TWI670463B

TWI670463B - 表面具備防黴作用之鰭片、具有鰭片之熱交換器、以及表面具備殺菌作用之金屬構件

Info

Publication number: TWI670463B
Application number: TW107118338A
Authority: TW
Inventors: 山田美穂; 箕浦潔; 中原隆裕; 楠本晃司
Original assignee: 日商夏普股份有限公司
Priority date: 2014-08-07
Filing date: 2015-07-22
Publication date: 2019-09-01
Also published as: TW201612487A; WO2016021367A1; US11280563B2; US10107574B2; TWI629445B; CN106662415A; JP6726335B2; JPWO2016021367A1; CN106662415B; JP2019150626A; CN109059605A; US20180252484A1; CN109059605B; JP6215476B2; JP6543311B2; US20170227305A1; TW201829974A; JP2018028148A

Abstract

本發明之熱交換器具有鰭片(50)，該鰭片(50)具有金屬基材(18Xr)、及形成於金屬基材上之多孔性陽極氧化層(14)，多孔性陽極氧化層之表面具有次微米級之凹凸結構，凹凸結構包含自表面之法線方向觀察時之二維大小超過100 nm且未達500 nm之複數個凹部(14Ap)、(14Bp)。

Description

表面具備防黴作用之鰭片、具有鰭片之熱交換器、以及表面具備殺菌作用之金屬構件

本發明係關於一種具有表面具備殺菌作用之鰭片之熱交換器、具有具備殺菌作用之表面之金屬構件、使用熱交換器之鰭片之表面或金屬構件之表面之抑制黴菌產生之方法及殺菌方法、以及具有金屬構件之電熱水器、飲料供給器及便當箱蓋。

最近，發表了黑矽、蟬或蜻蜓之翅膀所具有之奈米表面結構具有殺菌作用(非專利文獻1)。例如，黑矽具有高度為500 nm之奈米柱，該奈米柱之物理結構表現出殺菌作用。蟬或蜻蜓之翅膀具有高度為240 nm之奈米柱。根據非專利文獻1，關於對革蘭氏陰性菌之殺菌作用，黑矽最強，蜻蜓翅膀、蟬翅膀依序減弱。又，關於該等之表面相對於水之靜態接觸角(以下，有時簡稱為「接觸角」)，黑矽為80°，與此相對，蜻蜓翅膀為153°，蟬翅膀為159°。先前技術文獻專利文獻專利文獻1：日本專利第4265729號公報專利文獻2：日本專利特開2009-166502號公報專利文獻3：國際公開第2011/125486號專利文獻4：國際公開第2013/183576號專利文獻5：日本專利特開2010-175131號公報非專利文獻非專利文獻1：Ivanova, E. P. et al., "Bactericidal activity of black silicon", Nat. Commun. 4:2838 doi: 10.1038/ncomms3838(2013).

[發明所欲解決之問題] 根據非專利文獻1所記載之結果，利用奈米柱來殺滅細菌之機制並不明確。進而，並不明確黑矽具有較蜻蜓或蟬之翅膀強之殺菌作用之原因在於奈米柱高度或形狀之差異，抑或在於表面自由能(可利用接觸角進行評價)之差異。又，亦不明確殺菌作用是否依存於具有奈米柱之物質(黑矽及其他物質(例如金屬))而變化。進而，即便利用黑矽之殺菌作用，黑矽亦因缺乏量產性且較硬較脆故而存在形狀加工性較低之問題。本發明係為了解決上述問題而成者，其主要目的在於提供一種具有表面具備殺菌作用之鰭片之熱交換器、具有具備殺菌作用之表面之金屬構件、使用熱交換器之鰭片之表面或金屬構件之表面之抑制黴菌產生之方法及殺菌方法、以及具有金屬構件之電熱水器、飲料供給器及便當箱蓋。 [解決問題之技術手段] 本發明之實施形態之熱交換器具有鰭片，該鰭片具有金屬基材、及形成於上述金屬基材上之多孔性陽極氧化層，上述多孔性陽極氧化層之表面具有次微米級之凹凸結構，且上述凹凸結構包含自上述表面之法線方向觀察時之二維大小超過100 nm且未達500 nm之複數個凹部。於某一實施形態中，上述凹凸結構具有形成於鄰接之上述複數個凹部之間之突起部。於某一實施形態中，上述突起部具有藉由鄰接之上述複數個凹部之側面相交而形成之脊線。於某一實施形態中，上述複數個凹部之鄰接間距大於上述複數個凹部之上述二維大小。於某一實施形態中，上述複數個凹部之側面相對於上述表面之法線方向傾斜。於某一實施形態中，上述複數個凹部之側面之至少一部分為階梯狀。於某一實施形態中，上述表面相對於十六烷之靜態接觸角為110.4°以下。於某一實施形態中，上述表面相對於十六烷之靜態接觸角為29.3°以下。於某一實施形態中，上述表面係藉由表面處理劑進行處理。於某一實施形態中，上述表面處理劑具有胺基。於某一實施形態中，上述複數個凹部之鄰接間距超過20 nm且未達500 nm。於某一實施形態中，上述複數個凹部之上述二維大小為140 nm以上。於某一實施形態中，上述金屬基材為閥金屬。於某一實施形態中，上述多孔性陽極氧化層係藉由將閥金屬進行陽極氧化而形成。本發明之實施形態之金屬構件具備金屬基材、及形成於上述金屬基材上之多孔性陽極氧化層，上述多孔性陽極氧化層之表面具有次微米級之凹凸結構，且上述表面具有殺菌效果。於某一實施形態中，上述凹凸結構包含自上述表面之法線方向觀察時之二維大小超過100 nm且未達500 nm之複數個凹部。於某一實施形態中，上述表面相對於十六烷之靜態接觸角為110.4°以下。於某一實施形態中，上述表面相對於十六烷之靜態接觸角為29.3°以下。於某一實施形態中，上述表面係藉由表面處理劑進行處理。本發明之實施形態之抑制黴菌產生之方法係使水蒸氣接觸於上述任一熱交換器之上述鰭片之上述表面。本發明之實施形態之對氣體或液體殺菌之方法係使氣體或液體接觸於上述任一熱交換器之上述鰭片之上述表面。本發明之另一實施形態之抑制黴菌產生之方法係使水蒸氣接觸於上述任一金屬構件之上述表面。本發明之另一實施形態之對氣體或液體殺菌之方法係使氣體或液體接觸於上述任一金屬構件之上述表面。本發明之實施形態之電熱水器具有：容器，其收容飲用水，且對收容之上述飲用水進行加熱；出水口，其將經加熱之上述飲用水注出至外部；及抽水管，其設置於上述容器與上述出水口之間；上述抽水管於內側具有金屬基材、及形成於上述金屬基材上之多孔性陽極氧化層，上述多孔性陽極氧化層之表面具有次微米級之凹凸結構，且上述凹凸結構包含自上述表面之法線方向觀察時之二維大小超過100 nm且未達500 nm之複數個凹部。上述電熱水器例如為電熱水壺。本發明之實施形態之飲料供給器具有：容器，其收容飲用水且對收容之上述飲用水進行加熱；出水口，其將包含經加熱之上述飲用水之飲料注出至外部；及供水管，其設置於上述容器與上述出水口之間；上述供水管於內側具有金屬基材、及形成於上述金屬基材上之多孔性陽極氧化層，上述多孔性陽極氧化層之表面具有次微米級之凹凸結構，且上述凹凸結構包含自上述表面之法線方向觀察時之二維大小超過100 nm且未達500 nm之複數個凹部。上述飲料供給器例如為咖啡機。本發明之實施形態之便當箱蓋具有金屬基材、及形成於上述金屬基材上之多孔性陽極氧化層，上述多孔性陽極氧化層之表面具有次微米級之凹凸結構，且上述凹凸結構包含自上述表面之法線方向觀察時之二維大小超過100 nm且未達500 nm之複數個凹部。 [發明之效果] 根據本發明之實施形態，提供一種具有表面具備殺菌作用之鰭片之熱交換器、具有具備殺菌作用之表面之金屬構件、使用熱交換器之鰭片之表面或金屬構件之表面之抑制黴菌產生之方法及殺菌方法、以及具有金屬構件之電熱水器、飲料供給器及便當箱蓋。

以下，參照圖式對本發明之實施形態之金屬構件及熱交換器進行說明。再者，本發明並不限於以下所例示之實施形態。於以下之圖式中，具有實質上相同之功能之構成要素有利用共通之參照符號來表示並省略其說明之情況。再者，於本說明書中，使用以下用語。「殺菌(sterilization(microbicidal))」係指使物體或液體等對象物、或有限空間內所包含之能夠增殖之微生物(microorganism)之數量減少有效數量。「微生物」包含病毒、細菌(bacteria)、真菌(黴菌)。「抗菌(antimicrobial)」廣義地包含抑制、防止微生物之繁殖，且包含抑制由微生物引起之變黑或黏液。本申請人為了製造具有蛾眼結構之抗反射膜(抗反射表面)，而開發出使用於表面具有經翻轉之蛾眼結構之陽極氧化多孔性氧化鋁層之方法(例如，專利文獻1～4)。將專利文獻1～4之所有揭示內容引用至本說明書中以供參考。本發明者藉由應用上述技術，而開發出具有具備殺菌作用之表面之金屬構件、及具有表面具備殺菌作用之鰭片之熱交換器。參照圖1、圖2及圖3，對本發明之實施形態之金屬構件之結構進行說明。圖1(a)係表示本發明之實施形態之金屬構件100A之模式性剖視圖。圖1(b)係表示本發明之另一實施形態之金屬構件100B之模式性剖視圖。圖2(a)及圖2(b)分別表示金屬構件100A之模式性立體圖及俯視圖之一例。圖3(a)表示金屬構件100A之模式性俯視圖之一例。圖3(b)表示沿著圖3(a)中之3B-3B'線之金屬構件100A之模式性剖視圖之一例。圖3(c)表示沿著圖3(a)中之3C-3C'線之金屬構件100A之模式性剖視圖之一例。如圖1(a)所示，金屬構件100A具備金屬基材12、及形成於金屬基材12上之多孔性陽極氧化層14。多孔性陽極氧化層14之表面具有次微米級之凹凸結構。多孔性陽極氧化層14之表面具有殺菌效果。關於本發明之實施形態之金屬構件具有殺菌效果之情況，於下文中示出實驗例。多孔性陽極氧化層14之表面之凹凸結構例如包含複數個凹部14Ap。如圖1(a)所例示，於將凹部14Ap密集地排列，且於鄰接之凹部14Ap間不存在間隙(例如，如圖2(a)及圖2(b)所例示，圓錐之底面部分地重疊)之情形時，凹部14Ap之二維大小Dp與凹部14Ap之鄰接間距Dint相等。此處，凹部14Ap之「二維大小」係指自表面之法線方向觀察時之凹部14Ap之面積圓當量徑。例如，於凹部14Ap為圓錐形之情形時，凹部14Ap之二維大小相當於圓錐底面之直徑。凹部14Ap之二維大小Dp例如超過100 nm且未達500 nm。又，凹部14Ap之鄰接間距Dint例如超過20 nm且未達500 nm。凹部14Ap之典型深度為50 nm以上且未達1000 nm。金屬構件100A亦可進而具有形成於金屬基材12上之無機材料層16。金屬構件100A亦可進而於多孔性陽極氧化層14下具有金屬殘存層18r。如圖2(a)及圖2(b)所例示，於凹部14Ap為圓錐形之情形時，圓錐之底面亦可部分地重疊。於鄰接之凹部14Ap之間可形成脊線14r。脊線14r例如藉由鄰接之凹部14Ap相交而形成。例如，於凹部14Ap為圓錐形之情形時，可藉由圓錐側面之相交而形成脊線14r。如圖2(b)所例示，於自多孔性陽極氧化層14之表面之法線方向觀察時，凹部14Ap之中心14o係呈正三角格子狀地配置之情形時，脊線14r形成為以中心14o作為中心之正六邊形狀。進而，於正六邊形之頂點所處之部位，可形成尖狀突起14c。將脊線14r及尖狀突起14c統稱為突起部15。由於尖狀突起14c較脊線14r更突起，故而突起部15之前端可為複數個點(例如尖狀突起14c)。所謂突起部15之前端，例如為多孔性陽極氧化層14之表面之法線方向上之前端。認為金屬構件100A因於表面具有突起部15而具有殺菌作用。圖2(a)及圖2(b)中以虛線表示之圓係以凹部14Ap之中心14o作為中心且通過形成於正六邊形之頂點所處之部位之尖狀突起14c的圓。有將該圓之直徑稱為凹部14Ap之「假想直徑Dhd」之情況。於圖2(a)及圖2(b)所例示之情形中，凹部14Ap之假想直徑Dhd大於鄰接間距Dint及二維大小Dp(Dhd＞Dint＝Dp)。如圖3(a)所例示，於凹部14Ap為圓錐形之情形時，圓錐之底面亦可不相互重疊。如圖3(a)所例示，圓錐底面之圓亦可相互相接。於該情形時，於鄰接之凹部14Ap之間亦可不形成脊線14r。如圖3(a)所例示，於自多孔性陽極氧化層14之表面之法線方向觀察時，例如凹部14Ap之中心14o係呈正三角格子狀地配置之情形時，突起部15包含以中心14o作為中心之正六邊形之頂點所處之點14c、及點14c所包圍之突起區域14c'。突起區域14c'係例如於自表面之法線方向觀察時不形成凹部14Ap之區域。如圖3(b)所示，於沿著圖3(a)中之3B-3B'線之剖面中，點14c成為形成於鄰接之凹部14Ap之間之尖狀突起14c。如圖3(c)所示，於沿著圖3(a)中之3C-3C'線之剖面中，突起區域14c'可較點14c更突起。該情形之突起部15之前端例如並非點而為複數個區域(例如突起區域14c')。突起部15之前端例如可具有與突起區域14c'相同之二維大小。突起區域14c'之二維大小係指自表面之法線方向觀察時之突起區域14c'之面積圓當量徑。由於突起區域14c'係形成於次微米級之凹部14Ap之間，故而突起部15之前端之二維大小可為數百奈米級以下。因此，突起部15可具有殺菌性。於圖3(a)～(c)所例示之情形中，凹部14Ap之假想直徑Dhd與鄰接間距Dint及二維大小Dp相等(Dhd＝Dint＝Dp)。就表面之物理結構具有優異之殺菌作用之觀點而言，認為較佳為如圖2(a)及圖2(b)所例示，凹部14Ap之假想直徑Dhd大於鄰接間距Dint及二維大小Dp(Dhd＞Dint＝Dp)。原因在於，突起部15具有尖狀突起14c，突起部之前端可變成點。但是，認為不僅表面之物理結構、表面之化學性質(例如親油性)亦有助於金屬構件所具有之殺菌作用。即，如下文中示出實驗例所說明般，亦可對多孔性陽極氧化層14之表面賦予表面處理劑。表面處理劑例如包含脫模劑、矽烷偶合劑、親水性塗料、防腐蝕劑等。藉由對表面賦予表面處理劑，可調整金屬構件表面之親水性及/或親油性。例如，多孔性陽極氧化層14之表面相對於十六烷之靜態接觸角可為110.4°以下，進而亦可為29.3°以下。又，亦可對多孔性陽極氧化層14之表面賦予抗菌性塗料。藉由對表面賦予抗菌性塗料，可進一步提高殺菌作用。凹部14Ap之配置並不限於圖2及圖3所例示者，既可規則地配置，亦可不規則地(隨機地)配置。其次，參照圖1(b)對本發明之另一實施形態之金屬構件100B進行說明。圖1(b)所示之金屬構件100B於以下方面與金屬構件100A不同，即，多孔性陽極氧化層14之表面之凹凸結構包含複數個凹部14Bp。金屬構件100B除複數個凹部14Bp以外，可與金屬構件100A相同。如圖1(b)所示，凹部14Bp之鄰接間距Dint大於凹部14Bp之二維大小Dp(Dint＞Dp)。凹部14Bp之假想直徑Dhd與凹部14Bp之二維大小Dp相等(Dp＝Dhd)。於該情形時，由於鄰接之凹部14Bp不相交，故而不會於鄰接之凹部14Bp之間形成脊線14r。多孔性陽極氧化層14之表面之法線方向之前端例如形成面，且於該面中散佈複數個凹部14Bp。為了使金屬構件100B具有殺菌性，較佳為例如於凹部14Bp之二維大小Dp與凹部14Bp之鄰接間距Dint的關係中，(Dint－Dp)/Dint為0.9以下(即，Dp/Dint為0.1以上)。為了使金屬構件100B具有殺菌性，較佳為例如多孔性陽極氧化層14之表面經表面處理。例如，多孔性陽極氧化層14之表面相對於十六烷之靜態接觸角為110.4°以下。更佳為多孔性陽極氧化層14之表面相對於十六烷之靜態接觸角為29.3°以下。關於本發明之實施形態之金屬構件100A及100B之製造方法，例如，如下文所例示，可引用專利文獻2～4所記載之用以製作抗反射膜之模具之製造方法。藉此，能夠精度良好地控制凹部之大小及深度。又，可獲得均勻配置之凹部。但是，為了使用表面之殺菌作用，並不要求如對抗反射膜所要求之較高之均勻性，因此可簡化模具之製造方法。例如，亦可如參照圖6而於下文敍述之金屬構件100A'及100B'般將金屬基材(例如由閥金屬形成)之表面直接進行陽極氧化而製造。參照圖4(a)～圖4(e)對金屬構件100A之製造方法進行說明。首先，如圖4(a)所示，準備模具基材10作為模具基材，該模具基材10具有金屬基材12、形成於金屬基材12之表面之無機材料層16、及沈積於無機材料層16上之金屬膜18。金屬基材12例如為鋁基材。金屬膜18例如為鋁膜。以下，說明鋁基材12及鋁膜18之例。但本發明之實施形態之金屬構件並不限於此。金屬基材12及金屬膜18分別由例如閥金屬所形成。閥金屬為可陽極氧化之金屬之總稱，除鋁外，包含鉭(Ta)、鈮(Nb)、Mo(鉬)、鈦(Ti)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鋅(Zn)、鎢(W)、鉍(Bi)、銻(Sb)。閥金屬之陽極氧化係利用公知之方法進行。電解液之種類或電壓等條件可根據各金屬適當選擇、設定。又，陽極氧化膜之蝕刻液亦可根據各金屬選擇。例如，Ti之陽極氧化可於例如乙二醇與氟化銨之混合水溶液、包含硫酸及/或磷酸之水溶液等電解液中進行。作為Ti之蝕刻液，例如可使用包含選自由濃磷酸、熱濃硫酸、熱濃鹽酸所組成之群中之酸之水溶液、或氫氟酸混合水溶液(例如，包括氫氟酸/硝酸混合水溶液、氫氟酸/過氧化氫水混合水溶液、氟化銨/氫氟酸混合水溶液等)。金屬基材12及金屬膜18亦可分別由例如不鏽鋼形成。不鏽鋼並不屬於閥金屬，但已知其藉由陽極氧化而形成次微米級之自組織結構。使用304型不鏽鋼形成具有次微米級之凹部之陽極氧化膜例如記載於K. Kure et al., "Formation of self-organized nanoporous anodic film on Type 304 stainless steel", Electrochemistry Communications 21(2012)1-4.。將該文獻之所有揭示內容引用至本說明書中以供參考。再者，作為不鏽鋼之蝕刻液，例如，可使用王水(將濃鹽酸與濃硝酸以體積比3：1進行混合而成者)等。金屬基材12及金屬膜18可分別包含抗菌效果較高之金屬(例如，金(Au)、銀(Ag)、鉑(Pt)、或銅(Cu))。金屬基材12及金屬膜18亦可由相同金屬形成。例如，於金屬膜18由鈦形成之情形時，多孔性陽極氧化層14由氧化鈦形成。由於氧化鈦為光觸媒活性物質，故而金屬構件亦可藉由照射光而具有利用光觸媒之殺菌作用。作為鋁基材12，使用鋁純度為99.50質量%以上且未達99.99質量%之剛性相對較高之鋁基材。作為鋁基材12所含之雜質，較佳為包含選自由鐵(Fe)、矽(Si)、銅(Cu)、錳(Mn)、鋅(Zn)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉛(Pb)、錫(Sn)及鎂(Mg)所組成之群中之至少1種元素，尤佳為Mg。由於蝕刻步驟中之形成凹坑(凹陷)之機制為局部之電池反應，故而理想的是，較佳為使用完全不含較鋁貴之元素、而包含賤金屬之Mg(標準電極電位為-2.36 V)作為雜質元素的鋁基材12。若較鋁貴之元素之含有率為10 ppm以下，則就電化學之觀點而言，可謂實質上不含該元素。Mg之含有率較佳為整體之0.1質量%以上，進而較佳為約3.0質量%以下之範圍。若Mg之含有率未達0.1質量%，則無法獲得充分之剛性。另一方面，若含有率變大，則容易引起Mg之偏析。雖然即便於形成蛾眼用模具之表面附近產生偏析亦不會產生電化學方面之問題，但由於Mg形成與鋁不同之形態之陽極氧化膜，故而成為不良之原因。雜質元素之含有率只要根據鋁基材12之形狀、厚度及大小，與必需之剛性相應地適當設定即可。例如於藉由壓延加工製作板狀之鋁基材12之情形時，Mg之含有率為約3.0質量%較適當，於藉由擠出加工而製作具有圓筒等立體結構之鋁基材12之情形時，Mg之含有率較佳為2.0質量%以下。若Mg之含有率超過2.0質量%，則通常擠出加工性降低。作為鋁基材12，例如使用由JIS A1050、Al-Mg系合金(例如JIS A5052)、或Al-Mg-Si系合金(例如JIS A6063)形成之圓筒狀之鋁管。鋁基材12之表面較佳為實施過車刀切削。若於鋁基材12之表面殘留例如研磨粒，則於存在研磨粒之部分中，於鋁膜18與鋁基材12之間容易導通。於除研磨粒以外亦存在凹凸時，於鋁膜18與鋁基材12之間容易局部導通。若於鋁膜18與鋁基材12之間局部導通，則可能於鋁基材12內之雜質與鋁膜18之間局部地產生電池反應。作為無機材料層16之材料，例如可使用氧化鉭(Ta₂ O₅ )或二氧化矽(SiO₂ )。無機材料層16例如可藉由濺鍍法形成。於使用氧化鉭層作為無機材料層16之情形時，氧化鉭層之厚度例如為200 nm。無機材料層16之厚度較佳為100 nm以上且未達500 nm。若無機材料層16之厚度未達100 nm，則有鋁膜18中產生缺陷(主要為孔隙、即晶粒間之間隙)之情況。又，若無機材料層16之厚度為500 nm以上，則根據鋁基材12之表面狀態，容易使鋁基材12與鋁膜18之間絕緣。為了藉由自鋁基材12側對鋁膜18供給電流而進行鋁膜18之陽極氧化，電流必須於鋁基材12與鋁膜18之間流通。若採用自圓筒狀之鋁基材12之內面供給電流之構成，則無需於鋁膜18設置電極，故而可遍及整面地將鋁膜18陽極氧化，並且亦不會產生伴隨陽極氧化之進行而難以供給電流之問題，可遍及整面地將鋁膜18均勻地陽極氧化。又，為了形成較厚之無機材料層16，一般必須使成膜時間較長。若成膜時間變長，則鋁基材12之表面溫度不必要地上升，其結果，有鋁膜18之膜質惡化而產生缺陷(主要為孔隙)之情況。若無機材料層16之厚度未達500 nm，則亦可抑制此種不良情形之產生。鋁膜18例如專利文獻3所記載般為由純度為99.99質量%以上之鋁所形成之膜(以下，有稱為「高純度鋁膜」之情況)。鋁膜18係使用例如真空蒸鍍法或濺鍍法而形成。鋁膜18之厚度較佳為處於約500 nm以上且約1500 nm以下之範圍，例如為約1 μm。又，作為鋁膜18，亦可使用專利文獻4所記載之鋁合金膜來代替高純度鋁膜。專利文獻4所記載之鋁合金膜包含鋁、除鋁以外之金屬元素及氮。於本說明書中，「鋁膜」不僅包含高純度鋁膜，亦包含專利文獻4所記載之鋁合金膜。若使用上述鋁合金膜，則可獲得反射率為80%以上之鏡面。構成鋁合金膜之晶粒之自鋁合金膜之法線方向觀察時之平均粒徑例如為100 nm以下，鋁合金膜之最大表面粗糙度Rmax為60 nm以下。鋁合金膜所含之氮之含有率例如為0.5質量%以上且5.7質量%以下。較佳為，鋁合金膜所含之鋁以外之金屬元素之標準電極電位與鋁之標準電極電位之差之絕對值為0.64 V以下，且鋁合金膜中之金屬元素之含有率為1.0質量%以上且1.9質量%以下。金屬元素例如為Ti或Nd。然而，金屬元素並不限於此，亦可為金屬元素之標準電極電位與鋁之標準電極電位之差之絕對值為0.64 V以下之其他金屬元素(例如，Mn、Mg、Zr、V及Pb)。進而，金屬元素亦可為Mo、Nb或Hf。鋁合金膜亦可包含2種以上之該等金屬元素。鋁合金膜係藉由例如DC(direct current，直流)磁控濺鍍法形成。鋁合金膜之厚度亦較佳為處於約500 nm以上且約1500 nm以下之範圍，例如為約1 μm。其次，如圖4(b)所示，藉由將鋁膜18之表面18s陽極氧化，而形成具有複數個凹部(細孔)14Ap之多孔性陽極氧化層(多孔性氧化鋁層)14。多孔性氧化鋁層14具有具備凹部14Ap之多孔性層、及障壁層(凹部(細孔)14Ap之底部)。已知鄰接之凹部14Ap之間隔(中心間距)相當於障壁層之厚度之大致2倍，與陽極氧化時之電壓大致成比例。該關係對於圖4(e)所示之最終之多孔性氧化鋁層14亦成立。多孔性氧化鋁層14例如藉由在酸性之電解液中將表面18s陽極氧化而形成。形成多孔性氧化鋁層14之步驟中所使用之電解液例如為包含選自由草酸、酒石酸、磷酸、硫酸、鉻酸、檸檬酸、蘋果酸所組成之群中之酸的水溶液。例如，使用草酸水溶液(濃度0.3質量%、液溫10℃)以施加電壓80 V對鋁膜18之表面18s進行55秒鐘之陽極氧化，藉此形成多孔性氧化鋁層14。其次，如圖4(c)所示，藉由使多孔性氧化鋁層14與氧化鋁之蝕刻劑接觸而將其蝕刻特定量，藉此擴大凹部14Ap之開口部。藉由擴大凹部14Ap之開口部，凹部14Ap之二維大小Dp變大。若凹部14Ap之二維大小Dp與凹部14Ap之鄰接間距Dint相等，則可於鄰接之凹部14Ap之間形成突起部15。藉由調整蝕刻液之種類、濃度、及蝕刻時間，可控制蝕刻量(即，凹部14Ap之大小、深度、及突起部15前端之大小)。作為蝕刻液，例如可使用10質量%之磷酸、或甲酸、乙酸、檸檬酸等有機酸或硫酸之水溶液或鉻酸磷酸混合水溶液。例如，使用磷酸水溶液(10質量%、30℃)進行20分鐘之蝕刻。此後，如圖4(d)所示，亦可再次將鋁膜18部分地陽極氧化，藉此使凹部14Ap於深度方向成長並且使多孔性氧化鋁層14較厚。此處，凹部14Ap之成長係自已經形成之凹部14Ap之底部開始，故而凹部14Ap之側面成為階梯狀。再隨後，亦可視需要藉由使多孔性氧化鋁層14與氧化鋁之蝕刻劑接觸而進一步蝕刻，藉此進一步擴大凹部14Ap之孔徑。作為蝕刻液，此處亦較佳為使用上述蝕刻液，實際上只要使用相同蝕刻浴即可。如此，將上述陽極氧化步驟及蝕刻步驟例如交替地反覆進行複數次，如圖4(e)所示，可獲得於表面具有突起部15之金屬構件100A。於金屬構件100A中，凹部14Ap之二維大小Dp與凹部14Ap之鄰接間距Dint相等。圖4(e)所示之多孔性氧化鋁層14(厚度t_p )具有多孔性層(厚度相當於凹部14Ap之深度Dd)及障壁層(厚度t_b )。多孔性氧化鋁層14之厚度t_p 例如為約1 μm以下。多孔性氧化鋁層14所具有之凹部14Ap例如為圓錐形，亦可具有階梯狀之側面。如上所述，凹部14Ap之鄰接間距Dint相當於障壁層之厚度t_b 之大致2倍。再者，於圖4(e)所示之多孔性氧化鋁層14下方，存在鋁膜18中之未陽極氧化之金屬殘存層(鋁殘存層)18r。亦可視需要以不存在鋁殘存層18r之方式將鋁膜18實質上完全地陽極氧化。例如，於無機材料層16較薄之情形時，可自鋁基材12側容易地供給電流。此處所例示之金屬構件之製造方法可製造專利文獻2～4所記載之用以製作抗反射膜之模具。高精細顯示面板所使用之抗反射膜較佳為前端具有尖突之凸部。因此，於用以製作抗反射膜之模具之製造方法中，較佳為藉由將上述陽極氧化步驟及蝕刻步驟交替地反覆進行複數次(例如5次：進行5次陽極氧化及4次蝕刻)並以陽極氧化步驟結束，而使凹部14Ap之底部成為點。相對於此，關於金屬構件之殺菌作用，並不要求凹部14Ap之底部為點，故而可簡化上述模具之製造方法。例如，金屬構件之製造步驟可於陽極氧化步驟結束，亦可於蝕刻步驟結束。亦可藉由分別進行1次陽極氧化步驟及蝕刻步驟，而製造金屬構件100A。凹部14Ap之底部可如圖4(e)所例示般為點。凹部14Ap之底部並不限於此，亦可帶弧度。凹部14Ap之底部亦可平坦，即，凹部14Ap之形狀亦可為大致圓錐梯形。然而，為了形成突起部15，較佳為至少進行1次蝕刻步驟。其原因在於，凹部14Ap之二維大小Dp會因蝕刻步驟而擴大。例如，亦可適當地進行蝕刻步驟直至凹部14Ap之二維大小Dp與凹部14Ap之鄰接間距Dint相等。藉由交替地進行陽極氧化步驟及蝕刻步驟，凹部14Ap之側面例如相對於表面之法線方向傾斜。凹部14Ap之側面之至少一部分亦可為例如階梯狀。為了使金屬構件具有優異之殺菌作用，認為更佳為突起部15之前端為點。形成凹部14Ap之後，亦可適當地反覆進行陽極氧化步驟及/或蝕刻步驟直至鄰接之凹部14Ap之間之突起部15之前端成為點。例如，若使大致圓錐體狀之凹部14Ap之開口部擴大，則凹部14Ap之最遠離底面中心14o之部分最終殘留，可形成尖狀突起14c。藉由上述製造步驟獲得金屬構件100A之後，亦可視需要進行使金屬構件100A之表面穩定之處理(例如熱處理)。穩定化處理可不對凹部14Ap進行封孔而進行。例如，藉由將金屬構件100A放入烘箱進行熱處理，可使金屬構件100A之表面穩定。未實施穩定化處理之金屬構件有例如於與水接觸一定時間之後變色之情況。亦有金屬構件變色而變得透明之情況。此種變色(包含透明化)可藉由目測來確認。認為因金屬構件表面之經翻轉之蛾眼結構之形狀發生變化，金屬構件之表面會變色。若進行穩定化處理，則可防止金屬構件之變色及表面之經翻轉之蛾眼結構之形狀變化。例如，如下文揭示實驗例般於100℃以上且250℃以下之烘箱內進行了3小時之熱處理之金屬構件於與水接觸49小時後亦不變色。關於穩定化處理之具體條件，參照實驗例於下文敍述。圖1(b)所示之金屬構件100B例如亦可藉由將上述陽極氧化步驟與蝕刻步驟進行組合而製造。參照圖5(a)～(c)，對金屬構件100B之製造方法進行說明。首先，與參照圖4(a)及(b)所說明者同樣地，準備模具基材10，並將鋁膜18之表面18s陽極氧化，藉此形成具有複數個凹部(細孔)14Bp之多孔性氧化鋁層14。其次，如圖5(a)所示，藉由使多孔性氧化鋁層14與氧化鋁之蝕刻劑接觸而將其蝕刻特定量，藉此擴大凹部14Bp之開口部。此時，較參照圖4(c)所說明之蝕刻步驟減少蝕刻量。即，減小凹部14Bp之開口部之大小。例如，使用磷酸水溶液(10質量%、30℃)進行10分鐘之蝕刻。此後，如圖5(b)所示，再次將鋁膜18部分地陽極氧化，藉此使凹部14Bp於深度方向成長，並且使多孔性氧化鋁層14較厚。此時，例如較參照圖4(d)所說明之陽極氧化步驟使凹部14Bp成長得更深。例如，使用草酸水溶液(濃度0.3質量%、液溫10℃)以施加電壓80 V進行165秒鐘之陽極氧化(圖4(d)中為55秒鐘)。其後，亦可與參照圖4(e)所說明者同樣地，交替地反覆進行複數次蝕刻步驟及陽極氧化步驟。例如，藉由交替地反覆進行3次蝕刻步驟、3次陽極氧化步驟，如圖5(c)所示，可獲得金屬構件100B。此時，凹部14Bp之二維大小Dp小於鄰接間距Dint(Dp＜Dint)。藉由陽極氧化步驟及蝕刻步驟而形成之凹部14Bp除了二維大小Dp小於鄰接間距Dint之方面以外，亦可與凹部14Ap相同。凹部14Bp之製造步驟除了例如圖5(a)之蝕刻步驟中之蝕刻量以外，亦可與凹部14Ap之製造步驟相同。此處所例示之金屬構件100A及100B之製造方法可製造專利文獻2～4所記載之用以製作抗反射膜之模具。對於高精細之顯示面板所使用之抗反射膜，要求較高之均勻性，故而較佳為如上所述般進行鋁基材之材料之選擇、鋁基材之鏡面加工、鋁膜之純度或成分之控制，但對於殺菌作用並不要求較高之均勻性，故而可簡化上述模具之製造方法。例如，亦可將鋁基材之表面直接進行陽極氧化。又，認為即便此時因鋁基材所含之雜質之影響而形成凹坑，於最終獲得之金屬構件之凹凸結構亦僅產生局部之結構混亂，幾乎不會對殺菌作用造成影響。參照圖6對本發明之又一實施形態之金屬構件100A'及本發明之又一實施形態之金屬構件100B'之結構及製造方法進行說明。圖6(a)表示本發明之又一實施形態之金屬構件100A'之模式性剖視圖。圖6(b)表示本發明之又一實施形態之金屬構件100B'之模式性剖視圖。圖6(c)為用以說明金屬構件100A'及金屬構件100B'之製造方法之模式圖。金屬構件100A'係藉由將圖6(c)所例示之金屬基材18X之表面18s直接進行陽極氧化而製造，於該方面與金屬構件100A不同。金屬構件100A'係不準備圖4(a)所例示之模具基材10而製造。金屬構件100A'具有金屬基材18Xr來代替金屬構件100A所具有之金屬基材12、無機材料層16、及金屬殘存層18r，於該方面與金屬構件100A不同。金屬構件100A'除了上述方面以外可與金屬構件100A相同。金屬構件100A'之製造方法除了準備金屬基材18X之方面以外，可與金屬構件100A之製造方法相同。例如，於準備金屬基材18X之後，可藉由使用參照圖4(b)～圖4(e)產生上述多孔性陽極氧化層14之條件，而形成凹部14Ap。藉由將具有凹部14Ap之多孔性陽極氧化層14形成於殘存之金屬基材18Xr上，可獲得圖6(a)所示之金屬構件100A'。金屬基材18X係由能夠陽極氧化之金屬形成。金屬基材18X例如為閥金屬或不鏽鋼。金屬基材18X亦可包含抗菌效果較高之金屬(例如，金(Au)、銀(Ag)、鉑(Pt)、或銅(Cu))。具有規則排列之凹部之金屬構件(例如由鋁形成)100A'例如亦可以下述方式製造。專利文獻2～4所記載之用以製作抗反射膜之模具較佳為凹部排列之規則性較低，但於利用多孔性陽極氧化層之凹凸結構之殺菌性之情形時，認為凹部排列之規則性不存在影響。於準備鋁基材18X之後，進行以下步驟。只要於形成例如厚度為約10 μm之多孔性氧化鋁層之後，藉由蝕刻將所產生之多孔性氧化鋁層去除，其後於上述產生多孔性氧化鋁層之條件下進行陽極氧化即可。厚度為10 μm之多孔性氧化鋁層係藉由延長陽極氧化時間而形成。若如此產生相對較厚之多孔性氧化鋁層並將該多孔性氧化鋁層去除，則可不受到存在於鋁膜或鋁基材之表面之晶粒之凹凸或加工應變之影響，而形成具有規則排列之凹部之多孔性氧化鋁層。再者，多孔性氧化鋁層之去除較佳為使用鉻酸與磷酸之混合液。若長時間地進行蝕刻，則有產生電化學腐蝕之情況，但鉻酸與磷酸之混合液具有抑制電化學腐蝕之效果。關於圖6(b)所示之金屬構件100B'，多孔性陽極氧化層14表面之凹凸結構包含複數個凹部14Bp，於該方面與金屬構件100A'不同。金屬構件100B'除了複數個凹部14Bp以外，可與金屬構件100A'相同。金屬構件100B'之製造步驟除了形成複數個凹部14Bp之步驟以外，可與金屬構件100A'相同。金屬構件100B及金屬構件100B'之製造方法並不限於上述方法。金屬構件100B及金屬構件100B'亦可不進行蝕刻步驟而僅藉由陽極氧化步驟製造(例如參照下述樣品No.5)。於該情形時，凹部14Bp之形狀亦可為例如大致圓筒狀。凹部14Bp之側面亦可與表面之法線方向大致平行。以下，揭示實驗例而說明本發明之實施形態之金屬構件具有殺菌性。為了製作各樣品，於玻璃板上依序成膜氧化鉭層及鋁合金層(Al-Ti層)。交替地進行上述陽極氧化步驟及蝕刻步驟(陽極氧化步驟5次、蝕刻步驟4次)，於玻璃板上製作表面具有經翻轉之蛾眼結構之多孔性氧化鋁層，藉此獲得樣品No.1。樣品No.2係藉由對與樣品No.1相同者之表面賦予脫模劑而獲得。脫模劑係使用DAIKIN INDUSTRIES, Ltd.製造之OPTOOL DSX。以自上方流下之方式賦予脫模劑之後，利用旋轉塗佈機使樣品旋轉以使脫模劑均勻地遍佈於玻璃板上。樣品No.3及樣品No.4分別係藉由對與樣品No.1相同者之表面賦予矽烷偶合劑S1及矽烷偶合劑S2而獲得。矽烷偶合劑S1為信越化學工業股份有限公司製造之KBM-1403，不含胺基。矽烷偶合劑S2為信越化學工業股份有限公司製造之KBM-603，包含胺基。矽烷偶合劑S1及矽烷偶合劑S2分別由以下之化學式(結構式)(1)及(2)表示。 [化1](CH₃ O)₃ SiC₃ H₆ NHC₂ H₄ NH₂ (2) 矽烷偶合劑S1及S2係使用原液。對於樣品No.3及樣品No.4，還於對表面賦予矽烷偶合劑之後，利用旋轉塗佈機使樣品旋轉。對於樣品No.2～4，利用掃描型電子顯微鏡(SEM)觀察並確認多孔性氧化鋁層之表面之經翻轉之蛾眼結構未被脫模劑或矽烷偶合劑所填埋。圖7(a)表示利用SEM觀察樣品No.3之表面所得之SEM圖像，圖7(b)表示利用SEM觀察樣品No.3之剖面所得之SEM圖像。如圖7(a)及圖7(b)所示，可確認凹部未被填埋。對於其他樣品亦同樣地確認。測定22℃下之水及十六烷相對於各樣品之接觸角。測定係使用接觸角計(協和界面科學公司製造，PCA-1)。將5次測得之接觸角之平均值示於下述表1。 [表1] 殺菌性之評價係按以下順序進行。 1.準備菌數為1E＋05 CFU/mL之等級之細菌稀釋液A'。對細菌稀釋液A'中之菌數進行計數，為4.2E＋05 CFU/mL。 2.將作為營養源之1/500NB(Nutrient Broth，營養肉汁)培養基(利用殺菌水將NB培養基(榮研化學股份有限公司製造，普通肉汁培養基E-MC35)稀釋至500倍)放入1.之細菌稀釋液A'中(依據JIS2801之5.4a))。將該細菌稀釋液設為細菌稀釋液A。 3.將細菌稀釋液A分別滴加400 μL至樣品No.1～4各者之表面並蓋上蓋子。 4.將樣品No.1～4分別放入透明容器。容器中亦放入滴加有400 μL之殺菌水之脫脂棉以防止乾燥。 5.為了研究經過3種時間(0.1小時、4小時、及24小時)後之結果，製作3組上述3.及4.之樣品No.1～4之組合。 6.研究經過4小時及24小時後之結果之樣品組合係分別放入較大容器中。進而於較大容器內放入已裝入有150 mL之殺菌水之燒杯、及包含40 mL之殺菌水之吸水紙(kimtowel)以進一步防止乾燥。蓋上較大容器之蓋子，於35℃下培養各特定時間。 7.經過特定時間(0.1小時、4小時、及24小時)後，進行細菌之洗出。將9.6 mL之殺菌水裝入過濾袋中。將蓋子連同樣品放入過濾袋中並充分揉洗。將該菌液設為細菌稀釋液B。 8.利用殺菌水稀釋細菌稀釋液B。以將細菌稀釋液B稀釋至10倍者作為細菌稀釋液C，以將細菌稀釋液B稀釋至100倍者作為細菌稀釋液D。 9.將細菌稀釋液潑灑至Petrifilm，於35℃下培養2日，且對細菌稀釋液B中之菌數進行計數。潑灑至Petrifilm之細菌稀釋液於經過0.1小時後為細菌稀釋液C1 mL及細菌稀釋液D1 mL，於經過4小時後為細菌稀釋液C1 mL及細菌稀釋液D1 mL，於經過24小時後為細菌稀釋液B1 mL、細菌稀釋液C1 mL及細菌稀釋液D1 mL。將結果示於下述表2及圖8。圖8係表示相對於經過時間(h)之細菌稀釋液B中之菌數(CFU/mL)之曲線圖。再者，於圖8中，為了便於觀察，菌數為0之情形係繪製成0.01。 [表2] 由於細菌稀釋液B係將細菌稀釋液A(菌數為1E＋05 CFU/mL之等級)稀釋至25倍而獲得，故而若不存在樣品之殺菌效果，則菌數應為1E＋04 CFU/mL之等級。即，由於細菌稀釋液A'中之菌數為4.2E＋05 CFU/mL，故而若不存在樣品之殺菌效果，則認為細菌稀釋液B中之菌數大致為1.7E＋04 CFU/mL。由表2及圖8可知，於全部樣品No.1～4中，菌數減少，確認到殺菌作用。尤其是樣品No.1、樣品No.3及樣品No.4，即便於經過0.1小時後菌數亦減少，故而確認到殺菌作用具有速效性。又，樣品No.4中，經過0.1小時後菌數減少2位數，經過4小時後菌數為零。確認到樣品No.4之殺菌效果特別高。樣品No.1及樣品No.3之各個經過時間內之菌數之等級相同。如上述表1所示，樣品No.1及樣品No.3之相對於水及十六烷之接觸角之值分別為相近值。殺菌效果之結果接近可能係起因於樣品No.1及樣品No.3具有同等之撥水性及親油性。亦認為樣品No.4具有較樣品No.3優異之殺菌作用係起因於矽烷偶合劑S2所含之胺基。根據上述表1所示之接觸角之結果及上述表2之結果，可知為了使金屬構件具有優異之殺菌性，例如，較佳為相對於十六烷之接觸角為110.4°以下。相對於十六烷之接觸角進而較佳為29.3°以下。其次，對樣品No.5～7評價殺菌性。樣品No.5係使用與樣品No.1相同之材料形成。然而，不進行蝕刻步驟而僅進行1次陽極氧化步驟，藉此形成表面之凹凸結構。樣品No.6係藉由與樣品No.1相同之材料及相同之方法製作。如下述表3所示，相對於水及十六烷之接觸角顯示與樣品No.1大致相同之值。樣品No.7係表面不存在凹凸結構之PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)膜。不對樣品No.5～7之表面賦予表面處理劑。將利用SEM觀察樣品No.5及樣品No.6之表面所得之SEM圖像示於圖9(a)及圖9(b)。圖9(a)及圖9(b)分別為利用SEM以自表面之法線方向傾斜45°之角度觀察樣品No.5及樣品No.6之表面所得之SEM圖像。由圖9(b)可明確，於樣品No.6之表面，於鄰接之凹部(SEM圖像中之黑色部分)之間形成有突起部。相對於此，由圖9(a)可知於樣品No.5之表面未形成突起部。表面之凹部(SEM圖像中之黑色部分)之間具有大致平坦之面或平緩之曲線。各樣品之表面相對於水及十六烷之接觸角係藉由與上述相同之方法測定。將結果示於表3。 [表3] 樣品No.5～No.7之殺菌性評價與對於上述表2所說明之順序基本相同。然而，研究之經過時間係設為0.05小時、3小時、6小時、及24小時之4種。又，細菌稀釋液A'中之菌數為1.1E＋05 CFU/mL。因此，若無樣品之殺菌效果，則認為將細菌稀釋液A稀釋至25倍所獲得之細菌稀釋液B中之菌數大致為4.4E＋03 CFU/mL。將結果示於下述表4及圖9(c)。圖9(c)係對於樣品No.5～7表示相對於經過時間(h)之細菌稀釋液B中之菌數(CFU/mL)的曲線圖。再者，於圖9(c)中，為了便於觀察，菌數為0之情形係繪製成1。 [表4] 由表4及圖9(c)可明確，對於樣品No.5及樣品No.6均可確認到殺菌作用。尤其，樣品No.6具有較樣品No.5優異之殺菌性。由於對樣品No.5及樣品No.6之表面均未賦予任何物質，故而僅表面之物理結構不同。於僅比較表面之物理結構之情形時，可確認如樣品No.6般具有突起部之情況具有較如樣品No.5般不具有突起部之情況優異之殺菌作用。樣品No.7(PET)不具有殺菌作用，且菌數隨著經過時間而增加。其次，對樣品No.8及樣品No.9評價殺菌性。樣品No.8係藉由與樣品No.4相同之材料及相同之方法製作。如下述表5所示，相對於水及十六烷之接觸角顯示與樣品No.4大致相同之值。樣品No.9係藉由對素玻璃之表面塗佈矽烷偶合劑S2(與用於樣品No.4者相同)而獲得。樣品No.8及No.9之表面相對於水及十六烷之接觸角係藉由與上述相同之方法測定。將結果示於表5。 [表5] 樣品No.8及No.9之殺菌性評價與對於上述表2所說明之順序基本相同。然而，研究之經過時間係設為0.08小時、0.5小時、1小時、3小時及24小時之5種。又，細菌稀釋液A'中之菌數為2.6E＋05 CFU/mL。因此，若無樣品之殺菌效果，則認為將細菌稀釋液A稀釋至25倍所獲得之細菌稀釋液B中之菌數大致為1.0E＋04 CFU/mL。將結果示於下述表6及圖9(d)。圖9(d)係對於樣品No.8及No.9表示相對於經過時間(h)之細菌稀釋液B中之菌數(CFU/mL)的曲線圖。再者，於圖9(d)中，為了便於觀察，菌數為0之情形係繪製成0.1。 [表6] 由表6及圖9(d)可明確，對於樣品No.8及樣品No.9均可確認到殺菌作用。尤其，樣品No.8具有較樣品No.9優異之殺菌性。可知樣品No.8因表面之物理結構、及對表面賦予之矽烷偶合劑S2而具有特別優異之殺菌性。繼而，研究對本發明之實施形態之金屬構件所實施之穩定化處理之效果。準備3個藉由與樣品No.1相同之材料及相同之方法製作之樣品，並於分別不同之條件下實施穩定化處理(此處為熱處理)，藉此獲得樣品No.10～No.12。具體而言，將樣品No.10～No.12放入加熱前之烘箱之後，將烘箱加熱至達到特定溫度。所謂特定溫度，對於樣品No.10而言為250℃，對於樣品No.11而言為120℃，對於樣品No.12而言為100℃。樣品於投入至烘箱內時為經自然乾燥之狀態(即，樣品之表面乾燥)。達到各個特定溫度後將該溫度保持3小時，其後切斷烘箱之電源。烘箱成為常溫之後，將樣品自烘箱中取出。實施穩定化處理之後，樣品No.10～No.12均未發現變色。因此，認為藉由穩定化處理，樣品於表面所具有之經翻轉之蛾眼結構之形狀未發生變化。樣品No.13係藉由與樣品No.1相同之材料及相同之方法製作之樣品，且未實施穩定化處理。樣品No.10～No.13之多孔性氧化鋁層14之厚度t_p (參照圖4(e))為100 nm～300 nm。對樣品No.10～No.13之各者之表面滴加純水400 μL並蓋上蓋子。將樣品No.10～No.13分別放入至透明容器，並放入至37℃之恆溫槽。對於各個樣品，藉由目測觀察並研究經過特定時間(3小時、6小時、21小時、49小時、120小時及144小時)後是否產生變色。將結果示於下述表7。 [表7] 表7中，「○」表示不存在變色，「×」表示存在變色。「×」亦包含樣品中與純水接觸之部位變得透明之情況。透明化之部位亦存在若實驗後以與空氣接觸之狀態放置則變為黑色之情況。圖10表示利用SEM觀察樣品No.13中變得透明之部位之表面所得之SEM圖像。由圖10可明確，於金屬構件中之變得透明之部位中，表面之經翻轉之蛾眼結構之形狀發生了變化。由表7可知，未實施穩定化處理之樣品No.13於經過49小時後發現變色。於100℃下實施穩定化處理之樣品No.12於經過120小時後發現變色。於120℃及250℃下實施穩定化處理之樣品No.11及No.10於經過144小時後亦未發現變色。為了比較，使用完全未進行陽極氧化步驟及蝕刻步驟而製作之樣品，進行與上述樣品No.10～No.13相同之實驗。於該情形時，於所有條件(穩定化處理之有無、穩定化處理之溫度、經過時間)下，均未發現變色。對於金屬構件之變色機制，發明者進行了如下探討。認為金屬構件之變色係由金屬構件之表面之經翻轉之蛾眼結構之形狀發生變化所引起。本申請人發現，根據多孔性氧化鋁層14之厚度t_p 及/或凹部14Ap之形狀，多孔性氧化鋁層14可視為不同顏色(即，視為反射光著色)，將系統性研究之結果揭示於國際公開第2011/145625號。將國際公開第2011/145625號之所有揭示內容引用至本說明書中以供參考。認為金屬構件之變色例如由以下情況引起：多孔性氧化鋁層14之至少一部分與水進行反應，形成氫氧化鋁(Al(OH)₃ )或氧化鋁(Al₂ O₃ ・nH₂ O)或其水合物(Al₂ O₃ ・nH₂ O)，多孔性氧化鋁層14之厚度t_p 及/或凹部14Ap之形狀發生變化。認為金屬構件之變色係由與多孔性陽極氧化層之封孔處理中所使用之水合反應相同之反應所引起。進而，認為不僅多孔性氧化鋁層14與水反應，多孔性氧化鋁層14下之鋁殘存層18r亦與水或酸反應，而成為氫氧化鋁或氧化鋁或其水合物，由此金屬構件變得透明。根據發明者之研究，可知於部分地變色及透明化之樣品中，變得透明之部位較未變色之部位厚約3 μm。認為透明化之部位因上述氧化物或氫氧化物之形成而變得較其他部分厚。作為使多孔性陽極氧化層(例如多孔性氧化鋁層)之表面穩定化之處理，一般熟知封孔處理。藉由陽極氧化而形成之多孔性氧化鋁層本身之耐蝕性欠佳，藉由實施封孔處理，可獲得優異之耐蝕性。封孔處理係藉由將多孔性氧化鋁例如於高溫加壓水蒸氣中加以處理、或於沸騰之純水中煮沸而進行。認為若進行封孔處理，則多孔性氧化鋁層之一部分產生水合反應，藉此封住細孔(凹部)、或使細孔窄小。封孔處理較佳為於高溫下進行。對本發明之實施形態之金屬構件所實施之穩定化處理與一般所知之封孔處理於以下方面不同。穩定化處理係不將多孔性氧化鋁層14之細孔(凹部)14Ap封孔地進行。穩定化處理較佳為於不對表面所具有之經翻轉之蛾眼結構之形狀帶來變化之情況下進行。藉由此種穩定化處理，可不對本發明之實施形態之金屬構件所具有之殺菌效果造成影響，而提高金屬構件之耐蝕性。穩定化處理(例如熱處理)較佳為例如對乾燥之金屬構件進行。根據表7之結果，穩定化處理(例如熱處理)之溫度較佳為例如100℃以上。熱處理之溫度進而較佳為例如120℃以上。熱處理之時間為例如3小時。通常，若對經加工之金屬進行熱處理(退火)，則會產生被稱為恢復、再結晶及晶粒成長之3個過程。若使經加工之金屬之溫度緩慢上升，則首先於相對低溫下產生恢復。於恢復過程中，因塑性變形而產生於結晶中之晶格缺陷(例如點缺陷或轉移)消失。若升高溫度，則形成不存在應變之新晶粒(再結晶)，若進而升高溫度，則晶粒成長得更大(晶粒成長)。例如於鋁中，恢復係產生於大致200℃以下，再結晶係產生於大致200℃以上且350℃以下，晶粒成長係產生於大致350℃以上。為了不使多孔性氧化鋁層14之經翻轉之蛾眼結構之形狀發生變化，對本發明之實施形態之金屬構件所實施之穩定化處理較佳為不使晶粒之大小發生變化，即不產生晶粒成長。又，進而較佳為亦不產生再結晶。因此，穩定化處理(熱處理)之溫度較佳為例如350℃以下，進而較佳為250℃以下。又，若處理溫度較高，則有支持多孔性氧化鋁層14之金屬基材12、18Xr變形之虞。又，就抑制電力消耗之觀點而言亦為處理溫度較低者較佳。就此種觀點而言，穩定化處理(熱處理)之溫度較佳為例如未達150℃。由實驗例可明確，藉由對本發明之實施形態之金屬構件之表面實施穩定化處理，即便金屬構件與水接觸一定時間，亦可抑制金屬構件之變色及表面之經翻轉之蛾眼結構之形狀變化。因此，可抑制殺菌效果伴隨著表面結構之形狀變化而降低。本發明之實施形態之金屬構件亦可滿足例如高溫高濕環境下之殺菌作用(包含防黴作用)之需求。藉由實施穩定化處理，本發明之實施形態之金屬構件即便於高溫高濕之環境下亦不喪失其殺菌效果而可較佳地使用。又，藉由實施穩定化處理，本發明之實施形態之金屬構件可抑制其外觀之變化。因此，藉由實施穩定化處理，本發明之實施形態之金屬構件亦適宜用於例如下述內飾建材而不使其設計性受損。穩定化處理可於利用表面處理劑之處理之前進行，亦可於利用表面處理劑之處理之後進行。 (實施形態1) 本發明之實施形態之金屬構件適宜用於例如熱交換器。本發明之實施形態1為具備本發明之實施形態之金屬構件之熱交換器。可獲得藉由具備由本發明之實施形態之金屬構件形成之鰭片而具有殺菌作用之熱交換器。於熱交換器之鰭片會附著因空氣中之水分冷凝而產生之水。本發明之實施形態之熱交換器可抑制因附著於鰭片之水滴而產生黴菌。再者，本發明之實施形態1之熱交換器並不限於以下所例示者。參照圖11(a)～圖11(c)，對本發明之實施形態之熱交換器200A及本發明之另一實施形態之熱交換器200B進行說明。圖11(a)係本發明之實施形態1之熱交換器所具有之鰭片50之模式性剖視圖。圖11(b)及圖11(c)分別為本發明之實施形態之熱交換器200A及熱交換器200B之模式性剖視圖。如圖11(a)所示，鰭片50例如由金屬構件100A'形成。鰭片50具有金屬基材18Xr、及形成於金屬基材18Xr上之多孔性陽極氧化層14。多孔性陽極氧化層14之表面具有次微米級之凹凸結構。凹凸結構包含自表面之法線方向觀察時之二維大小超過100 nm且未達500 nm之複數個凹部14Ap。鰭片50具有與金屬構件100A'相同之表面結構(包含物理結構及化學性質)。如圖11(b)所示，熱交換器200A具有鰭片50。由於鰭片50具有具備殺菌作用之表面，故而熱交換器200A可具有殺菌效果。熱交換器200A之鰭片50並不限於金屬構件100A'，亦可由上述本發明之實施形態之金屬構件之任一者形成。熱交換器200A例如進而具有管體60。例如，管體60充滿冷媒，且於冷媒與熱交換器200A內之氣體或液體之間進行熱能之交換。熱能之交換係經由鰭片50進行。為了提高熱能之交換效率，較佳為鰭片50之表面積較大。如圖11(b)所示之熱交換器200A般，例如於大致平行地配置之管體60之間配置波型之鰭片50。或者亦可如圖11(c)所示之熱交換器200B般，以貫通大致平行地配置之鰭片50之方式將管體60呈波型地配置。熱交換器200B除鰭片50與管體60之配置以外，可與熱交換器200A相同。本發明之實施形態1之熱交換器例如可用於空調(air conditioner)、冰箱、或冷凍庫。空調包含室內空調及車載空調。關於本發明之實施形態1之熱交換器，由於鰭片之表面具有殺菌性，故而可抑制因附著於鰭片之水滴而產生黴菌。亦可具有對熱交換器內之液體或氣體之殺菌作用。關於本發明之實施形態1之熱交換器，由於鰭片之表面具有次微米級之凹凸結構，故而鰭片之表面積增大，可提高熱交換效率。上述專利文獻5揭示了於鰭片之表面具有因陽極氧化而形成之細孔之熱交換器。專利文獻5之熱交換器藉由在鰭片之表面具有細孔而謀求除水性能之提昇。於專利文獻5之熱交換器中，鰭片之細孔係不進行蝕刻步驟而藉由陽極氧化步驟形成，因此於鄰接之細孔之間未形成突起部。本發明之實施形態1之熱交換器可僅因鰭片之物理結構而具有殺菌作用。因此，可不增加成本及/或製造步驟而具有殺菌作用。進而，如上所述，藉由對鰭片之表面賦予表面處理劑(例如脫模劑或偶合劑)，可進一步提高殺菌作用。鰭片所具有之金屬基材例如由閥金屬形成。鰭片所具有之多孔性陽極氧化層例如係藉由將閥金屬陽極氧化而形成。作為形成金屬構件及/或多孔性陽極氧化層之金屬，亦可使用不鏽鋼。鰭片所具有之金屬基材例如為鋁基材，鰭片所具有之多孔性陽極氧化層例如為多孔性氧化鋁層。鋁因具有例如較輕、成本較低、熱導電性優異、可容易地加工之特徵，故而常用於鰭片。於鰭片之多孔性陽極氧化層係藉由將鈦陽極氧化而形成之情形時，由於氧化鈦為光觸媒活性物質，故而亦可藉由對鰭片照射光(例如紫外線)而獲得光觸媒之殺菌效果。可進而提高熱交換器之殺菌效果。例如，於用於室內之被螢光燈之光照射之空調、或設置於屋外被太陽光照射之室外機等之情形時，有不特意照射光(例如紫外線)而亦獲得光觸媒之殺菌效果之可能性。其次，參照圖12(a)～圖12(f)，對本發明之實施形態之散熱器(heat sink)210A及本發明之另一實施形態之散熱器210B進行說明。圖12(a)及圖12(d)分別為本發明之實施形態之散熱器210A及散熱器210B之模式性俯視圖。圖12(b)及圖12(c)分別為沿著圖12(a)中之12B-12B'線及12C-12C'線之散熱器210A之剖視圖。圖12(e)及圖12(f)分別為沿著圖12(d)中之12E-12E'線及12F-12F'線之散熱器210B之剖視圖。關於散熱器210A及散熱器210B，由於鰭片50具有具備殺菌作用之表面，故而散熱器210A及散熱器210B可具有殺菌效果。對散熱器內之氣體可具有殺菌作用。由於鰭片50之表面具有次微米級之凹凸結構，故而鰭片50之表面積增大，可提高散熱效率。散熱器210A例如進而具有平板70。於平板70上設置有鰭片50。自平板70之法線方向觀察時，鰭片50例如圖12(a)～圖12(c)所例示般為條狀。亦可如圖12(d)～圖12(f)所示之散熱器210B般，自平板70之法線方向觀察時，鰭片50例如排列成正方格子狀。本發明之實施形態之散熱器並不限於該等，鰭片50之形狀及配置可任意。例如，鰭片50亦可呈虛線狀地配置。例如，鰭片50亦可呈棋盤狀地配置。平板70之形狀亦不限於所圖示者，亦可為於圓形之平板70上將鰭片例如呈輻射狀地配置。於本說明書中，熱交換器包含例如散熱器(radiator)、蒸發器、冷凝器、冷卻器、加熱器、散熱器(heat sink)等各種熱交換器，並不限於所例示者。例如，本發明之實施形態1之熱交換器亦可用於冷風扇。冷風扇係利用水之氣化熱而降低空氣之溫度者。 (實施形態2) 本發明之實施形態之金屬構件亦適宜用於例如內飾建材。本發明之實施形態2係具備本發明之實施形態之金屬構件之內飾建材。再者，本發明之實施形態2之內飾建材並不限於以下所例示者。本發明之實施形態之金屬構件可用於例如門把手或扶手。藉由具有與本發明之實施形態之金屬構件相同之表面結構(包含物理結構及化學性質)，可具有殺菌作用。門把手或扶手由於頻繁地被手觸碰故而有水分及作為微生物之營養源之有機物附著之情況。本發明之實施形態之內飾建材可抑制因水分及/或有機物而產生微生物(包含黴菌)。本發明之實施形態之金屬構件例如可用於窗框所使用之框格。可獲得藉由具備與本發明之實施形態之金屬構件相同之表面結構(包含物理結構及化學性質)而具有殺菌作用之內飾建材。框格有例如因冷凝而附著有水滴之情況，但藉由具有殺菌作用，可抑制因水滴而產生黴菌。作為門把手或框格等內飾建材之材料，例如，可較佳地使用鋁或不鏽鋼。本實施形態之內飾建材可用於例如椅子。圖13模式性地表示使用本實施形態之內飾建材所製造之椅子60A。椅子60A係使用例如金屬構件100A'製造。椅子60A具有金屬基材18Xr、及形成於金屬基材18Xr上之多孔性陽極氧化層14。多孔性陽極氧化層14之表面具有次微米級之凹凸結構。凹凸結構包含自表面之法線方向觀察時之二維大小超過100 nm且未達500 nm之複數個凹部14Ap。可為椅子60A整體由金屬構件100A'形成，亦可為僅椅子60A之表面之一部分(例如座面60a及靠背60b之表面)由金屬構件100A'形成。椅子60A並不限於使用金屬構件100A'製造，而可使用上述本發明之實施形態之金屬構件之任一者製造。椅子60A之形狀並不限於所圖示者，可為各種公知之形狀。例如亦可不具有靠背。椅子60A亦可作為例如用於不特定之多人之椅子。椅子60A亦可設置於公共場所(例如車站或公園等)。椅子60A亦可不限於屋內而設置於屋外。本發明之實施形態之金屬構件之用途並不限於上述實施形態。例如，亦可用於日用雜貨。例如，亦可用於便當箱蓋。或者亦可用於廚房家電所使用之例如鋁製或不鏽鋼製之零件或管。廚房家電廣泛包含例如電熱水壺、咖啡機等。例如，亦可用於電熱水壺或咖啡機之設置於裝水之內容器與出水口之間之管。圖14(a)及(b)係模式性地表示本發明之實施形態之電熱水器(例如電熱水壺)70A及70B之剖視圖。如圖14(a)所示，電熱水器70A具有：容器72，其收容飲用水，且對收容之飲用水進行加熱；出水口74，其將經加熱之飲用水注出至外部；及抽水管50A(100A')，其設置於容器72與出水口74之間。抽水管50A係由例如金屬構件100A'形成。抽水管50A於內側具有金屬基材18Xr、及形成於金屬基材18Xr上之多孔性陽極氧化層14。多孔性陽極氧化層14之表面具有次微米級之凹凸結構。凹凸結構包含自表面之法線方向觀察時之二維大小超過100 nm且未達500 nm之複數個凹部14Ap。抽水管50A內側之表面具有與金屬構件100A'相同之表面結構(包含物理結構及化學性質)。抽水管50A亦可不限於金屬構件100A'而由上述本發明之實施形態之金屬構件之任一者形成。如圖14(a)所示，容器72及/或出水口74亦可由金屬構件100A'形成。即，容器72亦可於內側具有金屬基材18Xr、及形成於金屬基材18Xr上之多孔性陽極氧化層14。容器72之內側例如包含容器72內側之側面及底面。出水口74亦可於內側具有金屬基材18Xr、及形成於金屬基材18Xr上之多孔性陽極氧化層14。所謂出水口74之內側係指與飲用水接觸之表面。進而，容器72之蓋子72c亦可於內側具有金屬基材18Xr、及形成於金屬基材18Xr上之多孔性陽極氧化層14。電熱水器之形狀並不限於所圖示者，可為各種公知之形狀。例如，亦可為如圖14(b)所示之電熱水器70B般不具有抽水管之類型。電熱水器70B之容器72及/或出水口74亦可由金屬構件100A'形成。電熱水器之詳細結構已眾所周知，故而省略說明。圖15係模式性地表示本發明之實施形態之飲料供給器(例如咖啡機)80之剖視圖。如圖15所示，飲料供給器80具有：容器82，其收容飲用水，且對收容之飲用水進行加熱；出水口84，其將包含經加熱之飲用水之飲料注出至外部；及供水管50B(100A')，其設置於容器82與出水口84之間。供水管50B係由例如金屬構件100A'形成。供水管50B於內側具有金屬基材18Xr、及形成於金屬基材18Xr上之多孔性陽極氧化層14。多孔性陽極氧化層14之表面具有次微米級之凹凸結構。凹凸結構包含自表面之法線方向觀察時之二維大小超過100 nm且未達500 nm之複數個凹部14Ap。即，供水管50B內側之表面具有與金屬構件100A'相同之表面結構(包含物理結構及化學性質)。供水管50B亦可不限於金屬構件100A'而由上述本發明之實施形態之金屬構件之任一者形成。如圖15所示，容器82及/或出水口84亦可由金屬構件100A'形成。即，容器82亦可於內側具有金屬基材18Xr、及形成於金屬基材18Xr上之多孔性陽極氧化層14。容器82之內側例如包含容器82內側之側面及底面。出水口84亦可於內側具有金屬基材18Xr、及形成於金屬基材18Xr上之多孔性陽極氧化層14。所謂出水口84之內側係指與飲料接觸之表面。飲料供給器80亦可進而具有接受自出水口84注出之飲料之飲料盛具86。飲料盛具86亦可由金屬構件100A'形成。即，飲料盛具86亦可於內側具有金屬基材18Xr、及形成於金屬基材18Xr上之多孔性陽極氧化層14。飲料供給器之形狀並不限於所圖示者，可為各種公知之形狀。飲料供給器之詳細結構已眾所周知，故而省略說明。圖16係模式性地表示本發明之實施形態之便當箱90a及便當箱蓋90b之圖。如圖16所示，便當箱90a及便當箱蓋90b分別係使用例如金屬構件100A'製造。便當箱90a及便當箱蓋90b分別具有金屬基材18Xr、及形成於金屬基材18Xr上之多孔性陽極氧化層14。多孔性陽極氧化層14之表面具有次微米級之凹凸結構。凹凸結構包含自表面之法線方向觀察時之二維大小超過100 nm且未達500 nm之複數個凹部14Ap。即，便當箱90a及便當箱蓋90b之表面具有與金屬構件100A'相同之表面結構(包含物理結構及化學性質)。便當箱90a及便當箱蓋90b均不限於金屬構件100A'而可由上述本發明之實施形態之金屬構件之任一者形成。如圖16所示，便當箱90a及便當箱蓋90b於外側及內側具有凹凸結構。便當箱90a及便當箱蓋90b較佳為至少於內側具有凹凸結構。於外側及內側之表面藉由同一步驟(包含陽極氧化步驟及蝕刻步驟)形成凹凸結構時，可不增加製造步驟而於外側及內側之兩者設置凹凸結構。便當箱90a及便當箱蓋90b之形狀並不限於所圖示者，可為各種公知之形狀。 [產業上之可利用性] 本發明之實施形態之具有表面具備殺菌作用之鰭片之熱交換器例如可用於空調(air conditioner)、冰箱、冷凍庫等各種用途。本發明之實施形態之具有具備殺菌作用之表面之金屬構件可用於內飾建材或日用雜貨等各種用途。

10‧‧‧模具基材

12、18Xr‧‧‧金屬基材

14‧‧‧多孔性陽極氧化層

14Ap‧‧‧凹部

14Bp‧‧‧凹部

14c‧‧‧尖狀突起

14c'‧‧‧突起區域

14o‧‧‧中心

14r‧‧‧脊線

15‧‧‧突起部

16‧‧‧無機材料層

18‧‧‧金屬膜

18r‧‧‧金屬殘存層

18s‧‧‧表面

18X‧‧‧金屬基材

50‧‧‧鰭片

50A‧‧‧抽水管

50B‧‧‧供水管

60‧‧‧管體

60a‧‧‧座面

60A‧‧‧椅子

60b‧‧‧靠背

70‧‧‧平板

70A‧‧‧電熱水器

70B‧‧‧電熱水器

72‧‧‧容器

72c‧‧‧蓋子

74‧‧‧出水口

80‧‧‧飲料供給器

82‧‧‧容器

84‧‧‧出水口

86‧‧‧飲料盛具

90a‧‧‧便當箱

90b‧‧‧便當箱蓋

100A‧‧‧金屬構件

100B‧‧‧金屬構件

100A'‧‧‧金屬構件

100B'‧‧‧金屬構件

200A‧‧‧熱交換器

200B‧‧‧熱交換器

210A‧‧‧散熱器

210B‧‧‧散熱器

Dd‧‧‧深度

Dhd‧‧‧假想直徑

Dint‧‧‧鄰接間距

Dp‧‧‧二維大小

t_b‧‧‧厚度

t_p‧‧‧厚度

圖1(a)係本發明之實施形態之金屬構件100A之模式性剖視圖，(b)係本發明之另一實施形態之金屬構件100B之模式性剖視圖。圖2(a)係金屬構件100A之模式性立體圖之一例，(b)係金屬構件100A之模式性俯視圖之一例。圖3(a)係金屬構件100A之模式性俯視圖之一例，(b)係沿著(a)中之3B-3B'線之金屬構件100A之模式性剖視圖之一例，(c)係沿著(a)中之3C-3C'線之金屬構件100A之模式性剖視圖之一例。圖4(a)～(e)係用以說明金屬構件100A之製造方法及金屬構件100A之結構之圖。圖5(a)～(c)係用以說明金屬構件100B之製造方法及金屬構件100B之結構之圖。圖6(a)係本發明之又一實施形態之金屬構件100A'之模式性剖視圖，(b)係本發明之又一實施形態之金屬構件100B'之模式性剖視圖，(c)係用以說明金屬構件100A'及金屬構件100B'之製造方法之模式圖。圖7(a)係利用SEM(掃描型電子顯微鏡)觀察樣品No.3之表面所得之SEM圖像，(b)係利用SEM觀察樣品No.3之剖面所得之SEM圖像。圖8係表示樣品No.1～No.4之相對於經過時間(h)之細菌稀釋液B中之菌數(CFU/mL)的曲線圖。圖9(a)係利用SEM以自表面之法線方向傾斜45°之角度觀察樣品No.5之表面所得之SEM圖像，(b)係利用SEM以自表面之法線方向傾斜45°之角度觀察樣品No.6之表面所得之SEM圖像，(c)係表示樣品No.5～No.7之相對於經過時間(h)之細菌稀釋液B中之菌數(CFU/mL)的曲線圖，(d)係表示樣品No.8～No.9之相對於經過時間(h)之細菌稀釋液B中之菌數(CFU/mL)的曲線圖。圖10係表示利用SEM觀察樣品No.13之變得透明之部位之表面所得的SEM圖像之圖。圖11(a)係本發明之實施形態之熱交換器所具有之鰭片50之模式性剖視圖，(b)係本發明之實施形態之熱交換器200A之模式性剖視圖，(c)係本發明之另一實施形態之熱交換器200B之模式性剖視圖。圖12(a)係本發明之實施形態之散熱器210A之模式性俯視圖，(b)及(c)分別係沿著(a)中之12B-12B'線及沿著12C-12C'線之散熱器210A之剖視圖。(d)係本發明之另一實施形態之散熱器210B之模式性俯視圖，(e)及(f)分別係沿著(d)中之12E-12E'線及沿著12F-12F'線之散熱器210B之剖視圖。圖13係模式性地表示使用本發明之實施形態之內飾建材所製造之椅子60A之圖。圖14(a)係模式性地表示本發明之實施形態之電熱水器70A之剖視圖，(b)係模式性地表示本發明之另一實施形態之電熱水器70B之剖視圖。圖15係模式性地表示本發明之實施形態之飲料供給器80之剖視圖。圖16係模式性地表示本發明之實施形態之便當箱90a及便當箱蓋90b之圖。

Claims

一種鰭片，其具有金屬基材、及形成於上述金屬基材上之多孔性陽極氧化層，上述多孔性陽極氧化層之表面具有次微米級之凹凸結構，上述凹凸結構包含自上述表面之法線方向觀察時之二維大小超過100nm且未達500nm之複數個凹部，上述凹凸結構具有形成於鄰接之上述複數個凹部之間之突起部，上述突起部具有藉由鄰接之上述複數個凹部之側面相交而形成之脊線，上述複數個凹部包含大致圓錐形的部分，上述複數個凹部之深度為50nm以上且未達1000nm，上述表面具有防黴作用。
如請求項1之鰭片，其中上述複數個凹部之側面相對於上述表面之法線方向傾斜。
如請求項1或2之鰭片，其中上述複數個凹部之側面之至少一部分為階梯狀。
如請求項1或2之鰭片，其中上述表面相對於十六烷之靜態接觸角為110.4°以下。
如請求項1或2之鰭片，其中上述表面相對於十六烷之靜態接觸角為29.3°以下。
如請求項1或2之鰭片，其中上述表面相對於水之靜態接觸角為109.6°以下。
如請求項1或2之鰭片，其中上述表面藉由表面處理劑進行處理。
如請求項7之鰭片，其中上述表面處理劑具有胺基。
如請求項1或2之鰭片，其中上述表面賦予有抗菌性塗料。
如請求項1或2之鰭片，其中上述複數個凹部係不規則地配置。
如請求項1或2之鰭片，其中上述複數個凹部之鄰接間距超過100nm且未達500nm。
如請求項1或2之鰭片，其中上述複數個凹部之上述二維大小為140nm以上。
如請求項1或2之鰭片，其中上述金屬基材為閥金屬。
如請求項1或2之鰭片，其中上述多孔性陽極氧化層係將閥金屬進行陽極氧化而形成。
一種熱交換器，其具有如請求項1至14中任一項之鰭片。
一種金屬構件，其具有金屬基材、及形成於上述金屬基材上之多孔性陽極氧化層，上述多孔性陽極氧化層之表面具有次微米級之凹凸結構，上述凹凸結構包含自上述表面之法線方向觀察時之二維大小超過100nm且未達500nm之複數個凹部，上述凹凸結構具有形成於鄰接之上述複數個凹部之間之突起部，上述突起部具有藉由鄰接之上述複數個凹部之側面相交而形成之脊線，上述複數個凹部包含大致圓錐形的部分，上述複數個凹部之深度為50nm以上且未達1000nm，上述表面具有殺菌效果。
如請求項16之金屬構件，其中上述複數個凹部之側面相對於上述表面之法線方向傾斜。
如請求項16或17之金屬構件，其中上述複數個凹部之側面之至少一部分為階梯狀。
如請求項16或17之金屬構件，其中上述表面相對於十六烷之靜態接觸角為110.4°以下。
如請求項16或17之金屬構件，其中上述表面相對於十六烷之靜態接觸角為29.3°以下。
如請求項16或17之金屬構件，其中上述表面相對於水之靜態接觸角為109.6°以下。
如請求項16或17之金屬構件，其中上述表面藉由表面處理劑進行處理。
如請求項22之金屬構件，其中上述表面處理劑具有胺基。
如請求項16或17之金屬構件，其中上述表面賦予有抗菌性塗料。
如請求項16或17之金屬構件，其中上述複數個凹部係不規則地配置。
如請求項16或17之金屬構件，其中上述複數個凹部之鄰接間距超過100nm且未達500nm。
如請求項16或17之金屬構件，其中上述複數個凹部之上述二維大小為140nm以上。
如請求項16或17之金屬構件，其中上述金屬基材為閥金屬。
如請求項16或17之金屬構件，其中上述多孔性陽極氧化層係將閥金屬進行陽極氧化而形成。