TWI712462B - 保護膜被覆裝置及保護膜被覆方法 - Google Patents

保護膜被覆裝置及保護膜被覆方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI712462B
TWI712462B TW106115664A TW106115664A TWI712462B TW I712462 B TWI712462 B TW I712462B TW 106115664 A TW106115664 A TW 106115664A TW 106115664 A TW106115664 A TW 106115664A TW I712462 B TWI712462 B TW I712462B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
protective film
wafer
coating
thickness
predetermined range
Prior art date
Application number
TW106115664A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201808507A (zh
Inventor
梁仙一
中野鉄馬
大浦幸伸
吉川敏行
Original Assignee
日商迪思科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商迪思科股份有限公司 filed Critical 日商迪思科股份有限公司
Publication of TW201808507A publication Critical patent/TW201808507A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI712462B publication Critical patent/TWI712462B/zh

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/18—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using absorbing layers on the workpiece, e.g. for marking or protecting purposes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B3/00—Spraying or sprinkling apparatus with moving outlet elements or moving deflecting elements
    • B05B3/02—Spraying or sprinkling apparatus with moving outlet elements or moving deflecting elements with rotating elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/002—Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
    • B05D1/005—Spin coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/0869—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B23K26/402—Removing material taking account of the properties of the material involved involving non-metallic material, e.g. isolators
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K37/00—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups
    • B23K37/02—Carriages for supporting the welding or cutting element
    • B23K37/0211—Carriages for supporting the welding or cutting element travelling on a guide member, e.g. rail, track
    • B23K37/0235—Carriages for supporting the welding or cutting element travelling on a guide member, e.g. rail, track the guide member forming part of a portal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02334—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment in-situ cleaning after layer formation, e.g. removing process residues
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本發明的課題是在於提供一種可不依被加工物的狀態來適當地形成保護膜之保護膜被覆裝置及保護膜被覆方法。

其解決手段為一種保護膜被覆裝置包含：保護膜形成兼洗淨部(50)，其係在晶圓(W)的表面被覆保護膜，且洗淨該保護膜；被覆狀態檢測部(70)，其係檢測出在晶圓(W)的表面所被覆的保護膜的被覆狀態；及控制部(90)，其係控制該等。

控制部(90)是根據來自被覆狀態檢測部(70)的檢測訊號，判定保護膜的膜厚是否處於預定範圍內，當判定成膜厚不在預定範圍時，作動保護膜形成兼洗淨部(50)，洗淨晶圓(W)的表面所被覆的保護膜，在表面實施按照膜厚而選擇的前處理之後，再度作動保護膜形成兼洗淨部(50)，在晶圓(W)的表面被覆保護膜。

Description

保護膜被覆裝置及保護膜被覆方法
本發明是有關在被加工物的表面形成保護膜之保護膜被覆裝置及保護膜被覆方法。
以往，在裝置的製造製程中，是在晶圓(被加工物)的表面(加工面)藉由被配列成格子狀的複數的射道來區劃複數的晶片領域，在該等的晶片領域形成IC、LSI等的裝置。形成有該等裝置的晶圓之朝晶片的分割是利用雷射加工，沿著晶圓的射道來照射雷射光線而切削。在此種的雷射加工中，在被照射雷射光線時，被稱為碎片的微細的粉塵會產生．飛散而堆積於裝置的表面。因此，在晶圓的表面預先形成保護膜之後實施雷射加工，將附著於保護膜上的碎片與保護膜一起洗淨而除去的技術被提案(例如，參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2006-140311號公報
然而、在沿著射道來形成有複數的裝置之晶圓的表面形成保護膜時，難以依包含裝置形狀等之晶圓的表面狀態來適當地形成保護膜。
本發明是有鑑於上述而研發者，以提供一種可不依被加工物的加工面的狀態來適當地形成保護膜之保護膜被覆裝置及保護膜被覆方法為目的。
若根據本發明的一形態，則可提供一種保護膜被覆裝置，其特徵係具備：保護膜被覆手段，其係於被加工物的加工面被覆保護膜；洗淨手段，其係洗淨被覆於加工面的保護膜；檢測手段，其係檢測出藉由保護膜被覆手段來被覆於被加工物的加工面之保護膜的被覆狀態；及控制手段，其係控制保護膜被覆手段、洗淨手段及檢測手段，控制手段，係根據來自檢測手段的檢測訊號，判定被覆於被加工物的加工面之保護膜的膜厚是否處於預定範圍內，當判定成膜厚不在預定範圍時，作動洗淨手段來洗淨 被覆於被加工物的加工面的保護膜，在加工面實施按照相對於預定範圍之膜厚的大小而選擇的前處理之後，再度作動保護膜被覆手段，在被加工物的加工面被覆保護膜。
若根據此構成，則由於可依對被加工物之保護膜的被覆狀態來選定最適的前處理，因此可按照被加工物的加工面的狀態來適當地形成保護膜。在此構成中，所謂膜厚是表示保護膜的被覆狀態的值，包含對被加工物的加工面之保護膜的被覆率。
又，預定的前處理是亦可設為朝加工面照射紫外線或供給水的構成。又，保護膜是藉由水溶性的液狀樹脂所構成，洗淨手段是亦可使用水作為洗淨液。
若根據本發明的一形態，則可提供一種保護膜被覆方法，係於被加工物的表面被覆包含樹脂的保護膜之方法，其特徵係具備：保持被加工物的背面而使被加工物的表面露出之工程；在被露出的被加工物的表面被覆保護膜之工程；及判定保護膜在表面是否被覆於預定範圍之工程，當被判定成被覆的保護膜的膜厚不在預定範圍時，將被覆的保護膜洗淨除去之後，在被加工面實施按照相對於預定範圍之膜厚的大小而選擇的前處理之後，再度被覆保護膜。
若根據本發明，則可依對被加工物之保護膜的被覆狀態來選定最適的前處理，因此可按照被加工物的加工面的狀態來適當地形成保護膜。
1‧‧‧雷射加工裝置(保護膜被覆裝置)
50‧‧‧保護膜形成兼洗淨部(保護膜被覆手段、洗淨手段)
51‧‧‧旋轉器台
60‧‧‧紫外線照射部
70‧‧‧被覆狀態檢測部(檢測手段)
90‧‧‧控制部(控制手段)
100‧‧‧加工系統(保護膜被覆裝置)
101‧‧‧保護膜形成裝置(保護膜被覆手段)
102‧‧‧保護膜洗淨裝置(洗淨手段)
103‧‧‧保護膜計測裝置(檢測手段)
104‧‧‧前處理裝置
105‧‧‧加工裝置
106‧‧‧介面(控制手段)
R‧‧‧被覆率(表示被覆狀態的值)
W‧‧‧晶圓
t‧‧‧膜厚(表示被覆狀態的值)
圖1是本實施形態的雷射加工裝置的加工對象之晶圓的立體圖。
圖2是表示本實施形態的雷射加工裝置的構成例的圖。
圖3是表示保護膜形成兼洗淨部及紫外線照射部的構成例的立體圖。
圖4是表示被覆狀態檢測部的立體圖。
圖5是表示被覆狀態檢測部計測保護膜的厚度之狀態的說明圖。
圖6是表示保護膜被覆方法的程序的流程圖。
圖7是表示變形例的保護膜被覆方法的程序的流程圖。
圖8是別的實施形態的加工系統的機能構成圖。
圖9是表示別的實施形態的保護膜被覆方法的程序的流程圖。
根據用以實施本發明的形態(實施形態)，一面 參照圖面，一面詳細說明。並非依照以下的實施形態記載的內容來限定本發明。並且，在以下記載的構成要素中包含該等業者所容易假想者，實質上同一者。而且，以下記載的構成是可適當組合。並且，可在不脫離本發明的主旨的範圍進行構成的各種省略、置換或變更。
圖1是本實施形態的雷射加工裝置的加工對象之晶圓的立體圖。晶圓(被加工物)W是如圖1所示般，具有圓板狀的基板WS之半導體晶圓或光裝置晶圓。並且，晶圓W的基板WS是例如使用矽、藍寶石、鎵等來形成。晶圓W是如圖1所示般，在基板WS(晶圓W)的表面(加工面)，複數的射道(加工預定線)L會被形成格子狀，且在藉由複數的射道L來區劃的各領域中分別形成裝置D。
圖2是表示本實施形態的雷射加工裝置的構成例的圖。雷射加工裝置(保護膜被覆裝置)1是在晶圓W的表面(加工面)形成水溶性的保護膜，且沿著晶圓W的射道L來照射雷射光線而形成雷射加工溝(所謂雷射加工)。而且，在雷射加工後，從晶圓W的表面除去保護膜。
雷射加工裝置1是如圖2所示般，具備吸盤台10及雷射光線照射部20。
雷射加工裝置1具備：卡匣昇降機(未圖示)，其係載置有收容雷射加工前後的晶圓W之卡匣30；及暫置部40，其係暫時性地載置雷射加工前後的晶圓 W。
又，雷射加工裝置1具備保護膜形成兼洗淨部50，其係於雷射加工前的晶圓W形成保護膜，且從雷射加工後的晶圓W除去保護膜。
又，雷射加工裝置1具備：紫外線照射部60，其係對雷射加工前的晶圓W照射紫外線；及被覆狀態檢測部(檢測手段)70，其係檢測出被形成於晶圓W的表面之保護膜的被覆狀態。
雷射加工裝置1具備：未圖示的X軸移動手段，其係使吸盤台10及雷射光線照射部20相對移動於X軸方向；未圖示的Y軸移動手段，其係使吸盤台10及雷射光線照射部20相對移動於Y軸方向；及未圖示的Z軸移動手段，其係使吸盤台10及雷射光線照射部20相對移動於Z軸方向。
而且，雷射加工裝置1具備控制部(控制手段)90，其係於裝置本體2內控制雷射加工裝置1的各部的動作。
吸盤台10是在對形成有保護膜的晶圓W實施雷射加工時保持該晶圓W。吸盤台10是構成表面的部分為由多孔陶瓷等所形成的圓盤形狀，經由未圖示的真空吸引路徑來與未圖示的真空吸引源連接，藉由吸引被載置於表面的晶圓W的背面來保持該晶圓W。吸盤台10是藉由X軸移動手段，遍及卡匣30附近的搬出入領域TR及雷射 光線照射部20附近的加工領域PR，設成移動自如於X軸方向，且藉由Y軸移動手段，設成移動自如於Y軸方向。
雷射光線照射部20是作為加工手段機能，被設在裝置本體2所設的加工領域PR，且對被保持於吸盤台10的晶圓W的表面照射雷射光線，而形成雷射加工溝。雷射光線是對晶圓W具有吸收性的波長的雷射光線。雷射光線照射部20是對被保持於吸盤台10的晶圓W，藉由Z軸移動手段來移動自如地設於Z軸方向。雷射光線照射部20是具備：振盪雷射光線的振盪器21，及將藉由此振盪器21所振盪的雷射光線集光的集光器22。振盪器21是按照晶圓W的種類、加工形態等來適當調整振盪的雷射光線的頻率。振盪器21是例如可使用YAG雷射振盪器或YVO4雷射振盪器等。集光器22是構成包含變更藉由振盪器21所振盪的雷射光線的行進方向的全反射鏡或將雷射光線集光的集光透鏡等。
卡匣30是收容複數片經由黏著帶T來貼著於環狀框F的晶圓W者。卡匣昇降機是在雷射加工裝置1的裝置本體2中設成昇降自如於Z軸方向。
暫置部40是從卡匣30取出一片雷射加工前的晶圓W，且將雷射加工後的晶圓W收容於卡匣30內。
暫置部40是構成包含：搬出入手段41，其係從卡匣30取出雷射加工前的晶圓W，且將雷射加工後的晶圓W插入至卡匣30內；及 一對的軌42，其係暫時性地載置雷射加工前後的晶圓W。
保護膜形成兼洗淨部50是一對的軌42上的雷射加工前的晶圓W會藉由第1搬送手段81來搬送，在此雷射加工前的晶圓W形成保護膜者。又，保護膜形成兼洗淨部50是雷射加工後的晶圓W會藉由第2搬送手段82來搬送，從此雷射加工後的晶圓W除去保護膜者。如此，保護膜形成兼洗淨部50是一併具有保護膜被覆手段及洗淨手段的機能之構成，保護膜被覆手段是在晶圓W的表面形成(被覆)保護膜，洗淨手段是將形成於表面的保護膜洗淨。並且，第1及第2搬送手段81，82是分別構成可例如吸附晶圓W的表面而舉起，將晶圓W舉起而搬送至所望的位置。
圖3是表示保護膜形成兼洗淨部及紫外線照射部的構成例的立體圖。
保護膜形成兼洗淨部50是如圖3所示般，具備：旋轉器台51，其係保持雷射加工前後的晶圓W；電動馬達52，其係使此旋轉器台51繞著與Z軸方向(參照圖2)平行的軸心旋轉；及液體承接部53，其係被配置於旋轉器台51的周圍。
旋轉器台51是具備：被形成圓板狀，在表面(上面)的中央部由多孔陶瓷等所形成的吸附吸盤51a，此吸附吸盤51a會被連通至未圖示的吸引手段。藉此，旋轉器台51是藉由吸引被載置於吸附吸盤51a的晶圓W來保持該 晶圓W。
電動馬達52是在其驅動軸52a的上端連結旋轉器台51，旋轉自如地支撐此旋轉器台51。電動馬達52的旋轉數是藉由控制部90來控制。液體承接部53是具備：圓筒狀的外側壁53a及內側壁53b，以及連結該等外側壁53a與內側壁53b的底壁53c，且被形成環狀。液體承接部53是承接在晶圓W的表面形成保護膜時被供給至該表面的液狀樹脂或將表面的保護膜洗淨、除去時被供給至該表面的洗淨水(洗淨液)等的剩餘量者。在底壁53c是設有排液口53c1，此排液口53c1連接排液管53d。
又，保護膜形成兼洗淨部50是具備：樹脂液供給噴嘴55，其係對被保持於旋轉器台51上的晶圓W供給構成保護膜的水溶性的液狀樹脂；及洗淨水噴嘴57，其係對旋轉器台51上的雷射加工後的晶圓W供給洗淨水。
各噴嘴55，57分別構成移動自如於噴嘴開口位於旋轉器台51的中央上方的作動位置及自旋轉器台51離開的退避位置之樹脂液供給噴嘴55雖圖示省略，但實際被連接至液狀樹脂供給源，可將水溶性的液狀樹脂供給至晶圓W的表面。此液狀樹脂供給源是具備調整所供給的液狀樹脂的溫度之溫度調整部，可適當調整液狀樹脂的黏性。
液狀樹脂是可使用、PVA(聚乙烯醇)、PEG(聚乙二醇)或PVP(聚乙烯基吡咯烷酮)、聚氧化乙烯、聚乙烯亞胺、羧甲基纖維素、羥乙基纖維素等的水溶性的樹脂 材。該等液狀樹脂是可使用黏度為20~400(cp)者。並且，在液狀樹脂中含有幫助雷射光線的吸收之吸收材。此種的吸收劑是例如可將4,4’-二羧基二苯基甲酮、二苯基甲酮-4-羧酸、2-羧基蒽醌、1,2-萘二甲酸、1,8-萘二甲酸、2,3-萘二甲酸、2,6-萘二甲酸、2,7-萘二甲酸等及該等的碳酸鈉、氯化鉀、銨鹽、第4級銨鹽等、2,6-蒽醌二羧酸鈉、2,7-蒽醌二羧酸鈉、阿魏酸等溶解於液狀樹脂而使用，其中，對於雷射波長355nm的加工波長是阿魏酸為合適。
並且，亦可替代或加上阿魏酸等的有機化合物，在液狀樹脂中添加0.1~10體積%促進在紫外線波長域的加工之氧化物微粒子，而使分散於液狀樹脂內。此氧化物微粒子是例如可使用TiO2、ZnO、Fe2O3、CeO2、CuO、Cu2O、MgO、SiO2等。
該等的液狀樹脂是藉由乾燥來固化而於晶圓W的表面形成保護該表面的保護膜。洗淨水噴嘴57是被連接至省略圖示的洗淨水(例如純水)供給源，對形成有保護膜的晶圓W的表面供給洗淨水而除去保護膜。並且，洗淨水噴嘴57亦作為在液狀樹脂被供給之前，對晶圓W的表面供給純水而進行潤濕該表面的前處理，將保護膜的被覆狀態設為合適的純水供給部(前處理手段)機能。
紫外線照射部60是如圖3所示般，與保護膜形成兼洗淨部50的旋轉器台51對向而配置，朝此旋轉器台51上的晶圓W照射紫外線。紫外線照射部60是具 備：照射部本體60a，及支撐此照射部本體60a的支撐部60b。支撐部60b是例如在不與上述的第2搬送手段82干擾的範圍，將照射部本體60a移動自如地支撐至位於旋轉器台51的上方的作動位置、及自旋轉器台51離開的退避位置。
照射部本體60a是例如呈現周壁從圓形板的周緣延伸至下方的形狀，在內部設有紫外線燈61。照射部本體60a是被形成具有與液體承接部53的外徑大致相同的外徑之大小，配置於內部的紫外線燈61是被配置成使旋轉器台51全體能夠含在照射領域內。另外，亦可取代紫外線燈61而使用紫外線發光二極體。
紫外線燈61是例如發出185nm及254nm的2種類的波長的紫外線。紫外線燈61是與旋轉器台51上的晶圓W的表面對向而配置，進行使此晶圓W的表面的親水性提升的處理。一旦185nm的波長的紫外線被照射，則晶圓W的周圍的氧分子會被分解而產生臭氧(O3)。然後，若更照射254nm的波長的紫外線，則被產生的臭氧會被分解而產生高能量的活性氧。如此被產生的活性氧會作用於晶圓W的表面，藉此使晶圓W的表面的親水性提升。藉此，可將被形成於晶圓W的表面之保護膜的被覆狀態設為合適。因此，紫外線燈61是在液狀樹脂被供給之前，進行使晶圓W的表面的親水性提升的前處理，作為將保護膜的被覆狀態設為合適的前處理手段機能。
被覆狀態檢測部70是計測被形成於晶圓W的 表面之保護膜的膜厚(表示被覆狀態的值)。圖4是表示被覆狀態檢測部的立體圖，圖5是表示被覆狀態檢測部計測保護膜的厚度之狀態的說明圖。被覆狀態檢測部70是具備被形成U字狀的框體71，此框體71會被配設於裝置本體2的支撐部72(圖2)所支撐。支撐部72是如圖2所示般，具備可移動調整於上下方向且設成可轉動調整的支撐桿701及一端被固定於該支撐桿701的支撐臂702，在支撐臂702的另一端安裝上述框體71。如此構成的支撐部72是被設在保護膜形成兼洗淨部50的旋轉器台51與吸盤台10之間，將框體71移動於旋轉器台51的上方位置的計測位置與從該計測位置退避的待機位置(圖2)之間。
框體71是如圖4及圖5所示般，發光部73與受光部74會對向而配設。發光部73是如圖5所示般具備發光元件731及投光透鏡732。發光元件731是例如發出波長為670nm的雷射光線。藉由發光元件731而發光的波長為670nm的雷射光線是如圖5所示般通過投光透鏡732，持預定的入射角α來照射至被保持於上述旋轉器台51上的晶圓W。
受光部74是如圖5所示般，具備光位置檢測元件741及受光透鏡742，從發光部73照射的雷射光線是被設在正反射於晶圓W的位置。如此構成的受光部74是將光位置檢測元件741所受光的受光訊號送至控制部90。並且，被覆狀態檢測部70是如圖4所示般，具備用以調整發光部73及受光部74的傾斜角度之角度調整鈕 73a及74a。藉由轉動此角度調整鈕73a及74a，可調整從發光部73照射的雷射光線的入射角α及受光部74的受光角度。
從發光元件731經由投光透鏡732來被照射至晶圓W的加工面(表面)所被覆的保護膜的上面之雷射光線是如1點虛線所示般反射，經由受光透鏡742來以光位置檢測元件741的A點受光。另一方面，透過保護膜後的雷射光線是在保護膜的下面反射，如2點虛線所示般經由受光透鏡742來以光位置檢測元件741的B點受光。如此，光位置檢測元件741所受光的光強度資料是分別被送至控制部90。然後，控制部90是根據藉由光位置檢測元件741所檢測出的A點與B點的間隔H來運算保護膜的膜厚t(t=H/2sinα)。另外，當考慮保護膜的折射率時，是只要將對應於折射率的係數導入至上述運算式即可。在本說明書中，所謂膜厚是表示保護膜的被覆狀態的值。控制部90是在晶圓W的保護膜上的複數的計測位置(觀測點)使被覆狀態檢測部70實行膜厚的計測，使該等計測位置與該計測位置的膜厚具有關聯性而記憶。控制部90是依據被賦予關聯性之計測位置與膜厚的資訊來算出保護膜的被覆率。
在本實施形態中，是說明有關對晶圓W的保護膜照射雷射光線，根據藉由光位置檢測元件741所檢測出的A點與B點的間隔H來運算(計測)保護膜的膜厚t之構成，作為計測被形成於晶圓W的表面之保護膜的膜厚 的被覆狀態檢測部70之一形態，但亦可使用其他的形態。
其他的形態之一例，雖圖示省略，但實際被覆狀態檢測部是具備：發光部，其係對形成於晶圓W的表面之保護膜照射具有與加工波長(例如355nm)不同的波長(例如365nm)之激發光(例如紫外線)；及受光部，其係接受藉由激發光的吸收所產生的保護膜的螢光發光(例如波長420~430nm)。
由於在保護膜中含有幫助雷射光的吸收之吸收材，因此藉由對保護膜照射激發光，吸收劑會發出螢光。控制部90是檢測出螢光強度(420~430nm的峰值強度或積分值)，且將此檢測出的資訊予以2值化處理。此情況，控制部90是參照顯示相對於保護膜的膜厚t的變化之光譜(光譜分布)的變化的圖來測定保護膜的膜厚t。
又，其他的形態之一例，雖圖示省略，但實際被覆狀態檢測部是具備：發光部，其係對被形成於晶圓W的表面之保護膜照射加工波長(例如355nm)的雷射光線；及受光部，其係接受此雷射光線在保護膜反射後的反射光。
受光部是將受光後的反射光的反射強度變換成電壓訊號而輸出至控制部90。控制部90是參照顯示相對於保護膜的膜厚t的變化之電壓訊號的變化的圖來測定保護膜的 膜厚t。
在該等被覆狀態檢測部的其他的形態中，控制部90是在預先被設定於晶圓W的保護膜上之複數的計測位置使被覆狀態檢測部實行膜厚的計測，使該等計測位置與該計測位置的膜厚具有關聯性而記憶，依據被賦予關聯性之計測位置與膜厚的資訊來算出保護膜的被覆率。
其次，說明有關在晶圓W的表面被覆保護膜的保護膜被覆方法。圖6是表示保護膜被覆方法的程序的流程圖。此程序是藉由控制部90來控制。首先，將未加工的晶圓W的背面保持於旋轉器台51。具體而言，利用搬出入手段41來從卡匣30取出一片被收容於雷射加工裝置1的卡匣30之雷射加工前的晶圓W，且將此晶圓W載置於一對的軌42上。被載置於此一對的軌42上的晶圓W是藉由第1搬送手段81來搬送至保護膜形成兼洗淨部50的旋轉器台51。旋轉器台51是藉由吸引被載置於吸附吸盤51a的晶圓W來保持該晶圓W的背面，因此晶圓W的表面會露出。
其次，對晶圓W的表面供給液狀樹脂而於該表面被覆保護膜(步驟S1)。具體而言，將樹脂液供給噴嘴55配置於晶圓W的上方，使旋轉器台51以預定的旋轉數(例如100rpm)來旋轉的狀態下，從樹脂液供給噴嘴55供給水溶性的液狀樹脂(例如PVA(聚乙烯醇))至晶圓W。此情況，樹脂液供給噴嘴55的供給口是位於旋轉器台51的旋轉軸上為理想。若根據此，則被供給的液狀樹脂是藉由 隨旋轉器台51的旋轉之離心力來從晶圓W的中心擴散至徑方向外側，因此可將晶圓W上的液狀樹脂調整成一樣的厚度(例如0.5~2μm)。藉由使此液狀樹脂乾燥，在晶圓W的表面形成保護膜。此保護膜的膜厚是可藉由液狀樹脂的供給量、旋轉器台51的旋轉數、旋轉時間或保護膜的乾燥方法等來調整。例如，藉由使旋轉器台51的旋轉數階段性地增減，可一面抑制塗佈不均，一面以少量的液狀樹脂來形成一樣厚度的保護膜。並且，作為保護膜的乾燥方法，除了經由旋轉器台51來使晶圓W旋轉之旋轉乾燥以外，還可舉對於晶圓W上的液狀樹脂，藉由氙閃光燈等的光照射來乾燥的方法。
其次，算出被形成於晶圓W的表面之保護膜的被覆率(步驟S2)。具體而言，將被覆狀態檢測部70的框體71配置於晶圓W的上方的計測位置。然後，控制部90使發光部73及受光部74作動，而根據受光部74所檢測出的受光資訊(檢測訊號)來計測保護膜的膜厚t(t=H/2sinα)。在本實施形態中，控制部90是藉由在晶圓W的保護膜上的複數的計測位置進行膜厚t的計測，由該等計測位置與膜厚t的資訊來算出保護膜的被覆率R。此被覆率R是表示對於晶圓W的加工面(表面)之保護膜的被覆面積的比例的值，例如由去除膜厚為0的領域(未被覆的領域)之保護膜的面積來算出被覆率R。另外，被使用於被覆率的算出之膜厚t是亦可利用藉由激發光的吸收所產生的保護膜的螢光或在保護膜反射的反射光的反射強 度來計測。並且，不須為了求取被覆率而算出正確的膜厚。由於來自保護膜的下方所形成的聚醯亞胺等的樹脂膜之螢光或雜訊會被檢測出，因此是否被覆的檢測，亦可在螢光強度設置預定的臨界值，當超過該臨界值的強度被檢測出時判斷成被覆，當比該臨界值更小的螢光強度被檢測出時判斷成未被覆。
其次，控制部90判定保護膜的被覆率R是否為預定範圍(步驟S3)。在本實施形態中，預定範圍為了實現作為雷射加工的保護膜的機能，而為充分的範圍。
在此判定中，當保護膜的被覆率R為預定範圍時(步驟S3；Yes)，控制部90是判斷成保護膜為被適當形成者而終了處理。另一方面，當保護膜的被覆率R不為預定範圍時(步驟S3；No)，控制部90是藉由洗淨來除去保護膜(步驟S4)。此情況，將洗淨水噴嘴57配置於晶圓W的上方，從洗淨水噴嘴57供給洗淨水至晶圓W。保護膜是使水溶性的液狀樹脂乾燥而形成，因此藉由朝此保護膜供給洗淨水，保護膜溶解於洗淨水而從晶圓W的表面除去。
其次，控制部90進行晶圓W的乾燥(步驟S5)。具體而言，例如以3000rpm的旋轉速度來使旋轉器台51旋轉15秒程度。此時，朝旋轉的晶圓W噴上乾燥空氣(air)為理想。
其次，控制部90是對於乾燥的晶圓W，選擇對應於在上述步驟S2所算出的保護膜的被覆率R之前處 理來實行(步驟S6)。此前處理是如表1所示般，依據保護膜的被覆率R的值來事前設定。
Figure 106115664-A0202-12-0018-1
在本實施形態中，控制部90是當被覆率R低於預定的臨界值(100%：以下，基於說明的方便起見，設為臨界值Q)時，選擇對應於保護膜的被覆率R之前處理。具體而言，當被覆率R為第1基準值α以上時，亦即R≧α時，什麼也不實行，將處理移至步驟S7，作為前處理。此第1基準值α是比上述臨界值Q更些微小的值，被設定成臨界值Q的95%。在形成保護膜時，因產生於保護膜的微小的缺陷或異物，估計被覆率R會降低。此情況，藉由再度重新形成保護膜，大多會改善，因此當被覆率R為第1基準值α以上時，原封不動將處理移至上述的步驟S7。或，亦可進行保護膜的洗淨(步驟S4)之後，經由乾燥(步驟S5)來移至上述的步驟S7。
又，當被覆率R為第2基準值β以上，比第 1基準值α更小時，亦即α>R≧β時，變更被膜時的旋轉器台51的旋轉數，作為前處理。第2基準值β是被設定成臨界值Q的90%。由於旋轉器台51的旋轉數影響保護膜的被覆率R，因此藉由變更此旋轉數，再度形成保護膜時，可提高被覆率R。此情況，藉由使旋轉器台51的旋轉數增減，可有效地調整被供給至晶圓W上的保護膜(液狀樹脂)的厚度。又，當被覆率R為第3基準值γ以上，比第2基準值β更小時，亦即β>R≧γ時，對晶圓W的表面進行純水供給，作為前處理。第3基準值γ是被設定成臨界值Q的50%。藉由對晶圓W的表面進行純水供給，晶圓W的表面的溼潤性會提升，因此再度形成保護膜時，液狀樹脂容易擴散，可提高被覆率R。又，當被覆率R比第3基準值γ更小時，亦即γ>R≧0時，對晶圓W的表面照射紫外線，作為前處理。一旦被照射紫外線，則晶圓W的表面的親水性會提升，因此再度形成保護膜時，液狀樹脂容易擴散，可提高被覆率R。上述的第1基準值α、第2基準值β、第3基準值γ是被設定成依此順序逐漸變小，該等基準值的值是可適當變更。
其次，控制部90是再度對晶圓W的表面供給液狀樹脂而於該表面被覆保護膜(步驟S7)。本構成是在步驟S6中，實行按照被覆率R而被選擇(選定)的前處理，因此與先前的步驟S1作比較，可提升保護膜的被覆率R。接著，控制部90是算出再度被形成於晶圓W的表面之保護膜的被覆率R(步驟S8)。此被覆率R的算出是與上 述步驟S2同樣根據保護膜的膜厚t實行。
其次，控制部90判定計測後的保護膜的被覆率R是否為預定範圍(步驟S9)。此步驟S9的判定是與上述的步驟S3同樣進行。在此判定中，當保護膜的被覆率R為預定範圍時(步驟S9；Yes)，控制部90進行在步驟S6所被選擇的前處理，藉此判斷成保護膜為被適當形成者而終了處理。然後，控制部90是對於之後被覆保護膜的晶圓W，在各晶圓W的表面進行在步驟S6所被選擇的前處理之後進行保護膜的被覆。
另一方面，當保護膜的被覆率R不為預定範圍時(步驟S9；No)，控制部90判斷成即使進行在步驟S6所選擇的前處理，保護膜的被覆率R也不適當，發出警報(步驟S10)。可根據此警報來變更形成保護膜時的被覆條件。此情況，例如變更旋轉器台51的旋轉數或旋轉時間，或調整被供給至晶圓W的液狀樹脂的供給量或溫度，或調整保護膜的乾燥方法或乾燥時間等，作為被覆條件。此情況，藉由使旋轉器台51的旋轉數增減，可有效地調整被供給至晶圓W上的保護膜(液狀樹脂)的厚度。例如，剛供給液狀樹脂之後是使旋轉器台51高速旋轉而將該液狀樹脂擴散於晶圓W上，之後降低旋轉器台51的旋轉數而謀求液狀樹脂的安靜化。然後再度使旋轉器台51高速旋轉，藉此可將保護膜(液狀樹脂)調整成一樣且所望的厚度。
形成有保護膜的晶圓W是被搬送至吸盤台10 上，從雷射光線照射部20的集光器22通過晶圓W的保護膜來朝預定的射道L照射雷射光線，藉此進行雷射加工。進行此雷射加工時，藉由對預定的射道L照射1次的雷射光線，可進行形成未到達至晶圓W的背面的加工溝之半切，或藉由對預定的射道L照射複數次的雷射光線，可進行形成幾乎到達至晶圓W的背面的加工溝之全切。並且，作為雷射加工，亦可進行：形成2條的膜剝離防止溝之後，在2條的膜剝離防止溝間的中央部形成成膜層及在基板形成預定深度的分割溝之加工(日本特開2006-196641號公報)。
如此，若根據本實施形態，則具有：保持晶圓W的背面而使該晶圓W的表面露出之工程，及在被露出的晶圓W的表面被覆保護膜之工程，以及判定保護膜在表面是否被覆於預定範圍之工程，當被判定被覆的保護膜的被覆率R不在預定範圍時，洗淨除去被覆的保護膜之後，在晶圓W的表面實施按照被覆率R而選擇的前處理之後，再度被覆保護膜，因此可依據保護膜的被覆狀態來選定最適的前處理，可按照晶圓W的狀態來適當地被覆保護膜。特別是在本實施形態中，利用從保護膜的膜厚算出的被覆率R，因此可容易且迅速地檢測出被形成於晶圓W的表面之保護膜全體的被覆狀態。
其次，說明有關保護膜被覆方法的變形例。在上述的保護膜被覆方法中，使用被覆率R作為表示保護膜的狀態的值，檢測出保護膜是否被覆於晶圓W上，但 在此變形例中，以保護膜被覆於晶圓W的全體(亦即被覆率100%)為前提，成為進行對應於保護膜的膜厚t的處理之構成。圖7是表示變形例的保護膜被覆方法的程序的流程圖。此程序是藉由控制部90來控制。
首先，對被保持於旋轉器台51的未加工的晶圓W的表面供給液狀樹脂而於該表面被覆保護膜(步驟S11)。具體而言，將樹脂液供給噴嘴55配置於晶圓W的上方，使旋轉器台51以預定的旋轉數(例如100rpm)旋轉的狀態下，從樹脂液供給噴嘴55供給水溶性的液狀樹脂(例如PVA(聚乙烯醇))至晶圓W。若根據此，則被供給的液狀樹脂是藉由隨旋轉器台51的旋轉之離心力，從晶圓W的中心擴散至徑方向外側，因此可將晶圓W上的液狀樹脂調整成一樣的厚度(例如0.5~2μm)。藉由使此液狀樹脂乾燥，在晶圓W的表面形成保護膜。
其次，計測被形成於晶圓W的表面之保護膜的膜厚(步驟S12)。具體而言，將被覆狀態檢測部70的框體71配置於晶圓W的上方的計測位置。然後，控制部90使發光部73及受光部74作動，根據受光部74所檢測出的受光資訊(檢測訊號)來計測保護膜的厚度t(t=H/2sinα)。控制部90是在晶圓W的保護膜上的複數的計測位置進行膜厚t的計測，使該等計測位置與膜厚t的資訊具有關聯性而記憶。另外，膜厚t是亦可利用藉由激發光的吸收所產生的保護膜的螢光或在保護膜反射的反射光的反射強度來計測。
其次，控制部90判定計測後的保護膜的膜厚t是否為預定範圍(步驟S13)。此情況，在複數的計測位置實行膜厚t的計測時，判定所有的計測位置的膜厚t是否全部為預定範圍。在此變形例中，為了實現作為雷射加工的保護膜的機能，而判定膜厚t是否為預定範圍的下限臨界值S1以上，上限臨界值S2以下。
在此判定中，當保護膜的膜厚t為預定範圍時(步驟S13；Yes)，控制部90判斷成保護膜為被適當形成者而終了處理。另一方面，保護膜的膜厚t不為預定範圍時(步驟S13；No)，控制部90是藉由洗淨來除去保護膜(步驟S14)。此情況，將洗淨水噴嘴57配置於晶圓W的上方，從洗淨水噴嘴57供給洗淨水至晶圓W。保護膜是使水溶性的液狀樹脂乾燥而形成，因此藉由朝此保護膜供給洗淨水，保護膜會溶解於洗淨水而從晶圓W的表面除去。
其次，控制部90進行晶圓W的乾燥(步驟S15)。具體而言，例如以3000rpm的旋轉速度來使旋轉器台51旋轉15秒程度。此時，朝旋轉的晶圓W噴上乾燥空氣(air)為理想。
其次，控制部90對於乾燥後的晶圓W，按照在上述步驟S12計測的膜厚t來修正保護膜的被覆條件(步驟S16)。本構成是按照膜厚t來變更旋轉器台51的旋轉數，作為被覆條件。具體而言，當膜厚t比預定範圍的下限臨界值S1更小(薄)時，使旋轉器台51的旋轉數減 低，當膜厚t比預定範圍的上限臨界值S2更大(厚)時，使旋轉器台51的旋轉數增大，藉此將膜厚t調整成預定範圍內的適當值。此情況，藉由使旋轉器台51的旋轉數例如階段性地增減，可有效地調整被供給至晶圓W上之保護膜(液狀樹脂)的厚度。例如，剛供給液狀樹脂之後是使旋轉器台51高速旋轉而將該液狀樹脂擴散於晶圓W上，之後降低旋轉器台51的旋轉數而謀求液狀樹脂的安靜化。然後，再度使旋轉器台51高速旋轉，藉此可將保護膜(液狀樹脂)調整成一樣且所望的厚度。
其次，控制部90是再度對晶圓W的表面供給液狀樹脂而於該表面被覆保護膜(步驟S17)。本構成是在步驟S16中，按照膜厚t來修正保護膜的被覆條件，因此與先前的步驟S11作比較，可將保護膜的膜厚t調整於預定範圍內。接著，控制部90是算出再度被形成於晶圓W的表面之保護膜的膜厚t(步驟S18)。此膜厚t的計測是與上述步驟S12同樣實行。
其次，控制部90判定計測後的保護膜的膜厚t是否為預定範圍(步驟S19)。此步驟S19的判定是與上述的步驟S13同樣進行。在此判定中，當保護膜的膜厚t為預定範圍時(步驟S19；Yes)，控制部90是以在步驟S16所被修正的被覆條件來進行被覆處理，藉此判斷成保護膜為被適當形成者而終了判斷。然後，控制部90在之後被覆保護膜時，對同種的各晶圓W的表面，以在步驟S16所被修正的被覆條件來進行保護膜的被覆。
另一方面，當保護膜的膜厚t不為預定範圍時(步驟S19；No)，控制部90判斷成即使以在步驟S16所被修正的被覆條件來進行被覆，保護膜的膜厚t也不為適當，發出警報(步驟S20)。根據此警報，可變更形成保護膜的被覆條件。此情況，保護膜的膜厚是除了旋轉器台51的旋轉數以外，亦可藉由液狀樹脂的供給量、液狀樹脂的溫度(黏度)、旋轉器台51的旋轉時間或保護膜的乾燥方法的1個或該等的組合來調整。因此，作為被覆條件，例如可藉由變更旋轉器台51的旋轉時間，或調整被供給至晶圓W的液狀樹脂的供給量或溫度，或調整保護膜的乾燥方法或乾燥時間等來將膜厚t調整成適當值。
形成有保護膜的晶圓W是被搬送至吸盤台10上，從雷射光線照射部20的集光器22通過晶圓W的保護膜來朝預定的射道L照射雷射光線，藉此進行雷射加工。進行此雷射加工時，藉由對預定的射道L照射1次的雷射光線，可進行形成未到達至晶圓W的背面的加工溝之半切，或藉由對預定的射道L照射複數次的雷射光線，可進行形成幾乎到達至晶圓W的背面的加工溝之全切。並且，作為雷射加工，亦可進行：形成2條的膜剝離防止溝之後，在2條的膜剝離防止溝間的中央部形成成膜層及在基板形成預定深度的分割溝之加工(日本特開2006-196641號公報)。
如此，若根據本變形例，則具有：保持晶圓W的背面而使該晶圓W的表面露出之工程，及在被露出 的晶圓W的表面被覆保護膜之工程，以及判定保護膜在表面是否被覆於預定範圍之工程，當判定被覆的保護膜的膜厚t不在預定範圍時，將被覆的保護膜洗淨除去後，以按照膜厚t來修正的被覆條件，再度被覆保護膜，因此可將保護膜的膜厚t調整成適當值，可按照晶圓W的狀態來適當地被覆保護膜。特別是藉由計測膜厚t，可部分地檢測出被形成於晶圓W的表面之保護膜的其中特定的領域，因此例如對於在裝置中形成有凸塊等的晶圓W的保護膜的被覆狀態的檢測有效。
其次，說明有關別的實施形態的加工系統。圖8是別的實施形態的加工系統的機能構成圖。上述的雷射加工裝置1是在裝置本體2中具備：雷射光線照射部20、保護膜形成兼洗淨部50、紫外線照射部60、被覆狀態檢測部70、控制部90等之構成。相對於此，加工系統(保護膜被覆裝置)100是如圖8所示般，具備：保護膜形成裝置101、保護膜洗淨裝置102、保護膜計測裝置103、前處理裝置104、加工裝置105及介面106，成為藉由介面106來連接分別獨立設置的各裝置。
保護膜形成裝置(保護膜被覆手段)101是在晶圓W的表面(加工面)形成保護膜者，具備形成上述保護膜形成兼洗淨部50的保護膜之構成。保護膜洗淨裝置(洗淨手段)102是洗淨、除去被形成於晶圓W的表面之保護膜者，具備洗淨上述保護膜形成兼洗淨部50的保護膜之構成。保護膜形成裝置101與保護膜洗淨裝置102是亦可獨 立設置，或將該等一體構成。
保護膜計測裝置(檢測手段)103是檢測出被形成於晶圓W的表面之保護膜的被覆狀態者，具備檢測出保護膜的膜厚、保護膜的被覆率的至少一方作為表示被覆狀態的值之構成。前處理裝置(前處理手段)104是按照在保護膜計測裝置103所檢測出的保護膜的膜厚、保護膜的被覆率來對晶圓W實行預定的前處理者。前處理手段是具備與上述紫外線照射部60同等的構成及對晶圓W的加工面供給純水的構成。有關對晶圓W的表面供給純水的構成是藉由與保護膜洗淨裝置102兼用，亦可省略。加工裝置105是對晶圓W的表面照射雷射光線而形成雷射加工溝者，具備與上述雷射光線照射部20同等的構成。又，除了照射雷射光線來加工的構成以外，亦可加上或取而代之，具備切割裝置，其係旋轉自如地支撐對晶圓W的表面實施切削加工的切削刀。
介面106是具有在該等各裝置間搬送晶圓W的機能，且作為聯繫各裝置間的動作之控制部的機能。晶圓W是經由介面106來搬送至某裝置，在該裝置實施預定的處理之後，再度經由介面106來搬送至別的裝置。
說明有關保護膜被覆方法的別的實施形態。在上述的實施形態中，求取保護膜的被覆率R或膜厚t，作為表示被形成於晶圓W的表面之保護膜的被覆狀態的值。然後，對於之後形成保護膜的晶圓W，進行按照表示被覆狀態的值來選擇的前處理。相對於此，此別的實施形 態是按照保護膜的被覆狀態，修正被實施於晶圓W的雷射加工的加工條件。圖9是表示別的實施形態的保護膜被覆方法的程序的流程圖。在此保護膜被覆方法中，作為表示保護膜的被覆狀態的值，是使用保護膜的膜厚t進行說明。並且，在此保護膜被覆方法中，以膜厚t不在預定範圍，但含在被設定成比此預定範圍更廣的範圍之預定的加工容許範圍中為前提。
首先，對被保持於旋轉器台51之未加工的晶圓W的表面供給液狀樹脂而於該表面被覆保護膜(步驟S21)。具體而言，將樹脂液供給噴嘴55配置於晶圓W的上方，使旋轉器台51以預定的旋轉數(例如100rpm)旋轉的狀態下，從樹脂液供給噴嘴55供給水溶性的液狀樹脂(例如PVA(聚乙烯醇))至晶圓W。若根據此，則被供給的液狀樹脂是藉由隨旋轉器台51的旋轉之離心力，從晶圓W的中心擴散至徑方向外側，因此可將晶圓W上的液狀樹脂調整成一樣的厚度(例如0.5~2μm)。藉由使此液狀樹脂乾燥，在晶圓W的表面形成保護膜。此保護膜的膜厚是可藉由液狀樹脂的供給量、旋轉器台51的旋轉數、旋轉時間或保護膜的乾燥方法等來調整。作為保護膜的乾燥方法，除了經由旋轉器台51來使晶圓W旋轉的旋轉乾燥以外，還可舉對於晶圓W上的液狀樹脂，藉由氙閃光燈等的光照射來乾燥的方法。
其次，計測被形成於晶圓W的表面之保護膜的膜厚(步驟S22)。具體而言，將被覆狀態檢測部70的框 體71配置於晶圓W的上方的計測位置。然後，控制部90是使發光部73及受光部74作動，而根據受光部74所檢測出的受光資訊(檢測訊號)來運算保護膜的厚度t(t=H/2sinα)。控制部90是在晶圓W的保護膜上的複數的計測位置進行膜厚t的計測，使該等計測位置與膜厚t的資訊具有關聯性而記憶。另外，膜厚t是亦可利用藉由激發光的吸收所產生的保護膜的螢光或在保護膜反射的反射光的反射強度來計測。
其次，控制部90判定計測後的保護膜的膜厚t是否為預定範圍(步驟S23)。此情況，在複數的計測位置實行膜厚t的計測時，判定所有的計測位置的膜厚t是否全部為預定範圍。此預定範圍是經由保護膜來對晶圓W進行雷射加工時為最適的膜厚t的範圍。在此判定中，當保護膜的膜厚t為預定範圍時(步驟S23；Yes)，控制部90判斷成保護膜為被適當形成者而終了處理。另一方面，當保護膜的膜厚t不為預定範圍時(步驟S23；No)，控制部90判定計測後的膜厚t是否含在預定的加工容許範圍(步驟S24)。此加工容許範圍是比上述的預定範圍更設定廣者，例如亦可將預定範圍的上限值及下限值分別設為些微(10%)超過的值的範圍。
在此判別中，當計測後的膜厚t不為預定的加工容許範圍時(步驟S24；No)，控制部90是洗淨此晶圓W的保護膜，且進行保護膜的再被覆(步驟S25)。有關此保護膜的洗淨及再被覆是與圖6所示的流程圖的步驟 S4、步驟S7同樣，因此在此是省略說明。
當計測後的膜厚t不為預定的加工容許範圍時(步驟S24；Yes)，控制部90是按照計測後的膜厚t來修正此晶圓W之後的保護膜的被覆條件(步驟S26)，加上按照計測後的膜厚t來修正對此晶圓W的雷射加工條件(步驟S27)。保護膜的被覆條件的修正及雷射加工條件的修正是亦可將順序相反進行，或將該等並行。
在修正保護膜的被覆條件時，控制部90是以膜厚t能夠接近預定條件的方式，例如進行變更旋轉器台51的旋轉數或旋轉時間，或調整被供給至晶圓W的液狀樹脂的供給量或溫度，或調整保護膜的乾燥方法或乾燥時間等。又，亦可變更旋轉器台51的旋轉及液狀樹脂的供給時機．順序，或藉由複數次重疊塗抹來形成保護膜。
另一方面，在修正雷射加工條件時，控制部90是例如可實行以下者。
(1)當膜厚t比預定範圍的上限值更大時，藉由對加工對象的射道L增加進行雷射加工的次數(通過數)，可形成預定深度的雷射加工溝。又，亦可與增加通過數一起，或取代增加通過數，來提高雷射光線的輸出。又，亦可使吸盤台10的進給速度減低。
(2)當膜厚t比預定範圍的下限值更小時，與(1)相反，藉由對加工對象的射道L減少進行雷射加工的次數(通過數)，可形成預定深度的雷射加工溝。又，亦可與減少通過數一起，或者取代減少通過數或加上減少通過 數，來降低雷射光線的輸出。又，亦可使吸盤台10的進給速度增加。又，當膜厚t為薄時，亦可對加工對象的射道L，形成2條的膜剝離防止溝之後，在2條的膜剝離防止溝間的中央部形成保護膜及在晶圓W形成預定深度的分割溝。
又，例如，在裝置的表面具備被稱為凸塊的電極的晶圓中，有僅此凸塊的高度部分，凸塊的頂點的膜厚t變薄的傾向。因此，設置凸塊的晶圓W是亦可在雷射加工後實施電漿蝕刻加工，進行除去在雷射加工時附著於凸塊的殘渣(例如SiO2)之處理。
以上，說明有關本發明之一實施形態，但上述實施形態是作為一例提示者，非意圖限定發明的範圍。例如，在上述實施形態中說明紫外線照射部60是與保護膜形成兼洗淨部50的旋轉器台51對向而配置之構成，但例如亦可為在載置有收容晶圓W的卡匣30的卡匣昇降機設置紫外線照射部之構成。並且，在上述實施形態中，當保護膜的被膜率R或膜厚t不在預定範圍時，洗淨保護膜，再度被覆，但當保護膜的狀態不佳輕微時，亦可由計測位置與膜厚t的關係，在保護膜未被覆的位置部分地重新塗佈保護膜。
1‧‧‧雷射加工裝置(保護膜被覆裝置)
2‧‧‧裝置本體
10‧‧‧盤台
20‧‧‧雷射光線照射部
21‧‧‧振盪器
22‧‧‧集光器
30‧‧‧卡匣
40‧‧‧暫置部
41‧‧‧搬出入手段
42‧‧‧軌
50‧‧‧保護膜形成兼洗淨部(保護膜被覆手段、洗淨手段)
60‧‧‧紫外線照射部
70‧‧‧被覆狀態檢測部(檢測手段)
71‧‧‧框體
72‧‧‧支撐部
701‧‧‧支撐桿
702‧‧‧支撐臂
81‧‧‧第1搬送手段
82‧‧‧第2搬送手段
90‧‧‧控制部(控制手段)
F‧‧‧環狀框
PR‧‧‧加工領域
T‧‧‧黏著帶
TR‧‧‧搬出入領域
W‧‧‧晶圓

Claims (4)

  1. 一種保護膜被覆裝置，其特徵係具備：保護膜被覆手段，其係於被加工物的加工面被覆保護膜；洗淨手段，其係洗淨被覆於前述加工面的前述保護膜；檢測手段，其係檢測出藉由前述保護膜被覆手段來被覆於前述被加工物的加工面之前述保護膜的被覆狀態；及控制手段，其係控制前述保護膜被覆手段、前述洗淨手段及前述檢測手段，前述控制手段，係根據來自前述檢測手段的檢測訊號，判定被覆於前述被加工物的加工面之前述保護膜的膜厚是否處於預定範圍內，當判定成前述膜厚不在前述預定範圍時，作動前述洗淨手段來洗淨被覆於前述被加工物的加工面的前述保護膜，在前述加工面實施按照相對於前述預定範圍之前述膜厚的大小而選擇的前處理之後，再度作動前述保護膜被覆手段，在前述被加工物的前述加工面被覆前述保護膜。
  2. 如申請專利範圍第1項之保護膜被覆裝置，其中，前述預定的前處理，係朝前述加工面照射紫外線或供給水。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之保護膜被覆裝置，其中，前述保護膜係藉由水溶性的液狀樹脂所構成，前述洗淨手段係使用水作為洗淨液。
  4. 一種保護膜被覆方法，係於被加工物的表面被覆包含樹脂的保護膜之方法，其特徵係具備：保持前述被加工物的背面而使前述被加工物的表面露出之工程；在被露出的前述被加工物的表面被覆前述保護膜之工程；及判定前述保護膜的膜厚在前述表面是否被覆於為了實現作為雷射加工的保護膜的機能而充分的範圍之預定範圍之工程，當被判定成前述被覆的保護膜的膜厚不在前述預定範圍時，將被覆的前述保護膜洗淨除去之後，在前述表面實施按照相對於前述預定範圍之膜厚的大小而選擇的前處理之後，再度被覆前述保護膜。
TW106115664A 2016-06-24 2017-05-11 保護膜被覆裝置及保護膜被覆方法 TWI712462B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-125503 2016-06-24
JP2016125503A JP6688695B2 (ja) 2016-06-24 2016-06-24 保護膜被覆装置および保護膜被覆方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201808507A TW201808507A (zh) 2018-03-16
TWI712462B true TWI712462B (zh) 2020-12-11

Family

ID=60675810

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106115664A TWI712462B (zh) 2016-06-24 2017-05-11 保護膜被覆裝置及保護膜被覆方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10086474B2 (zh)
JP (1) JP6688695B2 (zh)
KR (1) KR102195666B1 (zh)
CN (1) CN107546151B (zh)
TW (1) TWI712462B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6688695B2 (ja) * 2016-06-24 2020-04-28 株式会社ディスコ 保護膜被覆装置および保護膜被覆方法
JP6887722B2 (ja) * 2016-10-25 2021-06-16 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法及び切削装置
JP7298851B2 (ja) * 2018-04-24 2023-06-27 ディスコ ハイテック ヨーロッパ ゲーエムベーハー アライメント装置及びアライメント方法
JP7286464B2 (ja) * 2019-08-02 2023-06-05 株式会社ディスコ レーザー加工装置
CN110449033A (zh) * 2019-08-27 2019-11-15 湖北中泉环保技术有限公司 超滤膜表面有机沉积物的清洗方法
JP7387227B2 (ja) * 2019-10-07 2023-11-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
CN111702569A (zh) * 2020-05-06 2020-09-25 德清勤龙磨床制造有限公司 一种封闭式桁架全自动锯片刀片磨床
JP2022178427A (ja) * 2021-05-20 2022-12-02 株式会社ディスコ 保護膜の厚み測定方法
US20230063446A1 (en) * 2021-08-31 2023-03-02 City University Of Hong Kong Etch-free ultrafast fabrication of self-rolled metallic nanosheets with controllable twisting
JP7250241B1 (ja) 2022-09-02 2023-04-03 一般社団法人日本パルスレーザー振興協会 レーザー処理用回収装置、レーザー処理システム、及び、レーザー処理方法
CN117861894B (zh) * 2024-03-13 2024-05-07 常州威斯敦粘合材料有限责任公司 锂电池电芯喷涂自动化检测设备及方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010267638A (ja) * 2009-05-12 2010-11-25 Disco Abrasive Syst Ltd 保護膜の被覆方法及びウエーハのレーザ加工方法
JP2011060833A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Disco Abrasive Syst Ltd 保護膜被覆方法および保護膜被覆装置
JP2017228723A (ja) * 2016-06-24 2017-12-28 株式会社ディスコ 保護膜被覆装置および保護膜被覆方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3646640B2 (ja) * 2000-09-25 2005-05-11 三菱住友シリコン株式会社 シリコンウェーハのエッジ部保護方法
JP2004335915A (ja) * 2003-05-12 2004-11-25 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
KR100596269B1 (ko) * 2004-06-08 2006-07-03 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 노광방법
JP4571850B2 (ja) 2004-11-12 2010-10-27 東京応化工業株式会社 レーザーダイシング用保護膜剤及び該保護膜剤を用いたウエーハの加工方法
JP2007084926A (ja) 2005-08-24 2007-04-05 Brother Ind Ltd 膜形成装置および膜形成方法
JP2008198820A (ja) 2007-02-14 2008-08-28 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
JP5065722B2 (ja) * 2007-03-23 2012-11-07 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2009123795A (ja) * 2007-11-13 2009-06-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP2009158763A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Disco Abrasive Syst Ltd 保護膜被覆装置
JP5133855B2 (ja) * 2008-11-25 2013-01-30 株式会社ディスコ 保護膜の被覆方法
JP2012004294A (ja) 2010-06-16 2012-01-05 Shibaura Mechatronics Corp 基板処理装置および基板処理方法
JP5681453B2 (ja) * 2010-11-08 2015-03-11 株式会社ディスコ 測定方法および測定装置
JP5439451B2 (ja) * 2011-09-26 2014-03-12 株式会社東芝 塗布装置及び塗布方法
JP2014217805A (ja) * 2013-05-08 2014-11-20 株式会社ディスコ 液状樹脂被覆装置
JP2015226004A (ja) 2014-05-29 2015-12-14 株式会社ディスコ 保護膜被覆方法
JP6393583B2 (ja) * 2014-10-30 2018-09-19 株式会社ディスコ 保護膜検出装置及び保護膜検出方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010267638A (ja) * 2009-05-12 2010-11-25 Disco Abrasive Syst Ltd 保護膜の被覆方法及びウエーハのレーザ加工方法
JP2011060833A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Disco Abrasive Syst Ltd 保護膜被覆方法および保護膜被覆装置
JP2017228723A (ja) * 2016-06-24 2017-12-28 株式会社ディスコ 保護膜被覆装置および保護膜被覆方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107546151B (zh) 2022-10-21
CN107546151A (zh) 2018-01-05
TW201808507A (zh) 2018-03-16
JP6688695B2 (ja) 2020-04-28
JP2017228723A (ja) 2017-12-28
KR102195666B1 (ko) 2020-12-28
US20170368636A1 (en) 2017-12-28
KR20180001457A (ko) 2018-01-04
US10086474B2 (en) 2018-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI712462B (zh) 保護膜被覆裝置及保護膜被覆方法
KR102345187B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
US9387554B2 (en) Laser processing apparatus
TWI606502B (zh) Wafer processing method
JP6624919B2 (ja) レーザー加工用保護膜検出方法
KR101844071B1 (ko) 측정 방법 및 측정 장치
KR101584821B1 (ko) 보호막 피복 방법 및 보호막 피복 장치
TWI758293B (zh) 螢光檢測裝置
KR101835888B1 (ko) 측정 방법 및 측정 장치
JP2019071333A (ja) ウエーハの加工方法
JP6563728B2 (ja) レーザー加工方法
JP2010267638A (ja) 保護膜の被覆方法及びウエーハのレーザ加工方法
JP2008006379A (ja) 保護被膜の被覆方法
JP5065722B2 (ja) レーザー加工装置
JP2015065386A (ja) 保護膜検出装置
CN110788499B (zh) 晶片的加工方法
JP6004933B2 (ja) レーザー加工装置
JP5787653B2 (ja) レーザ加工装置
JP5868118B2 (ja) レーザー加工装置
JP6475060B2 (ja) レーザー加工方法
JP6556034B2 (ja) 保護膜検出方法
JP2024102422A (ja) 保護膜形成装置、判定方法、及び保護膜形成方法
JP2022163268A (ja) 保護膜除去方法及び塗布洗浄装置
JP6529798B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2018182002A (ja) 被加工物の加工方法