KR20170117879A

KR20170117879A - 적층 필름, 적층 필름의 제조 방법 및 led 탑재 기판

Info

Publication number: KR20170117879A
Application number: KR1020170045893A
Authority: KR
Inventors: 쇼헤이 아자미; 마사노부 마츠바라
Original assignee: 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤
Priority date: 2016-04-14
Filing date: 2017-04-10
Publication date: 2017-10-24
Also published as: US10270017B2; US20170301840A1; JP2017193172A; TW201825291A; CN107302049A; JP6809972B2

Abstract

본 발명은, 두께가 10 ㎛ 이상 125 ㎛ 이하인 수지층과, 수지층의 일방의 면에 형성된 토너층을 갖고, 수지층은, 유리 전이 온도가 130 ℃ 이상인 수지를 갖고, 토너층은, 복수의 공극을 갖고, 토너층의 표면 및 토너층의 단면의 각각의 면에 있어서, 노출되는 공극의 면적의 비율을 나타내는 공극 면적률을 이용하여, 하기 식 (S1) 로 정의되는 값을 공극률로 하고, 토너층의 단면의 공극 면적률로 하여, 토너층의 서로 직교하는 2 방향의 단면에 대응한 2 종의 공극 면적률을 사용했을 때, 2 종의 공극 면적률에 대응하여 각각 산출되는 공극률이 모두 0.01 ％ 이상 0.40 ％ 이하인, 적층 필름에 관한 것이다.

Description

적층 필름, 적층 필름의 제조 방법 및 LED 탑재 기판{LAMINATE FILM, METHOD FOR PRODUCING LAMINATE FILM, AND LED-MOUNTED SUBSTRATE}

본 발명은 적층 필름, 적층 필름의 제조 방법 및 LED 탑재 기판에 관한 것이다.

본원은 2016년 4월 14일에 일본에 출원된 특허출원 2016-081214호에 근거하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.

프린트 배선 기판의 패턴 상에 직접 소자를 실장하고, 수지로 봉지된 칩 타입 LED 가 알려져 있다. 칩 타입 LED 는, 전자 기기의 소형화 및/또는 박형화에 유리하기 때문에, 휴대전화의 텐키 조명이나, 소형 액정 디스플레이의 백라이트 등 전자 기기에 폭넓게 사용되고 있다. 종래의 칩 타입 LED 의 프린트 배선 기판으로서, 열경화성 수지 조성물로 이루어지는 백색 필름이 이용되고 있다.

최근, LED 의 고휘도화 기술의 향상이 현저하여, LED 는 보다 고휘도화되고 있다. 그러나, 그에 수반하여 LED 자체의 발열량도 증대되어, 프린트 배선 기판의 주변은 고온에 노출되는 경우가 있다. 이와 같은 고온의 환경하에 있어서 상기 서술한 백색 필름이 황변됨으로써, 반사율이 저하되는 경우가 있다. 따라서, 고온의 환경하에 있어서 반사율이 저하되지 않는 백색 필름의 개발이 요망되고 있다.

특허문헌 1 에는, 열가소성 수지에 무기 충전재를 함유시킨 열가소성 수지 조성물로 이루어지는 백색 필름이 개시되어 있다. 특허문헌 1 의 백색 필름은, 파장 400 ∼ 800 ㎚ 의 가시광 영역에 있어서의 평균 반사율이 73 ∼ 81 ％ 이다.

국제 공개 제2009/069741호

그러나, 특허문헌 1 의 백색 필름의 반사율은, 고온의 환경하에서는 1 ％ 이상 저하되어 있다. 그래서, 가시광 영역에 있어서의 반사율이 양호하고, 고온의 환경하에 있어서도 반사율의 저하가 보다 적은 필름이 요구되고 있다.

본 발명은 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 본 발명의 일 양태는, 고온의 환경하에서의 가시광 영역에 있어서의 반사율의 저하가 적은 적층 필름 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또, 이와 같은 적층 필름을 구비하는 LED 탑재 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 일 양태는, 두께가 10 ㎛ 이상 125 ㎛ 이하인 수지층과, 수지층의 일방의 면에 형성된 토너층을 갖고, 수지층은 유리 전이 온도가 130 ℃ 이상인 수지를 갖고, 토너층은 복수의 공극을 갖는, 적층 필름을 제공한다.

본 발명의 일 양태에 있어서는, 토너층의 표면에 대해 수직인 단면의 공극 면적률과 상기 표면의 공극 면적률로부터 하기 식 (S1) 에 따라 산출되는 토너층의 공극률과, 상기 단면에 직교하고, 또한 토너층의 표면에 대해 수직인 토너층의 단면의 공극 면적률과 상기 표면의 공극 면적률로부터 식 (S1) 에 따라 산출되는 토너층의 공극률과의 양방이 0.01 ％ 이상 0.40 ％ 이하인, 적층 필름을 제공한다.

본 발명의 일 양태에 있어서는, 토너층의 표면의 공극 면적률이 0.1 ％ 이상 11 ％ 이하인 구성으로 해도 된다.

본 발명의 일 양태에 있어서는, 토너층이 백색의 토너층인 구성으로 해도 된다.

본 발명의 일 양태에 있어서는, 수지는 폴리이미드 또는 하이드록시카르복실산에서 유래하는 구성 단위를 메소겐기로 하는 액정 폴리에스테르인 구성으로 해도 된다.

본 발명의 일 양태에 있어서는, 수지는 하이드록시카르복실산에서 유래하는 구성 단위를 메소겐기로 하는 액정 폴리에스테르인 구성으로 해도 된다.

본 발명의 일 양태에 있어서는, 액정 폴리에스테르는 4-하이드록시벤조산 또는 2-하이드록시-6-나프토산에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 구성으로 해도 된다.

본 발명의 일 양태에 있어서는, 액정 폴리에스테르는, 식 (1) 로 나타내는 반복 단위, 식 (2) 로 나타내는 반복 단위, 및 식 (3) 으로 나타내는 반복 단위를 갖고, 2,6-나프틸렌기를 포함하는 반복 단위의 함유량이, 전체 반복 단위의 합계 몰수량에 대해 40 몰％ 이상인 구성으로 해도 된다.

-O-Ar¹-CO- (1)

-CO-Ar²-CO- (2)

-X-Ar³-Y- (3)

［식 (1) ∼ 식 (3) 중, Ar¹ ∼ Ar³ 은, 서로 독립적으로 페닐렌기, 나프틸렌기 또는 비페닐렌기를 나타내고, X 및 Y 는, 서로 독립적으로 산소 원자 또는 이미노기를 나타내고, Ar¹ ∼ Ar³ 에 포함되는 1 개 이상의 수소 원자는, 서로 독립적으로 할로겐 원자, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기 또는 탄소수 6 ∼ 20 의 아릴기로 치환되어 있어도 된다］

본 발명의 일 양태에 있어서는, 식 (1) 로 나타내는 반복 단위가 식 (11) 로 나타내는 반복 단위이며, 식 (2) 로 나타내는 반복 단위가 식 (21) 로 나타내는 반복 단위이며, 식 (3) 으로 나타내는 반복 단위가 식 (31) 로 나타내는 반복 단위인 구성으로 해도 된다.

-O-Ar¹¹-CO- (11)

-CO-Ar²¹-CO- (21)

-O-Ar³¹-O- (31)

［식 (11), 식 (21) 및 식 (31) 중, Ar¹¹, Ar²¹ 및 Ar³¹ 은, 서로 독립적으로 1,4-페닐렌기, 1,3-페닐렌기, 2,6-나프틸렌기 및 4,4＇-비페닐릴렌기를 나타내고, Ar¹¹, Ar²¹ 및 Ar³¹ 에 포함되는 1 개 이상의 수소 원자는, 서로 독립적으로 할로겐 원자, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기 또는 탄소수 6 ∼ 20 의 아릴기로 치환되어 있어도 된다］

본 발명의 일 양태는, 유리 전이 온도가 130 ℃ 이상인 수지를 갖는 수지층과, 수지층의 일방의 면에 형성되고, 복수의 공극을 갖는 토너층을 갖는 적층 필름의 제조 방법으로서, 토너층을 전자 사진법에 의해 형성하는 공정을 포함하는, 적층 필름의 제조 방법을 제공한다.

본 발명의 일 양태는, 상기 적층 필름과, 적층 필름 상에 형성된 도체 패턴과, 도체 패턴과 접속된 LED 소자를 구비하는, LED 탑재 기판을 제공한다.

즉, 본 발명은 이하의 양태를 갖는다.

［1］두께가 10 ㎛ 이상 125 ㎛ 이하인 수지층과,

상기 수지층의 일방의 면에 형성된 토너층을 갖고,

상기 수지층은, 유리 전이 온도가 130 ℃ 이상인 수지를 갖고,

상기 토너층은, 복수의 공극을 갖는, 적층 필름.

［2］상기 토너층의 표면에 대해 수직인 토너층의 단면의 공극 면적률과 상기 표면의 공극 면적률로부터 하기 식 (S1) 에 따라 산출되는 토너층의 공극률과, 상기 단면에 직교하고, 또한 토너층의 표면에 대해 수직인 토너층의 단면의 공극 면적률과 상기 표면의 공극 면적률로부터 하기 식 (S1) 에 따라 산출되는 토너층의 공극률과의 양방이 0.01 ％ 이상 0.40 ％ 이하인,［1］에 기재된 적층 필름.

(식 (S1) 중, 표면의 공극 면적률은, 토너층의 표면의 면적에 대한 표면에 노출되는 공극의 면적의 비율을 의미하고, 단면의 공극 면적률은, 토너층의 단면의 면적에 대한 단면에 노출되는 공극의 면적의 비율을 의미한다)

［3］상기 토너층의 표면의 공극 면적률이, 0.1 ％ 이상 11 ％ 이하인,［1］또는［2］에 기재된 적층 필름.

［4］상기 토너층이, 백색의 토너층인,［1］ ∼ ［3］중 어느 1 항에 기재된 적층 필름.

［5］상기 수지는, 폴리이미드 또는 하이드록시카르복실산에서 유래하는 구성 단위를 메소겐기로 하는 액정 폴리에스테르인,［1］ ∼ ［4］중 어느 1 항에 기재된 적층 필름.

［6］상기 수지는, 하이드록시카르복실산에서 유래하는 구성 단위를 메소겐기로 하는 액정 폴리에스테르인,［1］ ∼ ［4］중 어느 1 항에 기재된 적층 필름.

［7］상기 액정 폴리에스테르는, 4-하이드록시벤조산 또는 2-하이드록시-6-나프토산에서 유래하는 구성 단위를 함유하는,［5］또는［6］에 기재된 적층 필름.

［8］상기 액정 폴리에스테르는, 식 (1) 로 나타내는 반복 단위, 식 (2) 로 나타내는 반복 단위, 및 식 (3) 으로 나타내는 반복 단위를 갖고, 2,6-나프틸렌기를 포함하는 반복 단위의 함유량이, 전체 반복 단위의 합계 몰수량에 대해 40 몰％ 이상인,［5］ ∼ ［7］중 어느 1 항에 기재된 적층 필름.

-O-Ar¹-CO- (1)

-CO-Ar²-CO- (2)

-X-Ar³-Y- (3)

［9］상기 식 (1) 로 나타내는 반복 단위가 식 (11) 로 나타내는 반복 단위이며, 상기 식 (2) 로 나타내는 반복 단위가 식 (21) 로 나타내는 반복 단위이며, 상기 식 (3) 으로 나타내는 반복 단위가 식 (31) 로 나타내는 반복 단위인,［8］에 기재된 적층 필름.

-O-Ar¹¹-CO- (11)

-CO-Ar²¹-CO- (21)

-O-Ar³¹-O- (31)

［10］유리 전이 온도가 130 ℃ 이상인 수지를 갖는 수지층과,

상기 수지층의 일방의 면에 형성되고, 복수의 공극을 갖는 토너층을 갖는 적층 필름의 제조 방법으로서,

상기 토너층을 전자 사진법에 의해 형성하는 공정을 포함하는, 적층 필름의 제조 방법.

［11］［1］ ∼ ［9］중 어느 1 항에 기재된 적층 필름과,

상기 적층 필름 상에 형성된 도체 패턴과,

상기 도체 패턴과 접속된 LED 소자를 구비하는, LED 탑재 기판.

［12］［1］ ∼ ［9］중 어느 1 항에 기재된 적층 필름과,

상기 적층 필름 상에 형성된 도체 패턴과,

적층 필름의 토너층 상에 탑재되고, 또한 상기 도체 패턴과 접속된 LED 소자를 구비하는, LED 탑재 기판.

본 발명의 일 양태에 의하면, 가시광 영역에 있어서의 반사율이 높고, 고온의 환경하에 있어서도 반사율의 저하가 적은 적층 필름 및 그 제조 방법이 제공된다. 또, 이와 같은 적층 필름을 구비하는 LED 탑재 기판이 함께 제공된다.

도 1 은 본 실시형태의 적층 필름 (10) 을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2 는 본 실시형태의 LED 탑재 기판 (100) 을 모식적으로 나타내는 단면도, 및 그 제조 방법을 나타내는 공정도이다.

이하, 본 발명의 적층 필름의 실시형태에 대해 설명한다. 또한, 이하의 모든 도면에 있어서는, 도면을 보기 쉽게 하기 위해서, 각 구성 요소의 치수나 비율 등은 적절히 상이하다.

［적층 필름］

본 실시형태의 적층 필름은, 수지층과, 수지층의 일방의 면에 형성된 토너층을 갖는다.

도 1 은 본 실시형태의 적층 필름 (10) 을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 적층 필름 (10) 은, 수지층 (1) 과, 수지층 (1) 의 일방의 면에 형성된 토너층 (2) 을 갖는다.

(수지층)

수지층 (1) 의 두께는, 10 ㎛ 이상 125 ㎛ 이하이며, 10 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 수지층 (1) 의 두께가 10 ㎛ 이상이면, 수지층 (1) 자체의 강도가 충분히 얻어진다. 수지층 (1) 의 두께가 125 ㎛ 이하이면, 수지층 (1) 자체의 유연성이 충분히 있으므로, 취급하기 쉽다. 본 명세서에 있어서, 수지층 (1) 의 두께는, 마이크로미터에 의해 수지층의 임의의 9 점에 있어서 측정하고, 그 평균치를 산출함으로써 얻을 수 있다.

수지층 (1) 은, 유리 전이 온도가 130 ℃ 이상인 수지를 갖는다.

본 발명의 다른 측면으로는, 수지층 (1) 은, 유리 전이 온도가 130 ℃ 이상 260 ℃ 이하인 수지를 갖는 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서, 수지층의 유리 전이 온도는, 후술하는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.

수지층 (1) 은, 유리 전이 온도가 상기 서술한 130 ℃ 이상이라는 충분히 높은 수지를 가지므로, 이상에 후술하는 전자 사진법 등의 고온의 열처리를 필요로 하는 프로세스를 적용하여 토너층 (2) 을 형성해도, 수지층 (1) 의 착색이나 변질 등을 억제할 수 있다. 또, 수지층 (1) 을 포함하는 적층 필름 (10) 을 LED 탑재 기판에 적용하는 경우에는, LED 자체의 발열에 의해 수지층 (1) 이 고온에 노출되어도, 수지층 (1) 의 착색이나 변질 등을 억제할 수 있다.

수지층 (1) 을 구성하는 수지의 예로는 폴리이미드 또는 하이드록시카르복실산에서 유래하는 구성 단위를 메소겐기로 하는 액정 폴리에스테르인 것이 바람직하고, 하이드록시카르복실산에서 유래하는 구성 단위를 메소겐기로 하는 액정 폴리에스테르가 보다 바람직하다. 본 명세서에 있어서 「유래」란, 상기 폴리이미드, 하이드록시카르복실산 등의 화합물이 중합되기 때문에, 화학 구조가 변화되는 것을 의미한다. 여기서, 메소겐기란 액정 분자 중에 포함되는 그 형상이 봉상 또는 판상인 것으로서, 그 장사슬을 따라 강성이 높은 분자 사슬을 포함하는 기를 가리킨다. 본 실시형태에 있어서, 메소겐기는, 액정 폴리에스테르의 주사슬 또는 측사슬의 어느 일방 또는 양방에 존재해도 되지만, 액정 폴리에스테르의 내열성을 높일 수 있는 점에서, 주사슬에 존재하는 것이 바람직하다.

본 실시형태에 있어서, 액정 폴리에스테르는, 4-하이드록시벤조산 또는 2-하이드록시-6-나프토산에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 것이 바람직하다.

본 실시형태의 액정 폴리에스테르는, 식 (1) 로 나타내는 반복 단위 (이하, 「반복 단위 (1)」라고 하는 경우가 있다), 식 (2) 로 나타내는 반복 단위 (이하, 「반복 단위 (2)」라고 하는 경우가 있다) 및 식 (3) 으로 나타내는 반복 단위 (이하, 「반복 단위 (3)」라고 하는 경우가 있다) 를 갖는 것이 바람직하다.

-O-Ar¹-CO- (1)

-CO-Ar²-CO- (2)

-X-Ar³-Y- (3)

［식 (1) ∼ 식 (3) 중, Ar¹ ∼ Ar³ 은, 서로 독립적으로 페닐렌기, 나프틸렌기 또는 비페닐렌기를 나타낸다. X 및 Y 는, 서로 독립적으로 산소 원자 또는 이미노기를 나타낸다. Ar¹ ∼ Ar³ 에 포함되는 1 개 이상의 수소 원자는, 서로 독립적으로 할로겐 원자, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기 또는 탄소수 6 ∼ 20 의 아릴기로 치환되어 있어도 된다］

할로겐 원자의 예로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 또는 요오드 원자를 들 수 있다.

탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기의 예로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-헥실기, 2-에틸헥실기, n-옥틸기 또는 n-데실기를 들 수 있다.

탄소수 6 ∼ 20 의 아릴기의 예로는, 페닐기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, 1-나프틸기 또는 2-나프틸기를 들 수 있다.

상기 수소 원자가 이들 기로 치환되어 있는 경우, 그 수는, Ar¹ ∼ Ar³ 으로 나타내는 기 (페닐렌기, 나프틸렌기 또는 비페닐렌기) 마다, 서로 독립적으로 2 개 이하인 것이 바람직하고, 1 개인 것이 보다 바람직하다.

또한, 액정 폴리에스테르의 내열성의 향상이나 성형하기 용이함의 관점에서, 반복 단위 (1) 가 식 (11) 로 나타내는 반복 단위이며, 반복 단위 (2) 가 식 (21) 로 나타내는 반복 단위이며, 반복 단위 (3) 가 식 (31) 로 나타내는 반복 단위인 것이 보다 바람직하다.

-O-Ar¹¹-CO- (11)

-CO-Ar²¹-CO- (21)

-O-Ar³¹-O- (31)

［식 (11), 식 (21) 및 식 (31) 중, Ar¹¹, Ar²¹ 및 Ar³¹ 은, 서로 독립적으로 1,4-페닐렌기, 1,3-페닐렌기, 2,6-나프틸렌기 및 4,4＇-비페닐릴렌기를 나타낸다. Ar¹¹, Ar²¹ 및 Ar³¹ 에 포함되는 1 개 이상의 수소 원자는, 서로 독립적으로 할로겐 원자, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기 또는 탄소수 6 ∼ 20 의 아릴기로 치환되어 있어도 된다］

또한, 할로겐 원자, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기 및 탄소수 6 ∼ 20 의 아릴기는, 식 (1) ∼ (3) 의 설명과 동일하다.

반복 단위 (11) 는, 이하의 방향족 하이드록시카르복실산에서 유래하는 반복 단위인 것이 바람직하다.

반복 단위 (11) 로는, Ar¹¹ 이 1,4-페닐렌기인 것, 즉 4-하이드록시벤조산에서 유래하는 반복 단위인 것이 바람직하다.

반복 단위 (11) 로는, Ar¹¹ 이 1,3-페닐렌기인 것, 즉 3-하이드록시벤조산에서 유래하는 반복 단위인 것이 바람직하다.

반복 단위 (11) 로는, Ar¹¹ 이 2,6-나프틸렌기인 것, 즉 2-하이드록시-6-나프토산에서 유래하는 반복 단위인 것이 바람직하다.

반복 단위 (11) 로는, Ar¹¹ 이 4,4＇-비페닐릴렌기인 것, 즉 4-(4-하이드록시페닐)벤조산에서 유래하는 반복 단위인 것이 바람직하다.

반복 단위 (21) 는, 이하의 방향족 디카르복실산에서 유래하는 반복 단위인 것이 바람직하다.

반복 단위 (21) 로는, Ar²¹ 이 1,4-페닐렌기인 것, 즉 테레프탈산에서 유래하는 반복 단위인 것이 바람직하다.

반복 단위 (21) 로는, Ar²¹ 이 1,3-페닐렌기인 것, 즉 이소프탈산에서 유래하는 반복 단위인 것이 바람직하다.

반복 단위 (21) 로는, Ar²¹ 이 2,6-나프틸렌기인 것, 즉 2,6-나프탈렌디카르복실산에서 유래하는 반복 단위인 것이 바람직하다.

반복 단위 (21) 로는, Ar²¹ 이 4,4＇-비페닐릴렌기인 것, 즉 4,4＇-비페닐디카르복실산에서 유래하는 반복 단위인 것이 바람직하다.

반복 단위 (31) 는, 이하의 방향족 디올에서 유래하는 반복 단위인 것이 바람직하다.

반복 단위 (31) 로는, Ar³¹ 이 1,4-페닐렌기인 것, 즉 1,4-벤젠디올에서 유래하는 반복 단위인 것이 바람직하다.

반복 단위 (31) 로는, Ar³¹ 이 1,3-페닐렌기인 것, 즉 1,3-벤젠디올에서 유래하는 반복 단위인 것이 바람직하다.

반복 단위 (31) 로는, Ar³¹ 이 2,6-나프틸렌기인 것, 즉 2,6-나프탈렌디올에서 유래하는 반복 단위인 것이 바람직하다.

반복 단위 (31) 로는, Ar³¹ 이 4,4＇-비페닐릴렌기인 것, 즉 비페닐-4,4＇-디올에서 유래하는 반복 단위인 것이 바람직하다.

상기 서술한 바와 같이, 이들 화합물의 벤젠 고리 또는 나프탈렌 고리의 1 개 이상의 수소 원자는, 서로 독립적으로 할로겐 원자, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기 또는 탄소수 6 ∼ 20 의 아릴기로 치환되어 있어도 된다.

본 실시형태의 액정 폴리에스테르에 있어서는, 2,6-나프틸렌기를 포함하는 반복 단위의 함유량은, 전체 반복 단위의 합계 몰수량에 대해 40 몰％ 이상인 것이 바람직하고, 50 몰％ 이상인 것이 보다 바람직하고, 60 몰％ 이상인 것이 더욱 바람직하고, 70 몰％ 이상인 것이 특히 바람직하다.

본 발명의 다른 측면으로는, 본 실시형태의 액정 폴리에스테르에 있어서, 2,6-나프틸렌기를 포함하는 반복 단위의 함유량은, 전체 반복 단위의 합계 몰수량에 대해 40 몰％ 이상 95 몰％ 이하인 것이 바람직하고, 50 몰％ 이상 90 몰％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 60 몰％ 이상 85 몰％ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 70 몰％ 이상 80 몰％ 이하인 것이 특히 바람직하다.

여기서, 전체 반복 단위의 합계 몰수량이란, 액정 폴리에스테르 중의 각 반복 단위의 총질량을 각 반복 단위의 식량으로 나눔으로써, 각 반복 단위의 물질량 상당량 (몰) 을 구하여, 그것들을 합계한 값을 가리킨다.

반복 단위 (1) 의 함유량은, 전체 반복 단위의 합계 몰수량에 대해 30 몰％ 이상 80 몰％ 이하인 것이 바람직하고, 40 몰％ 이상 70 몰％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 45 몰％ 이상 65 몰％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.

반복 단위 (2) 의 함유량은, 전체 반복 단위의 합계 몰수량에 대해 10 몰％ 이상 35 몰％ 이하인 것이 바람직하고, 15 몰％ 이상 30 몰％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 17.5 몰％ 이상 27.5 몰％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.

반복 단위 (3) 의 함유량은, 전체 반복 단위의 합계 몰수량에 대해 10 몰％ 이상 35 몰％ 이하인 것이 바람직하고, 15 몰％ 이상 30 몰％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 17.5 몰％ 이상 27.5 몰％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.

본 실시형태의 액정 폴리에스테르는, 상기 서술한 대로 전체 반복 단위의 합계 몰수량이 100 몰％ 가 되도록 각 반복 단위를 함유하여 구성되어 있다. 즉, 전체 반복 단위의 합계 몰수량이란, 액정 폴리에스테르 중의 반복 단위 (1), 반복 단위 (2), 반복 단위 (3), 및 반복 단위 (1) ∼ (3) 이외의 모든 반복 단위의 합계 몰수량을 말한다. 이와 같은 소정의 반복 단위 조성을 갖는 액정 폴리에스테르는, 내열성이 우수하고, 또한 성형하기 쉽다. 또한, 반복 단위 (2) 의 함유량과 반복 단위 (3) 의 함유량은, 실질적으로 동등한 것이 바람직하다. 즉,［반복 단위 (2) 의 함유량］/［반복 단위 (3) 의 함유량］으로 나타내는 비가 0.8 ∼ 1.2 인 것이 바람직하고, 0.9 ∼ 1.1 인 것이 보다 바람직하다. 액정 폴리에스테르는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 반복 단위 (1) ∼ (3) 이외의 반복 단위를 갖고 있어도 된다. 반복 단위 (1) ∼ (3) 이외의 반복 단위의 함유량은, 전체 반복 단위의 합계 몰수량에 대해 10 몰％ 이하인 것이 바람직하고, 5 몰％ 이하인 것이 보다 바람직하다.

내열성이 우수하고, 또한 성형하기 쉬운 액정 폴리에스테르의 전형적인 예로는, 이하의 반복 단위 조성을 갖는 액정 폴리에스테르를 들 수 있다. 예를 들어, 액정 폴리에스테르 중의 전체 반복 단위의 합계 몰수량에 대해 Ar¹ 이 2,6-나프틸렌기인 반복 단위 (1), 즉 2-하이드록시-6-나프토산에서 유래하는 반복 단위를 40 몰％ 이상 74.8 몰％ 이하 갖는 것이 바람직하고, 40 몰％ 이상 64.5 몰％ 이하 갖는 것이 보다 바람직하고, 50 몰％ 이상 58 몰％ 이하 갖는 것이 더욱 바람직하다.

동시에, Ar² 가 2,6-나프틸렌기인 반복 단위 (2), 즉 2,6-나프탈렌디카르복실산에서 유래하는 반복 단위를 12.5 몰％ 이상 30 몰％ 이하 갖는 것이 바람직하고, 17.5 몰％ 이상 30 몰％ 이하 갖는 것이 보다 바람직하고, 20 몰％ 이상 25 몰％ 이하 갖는 것이 더욱 바람직하다.

또한 동시에, 액정 폴리에스테르 중의 전체 반복 단위의 합계 몰수량에 대해 Ar² 가 1,4-페닐렌기인 반복 단위 (2), 즉 테레프탈산에서 유래하는 반복 단위를 0.2 몰％ 이상 15 몰％ 이하 갖는 것이 바람직하고, 0.5 몰％ 이상 12 몰％ 이하 갖는 것이 보다 바람직하고, 2 몰％ 이상 10 몰％ 이하 갖는 것이 더욱 바람직하다.

또한 동시에, 액정 폴리에스테르 중의 전체 반복 단위의 합계 몰수량에 대해 Ar³ 이 1,4-페닐렌기인 반복 단위 (3), 즉 1,4-벤젠디올에서 유래하는 반복 단위를 12.5 몰％ 이상 30 몰％ 이하 갖는 것이 바람직하고, 17.5 몰％ 이상 30 몰％ 이하 갖는 것이 보다 바람직하고, 20 몰％ 이상 25 몰％ 이하 갖는 것이 더욱 바람직하다.

또한 동시에, Ar² 가 2,6-나프틸렌기인 반복 단위 (2) 의 함유량이, Ar² 가 2,6-나프틸렌기인 반복 단위 (2) 및 Ar² 가 1,4-페닐렌기인 반복 단위 (2) 의 합계의 함유량에 대해 0.5 몰배 이상인 것이 바람직하고, 0.6 몰배 이상인 것이 보다 바람직하다.

즉, Ar² 가 2,6-나프틸렌기인 반복 단위 (2) 의 함유량이, Ar² 가 2,6-나프틸렌기인 반복 단위 (2) 및 Ar² 가 1,4-페닐렌기인 반복 단위 (2) 의 합계의 함유 몰수량에 대해 50 몰％ 이상인 것이 바람직하고, 60 몰％ 이상인 것이 보다 바람직하다.

액정 폴리에스테르의 유동 개시 온도는, 280 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 290 ℃ 이상인 것이 보다 바람직하고, 295 ℃ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 액정 폴리에스테르의 유동 개시 온도는, 380 ℃ 이하인 것이 바람직하고, 350 ℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 액정 폴리에스테르의 유동 개시 온도가 280 ℃ 이상이면, 내열성이나 용융 장력을 충분히 향상시킬 수 있다. 액정 폴리에스테르의 유동 개시 온도가 380 ℃ 이하이면, 용융시키기 위해서 고온을 필요로 하지 않아, 성형시에 액정 폴리에스테르가 잘 열열화되지 않는다.

즉, 액정 폴리에스테르의 유동 개시 온도는, 280 ℃ 이상 380 ℃ 이하인 것이 바람직하고, 290 ℃ 이상 360 ℃ 이하인 것이 보다 바람직하고, 290 ℃ 이상 350 ℃ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 295 ℃ 이상 340 ℃ 이하인 것이 특히 바람직하다.

여기서, 유동 개시 온도는, 플로 온도 또는 유동 온도라고도 불리며, 액정 폴리에스테르의 분자량의 기준이 된다. 유동 개시 온도란, 내경 1 ㎜, 길이 10 ㎜ 인 노즐을 갖는 모세관 레오미터를 이용하여, 9.8 ㎫ (100 ㎏/㎠) 의 하중하에 있어서, 4 ℃/분의 승온 속도로 액정 폴리에스테르의 가열 용융체를 노즐로부터 압출할 때, 용융 점도가 4800 Pa·s (48,000 포이즈) 를 나타내는 온도를 나타낸다.

수지층 (1) 은, 상기 서술한 수지에 충전재 등을 함유시킨 수지 조성물을 갖는 것이 바람직하다.

충전재의 예로는, 밀드 유리 파이버, 촙드 유리 파이버 등의 유리 섬유, 티탄산칼륨 위스커, 알루미나 위스커, 붕산알루미늄 위스커, 탄화규소 위스커, 질화규소 위스커 등의 금속 또는 비금속계 위스커류, 유리 비드, 중공 유리구, 유리 분말, 마이카, 탤크, 클레이, 실리카, 알루미나, 티탄산칼륨, 월로스토나이트, 탄산칼슘 (중질, 경질, 교질 등), 탄산마그네슘, 염기성 탄산마그네슘, 황산소다, 황산칼슘, 황산바륨, 아황산칼슘, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 수산화칼슘, 규산칼슘, 규사, 규석, 석영, 산화티탄, 산화아연, 산화철, 그라파이트, 몰리브덴, 아스베스토, 실리카알루미나 섬유, 알루미나 섬유, 석고 섬유, 탄소 섬유, 카본 블랙, 화이트 카본, 규조토, 벤토나이트, 세리사이트, 시라수, 및 흑연을 들 수 있다.

이들 중에서 실리카, 알루미나, 산화티탄이 바람직하게 사용된다. 수지로서 액정 폴리에스테르를 사용하는 경우, 충전재, 바람직하게는 무기 충전재를 액정 폴리에스테르에 배합함으로써, 얻어지는 액정 폴리에스테르 조성물의 용융 점도를 낮게 할 수 있어, 저온에서의 압출 성형이 가능해진다.

이들 충전재는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 임의로 조합하여 병용해도 된다.

이들 충전재는, 필요에 따라 표면 처리된 것이어도 된다. 표면 처리제의 예로는, 실란계 커플링제, 티타네이트계 커플링제, 보란계 커플링제 등의 반응성 커플링제, 또는 고급 지방산, 고급 지방산 에스테르, 고급 지방산 금속염, 플루오로 카본계 계면활성제 등의 윤활제를 들 수 있다.

본 발명에 있어서, 상기 충전재의 체적 평균 입경은 0.05 ㎛ 이상 0.50 ㎛ 인 것이 바람직하고, 0.10 ㎛ 이상 0.30 ㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다.

충전재의 입경은, 예를 들어 JIS R1629 에 준거한 레이저 회절 산란법에 의해 측정할 수 있고, 입도 분포의 체적 평균을 체적 평균 입경으로 할 수 있다.

충전재의 배합량은, 수지 100 질량부에 대해, 0.1 질량부 이상 20 질량부 이하인 것이 바람직하고, 0.5 질량부 이상 15 질량부 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.5 질량부 이상 10 질량부 이하인 것이 더욱 바람직하다. 충전재의 함유량이 0.1 질량부보다 적으면, 액정 폴리에스테르 조성물의 용융 점도가 저감되기 어렵고, 20 질량부보다 많으면, 액정 폴리에스테르 조성물의 용융 장력이 불충분해지는 경우가 있다.

즉, 수지 100 질량부에 대한 충전재의 배합량이 0.1 질량부 이상이면, 액정 폴리에스테르 조성물의 용융 점도가 저감되고, 20 질량부 이하이면, 액정 폴리에스테르 조성물의 용융 장력이 충분해진다.

수지 조성물에는, 충전제 외에, 상기 서술한 수지 이외의 열가소성 수지 또는 첨가제 등이 함유되어 있어도 된다. 수지 조성물 전체에서 차지하는 상기 서술한 수지의 비율은, 80 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 90 질량％ 이상인 것이 보다 바람직하다.

본 발명의 다른 측면으로는, 상기 수지의 비율은 80 질량％ 이상 97 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 90 질량％ 이상 95 질량％ 이하인 것이 보다 바람직하다.

상기 서술한 수지 이외의 열가소성 수지의 예로는, 폴리카보네이트, 폴리술폰, 폴리페닐렌에테르, 폴리에테르케톤 또는 폴리에테르이미드를 들 수 있다.

첨가제의 예로는, 불소 수지, 금속 비누류 등의 이형 개량제, 핵제, 산화 방지제, 안정제, 활제, 착색 방지제, 자외선 흡수제, 윤활제 또는 난연제를 들 수 있다.

(토너층)

도 1 에 나타내는 토너층 (2) 은, 종래 공지된 전자 사진법에 사용되는 토너로 형성되어 있다. 토너층 (2) 은, 그 표면 및 내부에 복수의 공극을 갖고 있다. 토너층 (2) 의 표면에 대해 수직인 단면의 공극 면적률과 상기 토너층 (2) 의 표면의 공극 면적률로부터 하기 식 (S1) 에 따라 산출되는 토너층 (2) 의 공극률과, 상기 단면에 직교하고, 또한 토너층 (2) 의 표면에 대해 수직인 토너층 (2) 의 단면의 공극 면적률과 상기 표면의 공극 면적률로부터 식 (S1) 에 따라 산출되는 토너층 (2) 의 공극률과의 양방이 0.01 ％ 이상 0.40 ％ 이하인 것이 바람직하다.

본 발명의 다른 측면은, 두께가 10 ㎛ 이상 125 ㎛ 이하인 수지층과, 상기 수지층의 일방의 면에 형성된 토너층을 갖고, 상기 수지층은, 유리 전이 온도가 130 ℃ 이상인 수지를 갖고, 상기 토너층은, 복수의 공극을 갖는 적층 필름으로서, 상기 토너층의 표면에 대해 수직인 토너층의 단면의 공극 면적률과 상기 표면의 공극 면적률로부터 상기 식 (S1) 에 따라 산출되는 토너층의 공극률과 상기 단면에 직교하고, 또한 토너층의 표면에 대해 수직인 토너층의 단면의 공극 면적률과 상기 표면의 공극 면적률로부터 상기 식 (S1) 에 따라 산출되는 토너층의 공극률과의 양방이 0.01 ％ 이상 0.70 ％ 이하인 적층 필름이다.

여기서, "토너층의 표면" 이란, 토너층의 수지층과 접하는 면과 대향하는 면을 의미한다. "토너층의 표면의 공극 면적률" 이란, 토너층 (2) 의 표면의 면적에 대한 상기 표면에 노출되는 공극의 면적의 비율을 의미하고, "토너층의 단면의 공극 면적률" 이란, 토너층 (2) 의 단면의 면적에 대한 단면에 노출되는 공극의 면적의 비율을 의미한다.

이 표면의 공극 면적률 및 단면의 공극 면적률은, 이하의 방법에 의해 구할 수 있다. 표면의 공극 면적률 및 단면의 공극 면적률은, 토너층 (2) 의 표면 및 단면을, 공지된 화상 해석 장치에 의해 2 치 화상 처리를 실시함으로써 구해진다. 여기서 2 치 화상 처리란, 농담이 있는 화상을 백색과 흑색의 2 해조 (諧調) 로 변환하는 처리를 말한다. 본 발명에 있어서는, 표면 및 단면의 공극은, 예를 들어 흑색으로 나타낸다. 구체적으로는, 공지된 화상 해석 장치에 의해 얻어진 2 차원 화상으로부터 표면의 공극 면적률과, 서로 직교하는 2 방향의 각각에 대한 단면의 공극 면적률을 산출한다. 이 측정에 있어서, 공극 면적률은, 공지된 화상 해석 장치의 측정 면적 (통상 약 0.2 ∼ 0.7 ㎟) 에 대한 공극의 면적의 비율이 백분율로 부여되는 값이다. 즉, 본 발명에 있어서의 공극 면적률은, 단위 면적에 대한 상기 단위 면적 중의 공극의 비율을 백분율로 나타낸 값이다. 공지된 화상 해석 장치의 예로서, 주식회사 니레코 제조의 「루젝스 (상표 등록)」를 들 수 있다.

토너층의 표면에 대해 수직인 단면의 공극 면적률은, 토너층을, 그 두께 방향으로, 표면으로부터 수직으로, 커터 나이프 등의 절단 수단에 의해 절단하여 얻어지는 단면을, 화상 해석 장치에 의해 화상 처리하여 구해진다. 상기 단면에 직교하고, 또한 토너층의 표면에 대해 수직인 단면의 공극 면적률은, 토너층을, 상기 단면에 직교하는 방향이고, 또한 토너층의 두께 방향으로, 표면으로부터 수직으로, 커터 나이프 등의 절단 수단에 의해 절단하여 얻어지는 단면을, 화상 해석 장치에 의해 화상 처리하여 구해진다. 이와 같은 2 개의 단면의 조합의 구체예로는, 토너층을 형성할 때의 토너의 도공 방향 (이하, MD 방향이라고 하는 경우가 있다) 을 따라, 토너층의 두께 방향으로, 토너층을, 표면으로부터 수직으로 절단 수단에 의해 절단하여 얻어지는 단면과, 상기 MD 방향에 대해 수직인 방향 (이하, TD 방향이라고 하는 경우가 있다) 을 따라, 토너층의 두께 방향으로, 토너층을, 표면으로부터 수직으로 절단 수단에 의해 절단하여 얻어지는 단면을 들 수 있다. 2 개의 단면이 직교하는 관계에 있으면, 토너층의 어느 장소를 절단해도 된다. 단면은, 필요에 따라 연마 후에 2 치 화상 처리해도 된다.

가시광 영역의 광은 토너층 (2) 의 표면 근방에서 반사되기 때문에, 가시광 영역에 있어서의 반사율에 대해, 토너층 (2) 의 표면의 공극 면적률의 기여가 크다. 토너층의 표면의 공극 면적률은, 0.1 ％ 이상 11 ％ 이하인 것이 바람직하다. 토너층 (2) 의 표면의 공극 면적률이 상기 서술한 범위임으로써, 가시광 영역에 있어서의 반사율을 충분히 높게 할 수 있다.

본 발명의 다른 측면으로는, 토너층 (2) 의 표면의 공극 면적률이 0.1 ％ 이상 5.0 ％ 이하인 것이 바람직하다.

토너층 (2) 을 형성하기 위한 토너의 평균 입경은, 토너층 (2) 의 공극률 및 표면의 공극 면적률을 상기 서술한 범위로 컨트롤 하기 쉬운 점에서, 3 ㎛ 이상 15 ㎛ 이하가 바람직하다. 토너의 평균 입경은, 예를 들어 전기적 검지대법에 의해 측정할 수 있다.

토너층 (2) 의 두께는, 5 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하이며, 10 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 토너층 (2) 의 두께가 상기 서술한 범위이면, 가시광 영역에 있어서의 반사율을 충분히 높게 할 수 있다. 상기 서술한 토너의 평균 입경은, 토너층 (2) 의 원하는 두께에 따라 적절히 결정할 수 있다.

본 실시형태의 적층 필름 (10) 을 LED 의 프린트 배선 기판에 적용하는 경우, 토너층 (2) 은 백색의 토너층인 것이 바람직하다.

일반적으로, 전자 사진법에 사용되는 토너는, 바인더 수지, 착색제, 왁스, 및 전하 제어제를 포함하고 있다. 본 실시형태에서는, 전자 사진법에 사용되는 토너가 통상 이용된다.

바인더 수지의 예로는, 전자 사진법에 사용하는 수지, 예를 들어 폴리에스테르 수지나 스티렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체를 들 수 있다. 예를 들어, 다가 카르복실산과 다가 알코올이 탈수 축합함으로써 얻어지는 폴리에스테르 수지가 바람직하다.

다가 카르복실산의 예로는, 테레프탈산, 이소프탈산, 프탈산, 트리멜리트산, 피로멜리트산, 나프탈렌디카르복실산 등의 방향족 카르복실산류, 말레산, 푸말산, 숙신산, 아디프산 등의 지방족 카르복실산류, 시클로헥산디카르복실산 등의 지환식 카르복실산류 등을 들 수 있다. 이들 카르복실산의 무수물이나 저급 알킬에스테르를 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 방향족 카르복실산 또는 그 무수물, 저급 알킬에스테르가 바람직하다.

이들 다가 카르복실산은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 임의로 조합하여 병용해도 된다.

다가 알코올의 예로는, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 부탄디올, 헥산디올, 네오펜틸글리콜, 글리세린, 트리메틸올프로판, 펜타에리트리톨 등의 지방족 디올류, 시클로헥산디올, 시클로헥산디메탄올, 수소 첨가 비스페놀 A 등의 지환식 디올류, 비스페놀 A 의 에틸렌옥사이드 부가물, 비스페놀 A 의 프로필렌옥사이드 부가물 등의 방향족 디올류 등을 들 수 있다.

이들 다가 알코올은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 임의로 조합하여 병용해도 된다.

다가 카르복실산과 다가 알코올의 탈수 축합에 의해 얻어진 폴리에스테르 수지에, 추가로 모노카르복실산, 그 무수물이나 에스테르, 모노알코올 등 중에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 첨가해도 된다. 이와 같이 하여, 중합 말단의 하이드록실기 또는 카르복실기의 어느 일방 또는 양방을 에스테르화하여, 폴리에스테르 수지의 산가를 조정할 수 있다.

착색제는, 백색 안료인 것이 바람직하다. 백색 안료의 예로는, 전자 사진법에 사용하는 백색 안료, 예를 들어 산화티탄이나 황산바륨, 산화알루미늄, 탄산칼슘, 산화아연, 산화규소 등을 들 수 있고, 바람직하게는 산화티탄이다.

왁스의 예로는, 전자 사진법에 사용하는 왁스, 예를 들어 카르나우바 왁스, 라이스 왁스, 칸델릴라 왁스 등의 식물 왁스, 파라핀 왁스, 마이크로크리스탈린 왁스 등의 석유 왁스, 몬탄 왁스 등의 광물 왁스, 카르보 왁스, 폴리에틸렌 왁스, 폴리프로필렌 왁스, 염소화나프탈렌 왁스 등의 합성 왁스, 스테아르산, 아라크산, 베헨산 등의 고급 지방산, 세릴알코올, 메리실알코올 등의 고급 알코올, 스테아르산아미드, 베헨산아미드 등의 아미드계 왁스, 지방산 에스테르, 글리세린모노스테아레이트, 글리세린디스테아레이트 등의 다가 알코올에스테르, 실리콘 바니시 등을 들 수 있다.

이들 왁스는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 임의로 조합하여 병용해도 된다.

전하 제어제에는, 토너를 부대전성으로 제어하는 전하 제어제와, 정대전성으로 제어하는 전하 제어제로 분류된다. 토너를 부대전성으로 제어하는 전하 제어제의 예로는, 모노 아조 금속 화합물, 아세틸아세톤 금속 화합물, 방향족 하이드록시카르복실산, 함금속 살리실산계 화합물, 붕소 착물 화합물, 칼릭스아렌 등을 들 수 있다. 토너를 정대전성으로 제어하는 전하 제어제의 예로는, 트리부틸벤질암모늄-1-하이드록시-4-나프토술폰산염, 니그로신, 구아니딘 화합물, 트리페닐메탄 염료, 제 4 급 암모늄염 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 얻어지는 토너층의 색조나 반사율에 영향을 미치지 않는 점에서, 무색, 백색 또는 담색의 전하 제어제가 바람직하다.

본 실시형태의 적층 필름 (10) 을 LED 탑재 기판에 적용하는 경우, LED 를 탑재하는 측의 층은, 전자 사진법과 같은 고온의 열처리를 필요로 하는 프로세스에 사용되는 토너로 형성되어 있다. 그 때문에, LED 자체의 발열에 의해 적층 필름이 고온에 노출되어도, 적층 필름의 착색이나 변질 등을 억제할 수 있다. 요컨대, 고온의 환경하에 있어서도 반사율의 저하가 적은 적층 필름으로 할 수 있다.

토너층 (2) 을 구성하는 토너에는, 토너층의 색조나 반사율에 영향을 미치지 않는 한에 있어서, 전자 사진법에 사용하는 다른 성분이 추가로 포함되어 있어도 된다.

［적층 필름의 제조 방법］

다음으로, 본 발명에 관련된 적층 필름의 제조 방법의 실시형태에 대해 설명한다. 이하에서는, 수지층 (1) 의 형성 재료로서 액정 폴리에스테르를 예로 들어 설명하지만, 본 실시형태는 이에 한정되지 않는다.

본 실시형태의 적층 필름 (10) 은, 수지층 (1) 의 일방의 면에, 후술하는 전자 사진법에 의해 토너층 (2) 을 형성함으로써 얻어진다.

수지층 (1) 은, 액정 폴리에스테르 또는 액정 폴리에스테르를 포함하는 수지 조성물을, 필름상으로 성형함으로써 얻어진다.

액정 폴리에스테르는, 시판되고 있는 것을 사용해도 되고, 종래 공지된 합성법에 의해 합성한 것을 사용해도 된다. 합성한 액정 폴리에스테르를 사용하는 경우, 반복 단위 (1) 를 부여하는 모노머, 즉 소정의 방향족 하이드록시카르복실산과, 반복 단위 (2) 를 부여하는 모노머, 즉 소정의 방향족 디카르복실산과, 반복 단위 (3) 를 부여하는 모노머, 즉 소정의 방향족 디올을 소정의 농도로 혼합하여, 용융 중합시킴으로써, 액정 폴리에스테르를 제조할 수 있다.

여기서, 소정의 농도란 2,6-나프틸렌기를 갖는 모노머의 합계 몰수량, 즉 2-하이드록시-6-나프토산, 2,6-나프탈렌디카르복실산 및 2,6-나프탈렌디올의 합계 몰수량이, 전체 모노머의 합계 몰수량에 대해 40 몰％ 이상인 것을 나타내고 있다.

액정 폴리에스테르의 제조에 있어서, 방향족 하이드록시카르복실산, 방향족 디카르복실산 및 방향족 디올의 각각의 일부 또는 전부 대신에, 그들의 중합 가능한 유도체를 사용해도 된다.

방향족 하이드록시카르복실산 및 방향족 디카르복실산과 같은 카르복실기를 갖는 화합물의 중합 가능한 유도체의 예로는, 카르복실기를 알콕시카르보닐기나 아릴옥시카르보닐기로 변환하여 이루어지는 것, 카르복실기를 할로포르밀기로 변환하여 이루어지는 것, 카르복실기를 아실옥시카르보닐기로 변환하여 이루어지는 것을 들 수 있다.

방향족 디올과 같은 하이드록실기를 갖는 화합물의 중합 가능한 유도체의 예로는, 하이드록실기를 아실화하여 아실옥실기로 변환하여 이루어지는 것을 들 수 있다.

수지층 (1) 의 성형 방법으로는, 예를 들어 압출 성형법, 프레스 성형법, 용액 유연법 또는 사출 성형법을 들 수 있으며, 바람직하게는 압출 성형법을 들 수 있다. 압출 성형법으로는, 예를 들어 T 다이법이나 인플레이션법을 들 수 있으며, 바람직하게는 T 다이법을 들 수 있다. T 다이법에 있어서는, 1 축 연신 또는 2 축 연신이다.

T 다이법은, 상기 액정 폴리에스테르를 포함하는 수지 조성물을 용융시킨 용융 수지를 T 형 다이의 슬릿으로부터 박막상으로 압출하고, 성형함으로써 실시할 수 있다.

인플레이션법은, 상기 폴리에스테르를 포함하는 수지 조성물을 용융시킨 용융 수지를 링상의 노즐로부터 원통상으로 압출하고, 원통 안으로 공기를 불어넣음으로써, 팽창시켜 필름 두께를 조정함으로써 실시할 수 있다.

상기 서술한 성형법을 이용하여, 얻어진 액정 폴리에스테르의 유동 개시 온도보다 10 ℃ 낮은 온도로부터 유동 개시 온도보다 100 ℃ 높은 온도에서 상기 서술한 수지 조성물 및 상기 서술한 충전제를 용융 혼련하여, 펠릿을 제작한다. 액정 폴리에스테르의 열열화를 억제하는 관점에서, 바람직하게는 유동 개시 온도보다 10 ℃ 낮은 온도로부터 유동 개시 온도보다 70 ℃ 높은 온도, 보다 바람직하게는 유동 개시 온도보다 10 ℃ 낮은 온도로부터 유동 개시 온도보다 50 ℃ 높은 온도에서 펠릿을 제작한다.

상기 서술한 성형법을 이용하여, 상기 액정 폴리에스테르의 유동 개시 온도보다 10 ℃ 낮은 온도로부터 유동 개시 온도보다 100 ℃ 높은 온도에서 상기 펠릿을 용융 혼련하여, 수지층 (1) 을 제작한다. 용융 혼련시의 바람직한 온도는, 상기 펠릿 제작시와 동일하다.

T 다이법에 있어서의 1 축 연신의 연신 배율은, 1.1 배 이상 40 배 이하가 바람직하고, 10 배 이상 40 배 이하가 보다 바람직하고, 15 배 이상 35 배 이하가 더욱 바람직하다. T 다이법에 있어서의 2 축 연신의 MD 방향 (압출 방향) 의 연신 배율은, 1.2 배 이상 40 배 이하가 바람직하다. T 다이법에 있어서의 2 축 연신의 TD 방향 (압출 방향으로 수직인 방향) 의 연신 배율은, 1.2 배 이상 20 배 이하이다.

인플레이션법에 있어서의 MD 방향의 연신 배율은, 1.5 배 이상 50 배 이하가 바람직하고, 5 배 이상 30 배 이하가 보다 바람직하다. 인플레이션법에 있어서의 TD 의 연신 배율은, 1.5 배 이상 10 배 이하가 바람직하고, 2 배 이상 5 배 이하가 보다 바람직하다.

다음으로, 얻어진 수지층 (1) 의 일방의 면에, 전자 사진법에 의해 토너층 (2) 을 형성한다. 일반적으로, 전자 사진법은, 대전, 노광, 현상, 전사, 정착의 5 공정을 구비하고 있다. 구체적으로는, 우선 코로나 방전에 의해 감광체 표면에 균일한 전하를 부여한다 (대전 공정). 다음으로, 광 조사에 의해 정전 화상을 형성한다 (노광 공정). 얻어진 정전 화상을 토너에 의해 현색시킨다 (현상 공정). 현색시킨 정전 화상을, 수지층 (1) 의 일방의 면에 전사시킨다 (전사 공정). 전사된 정전 화상을, 가열·압력 또는 용매 증기 등에 의해 정착시켜, 토너층 (2) 을 형성한다 (정착 공정).

후술하는 실시예의 전자 사진 프린터를 사용하면, 상기 노광 공정에 있어서 소기의 정전 화상을 감광체 표면에 형성할 수 있다. 상기 감광체의 전체면에 광 조사를 실시하여, 노광시킬 수도 있다.

본 발명의 하나의 측면은, 유리 전이 온도가 130 ℃ 이상인 수지를 갖는 수지층과, 상기 수지층의 일방의 면에 형성되고, 복수의 공극을 갖는 토너층을 갖는 적층 필름의 제조 방법으로서, 코로나 방전을 실시하여 감광체 표면에 균일한 전하를 부여하는 대전 공정과, 상기 감광체 표면에 광 조사를 실시하여 정전 화상을 형성하는 노광 공정과, 상기 감광체 표면의 상기 정전 화상에 토너를 부착시키는 현상 공정과, 토너가 부착된 상기 정전 화상을 상기 수지층의 일방의 면에 전사시키는 전사 공정과, 전사된 상기 정전 화상을, 가열·압력 또는 용매 증기로 처리를 실시하여 상기 수지층에 정착시키는 정착 공정을 포함하는 상기 토너층을 상기 수지층의 일방의 면에 형성하는 것을 특징으로 하는 적층 필름의 제조 방법이다.

토너층 (2) 의 공극률 및 표면의 공극 면적률은, 토너의 용융 상태에 영향을 받는다. 토너가 용융되면 될수록, 토너층 (2) 의 공극률 및 표면의 공극 면적률은 낮아진다. 따라서, 토너의 용융 상태를 제어함으로써, 토너층 (2) 의 공극률 및 표면의 공극 면적률을 제어할 수 있다.

토너의 용융 상태는, 정착 공정의 조건, 토너의 물성, 수지층 (1) 의 두께, 정착시의 주변 온도에 따라 변화된다.

정착 공정의 조건으로는, 토너의 가열 온도나 압력, 토너층 (2) 의 형성 횟수, 토너의 가열 시간, 수지층 (1) 의 단위 면적당 토너의 양 등을 들 수 있다. 여기서, 토너층 (2) 의 형성 횟수란 상기 5 공정을 1 회로 했을 때에 반복 실시하는 횟수에 대응한다. 가열 시간이란 정착 공정에 사용하는 정착 장치 안을 토너가 통과할 때까지의 시간에 대응한다.

토너의 가열 온도나 압력을 높게 할수록 토너가 용융되기 쉽다. 토너의 가열 시간이 길수록 토너가 용융되기 쉽다. 또한, 수지층 (1) 의 단위 면적당 토너의 양이 많을수록, 토너가 용융되었을 때에 인접하는 토너 입자간의 공극이 메워지기 쉽다. 따라서, 토너층 (2) 의 공극률 및 표면의 공극 면적률은 낮아진다.

토너의 물성으로는, 토너의 유리 전이 온도나 점탄성 등의 열 특성이나, 토너의 분자량 분포 등을 들 수 있다. 토너의 유리 전이 온도나 점탄성이 낮을수록 토너가 용융되기 쉬워, 토너층 (2) 의 공극률 및 표면의 공극 면적률은 낮아진다. 토너의 분자량 분포가 클수록 토너가 용융되기 쉬워, 토너층 (2) 의 공극률 및 표면의 공극 면적률은 낮아진다.

수지층 (1) 의 두께가 두꺼울수록 정착시의 열이 빠져나기 어려워지기 때문에, 토너가 용융되기 쉬워, 토너층 (2) 의 공극률 및 표면의 공극 면적률은 낮아진다.

정착시의 주변 온도가 높을수록 수지층 (1) 의 온도도 높아져, 정착시의 열이 빠져나가기 어려워진다. 그 때문에, 토너가 용융되기 쉬워, 토너층 (2) 의 공극률 및 표면의 공극 면적률은 낮아진다.

정착 공정에 있어서의 가열 온도는, 토너의 점탄성, 가열 시간, 수지층 (1) 의 형성 재료나 두께에 따라 적절히 결정할 수 있으며, 예를 들어 120 ∼ 200 ℃ 인 것이 바람직하다.

토너층 (2) 의 형성에 전자 사진법을 사용함으로써, 원하는 위치에 원하는 형상의 토너층 (2) 을 용이하게 형성할 수 있다. 예를 들어, 적층 필름을 LED 탑재 기판에 적용하는 경우, 수지층 (1) 상의 LED 소자를 탑재하고자 하는 지점에 선택적으로 토너층 (2) 을 용이하게 형성할 수 있기 때문에, 가공성이나 취급성이 우수하다. 또한, 전자 사진법의 각 공정에서의 조건을 적절히 설정함으로써, 가시광 영역에 있어서의 반사율이 서로 상이한 복수의 영역을 수지층 (1) 상에 용이하게 형성할 수도 있다.

이상과 같은 구성의 적층 필름에 의하면, 가시광 영역에 있어서의 반사율이 높고, 고온의 환경하에 있어서도 반사율의 저하가 적은 적층 필름이 얻어진다.

이상과 같은 방법의 적층 필름의 제조 방법에 의하면, 가시광 영역에 있어서의 반사율이 높고, 고온의 환경하에 있어서도 반사율의 저하가 적은 적층 필름이 얻어진다.

［LED 탑재 기판］

이하, 본 발명의 LED 탑재 기판의 실시형태에 대해 설명한다. 도 2(a) ∼ (d) 는, 본 실시형태의 LED 탑재 기판 (100) 을 모식적으로 나타내는 단면도, 및 그 제조 방법을 나타내는 공정도이다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, LED 탑재 기판 (100) 은, 상기 서술한 적층 필름 (10) 과, 적층 필름 (10) 상에 형성된 도체 패턴 (20) 과, 본딩 와이어 (30) 와, 도체 패턴 (20) 과 접속된 LED (LED 소자) (200) 를 구비한다.

본 실시형태의 LED 탑재 기판 (100) 은, 도 2 에 나타내는 방법에 의해 제조할 수 있다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, (a) 적층 필름 (10) 과, 금속층 (11) 을 준비하고, (b) 적층 필름 (10) 의 양면에, 금속층 (11) 을 진공 프레스 등에 의해 적층한다. 금속층 (11) 의 형성 재료로는, 구리, 금, 은, 알루미늄, 니켈, 주석 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 구리이다.

다음으로, (c) 금속층 (11) 을 에칭 또는 금속층 (11) 상에 직접 패턴을 형성함으로써, 도체 패턴 (20) 을 형성하고, LED 탑재용 기판으로 한다. (d) 이 기판에, LED (200) 를 실장하고, 본딩 와이어 (30) 에 의해 도체 패턴 (20) 과 접속하여, LED 탑재 기판 (100) 으로 한다. 상기 서술한 금속층 (11) 의 형성 재료는, 도체 패턴 (20) 의 형성 재료로서 사용할 수 있다.

이상과 같은 구성의 LED 탑재 기판에 의하면, 상기 서술한 적층 필름을 구비하고 있으므로, 적층 필름의 열화를 억제하기 때문에, 탑재하는 LED 의 휘도를 낮게 할 필요가 없다. 그 때문에, 이와 같은 LED 탑재 기판을 구비하는 LED 는 밝기가 우수하다.

이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명에 관련된 바람직한 실시형태예에 대해 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 상기 서술한 예에 있어서 나타낸 각 구성 부재의 여러 형상이나 조합 등은 일례로서, 본 발명의 주된 취지로부터 일탈하지 않는 범위에 있어서 설계 요구 등에 기초하여 다양한 변경이 가능하다.

실시예

이하에, 본 발명을 실시예에 의해 설명한다. 액정 폴리에스테르 조성물 및 적층 필름에 대해, 다양한 측정 및 평가는 이하와 같이 하여 실시하였다.

［유리 전이 온도의 측정］

동적 점탄성 측정 장치 (티·에이·인스트루먼트사 제조, 「Q800」) 에 의해 액정 폴리에스테르 조성물의 저장 탄성률을 측정하여, tanδ 의 피크로부터 유리 전이 온도를 측정하였다.

측정 모드 : 인장 모드, 진폭 : 20, 주파수 : 20 Hz, 승온 속도 : 5 ℃/분.

［공극률의 측정］

얻어진 적층 필름에 대해, 토너층의 표면 및 토너층의 단면의 각각의 면에 있어서, 공극 면적률을 구하여, 하기 식 (S1) 로 정의되는 공극률을 산출하였다. 표면의 공극 면적률 및 단면의 공극 면적률은, 토너층 (2) 의 표면 및 단면에 대해, 화상 해석 장치 ((주) 니레코 제조, 「루젝스 (상표 등록)」) 에 의해 2 치 화상 처리를 실시함으로써 구하였다. 구체적으로는, 화상 해석 장치에 의해 얻어진 2 차원 화상으로부터 표면의 공극 면적률과, 서로 직교하는 2 개의 단면의 공극 면적률을 산출하였다. 이 측정에 있어서, 공극 면적률은, 공지된 화상 해석 장치의 측정 면적 0.4 ㎟ 에 대한 공극의 면적의 비율이 백분율로 부여되는 값이다.

서로 직교하는 단면은, 토너층의 거의 중앙 부근을 커터 나이프로 절단하여 형성하였다. 절단 방향으로서 토너층의 MD 방향 및 TD 방향을 채용하였다. MD 방향이란 토너의 도공 방향을 나타내고, TD 방향이란 토너의 도공 방향에 대해 수직 방향을 나타낸다.

［반사율의 측정］

반사율 측정 장치 (주식회사 히타치 제작소 제조, 「U-3500 형 자기 분광 광도계」) 에 의해, 얻어진 적층 필름의 파장 550 ㎚ 에 있어서의 반사율을 측정하였다. 산화알루미늄제의 화이트보드 ((주) 히타치 하이테크 필딩 제조 부품 번호 : 210-0740) 의 반사율을 100 ％ 로 했을 때의, 적층 필름의 반사율을 구하였다. 이하에 측정 조건을 나타낸다.

측정 파장 : 350 ∼ 800 ㎚, 슬릿 : 6 ㎚, 샘플링 간격 : 1 ㎚, 스캔 스피드 : 600 ㎚/분.

［열처리 후에 있어서의 반사율의 측정］

얻어진 적층 필름을, 공기 중에서 260 ℃ 에서 1 분간 열처리하였다. 열처리 후에 있어서의 적층 필름의 반사율을 상기와 동일하게 측정하였다.

［제조예］

교반 장치, 토크 미터, 질소 가스 도입관, 온도계 및 환류 냉각기를 구비한 반응기에, 2-하이드록시-6-나프토산 1034.99 g (5.5 몰), 2,6-나프탈렌디카르복실산 378.33 g (1.75 몰), 테레프탈산 83.07 g (0.5 몰), 1,4-벤젠디올 272.52 g (2.475 몰 : 2,6-나프탈렌디카르복실산 및 테레프탈산의 합계 몰수량에 대해 0.225 몰 과잉), 무수 아세트산 1226.87 g (12.0 몰), 및 촉매로서 1-메틸이미다졸 0.17 g 을 넣었다. 이것을 실온에서 15 분간 교반한 후, 교반하면서 145 ℃ 까지 승온시키고, 145 ℃ 에서 1 시간 교반하였다.

다음으로, 증류 추출되는 부생 아세트산과 미반응의 무수 아세트산을 증류 제거하면서, 145 ℃ 에서 310 ℃ 까지 3 시간 30 분에 걸쳐 승온시킨 후, 310 ℃ 에서 3 시간 반응시켰다. 이 중합물 (프레폴리머) 을 실온까지 냉각시키고, 분쇄기로 분쇄하여, 체적 평균 입경이 약 0.4 ㎜ 인 분말상의 고형물을 얻었다. 이 고형물에 대해, 플로 테스터 (주식회사 시마즈 제작소사 제조, 「CFT-500 형」) 를 사용하여, 유동 개시 온도를 측정한 결과, 267 ℃ 였다.

다음으로, 이 중합물을 25 ℃ 에서 250 ℃ 까지 1 시간에 걸쳐 승온시킨 후, 250 ℃ 에서 293 ℃ 까지 5 시간에 걸쳐 승온시키고, 293 ℃ 에서 5 시간 반응시킴으로써, 고상 중합을 진행시켰다. 고상 중합 후의 반응물을 냉각시켜, 분말상의 액정 폴리에스테르를 얻었다. 분말상의 액정 폴리에스테르에 대해, 플로 테스터 (주식회사 시마즈 제작소사 제조, 「CFT-500 형」) 를 사용하여, 유동 개시 온도를 측정한 결과, 317 ℃ 였다.

얻어진 분말상의 액정 폴리에스테르는, 반복 단위 (1) 로서, Ar¹ 이 2,6-나프틸렌기인 것, 즉 2-하이드록시-6-나프토산에서 유래하는 반복 단위의 함유량이, 전체 반복 단위의 합계 몰수량에 대해 55 몰％ 였다.

반복 단위 (2) 로서, Ar² 가 2,6-나프틸렌기인 것, 즉 2,6-나프탈렌디카르복실산에서 유래하는 반복 단위의 함유량이, 전체 반복 단위의 합계 몰수량에 대해 17.5 몰％ 였다.

또한, 반복 단위 (2) 로서, Ar² 가 1,4-페닐렌기인 것, 즉 테레프탈산에서 유래하는 반복 단위의 함유량이, 전체 반복 단위의 합계 몰수량에 대해 5 몰％ 였다.

또한, 반복 단위 (3) 로서, Ar³ 이 1,4-페닐렌기인 것, 즉 1,4-벤젠디올에서 유래하는 반복 단위의 함유량이, 전체 반복 단위의 합계 몰수량에 대해 22.5 몰％ 였다.

따라서, 2,6-나프틸렌기를 포함하는 반복 단위의 함유량이, 전체 반복 단위의 합계 몰수량에 대해 72.5 몰％ 였다.

얻어진 분말상의 액정 폴리에스테르 100 질량부와, 체적 평균 입경이 0.21 ㎛ 인 산화티탄 (이시하라 산업 (주) 제조, 「TIPAQUE CR-60」) 1 질량부를 혼합하고, 2 축 압출기 (이케가이 철공 (주) 제조, 「PCM-30」) 를 사용하여, 317 ℃ ∼ 327 ℃ 에서 조립 (造粒) 하여, 펠릿상으로 하였다.

얻어진 액정 폴리에스테르 조성물에 대해, 동적 점탄성 측정 장치 (Q800) 를 사용하여 유리 전이 온도를 측정한 결과, 133 ℃ 였다. 얻어진 펠릿을 1 축 압출기 (스크루 직경 50 ㎜) 에 공급하여 용융시키고, T 다이 (립 길이 300 ㎜, 립 클리어런스 1 ㎜, 다이 온도 350 ℃) 로부터 필름상으로 압출하여 냉각시켜, 액정 폴리에스테르를 형성 재료로 하는 수지층을 얻었다. 수지층의 두께를 마이크로미터에 의해 측정하였다. 측정은 수지층의 임의의 9 점에 대해 실시하고, 그 평균치는 25 ㎛ 였다.

［적층 필름의 제조］

［실시예 1］

시판되고 있는 전자 사진 프린터 (삼성 제조, 「ML-3712ND」) 에 있어서의 정착 장치 (정착 공정) 의 가열 온도를 임의로 변경할 수 있도록 하였다. 토너 (백색) 의 평균 입경은 약 8 ㎛ 였다. 제조예에서 얻어진 수지층의 일방의 면에, 정착 장치의 가열 온도가 160 ∼ 170 ℃ 의 범위가 되도록 제어하면서, 화상 형성 (토너층의 형성) 을 4 회 반복하였다. 요컨대, 하나의 수지층에 있어서 전자 사진법에 있어서의 대전, 노광, 현상, 전사, 정착의 5 공정을 1 회로 하여 그것을 4 회 반복하여, 실시예 1 의 적층 필름을 얻었다.

［실시예 2］

정착 장치의 가열 온도를 140 ∼ 150 ℃ 의 범위가 되도록 제어한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 실시하여, 실시예 2 의 적층 필름을 얻었다.

［실시예 3］

정착 장치의 가열 온도를 150 ∼ 160 ℃ 의 범위가 되도록 제어한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 실시하여, 실시예 3 의 적층 필름을 얻었다.

［실시예 4］

정착 장치의 가열 온도를 150 ∼ 160 ℃ 의 범위가 되도록 제어하고, 화상 형성의 횟수를 1 회로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 실시하여, 실시예 4 의 적층 필름을 얻었다.

［실시예 5］

정착 장치의 가열 온도를 160 ∼ 170 ℃ 의 범위가 되도록 제어하고, 화상 형성의 횟수를 1 회로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 실시하여, 실시예 5 의 적층 필름을 얻었다.

［실시예 6］

정착 장치의 가열 온도를 140 ∼ 150 ℃ 의 범위가 되도록 제어하고, 화상 형성의 횟수를 1 회로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 실시하여, 실시예 6 의 적층 필름을 얻었다.

［비교예 1］

실시예 1 의 적층 필름 대신에, 종래의 전자 사진법에 사용되는 보통지를 사용하였다.

［비교예 2］

실시예 1 의 적층 필름 대신에, 제조예에서 얻어진 수지층을 사용하였다.

실시예 1 ∼ 6 에서 얻어진 적층 필름에 대해, 열처리 전의 토너층의 표면의 공극 면적률, 서로 직교하는 2 개의 단면 (MD 방향의 단면과 TD 방향의 단면) 의 공극 면적률, 2 개의 단면의 공극 면적률로부터, 식 (S1) 에 기초하여 산출되는 2 개의 공극률을 표 1 에 나타내었다. 표 1 중, 공극률의 MD 방향 란의 값은, MD 방향의 단면의 공극 면적률로부터 산출된 공극률을, 공극률의 TD 방향 란의 값은, TD 방향의 단면의 공극 면적률로부터 산출된 공극률을, 각각 의미한다. 실시예 1 ∼ 6 에서 얻어진 적층 필름, 비교예 1 의 보통지 및 비교예 2 의 수지층에 대해, 열처리 전후의 반사율을 표 1 에 함께 나타내었다.

표 1 에 나타내는 바와 같이, 실시예 1 ∼ 6 의 적층 필름의 열처리 전의 가시광역에 있어서의 반사율은 양호하고, 열처리 후의 반사율의 저하도 없는 것을 알 수 있었다. 실시예 1 ∼ 3 의 적층 필름의 토너층의 MD 방향 및 TD 방향의 공극률이 각각 0.01 ％ 이상 0.40 ％ 이하의 범위이며, 또한 표면의 공극 면적률이 0.1 ％ 이상 11 ％ 이하의 범위였다. 이들 적층 필름의 열처리 전의 가시광 영역에 있어서의 반사율은 모두 83 ％ 이상으로 보다 높고, 열처리 후도 높은 반사율이 유지되는 것을 알 수 있었다.

한편, 실시예 4 의 적층 필름의 토너층의 TD 방향의 공극률이 0.01 ％ 이상 0.40 ％ 이하의 범위이지만, MD 방향의 공극률이 0.01 ％ 이상 0.40 ％ 이하의 범위 외였다. 이 적층 필름의 열처리 전의 가시광 영역에 있어서의 반사율은, 실시예 1 ∼ 3 의 적층 필름의 그것과 비교하여 낮지만, 열처리 후도 그 반사율이 유지되는 것을 알 수 있었다.

실시예 5 및 실시예 6 의 적층 필름의 토너층의 MD 방향 및 TD 방향의 공극률은, 각각 0.01 ％ 이상 0.40 ％ 이하의 범위 외이고, 또한 표면의 공극 면적률이 0.1 ％ 이상 11 ％ 이하의 범위 외였다. 이들 적층 필름의 열처리 전의 가시광 영역에 있어서의 반사율은, 실시예 1 ∼ 3 의 적층 필름의 그것과 비교하여 낮지만, 열처리 후도 그 반사율이 유지되는 것을 알 수 있었다.

또한, 비교예 1 의 보통지에 있어서는, 열처리 전의 가시광 영역에 있어서의 반사율이 80 ％ 로 충분하지만, 열처리 후의 가시광 영역에 있어서의 반사율이 72 ％ 가 되어, 열처리에 의해 반사율이 대폭 저하되는 것을 알 수 있었다.

또한, 비교예 2 의 수지층은, 열처리 전의 가시광 영역에 있어서의 반사율이 73.9 ％ 이지만, 열처리에 의해 반사율이 1 ％ 이상 저하되는 것을 알 수 있었다.

이상의 결과로부터 본 발명이 유용하다는 것이 확인되었다.

본 발명에 의하면, 고온의 환경하에서의 가시광 영역에 있어서의 반사율의 저하를 억제할 수 있는 적층 필름 및 적층 필름의 제조 방법과, 이 적층 필름을 적용한 LED 탑재 기판을 제공할 수 있다.

따라서, 본 발명은 산업상 매우 중요하다.

1…수지층
2…토너층
10…적층 필름
11…금속층
20…도체 패턴
30…본딩 와이어
100…LED 탑재 기판
200…LED (LED 소자)

Claims

두께가 10 ㎛ 이상 125 ㎛ 이하인 수지층과,
상기 수지층의 일방의 면에 형성된 토너층을 갖고,
상기 수지층은 유리 전이 온도가 130 ℃ 이상인 수지를 갖고,
상기 토너층은 복수의 공극을 갖는, 적층 필름.
제 1 항에 있어서,
상기 토너층의 표면에 대해 수직인 토너층의 단면의 공극 면적률과 상기 표면의 공극 면적률로부터 하기 식 (S1) 에 따라 산출되는 토너층의 공극률과, 상기 단면에 직교하고, 또한 토너층의 표면에 대해 수직인 토너층의 단면의 공극 면적률과 상기 표면의 공극 면적률로부터 하기 식 (S1) 에 따라 산출되는 토너층의 공극률과의 양방이 0.01 ％ 이상 0.40 ％ 이하인, 적층 필름.

(식 (S1) 중, 표면의 공극 면적률은, 토너층의 표면의 면적에 대한 표면에 노출되는 공극의 면적의 비율을 의미하고, 단면의 공극 면적률은, 토너층의 단면의 면적에 대한 단면에 노출되는 공극의 면적의 비율을 의미한다)
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 토너층의 표면의 공극 면적률이 0.1 ％ 이상 11 ％ 이하인, 적층 필름.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 토너층이, 백색의 토너층인, 적층 필름.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수지는, 폴리이미드 또는 하이드록시카르복실산에서 유래하는 구성 단위를 메소겐기로 하는 액정 폴리에스테르인, 적층 필름.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수지는, 하이드록시카르복실산에서 유래하는 구성 단위를 메소겐기로 하는 액정 폴리에스테르인, 적층 필름.
제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
상기 액정 폴리에스테르는, 4-하이드록시벤조산 또는 2-하이드록시-6-나프토산에서 유래하는 구성 단위를 함유하는, 적층 필름.
제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 액정 폴리에스테르는, 식 (1) ∼ 식 (3) 으로 나타내는 반복 단위를 갖고, 2,6-나프틸렌기를 포함하는 반복 단위의 함유량이, 전체 반복 단위의 합계 몰수량에 대해 40 몰％ 이상인, 적층 필름.
-O-Ar¹-CO- (1)
-CO-Ar²-CO- (2)
-X-Ar³-Y- (3)
［식 (1) ∼ 식 (3) 중, Ar¹ ∼ Ar³ 은, 서로 독립적으로 페닐렌기, 나프틸렌기 또는 비페닐렌기를 나타내고, X 및 Y 는, 서로 독립적으로 산소 원자 또는 이미노기를 나타내고, Ar¹ ∼ Ar³ 에 포함되는 1 개 이상의 수소 원자는, 서로 독립적으로 할로겐 원자, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기 또는 탄소수 6 ∼ 20 의 아릴기로 치환되어 있어도 된다］
제 8 항에 있어서,
상기 식 (1) 로 나타내는 반복 단위가, 식 (11) 로 나타내는 반복 단위이며, 상기 식 (2) 로 나타내는 반복 단위가, 식 (21) 로 나타내는 반복 단위이며, 상기 식 (3) 으로 나타내는 반복 단위가, 식 (31) 로 나타내는 반복 단위인, 적층 필름.
-O-Ar¹¹-CO- (11)
-CO-Ar²¹-CO- (21)
-O-Ar³¹-O- (31)
［식 (11), 식 (21) 및 식 (31) 중, Ar¹¹, Ar²¹ 및 Ar³¹ 은, 서로 독립적으로 1,4-페닐렌기, 1,3-페닐렌기, 2,6-나프틸렌기 및 4,4＇-비페닐릴렌기를 나타내고, Ar¹¹, Ar²¹ 및 Ar³¹ 에 포함되는 1 개 이상의 수소 원자는, 서로 독립적으로 할로겐 원자, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기 또는 탄소수 6 ∼ 20 의 아릴기로 치환되어 있어도 된다］
유리 전이 온도가 130 ℃ 이상인 수지를 갖는 수지층과,
상기 수지층의 일방의 면에 형성되고, 복수의 공극을 갖는 토너층을 갖는 적층 필름의 제조 방법으로서,
상기 토너층을, 전자 사진법에 의해 형성하는 공정을 포함하는, 적층 필름의 제조 방법.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 적층 필름과,
상기 적층 필름 상에 형성된 도체 패턴과,
상기 도체 패턴과 접속된 LED 소자를 구비하는, LED 탑재 기판.