TWI664079B - 密封薄膜、有機電激發光顯示裝置及有機半導體元件 - Google Patents

密封薄膜、有機電激發光顯示裝置及有機半導體元件 Download PDF

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Abstract

提供一種密封薄膜，係依照以下的順序具備基材薄膜、密封層及接著性層之密封薄膜，前述密封薄膜係具有1000MPa以上的拉伸彈性模數，而且在密封後之前述密封薄膜中設置在比起前述基材薄膜較靠近前述密封層側的層部分之遲滯值為20nm以下。

Description

密封薄膜、有機電激發光顯示裝置及有機半導體元件
本發明係有關於一種密封薄膜、以及具備該密封薄膜之有機電激發光顯示裝置及有機半導體元件。
在具備有機電激發光單元(以下，有適當地稱為「有機EL單元」之情形)、及有機半導體單元等的單元之有機電子元件，係設置有密封用構件。此種密封用構件，其態樣係藉由以將元件內部的有機材料密封的方式設置，而能夠防止有機材料因水蒸氣及氧而引起劣化，進而能夠防止元件的性能降低。作為此種構件，有提案揭示一種具備無機層之密封薄膜(參照專利文獻1)。
又，如前述的有機電子元件之中，在顯示裝置係設置用以防止外光映入畫面之抗反射薄膜。作為此種抗反射薄膜，已知具備將直線偏光板及1/4波長板組合而成的圓偏光板者(參照專利文獻2)。
先前技術文獻 專利文獻
[專利文獻1]日本特開2009-190186號公報
[專利文獻2]日本特開2012-032418號公報
為了使將密封薄膜設置在元件時的操作容易化，本發明者係嘗試在密封薄膜設置接著性層。但是，清楚明白具備此種接著性層之密封薄膜，在與具備圓偏光板之抗反射薄膜組合時，係有引起抗反射性能降低之情形。
又，近年來，元件的薄型化要求持續提高。隨著該要求的提高，係被持續要求將密封薄膜的厚度薄化。但是，將密封薄膜的厚度薄化時，有密封薄膜的機械強度降低且該密封薄膜的韌性消失之可能性。此種無韌性的薄膜，因為操作性低而有難以適當地密封之情形。
因為本發明係鑒於前述情形而發明者，其目的係提供一種密封薄膜、以及具備該密封薄膜之有機電激發光顯示裝置及有機半導體元件，其中該密封薄膜係在與具備圓偏光板之抗反射薄膜組合時，不容易引起抗反射性能降低，而且具有優異的操作性且能夠良好地密封。
本發明者係為了解決前述課題而專心研討。其結果，本發明者係發現一種依照以下的順序具備基材薄膜、密封層及接著性層之密封薄膜，係使密封薄膜的拉伸彈性模數落入預定範圍，而且使在密封薄膜中設置在比起基材薄膜較靠近密封層側的層部分之遲滯值落入預定範圍者。
而且，本發明者係得到使用該密封薄膜與具備圓偏光板之抗反射薄膜組合時，不容易引起抗反射性能降低，而且具有優 異的操作性且能夠良好地密封之知識，而完成了本發明。
亦即，本發明係如以下。
[1]一種密封薄膜，係依照以下的順序具備基材薄膜、密封層及接著性層之密封薄膜，前述密封薄膜係具有1000MPa以上的拉伸彈性模數， 在密封後之前述密封薄膜中設置在比起前述基材薄膜較靠近前述密封層側的層部分之遲滯值為20nm以下。
[2]如[1]所述之密封薄膜，其中前述接著性層係含有氫化嵌段共聚物彈性體。
[3]如[2]所述之密封薄膜，其中前述氫化嵌段共聚物彈性體，係將嵌段共聚物的總不飽和鍵之90%以上氫化而成之氫化物，前述嵌段共聚物係具有將芳香族乙烯系化合物單元設作主成分且每1分子共聚物由2個以上的聚合物嵌段[A]、以及將鏈狀共軛二烯化合物單元設作主成分且每1分子共聚物有1個以上的聚合物嵌段[B]，在前述嵌段共聚物全體所佔有之總聚合物嵌段[A]的重量分率wA與總聚合物嵌段[B]的重量分率wB之比(wA/wB)為20/80~60/40。
[4]如[1]~[3]項中任一項所述之密封薄膜，其中前述基材薄膜包含脂環式烯烴樹脂。
[5]一種有機電激發光顯示裝置，係具備如[1]~[4]項中任一項所述之密封薄膜。
[6]一種有機半導體元件，係具備[1]~[4]項中任一項所述之密封薄膜。
依照本發明，能夠提供一種密封薄膜、以及具備該密封薄膜之有機電激發光顯示裝置及有機半導體元件，其中該密封薄膜係在與具備圓偏光板之抗反射薄膜組合時，不容易引起抗反射性能降低，而且具有優異的操作性且能夠良好地密封。
100‧‧‧密封薄膜
110‧‧‧基材薄膜
120‧‧‧密封層
130‧‧‧接著性層
200‧‧‧有機EL顯示裝置
210‧‧‧組合體
210U‧‧‧組合體的上表面
211‧‧‧基板
211U‧‧‧基板的上表面
212‧‧‧第一電極層
213‧‧‧邊緣覆蓋層
214‧‧‧發光層
215‧‧‧第二電極層
220‧‧‧密封薄膜
221‧‧‧基材薄膜
222‧‧‧密封層
223‧‧‧接著性層
224‧‧‧密封薄膜之由密封層及接著性層所構的層部分
300‧‧‧有機EL顯示裝置
310‧‧‧抗反射薄膜
311‧‧‧直線偏光板
312‧‧‧1/4波長板
400‧‧‧有機EL顯示裝置
420‧‧‧密封薄膜
421‧‧‧基材薄膜
500‧‧‧有機EL顯示裝置
510‧‧‧預密封層
510U‧‧‧預密封層的上表面
600‧‧‧有機EL顯示裝置
610‧‧‧吸附劑層
700‧‧‧有機半導體元件
710‧‧‧組合體
710U‧‧‧組合體的上表面
711‧‧‧基板
712‧‧‧閘極電極
713‧‧‧閘極電極絕緣層
714‧‧‧源極電極
715‧‧‧汲極電極
716‧‧‧半導體層
800‧‧‧構造體
第1圖係示意性地顯示本發明的密封薄膜的一個例子之剖面圖。
第2圖係示意性地顯示本發明的第一實施形態之有機EL顯示裝置之縱剖面圖。
第3圖係示意性地顯示在本發明的第一實施形態之有機EL顯示裝置所含有的組合體之斜視圖。
第4圖係示意性地顯示本發明的第二實施形態之有機EL顯示裝置之縱剖面圖。
第5圖係示意性地顯示本發明的第三實施形態之有機EL顯示裝置之縱剖面圖。
第6圖係示意性地顯示本發明的第四實施形態之有機EL顯示裝置之縱剖面圖。
第7圖係示意性地顯示本發明的第五實施形態之有機EL顯示裝置之縱剖面圖。
第8圖係示意性地顯示本發明的第六實施形態之有機半導體元件之縱剖面圖。
第9圖係示意性地顯示在本發明的實施例及比較例所製成之構造體之縱剖面圖。
用以實施發明之形態
以下，揭示實施形態及例示物而詳細地說明本發明。但是，本發明係不被以下所揭示的實施形態及例示物等限定，在不脫離本發明的申請專利範圍及其均等的範圍，能夠任意地變更而實施。
在以下的說明，所謂薄膜為「長條」，係指相對於寬度，具有5倍以上的長度者，較佳是具有10倍或其以上的長度，具體而言，係指被捲取成為捲物狀而具有能夠保管或能夠搬運程度的長度者。長度對寬度的倍率之上限，係沒有特別限定，通常能夠設為5000倍以下。
在以下的說明，所謂「偏光板」及「1/4波長板」，係只要未特別預先告知，就不僅是剛直的構件，例如亦包含如樹脂製的薄膜之具有可撓性之構件。
在以下的說明，所謂遲滯值，係只要未特別預先告知，就表示面內遲滯值。某薄膜的面內遲滯值係以(nx-ny)×d表示之值。在此，nx係與該薄膜的厚度方向為垂直的方向(面內方向)且表示提供最大折射率之方向的折射率。又，ny係該薄膜的前述面內方向且表示與nx的方向為正交之方向的折射率。而且，d係表示該薄膜的厚度。該遲滯值係能夠使用市售 的相位差測定裝置(例如，Photonic Lattice公司製「WPA-micro」)或色拿蒙(Senarmont)法而測定。面內遲滯值的測定波長，係只要未特別預先告知，就是550nm。
[1.密封薄膜的概要]
第1圖係示意性地表示本發明的密封薄膜的一個例子之剖面圖。
如第1圖所顯示，密封薄膜100係依照以下的順序具備基材薄膜110、密封層120及接著性層130。通常在具備有機EL單元及有機半導體單元等的單元之有機電子元件中，該密封薄膜100係被使用於將前述的單元密封。使用該密封薄膜100時，因為能夠將元件所具備的單元良好地密封，所以能夠有效地防止因單元所含之有機材料的水及氧引起的劣化。
[2.基材薄膜]
作為基材薄膜，係通常使用樹脂薄膜。尤其是從將密封薄膜設作能夠使用在顯示裝置及光源裝置之被要求透射光線的部分之有用物品的觀點而言，係以使用透明的樹脂為佳。在此，所謂某樹脂為透明，係指使用該樹脂所形成的基材薄膜具有能夠使用在光學用途的程度之高光線透射率。具體而言，係將樹脂設作厚度1mm的試片而測定總光線透射率時，最好是通常為70%以上，以80%以上為佳，較佳是具有90%以上的總光線透射率。
又，形成基材薄膜之樹脂，係例如能夠使用熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、及電子束硬化性樹脂的任一種。尤其是因為容易加工，以熱可塑性樹脂為 佳。作為熱可塑性樹脂的例子，可舉出聚酯樹脂、聚丙烯酸酯樹脂及烯烴樹脂等。
尤其是作為基材薄膜，係以使用由脂環式烯烴樹脂所構成之薄膜為佳。所謂脂環式烯烴樹脂，係指含有脂環式烯烴聚合物、及按照必要之其他的任意成分之樹脂。脂環式烯烴樹脂係吸濕性低且具有優異的機械強度。又，脂環式烯烴樹脂係在形成密封層時之蒸鍍及濺鍍等步驟中，排氣的放出量較少。因此，藉由使用由脂環式烯烴樹脂所構成之薄膜作為基材薄膜，能夠得到阻障性能高的密封薄膜。特別是將脂環式烯烴樹脂熔融擠製而製成之基材薄膜，因為其表面的平滑性良好，且可能成為密封層裂紋的原因之表面突起較小，所以不必為了得到發揮高阻障性能的密封層而增加密封層的厚度，而具有優異的生產性及可撓性。
脂環式烯烴聚合物，係在主鏈及/或側鏈具有脂環構造之非晶性的熱可塑性聚合物。脂環式烯烴聚合物，係通常具有藉由脂環式烯烴聚合而得到之構造。脂環式烯烴聚合物中的脂環構造，係可為飽和脂環烴(環烷)構造，亦可為不飽和脂環烴(環烯)構造。從機械強度、耐熱性等的觀點而言，係以環烷構造為佳。構成1個脂環構造之碳原子數，係通常為4個以上，較佳為5個以上，通常為30個以下，以20個以下為佳，較佳為15個以下。構成1個脂環構造之碳原子數為前述的範圍時，機械強度、耐熱性及薄膜的成形性之特性係能夠高度地平衡，乃是較佳。
在脂環式烯烴聚合物全體中，具有脂環構造的構 造單元之比例，係較佳為55重量%以上，更佳為70重量%以上，特佳為90重量%以上。從透明性及耐熱性的觀點而言，脂環式烯烴聚合物中之具有脂環式構造的構造單元之比例在該範圍時為較佳。
作為脂環式烯烴聚合物，例如可舉出降莰烯聚合物、單環的環狀烯烴聚合物、環狀共軛二烯聚合物、乙烯系脂環式烴聚合物、及該等脂環式烯烴聚合物的氫化物等。在該等之中，因為透明性及成形性良好之緣故，降莰烯聚合物係能夠適合使用。
作為降莰烯聚合物的例子，能夠舉出具有降莰烯構造的單體之開環聚合物、或具有降莰烯構造的單體與任意單體之開環共聚物、或該等的氫化物；具有降莰烯構造的單體之加成聚合物、或具有降莰烯構造的單體與任意單體之加成共聚物、或該等的氫化物等。該等之中，從成形性、耐熱性、低吸濕性、尺寸安定性、輕量性等的觀點而言，以具有降莰烯構造的單體之開環(共)聚合物氫化物為特別適合。在此所謂「(共)聚合物」，係指聚合物及共聚物。
作為具有降莰烯構造的單體，例如，能夠舉出雙環[2.2.1]庚-2-烯(慣用名：降莰烯)、三環[4.3.0.12,5]癸-3,7-二烯(慣用名：二環戊二烯)、7,8-苯并三環[4.3.0.12,5]癸-3-烯(慣用名：亞甲基四氫茀)、四環[4.4.0.12,5.17,10]十二基-3-烯(慣用名：四環十二烯)、及該等的化合物的衍生物(例如在環具有取代基者)等。在此，作為取代基，例如能夠舉出烷基、伸烷基、極性基等。又，該等取代基係可以相同或相不同，亦可以複數 個取代基鍵結至環。又，具有降莰烯構造的單體，係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
作為極性基的種類，例如可舉出雜原子、或具有雜原子之原子團等。作為雜原子，例如可舉出氧原子、氮原子、硫原子、矽原子、鹵素原子等。作為極性基的具體例，可舉出羧基、羰氧基羰基、環氧基、羥基、氧基、酯基、矽烷醇基、矽烷基、胺基、腈基、磺酸基等。
作為能夠與具有降莰烯構造的單體開環共聚合之任意單體，例如可舉出環己烯、環庚烯、環辛烯等的單環狀烯烴類及其衍生物；環己二烯、環庚二烯等的環狀共軛二烯及其衍生物等。能夠與具有降莰烯構造的單體開環共聚合之任意單體，係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
具有降莰烯構造的單體之開環聚合物、及能夠與具有降莰烯構造的單體開環共聚合的任意單體之開環共聚物，係例如能夠藉由在習知的開環聚合觸媒之存在下將單體進行聚合或共聚合來製造。
作為能夠與具有降莰烯構造的單體加成共聚合之任意單體，例如可舉出乙烯、丙烯、1-丁烯等的碳原子數2~20的α-烯烴及該等的衍生物；環丁烯、環戊烯、環己烯等的環烯烴及該等的衍生物；1.4-己二烯、4-甲基-1,4-己二烯、5-甲基-1,4-己二烯等的非共軛二烯等。該等之中，係以α-烯烴為佳，以乙烯為較佳。又，能夠與具有降莰烯構造的單體加成共聚合之任意單體，係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合 2種類以上而使用。
具有降莰烯構造的單體之加成聚合物、及能夠與具有降莰烯構造的單體加成共聚合的任意單體之加成共聚物，係例如能夠藉由在習知的加成聚合觸媒之存在下將單體進行聚合或共聚合來製造。
具有降莰烯構造的單體之開環聚合物、具有降莰烯構造的單體及能夠與其開環共聚合的任意單體之開環共聚物、具有降莰烯構造的單體之加成聚合物、以及具有降莰烯構造的單體及能夠與其加成共聚合的任意單體之加成共聚物等聚合物的氫化物，係能夠使用任意的製造方法來製造。例如前述聚合物的氫化物，係能夠藉由在該等聚合物的溶液中，在含有鎳、鈀等過渡金屬之習知的氫化觸媒之存在下，將較佳為90%以上的碳-碳不飽和鍵氫化而製造。
在脂環式烯烴樹脂所含有的脂環式烯烴聚合物之分子量，係能夠按照使用目的而適當地選定。脂環式烯烴聚合物的重量平均分子量(Mw)，係通常為10,000以上，以15,000以上為佳，較佳為20,000以上，通常為100,000以下，以80,000以下為佳，較佳為50,000以下。藉由重量平均分子量在此種範圍，因為所得到的基材薄膜之機械強度及成型加工性等係能夠高度地平衡之緣故，乃是較佳。前述脂環式烯烴聚合物的重量平均分子量，係能夠藉由使用環己烷作為溶劑之凝膠滲透層析法且設作聚異戊二烯換算之值而測定。但是，聚合物係不溶解於環己烷時，亦可使用甲苯作為溶劑。而且，溶劑為甲苯時，重量平均分子量係能夠設作聚苯乙烯換算之值而測定。
在脂環式烯烴樹脂之脂環式烯烴聚合物的比例，係以67重量%~100重量%為佳，較佳為77重量%~100重量%。
前述的脂環式烯烴聚合物，係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
作為脂環式烯烴樹脂能夠含有之任意成分，例如能夠舉出抗氧化劑、熱安定劑、光安定劑、紫外線吸收劑、抗靜電劑、分散劑、氯捕捉劑、阻燃劑、結晶化核劑、強化劑、抗黏結劑、防霧劑、脫模劑、顏料、有機或無機的填充劑、中和劑、潤滑劑、分解劑、金屬惰性化劑、防污染劑、抗菌劑、任意聚合物、熱可塑性彈性體等的添加劑。又，該等係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
該等添加劑的量，係能夠設為不損害本發明的效果之範圍。例如前述添加劑的量，係相對於在脂環式烯烴樹脂所含有的脂環式烯烴聚合物100重量份，通常為0~50重量份，較佳為0~30重量份。
形成基材薄膜之樹脂，係以具有高玻璃轉移溫度為佳。形成基材薄膜之樹脂之具體的玻璃轉移溫度，係以110℃以上為佳，較佳為130℃以上，特佳為160℃以上。具有高玻璃轉移溫度之樹脂，係因為不容易產生因溫度變化引起的熱收縮，所以能夠抑制在高溫環境之密封薄膜的阻障性降低。形成基材薄膜之樹脂的玻璃轉移溫度的上限，係沒有特別限制，以300℃以下為佳。
基材薄膜係可以是由1層所構成之單層構造的薄膜，亦可以是具備2層以上之複層構造的薄膜。
基材薄膜的厚度，係以10μm以上為佳，較佳為30μm以上，以500μm以下為佳，較佳為250μm以下。具有此種厚度之基材薄膜，在機械強度及阻障性兩方面具有非常優異的平衡。
基材薄膜的遲滯值，係能夠按照密封薄膜的用途而任意地設定。
例如與抗反射薄膜組合而使用密封薄膜時，其中該抗反射薄膜係由組合直線偏光板及1/4波長板而成之圓偏光板所構成，以不降低抗反射薄膜所得到的抗反射功能之觀點而言，基材薄膜的遲滯值係以較小為佳。具體而言，基材薄膜的遲滯值係以1nm以下為佳，以5nm以下為更佳。
又，例如使用密封薄膜的基材薄膜作為前述圓偏光板的1/4波長板時，基材薄膜係以具有1/4波長的遲滯值為佳。在此，所謂1/4波長的遲滯值，係顯示以下範圍之遲滯值：從測定波長之550nm的1/4之值，通常為±65nm，以±30nm為佳，較佳是在±10nm；或是從中心值的3/4之值，通常為±65nm、以±30nm為佳，較佳是在±10nm。
基材薄膜的製造方法係任意。例如從熱可塑性樹脂製造基材薄膜時，係能夠藉由熔融成形法、溶液流延法等而將樹脂成形為薄膜狀來製造基材薄膜。熔融成形法能夠更詳細地分類為，例如擠製成形法、模壓成形、充氣成形法、射出成形法、吹塑成形法、延伸成形法等。該等的方法之中，為了得到具有優異機械強度、表面精度等的基材薄膜，以擠製成形法、充氣成形法或模壓成形法為佳。尤其是為了效率良好且簡 單地製造基材薄膜，以擠製成形法為特佳。
又，例如製造具有遲滯值之基材薄膜時，亦可在製造基材薄膜時進行將薄膜延伸之延伸步驟。藉此，能夠得到延伸薄膜作為基材薄膜。作為延伸方法，例如可舉出利用輥筒的周速差而在縱向單軸延伸之方法；使用拉幅延伸機而在橫向單軸延伸之方法等的單軸延伸法；同時雙軸延伸法、逐次雙軸延伸法等的雙軸延伸法；使用拉幅延伸機在傾斜方向延伸之方法等。在此所謂傾斜方向，係表示與縱向及橫向兩者不平行的方向。
[3.密封層]
密封層係具有能夠將水隔離的功能之層。又，不僅是水，該密封層通常亦具有將氧隔離之功能。因為密封薄膜係能夠藉由該密封層而將水及氧隔離，所以能夠防止密封薄膜所設置之元件內的有機材料因水蒸氣及氧而引起劣化。
將密封劑所具有之能夠將水隔離的功能之程度以水蒸氣透過率表示時，係如以下。
密封層的水蒸氣透過率係通常為1.0g/m2．day以下，以0.2g/m2．day以下為佳，較佳為0.1g/m2．day以下。
通常密封層係使用無機材料而形成。
通常無機材料具有容易產生傷痕及裂紋之傾向，但是因為本發明的密封薄膜之密封層係被基材薄膜及接著性層夾住，所以不容易產生外力所致之傷痕及裂紋。因此，即便使用無機材料形成密封層時，在其密封層亦不容易產生傷痕及裂紋，且不容易損害阻障性。
又，一般而言，能夠使用作為基材薄膜的材料之脂環式烯烴樹脂，大多與其他材料的親和性低，但是使用無機材料所形成的密封層，係能夠與由脂環式烯烴樹脂所構成之基材薄膜具有高親和性。又，無機材料係通常亦能夠與可形成接著性層之氫化嵌段共聚物彈性體具有高親和性。因此，在基材薄膜與接著性層之間設置由無機材料所構成之密封層時，能夠使基材薄膜與接著性層的密著性成為良好。
舉出能夠形成密封層之無機材料的較佳例時，可舉出金屬(包含半金屬)；金屬氧化物、金屬氮化物及金屬氮氧化物等的金屬化合物；DLC(類鑽碳；Diamond like carbon)等。作為前述的金屬，可舉出鋁、矽等。該等無機材料之中，就透明性而言，係以矽的氧化物、氮化物及氮氧化物等至少含有矽之材料為特佳。又，就與能夠形成基材薄膜的材料之脂環式烯烴樹脂的親和性而言，係以DLC為特佳。
作為矽的氧化物，例如可舉出SiOx。在此，從使密封層兼具透明性及阻障性的觀點而言，x係通常為大於1.4，較佳為大於1.5，又，通常為小於2.0，較佳為小於1.9的數值。又，作為矽的氧化物，亦能夠舉出SiOC。
作為矽的氮化物，例如可舉出SiNy。在此，從使密封層兼具透明性及阻障性的觀點而言，y係通常為大於0.5，較佳為大於1.2，又，通常為小於1.5的數值。
作為矽的氮氧化物，例如可舉出SiOpNq。在此，重視提升密封層的密著性時，係設為1<p<2.0、0<q<1.0且以將密封層設為富含氧的膜為佳。又，重視提升密封層的阻障性時，係 設為0<p<0.8、0.8<q<1.3且以將密封層設為富含氮的膜為佳。
作為鋁的氧化物、氮化物及氮氧化物，例如能夠舉出AlOx、AlNy、及AlOpNq。
尤其是從阻障性的觀點而言，能夠將SiOpNq及AlOx使用作為較佳的材料。
又，該等的無機材料係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
密封層的厚度，係以3nm以上為佳，較佳為10nm以上，特佳為100nm以上，以2500nm以下為佳，較佳為2000nm以下，特佳為1000nm以下。藉由使密封層的厚度成為前述範圍的下限值以上，能夠得到良好的阻障性。又，藉由成為上限值以下，在維持充分的阻障性之同時，能夠抑制密封薄膜被著色成為黃色。
密封層的形成方法係任意。例如使用無機材料形成密封層時，能夠使用蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法、離子束輔助蒸鍍法、電弧放電電漿蒸鍍法、熱化學氣相沉積(CVD)法、電漿CVD法等的形成方法。尤其是使用電弧放電電漿蒸鍍法時，能夠生成具有適當的能量之蒸發粒子且能夠形成高密度的膜。又，使用熱CVD法及電漿CVD法等的化學氣相沉積法時，因為藉由調整在形成膜所使用的氣體成分，能夠形成具有可撓性之密封層，所以能夠有效地抑制密封層產生裂紋。而且，形成含有複數種類的成分之密封層時，亦可將該等的成分同時蒸鍍或濺鍍。
[4.接著性層]
在將密封薄膜與其他構件貼合時，接著性層係能夠具有與該構件的接著性之層。尤其是接著性層以具有與無機物充分高的接著性為佳。例如，將接著性層接著在玻璃板時，將接著性層從該玻璃板剝下所需要的剝強度，係通常為5N/cm以上，較佳為10N/cm以上。前述剝離強度的上限係沒有特別限制，通常為200N/cm以下。
又，接著性層係以柔軟的層為佳。藉由接著性層為柔軟的，在對設置有密封薄膜之元件施加外力時，因為接著性層變形而能夠吸收前述的外力，所以能夠防止外力所致之元件內的單元產生破損。又，在使用密封薄膜將單元密封時，因為接著性層能夠配合單元的表面形狀而變形，所以使密封薄膜無間隙地密著在單元係變為容易，而能夠穩定地防止密封薄膜從單元脫離。將接著性層的柔軟性以拉伸彈性模數表示時，接著性層係通常相較於基材薄膜，具有較小的拉伸彈性模數，以1500MPa以下為佳，較佳為1000MPa以下，特佳是具有800MPa以下的拉伸彈性模數。在此，拉伸彈性模數係在23℃所測得的值。前述拉伸彈性模數之下限係沒有特別限制，通常為0.1MPa以上。
[4.1.接著性層的材料]
作為具有如前述的接著性及柔軟性之接著性層的材料，通常係使用樹脂，尤其是使用彈性體樹脂為佳。在此所謂彈性體樹脂，係含有彈性體及按照必要之任意的成分之樹脂。又，所謂彈性體，係指即便未進行硫化處理，在室溫亦具有橡膠彈性之聚合物。在此，所謂室溫，通常係指25℃。因為彈性體樹脂 係通常不含有殘留溶劑、或即便含有其量亦少，所以排氣少。因此，由於彈性體樹脂係在低壓環境下不容易產生氣體，所以能夠防止接著性層本身成為氣體的產生源。
[4.1.1.彈性體]
作為彈性體，係以嵌段共聚物彈性體及氫化嵌段共聚物彈性體為佳。所謂嵌段共聚物彈性體，係指由嵌段共聚物所構成之彈性體。又，所謂氫化嵌段共聚物彈性體，係指由嵌段共聚物的氫化物所構成之彈性體。通常，嵌段共聚物及其氫化物，係能夠藉由在其分子構造所含有的聚合物嵌段之種類及比率來調整性狀。嵌段共聚物及其氫化物為彈性體時，該嵌段共聚物，係通常在分子中含有作為具有彈性的橡膠成分(亦即軟鏈段)之聚合物嵌段；及作為用以防止塑性變形的分子束縛成分(亦即硬鏈段)之聚合物嵌段。
作為前述嵌段共聚物，係以芳香族乙烯系化合物-共軛二烯嵌段共聚物為佳。在此，所謂芳香族乙烯系化合物-共軛二烯嵌段共聚物，係指具有下列之嵌段共聚物：將芳香族乙烯系化合物單元設作主成分之聚合物嵌段[A]；及將鏈狀共軛二烯化合物單元設作主成分之聚合物嵌段[B]。又，所謂芳香族乙烯系化合物單元，係指具有將芳香族乙烯系化合物聚合而形成的構造之構造單元。而且，所謂鏈狀共軛二烯化合物單元，係指具有將鏈狀共軛二烯化合物聚合而形成的構造之構造單元。該等嵌段共聚物及其氫化物，係例如亦可被烷氧基矽烷、羧酸、羧酸酐等改性。
尤其是作為接著性層使用的材料之彈性體，係以 將特定嵌段共聚物氫化而成之氫化物為佳，該氫化物係具有聚合物嵌段[A]及聚合物嵌段[B]，該聚合物嵌段[A]係將芳香族乙烯系化合物單元設作主成分，且每1分子共聚物具有2個以上的聚合物嵌段[A]；而該聚合物嵌段[B]係將鏈狀共軛二烯化合物單元設作主成分，且每1分子共聚物具有1個以上的聚合物嵌段[B]。以下，說明將該特定嵌段共聚物氫化而成之氫化物。
(特定嵌段共聚物)
如前述，具有特定嵌段共聚物之聚合物嵌段[A]，係具有芳香族乙烯系化合物單元。作為對應該聚合物嵌段[A]所具有的芳香族乙烯系化合物單元之芳香族乙烯系化合物，例如可舉出苯乙烯、α-甲基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯、2,4-二異丙基苯乙烯、2,4-二甲基苯乙烯、4-第三丁基苯乙烯、5-第三丁基-2-甲基苯乙烯、4-一氯苯乙烯、二氯苯乙烯、4-一氟苯乙烯、4-苯基苯乙烯等。該等係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。尤其是就吸濕性方面而言，係以不含有極性基者為佳。而且，從工業上取得的容易性、耐衝擊性的觀點而言，係以苯乙烯為特佳。
在聚合物嵌段[A]之芳香族乙烯系化合物單元的含有率，係通常為90重量%以上，以95重量%以上為佳，較佳為99重量%以上。藉由將在聚合物嵌段[A]之芳香族乙烯系化合物單元的量如前述地增加，能夠提高接著性層的耐熱佳。
聚合物嵌段[A]係除了芳香族乙烯系化合物以外，亦可含有任意的構造單元。作為任意的構造單元，例如可舉出鏈狀共軛二烯化合物單元；及具有將芳香族乙烯系化合物以外 的乙烯系化合物聚合而形成的構造之構造單元等。
作為對應鏈狀共軛二烯化合物單元之鏈狀共軛二烯化合物，例如可舉出與作為對應聚合物嵌段[B]所具有的鏈狀共軛二烯化合物單元之環狀共軛二烯化合物的例子同樣的例子。又，鏈狀共軛二烯化合物係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
作為芳香族乙烯系化合物以外的乙烯系化合物，例如可舉出鏈狀乙烯系化合物；環狀乙烯系化合物；具有腈基、烷氧基羰基、羥羰基、或鹵基之乙烯系化合物；不飽和的環狀酸酐；不飽和醯亞胺化合物等。尤其是就吸濕性方面而言，係以乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、1-十二烯、1-二十烯、4-甲基-1-戊烯、4,6-二甲基-1-庚烯等的鏈狀烯烴；乙烯基環己烷等的環狀烯烴等不含有極性基者為佳。其中，以鏈狀烯烴為較佳，以乙烯及丙烯為特佳。又，該等係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
在聚合物嵌段[A]之任意的構造單元的含有率，係通常為10重量%以下，以5重量%以下為佳，較佳為1重量%以下。
在嵌段共聚物1分子之聚合物嵌段[A]的數目，係通常為2個以上，通常為5個以下，以4個以下為佳，較佳為3個以下。在1分子中具有複數個之聚合物嵌段[A]，係可以互相相同，亦可以不同。
在1分子的嵌段共聚物，存在複數個不同的聚合 物嵌段[A]時，在聚合物嵌段[A]之中，將重量平均分子量為最大的聚合物嵌段之重量平均分子量設作Mw(A1)，將重量平均分子量為最小的聚合物嵌段之重量平均分子量設作Mw(A2)。 此時，Mw(A1)與Mw(A2)之比「Mw(A1)/Mw(A2)」，係以2.0以下為佳，較佳為1.5以下，特佳為1.2以下。藉此，能夠將各種物性值的變異抑制成為較小。
另一方面，嵌段共聚物所具有之聚合物嵌段[B]，係具有鏈狀共軛二烯化合物單元。作為對應該聚合物嵌段[B]所具有的鏈狀共軛二烯化合物單元之鏈狀共軛二烯化合物，例如，可舉出1,3-丁二烯、異戊二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、1,3-戊二烯等。該等係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。尤其是就吸濕性方面而言，以不含有極性基者為佳，以1,3-丁二烯及異戊二烯為特佳。
在聚合物嵌段[B]之鏈狀共軛二烯化合物單元的含有率，係通常為90重量%以上，以95重量%以上為佳，較佳為99重量%以上。藉由使在聚合物嵌段[B]之鏈狀共軛二烯化合物單元的量如前述地增加，能夠使接著性層在低溫的耐衝擊性提升。
聚合物嵌段[B]係除了鏈狀共軛二烯化合物單元以外，亦可含有任意的構造單元。作為任意的構造單元，例如可舉出芳香族乙烯系化合物單元、及具有將芳香族乙烯系化合物以外的乙烯系化合物聚合而形成的構造之構造單元等，作為該等的芳香族乙烯系化合物單元、及具有將芳香族乙烯系化合物以外的乙烯系化合物聚合而形成的構造之構造單元，例如可舉 出已在作為在聚合物嵌段[A]亦可含有的構造單元所例示者。
在聚合物嵌段[B]之任意的構造單元的含有率，係通常為10重量%以下，以5重量%以下為佳，較佳為1重量%以下。特別是藉由將在聚合物嵌段[B]之芳香族乙烯系化合物單元的含有率降低，能夠使接著性層在低溫的柔軟性提升且能夠使接著性層在低溫的耐衝撃性提升。
在嵌段共聚物1分子之聚合物嵌段[B]的數目，係通常為1個以上，亦可為2個以上。在嵌段共聚物之聚合物嵌段[B]的數目為2個以上時，聚合物嵌段[B]係可互相相同，亦可不同。
又，在1分子的嵌段共聚物存在複數個不同的聚合物嵌段[B]時，在聚合物嵌段[B]之中，將重量平均分子量為最大的聚合物嵌段之重量平均分子量設作Mw(B1)，將重量平均分子量為最小的聚合物嵌段之重量平均分子量設作Mw(B2)。此時，Mw(B1)與Mw(B2)之比「Mw(B1)/Mw(B2)」，係以2.0以下為佳，較佳為1.5以下，特佳為1.2以下。藉此，能夠將各種物性值的變異抑制成為較小。
嵌段共聚物的嵌段形態，係可為鏈狀型嵌段，亦可為放射狀型嵌段。尤其是鏈狀型嵌段係具有優異的機械強度，乃是較佳。
嵌段共聚物具有鏈狀型嵌段的形態時，因為能夠將彈性體樹脂的黏性抑制在所需要之較低的值，所以其兩端係以聚合物嵌段[A]為佳。
嵌段共聚物的特佳嵌段形態，係在聚合物嵌段[B] 的兩端鍵結聚合物嵌段[A]而成之三嵌段共聚物；及聚合物嵌段[B]鍵結在聚合物嵌段[A]的兩端，而且聚合物嵌段[A]各自鍵結在此兩個聚合物嵌段[B]的另外一端而成之五嵌段共聚物。特別是因為容易製造且能夠使黏度等的物性達到所需要的範圍，以[A]-[B]-[A]的三嵌段共聚物為特佳。
在嵌段共聚物，總聚合物嵌段[A]在嵌段共聚物全體所佔有的重量分率wA、與總聚合物嵌段[B]在嵌段共聚物全體所佔有的重量分率wB之比(wA/wB)，係通常為20/80以上，較佳是30/70以上，通常為60/40以下，較佳為55/45以下。 藉由使前述的比wA/wB成為前述範圍的下限值以上，能夠使接著性層的耐熱性提升。又，藉由成為上限值以下，能夠提高著性層的柔軟性，且能夠使接著性層的阻障性穩定地維持良好。而且，因為藉由降低嵌段共聚物的玻璃轉移溫度而能夠降低密封溫度，所以能夠抑制有機EL單元及有機半導體單元等的單元產生熱劣化。
前述嵌段共聚物的重量平均分子量(Mw)，係通常為30,000以上，以40,000以上為佳，較佳為50,000以上，通常為200,000以下，以150,000以下為佳，較佳為100,000以下。前述嵌段共聚物的重量平均分子量，係能夠藉由將四氫呋喃(THF)作為溶劑之凝膠滲透層析法(GPC)且設作聚苯乙烯換算之值而測定。
又，嵌段共聚物的分子量分布(Mw/Mn)，係以3以下為佳，較佳為2以下，特佳為1.5以下，以1.0以上為佳。在此，Mn係表示數量平均分子量。
作為嵌段共聚物的製造方法的例子，例如製造具有3個聚合物嵌段之嵌段共聚物時，可舉出下述的製造方法1及2。在此，稱為「單體組成物」之材料，係不僅是2種類以上的物質之混合物，亦包含由單一物質所構成之材料。
(製造方法1)
一種具有以下步驟之方法：第一步驟，使含有芳香族乙烯系化合物之單體組成物(a1)聚合而形成聚合物嵌段[A]；第二步驟，在此種聚合物嵌段[A]的一端，使含有鏈狀共軛二烯化合物之單體組成物(b1)聚合而形成聚合物嵌段[B]，且形成[A]-[B]的二嵌段聚合物；第三步驟，在此種二嵌段聚合物的嵌段[B]側之末端，使含有芳香族乙烯系化合物之單體組成物(a2)聚合而得到嵌段共聚物。但是所謂單體組成物(a1)及單體組成物(a2)，係可相同亦可不同。
(製造方法2)
一種具有以下步驟之方法：第一步驟，使含有芳香族乙烯系化合物之單體組成物(a1)聚合而形成聚合物嵌段[A]；第二步驟，在此種聚合物嵌段[A]的一端，使含有鏈狀共軛二烯化合物之單體組成物(b1)聚合而形成聚合物嵌段[B]，且形成[A]-[B]的二嵌段聚合物；第三步驟，將此種二嵌段的聚合物之聚合物嵌段[B]側的末端之間，使用偶合劑使其偶合而得到嵌段共聚物。
作為將單體組成物聚合而得到各自的聚合物嵌段之方法，例如能夠使用自由基聚合、陰離子聚合、陽離子聚合、配位陰離子聚合、配位陽離子聚合等。從能夠使聚合操作及在後續步驟的氫化反應容易進行之觀點而言，係以藉由活性聚合來進行自由基聚合、陰離子聚合及陽離子聚合等之方法為佳，以藉由活性陰離子聚合來進行之方法為特佳。
前述單體組成物的聚合，係能夠在聚合起始劑的存在下，通常為0℃以上，以10℃以上為佳，較佳為20℃以上，又，通常100℃以下，以80℃以下為佳，較佳為70℃以下的溫度範圍進行。
進行活性陰離子聚合時，作為聚合起始劑，例如，能夠使用正丁基鋰、第二丁基鋰、第三丁基鋰、己基鋰等的單有機鋰；二鋰化甲烷、1,4-二鋰化丁烷、1,4-二鋰化-2-乙基環己烷等的多官能性有機鋰化合物等。該等係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
聚合反應的形態，係例如能夠使用溶液聚合及漿料聚合等。尤其是使用溶液聚合時，反應熱係容易除去。
進行溶液聚合時，作為溶劑，係能夠使用能夠溶解在各步驟所得到的聚合物之惰性溶劑。作為惰性溶劑，例如可舉出正戊烷、異戊烷、正己烷、正庚烷、異辛烷等的脂肪族烴類；環戊烷、環己烷、甲基環戊烷、甲基環己烷、十氫萘等的脂環式烴類；苯、甲苯等的芳香族烴類等。該等係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。尤其是使用脂環式烴類作為溶劑時，因為在氫化反應亦能夠直接使用作為惰性溶劑 且嵌段共聚物的溶解性亦良好，乃是較佳。溶劑的使用量，係相對於總使用單體100重量份，通常為200重量份~2000重量份。
各自的單體組成物係含有2種以上的單體時，為了防止只有某一成分的鏈變長，例如能夠使用無規化劑(randomizer)。特別是藉由陰離子聚合進行聚合反應時，例如以使用路易斯鹼化合物等作為無規化劑為佳。作為路易斯鹼化合物，例如，可舉出二甲基醚、二乙基醚、二異丙基醚、二丁基醚、四氫呋喃、二苯基醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇甲基苯基醚等的醚化合物；四甲基乙二胺、三甲胺、三乙胺、吡啶等的第3級胺化合物；鉀-第三戊基氧化物、鉀-第三丁基氧化物等的鹼金屬烷氧化物化合物；三苯基膦等的膦化合物等。該等係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
(特定嵌段共聚物的氫化物)
作為本發明之密封薄膜的接著性層的材料之彈性體，係以使用前述特定嵌段共聚物的氫化物為佳。藉由將特定嵌段共聚物氫化而使用，能夠使從接著性層之排氣的產生量成為更少。
該嵌段共聚物的氫化物，係將前述特定嵌段共聚物的不飽和鍵氫化而得到者。在此，嵌段共聚物的不飽和鍵，係包含嵌段共聚物的主鏈及側鏈之芳香族性及非芳香族性的碳-碳不飽和鍵之任一者。通常氫化率為嵌段共聚物的總不飽和鍵之90%以上，以97%以上為佳，較佳為99%以上。氫化率越高，能夠使接著性層的耐熱性及耐光性越良好。在此，氫化物的氫化率係能夠藉由使用1H-NMR測定而求取。
特別是非芳香族性的不飽和鍵之氫化率，係以95%以上為佳，較佳為99%以上。藉由提高非芳香族性的碳-碳不飽和鍵之氫化率，能夠進一步提高接著性層的耐光性及耐氧化性。
又，芳香族性的碳-碳不飽和鍵之氫化率，係以90%以上為佳，較佳為93%以上，特佳是95%以上。藉由提高芳香性碳-碳不飽和鍵之氫化率，因為將聚合物嵌段[A]氫化而得到之聚合物嵌段的玻璃轉移溫度變高，所以能夠有效地提高接著性層的耐熱性。而且，將接著性層的光彈性係數降低而在接著時不容易顯現遲滯值。
嵌段共聚物的氫化物的重量平均分子量(Mw)，係通常為30,000以上，以40,000以上為佳，較佳為45,000以上，通常為200,000以下，以150,000以下為佳，較佳為100,000以下。前述嵌段共聚物的氫化物之重量平均分子量，係能夠藉由將四氫呋喃(THF)作為溶劑之凝膠滲透層析法且設作聚苯乙烯換算之值而測定。又，嵌段共聚物的氫化物的分子量分布(Mw/Mn)係以3以下為佳，較佳為2以下，特佳為1.5以下，較佳為1.0以上。藉由使嵌段共聚物的氫化物的重量平均分子量Mw及分子量分布Mw/Mn落入前述的範圍，能夠提升接著性層的機械強度及耐熱性。
在嵌段共聚物的氫化物，總聚合物嵌段[A]在嵌段共聚物全體所佔有的重量分率wA與總聚合物嵌段[B]在嵌段共聚物全體所佔有的重量分率wB之(wA/wB)，通常與在氫化前的嵌段共聚物之比wA/wB為同樣的值。
而且，嵌段共聚物的氫化物，係以在其分子構造具有烷氧基矽烷基為佳。具有該烷氧基矽烷基之嵌段共聚物的氫化物，例如能夠藉由使烷氧基矽烷基鍵結到不具有烷氧基矽烷基之嵌段共聚物的氫化物而得到。此時，可使烷氧基矽烷基直接結在嵌段共聚物的氫化物，亦可以使其透過例如伸烷基等二價的有機基而鍵結。
具有烷氧基矽烷基之嵌段共聚物的氫化物，與例如玻璃、無機物、金屬等的材料之接著性特別優異。因此，使用本發明的密封薄膜將有機電子元件的單元密封時，能夠使接著性層與單元之接著性成為特別高。因而，即便長時間暴露在一般有機電子元件進行信賴性評價的高溫高濕環境下之後，接著性層亦能夠維持充分的接著力。
烷氧基矽烷基的導入量，係相對於烷氧基矽烷基導入前之嵌段共聚物的氫化物100重量份，通常為0.1重量份以上，以0.2重量份以上為佳，較佳為0.3重量份以上，通常為10重量份以下，以5重量份以下為佳，較佳為3重量份以下。使烷氧基矽烷基的導入量落入前述範圍時，因為能夠防止被水分等分解後的烷氧基矽烷基之間之交聯度過剩地變高，所以能夠將與接著性層的接著性維持為較高。
烷氧基矽烷基的導入量係能夠藉由1H-NMR光譜而計量。又，計量烷氧基矽烷基的導入量時，導入量為較少時係能夠將累計次數增加而計量。
具有烷氧基矽烷基之嵌段共聚物的氫化物之分子量，因為被導入之烷氧基矽烷基的量少，所以通常與導入烷氧 基矽烷基前之嵌段共聚物的氫化物的分子量相比變化不大。但是因為導入烷氧基矽烷基時，由於在過氧化物的存在下而使嵌段共聚物的氫化物產生改性反應，所以該氫化物係進行交聯反應及切斷反應，致使分子分布有變化之傾向。具有烷氧基矽烷基之嵌段共聚物的氫化物的重量平均分子量，係通常為30,000以上，以40,000以上為佳，較佳為50,000以上，通常為200,000以下，以150,000以下為佳，較佳為120,000以下。具有前述烷氧基矽烷基之嵌段共聚物的氫化物的重量平均分子量，係能夠藉由將四氫呋喃作為溶劑之凝膠滲透層析法且設為聚苯乙烯換算之值而測定。又，具有烷氧基矽烷基之嵌段共聚物的氫化物的分子量分布(Mw/Mn)，係通常為3.5以下，較佳為2.5以下，特佳是2.0以下，較佳為1.0以上。具有烷氧基矽烷基之嵌段共聚物的氫化物的重量平均分子量Mw及分子量分布Mw/Mn為該範圍時，接著性層能夠維持良好的機械強度及拉伸伸長率。
如前述之嵌段共聚物的氫化物的製造方法，係通常包含將前述的特定嵌段共聚物進行氫化。氫化方法，係以能夠提高氫化率且嵌段共聚物的鏈切斷反應較少之氫化方法為佳。作為此種較佳的氫化方法，例如，可舉出使用含有選自由鎳、鈷、鐵、鈦、銠、鈀、鉑、釕、及錸所組成群組之至少1種的金屬之氫化觸媒而進行氫化之方法。氫化觸媒係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。氫化觸媒能夠使用不均勻系觸媒、均勻系觸媒的任一者。又，氫化反應係以在有機溶劑中進行為佳。
不均勻系觸媒，係例如可直接使用金屬或金屬化合物，亦可負載於適當的載體而使用。作為載體，例如可舉出活性碳、氧化矽、氧化鋁、碳酸鈣、二氧化鈦、氧化鎂、氧化鋯、矽藻土、碳化矽、氟化鈣等。觸媒的負載量係相對於觸媒及載體的合計量，通常為0.1重量%以上，較佳為1重量%以上，通常為60重量%以下，較佳為50重量%以下。又，負載型觸媒的比表面積，係較佳為100m2/g~500m2/g。而且，負載型觸媒的平均細孔徑，係以100Å以上為佳，較佳為200Å以上，以1000Å以下為佳，較佳為500Å以下。在此，比表面積係能夠使用BET式測定氮吸附量而求取。又，平均細孔徑係能夠藉由水銀壓入法來測定。
作為均勻系觸媒，例如能夠使用將鎳、鈷、鈦或鐵的化合物與有機金屬化合物組合而成之觸媒；銠、鈀、鉑、釕、錸等的有機金屬錯合物觸媒等。
作為鎳、鈷、鈦或鐵的化合物，例如，可舉出各金屬的乙醯丙酮鹽化合物、羧酸鹽、環戊二烯基化合物等。
又，作為有機金屬化合物，例如，可舉出三乙基鋁、三異丁基鋁等的烷基鋁、氯化二乙基鋁、二氯化乙基鋁等的鹵化鋁、氫化二異丁基鋁等的氫化烷基鋁等的有機鋁化合物；及有機鋰化合物等。
作為有機金屬錯合物觸媒，例如，可舉出二氫化-四(三苯基膦)釕、二氫化-四(三苯基膦)鐵、雙(環辛二烯)鎳、雙(環戊二烯)鎳等的過渡金屬錯合物。
氫化觸媒的使用量，係相對於嵌段共聚物100重 量份，通常為0.01重量份以上，以0.05重量份以上為佳，較佳為0.1重量份以上，通常100重量份以下，以50重量份以下為佳，較佳為30重量份以下。
氫化反應的溫度，係通常為10℃以上，以50℃以上為佳，較佳為80℃以上，通常為250℃以下，以200℃以下為佳，較佳為180℃以下。藉由在此溫度範圍進行氫化反應，能夠提高氫化率，又，能夠減少嵌段共聚物的分子裂解。
又，氫化反應時的氫壓力，係通常為0.1MPa以上，以1MPa以上為佳，較佳為2MPa以上，通常30MPa以下，以20MPa以下為佳，較佳為10MPa以下。藉由在此種氫壓下進行氫化反應，能夠提高氫化率且能夠減少嵌段共聚物的分子鏈裂解，而且操作性變為良好。
藉由如前述地將嵌段共聚物氫化，能夠得到作為生成物之嵌段共聚物的氫化物。該氫化反應後的生成物係可以直接使用。又，亦可以對氫化反應後生成物，按照必要而進一步施行任意的處理之後才使用。例如，亦可對氫化反應後的生成物，按照必要而進行導入烷氧基矽烷基之處理。
作為將烷氧基矽烷基導入嵌段共聚物的氫化物之方法，例如能夠使用在過氧化物的存在下，使導入烷氧基矽烷基前之嵌段共聚物的氫化物與乙烯性不飽和矽烷化合物反應之方法。
作為乙烯性不飽和矽烷化合物，係能夠使用能夠與嵌段共聚物的氫化物接枝聚合，且能夠將烷氧基矽烷基導入嵌段共聚物的氫化物者。作為此種乙烯性不飽和矽烷化合物的 例子，可舉出乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷、二甲氧基甲基乙烯基矽烷、二乙氧基甲基乙烯基矽烷、對-苯乙烯基三甲氧基矽烷、對-苯乙烯基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、及2-降莰烯-5-基三甲氧基矽烷等。尤其是以乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷、二甲氧基甲基乙烯基矽烷、二乙氧基甲基乙烯基矽烷、對-苯乙烯基三甲氧基矽烷為佳。又，乙烯性不飽和矽烷化合物係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
乙烯性不飽和矽烷化合物的量，係相對於導入烷氧基矽烷基前之嵌段共聚物的氫化物100重量份，通常為0.1重量份以上，以0.2重量份以上為佳，較佳為0.3重量份以上，通常為10重量份以下，以5重量份以下為佳，較佳為3重量份以下。
作為過氧化物，例如，可舉出過氧化二苯甲醯、過氧化乙酸第三丁酯、2,2-二-(第三丁基過氧化)丁烷、過氧化苯甲酸第三丁酯、過氧化第三丁基異丙苯、過氧化二異丙苯、過氧化二-第三己烷、2,5-二甲基-2,5-二(第三丁基過氧化己烷)、過氧化二-第三丁烷、2,5-二甲基-2,5-二(第三丁基過氧化)己烷-3、第三丁基過氧化氫、過氧化異丁酸第三丁酯、過氧化 月桂醯、過氧化二丙醯、對-薄荷烷過氧化氫等的有機過氧化物。尤其是以1分鐘半衰期溫度為170℃~190℃者為佳，例如，以過氧化第三丁基異丙苯、過氧化二異丙苯、過氧化二-第三己烷、2,5-二甲基-2.5-二(第三丁基過氧化己烷)、過氧化二-第三丁烷等為佳。又，過氧化物係可以單獨使用1種類，亦可以組合2種以上而使用。
過氧化物的量，係相對於導入烷氧基矽烷基前之嵌段共聚物的氫化物100重量份，通常為0.01重量份以上，以0.2重量份以上為佳，較佳為0.3重量份以上，通常為5重量份以下，以3重量份以下為佳，較佳為2重量份以下。
在過氧化物的存在下，使上述嵌段共聚物的氫化物與苯乙烯性不飽和矽烷化合物反應之方法，係例如能夠使用過熱混煉機及反應器而進行。舉出具體例時，藉由雙軸混煉機使嵌段共聚物的氫化物、乙烯性不飽和矽烷化合物與過氧化物之混合物，在嵌段共聚物的氫化物知熔融溫度以上加熱熔融，在所需要的時間中持續混煉，而能夠將烷氧基矽烷基導入嵌段共聚物的氫化物。具體溫度係通常為180℃以上，以190℃以上為佳，較佳為200℃以上，通常240℃以下，以230℃以下為佳，較佳為220℃以下。又，加熱混煉時間係通常0.1分鐘以上，以0.2分鐘以上為佳，較佳為0.3分鐘以上，通常為15分鐘以下，以10分鐘以下為佳，較佳為5分鐘以下。使用雙軸混煉機、短軸擠製機等的連續混煉設備時，係能夠以滯留時間為上述範圍之方式而進行連續地混煉及擠製。
使用上述的方法而得到之嵌段共聚物的氫化物， 係通常能夠得到含有嵌段共聚物的氫化物、氫化觸媒及聚合觸媒之反應液而。因此，能夠使用例如過濾及離心分離等的方法，將氫化觸媒及聚合觸媒從該反應液除去之後，而從反應液回收嵌段共聚物的氫化物。作為從反應液將嵌段共聚物的氫化物回收之方法，例如，可舉出使用汽提法將溶劑從嵌段共聚物的氫化物所溶解而成的溶液中除去之蒸汽凝固法；在減壓加熱下將溶劑除去之直接脫溶劑法；將溶液注入嵌段共聚物的氫化物之弱溶劑中而使嵌段共聚物的氫化物析出及凝固之凝固法等。
被回收的嵌段共聚物的氫化物之形態，係以隨後能夠容易提供成形加工或改性反應之方式而設作丸粒形狀為佳。例如，使用直接脫溶劑法而將嵌段共聚物的氫化物從反應液回收時，係可以將熔融狀態的氫化物從擠壓模擠製成為股線狀(strand)且冷卻後，使用製粒機切割製成丸粒狀而提供各種成形。又，使用凝固法時，係例如可以將所得到的凝固物乾燥之後，在熔融狀態使用擠製機擠製，且與上述同樣地製成丸粒狀而提供各種成形。
(4.1.2.任意的成分)
彈性體樹脂係能夠使用作為接著性層的材料，作為該彈性體樹脂所能夠含有之任意的成分，例如，可舉出用以調整玻璃轉移溫度及彈性模數之可塑劑、用以提升耐侯性及耐熱性之光安定劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、潤滑劑、無機填料等。又，任意的成分係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
作為用以調整玻璃轉移溫度及柔軟性之可塑劑，例如，可舉出聚異丁烯、氫化聚異丁烯、氫化聚異戊二烯、氫化1,3-戊二烯系石油樹脂、氫化環戊二烯系石油樹脂、氫化苯乙烯-茚系石油樹脂等。該等的可塑劑的調配量，係相對於彈性體樹脂100重量份，通常為40重量份以下，且能夠配合調整樹脂特性之目的而適當地選擇。
作為光安定劑，係以受阻胺系(Hindered amine)光安定劑為佳，且係以在構造中具有例如3,5-二-第三丁基-4-羥苯基、2,2,6,6-四甲基哌啶基、或、1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基等之化合物為特佳。
光安定劑的具體例，可舉出1,2,3,4-丁烷四羧酸與1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶醇與3,9-雙(2-羥基-1,1-二甲基乙基)-2,4,8,10-四氧雜螺[5.5]十一烷之混合酯化物、1,6-己二胺-N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)與嗎啉-2,4,6-三氯-1,3,5-三嗪與之聚縮合物、1-[2-[3-(3,5-二-第三丁基-4-羥苯基)丙醯氧基)乙基]-4-[3-3,5-二-第三丁基-4-羥苯基)丙醯氧基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、2-(3,5-二-第三丁基-4-羥苄基)-2-正丁基丙二酸-雙(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)、4-(3-(3,5-二-第三丁基-4-羥苯基)丙醯氧基)-1-(2-(3-(3,5-二-第三丁基-4羥苯基)丙醯氧基)乙基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-(1-苄基-2-苯基乙基)-N-甲醯基胺基-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-(2-(1-吡咯啶基)乙基)-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-(2-(4-嗎啉基)乙基)-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基哌啶、 4-(N-(2-(4-嗎啉基)乙基)-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-(2-(二異丙基胺基)乙基)-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-(2,4,6-三甲苄基)-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-(3-(2-乙基已氧基)丙基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-(3,4-(亞甲基二氧基)苄基)-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-(雙環[2.2.1]庚基)-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-1,2,2-三甲基丙基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-1,3-二甲基丁基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-1-苄基乙基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-2,2-二甲基丙基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-2-乙基己基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-3-甲基丁基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-4-羥基丁基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-異丙基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-第三丁基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-異丙基苄基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-乙氧基乙基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-乙氧基丙基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-十八烷基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-辛基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基哌啶、4-(N-辛基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-氯苄基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-二乙基胺乙基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-環十二烷基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌 啶、4-(N-環己基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基羰基哌啶、4-(N-環己基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基吡啶、4-(N-環己基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基吡啶、4-(N-環戊基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基哌啶、4-(N-環戊基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-二甲胺基丙基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-癸基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基哌啶、4-(N-癸基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-十二烷基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-吡啶基甲基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-苯基乙基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基吡啶、4-(N-苯基乙基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基吡啶、4-(N-丁基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基哌啶、4-(N-氟苄基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-己基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基哌啶、4-(N-己基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-戊基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基哌啶、4-(N-戊基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-甲基環己基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-甲基苄基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(N-甲氧基苄基-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-(甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基哌啶、4-(甲醯基胺基)-2,2,6,6-四甲基哌啶、4-[N-(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N-甲醯基胺基]-2,2,6,6-四甲基-N-甲基吡啶、4-[N-(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N-甲醯基胺基)-2,2,6,6- 四甲基吡啶、N,N’,N”,N'''-四-(4,6-雙(丁基-(N-甲基-2,2,6,6-四甲基哌啶-4-基)胺基)-三嗪-2-基)-4,7-二氮雜癸烷-1,10-胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-N-甲基哌啶基)-N,N’-二甲醯基-1,4-亞苯二甲胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-N-甲基哌啶基)-N,N’-二甲醯基-三亞甲二胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-N-甲基哌啶基)-N,N’-二甲醯基-六亞甲二胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-N-甲基哌啶基)-N,N’-二甲醯基-乙二胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-二甲醯基-1,4-苯二甲胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-二甲醯基乙二胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-二甲醯基-三亞甲二胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-二甲醯基六亞甲二胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基丙烯酸醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基花生酸醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基當歸酸醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基十一醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基十一烯醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基油酸醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基鱈油酸醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基辛醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基癸醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基己醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基巴豆酸醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基香茅酸醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4- 哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基硬脂酸醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基鯊魚酸醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基十三醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基十九醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基棕櫚酸醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基芸香醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基丙醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基庚醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基蘿酸醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基壬醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基十五醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基十七醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基肉豆蔻酸醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基月桂酸醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基烏藥酸醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基戊醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基乙醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基抹香酸醯胺、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙六亞甲基酪醯胺、琥珀酸二甲酯與4-羥基-2,2,6,6-四甲基-1-哌啶乙醇之聚合物、二丁胺與1,3,5-三嗪與N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)丁胺之聚縮合物、雙(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)-2-(3,5-二-第三丁基-4-羥苄基)-2-正丁基丙二酸酯、雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、聚 [(6-嗎啉-s-三嗪-2,4-二基)[(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基]-六亞甲基[(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基]、聚[{(1,1,3,3-四甲基丁基)胺基-1,3,5-三嗪-2,4-二基}{(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基}六亞甲基{(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基}]、聚[{6-(1,1,3,3-四甲基丁基)胺基-1,3,5-三嗪-2,4-二基}{(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基}六亞甲基{(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基}]、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-1,6-六亞甲基二胺與2,4,6-三氯-1,3,5-三嗪之聚合物與N-丁基-1-丁胺及N-丁基-2,2,6,6-四甲基-4-哌啶胺之反應生成物等。
該等之中，就具有優異的耐候性而言，係以N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-N-甲基哌啶基)-N,N’-二甲醯基伸烷基二胺類、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-二甲醯基伸烷基二胺類、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-雙伸烷基脂肪酸醯胺類、聚[{6-(1,1,3,3-四甲基丁基)胺基-1,3,5-三嗪-2,4-二基}{(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基}六亞甲基{(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基}]為佳，以N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-N,N’-二甲醯基伸烷基二胺類、N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-1,6-六亞甲基二胺與2,4,6-三氯-1,3,5-三嗪之聚合物與N-丁基-1-丁胺及N-丁基-2,2,6,6-四甲基-4-哌啶胺之反應生成物為特佳。
光安定劑的量，係相對於嵌段共聚物的氫化物100重量份，通常為0.01重量份以上，以0.02重量份以上為佳，較佳為0.03重量份以上，通常5重量份以下，以2重量份以下為佳，較佳為1重量份以下。藉由使光安定劑的量成為前述 範圍的下限值以上，能夠提高接著性層的耐候性。又，藉由成為上限值以下，在將彈性體樹脂成形而製造接著性層時，能夠防止擠製機的T型模具及冷卻輥產生污染，且能夠提高加工性。
作為紫外線吸收劑，例如可舉出二苯基酮系紫外線吸收劑、柳酸系紫外線吸收劑、苯并三唑系紫外線吸收劑等。作為二苯基酮系紫外線吸收劑，例如可舉出2,4-二羥基二苯基酮、2-羥基-4-甲氧基二苯基酮、2-羥基-4-甲氧基二苯基酮-5-磺酸三水合物、2-羥基-4-辛氧基二苯基酮、4-十二烷氧基-2-羥基二苯基酮、4-苄氧基-2-羥基二苯基酮、2,2’,4,4’-四羥基二苯基酮、2,2’-二羥基-4,4’-二甲氧基二苯基酮等。
又，作為柳酸系紫外線吸收劑，例如，可舉出枊酸苯酯、4-第三丁基苯基-2-羥基苯甲酸酯、苯基-2-羥基苯甲酸酯、2,4-二-第三丁基苯基-3,5-二-第三丁基-4-羥基苯甲酸酯、十六烷基-3,5-二-第三丁基-4-羥基苯甲酸酯等。
又，作為苯并三唑系紫外線吸收劑，例如，可舉出2-(2-羥基-5-甲基苯基)2H-苯并三唑、2-(3-第三丁基-2-羥基-5-甲基苯基)-5-氯-2H-苯并三唑、2-(3,5-二-第三丁基-2-羥苯基)-5-氯-2H-苯并三唑、2-(3,5-二-第三丁基-2-羥苯基)-2H-苯并三唑、5-氯-2-(3,5-二-第三丁基-2-羥苯基)-2H-苯并三唑、2-(3.5-二-第三戊基-2-羥苯基)-2H-苯并三唑、2-(2-羥基-5-辛基苯基)-2H-苯并三唑、2-(2-羥基-4-辛基苯基)-2H-苯并三唑、2-(2H-苯并三唑-2-基))-4-甲基-6-(3,4,5,6-四氫酞基甲基)苯酚、2,2’-亞甲雙[4-(1,1,3,3-四甲基丁基))6-[(2H-苯并三唑-2- 基)苯酚]]等。
紫外線吸收劑的量，係相對於嵌段共聚物的氫化物100重量份，通常為0.01重量份以上，以0.02重量份以上為佳，較佳為0.04重量份以上，通常1重量份以下，以0.5重量份以下為佳，較佳為0.3重量份以下。藉由將紫外線吸收劑在前述範圍的下限值以上使用，能夠改善接著性層的耐光性，但是即便超過上限而過剩地使用，亦難以得到進一步改善。
作為抗氧化劑，例如，可舉出磷系抗氧化劑、酚系抗氧化劑、硫系抗氧化劑等，以著色較少的磷系抗氧化劑為佳。
作為磷系抗氧化劑，例如，能夠舉出亞磷酸三苯酯、亞磷酸二苯基異癸酯、亞磷酸苯基二異癸酯、亞磷酸三(壬基苯基)酯、亞磷酸三(二壬基苯基)酯、亞磷酸三(2,4-第三丁基苯基)酯、10-(3,5-二-第三丁基-4-羥苄基)-9,10-二氫-9-氧基-10-磷雜菲-10-氧化物等的單亞磷酸酯系化合物；4,4’-亞丁基-雙(3-甲基-6-第三丁基苯基-二-十三基亞磷酸酯)、4,4’-異亞丙基-雙(苯基-二-烷基(C12~C15)亞磷酸酯)等的二亞磷酸酯系化合物；6-[3-(3-第三丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙氧基]-2,4,8,10-四-第三丁基二苯并[d,f][1.3.2]二氧雜磷品、6-[3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙氧基]-2,4,8,10-四-第三丁基二苯并[d,f][1.3.2]二氧雜磷品等的化合物。
作為酚系抗氧化劑，例如能夠舉出新戊四醇-四[3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、2,2-硫代-二伸乙雙[3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、十八烷基-3-(3,5-二 -第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯、3,9-雙{2-[3-(3-第三丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙醯氧基]-1,1-二甲基乙基}-2,4,8,10-四氧雜螺[5,5]十一烷、1,3,5-三甲基-2,4,6-三(3,5-二-第三丁基-4-羥基苄基)苯等的化合物。
作為硫系抗氧化劑，例如，能夠舉出3,3’-硫代二丙酸二月桂酯、3,3’-硫代二丙酸二肉豆蔻酯、3,3’-硫代二丙酸二硬脂基酯、3,3’-硫代二丙酸月桂基硬脂基酯、新戊四醇-四-(β-月桂基-硫代丙酸酯)、3,9-雙(2-十二烷硫基乙基)-2,4,8,10-四氧雜螺[5,5]十一烷等的化合物。
抗氧化劑的量，係相對於嵌段共聚物的氫化物100重量份，通常為0.01重量份以上，以0.05重量份以上為佳，較佳為0.1重量份以上，通常為1重量份以下，以0.5重量份以下為佳，較佳為0.3重量份以下。藉由將抗氧化劑在前述範圍的下限值以上使用，能夠改善接著性層的熱安定性，但是即便超過上限而過剩地使用，亦難以得到進一步改善。
將嵌段共聚物的氫化物與任意成分混合之方法，例如，可舉出將任意成分溶解在適當的溶劑，且與嵌段共聚物的氫化物的溶液混合之後，將溶劑除去而將含有任意成分之彈性體樹脂回收之方法；使用雙軸混煉機、輥磨機、布拉本德混合機(Brabender mixer)、擠製機等的混煉機，使嵌段共聚物的氫化物成為熔融狀態且與任意成分進行混煉之方法。
[4.1.3.接著性層的材料的屬性]
形成接著性層之樹脂，係以具有高透明性為佳，例如使形成接著性層之樹脂成為厚度1mm的試片而測得的總光線透射 率，係通常為70%以上，以80%以上為佳，較佳是90%以上。
形成接著性層之樹脂的玻璃轉移溫度係通常為30℃以上，以50℃以上為佳，較佳為70℃以上，通常為200℃以下，以180℃以下為佳，較佳為160℃以下，又，例如使用含有嵌段共聚物之樹脂時，其樹脂係有可能具有複數個玻璃轉移溫度之情形。此時，以樹脂的最高玻璃轉移溫度落入前述範圍為佳。藉由使形成接著性層之樹脂的玻璃轉移溫度落入前述範圍，能夠得到密封單元時的接著性與密封後的性能維持之平衡。又，使用密封薄膜進行元件單元的密封時，不會使在該單元所含有的有機成分產生熱劣化，且在密封後能夠使密封薄膜中設置在比起基材薄膜較靠近密封層側的層部分之遲滯值容易地落入所需要的範圍。
[4.2.接著性層的厚度]
接著性層的厚度，係以10μm以上為佳，較佳為15μm以上，更佳為20μm以上，特佳為40μm以上，以500μm以下為佳，較佳為200μm以下，更佳為150μm以下，特佳為100μm以下。藉由使接著性層的厚度成為前述範圍的下限值以上，能夠使用擠製成形法而製造接著性層。又，只要該程度的厚度，就具有充分的密封功能，而且，即便小異物混入接著性層，亦能夠防止該異物所致之接著性層的厚度變為不均勻。又，藉由成為上限值以下，能夠抑制貼合後的撓曲且能夠形成均勻的密封薄膜，又，能夠將密封薄膜的厚度薄化。
(4.3.接著性層的製造方法)
接著性層，係通常能夠以長條薄膜的方式準備且使用該薄 膜而進行密封薄膜的製造。接著性層，係例如能夠藉由將前述接著性層的材料成形成為薄膜狀來製造。作為成形方法，例如能夠使用熔融成形法、溶液流延法等。熔融成形法能夠更詳細地分類為擠製成形法、模壓成形、充氣成形法、射出成形法、吹塑成形法、延伸成形法等。在該等方法之中，為了得到具有優異機械強度及表面精度之薄膜，係以擠製成形法、充氣成形法及模壓成形法為佳、尤其是從能夠效率良好且簡單地製造薄膜的觀點而言，以擠製成形法為特佳。
[5.任意層]
密封薄膜係除了前述的基材薄膜、密封層及接著性層以外，亦能夠按照必要而具備任意層。
例如，亦可在基材薄膜的密封層相反側的面設置抗黏結層。藉由設置抗黏結層，能夠防止密封薄膜的黏結。又，在密封薄膜的保存時及運搬時，亦能夠保護密封薄膜的表面。抗黏結層，係例如能夠使用以下的方法等來形成：塗佈聚矽氧系剝離劑、長鏈烷基系剝離劑、氟系剝離劑、硫化鉬等的剝離劑之方法；及形成含有惰性粒子等的潤滑劑之樹脂片之方法。
又，密封薄膜亦可具備抗靜電層、硬塗層、導電性賦予層、防污染層、凹凸構造層等。
[6.密封薄膜的物性等]
密封薄膜係在測定溫度23℃時，通常具有1000MPa以上的拉伸彈性模數，以1200MPa以上為佳，較佳為1400MPa以上。由於密封薄膜具有如此高的拉伸彈性模數，能夠在密封薄膜產生韌性且能夠提升該密封薄膜的操作性。操作性良好時， 因為密封時能夠防止密封薄膜產生皺紋，所以能夠容易進行無間隙的密封。又，密封薄膜的拉伸彈性模數的上限係通常為4000MPa以下，以3500MPa以下為佳，較佳為3000MPa以下。藉由使密封薄膜的拉伸彈性模數成為前述的上限值以下，對於在密封前的單元表面之段差的追隨性提升，而能夠防止密封後之氣泡的混入。
將密封薄膜的拉伸彈性模數調整成為前述範圍之方法係沒有限制，例如，可舉出適當地調整基材薄膜及接著性層的材料及厚度之方法。接著性層的材料係具有拉伸彈性模數低之傾向。因此，藉由增加接著性層的厚度，能夠降低密封薄膜的拉伸彈性模數。又，藉由在能夠確保接著性的範圍減低接著性層的厚度，能夠提升密封薄膜的拉伸彈性模數。而且，藉由在基材薄膜使用拉伸彈性模數高的樹脂，亦能夠提升密封薄膜的拉伸彈性模數。特別是藉由在接著性層混合可塑劑，能夠容易地調整密封薄膜的拉伸彈性模數。
在密封後之密封薄膜中設置在比起基材薄膜較靠近密封層側的層部分之遲滯值，係通常落入所需要的範圍。亦即，在使用密封薄膜而進行單元的密封後之狀態，在該密封所使用的密封薄膜中設置在比起基材薄膜較靠近密封層側的層部分之遲滯值，係通常落入所需要的範圍。前述的層部分係不包含基材薄膜的層部分，通常係由密封層及接著性層、以及按照必要而設置之任意層所構成之層部分。該層部分之具體的遲滯值，係通常為20nm以下，以15nm以下為佳，較佳為10nm以下。藉由使在密封後之前述層部分的遲滯值落入前述範圍， 在將具備圓偏光板之抗反射薄膜與密封薄膜組合時，能夠防止抗反射薄膜的抗反射性能降低。又，將密封薄膜使用在有機電激發光顯示裝置(以下，有適當地稱為「有機EL顯示裝置」之情形)等的顯示裝置之密封時，能夠防止該顯示裝置的顯示品質降低。
在密封後之密封薄膜中設置在比起基材薄膜較靠近密封層側的層部分之遲滯值，係能夠使用以下的方法測定。
除了使用具有2nm以下的遲滯值之薄膜，來代替測定對象之密封薄膜的基材薄膜及在該基材薄膜之與密封層相反側所設置的任意層以外，係與測定對象的密封薄膜同樣地進行而製造試樣薄膜。將該試樣薄膜在預定的密封條件下貼附在玻璃板而準備測定試料。測定該測定試料的遲滯值。將在該測定試料所測定的遲滯值之值，設作在密封後之密封薄膜中設置在比起基材薄膜較靠近密封層側的層部分之遲滯值。此時，密封薄膜的基材薄膜及在該基材薄膜之與密封層相反側所設置的任意層的遲滯值為例如2nm以下時，係未必需要製造試樣薄膜，可將該密封薄膜貼附在玻璃板而進行測定遲滯值。
將用以測定前述的遲滯值而在玻璃板貼合試樣薄膜時之密封條件，係溫度為Tg+5℃~Tg+50℃，貼合壓力為0.05MPa~1.0MPa。在此，所謂Tg係表示形成接著性層之樹脂的玻璃轉移溫度。又，形成接著性層之樹脂係具有複數個玻璃轉移溫度時，前述的Tg係表示其中最高溫的玻璃轉移溫度。本發明的密封薄膜，係在前述設作密封條件而規定的範圍之至 少1點，測定前述在密封後之在密封薄膜的密封層側所設置之除基材薄膜以外的層部分之遲滯值時，該測定的遲滯值係落入上述所需要的範圍。
將在密封後之密封薄膜的前述層部分的遲滯值調整成為前述範圍之方法，係沒有限制，例如可舉出調整在形成接著性層之樹脂所含有的聚合物之種類、單體的組成比、及前述樹脂的玻璃轉移溫度之方法。作為具體例，可舉出調整在形成接著性層之樹脂所含有的聚合物之種類或單體的組成比，而減小前述聚合物的光彈性係數之方法。如此，只要使用含有光彈性係數較小的聚合物之樹脂來形成接著性層，就能夠使接著性層在承受應力時，遲滯值不容易顯現。例如，使用芳香族乙烯系化合物-共軛二烯嵌段共聚物的氫化物形成接著性層時，為了減少具有高光彈性係數之芳香環，以使用被氫化至芳香環部分為止之嵌段共聚物為佳。又，例如，藉由可塑劑使形成接著性層之樹脂的玻璃轉移溫度降低，來減少在接著時所產生的熱應力，亦能夠將在密封後之在密封薄膜的前述層部分的遲滯值調整成為前述範圍。
本發明的密封薄膜，係具有優異的阻障性。具體而言，就密封薄膜全體的水蒸氣透過率而言，係以1×10-2g/m2．day以下為佳，較佳為5×10-2g/m2．day以下。此種水蒸氣透過率，係藉由適當地選擇密封層及其他層的材質及厚度而能夠達成。又，下限係理想地為零，實際上係1×10-6g/m2．day以上。
本發明的密封薄膜，係以即便被放置在高溫環境時，其阻障性亦不容易受到損害為佳。具體而言，較佳是即便 將密封薄膜放置在85℃的環境下100小時後之情況，亦能夠使其水蒸氣透過率落入如前述之低的範圍。而且，密封薄膜較佳是即便被放置在低壓環境下，排氣的產生量亦少。因為此種密封薄膜係具有高阻障性，即便在高溫或低壓的環境下，其阻障性亦能夠良好地維持，所以能夠發揮優異的耐侯性。特別是就防止含有有機成分之單元產生劣化的觀點而言，作為排氣之水蒸氣的產生量較少係有效的。此種密封薄膜，例如能夠藉由使用含有特定嵌段共聚物的氫化物之接著性層而實現，其中該特定嵌段共聚物係每1分子具有2個以上的聚合物嵌段[A]及每1分子具有1個以上的聚合物嵌段[B]。
密封薄膜的透明性係沒有特別限定。但是，就將密封薄膜設作能夠使用在被要求透射光線的部分之有用物品的觀點而言，密封薄膜的透明性係以較高為佳。此時，密封薄膜的總光線透射率，係以70%以上為佳，較佳為80%以上，特佳是90%以上。
密封薄膜的霧度係沒有特別限定。但是，將密封薄膜使用在未特別意圖使光擴散之光學的用途時，霧度係通常以較低為佳。此時，密封薄膜的霧度係以3.0以下為佳，較佳為1.0以下。
[7.密封薄膜的製造方法]
密封薄膜係能夠藉由包含以下的步驟來製造：例如在基材薄膜的至少一面形成密封層而得到複層薄膜之步驟；及將該複層薄膜與接著性層重疊且使其加熱壓黏之步驟。
在基材薄膜的面形成密封層之方法，係如在密封 層的說明項目已說明。藉由在基材薄膜的面形成密封層，而能夠得到具備基材薄膜及密封層之複層薄膜。該複層薄膜係通常能夠以長條的薄膜之方式得到。
所得到的複層薄膜，係例如使用能夠溫度控制的加壓輥等的加壓裝置而與接著性層進行加熱壓黏。此時，複層薄膜係在密封層側的面與接著性層貼合。使用彈性體樹脂作為形成接著性層之材料時，在加熱壓黏時，接著性層係變為柔軟而顯現高接著性，接著性層係藉由該顯現的接著性而與複層薄膜接著。藉此，能夠得到具備基材薄膜、密封層及接著性層之密封薄膜。
進行加熱壓黏時的黏度，係通常為70℃以上，較佳是80℃以上。藉此，能夠將具備基材薄膜及密封層之複層薄膜與接著性層穩定地接著。又，溫度的上限係通常為250℃以下，較佳是基材薄膜所具有之樹脂的玻璃轉移溫度以下。藉此，能夠抑制加熱壓黏時之基材薄膜的熱收縮及劣化。
進行加熱壓黏時的壓力，係通常為0.05MPa以上。藉此，能夠將具有基材薄膜及密封層之複層薄膜與接著性層穩定地接著。壓力的上限，係通常為1.5MPa以下，較佳為1.0MPa以下。藉此，能夠防止因過剩的壓力而導致在密封層產生裂紋。
[8.密封薄膜的用途]
密封薄膜，係通常在具備有機EL單元及有機半導體單元等的單元之有機電子元件，為了將前述單元密封而使用。通常，係將密封薄膜使接著性層側的面朝向且沿著前述單元的表面，藉由使密封薄膜在預定的密封溫度壓黏在單元來進行密 封。因為本發明的密封薄膜之操作性良好，所以能夠防止密封時產生皺紋，而且容易無間隙地將單元密封。因此，因為能夠穩定地保護構成單元之要素避免水分及氧，所以能夠長期間繼續維持單元的性能。
密封溫度係通常為Tg+5℃以上，以Tg+10℃以上為佳，較佳是在Tg+20℃以上的溫度進行。在此，所謂Tg，係表示形成接著性層之樹脂的玻璃轉移溫度。又，形成接著性層之樹脂係具有複數個玻璃轉移溫度時，前述的Tg係表示其中最高溫的玻璃轉移溫度。藉此，能夠將在密封後之密封薄膜中設置在比起基材薄膜較靠近密封層側的層部分之遲滯值，調整在前述所需要的範圍。又，在比玻璃轉移溫度更高的溫度時，因為接著性層係充分地柔軟，所以即便單元表面不平坦時，接著性層亦能夠無間隙地密著在單元表面，而且能夠得到高阻障性。特別是使用密封薄膜而將顯示裝置的顯示面密封時，因為能夠使顯示面的微小凹部及凸部減少，所以能夠改善顯示外觀。又，密封溫度的上限係通常為Tg+150℃以下，以Tg+120℃以下為佳，較佳為Tg+100℃以下。藉此能夠防止密封時的熱引起基材薄膜的配向鬆弛或單元產生熱劣化。
應用密封薄膜之元件之中，就適合的例子而言，係可舉出有機EL顯示裝置、液晶顯示裝置等的顯示裝置。該等顯示裝置亦可以是畫面能夠彎曲之軟性顯示裝置。又，顯示裝置以外，例如適合使用在具備有機半導體單元之有機半導體元件。該等元件，係具備有機EL單元及有機半導體單元等的單元作為顯現元件的功能之單元，而且，具備用以將該等的單 元密封之密封薄膜。以下，係針對如此具備密封薄膜元件，揭示實施形態而進行說明。
[8.1.第一實施形態]
第2圖係示意性地顯示本發明的第一實施形態之有機EL顯示裝置200之縱剖面圖。又，第3圖係示意性地顯示在本發明的第一實施形態之有機EL顯示裝置200所含有的組合體之斜視圖。
如第2圖所顯示，本發明的第一實施形態之有機EL裝置200，係具備：組合體210，其係含有發光單元等的構成要素；及密封薄膜220，其係將在該組合體210所含有的發光單元密封。
如第3圖所顯示，組合體210係具有：基板211；第一電極層212，其係在基板211的上表面211U，形成多數條細長的帶狀而成；邊緣覆蓋層213，其係形成在第一電極層212的周邊；發光層214，其係設在一電極層212上；及第二電極層215，其係設置在發光層214上。
第一電極層212、發光層214及第二電極層215係構成作為有機EL單元之發光單元，且能夠藉由在第一電極層212及第二電極層215通電而使發光層214發光。
針對構成組合體210之要素的材料、厚度及製造方法，係沒有特別限定。
例如，作為基板211的材料的例子，能夠舉出由聚碳酸酯、聚對酞酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、脂環式烯烴聚合物等具有柔軟性的透明塑膠所構成之軟性基板、以及石英玻璃、鈉玻 璃、無機鹼玻璃等的玻璃基板。
構成第一電極層212及第二電極層215之材料，係能夠適當地選用能夠用作有機EL單元的電極之材料。又，第一電極層212及第二電極層215，係能夠將任一方設作陽極，而將另一方設作陰極。藉由將第一電極層212及第二電極層215的一方設作透明電極，且將另一方設作反射電極，能夠達成通過透明電極而發出光線。或者亦可將第一電極層212及第二電極層215之雙方設作透明電極。作為透明電極的材料的例子，能夠舉出金屬薄膜、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)及二氧化錫(SnO2)等。作為反射電極層的材料的例子，能夠舉出鋁及MgAg等。
作為在第一電極層212及第二電極層215之間所設置的發光層214，係沒有特別限定而能夠適當地選擇已知物。發光層214可以是單獨的一種層或是複數種類的層之組合，為了滿足作為光源之用途，，而能夠發出含有所需要峰值的波長之光線者。
又，在第一電極層212及第二電極層215之間，係除了發光層214以外，例如亦可進一步設置電洞注入層、電洞輸送層、電子輸送層、電子注入層及氣體阻障層等任意層，且該等亦能夠成為發光單元的構成要素。
作為發光單元的具體層構成之例子，可舉出陽極/電洞輸送層/發光層/陰極的構成、陽極/電洞輸送層/發光層/電子注入層/陰極的構成、陽極/電洞注入層/發光層/陰極的構成、陽極/電洞注入層/電洞注入層/發光層/電子輸送層/電子注 入層/陰極的構成、陽極/電洞輸送層/發光層/電子注入層/等電位面形成層/電洞輸送層/發光層/電子注入層/陰極的構成、及陽極/電洞輸送層/發光層/電子注入層/電荷產生層/電洞輸送層/發光層/電子注入層/陰極的構成。發光單元係能夠設作在陽極與陰極之間具有一層以上的發光層214。該發光層214係可以是複數種發光色不同之層的積層體，或是具有在某色素的層摻雜不同的色素而成之混合層。作為構成發光層214之材料的例子，能夠舉出聚對伸苯基伸乙烯基系、聚茀系、及聚乙烯基咔唑系的材料。又，作為電洞注入層及電洞輸送用的材料之例子，可舉出酞青素系、芳胺系、及聚噻吩系的材料。作為電子注入層及電子輸送層的材料的例子，能夠舉出鋁錯合物及氟化鋰。作為等電位面形成層及電荷產生層的材料之例子，能夠舉出ITO、IZO、及SnO2等的透明電極、以及Ag及Al等的金屬薄膜。
構成第一電極層212、發光層214、第二電極層215及此外的發光單元之任意層，係能夠藉由在基板211上依次層積該等來設置。該等各層的厚度係能夠設為10nm~1000nm。
組合體210係能夠進一步具有用以對第一電極層212及第二電極層215通電之配線等任意的構成要素。
如第2圖所顯示，密封薄膜220係從距離組合體210的遠方起依照以下的順序具備基材薄膜221、密封層222及接著性層223，且藉由接著性層223的接著力而被接著在組合體210的上表面210U。在本實施型態中，係揭示使用含有特定嵌段共聚物的氫化物之接著性層223之例子而進行說明， 其中該特定嵌段共聚物，係每1分子具有2個以上的聚合物嵌段[A]及每1分子具有1個以上的聚合物嵌段[B]。而且，基材薄膜221的遲滯值係大略為零，又，由密封薄膜220的密封層222及接著性層223所構成之層部分224的遲滯值為20nm以下。
藉由具有此種構造，本發明的第一實施形態之有機EL顯示裝置200，含有發光層214之發光單元係被密封薄膜220密封。而且，在該密封薄膜220中，水蒸氣、溶劑及殘留單體等的排氣少。藉此，能夠達成良好的密封且能夠提高有機EL顯示裝置200的壽命等的性能。
又，藉由密封薄膜220的接著性層223之變形能力，組合體210的表面210U之凹凸係被覆蓋，其結果，能夠提高有機EL顯示裝置200的強度。
而且，因為密封薄膜220的基材薄膜221、密封層222及接著性層223的遲滯值小，所以在來自發光層214的光線在透射密封薄膜220時，其偏光狀態係不容易產生不欲發生的變化。藉此，因為能夠適當地控制顏色及亮度等的顯示性能，所以能夠實現高顯示品質。
此種有機EL顯示裝置200，係例如能夠藉由將密封薄膜220壓黏在組合體210上來製造。因為密封薄膜220係具有高拉伸彈性模數且操作性良好，所以在壓黏的時候不容易產生皺紋，而能夠以密著在組合體210的表面210U全體之方式設置。因此，能夠穩定地防止有機EL顯示裝置200所具有的全部發光單元產生劣化，而能夠抑制暗點的產生。在此，所 謂暗點，係指在有機EL顯示裝置200，由於發光單元的有機材料劣化，致使一部分的發光單元無法發光而產生之外觀較暗的區域。
[8.2.第二實施形態]
第4圖係示意性地顯示本發明的第二實施形態之有機EL顯示裝置300之縱剖面圖。第二實施形態之有機EL顯示裝置300的構成要素之中，與第一實施形態之有機EL顯示裝置200同樣的要素，係使用與第一實施形態之有機EL顯示裝置200同樣的符號而顯示。
如第4圖所顯示，本發明的第二實施形態之有機EL顯示裝置300，係在密封薄膜220之與組合體210相反側的面220U，具備由圓偏光板所構成之抗反射薄膜310。抗反射薄膜310係從距離密封薄膜220的遠方起依照以下的順序具備直線偏光板311及1/4波長板312。本發明的第二實施形態之有機EL顯示裝置300，係除了前述的事項以外，具有與第一實施形態之有機EL顯示裝置200同樣的構成。
在具有此種構成之有機EL顯示裝置300入射非偏光之自然光線L時，直線偏光板311之具有與透射軸平行的振動方向之直線偏光成分的光線L1，係透射直線偏光板311且除此之外的光線係被直線偏光板311吸收。又，透射直線偏光板311後之光線L1係藉由透射1/4波長板312而從直線偏光變換成為圓偏光，透射密封薄膜220之後，在組合體210的表面210U反射，進而透射密封薄膜220之後，藉由再次透射1/4波長板312而變換成為直線偏光且入射直線偏光板311。此 時，密封薄膜220的基材薄膜221之遲滯值係大略為零，又，因為由密封薄膜220的密封層222及接著性層223所構成之層部分224的遲滯值為20nm以下，所以透射直線偏光板311後之光線L1的偏光狀態，係與透射密封薄膜220時變化不大。因此，因為該光線L1，係在幾乎不含有具有與直線偏光板311的透射軸平行的振動方向之直線偏光之狀態下入射直線偏光板311，所以其大部分係被直線偏光板311吸收。因而，能夠藉由抗反射薄膜310來防止外光L反射。如此，本實施形態之密封薄膜220，係能夠不阻礙抗反射薄膜310所得到的抗反射功能而進行密封。
又，使用本實施形態之有機EL顯示裝置300時，能夠得到與第一實施形態之有機EL顯示裝置200同樣的優點。
[8.3.第三實施形態]
第5圖係示意性地顯示本發明的第三實施形態之有機EL顯示裝置400之縱剖面圖。第三實施形態之有機EL顯示裝置400的構成要素之中，與第一實施形態及第二實施形態之有機EL顯示裝置200及300同樣的要素，係使用與第一實施形態及第二實施形態之有機EL顯示裝置200及300同樣的符號而顯示。
如第5圖所顯示，本發明的第三實施形態之有機EL顯示裝置400，係具備密封薄膜420，來代替密封薄膜220。密封薄膜420係除了具備能夠作為1/4波長板的功能之基材薄膜421，來代替基材薄膜221以外，係與第一實施形態之密封薄膜220具有同樣的構成。又，有機EL顯示裝置400，係在 密封薄膜420之與組合體210相反側的面420U具備直線偏光板311，藉由該直線偏光板311與基材薄膜421之組合而構成由圓偏光板所構成之抗反射薄膜。本發明的第三實施形態之有機EL顯示裝置400，係除了前述的事項以外，具有與第一實施形態之有機EL顯示裝置200同樣的構成。
具有此種構成之有機EL顯示裝置400，係與第二實施形態之有機EL顯示裝置300同樣地，藉由直線偏光板311與基材薄膜421的組合而構成之抗反射薄膜，而能夠防止外光L的反射。又，因為密封薄膜420的基材薄膜421係具備作為抗反射薄膜的1/4波長板之功能，所以不必另外準備1/4波長板。因此，能夠使有機EL顯示裝置400的厚度薄化。
又，使用本實施形態之有機EL顯示裝置400時，能夠得到與第一及第二實施形態之有機EL顯示裝置200及300同樣的優點。
[8.4.第四實施形態]
第6圖係示意性地顯示本發明的第四實施形態之有機EL顯示裝置500之縱剖面圖。第四實施形態之有機EL顯示裝置500的構成要素之中，與第一實施形態~第三實施形態之有機EL顯示裝置200、300及400同樣的要素，係使用與第一實施形態~第三實施形態之有機EL顯示裝置200、300及400同樣的符號而顯示。
如第6圖所顯示，本發明的第四實施形態之有機EL顯示裝置500，係除了在組合體210與密封薄膜220之間設置預密封層510以外，係具有與第一實施形態之有機EL顯示 裝置200同樣的構成。
預密封層510係設置在組合體210的上表面210U之層，作為基材料，例如能夠舉出氮化矽(SiN)、氧化矽(SiO)等含有矽之材料。預密封層510的厚度係能夠設為0.2μm~1μm左右。
預密封層510，係例如能夠在與發光層214及第二電極層215同樣的減壓環境下之條件，使用蒸鍍等的成膜方法來形成。因而，藉由在減壓環境下連續地設置發光層214、第二電極層215及預密封層510，而能夠有效地抑制發光層214的劣化。而且，藉由將該等從減壓環境下取出之後，使用密封薄膜220進行密封，而能夠形成能夠經得起有機EL顯示裝置500的使用環境下之堅固的密封。藉此，在製造時之發光單元的劣化較少，而且能夠得到在使用環境下亦能夠長期間維持其狀態之有機EL顯示裝置500。
又，使用本實施形態之有機EL顯示裝置500時，能夠得到與第一實施形態之有機EL顯示裝置200同樣的優點。
[8.5.第五實施形態]
第7圖係示意性地顯示本發明的第五實施形態之有機EL顯示裝置600之縱剖面圖。第五實施形態之有機EL顯示裝置600的構成要素之中，與第一實施形態~第四實施形態之有機EL顯示裝置200、300、400及500同樣的要素，係使用與第一實施形態~第四實施形態之有機EL顯示裝置200、300、400及500同樣的符號而顯示。
如第7圖所顯示、本發明的第五實施形態之有機EL顯示裝置600，係除了在組合體210與密封薄膜220之間設 置預密封層510及吸附劑層610以外，具有與第一實施形態之有機EL顯示裝置200同樣的構成。
吸附劑層610係設置在預密封層510的上表面510U之層，作為其材料，例如能夠舉出有機鋁錯合物。吸附劑層610的厚度係能夠設為0.1μm~1μm左右。
藉由具備吸附劑層610，能夠使密封更堅固。例如將可能從密封薄膜220被排放之少許排氣吸附，而能夠進一步防止發光層214等的層產生劣化。
又，使用本實施形態之有機EL顯示裝置600時，能夠得到與第一實施形態及第四實施形態之有機EL顯示裝置200及500同樣的優點。
[8.6.第六實施形態]
第8圖係示意性地顯示本發明的第六實施形態之機半導體元件700之縱剖面圖。第六實施形態之有機半導體元件700的構成要素之中，與第一實施形態~第五實施形態之有機EL顯示裝置200、300、400、500及600同樣的要素，係使用與第一實施形態~第五實施形態之有機EL顯示裝置200、300、400、500及600同樣的符號而顯示。
如第8圖所顯示，本發明的第六實施形態之有機半導體元件700，係具備組合體710、及設置在該組合體710的上表面710U之密封薄膜220。組合體710係具備：基板711；設置在基板711的上表面之閘極電極712；設置在基板711及閘極電極712的上表面之閘極電極絕緣層713；以及設置在閘極電極絕緣層713的上表面之半導體層716、源極電極714、 及汲極電極715。針對構成該等的有機半導體元件700之要素的材料、厚度、及製造方法，係沒有特別限定而能夠採用已知者。
作為基板711，例如能夠舉出由聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚對酞酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、脂環式烯烴聚合物等具有柔軟性的塑膠所構成之軟性基板；石英玻璃、鈉玻璃、無機鹼玻璃等的玻璃基板；及矽晶圓等的矽基板等。
閘極電極712係例如能夠使用導電性材料而形成。作為導電性材料，例如，能夠舉出鉑、金、銀、鎳、鉻、銅、鐵、錫、銻鉛、鉭、銦、鈀、碲、錸、銥、鋁、釕、鍺、鉬、鎢、氧化錫銻、氧化銦錫(ITO)、摻合氟的氧化鋅、鋅、碳、石墨、玻璃石墨(glassy carbon)、銀糊及碳糊、鋰、鈹、鎂、鉀、鈣、鈧、鈦、錳、鋯、鎵、鈮、鈉、鈉-鉀合金、鎂/銅混合物、鎂/銀混合物、鎂/鋁混合物、鎂/銦混合物、鋁/氧化鋁混合物、鋰/鋁混合物等。又，亦可使用藉由摻雜等方法使導電率提升之導電性聚合物。作為此種導電性聚合物，例如，可舉出導電性聚苯胺、導電性聚吡咯、導電性聚噻吩等。又，作為導電性聚噻吩，例如，可舉出聚伸乙基二氧基噻吩與聚苯乙烯磺酸之錯合物等。該等之中，以鉻及鉬為佳，以鉻為較佳。又，該等係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
閘極電極712，係例如藉由使用濺鍍法等方法將上述的導電性材料形成在基板711上，然後進行蝕刻處理而能夠以預定圖案形成在基板711上。
閘極絕緣膜713的材料，係以具有密封性、耐濕性、絕緣性及耐藥品性者為佳。作為閘極絕緣膜713的材料之具體例，能夠例示聚醯亞胺、聚酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚乙烯、聚對酞酸乙二酯、聚醚碸等的熱可塑性樹脂。又，該等係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。而且，亦能夠使用例如與密封薄膜220的接著性層223相同的樹脂。
半導體層716係例如能夠使用有機半導體而形成。作為有機半導體，例如就p通道而言，可舉出稠五苯(pentacene)、稠四苯、噻吩寡聚物、苝、α-六聯苯及其衍生物、萘、蒽、紅螢烯(rubrene)及其衍生物、蔻(coronene)及其衍生物、金屬含有/非含有酞青素(phthalocyanine)及其衍生物等的低分子半導體、或以噻吩和茀作為基質之聚烷基噻吩、聚烷基茀和其衍生物等的高分子半導體等，又，該等係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
半導體層716，係例如能夠藉由使用塗佈法或CVD法等將上述的有機半導體形成在閘極絕緣膜713上，然後，以成為預定圖案形狀之方式進行圖案化來形成。
源極電極714及汲極電極715係能夠使用導電性材料而形成。作為導電性材料，例如能夠使用與上述的閘極電極712同樣的材料。源極電極714及汲極電極715，係例如使用濺鍍法等的方法將上述的導電性材料形成在半導體層716上，然後，藉由進行蝕刻處理而能夠以預定圖案形成在半導體層716上。
在第8圖，因為有機半導體元件700係具備設置在組合體710的上表面710U之密封薄膜220，所以半導體層716、源極電極714、及汲極電極715係被閘極電極絕緣層713及密封薄膜220密封。而且，在該密封薄膜220，水蒸氣、溶劑及殘留單體等的排氣為較少。藉此，能夠達成良好的密封，而能夠提高有機半導體元件700的壽命等的性能。
又，藉由密封薄膜220的接著性層223的變形能力而將組合體710的表面710U之凹凸覆蓋，其結果，能夠提高有機半導體元件700的強度。
[實施例]
以下，揭示實施例而具體地說明本發明。但是，本發明係不被以下的實施例限定，在不脫離本發明的申請專利範圍及其均等的範圍之範圍，能夠任意地變更而實施。
在以下的說明，表示量之「%」及「份」，係只要未特別預先告知，就是重量基準。又，在以下說明之操作，係只要未特別預先告知，就是在常溫及常壓的條件下進行。
[測定方法]
(1.拉伸彈性模數的測定方法)
薄膜的拉伸彈性模數係依據JISK7162而測定。此時，評分間距離係設為25nm，拉伸速度係設為50mm/min，測定溫度係設為23℃。
(2.遲滯值的測定方法)
薄膜的層部分之遲滯值，係使用自動雙折射計(王子計量器公司製「KOBRA-21」)且在波長550nm進行測定。
[製造例1：具備有機EL單元之構造體]
第9圖係示意性地顯示在本發明的實施例及比較例所製成之構造體800之縱剖面圖。實施例及比較例所製成之具備有機EL單元的構造體800之構造，係概略地如第9圖所顯示。
在具有光透射性之玻璃製的基板211的上表面211U，藉由蒸鍍(1×10-4Pa減壓下)而形成鋁層。將該鋁層使用微影製程成形，來形成設為厚度0.05μm、寬度500μm、長度10mm的帶狀且作為第一電極層(反射電極)212之陽極。
然後，進行光阻(日本ZEON製「ZWD6216」)的塗佈及微影製程，在陽極的周圍形成厚度1.0μm的邊緣覆蓋層213。
然後，將NPB(4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯胺基]聯苯)蒸鍍在陽極上而形成厚度40nm的電洞輸送層(未圖示)。
然後，將藍色發光材料之ADS082(4,4-雙(二苯基伸乙烯基)-聯苯)蒸鍍在電洞輸送層上，而形成厚度0.05μm之能夠發出藍色光的發光層214。
然後，將Alq3(三(8-羥基喹啉酸)鋁)蒸鍍而形成厚度0.05μm的電子輸送層(未圖示)。
然後，電子輸送層上蒸鍍氟化鋰(LiF)而形成厚度0.5μm的緩衝層(未圖示)。
然後，將ITO蒸鍍在緩衝層上，而形成作為第二電極層215之厚度0.25μm的陰極(透明電極)。藉此，得到組合體210。
然後，以將所形成的層及基板全體覆蓋之方式，將SiN蒸鍍在組合體210的上表面210U而形成厚度0.2μm的預密封層 510。
從電洞輸送層至預密封層為止的蒸鍍，係在維持壓力1×10-4Pa~1×10-6Pa的條件之狀態下連續進行。
然後，將吸附劑化合物(雙葉電子工業製「OleDry-F」)塗佈在預密封層510的表面且在100℃烘烤，而形成厚度0.5μm的吸附劑層610。
藉由以上的操作而製造構造體800，其中構造體800依照以下的順序具備組合體210、預密封層510及吸附劑層610。
(製造例2：密封用樹脂的製造)
使用苯乙烯作為芳香族乙烯系化合物，使用異戊二烯作為鏈狀共軛二烯化合物，且依照以下的程序而製造在聚合物嵌段[B]的兩端鍵結聚合物嵌段[A]而成之具有三嵌段構造的嵌段共聚物。
在具備內部充分地被氮取代的攪拌裝置之反應器，添加脫水環己烷256份、脫水苯乙烯25.0份及正二丁醚0.615份，且在60℃邊攪拌邊添加正丁基鋰(15%環己烷溶液)1.35份而開始聚合，而且，邊攪拌邊使其在60℃反應60分鐘。該時點的聚合轉化率係99.5%(聚合轉化率係使用氣相層析儀測得，以下相同)。
然後，添加脫水異戊二烯50.0份，繼續在相同溫度攪拌30分鐘攪拌。在該時點的聚合轉化率係99%。
隨後，進一步添加脫水苯乙烯25.0份，在相同溫度攪拌60分鐘。該時點的聚合轉化率係大約100%。
然後，在反應液添加異丙醇0.5份且使反應停止，而得到 含有嵌段共聚物之溶液(i)。
所得到的溶液(i)中之嵌段共聚物的重量平均分子量(Mw)係44,900，分子量分布(Mw/Mn)係1.03。
然後，將溶液(i)移送至具備攪拌裝置之耐壓反應器，添加作為氫化觸媒的氧化矽-氧化鋁負載型鎳觸媒(E22U、鎳負載量60%；日揮化學工業公司製)4.0份及脫水環己烷350份並且混合。以氫氣體取代反應器內部，且邊攪拌溶液邊供給氫氣，藉由在溫度170℃、壓力4.5MPa進行氫化反應6小時來將嵌段共聚物氫化，而得到含有嵌段共聚物的氫化物(ii)之溶液(iii)。溶液(iii)中的氫化物(ii)之重量平均分子量(Mw)係45,100，分子量分布(Mw/Mn)係1.04。
氫化反應結束後，將溶液(iii)過濾而除去氫化觸媒。隨後，在被過濾的溶液(iii)添加溶解磷系抗氧化劑之6-[3-(3-第三丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙氧基)-2,4,8,10-四-第三丁基二苯并[d,f][1.3.2]二氧雜磷雜環庚烷(住友化學公司製「SUMILIZER(註冊商標)GP」，以下，稱為「抗氧化劑A」)0.1份而成之二甲苯溶液1.0份，且使其溶解，而得到溶液(iv)。
然後，使用Zeta Plus(註冊商標)FILTER 30H(CUNO公司製、孔徑0.5μm~1μm)過濾溶液(iv)，進而使用另外的金屬纖維製過濾器(孔徑0.4μm、NICHIDAI公司製)依次過濾，而將微小的固體成分去除。使用圓筒型濃縮乾燥器(製品名「KONTRO、日立製作所公司製)，且在溫度260℃、壓力0.001MPa以下，將溶劑之環己烷、二甲苯及其他的揮發成分從過濾後的溶液(iv)去除。然後，從直接連結在前述濃縮乾燥 器之模具，將固體成分在熔融狀態下擠出成為股線狀且冷卻，而且使用製粒機切割而得到含有嵌段共聚物的氫化物及抗氧化劑A之密封用樹脂丸粒(v)85份。所得到的丸粒(v)中之嵌段共聚物的氫化物的重量平均分子量(Mw)係45,000，分子分布(Mw/Mn)係1.08。又，氫化率係99.9%。
[製造例3：作為接著性層的薄膜(1)之製造)
相對於在製造例2所得到的丸粒(v)100份，添加乙烯基三甲氧基矽烷2.0份及過氧化二-第三丁烷0.2份而得到混合物。使用雙軸擠製機將該混合物在料筒溫度210℃、滯留時間80秒~90秒的條件下進行混煉。將混煉後的混合物擠出且使用製粒機成形而得到丸粒(vi)。藉由動態黏彈性測定裝置的tanδ峰值來評價該丸粒(vi)的玻璃轉移溫度Tg時，為-50℃及125℃。
藉由料筒溫度200℃將該丸粒(vi)單軸擠製成形，來得到厚度50μm的薄膜(1)，以作為接著性層之薄膜使用。
[製造例4：作為接著性層的薄膜(2)之製造]
除了變更厚度以外，係與製造例3同樣地進行，來得到厚度30μm的薄膜(2)，以作為接著性層之薄膜使用。
[製造例5：作為接著性層的薄膜(3)之製造]
將在製造例3所得到的丸粒(vi)100重量份，添加至具備能夠添加液狀物的側給料器之雙軸擠製機(製品名「TEM37BS」、東芝機械公司製)，且在樹脂溫度190℃進行擠製。擠製時，從側給料器將作為可塑劑的聚異丁烯(製品名「日石POLYBUTENELV-100」、數量平均分子量500、JX日鑛日石ENERGY公司製)，以相對於丸粒(vi)100重量份，可塑劑成為 10重量份的比例之方式連續地添加，且擠出成為股線狀。將擠出後的樹脂進行空氣冷卻之後，使用製粒機切割而得到丸粒(vii)。藉由動態黏彈性測定裝置的tanδ峰值來評價該丸粒(vii)的玻璃轉移溫度Tg時，為-40℃及99℃。
藉由料筒溫度180℃將該丸粒(vii)單軸擠製成形，來得到厚度50μm的薄膜(3)，以作為接著性層之薄膜使用。
[製造例6：作為接著性層的薄膜(4)之製造]
除了變更厚度以外，係與製造例3同樣地進行，來得到厚度80μm的薄膜(4)，以作為接著性層之薄膜使用。
[製造例7：作為接著性層的薄膜(5)之製造]
除了使用在製造例2所得到的密封用樹脂丸粒(v)來代替丸粒(vi)以外，係與製造例3同樣地進行，來得到厚度50μm的薄膜(5)，以作為接著性層之薄膜使用。
[製造例8：作為接著性層的薄膜(6)之製造]
除了使用在製造例2所得到的密封用樹脂丸粒(v)來代替丸粒(vi)及變更厚度以外，係與製造例3同樣地進行，來得到厚度180μm的薄膜(6)，以作為接著性層之薄膜使用。
[實施例1]
(1-1.密封薄膜的製造)
準備捲物狀的脂環式聚烯烴樹脂薄膜(含有降莰烯聚合物之薄膜、日本ZEON公司製「ZEONORFILM ZF16」、厚度60μm、遲滯值2nm)作為基材薄膜。在該基材薄膜一側的表面使用濺鍍裝置形成厚度200nm的氮化矽(SiN)膜作為密封層，來得到複層膜(5)。切取複層膜(5)的一部分，測定該薄膜的水蒸氣透 過率時，確認為4×10-3g/m2．day。
又，準備在製造例3所製成的薄膜(1)作為接著性層。該薄膜(1)係苯乙烯異戊二烯苯乙烯共聚物的薄膜。前述苯乙烯異戊二烯苯乙烯共聚物，係將使用芳香族乙烯系化合物作為苯乙烯、且使用異戊二烯作為鏈狀共軛二烯化合物所製成之芳香族乙烯系化合物-共軛二烯嵌段共聚物進行氫化，而且使用烷氧基矽烷改性而成之聚合物，其具有聚合物嵌段[A]在聚合物嵌段[B]的兩端鍵結而成之三嵌段構造。又，苯乙烯異戊二烯苯乙烯共聚物的重量平均分子量(MW)係45,000，聚合物嵌段的重量分率之比「wA/wB」為50/50，聚合物嵌段[A]的重量平均分子量之比「Mw(A1)/Mw(A2)」為1.08，氫化率為99.9%，具有玻璃轉移溫度在-50℃及125℃。
在前述複層薄膜(5)之密封層側的面配置前述薄膜(1)。藉由使用方向相對的一對樹脂輥，將該複層薄膜(5)及薄膜(1)從兩側夾住且邊加壓邊在長度方向上輸送。此時，樹脂輥的溫度係調節成為150℃。又，輸送時的生產線速度係設為0.3m/min。而且，藉由樹脂輥之加壓強度係設為0.1MPa。藉此，能夠得到將密封薄膜(5)與薄膜(1)加壓壓黏而得到具有基材薄膜-密封層-薄膜(1)的層構成之厚度110μm的密封薄膜(6)。
(1-2.密封薄膜的評價)
測定密封薄膜(6)的拉伸彈性模數。
又，使用手對密封薄膜(6)進行評價操作性之結果，具有韌性且操作性良好。
而且，將密封薄膜(6)與後述對構造體的接著條件同樣地 進行而接著在玻璃，藉由測定密封薄膜(6)的遲滯值，而得到密封後的密封薄膜(6)之由密封層及薄膜(1)所構成之層部分的遲滯值之值。由前述的密封層及薄膜(1)所構成之層部分，亦即係在密封層側所設置之除基材薄膜以外的層部分。
(1-3.有機EL元件的製造及評價)
將前述密封薄膜(6)藉由薄膜(1)側的面，在密封溫度150℃施加0.1MPa的壓力進行壓黏，而在製造例1所得到之第9圖所顯示的構造體800之吸附劑層610的表面施行熱密封。藉此，如第7圖所顯示，得到具備組合體210、預密封層510、吸附劑層610、由薄膜(1)所構成之接著性層223、密封層222及基材薄膜221之能夠發藍色光的有機EL元件600。
對所得到的有機EL元件進行通電，確認沒有問題而能夠點燈。
隨後，將有機EL元件在非點燈狀態下於85℃施行熱處理300小時。
隨後，使有機EL元件返回室溫且再次通電而使其點燈，來觀察出光面是否有暗點。
(1-4.與抗反射薄膜組合時之評價)
準備將吸附碘後之聚乙烯醇製的直線偏光板與1/4 λ板組合而成之圓偏光板。將前述圓偏光板作為抗反射薄膜且在1/4波長板與密封劑相對之方向，貼附在前述有機EL元件之密封薄膜(6)上。隨後，在螢光燈照明下觀察外光映入貼附有圓偏光板之面，來調查是否有映入。
[實施例2]
使用在製造例4所製造的薄膜(2)作為接著性層，來代替在製造例3所製造的薄膜(1)。
除了以上的事項以外，係與實施例1同樣地進行而進行密封薄膜及有機EL元件的製造及評價。
[實施例3]
使用在製造例5所製造的薄膜(3)作為接著性層，來代替在製造例3所製造的薄膜(1)。
除了以上的事項以外，係與實施例1同樣地進行密封薄膜及有機EL元件的製造及評價。
[實施例4]
使用在製造例7所製造的薄膜(5)作為接著性層，來代替在製造例3所製造的薄膜(1)。
除了以上的事項以外，係與實施例1同樣地進行密封薄膜及有機EL元件的製造及評價。
[實施例5]
使用在製造例8所製造的薄膜(6)作為接著性層，來代替在製造例3所製造的薄膜(1)。
除了以上的事項以外，係與實施例1同樣地進行密封薄膜及有機EL元件的製造及評價。
[實施例6]
將聚甲基丙烯酸甲酯樹脂(三菱RAYON公司製「ACRYPET VH001」)乾燥之後，藉由料筒溫度230℃且單軸擠製成形，來得到厚度150μm的樹脂薄膜。該樹脂薄膜使用作為基材薄膜，來代替脂環式聚烯烴樹脂薄膜。
又，使用在製造例4所製造的薄膜(2)作為接著性層，來代替在製造例3所製造的薄膜(1)。
除了以上的事項以外，係與實施例1同樣地進行密封薄膜及有機EL元件的製造及評價。
[比較例1]
使用脂環式聚烯烴樹脂薄膜(含有降莰烯聚合物之薄膜、日本ZEON公司製「ZEONORFILM ZF16」、厚度20μm、遲滯值1nm)作為基材薄膜。
又，使用在製造例6所製造的薄膜(4)作為接著性層，來代替在製造例3所製造的薄膜(1)。
除了以上的事項以外，係與實施例1同樣地進行密封薄膜及有機EL元件的製造及評價。
[參考例1]
將在製造有機EL元件時之密封溫度從150℃變更成為133℃。
除了以上的事項以外，係與實施例1同樣地進行密封薄膜及有機EL元件的製造及評價。
[結果]
將前述的實施例及比較例之結果，顯示在下述的表1及表2。在表1及表2，略稱的意思係如以下。
「ZNR」：脂環式烯烴樹脂薄膜
「HSIS(N)」：矽烷改性氫化苯乙烯異戊二烯苯乙烯共聚物的薄膜
「HSIS(LowT)」：含有可塑劑之苯乙烯異戊二烯苯乙烯共 聚物的薄膜
「HSIS(NS)」：氫化苯乙烯異戊二烯苯乙烯共聚物的薄膜
「PMMA」；聚甲基丙烯甲酯樹脂的薄膜
「Re」：密封薄膜中設置在比起基材薄膜較靠近密封層側的層部分之遲滯值
「暗點」：熱處理後之有機EL元件的出光面之暗點
「映入」：在有機EL元件的密封薄膜上設置有抗反射薄膜時之映入
[表2]
[研討]
如比較例1，對於拉伸彈性模數低的密封薄膜而言，密封薄膜無韌性且容易產生皺紋。若密封時產生微小的皺紋，則起因於該皺紋而在構造體與密封薄膜之間會產生間隙。因為水及氧侵入該間隙時會使單元產生劣化，所以一部分的單元之發光功能降低而產生暗點。相對於此，在實施例1~6，因為能夠得到拉伸彈性模數高且具有韌性之密封薄膜，所以不容易產生皺紋。因此，因為能夠將構造體無間隙地密封，所以能夠防止產 生暗點。
而且，在實施例1~6，因為密封薄膜係具有充分小的遲滯值，所以即便與由圓偏光板所構成之抗反射薄膜組合而使用時，亦能夠防止外光反射，因而能夠確認能夠防止起因於該外光反射之映入。
又，在此作為參考例1，係揭示使用與實施例1同樣的密封薄膜而蓄意地在不適當的密封條件下進行密封之例子。在參考例1，係在接著性層採用使其顯現較大的遲滯值之密封條件。在該參考例1，因為具有較大的遲滯值之接著性層，係使透射該接著性層之外光的偏光狀態變化之緣故，所以致使抗反射薄膜所得到的抗反射功能降低。因此，應該能夠理解使用在顯示裝置等的光學用途時，密封薄膜之密封後的遲滯值範圍係具有技術上的意義。

Claims (4)

  1. 一種密封薄膜，係依照以下的順序具備基材薄膜、密封層及接著性層之密封薄膜，前述密封薄膜係具有1000MPa以上的拉伸彈性模數，在密封後之前述密封薄膜中設置在比起前述基材薄膜較靠近前述密封層側的層部分之遲滯值為20nm以下，前述接著性層含有氫化嵌段共聚物彈性體，前述氫化嵌段共聚物彈性體，係將嵌段共聚物的總不飽和鍵之90%以上氫化而成之氫化物，前述嵌段共聚物具有將芳香族乙烯系化合物單元設作主成分且每1分子共聚物有2個以上的聚合物嵌段[A]、以及將鏈狀共軛二烯化合物單元設作主成分且每1分子共聚物有1個以上的聚合物嵌段[B]，在前述嵌段共聚物全體所佔有之總聚合物嵌段[A]的重量分率wA與總聚合物嵌段[B]的重量分率wB之比(wA/wB)為20/80~60/40。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之密封薄膜，其中前述基材薄膜包含脂環式烯烴樹脂。
  3. 一種有機電激發光顯示裝置，係具備如申請專利範圍第1或2項所述之密封薄膜。
  4. 一種有機半導體元件，係具備如申請專利範圍第1或2項所述之密封薄膜。
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