen ausgeführt werden.
  • Obwohl das Bearbeitungssystem 1-3 in Übereinstimmung mit der dritten bevorzugten Ausführungsform die Schleif- und Poliervorrichtung 103 zum Ausführen eines Trockenpolierens, um die Getterschicht G mit einer Gettereigenschaft auszubilden, verwendet, kann die vorliegende Erfindung nicht nur solch eine Trockenpoliervorrichtung verwenden, sondern auch jegliche andere Vorrichtung zum Ausführen eines Bearbeitungsverfahrens, das imstande ist, die Getterschicht G mit einer Gettereigenschaft, d. h. einem Bereitstellen von Dehnung in einem Kristall, auszubilden. Beispiele solch einer Vorrichtung zum Ausführen eines Bearbeitungsverfahrens, das imstande ist, die Getterschicht G auszubilden, schließen eine Schleifvorrichtung zum Schleifen des Bauelementwafers W durch Verwendung eines hochmaschigen Rads, eine Vorrichtung zum Ausführen von Plasmaätzen an dem Bauelementwafer W nach einem Polieren, eine Vorrichtung zum Ausführen einer Laserstrahlanwendung und eine Vorrichtung zum Ausführen einer Ionenstrahlanwendung ein (siehe zum Beispiel das japanische offengelegte Patent Nr. 2011-253983 ).
  • (Vierte bevorzugte Ausführungsform)
  • Ein Evaluierungsverfahren in Übereinstimmung mit einer vierten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nunmehr unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. 9 ist eine schematische Übersicht, die ein Bearbeitungssystem 1-4 zum Ausführen des Werkstückevaluierungsverfahrens in Übereinstimmung mit der vierten bevorzugten Ausführungsform zeigt. In 9 werden die gleichen Teile wie jene der dritten bevorzugten Ausführungsform durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und deren Beschreibung wird weggelassen.
  • Wie in 9 gezeigt, ist der Aufbau des Bearbeitungssystems 1-4 in Übereinstimmung mit der vierten bevorzugten Ausführungsform der gleiche wie der Aufbau des Bearbeitungssystems 1-3 in Übereinstimmung mit der dritten bevorzugten Ausführungsform, mit der Ausnahme, dass die Evaluierungsvorrichtung 20 in der Schleif- und Poliervorrichtung 103 als eine Gettereigenschaftvermittlungsvorrichtung einbezogen ist.
  • Ähnlich zu der dritten bevorzugten Ausführungsform kann durch ein Betrieb des Bearbeitungssystems 1-4, d. h. durch Ausführen des Evaluierungsverfahrens in Übereinstimmung mit der vierten bevorzugten Ausführungsform die Bestimmung, ob die Gettereigenschaft gut ist oder nicht, ohne Kontamination des Bauelementwafers W mit Metallelementen ausgeführt werden. Ähnlich zu der dritten bevorzugten Ausführungsform schließen Beispiele einer Vorrichtung zum Ausführen eines Bearbeitungsverfahrens, das imstande ist, die Getterschicht G auszubilden, ferner eine Schleifvorrichtung zum Schleifen des Bauelementwafers W durch Verwendung eines hochmaschigen Rads, eine Vorrichtung zum Ausführen von Plasmaätzen an dem Bauelementwafer W nach einem Polieren, eine Vorrichtung zum Ausführen einer Laserstrahlanwendung und eine Vorrichtung zum Ausführen einer Ionenstrahlanwendung ein (siehe zum Beispiel das japanische offengelegte Patent Nr. 2011-253983 ). Ähnlich zu der ersten bevorzugten Ausführungsform kann ferner Nasspolieren als die Bearbeitung verwendet werden, um dem Bauelementwafer W eine Gettereigenschaft zu vermitteln.
  • Ferner kann die Schneidevorrichtung 101 bei jedem der Bearbeitungssysteme 1-3 und 1-4 in Übereinstimmung mit der dritten und vierten bevorzugten Ausführungsform durch eine Laserbearbeitungsvorrichtung zum Ausbilden einer modifizierten Schicht im Inneren des Bauelementwafers W ersetzt werden.
  • (Fünfte bevorzugte Ausführungsform)
  • Ein Evaluierungsverfahren in Übereinstimmung mit einer fünften bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nunmehr unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. 10 ist eine Draufsicht, die ein Bearbeitungssystem 1-5 zum Ausführen des Werkstückevaluierungsverfahrens in Übereinstimmung mit der fünften bevorzugten Ausführungsform zeigt. In 10 werden die gleichen Teile wie jene der ersten bevorzugten Ausführungsform durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet, und deren Beschreibung wird weggelassen.
  • Wie in 10 gezeigt, schließt das Bearbeitungssystem 1-5 in Übereinstimmung mit der fünften bevorzugten Ausführungsform zwei Kassetten 8 und zwei Kassetten 9 ein, die in Reihe angeordnet sind. Ein Handhabungsmittel 14 mit einer U-förmigen Hand 14a wird durch einen Bewegungs- und Stützmechanismus 14b bewegbar unterstützt, um so entlang der Reihe aus den Kassetten 8 und 9 bewegbar zu sein. Das Bearbeitungssystem 1-5 schließt ein Transfermittel 19 mit einer U-förmigen Hand 14a ein, die ähnlich zu der des Handhabungsmittels 14 ist. D. h., dass das Transfermittel 19 durch einen Aufnahmeroboter eingerichtet ist, der dem Handhabungsmittel 14 ähnlich ist. Das Transfermittel 19 wird durch einen Bewegungs- und Stützmechanismus 19a so bewegbar unterstützt, dass es in einer Richtung senkrecht zu der Bewegungsrichtung des Handhabungsmittels 14 bewegbar ist. Ein Positioniermittel 10 und ein Reinigungsmittel 13 sind bei einem Endabschnitt des Bewegungs- und Stützmechanismus 19a nahe der Kassetten 8 und 9 montiert. Eine Schleifvorrichtung 17 mit einem ersten Schleifmittel 3 und einem zweiten Schleifmittel 4 und eine Poliervorrichtung 18 mit einem Poliermittel 5 sind bei einem mittigen Abschnitt des Bewegungs- und Stützmechanismus 19a montiert. Eine Evaluierungsvorrichtung 20 ist bei dem anderen Endabschnitt des Bewegungs- und Stützmechanismus 19a montiert, sodass es von den Kassetten 8 und 9 beabstandet ist.
  • Ein temporärer Einstellabschnitt 25 ist bei einem Endabschnitt des Bewegungs- und Stützmechanismus 19a vorgesehen. Im Betrieb wird der Bauelementwafer W von einer beliebigen der zwei Kassetten 8 durch den Betrieb des Handhabungsmittels 14 zu dem temporären Einstellabschnitt 25 überführt. Danach wird der Bauelementwafer W von dem temporären Einstellabschnitt 25 durch den Betrieb des Transfermittels 19 zu dem Positioniermittel 10 überführt. Danach wird der Bauelementwafer W nacheinander von dem Positioniermittel 10 durch die Schleifvorrichtung 17, die Poliervorrichtung 18 und die Evaluierungsvorrichtung 20 in dieser Reihenfolge durch Betrieb des Transfermittels 19 zu dem Reinigungsmittel 13 überführt. In der Schleifvorrichtung 17 wird der Bauelementwafer W durch das erste Schleifmittel 3 grob geschliffen und als Nächstes durch das zweite Schleifmittel 4 fertig geschliffen. In der Poliervorrichtung 18 wird der Bauelementwafer W poliert. In der Evaluierungsvorrichtung 20 wird die Gettereigenschaft des Bauelementwafers W evaluiert. Der Bauelementwafer W wird als Nächstes durch das Reinigungsmittel 13 gereinigt. Danach wird der Bauelementwafer W durch einen Betrieb des Transfermittels 19 zu dem temporären Einstellabschnitt 25 überführt und als Nächstes durch den Betrieb des Handhabungsmittels 14 zu einer beliebigen der zwei Kassetten 9 überführt.
  • Ähnlich zu der ersten bevorzugten Ausführungsform kann durch den Betrieb des Bearbeitungssystems 1-5, d. h. durch Ausführen des Evaluierungsverfahrens in Übereinstimmung mit der fünften bevorzugten Ausführungsform, die Bestimmung, ob die Gettereigenschaft gut ist oder nicht, ohne Kontaminierung des Bauelementwafers W mit Metallelementen ausgeführt werden. Ähnlich zu der ersten bevorzugten Ausführungsform setzt das Bearbeitungssystem 1-5 in Übereinstimmung mit der fünften bevorzugten Ausführungsform sogenanntes Trockenpolieren zum Ausbilden der Getterschicht G mit einer Gettereigenschaft ein. Jedoch kann diese bevorzugte Ausführungsform nicht nur dieses Trockenpolieren einsetzen, sondern ebenso beliebige andere Bearbeitungsverfahren, die imstande sind, die Getterschicht G mit einer Gettereigenschaft auszubilden. Beispiele für solch ein Bearbeitungsverfahren schließen Schleifen unter Verwendung eines hochmaschigen Rads, Plasmaätzen nach einem Polieren des Bauelementwafers W, eine Laserstrahlanwendung und eine Ionenstrahlanwendung ein (siehe zum Beispiel das japanische offengelegte Patent Nr. 2011-253983 ). Ähnlich zu der ersten bevorzugten Ausführungsform kann auch Nasspolieren verwendet werden. Ferner kann der temporäre Einstellabschnitt 25 weggelassen werden, und der Bauelementwafer W kann direkt zwischen dem Handhabungsmittel 14 und dem Transfermittel 19 überführt werden.
  • (Sechste bevorzugte Ausführungsform)
  • Es wird nunmehr unter Bezugnahme auf die Zeichnungen ein Evaluierungsverfahren in Übereinstimmung mit einer sechsten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben. 11 ist eine Draufsicht, die ein Bearbeitungssystem 1-6 zum Ausführen des Werkstückevaluierungsverfahrens in Übereinstimmung mit der sechsten bevorzugten Ausführungsform zeigt. In 11 werden die gleichen Teile wie jene der fünften bevorzugten Ausführungsform durch gleiche Bezugszeichen gekennzeichnet, und deren Beschreibung wird weggelassen.
  • Wie in 11 gezeigt, ist der Aufbau des Bearbeitungssystems 1-6 in Übereinstimmung mit der sechsten bevorzugten Ausführungsform der gleiche wie der Aufbau des Bearbeitungssystems 1-5 in Übereinstimmung mit der fünften bevorzugten Ausführungsform, mit der Ausnahme, dass die Evaluierungsvorrichtung 20 bei einem Ende des Bewegungs- und Stützmechanismus 14b zum bewegbaren Unterstützen des Handhabungsmittels 14 montiert ist, um die Gettereigenschaft nach dem Reinigen des Bauelementwafers W zu evaluieren.
  • Ähnlich zu der ersten bevorzugten Ausführungsform kann durch den Betrieb des Bearbeitungssystems 1-6, d. h. durch Ausführen des Evaluierungsverfahrens in Übereinstimmung mit der sechsten bevorzugten Ausführungsform, die Bestimmung, ob die Gettereigenschaft gut ist oder nicht, ohne Kontamination des Bauelementwafers W mit Metallelementen ausgeführt werden. Ferner setzt das Bearbeitungssystem 1-6 in Übereinstimmung mit der sechsten bevorzugten Ausführungsform ähnlich zu der ersten bevorzugten Ausführungsform sogenanntes Trockenpolieren zum Ausbilden der Getterschicht G mit einer Gettereigenschaft ein. Jedoch kann diese bevorzugte Ausführungsform nicht nur dieses Trockenpolieren einsetzen, sondern jegliche andere Bearbeitungsverfahren, die imstande sind, die Getterschicht G mit einer Gettereigenschaft auszubilden. Beispiele solch eines Bearbeitungsverfahrens schließen Schleifen unter Verwendung eines hochmaschigen Rads, Plasmaätzen nach einem Polieren des Bauelementwafers W, eine Laserstrahlanwendung und eine Ionenstrahlanwendung ein (siehe zum Beispiel das japanische offengelegte Patent Nr. 2011-253983 ). Ähnlich zu der ersten bevorzugten Ausführungsform kann auch Nasspolieren verwendet werden.
  • Ferner kann der temporäre Einstellabschnitt 25 weggelassen werden und der Bauelementwafer W kann direkt zwischen dem Handhabungsmittel 14 und dem Transfermittel 19 überführt werden.
  • (Siebte bevorzugte Ausführungsform)
  • Ein Evaluierungsverfahren in Übereinstimmung mit einer siebten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nunmehr unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. 12 ist eine Draufsicht, die ein Bearbeitungssystem 1-7 zum Ausführen des Werkstückevaluierungsverfahrens in Übereinstimmung mit der siebten bevorzugten Ausführungsform zeigt. In 12 werden die gleichen Teile, wie jene der fünften bevorzugten Ausführungsform, durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet, und deren Beschreibung wird weggelassen.
  • Wie in 12 gezeigt, ist der Aufbau des Bearbeitungssystems 1-7 in Übereinstimmung mit der siebten bevorzugten Ausführungsform der gleiche wie der Aufbau des Bearbeitungssystems 1-5 in Übereinstimmung mit der fünften bevorzugten Ausführungsform, mit der Ausnahme, dass der temporäre Einstellabschnitt 25 weggelassen ist und das Positionierungsmittel 10 bei einem Ende des Bewegungs- und Stützmechanismus 19a angeordnet ist, und dass die Evaluierungsvorrichtung 20 bei einem Endabschnitt des Bewegungs- und Stützmechanismus 19a montiert ist, um die Gettereigenschaft nach dem Reinigen des Bauelementwafers W zu evaluieren.
  • Ähnlich zu der ersten bevorzugten Ausführungsform kann durch einen Betrieb des Bearbeitungssystems 1-7, d. h. durch Ausführen des Evaluierungsverfahrens in Übereinstimmung mit der siebten bevorzugten Ausführungsform, die Bestimmung, ob die Gettereigenschaft gut ist oder nicht, ohne Kontamination des Bauelementwafers W mit Metallelementen durchgeführt werden. Ferner setzt das Bearbeitungssystem 1-7 in Übereinstimmung mit der siebten bevorzugten Ausführungsform ähnlich zu der ersten bevorzugten Ausführungsform sogenanntes Trockenpolieren zum Ausbilden der Getterschicht G mit einer Gettereigenschaft ein. Jedoch kann diese bevorzugte Ausführungsform nicht nur dieses Trockenpolieren einsetzen, sondern ebenso jegliche andere Bearbeitungsverfahren, die imstande sind, die Getterschicht G mit einer Gettereigenschaft auszubilden. Beispiele für so ein Bearbeitungsverfahren schließen Schleifen unter Verwendung eines hochmaschigen Rads, Plasmaätzen nach einem Polieren des Bauelementwafers W, eine Laserstrahlanwendung und eine Ionenstrahlanwendung ein (siehe zum Beispiel das japanische offengelegte Patent Nr. 2011-253983 ). Ähnlich zu der ersten bevorzugten Ausführungsform kann auch Nasspolieren verwendet werden.
  • (Achte bevorzugte Ausführungsform)
  • Ein Evaluierungsverfahren in Übereinstimmung mit einer achten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nunmehr unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. 13 ist eine Draufsicht, die ein Bearbeitungssystem 1-8 zum Ausführen des Werkstückevaluierungsverfahrens in Übereinstimmung mit der achten bevorzugten Ausführungsform zeigt. In 13 werden gleiche Teile, wie jene der fünften bevorzugten Ausführungsform, durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet, und deren Beschreibung wird weggelassen.
  • Wie in 13 gezeigt, schließt das Bearbeitungssystem 1-8 in Übereinstimmung mit der achten bevorzugten Ausführungsform einen Bewegungs- und Stützmechanismus 14b zum bewegbaren Unterstützen eines ersten Handhabungsmittels 14 ein, das bei einem Ende des Bewegungs- und Stützmechanismus 19a zum bewegbaren Unterstützen des Transfermittels 19 montiert ist. Zudem ist ein Bewegungs- und Stützmechanismus 16a zum bewegbaren Unterstützen eines zweiten Handhabungsmittels 16 bei dem anderen Ende des Bewegungs- und Stützmechanismus 19a montiert. Vier Kassetten 8 sind in einer Reihe angrenzend an den Bewegungs- und Stützmechanismus 14b angeordnet, und vier Kassetten 9 sind in Reihe angrenzend an den Bewegungs- und Stützmechanismus 16a angeordnet. Das zweite Handhabungsmittel 16 ist ebenso durch einen Aufnahmeroboter eingerichtet, der eine U-förmige Hand 14a aufweist, welche ähnlich zu der des ersten Handhabungsmittels 14 ist. Ferner ist ein weiterer temporärer Einstellabschnitt 25 bei dem anderen Endabschnitt des Bewegungs- und Stützmechanismus 19a vorgesehen, wobei der Bauelementwafer W durch das Transfermittel 19 zu diesem temporären Einstellabschnitt 25 überführt werden kann und als Nächstes durch das zweite Handhabungsmittel 16 zu einer beliebigen der Kassetten 9 überführt werden kann. Die Bewegungsrichtung des zweiten Handhabungsmittels 16 ist parallel zu der Bewegungsrichtung des ersten Handhabungsmittels 14. Ferner ist das Reinigungsmittel 13 bei dem anderen Endabschnitt des Bewegungs- und Stützmechanismus 19a montiert. Der restliche Aufbau ist der gleiche wie der in 10 gezeigte der fünften bevorzugten Ausführungsform.
  • Ähnlich zu der ersten bevorzugten Ausführungsform kann durch ein Betreiben des Bearbeitungssystems 1-8, d. h. durch Ausführen des Evaluierungsverfahrens in Übereinstimmung mit der achten bevorzugten Ausführungsform, die Bestimmung, ob die Gettereigenschaft gut ist oder nicht, ohne Kontamination des Bauelementwafers W mit Metallelementen durchgeführt werden. Ferner setzt das Bearbeitungssystem 1-8 in Übereinstimmung mit der achten bevorzugten Ausführungsform ähnlich zu der ersten bevorzugten Ausführungsform ein sogenanntes Trockenpolieren zum Ausbilden der Getterschicht G mit einer Gettereigenschaft ein. Jedoch kann diese bevorzugte Ausführungsform nicht nur dieses Trockenpolieren einsetzen, sondern auch beliebige andere Bearbeitungsverfahren, die imstande sind, die Getterschicht G mit einer Gettereigenschaft auszubilden. Beispiele für so ein Bearbeitungsverfahren schließen Schleifen unter Verwendung eines hochmaschigen Rads, Plasmaätzen nach einem Polieren des Bauelementwafers W, eine Laserstrahlanwendung und eine Ionenstrahlanwendung ein (siehe zum Beispiel das japanische offengelegte Patent Nr. 2011-253983 ). Ähnlich zu der ersten bevorzugten Ausführungsform kann auch Nasspolieren verwendet werden.
  • (Neunte bevorzugte Ausführungsform)
  • Es wird nunmehr unter Bezugnahme auf die Zeichnungen ein Evaluierungsverfahren in Übereinstimmung mit der neunten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben. 14 ist eine Draufsicht, die ein Bearbeitungssystem 1-9 zum Ausführen des Werkstückevaluierungsverfahrens in Übereinstimmung mit einer neunten bevorzugten Ausführungsform gezeigt. In 14 werden die gleichen Teile wie jene der fünften bevorzugten Ausführungsform durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet, und deren Beschreibung wird weggelassen.
  • Wie in 14 gezeigt, ist der Aufbau des Bearbeitungssystems 1-9 in Übereinstimmung mit der neunten bevorzugten Ausführungsform der gleiche wie der Aufbau des Bearbeitungssystems 1-5 in Übereinstimmung mit der fünften bevorzugten Ausführungsform, mit Ausnahme dass die Poliervorrichtung 18 und die Evaluierungsvorrichtung 20 für ein bewegbares Unterstützen des Transfermittels 19 von dem Bewegungs- und Stützmechanismus 19a getrennt sind, und dass das Bearbeitungssystem 1-9 ferner ein nicht gezeigtes Transfermittel zum Überführen des Bauelementwafers W von der Schleifvorrichtung 17 zu der Poliervorrichtung 18 aufweist.
  • Ähnlich zu der ersten bevorzugten Ausführungsform kann durch Betreiben des Bearbeitungssystems 1-9, d. h. durch Ausführen des Evaluierungsverfahrens in Übereinstimmung mit der neunten bevorzugten Ausführungsform, die Bestimmung, ob die Gettereigenschaft gut ist oder nicht, ohne Kontamination des Bauelementwafers W mit Metallelementen durchgeführt werden. Ferner setzt das Bearbeitungssystem 1-9 in Übereinstimmung mit der neunten bevorzugten Ausführungsform ähnlich zu der ersten bevorzugten Ausführungsform ein sogenanntes Trockenpolieren zum Ausbilden der Getterschicht G mit einer Gettereigenschaft ein. Jedoch kann diese bevorzugte Ausführungsform nicht nur dieses Trockenpolieren einsetzen, sondern auch beliebige andere Bearbeitungsverfahren, die imstande sind, die Getterschicht G mit einer Gettereigenschaft auszubilden. Beispiele für so ein Bearbeitungsverfahren schließen Schleifen unter Verwendung eines hochmaschigen Rads (hochmaschige Schleifkörner), ein Plasmaätzen nach einem Polieren des Bauelementwafers W, eine Laserstrahlanwendung und eine Ionenstrahlanwendung ein (siehe zum Beispiel das japanische offengelegte Patent Nr. 2011-253983 ). Ähnlich zu der ersten bevorzugten Ausführungsform kann auch Nasspolieren verwendet werden.
  • Bei den Bearbeitungssystemen 1 bis 1-9 in Übereinstimmung mit den oben erwähnten ersten bis neunten bevorzugten Ausführungsformen sind das Handhabungsmittel 14 und das Transfermittel 19 jeweils Aufnahmeroboter, die jeweils die U-förmige Hand 14a aufweisen, die angepasst ist, einen Teil des Bauelementwafers W unter Saugkraft zu halten. Als Abwandlung kann die U-förmige Hand 14a durch ein Saugkissen ersetzt werden, das angepasst ist, die gesamte Fläche des Bauelementwafers W unter Saugkraft zu halten. Obwohl der Bauelementwafer W bei den obigen bevorzugten Ausführungsformen zwischen dem Handhabungsmittel 14 und dem Transfermittel 19 über den temporären Einstellabschnitt 25 überführt wird, kann der Bauelementwafer W direkt zwischen dem Handhabungsmittel 14 und dem Transfermittel 19 überführt werden. Insbesondere für den Fall, dass der zu überführende Bauelementwafer W dünn ist, ist dieser Transfervorgang effizient. Obwohl die Evaluierungsvorrichtung 20 jedes der Bearbeitungssysteme 1 bis 1-9 in Übereinstimmung mit der ersten bis neunten bevorzugten Ausführungsform ausbildet, kann die Evaluierungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung ein Bauelementherstellungssystem ausbilden. D. h., dass das Evaluierungsverfahren der vorliegenden Erfindung in einem Bauelementherstellungsverfahren einbezogen werden kann. Ferner muss das Differenzsignal nicht verwendet werden, um die Gettereigenschaft nach der Intensität der Mikrowellen MR zu evaluieren, die von dem Lichtaufbringbereich R reflektiert werden. Ferner kann die Gettereigenschaft nach einer sogenannten Rekombinationslebensdauer evaluiert werden oder dem Zeitraum von dem Zeitpunkt, zu dem das Aufbringen des Anregungslichts L gestoppt wird, zu dem Zeitpunkt, bei dem die Intensität der Mikrowellen MR, die von dem Lichtaufbringbereich R reflektiert werden, 1/e oder weniger wird.
  • In Übereinstimmung mit der ersten bis neunten bevorzugten Ausführungsform können die folgende Evaluierungsvorrichtung, das folgende Bearbeitungssystem und das folgende Bearbeitungsverfahren erreicht werden.
  • (Anhang 1)
  • Eine Evaluierungsvorrichtung zum Evaluieren der Gettereigenschaft eines Werkstücks mit einer Vielzahl von Bauelementen, die an der Vorderseite des Werkstücks ausgebildet sind, und mit einer Getterschicht, die im Inneren des Werkstücks ausgebildet ist, wobei die Evaluierungsvorrichtung aufweist:
    ein Anregungslichtaufbringmittel zum Aufbringen von Anregungslicht auf das Werkstück zum Anregen eines Trägers;
    ein Mikrowellenaufbringmittel zum Aufbringen von Mikrowellen auf einen Lichtaufbringbereich, wo das Anregungslicht aufgebracht wird, und zudem auf einen anderen Bereich als den Lichtaufbringbereich auf dem Werkstück;
    ein Messmittel zum Messen der Intensität der Mikrowellen, die von dem Lichtaufbringbereich und von dem anderen Bereich als dem Lichtaufbringbereich reflektiert werden, und dann Subtrahieren der Intensität der Mikrowellen, die von dem anderen Bereich als dem Lichtaufbringbereich reflektiert werden, von der Intensität der Mikrowellen, die von dem Lichtaufbringbereich reflektiert werden, um dadurch ein Differenzsignal zu erhalten; und
    ein Mittel zum Bestimmen der Gettereigenschaft der Getterschicht nach der Intensität des Differenzsignals, das durch das Messmittel erhalten wird.
  • (Anhang 2)
  • Ein Bearbeitungssystem, das aufweist:
    eine Evaluierungsvorrichtung nach Anhang 1; und
    ein Bearbeitungsmittel zum Bearbeiten des Werkstücks.
  • (Anhang 3)
  • Ein Bearbeitungsverfahren für ein Werkstück mit einer Vielzahl von Bauelementen, die an der Vorderseite des Werkstücks ausgebildet sind, und mit einer Getterschicht, die im Inneren des Werkstücks ausgebildet ist, wobei das Bearbeitungsverfahren aufweist:
    einen ersten Schritt mit einem Aufbringen von Anregungslicht auf das Werkstück zum Anregen eines Trägers;
    einen zweiten Schritt mit einem Aufbringen von Mikrowellen auf einen Lichtaufbringbereich, wo das Anregungslicht aufgebracht wird, und zudem auf einen anderen Bereich als den Lichtaufbringbereich auf dem Werkstück;
    einen dritten Schritt mit einem Messen der Intensität der Mikrowellen, die von dem Lichtaufbringbereich und von dem anderen Bereich als dem Lichtaufbringbereich reflektiert werden, und dann Subtrahieren der Intensität der Mikrowellen, die von dem anderen Bereich als dem Lichtaufbringbereich reflektiert werden, von der Intensität der Mikrowellen, die von dem Lichtaufbringbereich reflektiert werden, um dadurch ein Differenzsignal zu erhalten; und
    einen vierten Schritt mit einem Bestimmen der Gettereigenschaft der Getterschicht in Übereinstimmung mit der Intensität des Differenzsignals, das in dem dritten Schritt erhalten wird.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die obigen bevorzugten Ausführungsformen und Abwandlungen beschränkt, sondern es können vielfältige andere Abwandlungen ausgeführt werden, ohne den Schutzbereich der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsformen beschränkt. Der Schutzbereich der Erfindung wird durch die angehängten Ansprüche definiert und sämtliche Veränderungen und Abwandlungen, die in den äquivalenten Schutzbereich der Ansprüche fallen, sind somit durch die Erfindung einbezogen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
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    • JP 2013-244537 [0033]
    • JP 2012-238731 [0042, 0071]

Claims (3)

  1. Werkstückevaluierungsverfahren zum Evaluieren der Gettereigenschaft eines Werkstücks mit einer Vielzahl von Bauelementen, die an einer Vorderseite des Werkstücks ausgebildet sind, und mit einer Getterschicht, die im Inneren des Werkstücks ausgebildet ist, wobei das Werkstückevaluierungsverfahren umfasst: einen Anregungslichtaufbringschritt mit einem Aufbringen von Anregungslicht auf das Werkstück zum Anregen eines Trägers; nach dem Ausführen des Anregungslichtaufbringschritts einen Mikrowellenaufbringschritt mit einem Aufbringen von Mikrowellen auf einen Lichtaufbringbereich, wo das Anregungslicht aufgebracht wird, und zudem auf einen anderen Bereich als den Lichtaufbringbereich auf dem Werkstück; einen Messschritt mit einem Messen der Intensität der Mikrowellen, die von dem Lichtaufbringbereich und von dem anderen Bereich als dem Lichtaufbringbereich nach dem Ausführen des Mikrowellenaufbringschritts reflektiert werden, und als Nächstes einem Subtrahieren der Intensität der Mikrowellen, die von dem anderen Bereich als dem Lichtaufbringbereich reflektiert werden, von der Intensität der Mikrowellen, die von dem Lichtaufbringbereich reflektiert werden, um dadurch ein Differenzsignal zu erhalten; und einen Gettereigenschaftbestimmungsschritt mit einem Bestimmen der Gettereigenschaft der Getterschicht nach der Intensität des Differenzsignals, das in dem Messschritt erhalten wird.
  2. Werkstückevaluierungsverfahren nach Anspruch 1, bei dem die Frequenz der Mikrowellen 26 GHz beträgt.
  3. Werkstückevaluierungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Wellenlänge des Anregungslichts 349 nm beträgt.
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