TWI690420B - 透明導電性薄膜積層體及使用其所得之觸控面板，以及透明導電性薄膜之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種透明導電性薄膜積層體及使用其所得之觸控面板，以及透明導電性薄膜之製造方法，該透明導電性薄膜積層體在透明導電性薄膜之基材使用環烯烴系樹脂之情形中，在加熱步驟後仍可控制透明導電性薄膜積層體之捲曲，可確保隨後之步驟產率。本發明之透明導電性薄膜積層體中，透明樹脂薄膜係由非晶性環烯烴系樹脂構成，而保護薄膜係由與形成透明樹脂薄膜之非晶性環烯烴系樹脂不同的非晶性樹脂形成，且保護薄膜之玻璃轉移溫度為130℃以上，並且將透明導電性薄膜積層體切成20cm×20cm，使透明導電膜在上面並在130℃下加熱90分鐘後之中央部之捲曲值A與4角部之平均捲曲值B的差(A-B)為0至50mm。

Description

透明導電性薄膜積層體及使用其所得之觸控面板，以及透明導電性薄膜之製造方法 技術領域
本發明係有關於透明導電性薄膜積層體及使用其所得之觸控面板，以及透明導電性薄膜之製造方法，特別是對於控制捲曲之產生有用的技術。
背景技術
以往，在靜電電容型之觸控面板結構中廣泛使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)作為透明導電性薄膜之基材薄膜。然而，由於PET薄膜被延伸製膜而具有高相位差，難以作為偏光板之基材。因此，在專利文獻1中提出使用環烯烴系樹脂之透明導電性薄膜作為低相位差用基材薄膜。
基材薄膜使用環烯烴系樹脂時，由於基材非常脆弱而容易受傷，在藉輥對輥製法搬送時，必須在基材薄膜之兩面上進行硬塗布處理。若在基材薄膜之兩面上設置硬塗層則會產生沾黏(捲取薄膜時薄膜彼此之黏合)，因此必須至少在一面上賦予防沾黏性。此外，藉濺鍍等使透明導電層成膜，並進行透明導電層之圖案酐線處理時，必須進 行包含藥液/加熱步驟之單片體操作處理，且必須在與透明導電層相反側之基材薄膜背面上積層表面保護薄膜。
專利文獻2中揭示透明導電性薄膜之基材薄膜及表面保護薄膜兩者均為PET薄膜之積層體。在此情形中，調整加熱步驟中之各薄膜的熱收縮率而減少捲曲以便可良好地搬送。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2013-114344號公報
專利文獻2：日本特開2008-251529號公報
發明概要
然而，在使用環烯烴系樹脂作為透明導電性薄膜之基材薄膜，並使用PET基材作為表面保護薄膜之情形中，由於兩者之熱收縮率及線膨脹係數等不同，在加熱步驟後使透明導電膜在上時，透明導電膜面產生凹方向之捲曲，並在加工搬送透明導電性薄膜積層體時，無法藉空氣吸附，因此產生無法通過步驟間之閘等的缺點，且難以安定且連續地進行生產。此外，亦有在切斷透明導電性薄膜之卷材後的加工步驟中無法藉空氣吸附單片狀之透明導電性薄膜等的困難。
因此，本發明之目的在於提供在透明導電性薄膜之基材使用環烯烴系樹脂之情形中，在加熱步驟後亦控制透明 導電性薄膜積層體之捲曲，可確保隨後之步驟產率的透明導電性薄膜積層體及使用其所得之觸控面板，以及透明導電性薄膜之製造方法。
本發明人為解決前述課題而專心檢討，結果發現藉由採用下述結構可達成上述目的而完成本發明。
即，本發明之透明導電性薄膜積層體包含：承載薄膜，其在保護薄膜之至少一面側具有黏著劑層；及透明導電性薄膜，其透過前述黏著劑層可剝離地積層，該透明導電性薄膜積層體之特徵在於：前述透明導電性薄膜具有透明樹脂薄膜及透明導電膜，前述透明樹脂薄膜由非晶性環烯烴系樹脂構成，前述透明樹脂薄膜之厚度係20至150μm，前述承載薄膜積層在前述透明導電性薄膜之與透明導電膜相異的另一面側，前述保護薄膜由與形成前述透明樹脂薄膜之非晶性環烯烴系樹脂不同的非晶性樹脂形成，前述保護薄膜之非晶性樹脂的玻璃轉移溫度係130℃以上，前述保護薄膜之厚度係20至150μm，且將前述透明導電性薄膜積層體切成20cm×20cm，使透明導電膜在上面並在130℃下加熱90分鐘後之中央部之捲曲值A與4角部之平均捲曲值B的差(A-B)為0至50mm。此外，本發明中之各種物性值係藉由在實施例等中採用之方法測量的值。
捲曲產生之原因考慮是由於環烯烴系樹脂與PET之熱收縮率及線膨脹係數等不同的緣故。例如，在如透明樹脂薄膜係環烯烴系樹脂，而保護薄膜係PET之情形 中，使透明導電膜在上時產生凹方向之捲曲，無法藉吸盤吸附而難以進行加工。在本發明中，如上所述，透明樹脂薄膜使用非晶性環烯烴系樹脂，而保護薄膜使用與形成透明樹脂薄膜之非晶性環烯烴系樹脂不同的非晶性樹脂，藉此可使熱收縮率及線膨脹係數接近，因此在加熱後之降溫步驟中使透明導電膜在上時可朝凸方向產生捲曲。藉此，在搬送程序中，可藉空氣吸引透明導電性薄膜積層體之保護薄膜側的面，且可安定且連續地搬送，並且在加熱步驟後亦可進行金屬配線之加工。
本發明之透明導電性薄膜積層體的前述透明樹脂薄膜之非晶性環烯烴系樹脂的玻璃轉移溫度宜為130℃以上，並具有：第一硬化樹脂層，其設於前述透明樹脂薄膜之其中一第一主面側；及一第二硬化樹脂層，其設於與前述透明樹脂薄膜之前述第一主面相反側的第二主面側。藉由令透明樹脂薄膜之非晶性環烯烴系樹脂的玻璃轉移溫度為130℃以上，可使保護薄膜使用之非晶性樹脂的線膨脹係數及熱收縮率接近，可進一步控制在乾燥等之加熱步驟中產生捲曲，並可確保後續步驟之產率。此外，由於在透明樹脂薄膜之兩面形成有硬化樹脂層，在透明導電性薄膜之形成及圖案化等或搭載至電子機器等各步驟中不易受傷。
本發明之前述透明樹脂薄膜之非晶性環烯烴系樹脂的玻璃轉移溫度a與前述保護薄膜之非晶性樹脂的玻璃轉移溫度b之差(a-b)的絕對值宜為5℃以上。藉此，當透 明導電性薄膜積層體之透明導電膜側在上時，可使透明導電性薄膜積層體在適當範圍內朝凸方向捲曲，並可使透明導電性薄膜積層體容易搬送，以確保隨後之步驟的產率。
本發明之前述透明樹脂薄膜的非晶性環烯烴系樹脂及前述保護薄膜之非晶性樹脂宜為構成單位互相不同之樹脂。藉此，當透明導電性薄膜積層體之透明導電膜側在上時，可使透明導電性薄膜積層體在適當範圍內朝凸方向捲曲，並可使透明導電性薄膜積層體容易搬送，以確保隨後之步驟的產率。
本發明之前述保護薄膜宜由聚碳酸酯系樹脂構成，重量平均分子量為2×104以上，且在130℃下加熱90分鐘後之熱收縮率在MD及TD方向上為0.3%以下。由於保護薄膜由聚碳酸酯系樹脂構成，可製得機械特性及加工性等良好之透明導電性薄膜積層體。此外，由於可抑制透明導電性薄膜之加熱步驟時的過剩熱收縮，可更高程度地控制捲曲之產生，並可安定且連續地加工搬送透明導電性薄膜積層體。
本發明之透明導電性薄膜積層體宜在前述第一硬化樹脂層與前述透明導電膜之間更具有一層以上之光學調整層。由於可藉由光學調整層調整折射率，可降低透明導電膜圖案化時之圖案形成部與圖案開口部的反射率差，因此不易看見透明導電膜圖案，使觸控面板等之顯示裝置的觀看性良好。
本發明之觸控面板宜使用前述透明導電性薄膜 積層體而得。若使用前述透明導電性薄膜積層體，可進一步控制乾燥等加熱步驟中之捲曲產生，使透明導電性薄膜積層體容易加工搬送而提高作業效率。
本發明亦包含加工之透明導電性薄膜之製造方法，其包含以下步驟：加熱加工前述透明導電性薄膜積層體之透明導電性薄膜；及剝離透明導電性薄膜及承載薄膜。依據本發明之製造方法，可控制乾燥等之加熱步驟後之捲曲產生量及方向等，因此容易加工搬送且製造效率良好。
在本發明之透明導電性薄膜之製造方法中，前述加熱加工之步驟宜為使前述透明導電膜結晶之步驟。藉此，可控制乾燥等之加熱步驟後之捲曲產生量及方向等，因此容易加工搬送且製造效率良好。
在本發明之透明導電性薄膜之製造方法中，前述加熱加工之步驟宜為乾燥以感光性金屬糊層形成之金屬配線的步驟。藉此，可控制乾燥等之加熱步驟後之捲曲產生量及方向等，因此容易加工搬送且製造效率良好。
1‧‧‧保護薄膜
2‧‧‧黏著劑層
3‧‧‧第二硬化樹脂層
4‧‧‧透明樹脂薄膜
5‧‧‧第一硬化樹脂層
6‧‧‧透明導電膜
10‧‧‧承載薄膜
20‧‧‧透明導電性薄膜
S1‧‧‧第一主面
S2‧‧‧第二主面
圖式之簡單說明
圖1係本發明一實施形態之透明導電性薄膜積層體的示意截面圖。
用以實施發明之形態
以下一面參照圖式一面說明本發明之透明導電性薄膜積層體之實施形態。然而，在圖之一部分或全部中， 省略不需要說明之部分，且具有為了容易說明而放大或縮小等地圖示之部分。表示上下等之位置關係的用語只是為了容易說明而使用，完全沒有限制本發明之結構的意圖。
<積層體之構造>
圖1係示意地顯示本發明之透明導電性薄膜積層體之一實施形態的截面圖。透明導電性薄膜積層體包含：承載薄膜10，其在保護薄膜1之至少其中一面側具有黏著劑層2；及透明導電性薄膜20，其透過黏著劑層2可剝離地積層。透明導電性薄膜20具有透明樹脂薄膜4及透明導電膜6，且宜進一步具有：設於透明樹脂薄膜4之其中一第一主面S1側的第一硬化樹脂層5；及設於與透明樹脂薄膜4之第一主面S1相反側之第二主面S2的第二硬化樹脂層3。第一硬化樹脂層5及第二硬化樹脂層3包含作為防沾黏層及硬塗層之機能者。此外，承載薄膜10積層在透明導電性薄膜20之第二主面S2側。
(透明樹脂薄膜)
透明樹脂薄膜係藉由非晶性環烯烴系樹脂形成，且具有高透明性及低吸水性之特性。藉由採用非晶性環烯烴系樹脂，可控制透明導電性薄膜積層體使用之透明導電性薄膜的光學特性。
形成非晶性環烯烴系樹脂之環烯烴系樹脂沒有特別限制，只要是具有由環狀烯烴(環烯烴)構成之單體單元的樹脂即可。透明樹脂薄膜使用之環烯烴系樹脂可為環烯烴聚合物(COP)或環烯烴共聚物(COC)之任一者。所謂環 烯烴共聚物係環狀烯烴與乙烯等烯烴之共聚物的非結晶性環狀烯烴系樹脂。
上述環狀烯烴存在多環式環狀烯烴及單環式環狀烯烴。該多環式環狀烯烴可舉例如：降冰片烯、甲基降冰片烯、二甲基降冰片烯、乙基降冰片烯、亞乙基降冰片烯、丁基降冰片烯、二環戊二烯、二氫二環戊二烯、甲基二環戊二烯、二甲基二環戊二烯、四環十二烯、甲基四環十二烯、二甲基環四十二烯、三環戊二烯、四環戊二烯等。此外，單環式環狀烯烴可舉例如：環丁烯、環戊烯、環辛烯、環辛二烯、環辛三烯、環十二三烯等。
環烯烴系樹脂可由市售品取得，並可舉例如：ZEON公司製「ZEONOR」、JSR公司製「ARTON」、POLYPLASTIC公司製「TOPAS」、三井化學公司製「APEL」等。
透明樹脂薄膜可在表面上施加預濺鍍、電暈放電、火焰、紫外線照射、電子束照射、化學轉化、氧化等之蝕刻處理或塗布處理，使與形成在透明樹脂薄膜上之硬化樹脂層及透明導電膜等的密接性提高。此外，在形成硬化樹脂層及透明導電膜等之前，可依需要藉由溶劑洗淨及超音波洗淨等，將透明樹脂薄膜表面除塵、清淨化。
透明樹脂薄膜之厚度宜在20至150μm之範圍內，且以在30至100μm之範圍內較佳，並以在40至80μm之範圍內更佳。若透明樹脂薄膜之厚度小於上述範圍之下限，機械之強度不足，有使薄膜基材形成卷狀而連續地形成透明 導電膜之操作困難的情形。另一方面，若厚度超過上述範圍之上限，有無法使透明導電膜之耐擦傷性及作為觸控面板用之打點特性提高的情形。
上述透明樹脂薄膜之非晶性環烯烴系樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)雖然沒有特別限制，但宜為130℃以上，且以160℃以上較佳，並以180℃以上更佳。藉此，可控制乾燥等加熱步驟後之捲曲產生量及方向等，因此容易加工搬送透明導電性薄膜積層體。
形成透明樹脂薄膜之樹脂薄膜原料(積層硬化樹脂層前、實施加熱處理前之薄膜)在130℃下加熱90分鐘時之MD方向及TD方向的熱收縮率宜為0.3%以下，且以0.2%以下較佳，並以0.1%以下更佳。藉此，可成為具優異加工性、透明性等之透明導電性薄膜，且可控制乾燥等加熱步驟後之捲曲產生量及方向等，因此容易加工搬送透明導電性薄膜積層體。
上述透明樹脂薄膜容易作成面內方向之相位差(R0)為0nm至10nmm的低相位差薄膜或面內方向之相位差為大約80nm至150nm之λ/4薄膜，且在與偏光板一起使用之情形中，可具有良好之觀看性。此外，面內相位差(R0)係在23℃下藉波長589nm之光測量之相位差薄膜(層)面內的相位差值。
(硬化樹脂層)
硬化樹脂層包含設於透明樹脂薄膜之其中一第一主面側的第一硬化樹脂層、及設於相反側之第二主面側的第二 硬化樹脂層。由於由環烯烴系樹脂形成之透明樹脂薄膜在透明導電膜之形成及透明導電膜之圖案化等或搭載至電子機器等的各步驟中容易受傷，宜在透明樹脂薄膜之兩面上形成第一硬化樹脂層及第二硬化樹脂層。
硬化樹脂層係藉由使硬化型樹脂硬化所得之層。使用之樹脂可沒有特別限制地使用作成硬化樹脂層形成後之皮膜具有充分強度且具有透明性者，可舉例如：熱硬化型樹脂、紫外線硬化型樹脂、電子束硬化型樹脂、雙液混合型樹脂等。其中最好的是可藉由紫外線照射之硬化處理，以簡單之加工操作有效率地形成硬化樹脂層的紫外線硬化型樹脂。
紫外線硬化型樹脂可舉例如：聚酯系、丙烯酸系、胺基甲酸酯系、醯胺系、聚矽氧系、環氧系等之各種樹脂，且包含紫外線硬化型之單體、寡聚物、聚合物等。宜使用之紫外線硬化型樹脂係丙烯酸系樹脂或環氧系樹脂，且以丙烯酸系樹脂較佳。
硬化樹脂層可包含粒子。藉由在硬化樹脂層中摻合粒子，可在硬化樹脂層之表面形成隆起，並可對透明導電性薄膜適當地賦予耐沾黏性。
上述粒子可沒有特別限制地使用各種金屬氧化物、玻璃、塑膠等具有透明性者。可舉例如：氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、氧化鈣等之無機系粒子；由聚基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚胺基甲酸酯、丙烯酸系樹脂、丙烯酸-苯乙烯共聚物、苯基三聚氫二胺、三聚氰胺、聚碳 酸酯等之各種聚合物構成的交聯或未交聯有機系粒子或聚矽氧系粒子等。雖然前述粒子可適當選擇1種或2種以上來使用，但以有機系粒子為佳。由折射率之觀點來說，有機系粒子宜為丙烯酸系樹脂。
粒子之眾數粒徑沒有特別限制，可考慮與硬化樹脂層隆起之突出度及隆起以外之平坦區域厚度等的關係等來適當設定。此外，由對透明導電性薄膜充分賦予耐沾黏性且充分抑制霧度上升之觀點來說，粒子之眾數粒徑宜為0.1至3μm，且以0.5至2.5μm更佳。此外，在本說明書中，「眾數粒徑」係顯示粒徑分布之極大值的粒徑，並藉由使用流動式粒子像分析裝置(Sysmex公司製，製品名「FPTA-3000S」)，在預定條件下(保護液：乙酸乙酯，測量模式：HPF測量，測量方式：總計數)測量而求得。測量試料使用藉乙酸乙酯將粒子稀釋到1.0重量%，並使用超音波洗淨機均一地使之分散者。
粒子之含量宜相對100重量份之樹脂組成的固形分為0.05至1.0重量份，且以0.1至0.5重量份較佳，並以0.1至0.2重量份更佳。若硬化樹脂層中之粒子含量少，有難以形成對硬化樹脂層表面充分賦予耐沾黏性或易滑性之隆起的傾向。另一方面，若粒子含量過多，有因粒子之光散射提高透明導電性薄膜之霧度，使觀看性降低之傾向。此外，若粒子含量過多，在形成硬化樹脂層時(塗布溶液時)，有產生條紋，使觀看性受損，且透明導電膜之電氣特性不均一之情形。
硬化樹脂層係藉由以下方式製得，即：在透明樹脂薄膜上塗布包含各硬化型樹脂及依需要添加之粒子、交聯劑、起始劑、增感劑等的樹脂組成物，而在樹脂組成物包含溶劑時，進行溶劑之溶劑之乾燥，接著藉由使用熱、活化能量束或兩者中之任一者使之硬化。熱可使用空氣循環式烘箱或IR加熱器等習知手段，但不限於該等方法。活化能量束之例包括紫外線、電子束、伽馬射線等，但沒有特別限制。
硬化樹脂層可使用上述材料，並藉由濕式塗布法(塗布法)等來製膜。例如，在形成含有氧化錫之氧化銦(ITO)作為透明導電膜之情形中，若基底層之硬化樹脂層的表面平滑，亦可縮短透明導電膜之結晶時間。由該觀點來說，硬化樹脂層宜藉由濕式塗布法來製膜。
硬化樹脂層之厚度宜為0.5μm至5μm，且以0.7μm至3μm較佳，並以0.8μm至2μm最佳。若硬化樹脂層之厚度在前述範圍內，可防止受傷或硬化樹脂層之硬化收縮時之薄膜縐縮，並可防止觸控面板等之觀看性惡化。
(透明導電膜)
透明導電膜可設於透明樹脂薄膜上，但宜設於設在透明樹脂薄膜之其中一第一主面側的第一硬化樹脂層上。透明導電膜之構成材料沒有特別限制，只要包含無機物即可，且宜使用選自於由銦、錫、鋅、鎵、銻、鈦、矽、鋯、鎂、鋁、金、銀、銅、鈀、鎢構成之群組的至少一種金屬的金屬氧化物。該金屬氧化物亦可依需要進一步包含上述群組 所示之金屬原子。以使用例如含有氧化錫之氧化銦(ITO)、含有氧化銻之氧化銦(ATO)等為佳。
透明導電膜之厚度沒有特別限制，但為作成其表面電阻為1×103Ω/□以下之具有良好導電性的連續被膜，宜使厚度為10nm以上。若膜厚過厚，則使透明性降低等，因此宜為15至35nm，且以在20至30nm之範圍內更佳。若透明導電膜之厚度小於10nm，則膜表面之電阻升高，且難以成為連續被膜。此外，若透明導電膜之厚度超過35nm，則有使透明性降低等之情形。
透明導電膜之形成方法沒有特別限制，可採用以往習知之方法。具體而言，可舉真空蒸鍍法、濺鍍法、離子植入法等之乾式製程為例。此外，可依據所需膜厚採用適當之方法。另外，在第一硬化樹脂層上形成透明導電膜的情形中，若透明導電膜藉由濺鍍法之乾式製程形成，透明導電膜之表面可大致維持其基底層之第一硬化樹脂層表面形狀。因此，在第一硬化樹脂層上存在隆起之情形中，亦可對透明導電膜表面理想地賦予耐沾黏性及易滑性。
透明導電膜可依需要實施加熱退火處理(例如，在大氣環境下，在80至150℃下進行大約30至90分鐘)而結晶。藉由使透明導電膜結晶，除了可使透明導電膜低電阻化以外，亦可提高透明性及耐久性。使非晶質之透明導電膜轉化成晶質的手段沒有特別限制，但可使用空氣循環式烘箱及IR加熱器等。
「晶質」之定義係將在透明樹脂薄膜上形成有透 明導電膜之透明導電性薄膜，浸漬於20℃、濃度5重量%之鹽酸15分鐘後，進行水洗、乾燥，並藉測試器測量15mm間之端子間電阻，且在端子間電阻不超過10kΩ之情形下，ITO膜停止轉化成晶質。
此外，透明導電膜可藉蝕刻等圖案化。關於透明導電膜之圖案化，可使用以往習知之光刻技術來進行。蝕刻液宜使用酸。酸可舉例如：氯化氫、溴化氫、硫酸、硝酸、磷酸等無機酸；乙酸等有機酸；及該等酸之混合物；以及該等酸之水溶液。例如，在靜電電容方式之觸控面板或矩陣式電阻膜方式之觸控面板使用的透明導電性薄膜中，透明導電膜宜圖案化成條狀。此外，藉蝕刻使透明導電膜圖案化時，若先進行透明導電膜之結晶，有時難以藉蝕刻圖案化。因此，透明導電膜之退火處理宜在使透明導電膜圖案化後進行。
透明導電膜雖然在積層後述之承載薄膜時可為非晶質亦可為晶質，但若使用本發明之透明導電性薄膜積層體，則透明導電膜在透過黏著劑層將保護薄膜黏貼在非晶質狀態之透明導電性薄膜上後，亦可進行退火處理而轉化成晶質，因此可控制透明導電性薄膜積層體之捲曲產生。
(金屬奈米線)
前述透明導電膜可包含金屬奈米線。金屬奈米線係材質為金屬，形狀為針狀或線狀，而直徑為奈米尺寸之導電性物質。金屬奈米線可為直線狀，亦可為曲線狀。若使用 由金屬奈米線構成之透明導電膜，藉由使金屬奈米線呈網孔狀，即使少量之金屬奈米線亦可形成良好之電氣傳導通路，因此可製得電阻小之透明導電性薄膜。此外，藉由使金屬奈米線呈網孔狀，在網孔之間隙形成開口部，可製得透光率高之透明導電性薄膜。
構成前述金屬奈米線之金屬只要是導電性高之金屬，就可使用任意之適當金屬。構成前述金屬奈米線之金屬可舉銀、金、銅、鎳等為例。此外，亦可使用以該等金屬進行了鍍敷處理(例如，鍍金處理)之材料。其中，由導電性之觀點來說，以銀、銅或金較佳，並以銀更佳。
<透明導電性薄膜>
透明導電性薄膜具有透明樹脂薄膜及透明導電膜。在透明導電性薄膜中，在130℃下加熱90分鐘時之MD方向及TD方向的熱收縮率宜為0.3%以下，且以0.2%以下較佳，並以0.1%以下更佳。藉此，成為具優異加工性、透明性等之透明導電性薄膜，並可控制乾燥等加熱步驟後之捲曲產生量或方向，因此容易加工搬送透明導電性薄膜積層體。
(光學調整層)
在第一硬化樹脂層與透明導電膜之間，可進一步包含一層以上之光學調整層。在透明導電性薄膜之透射率上升或透明導電膜圖案化之情形中，光學調整層可減少圖案殘留之圖案部與圖案未殘留之開口部間的透射率差或反射率差，可用以製得具優異觀看性之透明導電性薄膜。
光學調整層係由無機物、有機物、或無機物與有 機物之混合物形成。形成光學調整層之材料可舉例如：NaF、Na3AlF6、LiF、MgF2、CaF2、SiO2、LaF3、CeF3、Al2O3、TiO2、Ta2O5、ZrO2、ZnO、ZnS、SiOx(x為1.5以上且小於2)等之無機物；及丙烯酸樹脂、環氧樹脂、胺基甲酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂、矽氧烷系聚合物等之有機物。特別地，有機物宜使用由三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂及有機矽烷縮合物之混合物形成的熱硬化型樹脂。光學調整層可使用上述材料，並藉由濕式法、凹版印刷塗布法及桿塗布法等塗布法；真空蒸鍍法；濺鍍法；離子植入法等來形成。
光學調整層可具有平均粒徑為1nm至500nm之奈米微粒子。光學調整層中之奈米微粒子的含量宜為0.1重量%至90重量%。光學調整層使用之奈米微粒子的平均粒徑宜如上所述地在1nm至500nm之範圍內，且以5nm至300nm更佳。此外，光學調整層中之奈米微粒子的含量以10重量%至80重量%較佳，且以20重量%至70重量%更佳。藉由使光學調整層中含有奈米微粒子，可容易進行光學調整層本身之折射率的調整。
形成奈米微粒子之無機氧化物可舉例如：氧化矽(二氧化矽)、中空奈米二氧化矽、氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化錫、氧化鋯、氧化鈮等之微粒子。該等氧化物之微粒子中，以氧化矽(二氧化矽)、氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化錫、氧化鋯、氧化鈮之微粒子為佳。該等氧化物之微粒子可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
光學調整層之厚度宜為10nm至200nm，且以 20nm至150nm較佳，並以30nm至130nm更佳。若光學調整層之厚度過小，則難以形成連續被膜。此外，若光學調整層之厚度過大，則有透明導電性薄膜之透明性降低，且容易產生裂縫之傾向。
(金屬配線)
雖然金屬配線可在透明導電膜上形成後，藉蝕刻形成，但宜如下所述地使用感光性金屬糊形成。即，在透明導電膜圖案化後，在前述透明樹脂薄膜上或前述透明導電膜上塗布後述之感光性導電糊而形成感光性金屬糊層，接著使光罩積層或接近並透過光罩對感光性金屬糊層進行曝光，然後進行顯影，並在形成圖案後，經過乾燥步驟製得金屬配線。即，藉由習知之光刻法等，可形成金屬配線之圖案。
前述感光性導電糊宜包含金屬粉末等之導電性粒子及感光性有機成分。金屬粉末之導電性粒子的材料宜包含選自於Ag、Au、Pd、Ni、Cu、Al及Pt之群組中的至少1種，且以Ag較佳。金屬粉末之導電性粒子的體積平均粒徑宜為0.1μm至2.5μm。
金屬粉末以外之導電性粒子可為藉金屬被覆樹脂粒子表面之金屬被覆樹脂粒子。樹脂粒子之材料雖然包含如前所述之粒子，但以丙烯酸系樹脂為佳。金屬被覆樹脂粒子係藉由在樹脂粒子之表面上使矽烷耦合劑反應，進一步以金屬被覆其表面而製得。藉由使用矽烷耦合劑，可使樹脂成分之分散安定化，形成均一之金屬被覆樹脂粒子。
感光性導電糊可進一步包含玻料。玻料之體積平均粒徑宜為0.1μm至1.4μm，而90%粒徑宜為1至2μm且最大尺寸宜為4.5μm以下。玻料之組成雖然沒有特別限制，但宜在相對全體為30重量%至70重量%之範圍內摻合Bi2O3。除Bi2O3以外可包含之氧化物可包含SiO2、B2O3、ZrO2、Al2O3。最好是實質上不包含Na2O、K2O、Li2O之無鹼玻料。
感光性有機成分宜包含感光性聚合物及/或感光性單體。感光性聚合物宜使用在由選自於(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯等具有碳-碳雙鍵之化合物成分之聚合物及其共聚物形成的丙烯酸樹脂側鏈或分子末端上附加了光反應性基者等。較佳之光反應性基可舉乙烯基、烯丙基、丙烯基、甲基丙烯基等之乙烯性不飽和基為例。感光聚合物之含量為1至30重量%，且宜為2至30重量%。
感光性單體可舉例如：丙烯酸甲基丙烯酯、丙烯酸乙酯等之(甲基)丙烯酸酯系單體；及γ-甲基丙烯氧丙三甲氧矽烷、1-乙烯-2-吡咯啶酮等，並可使用1種或2種以上。
就光之感度方面來說，在感光性導電糊中，宜相對100重量份之金屬粉末包含5至40重量%之感光性有機成分，且以10重量份至30重量份更佳。此外，本發明之感光性導電糊宜依需要使用光聚合起始劑、增感劑、聚合抑制劑、有機溶劑。
金屬層之厚度沒有特別限制。例如，藉由蝕刻等去除金屬層之面內的一部分而形成圖案配線時，可適當地設定金屬層之厚度使形成後之圖案配線具有所希望的 電阻值。因此，金屬層之厚度宜為0.01至200μm，且以0.05至100μm更佳。若金屬層之厚度在上述範圍內，圖案配線之電阻不會過高，且裝置之消耗電力不會過大。此外，金屬層成膜之生產效率提高，成膜時之累積熱量變小，因此薄膜上不易產生熱縐縮。
透明導電性薄膜係與顯示器組合使用之觸控面板用的透明導電性薄膜時，對應於顯示部分之部分係藉由圖案化之透明導電膜形成，而由感光性導電糊製成之金屬配線用於非顯示部(例如周緣部)之配線部分。透明導電膜亦可用於非顯示部，在此情形下，金屬配線可形成在透明導電膜上。
<承載薄膜>
承載薄膜在保護薄膜之至少其中一面側具有黏著劑層。承載薄膜透過黏著劑層與可剝離之透明導電性薄膜黏貼在透明導電性薄膜之第二主面側，以形成透明導電性薄膜積層體。由透明導電性薄膜積層體剝離承載薄膜時，黏著劑層可與保護薄膜一起剝離，亦可只剝離保護薄膜。
(保護薄膜)
形成保護薄膜之材料宜具有優異之透明性、機械強度、熱安定性、水分遮斷性、等向性等。由控制捲曲之產生量及方向的觀點來說，宜由形成前述透明樹脂薄膜之非晶性環烯烴系樹脂不同的非晶性樹脂形成。此外，透明樹脂薄膜之非晶性環烯烴系樹脂及前述保護薄膜之非晶性樹脂宜為構成單位互相不同之樹脂。在此，「不同」的定義係 構成單位互相不同之樹脂，但即使是構成單位相同之樹脂，若重量平均分子量等不同，亦為不同之樹脂。
非晶性樹脂可舉前述環烯烴系樹脂及聚碳酸酯系樹脂等為例。由具有優異透光性、耐傷性、耐水性及良好機械性質之觀點來說，以聚碳酸酯系樹脂為佳。聚碳酸酯系樹脂可舉例如：脂肪族聚碳酸酯、芳族聚碳酸酯、脂肪族-芳族聚碳酸酯等。具體而言，可舉例如：雙酚A聚碳酸酯、分枝雙酚A聚碳酸酯、發砲聚碳酸酯、共聚碳酸酯、嵌段共聚碳酸酯、聚酯碳酸酯、聚膦酸酯碳酸酯等。聚碳酸酯系樹脂中亦可包含如雙酚A聚碳酸酯混合物、聚酯混合物、ABS混合物、聚烯烴混合物、苯乙烯-順丁烯二酸酐共聚物混合物等之與其他成分混合者。聚碳酸酯樹脂之市售品可舉惠和公司製「OPCON」、帝人公司製「Panlite」等為例。
由控制玻璃轉移溫度之觀點來說，前述聚碳酸酯系樹脂之重量平均分子量宜為1.5×104至3.5×104，且以2×104至3×104更佳。
保護薄膜可與透明樹脂薄膜同樣地在表面上施加預濺鍍、電暈放電、火焰、紫外線照射、電子束照射、化學轉化、氧化等之蝕刻處理或塗布處理，使與保護薄膜上之黏著劑層等的密接性提高。此外，在形成黏著劑層之前，可依需要藉由溶劑洗淨及超音波洗淨等，將保護薄膜表面除塵、清淨化。
由控制捲曲產生量及方向等以提高作業性等觀 點來說，保護薄膜之厚度宜為20至150μm，且以30至100μm較佳，並以40至80μm更佳。
保護薄膜之非晶性樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)宜為130℃以上，且以135℃以上較佳，並以140℃以上更佳。藉此，可控制乾燥等加熱步驟後之捲曲產生量及方向等，因此容易加工搬送透明導電性薄膜積層體。
前述透明樹脂薄膜之非晶性環烯烴系樹脂的玻璃轉移溫度a與前述保護薄膜之非晶性樹脂的玻璃轉移溫度b之差(a-b)的絕對值宜為5℃以上，且以7℃以上較佳，並以10℃以上更佳。藉此，可控制捲曲產生量及方向等以提高作業性等。此外，在相同構成單位之情形中，透明樹脂薄膜之非晶性環烯烴系樹脂的玻璃轉移溫度a宜比前述保護薄膜之非晶性樹脂的玻璃轉移溫度b高。藉此，可控制捲曲產生量及方向等以提高作業性等。
在保護薄膜中，在130℃下加熱90分鐘時之後之MD及TD方向的熱收縮率宜為0.3%以下，且以0.2%以下較佳，並以0.1%以下更佳。藉此，可成為具優異加工性、透明性等之保護薄膜，且可控制乾燥等加熱步驟後之捲曲產生量及方向等，因此容易搬送透明導電性薄膜積層體。
(黏著劑層)
黏著劑層只要具有透明性即可，可沒有特別限制地使用。具體而言，可適當地選擇使用以丙烯酸系聚合物；聚矽氧系聚合物；聚酯；聚胺基甲酸酯；聚醯胺；聚乙烯醚；乙酸乙酯/氯乙烯共聚物；變性聚烯烴；環氧系、氟系、天 然橡膠、含成橡膠等之橡膠系等聚合物為基底聚合物者。特別地，由具優異光學透明性，且顯示適當濕潤性、凝集性及黏著性等之黏著特性，並亦具優異耐候性及耐熱性等方面來看，宜使用丙烯酸系黏著劑。
黏著劑層之形成方法沒有特別限制，可舉例如：在剝離襯層上塗布黏著劑組成物，進行乾燥後，轉印至基材薄膜上之方法(轉印法)；在保護薄膜上，直接塗布黏著劑組成物，並進行乾燥之方法(直印法)及共擠出之方法等。此外，在黏著劑中亦可依需要適當地使用黏著賦予劑、可塑劑、填充劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、矽烷耦合劑等。黏著劑層之較佳厚度係5μm至100μm，且以10μm至50μm較佳，而以15μm至35μm更佳。
<透明導電性薄膜積層體>
透明導電性薄膜積層體包含：承載薄膜，其在保護薄膜之至少其中一面側具有黏著劑層；及透明導電性薄膜，其透過前述黏著劑層可剝離地積層。此外，承載薄膜積層在透明導電性薄膜之透明導電膜的另一面側。
透明導電性薄膜積層體中，將透明導電性薄膜積層體切成20cm×20cm，使透明導電膜在上面並在130℃下加熱90分鐘後之中央部的捲曲值A與4角部的平均捲曲值B的差(A-B)宜為0至50mm，且以5至45mm較佳，並以10至40mm更佳。藉此，可控制乾燥等加熱步驟後之捲曲產生量及方向等，因此容易搬送透明導電性薄膜積層體。
<觸控面板>
由透明導電性薄膜積層體剝離了承載薄膜或保護薄膜之透明導電性薄膜，例如，可合適地作為靜電電容方式、電阻膜方式等之觸控面板等的電子機器的透明電極使用。
形成觸控面板時，透過黏著劑層可將玻璃或高分子薄膜等之其他基材等黏貼在前述透明導電性薄膜之其中一或兩主面上。例如，可形成積層體，而該積層體係透明基體透過透明黏著劑層黏貼在透明導電性薄膜未形成透明導電膜側的面上者。透明基體可由1片基體薄膜構成，亦可為2片以上之基體薄膜的積層體(例如透過透明黏著劑層積層者)。此外，黏貼在透明導電性薄膜上之透明基體的外表面上亦可設置硬塗層。用於黏貼透明導電性薄膜及基體之黏著劑層，如前所述地，只要具有透明性即可，可沒有特別限制地使用。
使用上述透明導電性薄膜形成觸控面板時，由於可控制乾燥之加熱步驟後的捲曲產生量及方向等，容易搬送透明導電性薄膜積層體，且具有優異之觸控面板形成時的操作性。因此，可高生產性地製造具優異透明性及觀看性之觸控面板。除了觸控面板用途以外，亦可用於屏蔽由電子機器發射之電磁波及噪音等屏蔽用途。
<加工之透明導電性薄膜之製造方法>
本發明之透明導電性薄膜積層體之製造方法包含以下步驟：準備在透明樹脂薄膜上形成透明導電膜之透明導電性薄膜；及透過黏著劑層將保護薄膜積層在與透明導電性薄膜之透明導電膜之另一面側。本發明之加工之透明導電 性薄膜積層體的製造方法包含以下步驟：加熱加工前述透明導電性薄膜積層體之透明導電性薄膜；及剝離透明導電性薄膜及承載薄膜。加熱加工步驟宜包含使前述透明導電膜結晶之步驟。加熱加工步驟宜包含乾燥由感光性金屬糊層形成之金屬配線的步驟。
準備透明導電性薄膜之步驟所使用之透明導電性薄膜可在透明導電性薄膜上形成硬化樹脂層，接著形成透明導電膜，亦可取得在透明樹脂薄膜上形成有硬化樹脂層之透明樹脂積層體，接著在硬化樹脂層上形成透明導電膜，亦可取得在透明樹脂薄膜上形成有硬化樹脂層及透明導電膜之透明導電性薄膜。關於上述光學調整層，亦可取得預形成之透明樹脂積層體來使用。
積層保護薄膜之步驟係在脫模基材上形成黏著劑層，並藉由將黏著劑層轉印在保護薄膜上而形成承載薄膜，接著透過黏著劑層將保護薄膜積層在透明導電性薄膜未形成第二硬化樹脂層之透明樹脂薄膜的側。此外，亦可在保護薄膜上形成直接黏著劑層。
前述積層之步驟後，為使透明導電膜之構成成分結晶，投入加熱之步驟。該加熱溫度宜在例如130℃以下之溫度下進行，且以120℃以下更佳，而處理時間係例如由15分至180分。然後，蝕刻透明導電膜，並藉由蝕刻形成圖案部。
本發明宜更包含以下步驟，即：在透明導電膜圖案化後，在前述透明樹脂薄膜上或前述透明導電膜上塗 布前述感光性導電糊而形成感光性金屬糊層，接著使光罩積層或接近並透過光罩對感光性金屬糊層進行曝光，或藉網版印刷等製得金屬配線。
在乾燥由感光性金屬糊層形成之金屬配線之步驟中的乾燥溫度宜在130℃以下之溫度下進行，且以120℃以下更佳。
到用以使透明導電膜結晶之加熱步驟為止，雖然藉輥對輥製法處理，但後來之蝕刻步驟、金屬配線步驟包括光罩或透明導電膜等與金屬配線之圖案化對位等，因此進行單片化步驟。此時，雖然為使透明導電性薄膜及透明導電性薄膜積層體等對位，需要固定在吸附板上之步驟，但在上述溫度範圍內進行乾燥亦可控制捲曲之量及方向等，因此可在固定於吸附板上之步驟中進行搬送。
實施例
以下，使用實施例詳細地說明本發明，但本發明只要不超過其要旨，就不限於以下之實施例。
[實施例1]
(調製用以形成硬化樹脂層之樹脂組成物)
準備混入球狀粒子之硬化性樹脂組成物，該混入球狀粒子之硬化性樹脂組成物包含100重量份之紫外線硬化性樹脂組成物(DIC公司製，商品名「UNIDIC(註冊商標)RS29-120」)，及0.2重量份之眾數粒徑為1.9μm的丙烯酸系球狀粒子(綜研化學公司製，商品名「MX-180TA」)。
(形成硬化樹脂層)
在厚度為50μm且玻璃轉移溫度為165℃之聚環烯烴薄膜(ZEON公司製，商品名「ZEONOR(註冊商標)」)之其中一面上塗布準備好之混入球狀粒子之硬化性樹脂組成物，形成塗布層。接著，由形成有塗布層之側對塗布層照射紫外線，以形成厚度為1.0μm之第二硬化樹脂層。在聚環烯烴薄膜之另一面上，除了未添加球狀粒子以外，藉與上述同樣之方法形成厚度為1.0μm之第一硬化樹脂層。
(形成透明導電膜)
接著，將兩面形成有硬化樹脂層之聚環烯烴薄膜投入捲取式濺鍍裝置中，在第一硬化樹脂層之表面形成厚度27nm之非晶質銦錫氧化物層(組成：SnO2 10wt%)。
(形成承載薄膜)
藉由一般之溶液聚合，按照丙烯酸丁酯/丙烯酸=100/6(重量比)製得重量平均分子量60萬之丙烯酸系聚合物。相對於100重量份之該丙烯酸系聚合物，加入6重量份之環氧系交聯劑(三菱瓦斯化學製，商品名「TETRAD-C(註冊商標)」以準備丙烯酸系黏著劑。在已脫模處理之PET薄膜之脫膜處理面上塗布如前所述地製得的丙烯酸系黏著劑，接著在120℃下加熱60秒，形成厚度20μm之黏著劑層。接著，在厚度為75μm且玻璃轉移溫度145℃之聚碳酸酯樹脂薄膜(惠和公司製，商品名「OPCON-PC」)的一面上透過黏著劑層黏貼PET薄膜。然後，剝除已脫模處理之PET薄膜，製成在保護薄膜之其中一面上具有黏著劑層的承載薄膜。
(形成透明導電性薄膜積層體)
在透明導電性薄膜未形成透明導電膜之面側，積層承載薄膜之黏著劑層，形成透明導電性薄膜積層體。
[實施例2]
除了在實施例1中，使用玻璃轉移溫度為136℃之聚環烯烴薄膜(ZEON公司製，商品名「ZEONOR(註冊商標)」)作為透明樹脂薄膜以外，藉與實施例1同樣之方法製成透明導電性薄膜積層體。
[實施例3]
除了在實施例1中，使用厚度為50μm且玻璃轉移溫度為136℃之聚環烯烴薄膜(ZEON公司製，商品名「ZEONOR(註冊商標)」)作為保護薄膜以外，藉與實施例1同樣之方法製成透明導電性薄膜積層體。
[比較例1]
除了在實施例1中，使用厚度為50μm且玻璃轉移溫度為70℃之PET薄膜(三菱樹脂製，商品名「DIAFOIL」)作為保護薄膜以外，藉與實施例1同樣之方法製成透明導電性薄膜積層體。
[比較例2]
除了在實施例1中，使用厚度為188μm且玻璃轉移溫度為70℃之PET薄膜(三菱樹脂製，商品名「DIAFOIL」)作為保護薄膜以外，藉與實施例1同樣之方法製成透明導電性薄膜積層體。
<評價>
(1)厚度之測量
厚度係藉微計量式厚度計(Mitustoyo公司製)測量具有1μm以上之厚度者。此外，小於1μm之厚度或光學調整層之厚度(100nm)係藉瞬間多測光系統(大塚電子公司製，MCPD2000)測量。如ITO膜等之厚度的奈米尺寸厚度係藉FB-2000A(Hitachi High-Technologies公司(股)製)製作斷面觀察用樣本，且斷面TEM觀察使用HF-2000(Hitachi High-Technologies公司(股)製)來測量膜厚。評價之結果顯示於表1中。
(2)捲曲值之測量
將在實施例及比較例中製得之透明導電性薄膜積層體切成20cm×20cm之尺寸。在ITO面在上之狀態下在130℃下加熱90分鐘後，在室溫(23℃)中放冷1小時。然後，在ITO面在上之狀態下將樣本放在水平之面上，並測量由中央部之水平面算起之高度(捲曲值A)。此外，分別測量由4角部之水平面算起之高度，並算出其平均值(捲曲值B)。算出由捲曲值A減去捲曲值B之值(A-B)作為捲曲量。評價之結果顯示於表1中。
(3)MD方向與TD方向之熱收縮率
如下所述地測量透明導電性薄膜及保護薄膜之各薄膜的長邊方向(MD方向)及寬度方向(TD方向)的熱收縮率。具體而言，切取寬度100mm、長度100mm之透明導電性薄膜及保護薄膜(試驗片)，並在4角部畫上叉號且藉由CNC三維測量機(Mitustoyo公司(股)製，LEGEX774)測量叉號之中央 部4點之MD方向及TD方向的加熱前長度(mm)。然後，投入烘箱中，進行加熱處理(130℃，90分鐘)。在室溫下放冷1小時後再藉由CNC三維測量機測量4角部4點之MD方向及TD方向的加熱後長度(mm)，並將其測量值代入下述式中，藉此分別求得MD方向及TD方向之熱收縮率。評價之結果顯示於表1中。熱收縮率(%)=[[加熱前之長度(mm)-加熱後之長度(mm)]/加熱前之長度(mm)]×100。評價之結果顯示於表1中。
(4)表面電阻之測量
依據JIS K7194，藉由4端子法測量。
(5)玻璃轉移溫度(Tg)之測量
玻璃轉移溫度(Tg)係依據JIS K7121之規定求得。
(6)重量平均分子量之測量
重量平均分子量係藉凝膠滲透層析法(GPC)進行測量。GPC之測量條件如下。
測量機器：TOSOH製商品名HLC-8120
GPC管柱：TOSOH製商品名G4000HXL+商品名G2000HXL+商品名G1000HXL(各7.8mmΦ×30cm，共計90cm)
管柱溫度：40℃
溶析液：四氫呋喃
流速：0.8ml/分
入口壓力：6.6MPa
標準試料：聚苯乙烯
Figure 104140773-A0202-12-0030-1
(結果及考察)
在實施例1至3之透明導電性薄膜積層體中，捲曲產生之方向在透明導電膜在上之情形中係凸方向，且捲曲產生量可控制為20至35mm。另一方面，在比較例1之透明導電性薄膜積層體中，在透明導電膜在上之情形中薄膜朝凹方向大幅捲曲，且無法測量4角部之捲曲值。在比較例2之透明導電性薄膜積層體中，捲曲產生之方向在透明導電膜在上之情形中係凹方向，且產生大幅捲曲，使端部浮起。若如比較例1至2地，在透明導電膜在上之情形中形成凹方向之捲曲，則無法藉吸盤吸附而難以加工。
1‧‧‧保護薄膜
2‧‧‧黏著劑層
3‧‧‧第二硬化樹脂層
4‧‧‧透明樹脂薄膜
5‧‧‧第一硬化樹脂層
6‧‧‧透明導電膜
10‧‧‧承載薄膜
20‧‧‧透明導電性薄膜
S1‧‧‧第一主面
S2‧‧‧第二主面

Claims (10)

  1. 一種透明導電性薄膜積層體，包含：承載薄膜，其在保護薄膜之至少一面側具有黏著劑層；及透明導電性薄膜，其透過前述黏著劑層可剝離地積層，前述透明導電性薄膜具有透明樹脂薄膜及透明導電膜，前述透明樹脂薄膜由非晶性環烯烴系樹脂構成，前述透明樹脂薄膜之厚度係20至150μm，前述承載薄膜積層在前述透明導電性薄膜之與透明導電膜相異的另一面側，前述保護薄膜由與形成前述透明樹脂薄膜之非晶性環烯烴系樹脂不同的非晶性樹脂形成，前述保護薄膜之非晶性樹脂的玻璃轉移溫度係130℃以上，前述保護薄膜之厚度係20至150μm，將前述透明導電性薄膜積層體切成20cm×20cm，使透明導電膜在上面並在130℃下加熱90分鐘後之中央部之捲曲值A與4角部之平均捲曲值B的差(A-B)為5至50mm。
  2. 如請求項1之透明導電性薄膜積層體，其中前述透明樹脂薄膜之非晶性環烯烴系樹脂的玻璃轉移溫度係130℃以上，並具有：第一硬化樹脂層，其設於前述透明樹脂薄膜之其中一第一主面側；及一第二硬化樹脂層，其設 於與前述透明樹脂薄膜之前述第一主面相反側的第二主面側。
  3. 如請求項1之透明導電性薄膜積層體，其中前述透明樹脂薄膜之非晶性環烯烴系樹脂的玻璃轉移溫度a與前述保護薄膜之非晶性樹脂的玻璃轉移溫度b之差(a-b)的絕對值為5℃以上。
  4. 如請求項1之透明導電性薄膜積層體，其中前述透明樹脂薄膜之非晶性環烯烴系樹脂與前述保護薄膜之非晶性樹脂係構成單位互相不同之樹脂。
  5. 如請求項1之透明導電性薄膜積層體，其中前述保護薄膜係由聚碳酸酯系樹脂構成，重量平均分子量為2×104以上，且在130℃下加熱90分鐘後之熱收縮率在MD及TD方向上為0.3%以下。
  6. 如請求項1之透明導電性薄膜積層體，其中在前述第一硬化樹脂層與前述透明導電膜之間更具有一層以上之光學調整層。
  7. 一種觸控面板，其使用如請求項1至6中任一項之透明導電性薄膜積層體而得。
  8. 一種加工之透明導電性薄膜之製造方法，包含以下步驟：加熱加工如請求項1至6中任一項之透明導電性薄膜積層體之透明導電性薄膜；及剝離透明導電性薄膜與承載薄膜。
  9. 如請求項8之透明導電性薄膜之製造方法，其中前述加熱加工之步驟係使前述透明導電膜結晶之步驟。
  10. 如請求項8之透明導電性薄膜之製造方法，其中前述加熱加工之步驟係乾燥由感光性金屬糊層形成之金屬配線的步驟。
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