JP2012064735A - ウエーハの研削方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウエーハの裏面を研削して円形凹部を形成するとともに該円形凹部を囲繞する環状凸部を形成するウエーハの研削方法であって、#320番以上#400番以下の砥粒を含む第1研削砥石でウエーハの裏面を研削して第1円形凹部114とそれを囲繞する環状凸部116を残存させる第1研削ステップと、#1000番以上#2000番以下の砥粒を含む第2研削砥石を該第1円形凹部の外周壁より内側に位置付けて、該第1円形凹部の底面を研削して第2円形凹部114Aを形成する第2研削ステップと、#3000番以上の砥粒を含む第3研削砥石を該第2円形凹部の外周壁より内側に位置付けて、該第2円形凹部の底面を研削して第3円形凹部114Bを形成する第3研削ステップと、を具備したことを特徴とする。
【選択図】図8
Description
11 半導体ウエーハ
12 粗研削ユニット(第1研削ユニット)
17 デバイス領域
19 外周余剰領域
32 粗研削ホイール(第1研削ホイール)
33 粗研削砥石(第1研削砥石)
38 中間研削ユニット(第2研削ユニット)
56 中間研削ホイール(第2研削ホイール)
57 中間研削砥石(第2研削砥石)
70 仕上げ研削ユニット(第3研削ユニット)
88 仕上げ研削ホイール(第3研削ホイール)
89 仕上げ研削砥石(第3研削砥石)
90 ターンテーブル
92 チャックテーブル
114 第1円形凹部
114A 第2円形凹部
114B 第3円形凹部
116 環状凸部
Claims (1)
- ウエーハの裏面を研削して円形凹部を形成するとともに該円形凹部を囲繞する環状凸部を形成するウエーハの研削方法であって、
JIS規格で規定される#320番以上#400番以下の砥粒を含む第1研削砥石でウエーハの裏面を研削して第1円形凹部を形成するとともに、該第1円形凹部を囲繞する環状凸部を残存させる第1研削ステップと、
該第1研削ステップを実施した後、JIS規格で規定される#1000番以上#2000番以下の砥粒を含む第2研削砥石を該第1円形凹部の外周壁より内側に位置付けて、該第1円形凹部の底面を研削して第2円形凹部を形成する第2研削ステップと、
該第2研削ステップを実施した後、JIS規格で規定される#3000番以上の砥粒を含む第3研削砥石を該第2円形凹部の外周壁より内側に位置付けて、該第2円形凹部の底面を研削して第3円形凹部を形成する第3研削ステップと、
を具備したことを特徴とするウエーハの研削方法。
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