JP2011069661A - 半導体薄膜の結晶性評価方法及び結晶性評価装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、半導体薄膜12にキャリアを励起させるための励起光を照射すると共にこの励起光が照射された範囲を含む半導体薄膜12の範囲にマイクロ波を照射して半導体薄膜12からのマイクロ波の反射波の強度を測定し、データ収集用半導体薄膜の膜厚とこのデータ収集用半導体薄膜に前記マイクロ波を照射したときの反射波の強度の値との関係を収集し、この収集した膜厚と反射波の強度の値との関係と、半導体薄膜12から得られた励起光及びマイクロ波が照射された範囲の膜厚の値R3aとに基づいて前記得られた測定値R2を補正し、この補正された測定値R2aに基づいて半導体薄膜12の結晶性を評価することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
15 励起光照射手段
20 マイクロ波照射手段
30 マイクロ波測定手段
40 測定光照射手段
45 測定光測定手段
51 膜厚導出部(膜厚導出手段)
52 補正部(補正手段)
53b 第1記憶部(第1の記憶手段)
54 評価部(評価手段)
60 出力手段
Claims (9)
- 基材上に成膜された半導体薄膜の結晶性を評価する方法であって、
前記半導体薄膜にキャリアを励起させるための励起光を照射すると共に、この励起光が照射された範囲を含む前記半導体薄膜の範囲にマイクロ波を照射する第1の照射工程と、
前記半導体薄膜からの前記マイクロ波の反射波の強度を測定する第1の測定工程と、
データ収集用半導体薄膜の膜厚とこのデータ収集用半導体薄膜に前記マイクロ波を照射したときの反射波の強度の値との関係を収集するデータ収集工程と、
前記第1の照射工程で励起光及びマイクロ波が照射される前記半導体薄膜の範囲に、少なくとも前記励起光が照射されていないときに測定光を照射する第2の照射工程と、
前記第2の照射工程で照射された測定光の前記半導体薄膜からの反射光を測定する第2の測定工程と、
前記第2の測定工程で測定された反射光の強度の測定値に基づいて前記励起光及び前記マイクロ波が照射される範囲の半導体薄膜の膜厚を導出する導出工程と、
前記データ収集工程で収集された膜厚と反射波の強度との関係と、前記導出工程で導出された膜厚の値とに基づいて前記第1の測定工程で得られた測定値を補正する補正工程と、
この補正工程で補正された測定値に基づいて前記半導体薄膜の結晶性を評価する評価工程とを備えることを特徴とする半導体薄膜の結晶性評価方法。 - 請求項1に記載の半導体薄膜の結晶性評価方法において、
前記データ収集工程が前記第1の照射工程及び前記第2の照射工程よりも前に行われることを特徴とする半導体薄膜の結晶性評価方法。 - 請求項1又は2に記載の半導体薄膜の結晶性評価方法において、
前記第1の照射工程では、前記励起光の照射範囲と前記励起光の照射範囲外とにそれぞれ前記マイクロ波を照射し、
前記第1の測定工程は、前記照射範囲からの反射波から前記照射範囲外からの反射波を差し引いた差動信号を導出する差動信号導出工程と、この差動信号導出工程で導出された差動信号の強度を測定する差動信号測定工程とを有することを特徴とする半導体薄膜の結晶性評価方法。 - 基材上に成膜された半導体薄膜の結晶性を評価するための装置であって、
前記半導体薄膜にキャリアを励起させるための励起光を照射する励起光照射手段と、
前記励起光が照射された範囲を含む前記半導体薄膜の範囲にマイクロ波を照射するマイクロ波照射手段と、
前記半導体薄膜からの前記マイクロ波の反射波の強度を測定するマイクロ波測定手段と、
前記励起光及び前記マイクロ波が照射される前記半導体薄膜の範囲に少なくとも前記励起光が照射されていないときに測定光を照射する測定光照射手段と、
前記半導体薄膜からの前記測定光の反射光を測定する測定光測定手段と、
この測定光測定手段で測定された測定値に基づいて前記測定光が照射された範囲の前記半導体薄膜の膜厚を導出する膜厚導出手段と、
予め収集されたデータ収集用半導体薄膜の膜厚とこのデータ収集用半導体薄膜に前記マイクロ波を照射したときの反射波の強度の値との関係を格納しておく第1の記憶手段と、
この第1の記憶手段に格納されている膜厚と反射波の強度の値との関係と、前記膜厚導出手段で導出された膜厚の値とに基づいて、前記マイクロ波測定手段で測定された測定値を補正する補正手段と、
前記補正手段で補正された測定値に基づいて前記半導体薄膜の結晶性を評価する評価手段と、
前記評価手段で評価された前記半導体薄膜の結晶性の評価を出力する出力手段とを備えることを特徴とする半導体薄膜の結晶性評価装置。 - 請求項4の半導体薄膜の結晶性評価装置において、
前記測定光照射手段は、単一波長の測定光を照射可能に構成され、
前記測定光測定手段は、前記半導体薄膜で反射するときに多重干渉した前記測定光の反射光の強度を測定するように構成されることを特徴とする半導体薄膜の結晶性評価装置。 - 請求項4又は5に記載の半導体薄膜の結晶性評価装置において、
前記励起光照射手段は、前記励起光を放射する励起光放射部と、この励起光放射部から放射される励起光を所定の周期で強度変調する変調部とを有し、
前記マイクロ波測定手段は、前記半導体薄膜からの前記マイクロ波の反射波から前記変調部での励起光の強度変調に同期した周期成分を抽出する第1の抽出部と、この第1の抽出部で抽出された周期信号の強度を測定する周期信号測定部とを有することを特徴とする半導体薄膜の結晶性評価装置。 - 請求項4又は5に記載の半導体薄膜の結晶性評価装置において、
前記マイクロ波照射手段は、前記半導体薄膜のうち、前記励起光の照射範囲と前記励起光の照射範囲外とにそれぞれ前記マイクロ波を照射するように構成され、
前記マイクロ波測定手段は、前記照射範囲からのマイクロ波の反射波から前記照射範囲外からのマイクロ波の反射波を差し引いた差動信号を導出する差動信号導出部と、この差動信号導出部で導出された差動信号の強度を測定する差動信号測定部とを有することを特徴とする半導体薄膜の結晶性評価装置。 - 請求項7に記載の半導体薄膜の結晶性評価装置において、
前記励起光照射手段は、前記励起光を放射する励起光放射部と、この励起光放射部から放射される励起光を所定の周期で強度変調する変調部とを有し、
前記マイクロ波測定手段は、前記差動信号導出部で導出された差動信号から前記変調部での励起光の強度変調に同期した周期成分を抽出する第2の抽出部をさらに有し、
前記差動信号測定部は、前記第2の抽出部で前記差動信号から抽出された周期信号の強度を測定することを特徴とする半導体薄膜の結晶性評価装置。 - 請求項4乃至8のいずれか1項に記載の半導体薄膜の結晶性評価装置において、
前記半導体薄膜が成膜された基材が配置されるステージと、
前記励起光と前記マイクロ波とで前記半導体薄膜を走査可能に前記励起光照射手段及び前記マイクロ波照射手段と前記ステージとを相対移動させる第1の駆動手段と、
前記測定光で前記半導体薄膜を走査可能に前記測定光照射手段と前記ステージとを相対移動させる第2の駆動手段と、
前記半導体薄膜の各位置における前記マイクロ波測定手段で測定された測定値とこの測定値を導出するために前記励起光及び前記マイクロ波が照射された前記半導体薄膜上の位置情報とを関連付けてそれぞれ格納する第2の記憶手段と、
前記半導体薄膜の各位置における前記膜厚導出手段で導出された膜厚の値とこの膜厚を導出するために前記測定光が照射された前記半導体薄膜上の位置情報とを関連付けてそれぞれ格納する第3の記憶手段とを備え、
前記補正手段は、前記第2の記憶手段に格納された前記半導体薄膜の各位置での前記マイクロ波測定手段での測定値を、前記第3の記憶手段に格納された前記マイクロ波測定手段での測定値が測定された位置の膜厚の値と、前記第1の記憶手段に格納されている前記膜厚と反射波の強度の値との関係とに基づいてそれぞれ補正するように構成されることを特徴とする半導体薄膜の結晶性評価装置。
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