TWI709627B

TWI709627B - 導電糊以及導電膜

Info

Publication number: TWI709627B
Application number: TW105131137A
Authority: TW
Inventors: 岡野卓; 野上德昭; 茂木謙雄
Original assignee: 日商同和電子科技有限公司
Priority date: 2015-09-30
Filing date: 2016-09-28
Publication date: 2020-11-11
Also published as: TW201730288A; KR20180059490A; CN108140443B; KR102117653B1; US20180308603A1; JP6318137B2; CN108140443A; JP2017069175A

Abstract

本發明的目的係提供一種導電糊，其係包含：含有銀粉與石墨粉的填料、聚合物以及溶劑，其中，該石墨粉的熱重量‧差示熱分析法之1%減量開始溫度係300℃以上且640℃以下。

Description

導電糊以及導電膜

本發明係關於導電糊以及導電膜。

一直以來，為了形成電子元件等的電極或電路、電磁波屏蔽膜、電磁波屏蔽材料等，使用將銀粉等金屬填料分散於樹脂中的導電糊。

近年來，伴隨著電子元件高密度化的快速進展，於量產時作業性的提升以及成本的降低逐漸變成重要的課題，且強烈地尋求著提升由該導電糊製作之導電膜的導電性。再者，為了將導電膜通電時所產生的熱排出，並同時尋求著提升導電膜的熱傳導性。

若為了得到如此之導電糊，而填充高濃度的銀粉等金屬填料，則黏度過高使塗佈作業性下降，且由於該金屬填料的沉降而產生導電糊不均勻化與導電膜增厚。同時，使黏度下降而添加的溶劑會在加熱時飛散並成為造成孔洞的原因，而有連接部熱傳導性的下降或電阻抗的上升等問題。

因此，為了解決上述課題，舉例來說，有人提出了一種導電糊，其係使用碳以外的導電微粉末(A)、碳粉(B)、黏合劑(C)及溶劑(D)作為主成分，其中，上述導電微粉末(A)與上述碳粉(B)的比例(A)/(B)係99.9/0.1~93/7(例如參照專利文獻1)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開平1-159905號公報

然而，於上述提案中，並無法獲得兼具優異導電性與熱傳導性之能夠形成導電膜的導電糊，吾人期望能儘速提供之。

本發明係以解決上述習知的多個問題來達成以下目的，以作為課題。意即，本發明之目的係提供一種兼具優異導電性與熱傳導性之能夠形成導電膜的導電糊以及導電膜。

就解決該課題之手段而言，如下所述。意即，

<1>一種導電糊，其係包含：含有銀粉與石墨粉的填料、聚合物以及溶劑，其中，該石墨粉的熱重量‧差示熱分析法之1%減量開始溫度係300℃以上且640℃以下。

<2>如<1>所述之導電糊，其中，該石墨粉的熱重量‧差示熱分析法之1%減量開始溫度係500℃以上且600℃以下。

<3>如<1>或<2>所述之導電糊，其中，該石墨粉係選自由石墨烯、球狀石墨及鱗片狀石墨所組成之群中至少任一者。

<4>如<1>至<3>任一者所述之導電糊，其中，相對於該填料的總量，該石墨粉的含量係0.1質量%以上且10質量%以下。

<5>如<1>至<4>任一者所述之導電糊，其中，該銀粉係片狀銀粉與球狀銀粉的混合物。

<6>如<1>至<5>任一者所述之導電糊，其中，該聚合物係環氧樹脂。

<7>一種導電膜，其係由前述<1>至<6>任一者的導電糊而成。

<8>如<7>所述之導電膜，其體積電阻率係100μΩ‧cm以下，且熱傳導率係10W/m‧K以上。

根據本發明，提供一種兼具優異導電性與熱傳導性之能夠形成導電膜的導電糊以及導電膜，並能夠解決上述習知的多個問題。

[圖1]圖1係顯示了實施例1所使用石墨粉No.1的熱重量‧差示熱分析法中TG(Thermogravimetric)與DTA(Differential Thermal Analysis)測定結果之圖。

[圖2]圖2係顯示了實施例2所使用石墨粉No.2的熱重量‧差示熱分析法中TG與DTA測定結果之圖。

[圖3]圖3係顯示了實施例3所使用石墨粉No.3的熱重量‧差示熱分析法中TG與DTA測定結果之圖。

[圖4]圖4係顯示了實施例4所使用石墨粉No.4的熱重量‧差示熱分析法中TG與DTA測定結果之圖。

[圖5]圖5係顯示了比較例2所使用石墨粉No.5的熱重量‧差示熱分析法中TG與DTA測定結果之圖。

[圖6]圖6係實施例1所使用銀粉No.1(片狀銀粉)的掃描式電子顯微鏡照片。

[圖7]圖7係實施例2所使用銀粉No.2(球狀銀粉)的掃描式電子顯微鏡照片。

(導電糊)

本發明的導電糊係含有填料、聚合物以及溶劑，且更因應必要，含有其他的成分。

<填料>

就該填料而言，包含銀粉與石墨粉。

相對於導電糊的總量，該填料的含量較佳係80質量%以上且95質量%以下。若該含量未滿80質量%，則由導電糊而成之導電膜的熱傳導性及導電性下降，若超過95質量%，則導電糊的塗佈作業性下降並變得無法得到適當的導電膜。

-石墨粉-

該石墨粉的熱重量‧差示熱分析法(TG-DTA法)之1%減量開始溫度係300℃以上且640℃以下，較佳係500℃以上且600℃以下。若該1%減量開始溫度超過640℃，則與銀的燒結性惡化，且對於熱以及電力傳達具有壞的影響。

若該1%減量開始溫度係300℃以上且640℃以下，則能得到兼具優異導電性與熱傳導性之能夠形成導電膜的導電糊。

此處，該1%減量開始溫度係可在氮氣環境下，以升溫速度10℃/分的條件使用熱重量‧差示熱分析法(TG-DTA法)來求得。具體而言，能夠使用Rigaku股份有限公司製的差示熱天秤TG8120，並將重量減少1%時的溫度作為1%減量開始溫度來求得。

就該石墨粉而言，只要是熱重量‧差示熱分析法(TG-DTA法)之1%減量開始溫度係300℃以上且640℃以下，雖然並未特別限制，能夠因應目的適當選擇，但較佳係選自由石墨烯、球狀石墨及鱗片狀石墨所組成之群中至少任一者，且從熱傳導率的觀點來看，更佳係石墨烯、球狀石墨。

該球狀石墨與該鱗片狀石墨中，該等碳原子係以共價鍵鍵結成六角形，且層與層之間透過凡得瓦力鍵結，熱傳導率較佳為300W/m‧K以上且1,500W/m‧K以下。

該石墨烯係厚度僅為1個碳原子的平面狀物質，並藉由碳原子sp²軌域鍵結而形成之蜂窩狀晶格來構成，且其係石墨系材料中所有其他形狀的基本構築單元。若將石墨烯包成圓形則成為富勒烯，若將石墨烯捲曲則成為奈米碳管，若將石墨烯堆積則成為石墨。該石墨烯的熱傳導率較佳為3,000W/m‧K以上。

就該石墨粉而言，能夠使用經過適當製造之物，亦可使用市售品。

就該石墨粉的市售品而言，舉例來說，例如石墨烯(GNH-X2，Graphene platform股份有限公司製)、球狀石墨(WF-15C，股份有限公司中越石墨工業所製)、鱗狀石墨(BF-15AK，股份有限公司中越石墨工業所製)等。

就該石墨粉的含量而言，相對於填料的總量，較佳係0.1質量%以上且10質量%以下，更佳係1質量%以上且5質量%以下。若該含量未滿0.1質量%，則無法發揮石墨粉的特性，且無法改善熱傳導率以及導電性。另一方面，若該含量超過10質量%，則因為導電糊中填料的分散性顯著地惡化且會得到非常難以形成導電膜之導電糊，故不適合用於本用途。

就該石墨粉的物性而言，雖然並未特別限制，能因應目的適當選擇，但較佳係選擇BET比表面積、累積50%粒徑在以下範圍的石墨粉。

--石墨粉的BET比表面積--

該石墨粉的BET比表面積較佳為0.1m²/g以上且5.0m²/g以下，更佳為0.3m²/g以上且2.0m²/g以下。

該石墨粉的BET比表面積係使用Macsorb HM-model 1210(MOUNTECH公司製)，並可藉由氮吸附的BET一點法來測定。再者，於該BET比表面積的測定中，測定前的排氣條件為60℃、10分鐘。

--石墨粉的累積50%粒徑(D₅₀)--

依據該石墨粉的體積基準之粒徑分佈中，累積50%粒徑(D₅₀)為0.1μm以上且30μm以下，較佳係1μm以上且25μm以下。

該石墨粉的累積50%粒徑能藉由濕式雷射繞射式的粒度分佈測定來進行。意即，濕式雷射繞射式的粒度分佈測定係將石墨粉0.1g添加於異丙醇40mL，並以管徑20mm的超音波均質機分散兩分鐘。接著，再使用雷射繞射散射式粒度分佈測定裝置(Microtrack‧Bell股份有限公司製，MICROTORAC MT3300EXII)來測定。將測定結果圖形化，求得與石墨粉的粒度分佈之頻率與累積值。然後，將累積50%的粒徑以D₅₀標記。

-銀粉-

就該銀粉而言，雖然並未特別限制，能因應目的適當選擇，舉例來說，例如片狀銀粉、樹枝狀銀粉、球狀銀粉或者該等的混合物等。此等當中，較佳係片狀銀粉與球狀銀粉的混合物。

就該銀粉而言，能夠使用經過適當製造之物，亦可使用市售品。

就該銀粉的製造方法而言，舉例來說，例如添加含有還原劑的水溶液至含有銀離子的水性反應體系中並使銀粒子還原析出的方法等。同時，亦可如披覆銀的銅粉般，能夠使用表面係銀但內部係銀以外的材料之銀粉。

就該銀粉的含量而言，相對於填料的總量，較佳係90質量%以上且99.9質量%以下，更佳係95質量%以上且99質量%以下。若該含量未滿90質量%，則因為碳量過多，導電糊中填料的分散性顯著地惡化並導致得到非常難以形成導電膜之導電糊，故不適合用於本用途。另一方面，若該含量超過99質量%，則無法發揮石墨粉的特性，且無法改善熱傳導率以及導電性。

就該銀粉的物性而言，雖然並未特別限制，能夠因應目的適當選擇，但較佳係選擇BET比表面積、累積50%粒徑及強熱下之減量在以下範圍的銀粉。

--銀粉的BET比表面積--

該銀粉的BET比表面積較佳為0.1m²/g以上且5.0m²/g以下，更佳為0.3m²/g以上且2.0m²/g以下。

該銀粉BET比表面積能夠使用與該石墨粉的BET比表面積相同的測定方法進行測定。

--銀粉的累積50%粒徑--

依據該銀粉在雷射繞射式粒度分佈測定法的體積基準之粒徑分佈中，累積50%粒徑(D₅₀)為0.05μm以上且6.0μm以下，較佳係0.1μm以上且4.0μm以下。

該銀粉的累積50%粒徑能夠使用與該石墨粉的累積50%粒徑相同的測定方法進行測定。

--銀粉強熱下之減量--

就該銀粉強熱下之減量而言，雖然並未特別限制，能因應目的適當選擇，但較佳為0.02質量%~1質量%。

該銀粉強熱下之減量係藉由將銀粉試料2g秤重(w1)並置入磁性坩堝，在800℃下強加熱30分鐘直到質量恆定後，經過冷卻再秤重(w2)，並由下式求得。

強熱下之減量(質量%)=〔(w1-w2)/w1〕x100

<聚合物>

就該聚合物而言，並未特別限制，能因應目的適當選擇，舉例來說，例如甲基纖維素、乙基纖維素等纖維素衍生物，丙烯酸樹脂、醇酸(Alkyd)樹脂、聚丙烯樹脂、聚胺基甲酸乙脂樹脂、松香樹脂，萜烯(Terpene)樹脂、酚樹脂，脂肪族石油樹脂、丙烯酸酯樹脂、二甲苯樹脂、薰草哢-茚(Coumarone-Indene)樹脂、苯乙烯樹脂、二環戊二烯樹脂、聚丁烯樹脂、聚醚樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、乙酸乙烯酯樹脂、聚異丁烯樹脂、烯烴系熱可塑性彈性體(TPO，Thermoplastic Olefin)及環氧樹脂等。此等當中，可單獨使用一種，也可併用二種以上。此等當中，就硬化性、密著性及泛用性之觀點而言，較佳係環氧樹脂。

就該環氧樹脂而言，能夠使用單環氧化合物、多環氧化合物中任一者或其等的混合物。就使用該環氧樹脂的情況下，較佳係併用該環氧樹脂的硬化劑。

就該聚合物的含量而言，並未特別限制，能因應目的適當選擇。

<溶劑>

就該溶劑而言，並未特別限制，能因應目的適當選擇，舉例來說，例如甲苯、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、十四烷、四氫化萘、丙醇、異丙醇、松油醇、二氫萜品醇(Dihydroterpineol)、二氫萜品醇乙酸酯、乙基卡必醇、丁基卡必醇、乙基卡必醇乙酸酯、丁基卡必醇乙酸酯、2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇單異丁酸(Isobutyrate)、乙酸二乙二醇單-n-乙醚等。此等當中，可單獨使用一種，也可併用二種以上。

就該溶劑的含量而言，並未特別限制，能因應目的適當選擇。

<其他成分>

就該其他成分而言，並未特別限制，能因應目的適當選擇，舉例來說，例如界面活性劑、分散劑、分散穩定劑、黏度調整劑、流平劑(leveling agent)、消泡劑等。

就該導電糊的製造方法而言，並未特別限制，能因應目的適當選擇，舉例來說，例如將該填料、該聚合物、該溶劑、及因應必要之其他的成分，藉由使用例如超音波分散、分散機、三滾筒研磨機、球磨機、珠磨機、二軸捏揉機、自公轉式攪拌機混合而製造。

舉例來說，本發明的導電糊藉由例如網板印刷、平板印刷、光學微影法等，能印刷於基板上。於該網板印刷的情況下，在25℃且圓錐(Cone spindle)轉速為1rpm時，導電糊的黏度較佳為10Pa‧s以上且800Pa‧s以下。若該導電糊的黏度低於10Pa‧s，則於印刷時會產生「滲出」；若超過800Pa‧s，則會產生「模糊」等的印刷污點。

該導電糊的黏度係能藉由該填料的含量、黏度調整劑的添加或溶劑的種類來調整。舉例來說，該導電糊的黏度係能藉由使用BROOKFIELD公司製的黏度計5XHBDV-IIIUC，在圓錐(Cone Spindle)：CP-52、糊的溫度：25℃下測定。

本發明的該導電糊係適用於太陽能電池用的矽晶圓、觸控面板用薄膜、電場發光(EL,Electro Luminescent)元件用玻璃等各種基板上直接塗佈或印刷來適當地形成導電性塗膜，或因應必要，於此等基板上設置的透明導電膜的膜上塗佈或印刷來適當地形成導電膜。

(導電膜)

本發明的導電膜係由本發明的該導電糊而成。

就該導電膜的體積電阻率而言，較佳為100μΩ‧cm以下，更佳為50μΩ‧cm以下。若該體積電阻率為100μΩ‧cm以下，則可實現體積電阻率極低的導電膜。若該體積電阻率超過100μΩ‧cm，則導電膜的導電性變得不充分。

該導電膜的體積電阻率係使用Digital multimeter(ADVANTEST股份有限公司製，R6551)，測定導電膜長邊方向兩點之間的電阻值，並藉由算出體積電阻率=電阻值×導電膜厚度×導電膜寬度÷導電膜長度的值來測定。

該導電膜的熱傳導率較佳係10W/m‧K以上，更佳係15W/m‧K以上。若該熱傳導率未滿10W/m‧K，則導電膜的熱傳導率變得不充分。

舉例來說，該熱傳導率係可使用雷射閃光法來測定。

舉例來說，本發明的導電膜係適用於太陽能電池單元的集電電極、晶片型電子元件的外部電極、無線射頻識別(RFID,Radio Frequency Identification)、電磁波屏蔽、振動器貼合、薄膜開關、電致發光等電極或電氣配線之用途。

[實施例]

雖然以下說明本發明的實施例，但本發明並不限於該等實施例。

填料的BET比表面積、填料的振實密度、填料的粒度分布(D₁₀、D₅₀與D₉₀)、填料的1%減量開始溫度、以及銀粉強熱下之減量等測定方法係如下所示。

<BET比表面積>

使用Macsorb HM-model 1210(MOUNTECH公司製)，並使用He：70%、N₂：30%的載氣將銀粉3g置入測定室內且進行60℃、10分鐘的排氣，藉由BET一點法來測定銀粉的BET比表面積。

<振實密度>

使用振實密度測定裝置(柴山科學股份有限公司製，壓實比重測定裝置SS-DA-2)，並計量銀粉15g且置入容器(20mL試管)，以落差20mm拍打(Tapping)1,000次，並自振實密度=試料重量(15g)/拍打後的試料體積算出振實密度。

<粒度分佈(D₁₀、D₅₀及D₉₀>

將銀粉0.1g添加於異丙醇40mL，並以管徑20mm的超音波均質機分散兩分鐘來準備試料，再使用雷射繞射散射式粒度分佈測定裝置(Microtrack‧Bell股份有限公司製，MICROTORAC MT3300EXII)，以全反射模式進行粒徑的測定。藉由測定而得之體積基準的累積分佈來求得累積10%的粒徑(D₁₀)、累積50%的粒徑(D₅₀)與累積90%的粒徑的(D₉₀)之值。

<1%減量開始溫度>

在氮氣氛圍且升溫速度10℃/分的條件下，使用熱重量‧差示熱分析法(TG-DTA法)(Rigaku股份有限公司製的差示熱天秤TG8120)並將重量減少1%時的溫度作為1%減量開始溫度來求得。

<銀粉強熱下之減量>

強熱下之減量(質量%)=〔(w1-w2)/w1〕x100

(實施例1)

-導電糊的製作-

添加2.76質量部石墨烯1作為石墨粉，並添加片狀銀粉(DOWA電子股份有限公司製)53.544質量份、球狀銀粉(DOWA電子股份有限公司製)35.696質量份、環氧樹脂(EP4901E，ADEKA股份有限公司製)8質量份、硬化劑(BF₃NH₂EtOH，和光純藥工業股份有限公司製)0.4質量份、油酸(和光純藥工業股份有限公司製)0.1質量份、以及作為溶劑之丁基卡必醇乙酸酯(和光純藥工業股份有限公司製)2質量份，並使用Propeller-less自公轉式攪拌脫泡裝置(Thinky股份有限公司製，AR-250)混合後，再藉由三滾筒研磨機(EXAKT公司製，EXAKT80S)並使其通過間隙緩緩變窄的滾筒而得到導電糊。再者，將使用之石墨粉的各特性顯示於表1、將使用之片狀銀粉與球狀銀粉的各特性顯示於表2、且將使用之片狀銀粉與球狀銀粉的掃描式電子顯微鏡的照片顯示於圖6及圖7。

接著，針對得到之導電糊，如以下所示，測定黏度、體積電阻率1以及熱傳導率。將結果顯示於表3。

<導電糊的黏度>

使用BROOKFIELD公司製的黏度計5XHBDV-IIIUC，在圓錐：CP-52，糊的溫度：25℃下來測定得到之導電糊的黏度。測定在1rpm(剪切速度2sec^-1)下5分鐘的值。

<體積電阻率1>

使用導電糊，並使直徑10mm、厚度1mm的成形體在200℃、20分鐘的條件下硬化來製作樣品。

使用四探針法的儀器(三菱化學股份有限公司製，Loresta HP MCP-T410)來測定得到之樣品的體積電阻率1。

<熱傳導率>

使用雷射閃光法的儀器(ULVAC股份有限公司製，TC-7000)來測定得到之樣品的熱擴散率，並從比熱與密度求得熱傳導率。

(實施例2)

除了將實施例1中該石墨烯1變更為石墨烯2(GNH-X2，Graphene platform股份有限公司製)之外，與實施例1相同地製作導電糊，並同樣地進行各特性的評價。將結果顯示於表3。再者，將使用之石墨粉的各特性顯示於表1。

(實施例3)

除了將實施例1中該石墨烯1變更為球狀石墨(WF-15C，股份有限公司中越石墨工業所製)之外，與實施例1相同地製作導電糊，並同樣地進行各特性的評價。將結果顯示於表3。再者，將使用之石墨粉的各特性顯示於表1。

(實施例4)

除了將實施例1中該石墨烯1變更為鱗狀石墨(BF-15AK，股份有限公司中越石墨工業所製)之外，與實施例1相同地製作導電糊，並同樣地進行各特性的評價。將結果顯示於表3。再者，將使用之石墨粉的各特性顯示於表1。

(比較例1)

除了不添加實施例1的該石墨烯1之外，與實施例1相同地製作導電糊，並同樣地進行各特性的評價。將結果顯示於表3。再者，將使用之石墨粉的各特性顯示於表1。

(比較例2)

除了將實施例1中該石墨烯1變更為石墨(Sony股份有限公司)之外，與實施例1相同地製作導電糊，並同樣地進行各特性的評價。將結果顯示於表3。再者，將使用之石墨粉的各特性顯示於表1。

[表1]

*將石墨粉No.1(石墨烯1)的熱重量‧差示熱分析法中TG與DTA測定結果顯示於圖1。

*將石墨粉No.2(石墨烯2)的熱重量‧差示熱分析法中TG與DTA測定結果顯示於圖2。

*將石墨粉No.3(球狀石墨)的熱重量‧差示熱分析法中TG與DTA測定結果顯示於圖3。

*將石墨粉No.4(鱗狀石墨)的熱重量‧差示熱分析法中TG與DTA測定結果顯示於圖4。

*將石墨粉No.5(石墨)的熱重量‧差示熱分析法中TG與DTA測定結果顯示於圖5。

(實施例5)

-導電糊的製作-

添加3質量部該石墨烯1作為石墨粉，並添加片狀銀粉(DOWA電子股份有限公司製)53.544質量份、球狀銀粉(DOWA電子股份有限公司製)35.696質量份、環氧樹脂(EP4901E，ADEKA股份有限公司製)8質量份、硬化劑(BF₃NH₂EtOH，和光純藥工業股份有限公司製)0.4質量份、油酸(和光純藥工業股份有限公司製)0.1質量份、以及作為溶劑之丁基卡必醇乙酸酯(和光純藥工業股份有限公司製)5.24質量份，並使用Propeller-less自公轉式攪拌脫泡裝置(Thinky股份有限公司製，AR-250)混合。之後，一邊確認前述混合物通過三滾筒研磨機(EXAKT公司製，EXAKT80S)後的黏度，並一邊添加作為溶劑之丁基卡必醇乙酸酯(和光純藥工業股份有限公司製)且將黏度調整至500Pa‧s~600Pa‧s，再使其通過間隙緩緩變窄的滾筒而得到導電糊。

針對得到之導電糊，與實施例1相同地測定其黏度及熱傳導率。

同時，使用該導電糊，並如以下所示，製作導電膜且測定導電膜的平均厚度及體積電阻率2。將結果顯示於表4。

<導電膜的製作>

藉由在鋁基板上進行網板印刷，形成製作後該之導電糊的膜。網板印刷的條件係如下所示。

‧印刷裝置：Microtech公司製MT-320T

‧版：線寬500μm，佈線(Routing)37.5mm，250網孔，線直徑23μm

‧印刷條件：刮刀壓力180Pa，印刷速度80mm/s，間隙(Clearance)1.3mm

接著，使用大氣循環式乾燥機將得到的膜以200℃、20分鐘的條件下進行加熱處理。藉此，製作導電膜。

<導電膜的平均厚度>

使用表面粗度計(股份公司小坂研究所製，SE-30D)將得到之導電膜在鋁基板上測定未印刷的膜部分與導電膜的部分之間的差距，來測定導電膜的平均厚度。

<體積電阻率2>

使用Digital multimeter(ADVANTEST股份有限公司製，R6551)測定各導電膜長度(間隔)位置的電阻值。藉由各導電膜的尺寸(平均厚度、寬、長度)來求得導電膜的體積，再從該體積與測定後的電阻值求得體積電阻率2。

(實施例6)

除了將實施例5中該石墨烯1變更為鱗狀石墨(BF-15AK，股份有限公司中越石墨工業所製)之外，與實施例5相同地製作導電糊及導電膜，並同樣地進行各特性的評價。將結果顯示於表4。

(比較例3)

除了將實施例5中該石墨烯1變更為石墨(Sony股份有限公司)之外，與實施例5相同地製作導電糊及導電膜，並同樣地進行各特性的評價。將結果顯示於表4。

[產業利用性]本發明的導電糊及導電膜係適用於太陽能電池單元的集電電極、晶片型電子元件的外部電極、無線射頻識別(RFID,Radio Frequency Identification)、電磁波屏蔽、振動器貼合、薄膜開關、電致發光等電極或電氣配線之用途。

Claims

一種導電糊，其係包含：含有銀粉與石墨粉的填料、聚合物以及溶劑，其中，該石墨粉的熱重量‧差示熱分析法之1%減量開始溫度係300℃以上且640℃以下，且前述熱重量‧差示熱分析法係在氮氣環境下，以升溫速度10℃/分的條件下進行；又，相對於該導電糊的總量，該填料的含量係80質量%以上且95質量%以下。
如請求項1所述之導電糊，其中，該石墨粉的熱重量‧差示熱分析法之1%減量開始溫度係500℃以上且600℃以下。
如請求項1所述之導電糊，其中，該石墨粉係選自由石墨烯、球狀石墨及鱗片狀石墨所組成之群中至少任一者。
如請求項1所述之導電糊，其中，相對於該填料的總量，該石墨粉的含量係0.1質量%以上且10質量%以下。
如請求項1所述之導電糊，其中，該銀粉係片狀銀粉與球狀銀粉的混合物。
如請求項1所述之導電糊，其中，該聚合物係環氧樹脂。
一種導電膜，其係由導電糊而成，其中，該導電糊包括含有銀粉與石墨粉的填料、聚合物以及溶劑，該石墨粉的熱重量‧差示熱分析法之1%減量開始溫度係300℃以上且640℃以下，且前述熱重量‧差示熱分析法係在氮氣環境下，以升溫速度10℃/分的條件下進行；又，相對於該導電糊的總量，該填料的含量係80質量%以上且95質量%以下。
如請求項7所述之導電膜，其體積電阻率係100μΩ‧cm以下，且熱傳導率係10W/m‧K以上。