DE102015115914B4 - Waferanordnung aufweisend einen Wafer und einen Wafer-Haltering - Google Patents

Waferanordnung aufweisend einen Wafer und einen Wafer-Haltering Download PDF

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Abstract

Waferanordnung (200), aufweisend:einen Wafer (201); undeinen Wafer-Haltering (202),wobei der Wafer (201) und der Wafer-Haltering (202) so konfiguriert sind, dass sie in loslösbarer Weise aneinander angebracht werden können,wobei der Wafer-Haltering (202) eine Vielzahl von krallenartigen Vorsprüngen aufweist, die umlaufend um den Wafer-Haltering (202) gebildet sind und winkelförmig voneinander beabstandet sind, undwobei der Wafer (201) eine Vielzahl von Eingriffsvorsprüngen aufweist, in welche die krallenartigen Vorsprünge eingreifen können, wobei die Eingriffsvorsprünge umlaufend um den Wafer (201) gebildet sind und winkelförmig voneinander beabstandet sind.

Description

  • Verschiedene Ausführungsformen der Erfindung betreffen eine Waferanordnung und verschiedene Beispiele zur Erläuterung von Teilaspekten der Erfindung betreffen ein Verfahren für die Bearbeitung eines Wafers.
  • Halbleiterchips werden in der Regel aus Halbleiterwafern gefertigt. Die Handhabung und/oder Bearbeitung von dünnen Wafern kann schwierig sein, da die Wafer z. B. für Verwerfungen und Bruchschäden anfällig sein können. Die mechanische Stabilität der Wafer muss möglicherweise für eine sichere Handhabung und/oder Bearbeitung der Wafer erhöht werden.
  • WO 2014/ 142 303 A1 offenbart ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen, das das Verbinden eines Trägersubstrats und eines Halbleiterwafers mittels einer keramischen Klebeschicht aufweist. US 2012 / 0 205 282 A1 offenbart ein ein- und zweistufiges Waferkissen. JP 2012 - 64 735 A offenbart ein Verfahrens zum Schleifen eines Wafers.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen weist eine Waferanordnung Folgendes auf: einen Wafer; und einen Wafer-Haltering, wobei der Wafer und der Wafer-Haltering so konfiguriert sind, dass sie in einer loslösbaren Weise aneinander angebracht werden können, wobei der Wafer-Haltering eine Vielzahl von krallenartigen Vorsprüngen aufweist, die umlaufend um den Wafer-Haltering gebildet sind und winkelförmig voneinander beabstandet sind, und wobei der Wafer eine Vielzahl von Eingriffsvorsprüngen aufweist, in welche die krallenartigen Vorsprünge eingreifen können, wobei die Eingriffsvorsprünge umlaufend um den Wafer gebildet sind und winkelförmig voneinander beabstandet sind, wobei optional die krallenartigen Vorsprünge konfiguriert sind, um in die Eingriffsvorsprünge in einer Weise einzugreifen, dass die krallenartigen Vorsprünge und die Eingriffsvorsprünge sich radial überlappen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können der Wafer und der Wafer-Haltering konfiguriert sein, dass der Wafer-Haltering von dem Wafer abgenommen werden kann, ohne den Wafer oder den Wafer-Haltering zu beschädigen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können der Wafer und der Wafer-Haltering so konfiguriert werden, dass der Wafer-Haltering an dem Wafer angebracht werden kann und anschließend von dem Wafer abgenommen werden kann, ohne den Wafer oder den Wafer-Haltering zu beschädigen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können der Wafer-Haltering und der Wafer ungefähr den gleichen Durchmesser haben.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können der Wafer und der Wafer-Haltering so konfiguriert sein, dass sie in reversibler Weise mechanisch aneinander angebracht werden können.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können der Wafer und der Wafer-Haltering so konfiguriert sein, dass sie in reversibler Weise mechanisch aneinander angebracht werden können, indem der Wafer und der Wafer-Haltering in mechanischen Kontakt miteinander gebracht werden und anschließend mindestens einer aus dem Wafer und dem Wafer-Haltering in Bezug zueinander um eine Achse gedreht wird, die senkrecht zu einer Hauptbearbeitungsfläche des Wafers verläuft.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können der Wafer und der Wafer-Haltering so konfiguriert sein, dass sie in ablösbarer Weise mittels eines Twistlock-Mechanismus aneinander angebracht werden können.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Wafer-Haltering ein erstes Material einschließen oder daraus hergestellt sein, und der Wafer kann ein zweites Material einschließen oder daraus hergestellt sein, wobei das erste Material und das zweite Material zumindest im Wesentlichen den gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten haben können.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Wafer-Haltering mindestens ein Material einschließen oder daraus hergestellt sein, das aus einer Gruppe von Materialien gewählt ist, wobei die Gruppe besteht aus: Alkalie-freiem Glas, Borsilikatglas, Molybdän, Silizium oder einer Kombination von zwei oder mehreren der vorgenannten Materialien.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Wafer und der Wafer-Haltering das gleiche Material, zum Beispiel Silizium, einschließen oder daraus hergestellt sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Wafer-Haltering eine Dicke im Bereich von 100 µm bis 2000 µm haben.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Wafer-Haltering eine Breite von weniger als oder gleich etwa 5 mm haben.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Wafer-Haltering eine Breite im Bereich von etwa 2,5 mm bis etwa 5 mm haben.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Rückseite des Wafers so konfiguriert sein, dass dieser in ablösbarer Weise an dem Wafer-Haltering angebracht werden kann.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Wafer eine vorspringende Struktur in einem Randbereich des Wafers einschließen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Randbereich einen peripheren Bereich des Wafers einschließen oder ein solcher sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die vorspringende Struktur eine Ringstruktur sein, die zumindest teilweise einen Innenbereich des Wafers umgibt.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Ringstruktur den Innenbereich des Wafers umschließen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Ringstruktur eine kreisförmige Ringstruktur sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Ringstruktur eine Taiko-Ringstruktur sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die vorspringende Struktur eine Höhe von weniger als oder gleich einer Anfangsdicke des Wafers haben, zum Beispiel im Bereich von etwa 200 µm bis etwa 800 µm.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die vorspringende Struktur auf einer Rückseite des Wafers vorgesehen sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die krallenartigen Vorsprünge in regelmäßiger Weise winkelförmig voneinander beabstandet sein.
  • Die Eingriffsvorsprünge können so angeordnet sein, dass die krallenartigen Vorsprünge axial zwischen die krallenartigen Vorsprünge eingeführt werden können.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die Eingriffsvorsprünge in regelmäßiger Weise winkelförmig voneinander beabstandet sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen sind die krallenartigen Vorsprünge so konfiguriert, um in die Eingriffsvorsprünge in einer Weise einzugreifen, so dass die krallenartigen Vorsprünge und die Eingriffsvorsprünge sich radial überlappen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die krallenartigen Vorsprünge radial nach innen vorspringen, und die Eingriffsvorsprünge können radial nach außen vorspringen, oder umgekehrt.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die vorspringende Struktur die Eingriffsvorsprünge einschließen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Anzahl der Eingriffsvorsprünge die gleiche sein wie die Anzahl der krallenartigen Vorsprünge.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die Eingriffsvorsprünge einen aufnehmenden Bereich einschließen, und die krallenartigen Vorsprünge können einen vorspringenden Bereich einschließen, der zu dem aufnehmenden Bereich passt. In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der aufnehmende Bereich eine Vertiefung einschließen oder eine solche sein. In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der aufnehmende Bereich eine inverse keilförmige Vertiefung einschließen oder eine solche sein, und der vorspringende Bereich kann einen keilförmigen Vorsprung einschließen oder ein solcher sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die Eingriffsvorsprünge einen blockierenden Bereich einschließen, der so konfiguriert ist, um das Drehen des Wafer-Halterings zu blockieren.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können der Wafer-Haltering und der Wafer so konfiguriert sein, um durch Magnetkraft (Magnethaftung) aneinander anzuhaften.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Wafer ein erstes magnetisches Material einschließen oder daraus hergestellt sein, und der Wafer-Haltering kann ein zweites magnetisches Material einschließen oder daraus hergestellt sein. Das zweite magnetische Material kann das gleiche Material wie das erste magnetische Material sein, oder sie können unterschiedliche Materialien sein.
  • Eine Waferanordnung gemäß verschiedenen Ausführungsformen weist Folgendes auf: einen Wafer, der eine Ringstruktur einschließt, die im Randbereich des Wafers vorgesehen ist und zumindest teilweise einen Innenbereich des Wafers umgibt, wobei die Ringstruktur eine Vielzahl von Eingriffsvorsprüngen einschließt, die umlaufend um die Ringstruktur angeordnet sind und winkelförmig voneinander beabstandet sind; und einen Wafer-Haltering, der eine Vielzahl von krallenartigen Vorsprüngen einschließt, die umlaufend um den Wafer-Haltering angeordnet sind und winkelförmig voneinander beabstandet sind, wobei die krallenartigen Vorsprünge konfiguriert sind, um in die Eingriffsvorsprünge einzugreifen, so dass der Wafer-Haltering an dem Wafer angebracht wird.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Wafer Silizium einschließen oder daraus hergestellt sein, und der Wafer-Haltering kann mindestens eines aus Alkalie-freiem Glas, Borsilikatglas, Molybdän, Silizium oder einer Kombination von zwei oder mehreren der vorgenannten Materialien einschließen oder daraus hergestellt sein.
  • Ein Verfahren für die Bearbeitung eines Wafers gemäß verschiedenen Beispielen zur Erläuterung von Teilaspekten der Erfindung kann Folgendes einschließen: Vorsehen eines Wafers und eines Wafer-Halterings; und anschließend Anbringen des Wafer-Halterings an dem Wafer.
  • Das Verfahren kann des Weiteren das Anwenden von mindestens einem aus einem Wafer-Bearbeitungsschritt und einem Wafer-Handhabungsschritt bei dem Wafer, während der Wafer-Haltering an dem Wafer angebracht ist, einschließen.
  • Das Verfahren kann des Weiteren das Abnehmen des Wafer-Halterings von dem Wafer einschließen, nachdem der Wafer-Haltering an dem Wafer angebracht wurde, zum Beispiel nachdem der mindestens eine aus dem Wafer-Bearbeitungsschritt und dem Wafer-Handhabungsschritt durchgeführt wurde.
  • In ein oder mehreren Beispielen kann das Anbringen des Wafer-Halterings an dem Wafer das Anbringen des Wafer-Halterings an einer Rückseite des Wafers einschließen.
  • In ein oder mehreren Beispielen kann das Anbringen des Wafer-Halterings an dem Wafer das Anbringen des Wafer-Halterings an einer vorspringenden Struktur, z. B. einer Ringstruktur, z. B. einem Taiko-Ring, des Wafers, einschließen.
  • In ein oder mehreren Beispielen kann das Anbringen des Wafer-Halterings an dem Wafer das In-Mechanischen-Kontakt-Bringen des Wafers und des Wafer-Halterings miteinander und das anschließende Bewegen von mindestens einem aus dem Wafer und dem Wafer-Haltering in Bezug zueinander einschließen.
  • In ein oder mehreren Beispielen kann das Bewegen von mindestens einem aus dem Wafer und dem Wafer-Haltering in Bezug zueinander das Drehen von mindestens einem aus dem Wafer und dem Wafer-Haltering in Bezug zueinander um eine Achse, die senkrecht zu einer Hauptbearbeitungsfläche des Wafers verläuft, einschließen.
  • In ein oder mehreren Beispielen kann das Anbringen des Wafer-Halterings an dem Wafer das Anbringen des Wafer-Halterings an dem Wafer durch einen Twistlock-Mechanismus einschließen.
  • In ein oder mehreren Beispielen kann der Wafer-Haltering eine Vielzahl von krallenartigen Vorsprüngen einschließen, und der Wafer kann eine Vielzahl von Eingriffsvorsprüngen einschließen, in die die krallenartigen Vorsprünge eingreifen können, wobei durch Drehen von mindestens einem aus dem Wafer und dem Wafer-Haltering in Bezug zueinander die krallenartigen Vorsprünge die Eingriffsvorsprünge überlappen.
  • In ein oder mehreren Beispielen kann der Wafer-Haltering eine Vielzahl von krallenartigen Vorsprüngen, die umlaufend um den Wafer-Haltering gebildet sind und winkelförmig voneinander beabstandet sind, einschließen, und der Wafer kann eine Vielzahl von Eingriffsvorsprüngen einschließen, in die die krallenartigen Vorsprünge eingreifen können, wobei die Eingriffsvorsprünge umlaufend um den Wafer gebildet sind und winkelförmig voneinander beabstandet sind, so dass die krallenartigen Vorsprünge axial zwischen die Eingriffsvorsprünge eingeführt werden können, wobei das Anbringen des Wafer-Halterings an dem Wafer das axiale Einführen der krallenartigen Vorsprünge des Wafer-Halterings zwischen den Eingriffsvorsprüngen des Wafers und das anschließende Drehen von mindestens einem aus dem Wafer und dem Wafer-Haltering in Bezug zueinander einschließen kann, so dass die krallenartigen Vorsprünge und die Eingriffsvorsprünge sich radial überlappen.
  • Ein Wafer gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Folgendes einschließen: eine Vielzahl von Eingriffsvorsprüngen, die umlaufend um den Wafer gebildet sind und winkelförmig voneinander beabstandet sind.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die Eingriffsvorsprünge radial nach außen vorspringen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die Eingriffsvorsprünge radial nach innen vorspringen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Wafer eine vorspringende Struktur im Randbereich des Wafers einschließen, wobei die vorspringende Struktur die Eingriffsvorsprünge einschließen kann.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die vorspringende Struktur eine Ringstruktur sein, die zumindest teilweise einen Innenbereich des Wafers umgibt.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Ringstruktur den Innenbereich des Wafers umschließen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Ringstruktur eine kreisförmige Ringstruktur sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Ringstruktur eine Taiko-Ringstruktur sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die vorspringende Struktur eine Höhe von weniger als oder gleich einer Anfangsdicke des Wafers haben.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die vorspringende Struktur eine Höhe im Bereich von etwa 200 µm bis etwa 800 µm haben.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die vorspringende Struktur auf einer Rückseite des Wafers vorgesehen sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die vorspringende Struktur eine Vielzahl von getrennten Segmenten einschließen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die vorspringende Struktur eine Vielzahl von Schlitzen einschließen, die die vorspringende Struktur durchschneiden.
  • Ein Wafer-Haltering gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Folgendes einschließen: eine Vielzahl von krallenartigen Vorsprüngen, die umlaufend um den Wafer-Haltering gebildet sind und winkelförmig voneinander beabstandet sind.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die krallenartigen Vorsprünge radial nach innen vorspringen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die krallenartigen Vorsprünge radial nach außen vorspringen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Wafer-Haltering mindestens ein Material einschließen oder daraus hergestellt sein, das aus einer Gruppe von Materialien ausgewählt ist, wobei die Gruppe besteht aus: Alkalie-freiem Glas, Borosilikatglas, Molybdän, Silizium oder einer Kombination von zwei oder mehreren der vorgenannten Materialien.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Wafer-Haltering eine Dicke im Bereich von etwa 100 µm bis etwa 2000 µm haben.
  • In den Zeichnungen beziehen sich gleiche Bezugsziffern allgemein auf die gleichen Teile in allen unterschiedlichen Ansichten. Die Zeichnungen sind nicht notwendigerweise maßstabgetreu, wobei der Schwerpunkt eher allgemein auf die Veranschaulichung der Prinzipien der Erfindung gelegt wird. In der folgenden Beschreibung sind verschiedene Ausführungsformen in Bezug auf die folgenden Zeichnungen beschrieben, in denen:
    • die 1A und 1B perspektivische Ansichten sind, die eine Waferanordnung gemäß verschiedenen Ausführungsformen der Erfindung und ein Verfahren für die Bearbeitung eines Wafers zur Erläuterung von Teilaspekten der Erfindung veranschaulichen;
    • die 2A und 2B perspektivische Ansichten sind, die eine Waferanordnung gemäß verschiedenen Ausführungsformen der Erfindung und ein Verfahren für die Bearbeitung eines Wafers zur Erläuterung von Teilaspekten der Erfindung veranschaulichen;
    • die 3 ein Verfahren für die Bearbeitung eines Wafers gemäß verschiedenen Beispielen zur Erläuterung von Teilaspekten der Erfindung zeigt;
    • die 4A bis 4C und die 5A bis 5C perspektivische Ansichten bzw. Seitenansichten im Aufriss sind, die eine Waferanordnung und ein Verfahren für die Bearbeitung eines Wafers gemäß verschiedenen Ausführungsformen veranschaulichen;
    • die 6 eine vergrößerte Ansicht eines Schnitts von 5C ist;
    • die 7 eine vergrößerte Ansicht eines Schnitts einer Waferanordnung gemäß verschiedenen Ausführungsformen ist;
    • die 8 eine vergrößerte Ansicht eines Schnitts einer Waferanordnung gemäß verschiedenen Ausführungsformen ist; und
    • die 9A bis 9C und die 10A bis 10C perspektivische Ansichten bzw. Seitenansichten im Aufriss sind, die eine Waferanordnung und ein Verfahren für die Bearbeitung eines Wafers gemäß verschiedenen Ausführungsformen veranschaulichen.
  • Die nachstehende detaillierte Beschreibung bezieht sich auf die beigefügten Zeichnungen, die zu Veranschaulichungszwecken spezifische Details und Ausführungsformen, in denen die Erfindung in die Praxis umgesetzt werden kann, zeigen. Diese Ausführungsformen werden ausreichend detailliert beschrieben, um Fachleute auf dem Gebiet zur praktischen Durchführung der Erfindung zu befähigen. Verschiedene Ausführungsformen werden in Verbindung mit Verfahren beschrieben, und verschiedene Ausführungsformen sind in Verbindung mit Bauelementen beschrieben. Jedoch kann es sich verstehen, dass Ausführungsformen, die im Zusammenhang mit Verfahren beschrieben werden, ebenso auf die Bauelemente bzw. Vorrichtungen zutreffen können, und umgekehrt.
  • Das Wort „beispielhaft“ wird hierin in der Bedeutung „als ein Beispiel, ein exemplarischer Fall oder eine Veranschaulichung dienend“ verwendet. Jedwede(s) hierin als „beispielhaft“ beschriebene Ausführungsform oder Design ist nicht notwendigerweise als gegenüber anderen Ausführungsformen oder Designs bevorzugt oder vorteilhaft auszulegen.
  • Die Begriffe „mindestens ein“ und „ein oder mehrere“ können so verstanden werden, dass jedwede ganze Zahl von größer als oder gleich eins, d. h. eins, zwei, drei, vier .. etc., eingeschlossen ist.
  • Der Begriff „eine Vielzahl“ kann so verstanden werden, dass jedwede ganze Zahl von größer als oder gleich zwei, d. h. zwei, drei, vier, fünf... etc., eingeschlossen ist.
  • Das Wort „über“, das hierin zur Beschreibung der Bildung eines Merkmals, z. B. einer Schicht „über“ einer Seite oder Oberfläche, verwendet wird, kann in der Bedeutung verwendet werden, dass das Merkmal, z. B. die Schicht, „direkt auf”, z. B. in direktem Kontakt mit der betroffenen Seite oder Oberfläche ausgebildet ist. Das Wort „über“, das hierin zur Beschreibung der Bildung eines Merkmals, z. B. einer Schicht „über“ einer Seite oder Oberfläche verwendet wird, kann in der Bedeutung verwendet werden, dass das Merkmal, z. B. die Schicht, „indirekt auf” der betroffenen Seite oder Oberfläche ausgebildet sein kann, wobei eine oder mehrere weitere Schichten zwischen der betroffenen Seite oder Oberfläche und der gebildeten Schicht angeordnet sind.
  • In gleicher Weise kann das Wort „bedecken“, das hierin zur Beschreibung eines Merkmals, das über einem anderen angeordnet ist, z. B. einer Schicht, die eine Seite oder Oberfläche „bedeckt“ bzw. „abdeckt“, benutzt wird, in der Bedeutung verwendet werden, dass das Merkmal, z. B. die Schicht, über und in direktem Kontakt mit der betroffenen Seite oder Oberfläche vorgesehen sein kann. Das Wort „bedecken“, das hierin zur Beschreibung eines Merkmals, das über einem anderen angeordnet ist, z. B. einer Schicht, die eine Seite oder Oberfläche „bedeckt“, benutzt wird, kann in der Bedeutung verwendet werden, dass das Merkmal, z. B. die Schicht, über und in indirektem Kontakt mit der betroffenen Seite oder Oberfläche vorgesehen sein kann, wobei eine oder mehrere weitere Schichten zwischen der betroffenen Seite oder Oberfläche und der Deckschicht angeordnet sind.
  • Die mechanische Stabilität eines Wafers muss möglicherweise für eine sichere Handhabung und/oder Bearbeitung des Wafers erhöht werden. Zu diesem Zweck kann ein Wafer herkömmlicherweise einen Haltering, z. B. einen so genannten „Taiko-Ring“, der an einem Randbereich des Wafers ausgebildet ist, einschließen, wodurch die mechanische Stabilität des Wafers erhöht wird.
  • Gemäß herkömmlichen Halteringkonzepten kann die Höhe des Halterings durch so genanntes Vorschleifen vorab festgelegt werden. Abhängig von der Anwendung kann die Höhe des Rings größer als etwa 200 µm bis zu einer Anfangsdicke des Ausgangswafers in Abhängigkeit von dem Waferdurchmesser sein. Im Prinzip kann die Bearbeitbarkeit von dünnen Wafern mit einem höheren Biege-/Spannungsgrad in Abhängigkeit vom Prozessfluss, z. B. aufgrund einer dicken Vorderseitenmetallisierung, unter Verwendung eines dickeren Rings möglich gemacht werden. Jedoch können herkömmliche Halteringkonzepte bezüglich einer maximal möglichen Höhe des Rings beschränkt sein, die sich etwa auf die ursprüngliche Dicke des Ausgangswafers belaufen kann, was vom Waferdurchmesser, beispielsweise 725 µm für einen 8-Zoll-Wafer, abhängt. Somit kann es schwierig werden, Konzepte zu realisieren, die Wafer mit einer noch dickeren Vorderseitenmetallisierung erfordern. Darüber hinaus kann die Komplexität während der Rahmenlaminierung mit zunehmender Höhe des Halterings zunehmen. Darüber hinaus kann der Haltering auch eine Mindestbreite zur Vorsehung einer ausreichenden mechanischen Stabilität erfordern.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein abnehmbarer Wafer-Haltering (z. B. rückseitiger Haltering) vorgesehen werden. Der abnehmbare Wafer-Haltering kann an einem Wafer angebracht werden und anschließend wieder von dem Wafer losgelöst bzw. abgenommen werden. Somit kann der abnehmbare Wafer-Haltering erneut verwendet werden, zum Beispiel für die Verwendung mit einem anderen Wafer. Zu Veranschaulichungszwecken kann ein Wafer-Haltering gemäß verschiedenen Ausführungsformen als ein getrenntes Element (d. h. getrennt von dem Wafer) im Gegensatz zu einem herkömmlichen Wafer-Haltering (z. B. „Taiko-Ring“) vorgesehen werden, der aus dem Wafermaterial selbst gebildet sein kann und somit ein integraler Bestandteil des Wafers ist.
  • Daher kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen die Anwendbarkeit des Wafer-Haltering- (z. B. des Rückseiten-Haltering-) Konzepts gesteigert werden, und/oder die Flexibilität bezüglich der Höhe eines Halterings kann gesteigert werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Dicke eines Halterings von einer Anfangsdicke eines Wafers (z. B. eines Siliziumwafers) entkoppelt werden. Aufgrund dieser Entkopplung können dickere Halteringe implementiert werden, mittels derer neue Technologiekonzepte implementiert werden können,, z. B. Vorderseitenmetallisierungen mit Metalldicken (z. B. Cu-Dicke) von größer als etwa 20 µm auch für ultradünne Wafer (z. B. Siliziumwafer). In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Begriff „ultradünner Wafer“ einen Wafer mit einer Dicke von weniger als oder gleich etwa 280 µm, zum Beispiel im Bereich von etwa 10 µm bis etwa 250 µm, zum Beispiel im Bereich von etwa 20 µm bis etwa 250 µm, je nach dem Waferdurchmesser, einschließen oder sich auf diesen beziehen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Breite des Halterings weniger als die Breite von herkömmlichen Halteringkonzepten betragen. In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Begriff „Breite“ einen Abstand zwischen einem Außenumfang und einem Innenumfang des Halterings einschließen oder sich auf diesen beziehen. In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Begriff „Breite“ einen Unterschied zwischen einem Außendurchmesser und einem Innendurchmesser des Halterings einschließen oder sich auf diesen beziehen.
  • Die 1A und 1B zeigen als schematische perspektivische Ansichten die Waferanordnung 100 gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
  • Die Waferanordnung 100 kann einen Wafer 101 und einen Wafer-Haltering 102 einschließen. Der Wafer 101 und der Wafer-Haltering 102 können so konfiguriert sein, dass sie loslösbar aneinander angebracht werden können.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können der Wafer 101 und der Wafer-Haltering 102 so konfiguriert sein, um in reversibler Weise mechanisch aneinander anbringbar zu sein, zum Beispiel mittels eines mechanischen Verriegelungsmechanismus, z. B. eines Twistlock- bzw. Drehverriegelungs-Mechanismus.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können der Wafer 101 und der Wafer-Haltering 102 so konfiguriert sein, dass sie loslösbar aneinander angebracht werden können, ohne dass ein Klebstoff verwendet wird.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können der Wafer 101 und der Wafer-Haltering 102 so konfiguriert sein, dass sie mittels Magnethaftung loslösbar aneinander angebracht werden können. Das bedeutet, eine Magnetkraft zwischen dem Wafer 101 und dem Wafer-Haltering 102 kann zum Anbringen des Wafer-Halterings 102 an dem Wafer 101 dienen. Zu diesem Zweck können der Wafer 101 und der Wafer-Haltering 102 zum Beispiel ein magnetisches Material gemäß einer Ausführungsform enthalten. Die Magnetkraft oder Anhaftung zwischen dem Wafer 101 und dem Wafer-Haltering 102 kann zum Beispiel stark genug sein, so dass der Wafer-Haltering 102 unter der Wirkung der Schwerkraft nicht von dem Wafer 101 abfällt, aber kann zudem ausreichend schwach sein, so dass der Wafer-Haltering 102 von dem Wafer 101 abgezogen werden kann, ohne den Wafer 101 oder den Wafer-Haltering 102 zu beschädigen.
  • Die 1A zeigt die Waferanordnung 100 in einem Zustand, in dem der Wafer-Haltering 102 nicht an dem Wafer 101 angebracht ist, während die 1B eine Waferanordnung 100 in einem Zustand zeigt, in dem der Wafer-Haltering 102 an dem Wafer 101 angebracht ist. Der Wafer-Haltering 102 kann zum Beispiel an einer Rückseite des Wafers 101 angebracht werden.
  • Der Wafer 101 kann zum Beispiel eine Dicke (bezeichnet als „tl“ in der 1A) im Bereich von etwa 30 µm bis etwa 280 µm, zum Beispiel im Bereich von etwa 50 µm bis etwa 220 µm, zum Beispiel etwa 120 µm, aufweisen, doch kann der Wafer 101 auch andere Werte der Dicke aufweisen.
  • Der Wafer-Haltering 102 kann vorübergehend an dem Wafer 101 angebracht werden, zum Beispiel während der Bearbeitung und/oder Handhabung des Wafers 101. Der Wafer-Haltering 102 kann von dem Wafer 101 abgenommen werden, ohne dass der Wafer 101 oder der Haltering 102 beschädigt werden. Der Wafer-Haltering 102 kann einmal oder mehrmals an dem Wafer 101 angebracht werden und wieder von dem Wafer 101 abgenommen werden. Der Wafer-Haltering 102 kann an einem ersten Wafer, z. B. dem Wafer 101, z. B. zur Vorsehung von mechanischer Stabilität während der Bearbeitung und/oder Handhabung des ersten Wafers, angebracht werden, kann anschließend von dem ersten Wafer abgenommen werden und an einem zweiten Wafer angebracht werden, z. B. für die Vorsehung von mechanischer Stabilität während der Bearbeitung und/oder Handhabung des zweiten Wafers, kann anschließend von dem zweiten Wafer abgenommen werden und an einem dritten Wafer angebracht werden, ..., etc. Das heißt, der Wafer-Haltering 102 kann hintereinander für eine Vielzahl von Wafern, z. B. für die Vorsehung von mechanischer Stabilität während der Bearbeitung und/oder Handhabung des betreffenden Wafers, verwendet werden.
  • Die 2A und die 2B zeigen als schematische perspektivische Ansichten die Waferanordnung 200 gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
  • Die Waferanordnung 200 kann einen Wafer 201 und einen Wafer-Haltering 202 einschließen. Der Wafer 201 und der Wafer-Haltering 202 können so konfiguriert sein, dass sie loslösbar aneinander angebracht werden können, zum Beispiel in einer ähnlichen oder gleichen Weise wie der Wafer 101 und der Wafer-Haltering 102 der Waferanordnung 100.
  • Die 2A zeigt die Waferanordnung 200 in einem Zustand, in dem der Wafer-Haltering 202 nicht an dem Wafer 201 angebracht ist, während die 2B eine Waferanordnung 200 in einem Zustand zeigt, in dem der Wafer-Haltering 202 an dem Wafer 201 angebracht ist.
  • Die Waferanordnung 200 unterscheidet sich von der Waferanordnung 100 hauptsächlich dadurch, dass der Wafer 201 eine vorspringende Struktur 203, die am Randbereich des Wafers 201 vorgesehen ist, einschließt, wobei der Wafer-Haltering 202 (loslösbar) an der vorspringenden Struktur 203 angebracht werden kann. Der Randbereich kann einen peripheren Bereich des Wafers 201 einschließen oder ein solcher sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die vorspringende Struktur 203 an der Rückseite des Wafers 201 vorgesehen sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die vorspringende Struktur 203 eine Ringstruktur sein, die zumindest teilweise einen Innenbereich 201a des Wafers 201 umgibt.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Ringstruktur den Innenbereich 201a des Wafers 201 umschließen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Ringstruktur eine kreisförmige Ringstruktur sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Ringstruktur ein so genannter Taiko-Ring sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die vorspringende Struktur 203 eine Höhe (bezeichnet als „h“ in der 2A) von weniger als oder gleich einer Anfangsdicke des Wafers haben, zum Beispiel im Bereich von etwa 200 µm bis etwa die Anfangsdicke des Wafers, je nach dem Waferdurchmesser, zum Beispiel im Bereich von etwa 200 µm bis etwa 800 µm, zum Beispiel etwa 700 µm, obgleich andere Werte der Höhe ebenso gemäß anderen Ausführungsformen möglich sein können.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Höhe „h“ der vorspringenden Struktur 203 ein Abstand zwischen einer Boden- bzw. Unterseite des Wafers 201 und einer Oberseite der vorspringenden Struktur 203 sein. In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Oberseite der vorspringenden Struktur 203 eine Oberfläche einschließen oder sein, die in die gleiche Richtung oder im Wesentlichen in die gleiche Richtung wie eine Oberseite des Wafers 201 zeigt. In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Oberseite der vorspringenden Struktur 203 eine Oberfläche einschließen oder sein, die in die gleiche Richtung oder im Wesentlichen in die gleiche Richtung wie die Oberfläche des Innenbereichs 201a des Wafers 201 zeigt.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die vorspringende Struktur 203 am Randbereich des Wafers 201 als eine Träger- bzw. Haltestruktur des Wafers 201, zum Beispiel als ein Haltering, konfiguriert sein, wobei die Trägerstruktur ein integraler Bestandteil des Wafers 201 ist. Das heißt, die Trägerstruktur, z. B. der Haltering, kann nicht entfernt werden, ohne den Wafer zumindest teilweise zu beschädigen oder den Durchmesser des Wafers 201 zu beeinflussen (z. B. zu verringern), was die Wirkung haben kann, dass der Wafer 201 nicht mehr durch ein standardmäßiges Bearbeitungsschema bearbeitet werden kann.
  • Aufgrund der vorspringenden Struktur 203, die im Randbereich des Wafers 201 vorgesehen ist, kann die Dicke des Wafers 201 im Randbereich größer als die Dicke des Innenbereichs 201a des Wafers 201 sein. Zum Beispiel kann in einer oder mehreren Ausführungsformen die Dicke des Innenbereichs 201a des Wafers 201 ähnlich oder gleich sein wie die Dicke „tl“ des Wafers 101, während die Dicke des Wafers 201 im Randbereich ähnlich oder gleich wie die Höhe „h“ der vorspringenden Struktur 203 sein kann.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die vorspringende Struktur 203 im Randbereich des Wafers 201 durch einen so genannten Taiko-Prozess erreicht werden, wobei dieser Prozess einen Ring von z. B. einigen wenigen Millimetern Breite am Randbereich eines Wafers zurücklässt und Material nur von der innenliegenden Fläche bzw. dem Innenbereich der Rückseite des Wafers 201 durch einen Schleifprozess entfernt. In diesem Fall kann die vorspringende Struktur 203 als ein so genannter Taiko-Ring gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen konfiguriert sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die vorspringende Struktur 203 eine unterbrochene Struktur aufweisen. In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die vorspringende Struktur 203 eine Vielzahl von Segmenten aufweisen, die voneinander getrennt sein können. In einer oder mehreren Ausführungsformen können die Segmente gleich geformt und/oder gleich beabstandet sein. In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die vorspringende Struktur 203 einen oder mehrere Schlitze aufweisen, die die vorspringende Struktur 203 durchschneiden. In einer oder mehreren Ausführungsformen können die Schlitze gegen eine radiale Achse des Wafers 201 geneigt sein. In einer oder mehreren Ausführungsformen können die Schlitze radial die vorspringende Struktur 203 durchschneiden.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann sich der Begriff „radial“, wie hierin verwendet, auf eine Richtung beziehen, die mit einer/einem radialen Achse oder Radius eines Wafers (z. B. Wafer 101 oder 201) oder Wafer-Halterings (z. B. Wafer-Haltering 102 oder 202) assoziiert ist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die vorspringende Struktur 203 im Randbereich des Wafers 201 durch Schleifen des Wafersmaterial vom Innenbereich 201a eines Wafers 201 gebildet werden. Alternativ kann Material vom Innenbereich 201a durch zahlreiche Mittel bzw. Methoden, z. B. Ätzen (Nass- und/oder chemisches Trockenätzen), verschiedene chemisch-mechanische Verfahren, Laserschneiden, im Allgemeinen jedwedes Verfahren für die mechanische und/oder chemische und/oder physikalische Entfernung von Halbleitermaterial (z. B. Silizium) entfernt werden. Durch diese Verfahren kann der Innenbereich 201a so geformt werden, um den von einer bestimmten Anwendung verlangten Dimensionen zu entsprechen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können der Wafer 101/201 und der Wafer-Haltering 102/202 so konfiguriert sein, dass der Wafer-Haltering 102/202 an dem Wafer 101/201 angebracht werden kann und anschließend von dem Wafer 101/201 abgenommen werden kann, ohne den Wafer 101/201 oder den Wafer-Haltering 102/202 zu beschädigen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können der Wafer-Haltering 102/202 und der Wafer 101/201 ungefähr den gleichen Durchmesser haben. Zum Beispiel kann in einer oder mehreren Ausführungsformen der Wafer-Haltering 102/202 den gleichen Durchmesser wie der Wafer 101/201 haben. Zum Beispiel kann in einer oder mehreren Ausführungsformen der Wafer-Haltering 102/202 einen Durchmesser haben, der sich um bis zu 1%, z. B. bis zu 0,5% vom Durchmesser des Wafers 101/201 unterscheidet. Zum Beispiel kann in einer oder mehreren Ausführungsformen der Wafer-Haltering 102/202 einen Durchmesser haben, der um bis zu 1%, z. B. bis zu 0,5% größer als der Durchmesser des Wafers 101/201 ist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können der Wafer 101/201 und der Wafer-Haltering 102/202 so konfiguriert sein, dass sie in reversibler Weise mechanisch aneinander angebracht werden können, indem der Wafer 101/201 und der Wafer-Haltering 102/202 in mechanischen Kontakt miteinander gebracht werden und dann mindestens einer aus dem Wafer 101/201 und dem Wafer-Haltering 102/202 in Bezug zueinander um eine Achse gedreht werden, die senkrecht zu der Hauptbearbeitungsfläche des Wafers 101/201 verläuft.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können der Wafer 101/201 und der Wafer-Haltering 102/202 so konfiguriert sein, um loslösbar aneinander mittels eines Twistlock-Mechanismus angebracht werden zu können.
  • Die 1A und 1B bzw. die 2A und 2B sind vereinfachte schematische Ansichten, um ein allgemeines Funktionsprinzip von verschiedenen Ausführungsformen zu erläutern. Gemäß einigen Ausführungsformen können der Wafer 101 oder 201 und/oder der Wafer-Haltering 102 oder 202 ein oder mehrere Merkmale, Elemente oder Strukturen einschließen, die zur Ermöglichung der Anbringung des Wafer-Halterings 102 oder 202 an dem Wafer 101 oder 201 verwendet werden können, aber nicht in den Figuren veranschaulicht sind.
  • Zum Beispiel können gemäß einigen Ausführungsformen der Wafer 101 und/oder der Wafer 201 eine Vielzahl von Eingriffsvorsprüngen, die umlaufend um den Wafer 101/201 gebildet sind und winkelförmig voneinander beabstandet sind, einschließen (nicht gezeigt, siehe z. B. die 4A).
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die Eingriffsvorsprünge auf regelmäßige Weise winkelförmig voneinander beabstandet sein. Zum Beispiel kann der Winkelabstand derselbe für jedes Paar von benachbarten Eingriffsvorsprüngen sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die vorspringende Struktur 203 des Wafers 201 die Eingriffsvorsprünge einschließen.
  • Darüber hinaus kann gemäß einigen Ausführungsformen der Wafer-Haltering 102 und/oder der Wafer-Haltering 202 eine Vielzahl von krallenartigen Vorsprüngen, die umlaufend um den Wafer-Haltering 102/202 gebildet sind und winkelförmig voneinander beabstandet sind, einschließen (nicht gezeigt, siehe z. B. 4A).
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die krallenartigen Vorsprünge in regelmäßiger Weise winkelförmig voneinander beabstandet sein. Zum Beispiel kann ein Winkelabstand für jedes Paar von benachbarten krallenartigen Vorsprüngen derselbe sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Winkelabstand zwischen benachbarten krallenartigen Vorsprüngen derselbe oder im Wesentlichen derselbe sein wie der Winkelabstand zwischen benachbarten Eingriffsvorsprüngen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die krallenartigen Vorsprünge so konfiguriert sein, um in die Eingriffsvorsprünge einzugreifen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die krallenartigen Vorsprünge so angeordnet und/oder konfiguriert sein, um axial zwischen die Eingriffsvorsprünge eingeführt werden zu können.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die krallenartigen Vorsprünge in die Eingriffsvorsprünge in einer Weise eingreifen, so dass die krallenartigen Vorsprünge und die Eingriffsvorsprünge sich radial überlappen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die krallenartigen Vorsprünge radial nach innen vorspringen, und die Eingriffsvorsprünge können radial nach außen vorspringen, oder umgekehrt. Mit anderen Worten, zumindest ein Teil der krallenartigen Vorsprünge kann in Richtung zum Zentrum des Wafer-Halterings oder Wafers zeigen, während die Eingriffsvorsprünge in einer Richtung weg vom Zentrum des Wafer-Halterings oder Wafers zeigen können, oder umgekehrt.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Wafer 101 und/oder 201 ein Halbleitermaterial, wie zum Beispiel Silizium, einschließen oder daraus hergestellt sein, jedoch kann der Wafer 101 und/oder 201 andere Halbleitermaterialien einschließen oder daraus hergestellt sein, die Halbleiterverbundwerkstoffe, wie zum Beispiel Germanium, Silizium-Germanium, Siliziumkarbid, Indiumarsenid oder dergleichen, einschließen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann derWafer-Haltering 102/202 ein erstes Material einschließen, und der Wafer 101/201 kann ein zweites Material einschließen, wobei das erste Material und das zweite Material den gleichen oder im Wesentlichen den gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) haben können. Zum Beispiel kann in einer oder mehreren Ausführungsformen ein relativer Unterschied zwischen dem CTE des ersten Materials und dem CTE des zweiten Materials weniger als 50%, z. B. weniger als 20%, z. B. weniger als 10%, z. B. weniger als 5%, z. B. weniger als 1%, betragen. Dies kann zum Beispiel nützlich sein, wenn der Wafer-Haltering 102/202 und der Wafer 101/201 einer Wärmebehandlung unterworfen werden, während der Wafer-Haltering 102/202 an dem Wafer 101/201 angebracht ist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Wafer-Haltering 102 und/oder 202 mindestens ein Material einschließen oder daraus hergestellt sein, das aus einer Gruppe von Materialien gewählt ist, wobei die Gruppe besteht aus: Alkalie-freiem Glas, Borsilikatglas, Molybdän, Silizium oder einer Kombination von zwei oder mehreren der vorgenannten Materialien.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Wafer-Haltering 102/202 das gleiche Material wie der Wafer 101/201 einschließen oder daraus hergestellt sein, zum Beispiel Silizium.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Wafer-Haltering 102 und/oder 202 eine Dicke (bezeichnet als „t2“ in der 1A und 2A) im Bereich von etwa 100 µm bis etwa 2000 µm, zum Beispiel im Bereich von etwa 300 µm bis etwa 2000 µm, zum Beispiel etwa 700 µm, haben.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Dicke „t2“ einer Dicke eines Hauptkörpers des Wafer-Halterings entsprechen, zum Beispiel unter Ausschluss einer Dicke von optionalen krallenartigen Vorsprüngen des Wafer-Halterings (siehe z. B. die 5A).
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Wafer-Haltering 102 und/oder 202 eine Breite (bezeichnet als „w2“ in der 1A und 2A) von weniger als oder gleich etwa 5,0 mm, zum Beispiel im Bereich von etwa 2,5 mm bis etwa 5,0 mm, zum Beispiel im Bereich von etwa 3,0 mm bis etwa 4,0 mm, zum Beispiel etwa 3,5 mm, haben.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Breite des Wafer-Halterings 102 und/oder 202 einem Abstand zwischen einem Innenumfang und einem Außenumfang des Wafer-Halterings 102/202 enstprechen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Breite des Wafer-Halterings 202 die gleiche oder zumindest im Wesentlichen die gleiche sein wie die Breite der vorspringenden Struktur 203 (bezeichnet als „w1“ in der 2A).
  • Die 3 zeigt ein Verfahren 300 für die Bearbeitung eines Wafers gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
  • Das Verfahren 300 kann Folgendes einschließen: Bereitstellen eines Wafers und eines Wafer-Halterings (in 302); und anschließend Anbringen des Wafer-Halterings an dem Wafer (in 304).
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Verfahren 300 des Weiteren das Anwenden von mindestens einem aus einem Wafer-Bearbeitungsschritt oder Wafer-Handhabungsschritt auf den Wafer einschließen, während der Wafer-Haltering an dem Wafer angebracht ist (wie in 306 gezeigt).
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Verfahren 300 des Weiteren das Abnehmen des Wafer-Halterings von dem Wafer einschließen, nachdem der Wafer-Haltering an dem Wafer angebracht wurde, zum Beispiel nachdem der mindestens eine Bearbeitungsschritt durchgeführt worden ist (wie in 308 gezeigt).
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Anbringen des Wafer-Halterings an dem Wafer das Anbringen des Wafer-Halterings an einer Rückseite des Wafers einschließen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Anbringen des Wafer-Halterings an dem Wafer das In-Mechanischen-Kontakt-Bringen des Wafers und des Wafer-Halterings miteinander und anschließend das Bewegen von mindestens einem aus dem Wafer und dem Wafer-Haltering in Bezug zueinander einschließen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Bewegen von mindestens einem aus dem Wafer und dem Wafer-Haltering in Bezug zueinander das Drehen von mindestens einem aus dem Wafer und dem Wafer-Haltering in Bezug zueinander um eine Achse, die senkrecht zu einer Hauptbearbeitungsfläche des Wafers verläuft, einschließen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Wafer-Haltering eine Vielzahl von krallenartigen Vorsprüngen einschließen, und der Wafer kann eine Vielzahl von Eingriffsvorsprüngen einschließen, in welche die krallenartigen Vorsprünge eingreifen können, wobei das Anbringen des Wafer-Halterings an dem Wafer das Anbringen des Wafer-Halterings durch einen Twistlock-Mechanismus einschließen kann.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Wafer-Haltering eine Vielzahl von krallenartigen Vorsprüngen einschließen, und der Wafer kann eine Vielzahl von Eingriffsvorsprüngen einschließen, in die die krallenartigen Vorsprünge eingreifen können, wobei durch das Drehen von mindestens einem aus dem Wafer und dem Wafer-Haltering in Bezug zueinander die krallenartigen Vorsprünge die Eingriffsvorsprünge überlappen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Wafer-Haltering eine Vielzahl von krallenartigen Vorsprüngen einschließen, die umlaufend um den Wafer-Haltering gebildet und winkelförmig voneinander beabstandet sind, und der Wafer kann eine Vielzahl von Eingriffsvorsprüngen einschließen, in die die krallenartigen Vorsprünge eingreifen können, wobei die Eingriffsvorsprünge umlaufend um den Wafer gebildet sind und winkelförmig voneinander beabstandet sind, so dass die krallenartigen Vorsprünge axial zwischen die Eingriffsvorsprünge eingeführt werden können, wobei das Anbringen des Wafer-Halterings an dem Wafer das axiale Einführen der krallenartigen Vorsprünge des Wafer-Halterings zwischen die Eingriffsvorsprünge des Wafers und das anschließende Drehen von mindestens einem aus dem Wafer und dem Wafer-Haltering in Bezug zueinander einschließen kann, so dass die krallenartigen Vorsprünge und die Eingriffsvorsprünge sich radial überlappen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Abnehmen des Wafer-Halterings von dem Wafer das Drehen von mindestens einem aus dem Wafer und dem Wafer-Haltering in Bezug zueinander einschließen, so dass die krallenartigen Vorsprünge und die Eingriffsvorsprünge sich nicht mehr radial überlappen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Drehen des mindestens einen aus dem Wafer und dem Wafer-Haltering zum Anbringen des Wafer-Halterings an dem Wafer das Drehen des mindestens einen aus dem Wafer und dem Wafer-Haltering in einer ersten Richtung einschließen, und das Drehen des mindestens einen aus dem Wafer und dem Wafer-Haltering zum Abnehmen des Wafer-Haltering von dem Wafer kann das Drehen des mindestens einen aus dem Wafer und dem Wafer-Haltering in einer zweiten Richtung entgegengesetzt zu der ersten Richtung einschließen. Mit anderen Worten, die zur Anbringung verwendete Drehrichtung kann gemäß einigen Ausführungsformen entgegengesetzt zu der Drehrichtung, die für die Abnahme verwendet wird, sein. Zum Beispiel kann gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen eine Drehung im Uhrzeigersinn des Wafer-Halterings in Bezug zu dem Wafer zur Anbringung durchgeführt werden, während eine Drehung im Gegenuhrzeigersinn des Wafer-Halterings in Bezug zu dem Wafer für die Abnahme erfolgen kann, oder umgekehrt. Gemäß anderen Ausführungsformen kann die für die Anbringung verwendete Drehrichtung dieselbe sein wie die für die Abnahme verwendete Drehrichtung.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Wafer eine vorspringende Struktur, zum Beispiel eine Ringstruktur, z. B. einen Taiko-Ring, der im Randbereich des Wafers vorgesehen ist, einschließen, wobei die vorspringende Struktur die Vielzahl von Eingriffsvorsprüngen einschließen kann.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Verfahren 300 des Weiteren das Anbringen des Wafer-Halterings an mindestens einem weiteren Wafer einschließen, nachdem der Wafer-Haltering von dem Wafer abgenommen wurde.
  • Die 4A bis 4C und die 5A bis 5C sind perspektivische Ansichten bzw. Seitenansichten im Aufriss, die eine Waferanordnung 400 und ein Verfahren für die Bearbeitung eines Wafers gemäß verschiedenen Ausführungsformen veranschaulichen.
  • Die 4A und 5A zeigen als eine perspektivische Ansicht bzw. als eine Seitenansicht im Aufriss, dass ein Wafer 401 (z. B. ein Siliziumwafer) und ein Wafer-Haltering 402 vorgesehen sein können. Der Wafer 401 und der Wafer-Haltering 402 sind so konfiguriert, dass sie loslösbar aneinander angebracht werden können.
  • Der Wafer 401 hat eine vorspringende Struktur 403, die die Form eines Rings haben kann, der zumindest teilweise einen Innenbereich 401a des Wafers 401 umgibt. In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die vorspringende Struktur 403 durch Entfernen von Wafermaterial vom Innenbereich 401a an einer Seite (z. B. der Rückseite) des Wafers 401 erhalten worden sein, um eine verdünnte Waferstruktur und eine vorspringende Struktur im Randbereich des Wafers 401 zu bilden, um zumindest teilweise den Innenbereich 401a des Wafers 401 zu umgeben. In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die vorspringende Struktur 403 von einer Oberfläche des Innenbereichs 401a des Wafers 401 vorspringen, der nach der Entfernung des Wafermaterials vom Innenbereich 401a erhalten wird. In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Oberfläche eine Oberfläche einschließen oder eine solche sein, die in die gleiche oder im Wesentlichen die gleiche Richtung wie die Seite(z. B. die Rückseite) des Wafers 401 zeigt.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die vorspringende Struktur 403 im Randbereich des Wafers 401 eine Ringstruktur sein, die den Innenbereich 401a des Wafers 401 vollständig umschließt. In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die vorspringende Struktur 403 im Randbereich des Wafers 401 eine kreisförmige Ringstruktur sein, die zumindest teilweise den Innenbereich 401a des Wafers 401 umgibt, aber diesen auch vollständig umschließen kann.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die vorspringende Struktur 403 im Randbereich des Wafers 401 eine ringförmige oder im Wesentlichen ringförmige Struktur sein, die zumindest teilweise den Innenbereich des Wafers 401 umgibt, aber diesen auch vollständig umschließen kann.
  • Im Vergleich mit einem herkömmlichen Wafer mit einem Taiko-Ring als Trägerstruktur hat der Wafer 401 eine modifizierte geometrische Form, wobei das Wafermaterial (z. B. Silizium) der vorspringenden Struktur 403 eine Vielzahl von Vertiefungen 411a und eine Vielzahl von Rillen 411b aufweist, so dass eine Vielzahl von Eingriffsvorsprüngen 411 gebildet wird. Acht Eingriffsvorsprünge 411 sind in der 4A als ein Beispiel gezeigt, doch kann die Anzahl der Eingriffsvorsprünge 411 von acht verschieden sein und kann größer als oder gleich zwei gemäß einigen Ausführungsformen sein, zum Beispiel eine gerade Zahl von größer als oder gleich zwei, oder eine ungerade Zahl von größer als oder gleich drei sein.
  • Es sollte darauf verwiesen werden, dass gemäß einigen Ausführungsformen der Wafer 401 eine vorspringende Struktur 403 nicht aufweisen kann. Das bedeutet, der Randbereich des Wafers 401 kann die gleiche Dicke wie der Innenbereich 401a des Wafers 401 haben (ähnlich wie bei dem Wafer 101 der 1A und 1B), und es können Eingriffsvorsprünge 411 oder Vertiefungen 411a und Rillen 411b im Randbereich des Wafers 401 gebildet werden.
  • Wie gezeigt, können die Eingriffsvorsprünge 411 umlaufend um den Wafer 401 gebildet sein und können winkelförmig voneinander beabstandet sein.
  • Der Veranschaulichung halber kann eine Vertiefung 411a in jedem Fall zwischen zwei benachbarten Eingriffsvorsprüngen 411 vorgesehen sein, und eine Rille 411b kann in jedem Fall zwischen einem Eingriffsvorsprung 411 und einer Seite (z. B. der Hauptbearbeitungsseite, z. B. Vorderseite) des Wafers 401 vorgesehen sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die Eingriffsvorsprünge 411 in regelmäßiger Weise voneinander beabstandet sein. Zum Beispiel kann ein Winkelabstand der gleiche für jedes Paar von benachbarten Eingriffsvorsprüngen 411 sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die Eingriffsvorsprünge 411 alle die gleiche oder im Wesentlichen die gleiche Größe, z. B. Länge, Breite und/oder Höhe, haben.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können Vertiefungen 411a und Rillen 411b gebildet werden, nachdem die vorspringende Struktur 403 gebildet wurde.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können Vertiefungen 411a und Rillen 411b gebildet werden, bevor die vorspringende Struktur 403 gebildet wird.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können Vertiefungen 411a und Rillen 411b durch Entfernen von Wafermaterial von dem Wafer 401, zum Beispiel von der vorspringenden Struktur 403, zum Beispiel mittels mechanischer Behandlung, z. B. Fräsen, Schleifen, Laserbehandlung, Abtragen, Plasmabehandlung oder eine Kombination von zwei oder mehreren der vorgenannten Verfahren gebildet werden.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können Vertiefungen 411a und Rillen 411b an einer Außenseite der vorspringenden Struktur 403 gebildet werden, wie es gezeigt ist. Die Außenseite der vorspringenden Struktur 403 kann eine Seite sein, die vom Zentrum des Wafers 401 abgewandt ist. So können die Eingriffsvorsprünge 411 in diesem Fall radial nach außen vorspringen, wie gezeigt. Gemäß anderen Ausführungsformen können die Vertiefungen 411a und/oder Rillen 411b auf der Innenseite der vorspringenden Struktur 403 gebildet werden (nicht gezeigt, siehe z. B. 9A). Die Innenseite der vorspringenden Struktur 403 kann eine Seite sein, die dem Zentrum des Wafers 401 zugewandt ist. So können die Eingriffsvorsprünge 411 in diesem Fall radial nach innen vorspringen (nicht gezeigt, siehe z. B. die 9A).
  • Die 4A und 5A zeigen ferner den Wafer-Haltering 402, der zu Veranschaulichungszwecken ein Gegenstück zu dem Wafer 401 bilden kann und der in den Wafer 401 eingreifen oder einrasten kann.
  • Der Wafer-Haltering 402 kann eine Vielzahl von krallenartigen Vorsprüngen 422 aufweisen, wie gezeigt. In einer oder mehreren Ausführungsformen können sich die krallenartigen Vorsprünge 422 von einem Hauptkörper 402a des Wafer-Halterings 402 erstrecken, wie gezeigt. Gemäß einigen Ausführungsformen kann die Anzahl der krallenartigen Vorsprünge 422 gleich der Anzahl der Eingriffsvorsprünge 411 des Wafers 401 sein. Zum Beispiel kann in dem in der 4A gezeigten Beispiel die Anzahl der krallenartigen Vorsprünge 422 acht sein, wobei jeder krallenartige Vorsprung 422 in einen entsprechenden Eingriffsvorsprung 411 des Wafers 401 eingreifen kann. Jedoch kann gemäß anderen Ausführungsformen die Anzahl der krallenartigen Vorsprünge 422 von der Anzahl der Eingriffsvorsprünge 411 verschieden sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Anzahl der Eingriffsvorsprünge 411 gleich oder größer als die Anzahl der krallenartigen Vorsprünge 422 sein.
  • Wie gezeigt, können die krallenartigen Vorsprünge 422 umlaufend um den Wafer-Haltering 402 gebildet sein und können winkelförmig voneinander beabstandet sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die krallenartigen Vorsprünge 422 in regelmäßiger Weise winkelförmig voneinander beabstandet sein. Zum Beispiel kann ein Winkelabstand der gleiche für jedes Paar von benachbarten krallenartigen Vorsprüngen 422 sein. Die krallenartigen Vorsprünge 422 können so konfiguriert sein, dass sie axial zwischen die Eingriffsvorsprünge 411 des Wafers 401 eingeführt werden können. Zum Beispiel können die krallenartigen Vorsprünge 422 so konfiguriert sein, um in Vertiefungen 411a des Wafers 401 zu passen.
  • Wie gezeigt, können die krallenartigen Vorsprünge 422 radial nach innen vorspringen. Mit anderen Worten, die krallenartigen Vorsprünge 422 können in eine Richtung hin zum Zentrum des Wafer-Halterings 402 oder Wafers 401 zeigen. So können die krallenartigen Vorsprünge 422 in die Eingriffsvorsprünge 411, die radial nach außen vorspringen, eingreifen. Zum Beispiel kann jeder krallenartige Vorsprung 422 in einen betreffenden Eingriffsvorsprung 411 der Vielzahl von Eingriffsvorsprüngen 411 des Wafers 401 eingreifen. Gemäß anderen Ausführungsformen können die krallenartigen Vorsprünge 422 radial nach außen vorspringen und können in Eingriffsvorsprünge 411, die radial nach innen vorspringen, eingreifen (nicht gezeigt).
  • Die 4B und 5B zeigen als eine perspektivische Ansicht bzw. als eine Seitenansicht im Aufriss, dass die zwei Formen, d. h. der Wafer 401 und der Wafer-Haltering 402, zusammen gebracht werden können. Zum Beispiel kann der Wafer-Haltering 402 gemäß einigen Ausführungsformen auf den Wafer 401 platziert werden (z. B. auf die vorspringende Struktur 403), oder umgekehrt. Das heißt, der Wafer-Haltering 402 und der Wafer 401 können in mechanischem Kontakt, z. B. in direktem mechanischem Kontakt miteinander stehen. Der Waferträger 401 und der Wafer-Haltering 402 können so angeordnet sein, dass die krallenartigen Vorsprünge 422 zwischen die Eingriffsvorsprünge 411 eingeführt sind. Zum Beispiel kann jeder krallenartige Vorsprung 422 zwischen zwei benachbarte Eingriffsvorsprünge 411 eingeführt werden, wie in der 5B gezeigt. In dem in den 4B und 5B gezeigten Zustand greifen die krallenartigen Vorsprünge 422 des Wafer-Halterings 402 nicht in die Eingriffsvorsprünge 411 ein, so dass der Wafer-Haltering 402 nicht an den Wafer 401 angebracht ist, sondern zum Beispiel von dem Wafer 401 unter Schwerkraftwirkung abfallen könnte, wenn die Waferanordnung umgedreht wird (d. h. Wafer nach oben und Wafer-Haltering nach unten).
  • Die 4C und 5C zeigen als eine perspektivische Ansicht bzw. als eine Seitenansicht im Aufriss, dass die zwei Formen, d. h. der Wafer 401 und der Wafer-Haltering 402, durch eine Drehung des Wafers 401 und/oder Wafer-Halterings 402 in Bezug zueinander um die Waferachse 401, d. h. um eine Achse, die senkrecht zu einer Haupbearbeitungsfläche des Wafers 401 verläuft und durch das Zentrum des Wafers 401 geht, fixiert werden können. Durch das Drehen können die krallenartigen Vorsprünge 422 des Wafer-Halterings 402 in eine Position gebracht werden, in der sie in die Eingriffsvorsprünge 411 des Wafers 401 eingreifen können, wie in der 5C und auch in der 6 gezeigt, die eine vergrößerte Ansicht des Schnitts 600 in der 5C ist. In der in der 4C und 5C gezeigten Ausführungsform können die krallenartigen Vorsprünge 422 sich radial mit den Eingriffsvorsprüngen 411 überlappen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die Eingriffsvorsprünge 411 und/oder krallenartigen Vorsprünge 422 so konfiguriert sein, dass sowohl eine Drehung im Uhrzeigersinn als auch eine Drehung im Gegenuhrzeigersinn verwendet werden kann, um eine Fixierung des Wafers 401 und des Wafer-Halterings 402 zu erreichen, wie gezeigt. In anderen Ausführungsformen können die Eingriffsvorsprünge 411 und/oder krallenartigen Vorsprünge 422 so konfiguriert sein, dass nur eine Drehung im Uhrzeigersinn oder nur eine Drehung im Gegenuhrzeigersinn geeignet sein wird, um eine Fixierung des Wafers 401 und des Wafer-Halterings 402 zu erreichen. Zum Beispiel können gemäß einigen Ausführungsformen die Eingriffsvorsprünge 411 einen aufnehmenden Bereich 411c einschließen, der z. B. eine Vertiefung, z. B. eine inverse keilförmige Vertiefung oder dergleichen, einschließt, und die krallenartigen Vorsprünge 422 können einen vorspringenden Bereich 422a, z. B. einen keilförmigen Vorsprung oder dergleichen, einschließen, der zu dem aufnehmenden Bereich 411c passt, wie in der 7 gezeigt, die eine vergrößerte Ansicht ist, die einen Schnitt 600' einer Waferanordnung gemäß einigen Ausführungsformen, ähnlich dem Schnitt 600 von 6, zeigt. Sobald die vorspringenden Bereiche 422a in den aufnehmenden Bereichen 411c aufgenommen sind, können die aufnehmenden Bereiche 411c eine weitere Drehbewegung des Wafer-Halterings 402 in der gleichen Richtung blockieren. Zum Beispiel kann eine weitere Drehung des Wafer-Halterings 402 in der in 7 gezeigten Richtung 650 durch die aufnehmenden Bereiche 411c blockiert werden, während die Drehung des Wafer-Halterings 402 in der entgegengesetzten Richtung möglich sein kann. So kann die Möglichkeit einer unbeabsichtigten Drehbewegung und einer möglichen Lockerung oder Loslösung des Wafer-Halterings 402 von dem Wafer 401 reduziert werden.
  • Die 8 ist eine vergrößerte Ansicht, die einen Schnitt 600" einer Waferanordnung gemäß einigen Ausführungsformen ähnlich dem Schnitt 600 der 6 oder dem Schnitt 600' der 7 darstellt. In dieser Anordnung können die Eingriffsvorsprünge 411 des Wafers 401 einen blockierenden Bereich, mit anderen Worten einen Stopperbereich 411d, einschließen. Die blockierenden Bereiche 411d können eine ähnliche Wirkung wie die aufnehmenden Bereiche 411c haben. Das heißt, sie können das weitere Drehen des Wafer-Halterings 402 in der Richtung 650 blockieren, sobald die krallenartigen Vorsprünge 422 die blockierenden Bereiche 411d erreicht haben. Im Gegensatz zu den aufnehmenden Bereichen 411c müssen die blockierenden Bereiche 411d möglicherweise nicht konfiguriert sein, um die vorspringenden Bereiche 422a der krallenartigen Vorsprünge 422 aufzunehmen.
  • Zu Veranschaulichungszwecken zeigen die 4C und 5C (ebenso die 6 bis 8) einen Zustand, in dem der Wafer-Haltering 402 sicher an dem Wafer 401 angebracht werden kann, indem krallenartige Vorsprünge 422 in die Eingriffsvorsprünge 411 eingerastet werden. Zum Beispiel können die krallenartigen Vorsprünge 422, die in die Eingriffsvorsprünge 411 eingreifen, verhindern, dass der Wafer-Haltering 422 vom Wafer 401 abfällt, wenn die Waferanordnung umgedreht wird (d. h. Wafer oben und Wafer-Haltering unten).
  • Der Wafer-Haltering 402, der an dem Wafer 401 angebracht ist, kann zur Erhöhung der Stabilität des Wafers 401, zum Beispiel während anschließenden Bearbeitungs- und/oder Handhabungsschritten, dienen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann der Wafer-Haltering 402 von dem Wafer 401 wieder abgenommen werden, zum Beispiel nachdem ein oder mehrere bei dem Wafer 401 angewandte Bearbeitungs- und/oder Handhabungsschritte abgeschlossen worden sind. Das Abnehmen des Wafer-Halterings 402 vom Wafer 401 kann das Drehen von mindestens einem von dem Wafer 401 und dem Wafer-Haltering 402 in Bezug zueinander (zum Beispiel in der gleichen Richtung wie während der Fixierung gemäß einigen Ausführungsformen oder in der umgekehrten Richtung gemäß einigen Ausführungsformen), bis die krallenartigen Vorsprünge 422 nicht mehr in die Eingriffsvorsprünge 411 eingreifen, und das anschließende Abnehmen des Wafer-Halterings 402 von dem Wafer 401 einschließen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann, nachdem der Wafer-Haltering 402 von dem Wafer 401 abgenommen wurde, der Wafer-Haltering 402 wiederverwendet werden. Zum Beispiel kann der Wafer-Haltering 402 an einem anderen Wafer angebracht werden.
  • Die 9A bis 9C und die 10A bis 10C sind perspektivische Ansichten bzw. Seitenansichten im Aufriss, die eine Waferanordnung 500 und ein Verfahren für die Bearbeitung eines Wafers gemäß verschiedenen Ausführungsformen veranschaulichen. In den 9A bis 9C und den 10A bis 10C bezeichnen Bezugsziffern, die die gleichen wie in den 4A bis 4C und den 5A bis 5C sind, allgemein die gleichen oder ähnliche (Bau-)Elemente und werden hier nicht erneut im Detail beschrieben. Es wird Bezug auf die oben stehende Beschreibung genommen.
  • Die Waferanordnung 500 und das Bearbeitungsverfahren, die durch die 9A bis 9C und die 10 bis 10C veranschaulicht sind, sind in gewissem Maße der Waferanordnung 400 und dem Bearbeitungsverfahren, die in den 4A bis 4C und den 5A bis 5C veranschaulicht sind, ähnlich, wobei der Hauptunterschied darin besteht, dass in der Waferanordnung 500 der 9A bis 10C die Eingriffsvorsprünge 411 radial nach innen vorspringen. Demgemäß können die krallenartigen Vorsprünge 422 des Wafer-Halterings 402 radial nach außen vorspringen und können so konfiguriert sein, um in die Eingriffsvorsprünge 411 einzugreifen. Insbesondere können die Vertiefungen 411a und Rillen 411b an einer Innenseite der vorspringenden Struktur 403 gebildet werden (wobei die Innenseite der vorspringenden Struktur 403 eine dem Zentrum des Wafers 401 zugewandte Seite ist) zur Bildung der Eingriffsvorsprünge 411, und die krallenartigen Vorsprünge 422 können am Innenumfang des Hauptkörpers 402a des Wafer-Halterings 402 gebildet werden.
  • Der Wafer 401 und der Wafer-Haltering 402 der Waferanordnung 500 können aneinander angebracht werden und können mittels eines Twistlock-Mechanismus voneinander getrennt werden in einer ähnlicher Weise, wie es hierin weiter oben in Verbindung mit der Waferanordnung 400 der 4A bis 5C beschrieben wird. Insbesondere entspricht ein Zustand, der in den 9A und 10A gezeigt ist, dem Zustand, der in den 4A und 5A gezeigt ist (d. h., der Wafer 401 und der Wafer-Haltering 402 sind voneinander gelöst), ein Zustand, der in den 9B und 10B gezeigt ist, entspricht dem Zustand, der in den 4B und 5B gezeigt ist (d. h. der Wafer 401 und der Wafer-Haltering 402 sind miteinander in mechanischen Kontakt gebracht, aber noch nicht verriegelt), und ein Zustand, der in den 9C und 10C gezeigt ist, entspricht dem Zustand, der in den 4C und 5C gezeigt ist (d. h. der Wafer 401 und der Wafer-Haltering 402 sind durch Drehen fest aneinander angebracht).
  • Wie leicht zu verstehen ist, ist die Vorsehung von Eingriffsvorsprüngen und krallenartigen Vorsprüngen, z. B. den Eingriffsvorsprüngen 411 und den krallenartigen Vorsprüngen 422, lediglich ein Beispiel, wie ein Wafer und ein Wafer-Haltering in loslöbarer Weise aneinander angebracht werden können. Andere Beispiele schließen zum Beispiel das Konfigurieren des Wafer-Halterings und des Wafers ein, so dass sie durch Magnetkraft (z. B. durch Fertigen des Wafer-Halterings und eines Teils des Wafers, z. B. des Randbereichs oder der vorspringenden Struktur in einer solchen Weise, dass sie ein magnetisches Material enthalten), elektrostatische Kraft, Löten, einen temperatur-ablösbaren Klebstoff (mit anderen Worten, einen Klebstoff, der den Wafer-Haltering fest am Wafer anhaften lassen kann, während die Temperatur unter einem bestimmten Schwellenwert liegt, und durch das Erhöhen der Temperatur über den Schwellenwert wieder abgelöst werden kann), oder in Fällen, in denen ein transparenter Wafer-Haltering (z. B. Glasring) verwendet wird, durch einen UVempfindlichen Klebstoff (mit anderen Worten, einen Klebstoff, der den Wafer-Haltering fest an dem Wafer anhaften lassen kann und durch Bestrahlen des Klebstoffs mit Ultraviolett (UV-) Licht wieder abgelöst werden kann) aneinander anhaften.
  • Allgemein können verschiedene Ausführungsformen einen Wafer und einen Wafer-Haltering vorsehen, die aneinander angebracht werden können und wieder voneinander abgenommen werden können, ohne den Wafer oder den Wafer-Haltering zu beeinträchtigen, zum Beispiel ohne permanent die Struktur, z. B. die Oberfläche des Wafers zu modifizieren, z. B. ohne Reste auf der Oberfläche zurück zu lassen, oder ohne den Durchmesser des Wafers zu verringern. Der Veranschaulichung halber kann die Unversehrtheit des Wafers unverändert sein oder im Wesentlichen unverändert sein, nachdem der Wafer-Haltering angebracht und wieder abgenommen wurde.
  • Es sollte sich auch verstehen, dass der Begriff „Ring“ oder „Ringstruktur“, wie hierin verwendet, sowohl eine(n) kreisförmige(n) (oder im Wesentlichen kreisförmigen) Ring oder Ringstruktur (z. B. einen Ringraum) als auch eine(n) nicht-kreisförmige(n) (z. B. polygonalen oder unregelmäßig geformten) Ring oder Ringstruktur einschließen kann.
  • Im Folgenden wird die Integration des hierin beschriebenen neuen Bearbeitungskonzepts in existierende Fertigungsschemata zum Beispiel im Kontext eines Bipolartransistors mit isolierter Gate-Elektrode (insulated gate bipolar transistor, IGBT) veranschaulicht. Wie leicht zu verstehen ist, kann das neue Bearbeitungskonzept auch leicht auf andere Fertigungsschemata, wie zum Beispiel MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor)-Fertigungsverfahren, Kompensationsbauelement-Fertigungsverfahren, Diodenbauelement-Fertigungsverfahren oder jegliche anderen Bauelemente angewandt werden. Allgemein kann das neue Bearbeitungskonzept in jedwedem bereits existierenden oder zukünftigen Fertigungsschema, das einen Wafer-Haltering verwenden kann, angewandt werden. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Bearbeitungsschema für die Fertigung eines Halbleiterbauelements (z. B. eines IGBT) eines oder oder mehrere der Folgenden einschließen: Vorsehen eines Wafers (z. B. Siliziumwafers), der an einem Träger angebracht werden kann (z. B. ein Träger-Wafer, z. B. ein Glasträger); Definieren eines Schritts bzw. einer Stufe einer Ringstruktur in dem Wafer; anschließend Bilden von einer oder mehreren Vertiefungen in der Ringstruktur (z. B. mittels mechanischer Behandlung) und Bilden einer Vertiefung bzw. Rille in der Ringstruktur z. B. mittels Fräsen; anschließend Ausdünnen der Rückseite des Wafers (inklusive z. B. „Taiko“-Schleifen und Substrat-Ätzen); anschließend Durchführen von einem oder mehreren Rückseiten-Bearbeitungsschritten eines Standardverfahrens, z. B. einschließlich mindestens einem aus Reinigen, Abscheidung (z. B. elektrochemische Abscheidung, z. B. physikalische Abscheidung), Ätzen (chemisches Trocken- und/oder Nassätzen), Rückseiten-Lithographie, Implantation, Glühen bzw. Tempern (z. B. Niedrigtemperatur-Tempern (LTA)) oder dergleichen; anschließend Anbringen eines Wafer-Halterings an dem Wafer vor dem Demontieren des Wafers von dem Träger; anschließend Demontieren des Wafers von dem Träger; anschließend Durchführen von mindestens einem aus vorderseitigem Tempern und rückseitiger Metallisierung (inklusive z. B. H2-Reinigen), anschließend Testen des Wafers; Abnehmen des Wafer-Halterings von dem Wafer durch eine Drehbewegung vor dem Laminieren des Wafers auf einen Sägerahmen; anschließend Laminieren des Wafers und Durchführen einer weiteren Bearbeitung in einer Vormontage.

Claims (16)

  1. Waferanordnung (200), aufweisend: einen Wafer (201); und einen Wafer-Haltering (202), wobei der Wafer (201) und der Wafer-Haltering (202) so konfiguriert sind, dass sie in loslösbarer Weise aneinander angebracht werden können, wobei der Wafer-Haltering (202) eine Vielzahl von krallenartigen Vorsprüngen aufweist, die umlaufend um den Wafer-Haltering (202) gebildet sind und winkelförmig voneinander beabstandet sind, und wobei der Wafer (201) eine Vielzahl von Eingriffsvorsprüngen aufweist, in welche die krallenartigen Vorsprünge eingreifen können, wobei die Eingriffsvorsprünge umlaufend um den Wafer (201) gebildet sind und winkelförmig voneinander beabstandet sind.
  2. Waferanordnung (200) gemäß Anspruch 1, wobei der Wafer (201) und der Wafer-Haltering (202) so konfiguriert sind, dass der Wafer-Haltering (202) von dem Wafer (201) abgenommen werden kann, ohne den Wafer (201) oder den Wafer-Haltering (202) zu beschädigen.
  3. Waferanordnung (200) gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei der Wafer (201) und der Wafer-Haltering (202) konfiguriert sind, um in reversibler Weise mechanisch aneinander anbringbar zu sein.
  4. Waferanordnung (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Wafer (201) und der Wafer-Haltering (202) konfiguriert sind, um in umkehrbarer Weise mechanisch aneinander anbringbar zu sein, indem der Wafer (201) und der Wafer-Haltering (202) miteinander in mechanischen Kontakt gebracht werden und dann mindestens einer aus dem Wafer (201) und dem Wafer-Haltering (202) in Bezug zueinander um eine Achse gedreht wird, die senkrecht zu einer Hauptbearbeitungsfläche des Wafers (201) verläuft.
  5. Waferanordnung (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der Wafer-Haltering (202) ein erstes Material aufweist und der Wafer (201) ein zweites Material aufweist, wobei das erste Material und das zweite Material zumindest im Wesentlichen den gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten haben.
  6. Waferanordnung (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der Wafer-Haltering (202) mindestens ein Material aufweist, das aus einer Gruppe von Materialien gewählt wird, wobei die Gruppe aus Folgenden besteht: Alkali-freiem Glas, Borsilikatglas, Molybdän, Silizium oder einer Kombination von zwei oder mehr der vorgenannten Materialien.
  7. Waferanordnung (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der Wafer (201) und der Wafer-Haltering (202) dasselbe Material aufweisen.
  8. Waferanordnung (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei der Wafer-Haltering (202) eine Dicke im Bereich von 100 µm bis 2000 µm hat.
  9. Waferanordnung (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei der Wafer (201) eine vorspringende Struktur in einem Randbereich des Wafers (201) aufweist, wobei optional die vorspringende Struktur eine Ringstruktur ist, die zumindest teilweise einen Innenbereich des Wafers (201) umgibt.
  10. Waferanordnung (200) gemäß Anspruch 9, wobei die vorspringende Struktur eine Höhe von weniger als oder gleich einer Anfangsdicke des Wafers (201) hat.
  11. Waferanordnung (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die krallenartigen Vorsprünge konfiguriert sind, um in die Eingriffsvorsprünge in einer Weise einzugreifen, dass die krallenartigen Vorsprünge und die Eingriffsvorsprünge sich radial überlappen.
  12. Waferanordnung (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei die krallenartigen Vorsprünge radial nach innen vorspringen und die Eingriffsvorsprünge radial nach außen vorspringen, oder umgekehrt.
  13. Waferanordnung (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei der Wafer (201) eine vorspringende Struktur in einem Randbereich des Wafers (201) aufweist, wobei die vorspringende Struktur die Eingriffsvorsprünge aufweist.
  14. Waferanordnung (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei der Wafer-Haltering (202) und der Wafer (201) konfiguriert sind, um durch Magnetkraft aneinander zu haften.
  15. Waferanordnung (200), aufweisend: einen Wafer (201), umfassend eine Ringstruktur, die in einem Randbereich des Wafers (201) vorgesehen ist und zumindest teilweise einen Innenbereich des Wafers (201) umgibt, wobei die Ringstruktur eine Vielzahl von Eingriffsvorsprüngen aufweist, die umlaufend um die Ringstruktur und winkelförmig voneinander beabstandet angeordnet sind; und einen Wafer-Haltering (202), umfassend eine Vielzahl von krallenartigen Vorsprüngen, die umlaufend um den Wafer-Haltering (202) und winkelförmig voneinander beabstandet angeordnet sind, wobei die krallenartigen Vorsprünge konfiguriert sind, um in die Eingriffsvorsprünge einzugreifen, um den Wafer-Haltering (202) an dem Wafer (201) anzubringen.
  16. Waferanordnung (200) gemäß Anspruch 15, wobei der Wafer (201) Silizium aufweist und der Wafer-Haltering (202) mindestens eines aus Alkali-freiem Glas, Borsilikatglas, Molybdän, Silizium oder einer Kombination von zwei oder mehr der vorgenannten Materialien aufweist.
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