TWI690096B - 導線架、封裝體及發光裝置、與該等之製造方法 - Google Patents
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- TWI690096B TWI690096B TW105119332A TW105119332A TWI690096B TW I690096 B TWI690096 B TW I690096B TW 105119332 A TW105119332 A TW 105119332A TW 105119332 A TW105119332 A TW 105119332A TW I690096 B TWI690096 B TW I690096B
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 59
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 76
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 76
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 16
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 5
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 6
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- -1 for example Polymers 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
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- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
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Abstract
本發明提供一種可製造安裝性良好之封裝體及發光裝置之導線架。
導線架3具備第1電極31及第2電極32、2個懸掛導線35、以及外框30,藉由與支持第1電極31及第2電極32之支持構件2組合,而形成具有用以安裝發光元件之第1凹部11之箱形封裝體,且第1電極31及第2電極32之下表面之至少一部分、懸掛導線35之下表面之至少一部分、以及支持構件2之預定形成區域之下表面之至少一部分係以成為同一平面之方式形成。第1電極31及第2電極32之下表面側角部31e帶有弧度,上表面側角部31d不帶弧度,懸掛導線35之上表面側角部35d帶有弧度,下表面側角部35e不帶弧度。
Description
本發明係關於一種導線架、封裝體及發光裝置、與該等之製造方法。
先前,已知有具有懸掛導線之導線架、使用該導線架之封裝體、及於該封裝體安裝有半導體發光元件之發光裝置(例如,參照專利文獻1、專利文獻2)。
封裝體係藉由對於外框連接有複數組電極及懸掛導線之導線架進行樹脂塑模等而形成。電極由包含樹脂之支持構件所支持,並且支持構件於側面由與導線架之外框連接之複數個懸掛導線所支持,從而構成為於將電極自外框切離時封裝體不離散。藉此,形成複數個封裝體藉由懸掛導線與外框連接而成之封裝體集合體。
又,藉由將封裝體向相對於導線架之外框面垂直之方向推出而將支持構件與懸掛導線分離,可將各個封裝體自集合體卸除。
[專利文獻1]日本專利特開2012-28699號公報
[專利文獻2]日本專利實用新型註冊第3168024號公報
例如,如專利文獻1所記載般,導線架係藉由對金屬板進行衝壓加工或蝕刻加工而製造。特別是衝壓加工,其雖為量產性優異之方法,但具有如下性質:衝壓加工機之衝頭側之金屬板面會成為邊緣下塌而帶有弧度之「塌邊面」,沖模側之金屬板面會成為邊緣易產生毛邊之「毛邊面」。
若以導線架之毛邊面自支持構件露出而相對於支持構件朝向外側之方式配置導線架來形成封裝體,則會因於電極部之毛邊面之邊緣產生之毛邊而損傷其他構件、或於安裝時發生隆起。為了避免該情況,以毛邊面之邊緣被支持構件覆蓋之方式配置導線架。因此,以導線架之塌邊面相對於支持構件朝向外側之方式配置上述導線架。
此時,形成於導線架之懸掛導線亦係以塌邊面相對於支持構件朝向外側之方式配置。懸掛導線係以前端部分咬入至支持構件之側面之方式設置,且於將封裝體單片化時會被分離。
此處,參照圖11A及圖11B對藉由先前之製造方法而製造之封裝體進行說明。圖11A係表示由懸掛導線支持之先前之封裝體之構成之剖視圖。圖11B係表示已自懸掛導線分離之先前之封裝體之構成之剖視圖。
為了獲得良好之安裝性,先前之封裝體1001係以安裝面即下表面1012上不出現電極1031之毛邊之方式且以導線架1003之毛邊面成為上表面之方式配置,支持電極1031之支持構件1002係藉由樹脂塑模而形成。根據先前之衝壓加工,導線架1003之電極1031及懸掛導線1035等構件係藉由自相同面側進行沖孔而形成。因此,懸掛導線1035亦係以毛邊面成為上表面即塌邊面成為下表面之方式形成。
若藉由樹脂塑模形成支持構件1002,則懸掛導線1035之前端部分1351以咬入至支持構件1002之外側面1021b、1021d之方式設置。此時,因懸掛導線1035之塌邊面即下表面側之角部1035e帶有弧度,故
樹脂會進入至樹脂塑模之下模之平坦之上表面與該帶有弧度之部分即塌邊部之間。藉此,於與導線架1003連接之狀態下,包含電極1031之下表面1031b及支持構件2之下表面1021e之封裝體1001之下表面1012形成為平坦面。
藉由自封裝體1001之下表面側施加按壓力,而使懸掛導線1035之前端部分1351脫離支持構件1002,從而將封裝體1001單片化。此時,於支持構件1002之外側面1021b、1021d形成懸掛導線1035之痕跡即凹部1024。進入至塌邊部之樹脂於懸掛導線1035因單片化而脫離時捲翹,成為突起狀之樹脂毛邊1027。此種樹脂毛邊1027於將封裝體1001安裝於電路基板等時,會對與該電路基板之密接性造成影響,存在使安裝性降低之擔憂。
本發明之實施形態之課題在於提供一種可製造安裝性良好之封裝體及發光裝置之導線架、封裝體及發光裝置、與該等之製造方法。
本發明之實施形態之導線架具備電極、與上述電極相隔而設之懸掛導線、以及與上述電極及上述懸掛導線連接之外框,藉由與用以支持上述電極之包含樹脂之支持構件組合,而形成具有用以安裝發光元件之第1凹部之箱形封裝體,且上述第1凹部於上表面側具有開口,側壁由上述支持構件所形成,底面之至少一部分由上述電極所形成,上述電極之下表面之至少一部分、上述懸掛導線之下表面之至少一部分、及上述支持構件之預定形成區域之下表面之至少一部分係以成為同一平面之方式形成,上述電極之下表面側之邊緣帶有弧度,而上表面側之邊緣不帶弧度,上述懸掛導線之上表面側之邊緣帶有弧度,而下表面側之邊緣不帶弧度。
又,本發明之導線架具備電極、與上述電極相隔而設之懸掛導線、與上述懸掛導線連接之外框、及支持上述電極之包含樹脂之支持
構件,藉由上述電極及上述支持構件,而形成具有用以安裝發光元件之第1凹部之箱形封裝體,且上述第1凹部於上表面側具有開口,側壁由上述支持構件所形成,底面之至少一部分由上述電極所形成,上述電極之下表面之至少一部分、上述懸掛導線之下表面之至少一部分、及上述支持構件之下表面之至少一部分係以成為同一平面之方式形成,上述電極之下表面側之邊緣帶有弧度,而上表面側之邊緣不帶弧度,上述懸掛導線之上表面側之邊緣帶有弧度,而下表面側之邊緣不帶弧度。
又,本發明之封裝體具備電極、及支持上述電極之包含樹脂之支持構件,並形成為具有用以安裝發光元件之第1凹部之箱形,且上述第1凹部於上表面側具有開口,側壁由上述支持構件所形成,底面之至少一部分由上述電極所形成,上述電極之下表面之至少一部分及上述支持構件之下表面之至少一部分係以成為同一平面之方式形成,上述電極之上表面側之邊緣及側面被上述支持構件覆蓋,並且下表面側之邊緣帶有弧度,而上表面側之邊緣不帶弧度,上述支持構件具有設置於側面之一部分及下表面之一部分之第2凹部,上述第2凹部之上端之內側之邊緣帶有弧度。
本發明之發光裝置具備上述封裝體及安裝於上述第1凹部內之發光元件。
本發明之導線架之製造方法所製造之導線架具備電極、與上述電極相隔而設之懸掛導線、以及與上述電極及上述懸掛導線連接之外框,藉由與用以支持上述電極之包含樹脂之支持構件組合,而形成具有用以安裝發光元件之第1凹部之箱形封裝體,且於該導線架之製造方法中,上述第1凹部於上表面側具有開口,側壁由上述支持構件所形成,底面之至少一部分由上述電極所形成,於藉由對金屬板進行衝壓加工而形成上述導線架時,利用衝頭對上述電極之周圍進行衝壓之
方向與利用衝頭對上述懸掛導線之周圍進行衝壓之方向彼此相反。
本發明之封裝體之製造方法包括如下步驟:藉由上述導線架之製造方法而形成上述導線架;藉由被上下分割且具有用以形成上述側壁之腔室之塑模模具之上模及下模,夾持上述導線架;向夾持有上述導線架之上述塑模模具內注入第1樹脂;及使注入至上述塑模模具內之上述第1樹脂硬化或固化;且於夾持上述導線架之步驟中,上述電極之毛邊面朝向設置有上述腔室之方向,並且上述電極之邊緣俯視時配置於設置有上述腔室之區域內,上述懸掛導線之前端俯視時配置於設置有上述腔室之區域內。
本發明之發光裝置之製造方法包括如下步驟:藉由上述封裝體之製造方法而形成上述封裝體;及於上述封裝體之上述第1凹部內安裝發光元件。
根據本發明之導線架、封裝體及發光裝置、與該等之製造方法,可製造安裝性良好之封裝體及發光裝置。
1:封裝體
1A:封裝體
2:支持構件(第1樹脂)
2A:支持構件(第1樹脂)
3:導線架
3a:上表面
3b:下表面
4:發光元件
5:金屬線
6:密封構件(第2樹脂)
11:第1凹部
11a:第1凹部之底面
12:下表面
20:支持構件之預定形成區域
20a:壁部之預定形成區域
21a:第1外側面
21b:第2外側面
21c:第3外側面
21d:第4外側面
21e:下表面
21f:內側面
22:壁部
22A:壁部
23:凸緣部
24:第2凹部
24a:上表面
24b:下表面
24c:側面
24d:上表面側角部(上端之內側之邊緣)
25:澆口痕
26:標記
30:外框
31:第1電極
31a:上表面
31b:下表面
31c:側面
31d:上表面側角部(上表面側之邊緣)
31e:下表面側角部(下表面側之邊緣)
32:第2電極
32a:上表面
32b:下表面
32c:側面
32d:上表面側角部(上表面側之邊緣)
32e:下表面側角部(下表面側之邊緣)
33:連結部
34:連結部
35:懸掛導線
35a:上表面
35b:下表面
35c:側面
35d:上表面側角部
35e:下表面側角部
36:貫通孔
37:貫通孔
38:貫通孔
100:發光裝置
311:內導線部
311a:前端
312:外導線部
312a:端面
313:第3凹部
313a:側面
321:內導線部
321a:前端
322:外導線部
322a:端面
323:第3凹部
323a:側面
351:前端部分
361:貫通孔
362:貫通孔
400:模具
410:衝頭
420:模具
430:衝頭
500:上模
501:空腔
502:澆口
510:下模
1001:封裝體
1002:支持構件
1003:導線架
1012:下表面
1021b:外側面
1021d:外側面
1021e:下表面
1024:凹部
1027:樹脂毛邊
1031:電極
1031b:下表面
1035:懸掛導線
1035e:下表面側之角部
1351:前端部分
圖1係表示第1實施形態之封裝體之構成之立體圖。
圖2A係表示第1實施形態之封裝體之構成之俯視圖。
圖2B係表示第1實施形態之封裝體之構成之仰視圖。
圖2C係表示第1實施形態之封裝體之構成之剖視圖,表示圖2A之IIC-IIC線之剖面。
圖3係表示第1實施形態之封裝體之製造方法之順序之流程圖。
圖4A係表示藉由第1實施形態之封裝體之製造方法之第1外形形成步驟而形成之導線架之構成之俯視圖。
圖4B係表示第1實施形態之封裝體之製造方法之第1外形形成步驟之剖視圖,表示相當於圖4A之IVB-IVB線之位置之剖面。
圖4C係表示第1實施形態之封裝體之製造方法之第1外形形成步驟之剖視圖,表示相當於圖4A之IVC-IVC線之位置之剖面。
圖5A係表示藉由第1實施形態之封裝體之製造方法之第2外形形成步驟而形成之導線架之構成之俯視圖。
圖5B係表示第1實施形態之封裝體之製造方法之第2外形形成步驟之剖視圖,表示相當於圖5A之VB-VB線之位置之剖面。
圖6A係表示第1實施形態之封裝體之製造方法之支持構件形成步驟之導線架設置步驟之剖視圖。
圖6B係表示第1實施形態之封裝體之製造方法之支持構件形成步驟之導線架設置步驟之俯視圖。
圖7A係表示第1實施形態之封裝體之製造方法之支持構件形成步驟之第1樹脂注入步驟之剖視圖,表示相當於圖6B之VIIA-VIIA線之位置之剖面。
圖7B係表示第1實施形態之封裝體之製造方法之支持構件形成步驟之第1樹脂注入步驟之剖視圖,表示相當於圖6B之VIIB-VIIB線之位置之剖面。
圖7C係表示第1實施形態之封裝體之製造方法之支持構件形成步驟之第1樹脂注入步驟之剖視圖,表示相當於圖6B之VIIC-VIIC線之位置之剖面。
圖8係表示第1實施形態之封裝體之製造方法之電極分離步驟之俯視圖。
圖9係表示第1實施形態之發光裝置之構成之立體圖。
圖10係表示第1實施形態之發光裝置之製造方法之順序之流程圖。
圖11A係表示由懸掛導線支持之先前之封裝體之構成之剖視圖。
圖11B係表示自懸掛導線分離出來之先前之封裝體之構成之剖視
圖。
以下,對實施形態之導線架、封裝體及發光裝置、與該等之製造方法進行說明。再者,於以下之說明中所參照之圖示係概略地表示本實施形態之圖,故而有時會將各構件之比例尺、間隔、或位置關係等放大或將構件之一部分圖示省略。又,於以下之說明中,相同名稱及符號原則上表示相同或等同之構件,會適當省略詳細說明。再者,「外側面」稱為「外側面」,「內側面」稱為「內側面」。
又,為了便於說明,於各圖中使用XYZ座標軸表示觀察方向。
[封裝體之構成]
參照圖1~圖2C對第1實施形態之封裝體之構成進行說明。
圖1係表示第1實施形態之封裝體之構成之立體圖。圖2A係表示第1實施形態之封裝體之構成之俯視圖。圖2B係表示第1實施形態之封裝體之構成之仰視圖。圖2C係表示第1實施形態之封裝體之構成之剖視圖,表示圖2A之IIC-IIC線之剖面。
第1實施形態之封裝體1整體形狀為大致長方體,且形成為具有於上表面開口之第1凹部11之箱形。此處,所謂箱形係指中空之形狀,於本實施形態中,封裝體1具有上表面開口之杯狀之形狀。於俯視時,上表面開口之杯狀之形狀係於角處帶有弧度之大致四角形,但亦可採用圓形形狀、橢圓形形狀、多角形形狀等。又,封裝體1具備第1電極31、極性與第1電極31不同之第2電極32、以及支持第1電極31及第2電極32之樹脂成形體即支持構件2。
第1凹部11係用以安裝發光元件4之腔室。第1凹部11之側面被支持構件2之壁部22包圍,底面11a包含第1電極31及第2電極32以及支持構件2。即,第1凹部11之底面11a之至少一部分包含第1電極31之內導
線部311及第2電極32之內導線部321。又,第1凹部11成為朝向開口方向(Z軸之+方向)擴展之形狀。封裝體1之下表面12係第1電極31及第2電極32之下表面31b、32b露出之、將封裝體1安裝於外部之安裝基板等時之安裝面。又,構成為第1電極31及第2電極32之下表面31b、32b與支持構件2之下端面即下表面21e成為同一平面,即,封裝體1之下表面12成為平坦面。
再者,於各圖中,以封裝體1之安裝面即下表面12成為與XY平面平行之面之方式設定座標軸。又,將第1電極31之前端311a與第2電極32之前端321a對向之方向即第1方向設為X軸方向,將於平行於安裝面之面內且與第1方向正交之第2方向設為Y軸方向。又,將垂直於安裝面之方向即封裝體1之高度方向設為Z軸方向。
支持構件2具備壁部22及凸緣部23。支持構件2可藉由使用樹脂材料之塑模成型而加以形成。
壁部22構成固定第1電極31及第2電極32並且包圍第1凹部11之側面之側壁。壁部22具有第1外側面21a、與第1外側面21a鄰接之第2外側面21b、與第2外側面21b鄰接且與第1外側面21a對向之第3外側面21c、以及與第1外側面21a及第3外側面21c鄰接之第4外側面21d。
第1外側面21a、第2外側面21b、第3外側面21c及第4外側面21d於支持構件2之下表面21e側至第1電極31及第2電極32之上表面之高度上與下表面21e垂直,於上述高度以上之高度上,越靠近上方(Z軸之+方向)越向內側傾斜。
再者,第1外側面21a、第2外側面21b、第3外側面21c及第4外側面21d亦可全部為垂直面或傾斜面。
又,構成第1凹部11之側面之壁部22之內側面21f自底面11a起越靠近開口越向外側傾斜。內側面21f亦可形成為垂直面,但較佳形成為向外側傾斜之傾斜面。藉由形成為傾斜面,可使由安裝於第1凹部
11內之發光元件發出並橫向傳播之光向開口方向反射,從而提高光提取效率。
凸緣部23係以俯視時自壁部22之第1外側面21a及第3外側面21c向外側突出之方式設置。凸緣部23俯視時以與外導線部312、322相同之厚度設置於外導線部312、322各自之兩旁。又,壁部22與凸緣部23係由相同材料一體地形成。因如此地一體成型,故可提高壁部22與凸緣部23之接合強度。
再者,亦可為凸緣部23僅存在於外導線部312、322中任一者之兩旁或一旁,亦可不具有凸緣部23。
於封裝體1中,第1電極31自第1外側面21a突出,第2電極32自第3外側面21c突出,但第1電極31及第2電極32未自第2外側面21b及第4外側面21d露出。即,第2外側面21b之全部及第4外側面21d之全部均係由與壁部22相同之材料即樹脂材料所形成。因此,於將封裝體1例如焊料接合於外部之安裝基板時,因焊料潤濕性低,故可減少焊料向第2外側面21b及第4外側面21d之洩漏。
於封裝體1中,於第2外側面21b及第4外側面21d之、第1電極31之前端311a與第2電極32之前端321a對向之第1方向(X軸方向)之大致中央部,分別設置有第2凹部24。第2凹部24係將支持構件2之下表面21e之一部分切除或使之凹陷而設置於第2外側面21b及第4外側面21d之下端部。
第2凹部24之大小並不特別限定,但X軸方向之寬度較佳為500~700μm,尤佳為600~650μm,Y軸方向之深度(進深)較佳為20~90μm,尤佳為40~60μm。第2凹部24之Z軸方向之高度與導線架3之高度(厚度)相同。
第2凹部24係於製造封裝體1所使用之導線架預先形成之2個懸掛導線之痕跡。於例如使用圖5A及圖5B所示之導線架3製造封裝體1之
情形時,第2凹部24成為與懸掛導線35之前端部分351相同之形狀。詳細情況將於下文敍述,懸掛導線35係以外緣之上表面側之邊緣帶有弧度而下表面側之邊緣不帶弧度之方式形成。
第2凹部24於俯視時形成為柱狀之外形,該柱狀具有越靠近支持構件2之內側即中心部則寬度越窄之前端變細之梯形形狀之底面。
第2凹部24係由上表面24a(支持構件2之下表面)、側面24c、支持構件2之下表面21e之假想延長面即下表面24b、及支持構件2之第2外側面21b(或第4外側面21d)之假想延長面所圍成之區域。又,第2凹部24之上端之內側之邊緣即連接上表面24a與側面24c之上表面側角部24d帶有弧度。
作為支持構件2所使用之樹脂材料(第1樹脂),例如可列舉熱塑性樹脂或熱固性樹脂。
於熱塑性樹脂之情形時,例如可使用聚鄰苯二甲醯胺樹脂、液晶聚合物、聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、不飽和聚酯等。
於熱固性樹脂之情形時,例如可使用環氧樹脂、改性環氧樹脂、矽酮樹脂、改性矽酮樹脂等。
為了於支持構件2之壁部22之內側面21f效率良好地反射光,亦可於支持構件2中含有反光性物質之粒子。反光性物質例如為氧化鈦、玻璃填料、二氧化矽、氧化鋁、氧化鋅等白色填料等含於樹脂材料中時外表面之反光性較高之材料。內側面21f相對於可見光之反射率較佳為70%以上,更佳為80%以上。特別地,於發光元件發出之光之波長區域內,反射率較佳為70%以上,更佳為80%以上。樹脂材料中之反光性物質之含量只要為5質量%以上50質量%以下即可,較佳為10質量%以上30質量%以下,但不限於此。
一對電極中之一者即第1電極31俯視時包含配置於支持構件2之壁部22之配置區域或壁部22之內側之內導線部311、及配置於壁部22
之外側之外導線部312。
一對電極中之另一者即第2電極32具有與第1電極31相同之形狀,於俯視時,以關於第1方向(X軸向)之中心線C大致線對稱之方式配置。
再者,第1電極31及第2電極32整體以大致相同之厚度形成。
第1電極31之內導線部311俯視時配置於較壁部22之外緣靠內側之區域,用以藉由黏晶或/及焊料或金屬線等將發光元件電性連接。內導線部311俯視時具有大致矩形形狀,但X軸方向之外側之寬度較內側(中央部側)窄。
又,第1電極31之外導線部312係以自支持構件2之第1外側面21a突出之方式設置,且係以與內導線部311之X軸方向之外側相同之寬度形成。又,外導線部312於俯視時之第2方向(Y軸方向)之兩旁設置有相同厚度之凸緣部23,並且於X軸向之端部設置有第3凹部313。於該第3凹部313未設置凸緣部23。
又,第1電極31之上表面31a及下表面31b為了提高反光性或/及與焊料等導電性接合構件之接合性,而被單層或多層地實施Ag、Au、Ni等之鍍敷處理。又,不對外導線部312之端面312a實施鍍敷處理,但對第3凹部313之側面313a實施鍍敷處理。藉此,於將第3凹部313例如焊料接合於外部之安裝基板時,焊料蔓延至上側面313a,形成焊腳,可提高接合強度。又,藉由觀察有無焊腳,可確認焊料接合是否良好。
再者,鍍敷處理所使用之金屬亦可根據實施鍍敷處理之目的,換言之,根據實施鍍敷處理之區域而不同。例如,對於上表面31a,主要為了提高反光性,亦可使用Ag,對於下表面31b及側面313a,主要為了提高與焊料等之接合性,亦可使用Au。
第2電極32之內導線部321、外導線部322及第3凹部323與第1電
極31之內導線部311、外導線部312及第3凹部313相同,故而省略詳細之說明。
再者,第3凹部313、323既可僅設置其中任一者,亦可兩者均不設置。又,第3凹部313、323之形狀亦可適當設定。又,亦可不設置上述自壁部22突出之凸緣部23及外導線部312、322。
第3凹部313、323之形狀並不特別限定,但較佳為俯視時為半圓形形狀、半橢圓形形狀、半長圓形形狀。於半橢圓形形狀或半長圓形形狀之情形時,短徑與長徑之比較佳為10:11~10:80,更較佳為10:15~10:60。例如,若半橢圓形形狀之或半長圓形形狀之短徑為50μm,則相對地長徑可設為160~320μm。
第1電極31之俯視時之外緣之下表面側之邊緣、即連接下表面31b與側面31c之下表面側角部31e帶有弧度。又,第1電極31之外緣之上表面側之邊緣即連接上表面31a與側面31c之上表面側角部31d不帶弧度。第1電極31之外形形狀係藉由下述製造方法之衝壓加工(沖孔加工)而形成,但係以該衝壓加工後之金屬板之毛邊面成為上表面31a、塌邊面成為下表面31b之方式使用。
此處,下表面側角部31e「帶有弧度」係指角部之曲率半徑較不帶弧度之上表面側角部31d大。第2電極32及懸掛導線35亦相同。
再者,第2電極32之上表面側之邊緣及下表面側之邊緣之形狀與第1電極31相同,故而省略說明。
[封裝體之製造方法]
其次,參照圖3~圖8對封裝體1之製造方法進行說明。
圖3係表示第1實施形態之封裝體之製造方法之順序之流程圖。圖4A係表示藉由第1實施形態之封裝體之製造方法之第1外形形成步驟而形成之導線架之構成之俯視圖。圖4B係表示第1實施形態之封裝體之製造方法之第1外形形成步驟之剖視圖,表示相當於圖4A之IVB-
IVB線之位置之剖面。圖4C係表示第1實施形態之封裝體之製造方法之第1外形形成步驟之剖視圖,表示相當於圖4A之IVC-IVC線之位置之剖面。圖5A係表示藉由第1實施形態之封裝體之製造方法之第2外形形成步驟而形成之導線架之構成之俯視圖。圖5B係表示第1實施形態之封裝體之製造方法之第2外形形成步驟之剖視圖,表示相當於圖5A之VB-VB線之位置之剖面。圖6A係表示第1實施形態之封裝體之製造方法之支持構件形成步驟之導線架設置步驟之剖視圖。圖6B係表示第1實施形態之封裝體之製造方法之支持構件形成步驟之導線架設置步驟之俯視圖。圖7A係表示第1實施形態之封裝體之製造方法之支持構件形成步驟之第1樹脂注入步驟之剖視圖,表示之相當於圖6B之VIIA-VIIA線之位置之剖面。圖7B係表示第1實施形態之封裝體之製造方法之支持構件形成步驟之第1樹脂注入步驟之剖視圖,表示之相當於圖6B之VIIB-VIIB線之位置之剖面。圖7C係表示第1實施形態之封裝體之製造方法之支持構件形成步驟之第1樹脂注入步驟之剖視圖,表示相當於圖6B之VIIC-VIIC線之位置之剖面。圖8係表示第1實施形態之封裝體之製造方法之電極分離步驟之俯視圖。
再者,圖4A係俯視圖,將藉由第1外形形成步驟之衝壓加工而形成貫通孔之區域塗上影線而加以表示。進而,於圖4B及圖4C中,將藉由第1外形形成步驟之衝壓加工而於導線架上形成貫通孔之區域塗上與圖4A相同之影線而加以表示。
又,圖5A亦係俯視圖,將藉由第2外形形成步驟之衝壓加工而於導線架上形成貫通孔之區域塗上影線而加以表示。進而,於圖5B中,將藉由第2外形形成步驟之衝壓加工而於導線架上形成貫通孔之區域塗上與圖5A相同之影線而加以表示。
又,於圖7C中,將第1電極31之外緣部及懸掛導線35之前端部分351之一部分(由虛線圓包圍之部分)放大而表示。
本實施形態之封裝體之製造方法包含導線架準備步驟S110、支持構件形成步驟S120、及電極分離步驟S130。
導線架準備步驟S110係藉由加工平板狀之金屬板而準備具備第1電極31及第2電極32以及懸掛導線35之導線架3之步驟。導線架準備步驟S110包含第1外形形成步驟S111、第2外形形成步驟S112、及鍍敷步驟S113。
第1外形形成步驟S111係藉由對平板狀之金屬板實施衝壓加工(沖孔加工),而除了懸掛導線35之外形以外形成第1電極31及第2電極32之外形及其他部位之外形之步驟。因此,該衝壓加工用之模具即模具400及衝頭410具有與用以形成第1電極31及第2電極32之外形之貫通孔361、以及用以形成設於外導線部312、322之端部之第3凹部313、323之貫通孔37對應之形狀之刃部。又,貫通孔361係以自懸掛導線35之外形線起餘留一定以上之寬度之方式形成,以可於第2外形形成步驟S112中良好地進行衝壓加工。又,貫通孔37係以橫跨支持構件2之預定形成區域20之外形線之方式形成。
於本步驟中,使用衝頭410,以導線架3之下表面3b成為塌邊面之方式自下表面3b側實施衝壓加工。藉此,第1電極31及第2電極32之外緣之下表面側之邊緣以帶有弧度之方式形成。
再者,於本實施形態中,將模具400配置於上側,將衝頭410配置於下側,但亦可將模具400配置於下側,將衝頭410配置於上側,亦可將模具400及衝頭410橫向配置。只要係藉由衝頭410自成為導線架3之下表面3b之側進行衝壓加工,便可設定為任何配置。
導線架3之原材料即金屬板只要係用於半導體元件之封裝體之導線架者,便不特別限定。金屬板之厚度根據封裝體之形狀或大小等適當選擇,例如可使用100~500μm左右之厚度之金屬板,更佳為120~300μm之厚度。又,作為金屬板之材料,例如可使用Cu系合金。
第2外形形成步驟S112係用以對藉由第1外形形成步驟S111形成第1電極31及第2電極32之外形後之導線架3實施用以形成懸掛導線35之外形之衝壓加工之步驟。因此,該衝壓加工用之模具即模具420及衝頭430具有與形成懸掛導線35之外形之貫通孔362對應之形狀之刃部。
再者,貫通孔362與貫通孔361連通而一體化,形成貫通孔36。
又,於貫通孔362之邊緣,使用衝頭430,以上表面3a成為塌邊面之方式自上表面3a側實施衝壓加工(沖孔加工或切斷加工)。藉此,懸掛導線35之外緣之上表面側之邊緣以帶有弧度之方式形成。
再者,與上述第1外形形成步驟S111同樣地,可將模具420及衝頭430中之任一者配置於下側,亦可將其等橫向配置。
又,第1外形形成步驟S111與第2外形形成步驟S112無論先進行哪個步驟均可。又,亦可使用以可藉由衝頭410、430分別自導線架3之上表面3a及下表面3b兩側進行衝壓加工之方式構成之複合模具,同時進行第1外形形成步驟S111及第2外形形成步驟S112。
又,導線架3只要係殘留於完成後之封裝體1之第1電極31及第2電極32之外緣之下表面3b成為塌邊面,且咬入至懸掛導線35之支持構件2之區域及與懸掛導線35之支持構件2相接之區域之上表面3a成為塌邊面即可,關於其他區域,下表面3b既可為毛邊面,亦可為塌邊面。
該步驟中所形成之導線架3之俯視時形成於支持構件2之預定形成區域20之內側之部分成為第1電極31及第2電極32。第1電極31之前端311a與第2電極32之前端321a於第1方向(X軸向)之中央部隔開間隔於第1方向上對向。又,第1電極31經由以自俯視時為矩形之支持構件2之預定形成區域20之一對短邊中之一者向外側延伸之方式設置之連結部33而與外框30連接,第2電極32經由以自另一短邊向外側延伸之方式設置之連結部34而與外框30連接。
又,2個懸掛導線35之前端部分351於第1方向之中央部,於第2方向(Y軸方向)上相互對向。又,懸掛導線35係以前端部分351成為俯視時為矩形之支持構件2之預定形成區域20之一對長邊之內側之方式配置,其等分別自所配置之長邊向外側延伸,與外框30連接。
前端部分351於俯視時具有梯形形狀。前端部分351之俯視形狀亦可為矩形形狀,但較佳為以越靠近支持構件2之預定形成區域20之內側則寬度越窄之方式前端變細之形狀。前端部分351之梯形形狀之大小並不特別限定,例如可設為上底400~500μm、下底500~700μm、高度50~150μm。前端部分351之俯視形狀例如亦可為半圓形或三角形等。2個前端部分351係以為了將封裝體1支持於導線架3上而咬入至支持構件2之一對外側面之方式配置,藉由形成為前端變細之形狀,可藉由施加適度之外力而將懸掛導線35之前端部分351自支持構件2卸除。
再者,對製造1個封裝體1之情形進行說明,但亦可按照一維或二維地排列之方式製造複數個封裝體1。於該該情形時,例如只要形成一維或二維地連續配置有圖4A所示之導線架3之導線架集合體即可。
鍍敷步驟S113係為了提高反光性或/及焊料接合性而對導線架3之表面實施Ag等之電鍍處理之步驟。於該步驟中,對導線架3之上表面及下表面、以及包括貫通孔36、37之內側面在內之側面進行鍍敷。
再者,亦可代替鍍敷步驟S114,使用表面被施以鍍敷處理後之金屬板作為導線架3之原材料,進行第1外形形成步驟S111及第2外形形成步驟S112。
支持構件形成步驟S120係使用第1樹脂將支持導線架3之第1電極31及第2電極32之支持構件2塑模成型之步驟。支持構件形成步驟S120包含導線架設置步驟S121、第1樹脂注入步驟S122、第1樹脂固化或硬
化步驟S123。
作為形成支持構件2所使用之樹脂材料(第1樹脂),可使用上述熱塑性樹脂或熱固性樹脂。於使用聚鄰苯二甲醯胺樹脂等熱塑性樹脂作為樹脂材料之情形時,可藉由射出成型法將支持構件2成型,於使用環氧樹脂等熱固性樹脂之情形時,可藉由傳遞成型法將支持構件2成型。
導線架設置步驟S121係將導線架3以藉由塑模模具即上模500及下模510夾持之方式設置之步驟。上模500具有與支持構件2之壁部22之形狀對應之空腔501、及與該空腔501鄰接之平坦部。又,空腔501於俯視時連成環狀。
導線架3係以於俯視時,支持構件2之預定形成區域20之壁部之預定形成區域20a與上模500之空腔501之外緣一致,並且貫通孔37成為空腔501之外側之方式對準配置。
又,於上模500之如下位置設置有用以將第1樹脂注入之澆口502,該位置係於與導線架3對準時,若俯視則處於導線架3之設置有貫通孔36之區域內,且為支持構件2之預定形成區域20之外側。
下模510之上表面為平坦面。又,導線架3之下表面3b整個區域均為平坦面。因此,藉由下模510及上模500夾持導線架3,第1電極31及第2電極32之下表面31b、32b與懸掛導線35之下表面35b成為同一平面。進而,因下模510之上表面為平坦面,故成為支持構件2之下端面之下表面21e亦與下表面31b、32b、35b成為同一平面。
再者,第1電極31、第2電極32及懸掛導線35亦可於一部分區域具有藉由彎曲加工等而不平坦之部位。於該情形時,於下表面31b、32b、35b內成為下端之區域只要以與成為支持構件2之下端面之下表面21e為同一平面之方式形成即可。
第1樹脂注入步驟S122係於藉由上模500及下模510夾持導線架3
之狀態下,自澆口502向塑模模具內注入第1樹脂之步驟。
此處,澆口502、貫通孔36、及空腔501連通,貫通孔37與該等空間不連通。因此,向貫通孔36及空腔501內注入第1樹脂,而不向貫通孔37注入樹脂。
又,第1樹脂進入至第1電極31及第2電極32之帶有弧度之下表面側角部31e、32e與下模510之上表面之間,但不進入至懸掛導線35之不帶弧度之下表面側角部35e與下模510之上表面之間。因此,於下述單片化步驟S240中,不會於卸除懸掛導線35後所形成之第2凹部24之下端產生樹脂毛邊。
第1樹脂固化或硬化步驟S123係使注入至塑模模具內之樹脂固化或硬化之步驟。
此處,於使用熱塑性樹脂作為樹脂材料之情形時,將使加熱熔融後之熱塑性樹脂冷卻而固體化之過程稱為「固化」。又,於使用熱固性樹脂作為樹脂材料之情形時,將使液狀之熱固性樹脂加熱而固體化之過程稱為「硬化」。
藉由使填充於上模500之空腔501及導線架3之貫通孔36內之第1樹脂固化或硬化,而於空腔501內形成壁部22,於貫通孔36內形成凸緣部23。又,凸緣部23係以於俯視時第1樹脂之成形體一直連續延伸至支持構件2之預定形成區域20之外側之區域為止之方式形成於貫通孔36內。導線架3之第1電極31及第2電極32由具備壁部22及凸緣部23之支持構件2牢固地支持。又,支持構件2係以2個懸掛導線35內之1個前端部分351分別咬入至作為外形形狀之長方體之一對對向面即第2外側面21b及第4外側面21d之方式配置。
因此,包含於本步驟中形成之支持構件2以及第1電極31及第2電極32之封裝體1藉由連結部33、34及懸掛導線35而與導線架3之外框30連接。
又,藉由將殘留於澆口502內之第1樹脂固體化,而形成澆口痕25。
電極分離步驟S130係將第1電極31及第2電極32自導線架3分離之步驟。該步驟可藉由對將第1電極31及第2電極32與外框30連結之連結部33、34進行衝壓加工(沖孔加工)而形成貫通孔38來進行。藉由該衝壓加工,以封裝體1側之邊界線與支持構件2之預定形成區域20之外形線一致之方式形成貫通孔38。此時,於貫通孔36內與凸緣部23連續而形成之第1樹脂之延伸部分與連結部33、34一併被除去。進而,形成於該延伸部之澆口痕25亦被除去。從而,不會於已完成之封裝體1上殘留澆口痕25。因此,可較薄地形成封裝體1。
再者,電極分離步驟S130亦係形成第1電極31及第2電極32之外導線部312、322之外形之步驟,故而由衝頭自導線架3之下表面3b側進行衝壓加工,以不於安裝面即下表面31b、32b產生毛邊。
又,藉由形成貫通孔38,以橫跨支持構件2之預定形成區域20之外形線之方式形成之貫通孔37之一部分形成為第1電極31及第2電極32之外導線部312、322之第3凹部313、323。
此處,由貫通孔38形成之外導線部312、322之端面312a、322a係導線架3之金屬板材料之露出面,第3凹部313、323之側面313a、323a因被施以鍍敷處理而與焊料之潤濕性良好。因此,於以第1電極31及第2電極32之下表面31b、32b為安裝面將封裝體1焊料接合時,可於側面313a、323a形成焊腳而提高接合強度。
又,如上所述,藉由確認有無形成焊腳,可判斷焊料接合是否良好。
又,藉由本步驟,第1電極31及第2電極32自導線架3分離,但封裝體1由懸掛導線35支持,並與導線架3連結。藉由相對於導線架3將封裝體1自下表面側向上表面側(向Z軸之+方向)推出,可將封裝體1自
導線架3卸除。
再者,於本實施形態中,藉由利用衝壓加工形成貫通孔38,而將第1電極31及第2電極32自導線架3分離,但不限於此。例如,亦可使用導線切割器沿著支持構件2之預定形成區域20之外形線進行切斷。
於本實施形態中,第1電極31、第2電極32及懸掛導線35係對稱性良好地配置,故而於將封裝體1自導線架3分離時,可減少對第1電極31及第2電極32施加之應力之不均。其結果,第1電極31及第2電極32難以變形,或難以自支持構件2分離。
又,因將懸掛導線35之前端部分351自支持構件2卸除之軌跡即第2凹部24之上端之內側之角部係帶有弧度而形成,故而於第2凹部24,支持構件2不易缺欠或斷裂。
於本實施形態中,支持構件2之俯視形狀為矩形,但亦可為圓形、橢圓形、或矩形以外之多角形。
又,於支持構件2咬入至第2外側面21b及第4外側面21d之懸掛導線35之前端部分351共計可為3個以上。進而,取而代之或除此以外,亦可以咬入至第1外側面21a或/及第3外側面21c之方式設置懸掛導線35。又,配置部位亦不限於各外側面之中央部,亦可設置於角部。
又,第1電極31與第2電極32亦可非線對稱地構成,而構成為其中任一者大於另一者。
又,於本實施形態中,第1電極31及第2電極32之下表面31b、32b係以於整個區域成為同一平面之方式平坦地形成,但亦可藉由實施彎曲加工等,而以一部分高於封裝體1之下端面之方式構成。於該情形時,高於封裝體1之下端面地構成之區域之外緣之下表面側之邊緣亦可不帶弧度。換言之,於該區域即使產生了毛邊亦不會與安裝基
板接觸,故而亦可於下表面31b成為毛邊面之方向上實施衝壓加工。
[發光裝置之構成]
其次,參照圖9對使用第1實施形態之封裝體之發光裝置之構成進行說明。圖9係表示第1實施形態之發光裝置之構成之立體圖。
第1實施形態之發光裝置100具備封裝體1A、安裝於封裝體1A之第1凹部11內之發光元件4、及覆蓋發光元件4之密封構件(第2樹脂)6。又,於本實施形態中,發光元件4使用金屬線5與第1電極31及第2電極32電性連接。
封裝體1A與上述封裝體1之不同點在於,具備壁部22A來代替壁部22,該壁部22A係將大致長方體形狀之外形之1個頂點切除或使之凹陷而成,且設置有表示第1電極31之極性之標記26。標記26之形狀、大小、及配置位置並不特別限定,例如,亦可設置於第2電極32側。又,亦可使用不具有標記26之封裝體1來代替封裝體1A。
因封裝體1A之其他構成與封裝體1相同,故省略詳細之說明。
發光元件4安裝於封裝體1A之第2電極32上。此處使用之發光元件4之形狀、大小、及半導體材料等並不特別限定。作為發光元件4之發光顏色,可根據用途選擇任意波長之發光顏色。適宜使用於近紫外至可見光區域具有發光波長之包含InXAlYGa1-X-YN(0≦X≦1,0≦Y≦1,X+Y≦1)所表示之氮化物半導體之發光元件。
於本實施形態中,發光元件4係正負電極配置於相同面側之面朝上安裝型之發光元件,但亦可為面朝下安裝型之發光元件,亦可為正負電極彼此配置於不同面側之發光元件。
金屬線5係用以將發光元件4或保護元件等電子零件與第1電極31或第2電極32電性連接之導電性之配線。作為金屬線5之材質,可列舉使用Au(金)、Ag(銀)、Cu(銅)、Pt(鉑)、Al(鋁)等金屬及其等之合金之材質,但尤佳為使用導熱率等優異之Au。再者,金屬線5之粗細並不
特別限定,可根據目的及用途適當選擇。
密封構件(第2樹脂)6係將安裝於封裝體1A之第1凹部11內之發光元件4等覆蓋之構件。密封構件6係為了保護發光元件4等不受外力、塵埃、水分等影響,並且使發光元件4等之耐熱性、耐候性、耐光性良好而設。作為密封構件6之材質,可列舉熱固性樹脂,例如矽酮樹脂、環氧樹脂、脲醛樹脂等透明材料。除了此種材料以外,為了使之具有特定之功能,亦可使之含有螢光體(波長轉換物質)、反光性物質、光擴散物質及其他填料。
密封構件6例如藉由含有螢光體之粒子,可容易調整發光裝置100之色調。再者,作為螢光體,可使用比重大於密封構件6且可吸收來自發光元件4之光並進行波長轉換之螢光體。若螢光體之比重大於密封構件6,則可使螢光體沈降而配置於第1電極31及第2電極32或發光元件4之表面附近。
具體而言,例如可列舉YAG(Y3Al5O12:Ce)或矽酸鹽等黃色螢光體、或CASN(CaAlSiN3:Eu)或KSF(K2SiF6:Mn)等紅色螢光體。
作為密封構件6中所含填料,例如適宜使用SiO2、TiO2、Al2O3、ZrO2、MgO等粒子。又,為了將非所需波長之光除去,例如亦可含有有機或無機之著色染料或著色顏料。
[發光裝置之製造方法]
其次,參照圖10及圖9對使用第1實施形態之封裝體之發光裝置之製造方法進行說明。圖10係表示第1實施形態之發光裝置之製造方法之順序之流程圖。
本實施形態之發光裝置之製造方法包括封裝體準備步驟S210、發光元件安裝步驟S220、密封步驟S230、及單片化步驟S240。
封裝體準備步驟S210包括導線架準備步驟S110、支持構件形成步驟S120、及電極分離步驟S130。封裝體準備步驟S210係實施上述
封裝體之製造方法之步驟,故而省略關於各步驟之詳細說明。
發光元件安裝步驟S220係將發光元件4安裝於封裝體1A之第1凹部11內之步驟。
於本實施形態中,發光元件4係於上表面側形成有n側電極及p側電極之單面電極構造之元件,面朝上安裝。因此,發光元件4之下表面側藉由絕緣性之黏晶構件而接合於第2電極32之上表面。又,發光元件4之n側電極及p側電極分別藉由金屬線5而與第1電極31及第2電極32中對應極性之電極之上表面連接。
於本實施形態中,發光元件4係正負電極配置於相同面側之面朝上安裝型之發光元件,但亦可為面朝下(覆晶)安裝型之發光元件,亦可為正負電極彼此配置於不同面側之發光元件。
密封步驟S230係藉由密封構件6將安裝於第1凹部11內之發光元件4、保護元件及金屬線5覆蓋之步驟。
本步驟係藉由於第1凹部11內塗佈密封構件6而進行。作為密封構件6之塗佈方法,可適當使用灌封法。藉由於將液狀之樹脂材料等填充於第1凹部11內之後使之固化或硬化,可形成密封構件6。根據灌封法,可將殘存於第1凹部11內之空氣有效地排出,故而較佳。又,作為向第1凹部11內填充密封構件6之方法,亦可使用各種印刷方法或樹脂成形方法。
單片化步驟S240係藉由將與導線架3之外框30連結之發光裝置100自懸掛導線35卸除而單片化之步驟。
如上所述,藉由相對於導線架3將封裝體1自下表面側向上表面側(向Z軸之+方向)推出,可將封裝體1自導線架3分離。
藉由按以上方式實施各步驟,可製造發光裝置100。
再者,發光元件安裝步驟S220及密封步驟S230亦可於封裝體準備步驟S210之支持構件形成步驟S120與電極分離步驟S130之間進
行。即,亦可於在封裝體1A未經單片化地藉由懸掛導線35、及連結部33、34牢固地連結於導線架3之狀態下進行發光元件4之安裝及其密封之後,將發光裝置100單片化。
又,發光元件安裝步驟S220及密封步驟S230亦可於電極分離步驟S130及單片化步驟S240之後進行。即,亦可於將封裝體1A單片化之後,進行發光元件4之安裝及其密封。
此外,亦能以適於以下條件之方式調換各步驟之順序。
電極分離步驟S130只要係於單片化步驟S240之前進行即可。因此,電極分離步驟S130亦可於發光元件安裝步驟S220及密封步驟S230之後、或於發光元件安裝步驟S220與密封步驟S230之間進行。
發光元件安裝步驟S220只要係於封裝體準備步驟S210之支持構件形成步驟S120之後且密封步驟S230之前進行即可。因此,發光元件安裝步驟S220亦可於電極分離步驟S130之後進行。又,發光元件安裝步驟S220亦可於單片化步驟S240之後進行。
密封步驟S230只要係於發光元件安裝步驟S220之後進行即可。因此,密封步驟S230亦可於電極分離步驟S130及單片化步驟S240之後進行。
藉由上述製造方法,於以下條件下製作圖9所示之發光裝置。
作為導線架之原材料,使用表面被施以鍍Ag後之Cu金屬板。
作為支持部件之材料,使用聚鄰苯二甲醯胺樹脂,並藉由射出成型法加以形成。
又,使支持構件之樹脂材料中含有氧化鈦粒子,並將支持構件之第1凹部之內側面之反射率設定為70%以上。該反射率係以發光元件之發光峰值之波長下之值為基準。
封裝體之外形具有縱向約為2.2mm、橫向約為1.4mm、高度約
為0.7mm之尺寸之箱形形狀。壁部之厚度約為0.12~0.30mm。導線架之厚度及凸緣部之厚度約為0.2mm。懸掛導線於俯視時呈大致梯形形狀,上底約為0.4mm,與外框連接之下底約為0.66mm,上底至下底之高度約為0.05mm。第3凹部之形狀於俯視時為大致半長圓形,長徑約為0.30mm,短徑約為0.05mm。
作為發光元件,使用於460nm附近具有發光峰值之氮化物系之藍色發光二極体。
密封構件使用矽酮樹脂。
於將發光元件安裝於封裝體之後,藉由衝壓加工之沖孔將第1電極及第2電極自外框切斷。此時,封裝體由懸掛導線所支持。其後,自封裝體之下表面側施加按壓力而將其自懸掛導線卸除除,藉此將發光裝置單片化。
單片化後之發光裝置(封裝體)可獲得安裝面即下表面側無樹脂毛邊之平坦面。
本發明之實施形態之發光裝置可用於照明用裝置、車載用發光裝置等。
3:導線架
11:第1凹部
12:下表面
21b:第2外側面
21e:下表面
22:壁部
30:外框
31:第1電極
31a:上表面
31b:下表面
31c:側面
31d:上表面側角部(上表面側之邊緣)
31e:下表面側角部(下表面側之邊緣)
35:懸掛導線
35a:上表面
35b:下表面
35c:側面
35d:上表面側角部
35e:下表面側角部
351:前端部分
500:上模
501:空腔
510:下模
Claims (9)
- 一種導線架,其具備電極、與上述電極相隔而設之懸掛導線、以及與上述電極及上述懸掛導線連接之外框,用以藉由與用以支持上述電極之包含樹脂之支持構件組合,而形成具有用以安裝發光元件之第1凹部之箱形之封裝體,且上述第1凹部於上表面側具有開口,側壁由上述支持構件所形成,底面之至少一部分由上述電極所形成,上述電極之下表面之至少一部分、上述懸掛導線之下表面之至少一部分、及上述支持構件之預定形成區域之下表面之至少一部分係以成為同一平面之方式形成,上述電極之下表面側之邊緣帶有弧度,而上表面側之邊緣不帶弧度,上述懸掛導線之上表面側之邊緣帶有弧度,而下表面側之邊緣不帶弧度。
- 一種導線架,其係具有支持構件之導線架,具備電極、與上述電極相隔而設之懸掛導線、與上述懸掛導線連接之外框、及支持上述電極之包含樹脂之支持構件,用以藉由上述電極及上述支持構件,而形成具有用以安裝發光元件之第1凹部之箱形之封裝體,且上述第1凹部於上表面側具有開口,側壁由上述支持構件所形成,底面之至少一部分由上述電極所形成,上述電極之下表面之至少一部分、上述懸掛導線之下表面之至少一部分、及上述支持構件之下表面之至少一部分係以成為同一平面之方式形成,上述電極之下表面側之邊緣帶有弧度,而上表面側之邊緣不 帶弧度,上述懸掛導線之上表面側之邊緣帶有弧度,而下表面側之邊緣不帶弧度。
- 一種封裝體,其係箱形之封裝體,具備電極、及支持上述電極之包含樹脂之支持構件,並具有用以安裝發光元件之第1凹部,且上述第1凹部於上表面側具有開口,側壁由上述支持構件所形成,底面之至少一部分由上述電極所形成,上述電極之下表面之至少一部分及上述支持構件之下表面之至少一部分係以成為同一平面之方式形成,上述電極之上表面側之邊緣及側面被上述支持構件覆蓋,並且下表面側之邊緣帶有弧度,而上表面側之邊緣不帶弧度,上述支持構件具有設置於側面之一部分及下表面之一部分之第2凹部,上述第2凹部之上端之內側之邊緣帶有弧度。
- 一種發光裝置,其具備如請求項3之封裝體及安裝於上述第1凹部內之發光元件。
- 一種導線架之製造方法,該導線架具備電極、與上述電極相隔而設之懸掛導線、以及與上述電極及上述懸掛導線連接之外框,用以藉由與用以支持上述電極之包含樹脂之支持構件組合,而形成具有用以安裝發光元件之第1凹部之箱形之封裝體;且於該導線架之製造方法中,上述第1凹部於上表面側具有開口,側壁由上述支持構件所形成,底面之至少一部分由上述電極所形成,於藉由對金屬板進行衝壓加工而形成上述導線架時,利用衝頭對上述電極之周圍進行衝壓之方向係當形成上述封裝體時自 成為上述電極之下表面之面朝向成為上表面之面之方向,而利用衝頭對上述懸掛導線之周圍進行衝壓之方向係當形成上述封裝體時自成為上述懸掛導線之上表面之面朝向成為下表面之面之方向。
- 一種封裝體之製造方法,其包括如下步驟:藉由如請求項5之導線架之製造方法而形成上述導線架;藉由被上下分割且具有用以形成上述側壁之腔室之塑模模具之上模及下模,夾持上述導線架;向夾持有上述導線架之上述塑模模具內注入第1樹脂;及使注入至上述塑模模具內之上述第1樹脂硬化或固化;且於夾持上述導線架之步驟中,上述電極之毛邊面朝向設置有上述腔室之方向,並且上述電極之邊緣於俯視時配置於設置有上述腔室之區域內,上述懸掛導線之前端於俯視時配置於設置有上述腔室之區域內。
- 一種發光裝置之製造方法,其包括如下步驟:藉由如請求項6之封裝體之製造方法而形成上述封裝體;及於上述封裝體之上述第1凹部內安裝發光元件。
- 如請求項7之發光裝置之製造方法,其中於將上述電極自上述外框切斷之後,藉由將上述封裝體自下表面側向上表面側推出而將其單片化。
- 如請求項7或8之發光裝置之製造方法,其中於安裝上述發光元件之後,進而於上述第1凹部內塗佈第2樹脂,藉此將上述發光元件密封。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015-157219 | 2015-08-07 | ||
JP2015157219A JP6260593B2 (ja) | 2015-08-07 | 2015-08-07 | リードフレーム、パッケージ及び発光装置、並びにこれらの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201709569A TW201709569A (zh) | 2017-03-01 |
TWI690096B true TWI690096B (zh) | 2020-04-01 |
Family
ID=58049286
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW109106020A TWI727672B (zh) | 2015-08-07 | 2016-06-20 | 導線架、封裝體及發光裝置 |
TW105119332A TWI690096B (zh) | 2015-08-07 | 2016-06-20 | 導線架、封裝體及發光裝置、與該等之製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW109106020A TWI727672B (zh) | 2015-08-07 | 2016-06-20 | 導線架、封裝體及發光裝置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10032972B2 (zh) |
JP (1) | JP6260593B2 (zh) |
CN (2) | CN111223977B (zh) |
TW (2) | TWI727672B (zh) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6332251B2 (ja) | 2015-12-09 | 2018-05-30 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置 |
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CN203967129U (zh) | 2014-06-06 | 2014-11-26 | 安徽盛烨电子有限公司 | 一种新型无毛屑led引线框架 |
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-
2015
- 2015-08-07 JP JP2015157219A patent/JP6260593B2/ja active Active
-
2016
- 2016-06-20 TW TW109106020A patent/TWI727672B/zh active
- 2016-06-20 TW TW105119332A patent/TWI690096B/zh active
- 2016-08-01 US US15/225,227 patent/US10032972B2/en active Active
- 2016-08-02 CN CN202010040577.0A patent/CN111223977B/zh active Active
- 2016-08-02 CN CN201610624376.9A patent/CN106449935B/zh active Active
-
2018
- 2018-06-25 US US16/017,583 patent/US10600944B2/en active Active
-
2020
- 2020-02-19 US US16/794,593 patent/US10886448B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10032972B2 (en) | 2018-07-24 |
TW201709569A (zh) | 2017-03-01 |
CN106449935B (zh) | 2020-02-07 |
US20200185583A1 (en) | 2020-06-11 |
CN106449935A (zh) | 2017-02-22 |
TW202025522A (zh) | 2020-07-01 |
CN111223977B (zh) | 2023-04-07 |
CN111223977A (zh) | 2020-06-02 |
JP6260593B2 (ja) | 2018-01-17 |
JP2017037919A (ja) | 2017-02-16 |
US20170040516A1 (en) | 2017-02-09 |
US10600944B2 (en) | 2020-03-24 |
TWI727672B (zh) | 2021-05-11 |
US10886448B2 (en) | 2021-01-05 |
US20180309037A1 (en) | 2018-10-25 |
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