JP5694743B2 - 研削装置 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 28
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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Description
始めに、図1,2を参照して、本発明の一実施形態である研削装置の構成について説明する。図1は、本発明の一実施形態である研削装置の構成を示す斜視図である。図2は、本発明の一実施形態である研削装置の制御系の構成を示す模式図である。
レーザヘッド部72から複数の板状部材が貼り合わされて構成されたワークWの表面にレーザ光を照射した場合、被加工板状部材Waの一方及び他方の面だけでなく、板状部材Wb〜Wdの各貼り合わせ面においてもレーザ光が反射されることから、複数の反射光による干渉光が発生する。このため、上述の非接触式の厚み測定手段によれば、干渉光のどの周波数成分が被加工板状部材の一方及び他方の面において反射されたレーザ光の干渉によるものであるのかを特定することができず、結果として、被加工板状部材Waの厚みを適切に検出することができない。具体的には、図3に示すようにワークWがシリコンウェーハWa,2層目ウェーハWb,3層目ウェーハWc,及びシリコンウェーハWdを接着剤層によって貼り合わされて構成されたものである場合、例えば以下のような干渉光が主な干渉光として発生し得る。
(2)2層目ウェーハWbの表面及び裏面において反射したレーザ光の干渉光
(3)3層目ウェーハWcの表面及び裏面において反射したレーザ光の干渉光
(4)シリコンウェーハWaの表面及び2層目ウェーハWbの裏面において反射したレーザ光の干渉光
(5)シリコンウェーハWaの表面及び3層目ウェーハWbの裏面において反射したレーザ光の干渉光
(6)2層目ウェーハWbの表面及び3層目ウェーハWbの裏面において反射したレーザ光の干渉光
6 研削ユニット
41 チャックテーブル
70 厚み検出部
80 高さ位置検出部
101 記憶部
102 選別部
103 制御部
W ワーク
Wa 被加工板状部材
Wb,Wc,Wd 板状部材
Claims (1)
- 複数の板状部材が貼り合わされて構成されたワークを保持する保持手段と、
該保持手段に保持されたワークを構成する板状部材のうち、表面が露出した被加工板状部材を研削加工する加工手段と、
該被加工板状部材の露出面側からワークに向けて検出光を照射し、該被加工板状部材の露出面及びそれぞれの板状部材同士の貼り合わせ面から反射した該検出光による干渉光を受光することによって、該被加工板状部材及びそれぞれの板状部材における研削前の厚みを検出する厚み検出手段と、
を備える研削装置であって、
既知の該被加工板状部材の研削前の概略厚みを予め記憶する記憶手段と、
ワークを構成する該被加工板状部材の露出面の高さ位置を検出する高さ位置検出手段と、
該厚み検出手段が検出した該被加工板状部材及びそれぞれの板状部材における研削前の厚みの値のうち、該記憶手段に記憶された該研削前の概略厚みの値に最も近い値を該被加工板状部材の研削前の厚みと判断して選別する選別手段と、
該選別手段によって選別された該被加工板状部材の研削前の厚みから研削加工中に該高さ位置検出手段が随時検出する露出面の高さ位置の変化量を減算することによって、該被加工板状部材の厚みを算出し、算出された厚みに従って該加工手段を制御することによって、該被加工板状部材を所望の厚みに研削加工する制御手段と、
を備えることを特徴とする研削装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010262864A JP5694743B2 (ja) | 2010-11-25 | 2010-11-25 | 研削装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010262864A JP5694743B2 (ja) | 2010-11-25 | 2010-11-25 | 研削装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012111008A JP2012111008A (ja) | 2012-06-14 |
JP5694743B2 true JP5694743B2 (ja) | 2015-04-01 |
Family
ID=46495774
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010262864A Active JP5694743B2 (ja) | 2010-11-25 | 2010-11-25 | 研削装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5694743B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5995597B2 (ja) * | 2012-08-06 | 2016-09-21 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP5995599B2 (ja) * | 2012-08-06 | 2016-09-21 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP5995596B2 (ja) * | 2012-08-06 | 2016-09-21 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6082654B2 (ja) * | 2013-05-22 | 2017-02-15 | 株式会社ディスコ | 研削方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03228326A (ja) * | 1990-02-01 | 1991-10-09 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH08107093A (ja) * | 1994-10-03 | 1996-04-23 | Seiko Seiki Co Ltd | 半導体基板の加工方法 |
JPH10335288A (ja) * | 1997-06-05 | 1998-12-18 | Sony Corp | 基板研磨装置及び研磨終点検出方法 |
JP3936159B2 (ja) * | 2001-08-24 | 2007-06-27 | 株式会社東芝 | 光学測定装置、光学測定方法、光学的膜厚検出方法、および半導体製造方法 |
JP3880369B2 (ja) * | 2001-10-29 | 2007-02-14 | 松下電器産業株式会社 | 膜厚測定方法および膜厚測定装置 |
JP4769048B2 (ja) * | 2005-08-23 | 2011-09-07 | 株式会社ディスコ | 基板の加工方法 |
JP5150147B2 (ja) * | 2007-06-25 | 2013-02-20 | 株式会社ディスコ | 厚さ計測装置及び研削装置 |
JP5339791B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2013-11-13 | 株式会社東京精密 | 研磨終点検出方法及び研磨装置 |
-
2010
- 2010-11-25 JP JP2010262864A patent/JP5694743B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012111008A (ja) | 2012-06-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131008 |
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A977 | Report on retrieval |
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